JP6312505B2 - 光学式エンコーダおよびこれを備えた装置 - Google Patents

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Description

本発明は、光学式エンコーダに関する。
光学式エンコーダには、例えば特許文献1にて開示されているように、スケールとセンサ(受光素子アレイ)との間に、複数のスリット(格子)を有するマスクを配置したものがある。このようなマスクを用いることで、スケールとセンサとの相対移動に応じて、受光素子アレイの配列周期よりはるかに高い信号周期の正弦波信号を取得することができる。そして、位相が異なる複数の正弦波信号を信号処理によって位置情報に変換することで、きわめて高い分解能の位置検出を行うことが可能である。
特開2011−185806号公報
しかしながら、このような光学式エンコーダでは、スケール、センサおよびマスクの取り付け位置のばらつき等の組み付け誤差に起因して、スケールとセンサとの間の距離が変動すると、受光素子アレイ上での空間像の周期が変動する。これにより、検出信号の振幅が減少したり複数の正弦波信号間の位相関係が変動したりして、位置検出の精度が低下するおそれがある。
本発明は、組み付け誤差の位置検出精度への影響が少ない高分解能な光学式エンコーダおよびこれを備えた装置を提供する。
本発明の一側面としての光学式エンコーダでは、光源からの光を反射または透過するスケールパターンが設けられたスケールとスケールパターンからの光を受光するセンサとが相対移動する。該エンコーダにおいて、センサは、該センサとスケールとの相対移動方向に配列された複数の受光素子を含む受光素子アレイを有し、該受光素子アレイには、互いに出力が足し合わされる2以上の受光素子により構成される受光素子群がピッチPで複数設けられている。そして、スケールとセンサとの間に、受光素子アレイ上にピッチPより小さい空間周期の光強度分布を形成する第1のパターンと受光素子アレイ上にピッチより大きい空間周期の光強度分布を形成する第2のパターンを含む中間パターンが設けられていることを特徴とする。
また、本発明の他の一側面としての装置は、動作可能な可動部と、上記光学式エンコーダを用いて可動部の動作を制御する制御部とを有することを特徴とする。
本発明によれば、組み付け誤差の位置検出精度への影響が少なく、高分解能な位置検出が可能な光学式エンコーダを実現することができる。そして、この光学式エンコーダを用いれば、装置における可動部の動作を高精度に制御することができる。
本発明の実施例1である光学式エンコーダの構成を示す図。 実施例1のエンコーダの変形例を示す図。 実施例1のエンコーダのセンサユニットに設けられた受光素子アレイにおける受光素子の配列を示す図。 実施例1のエンコーダにおける光路を示す展開図。 実施例1のセンサユニットの構成を示す平面図。 実施例1のエンコーダにおけるLおよびLとP3max2,P3aおよびP3bとの関係を示すグラフ図。 実施例1のエンコーダにおける(a)像倍率Mに対するA(+)相の信号振幅の変化を示すグラフ図および(b)像倍率Mに対する信号位相の変化を示すグラフ図。 本発明の実施例2である光学式エンコーダのセンサユニットの構成を示す平面図。 実施例2のエンコーダにおけるLおよびLとP3max2,P3a 3b およびP 3c との関係を示すグラフ図。 実施例2のエンコーダにおける(a)像倍率Mに対するA(+)相の信号振幅の変化を示すグラフ図および(b)像倍率Mに対する信号位相の変化を示すグラフ図。 本発明の実施例3である光学式エンコーダのセンサユニットの構成を示す平面図。 本発明の実施例4である光学式エンコーダでのLおよびLとP3max2,P3aおよびP3bとの関係を示すグラフ図。 実施例4のエンコーダにおける(a)像倍率Mに対するA(+)相の信号振幅の変化を示すグラフ図および(b)像倍率Mに対する信号位相の変化を示すグラフ図。 本発明の実施例5である露光装置の構成を示す図。
以下、本発明の実施例について図面を参照しながら説明する。
図1には、本発明の実施例1である光学式エンコーダ(以下、単にエンコーダという)の構成を示している。エンコーダは、不図示の装置の固定部に取り付けられるセンサユニット10と、該装置の可動部に取り付けられ、センサユニット10に対して可動部とともに移動可能なスケール20とを有するリニアエンコーダである。なお、装置の固定部にスケール20を取り付け、可動部にセンサユニット10を取り付けてもよい。すなわち、センサユニット10とスケール20とが相対移動可能であればよい。以下の説明において、センサユニット10に対するスケール20の移動方向(図1中のX方向)、すなわちスケール20とセンサユニット10との相対移動方向を位置検出方向という。
センサユニット10は、LEDにより構成された発光素子11と受光素子アレイ12を有する受光IC13とが同一パッケージ内に実装された受発光一体型のセンサユニットである。受光素子アレイ12は、スケール20に設けられたスケールパターンで反射した光の強度分布を検出するための複数の受光素子が位置検出方向(X方向)に配列されて構成されている(図3参照)。
発光素子11からスケール20に向かう光路中には、位置検出方向に交互に配列された透過部と遮光部とにより透過型回折格子として形成された第1の格子としての光源格子(光源パターン)14が設けられている(図5参照)。後に詳しく説明するが、本実施例では、発光素子11と光源格子14とによって光源が構成される。
一方、スケール20には、位置検出方向に交互に配列された反射部と非反射部とにより反射型回折格子として形成された第2の格子としてのスケール格子(スケールパターン)21が設けられている。なお、スケール格子21は、周期的に光路長が異なるように段差が設けられた位相格子であってもよい。例えば、位相格子に発光素子11からの光の波長の1/4の段差を設けるとともに一様に反射膜を設けることで、受光素子アレイ12からの信号出力に寄与する±1次回折光の回折効率を増加させることができる。
また、スケール20から受光素子アレイ12に向かう光路中(スケール20と受光素子アレイ12との間)には、第3の格子としてのインデックス格子(中間パターン)15が設けられている。インデックス格子15は、位置検出方向に交互に配列された透過部と遮光部とにより透過型回折格子として形成されている。光源格子14とインデックス格子15はそれぞれ、カバーガラス16の一方の面上に透過部となるクロム膜を形成することで設けられる。光源格子14とインデックス格子15が設けられたカバーガラス16は、発光素子11および受光IC13が封止された透光性樹脂17に対して貼り合わされて、これら発光素子11および受光IC13と光学的に一体化される。
なお、図2(a)に示すように、センサユニット10における発光素子11と受光IC13との間に遮光部材18を設けてもよい。遮光部材18により、スケール格子21を介さずにセンサユニット10の内部で反射した光(例えばセンサユニット10と空気との界面となるカバーガラス16のスケール側の面で内面反射した光)が受光素子アレイ12に入射するのを抑制することができる。これにより、受光素子アレイ12からの出力信号のコントラストを向上させることができる。また、図2(b)に示すように、カバーガラス16のスケール側の外面に反射防止膜19を設けてもよい。これにより、スケール格子21からの反射光の一部がカバーガラス16の外面によって反射されて受光素子アレイ12に到達せず、受光素子アレイ12からの出力信号の精度が低下することを防止することができる。
図3には、本実施例における受光素子アレイ12を構成する複数の受光素子の配列を示している。本実施例では、受光素子アレイ12は、32個の受光素子が位置検出方向に一列に並べられて構成されている。位置検出方向において互いに隣り合う2つの受光素子の中心間距離(隣接素子ピッチ)Xpdは64μmである。また、各受光素子の位置検出方向に直交する方向(Y方向)でのサイズ(幅)Ypdは450μmである。
32個の受光素子は、A(+)相、B(+)相、A(−)相およびB(−)相に、この順で、かつ循環的に割り当てられており、これら4つの相における各相に割り当てられた8個(2以上)の受光素子が1つの受光素子群を構成する。つまり、本実施例では、それぞれ8個の受光素子により構成される受光素子群が4つ設けられている。各受光素子群を構成する8つの受光素子は互いに電気的に接続されており、これらの出力(電流)は互いに足し合わされて後段に相ごとに設けられた不図示のIV変換アンプに入力される。4つおきに配置された同じ受光素子群を構成する8つの受光素子のうち位置検出方向において最も近い2つの受光素子の中心間距離(群内素子ピッチP)Ppdは256(=64×4)μmである。
各相のIVアンプの出力は、スケール20の移動に応じてその値が正弦波状に変化する電圧信号(正弦波信号)となる。4つの相に対して設けられた4つのIVアンプの出力はそれぞれ、信号位相の0度、90度、180度および270度に対応しており、演算処理によって位置情報に変換される。
図4には、本実施例のエンコーダの光路を展開して、すなわち反射を透過のように展開して示している。発光素子11とともに光源を構成する光源格子14(後述する2次点光源)からスケール格子21までの距離Lは、1mm±0.3mmの範囲に設定される。スケール格子21からインデックス格子15までの距離Lは、Lと等しく(または等しいとみなせる範囲内に)設定される。本実施例では、L=L=1mmとする。インデックス格子15から受光素子アレイ12までの実効光路長としての距離Lは、0.2mmである。実効光路長とは、物理長を屈折率で除した値である。
図5には、センサユニット10の構成をスケール側から見て示している。光源格子14の格子ピッチPは4μmであり、スケール格子21の格子ピッチPも4μmである。インデックス格子15は、位置検出方向(X方向)に延びる直線を境界線Dとして、位置検出方向に直交する方向(Y方向)に2つの領域に分かれている。該2つの領域のうち光源格子14(発光素子11)に近い領域を領域Aとし、光源格子14から遠い領域を領域Bとする。境界線Dは、L=L=1mmにおいて、発光素子11から出射して受光素子アレイ12に入射する光束の主光線(中心光線)とインデックス格子15上で交わるように設定されている。
インデックス格子15における領域Aには、位置検出方向において第1の格子ピッチを有する第1のインデックス格子(第1のパターン)が設けられている。第1の格子ピッチP3aは、4.074406μmである。また、領域Bには、位置検出方向において第2の格子ピッチを有する第2のインデックス格子(第2のパターン)が設けられている。第2の格子ピッチP3bは、4.065509μmである。
発光素子11としてのLEDから出射した発散光束は、光源格子14を通過することによって互いにインコヒーレントな複数の2次点光源を含む光源アレイを形成する。光源格子14から出射した発散光束は、スケール格子21に入射する。なお、本実施例では、LEDと光源格子14との組み合わせによって2次点光源を形成するが、これに代えて、電流狭窄型LEDや半導体レーザ等を実効的な点光源として配置してもよい。また、本実施例では、光源格子14上の点光源からの発散光束をそのままスケール格子21に入射させるが、これに代えて、レンズを用いて実効的な点光源の位置を変換してスケール格子21に入射させてもよい。この場合、Lは実効的な点光源とスケール格子21との間の距離に置き換えられる。
スケール格子21によって回折および反射された+1次回折光と−1次回折光は、インデックス格子15上で互いに干渉し、これにより4μm周期の光強度分布を有する干渉縞が形成される。一方、インデックス格子15における第1および第2の格子ピッチP3a,P3bはそれぞれ4μmからわずかにずれている(大きい)ため、もとの干渉縞に対して粗い空間周期Pmが重畳された光強度分布(干渉縞)がインデックス格子15を透過する。
インデックス格子15の格子ピッチ(P3a,P3b)をPとするとき、空間周期Pmは以下の式で表すことができる。ただし、ABS(x)はxの絶対値を表す関数である。
=ABS(P・P/(P−P))
インデックス格子15を透過した空間周期Pmの光強度分布は、さらに伝搬して、像倍率Mで受光素子アレイ12上に投影される。すなわち、受光素子アレイ12上には、空間周期M・Pの光強度分布が形成される。このときの像倍率Mは、
M=(L+L+L)/(L+L
で表される。
本実施例では、
M=(1+1+0.2)/(1+1)
=1.1
である。このため、受光素子アレイ12上には、第1のインデックス格子(領域A)によって、
M・P=1.1×ABS(4×4.074406/(4−4.074406))
=240.9432μm
の空間周期を有する光強度分布が形成される。また、第2のインデックス格子(領域B)によって、
M・P=1.1×ABS(4×4.065509/(4−4.065509))
=273.0653μm
の空間周期を有する光強度分布が形成される。
このようにして、受光素子アレイ12上には、同じ受光素子群を構成する受光素子間のピッチである群内素子ピッチPpd(=256μm)より小さい空間周期の光強度分布と、群内素子ピッチPpdより大きい空間周期の光強度分布とが形成される。つまり、インデックス格子15は、受光素子アレイ12上に群内素子ピッチPpdより小さい空間周期の光強度分布を形成する第1のインデックス格子(領域A)と群内素子ピッチPpdより大きい空間周期の光強度分布を形成する第2のインデックス格子(領域B)とを含む。
受光素子アレイ12上に投影(形成)される光強度分布の空間周波数に対する受光素子アレイ12(IVアンプ)からの正弦波出力の応答特性は、1/Ppdをピークとする特性を示す。
すなわち、
M・P=Ppd
となる場合に、正弦波出力の信号振幅が最大になる。
そして、正弦波出力の信号振幅が最大になるときのインデックス格子15の格子ピッチPをP3maxとすると、
となる。この式の2つの解をP3max1,P3max2とすると、
と表せる。例えば、L=L=1mmの場合は、
3max1=3.932412μm
3max2=4.069952μm
となる。
図6には、本実施例におけるLおよびLと、P3max2,P3aおよびP3bとの関係を示す。この図から、L=L=1mm±0.3mmの範囲内において、P3aとP3bが、
なる関係(条件)を満足していることが分かる。
図7(a)には本実施例における像倍率Mに対するA(+)相の信号振幅の変化を示し、図7(b)には像倍率Mに対するA(+)相の信号位相の変化を示す。インデックス格子15の第1のインデックス格子(領域A)により形成される光強度分布に対応して受光素子アレイ12にて生成される信号を領域A信号といい、図には単に領域Aと示す。また、第2のインデックス格子(領域B)により形成される光強度分布に対応して受光素子アレイ12にて生成される信号を領域B信号といい、図には単に領域Bと示す。
図7(a)に示すように、領域A信号と領域B信号の振幅はそれぞれ、像倍率Mの変動に対して、上記式(1)の関係を満足することにより異なる点をピークに持つ。その結果、領域A信号と領域B信号とが足し合わされて生成される受光素子アレイ12からの各相の出力信号の振幅変動が抑えられる。
また、図7(b)に示すように、領域A信号と領域B信号の位相はそれぞれ像倍率Mの変動に伴って変化する。しかし、上記式(1)の関係を満足することによってその位相変動がキャンセルされるように領域A信号と領域B信号間で重み付けが変化し、領域A信号と領域B信号とが足し合わされて生成される受光素子アレイ12からの各相の出力信号の位相変動が抑えられる。他のB(+)相、A(−)相およびB(−)相についても同様である。
ここで、P3aとP3bが、
なる関係(条件)を満足しても同様の効果が得られる。すなわち、第1のインデックス格子の格子ピッチ(第1の格子ピッチ)P3aと第2のインデックス格子の格子ピッチ(第2の格子ピッチ)P3bが、式(1)または式(2)により示した関係を満足すればよい。
さらに、受光素子アレイ12が含む複数の受光素子の数をM個とし、各受光素子群を構成する受光素子の数をN個とし、受光素子群の群数GをG=M/Nとする(本実施例では、G=32/8=4)。このとき、第1のインデックス格子の格子ピッチP3aと第2のインデックス格子の格子ピッチP3bが、以下の式(3)または式(4)により示す関係を満足することが望ましい。
式(3)または式(4)の関係を満足することにより、像倍率Mの変動に対する領域A信号と領域B信号のそれぞれの振幅変動が、一方が単調増加、他方が単調減少となる。このため、領域A信号と領域B信号とが足し合わされて生成される受光素子アレイ12からの各相の出力信号の振幅変動が抑制される効果がより高く得られる。
以上説明したように、本実施例によれば、センサユニット10およびスケール20の組み付け誤差の位置検出精度への影響が少ない高分解能なエンコーダを実現することができる。
図8には、本発明の実施例2であるエンコーダにおけるセンサユニット10Aの構成をスケール側から見て示している。本実施例において、実施例1と共通する構成要素には、実施例1と同符号を付して説明に代える。
本実施例のセンサユニット10Aに用いられるインデックス格子15Aでは、位置検出方向(X方向)に延びる2つの直線を境界線D1,D2として、位置検出方向に直交する方向(Y方向)に3つの領域に分かれている。該3つ領域のうち光源格子14(発光素子11)に最も近い領域を領域Aとし、光源格子14から最も遠い領域を領域Cとし、領域A,Cの間の領域を領域Bとする。境界線D1は、L=L=1mmにおいて、発光素子11から出射して受光素子アレイ12に入射する光束のうち、主光線(中心光線)と発光素子11に近い側のアレイ端に入射する光線との中間の光線がインデックス格子15A上で交わるように設定されている。また、境界線D2は、L=L=1mmにおいて、発光素子11から出射して受光素子アレイ12に入射する光束のうち、主光線(中心光線)と発光素子11から遠い側のアレイ端に入射する光線との中間の光線がインデックス格子15A上で交わるように設定されている。
領域Aには、位置検出方向において格子ピッチP3aを有するインデックス格子が設けられている。格子ピッチP3aは、4.078869μmである。また、領域Bには、位置検出方向において格子ピッチP3bを有するインデックス格子が設けられている。格子ピッチP3bは、4.069952μmである。さらに、領域Cには、位置検出方向において格子ピッチP3cを有するインデックス格子が設けられている。格子ピッチP3cは、4.061075μmである。
図9には、本実施例におけるLおよびLと、P3max2,P3a,P3bおよびP3cとの関係を示す。本実施例では、LとLが1mmより小さいか大きいかに応じて、上記3つの領域A,B,Cのうち2つの領域のインデックス格子が実施例1にて説明した第1および第2のインデックス格子に相当する。
具体的には、L=L<1mmの場合は、領域Aのインデックス格子(格子ピッチP3a)および領域Bのインデックス格子(格子ピッチP3b)がそれぞれ、第1のインデックス格子と第2のインデックス格子に相当する。また、L=L>1mmの場合は、領域Bのインデックス格子(格子ピッチP3b)および領域Cのインデックス格子(格子ピッチP3c)がそれぞれ、第1のインデックス格子と第2のインデックス格子に相当する。
図10(a)には本実施例における像倍率Mに対するA(+)相の信号振幅の変化を示し、図10(b)には像倍率Mに対するA(+)相の信号位相の変化を示す。インデックス格子15Aにおける領域Aのインデックス格子により形成される光強度分布に対応して受光素子アレイ12にて生成される信号を領域A信号といい、図には単に領域Aと示す。また、領域Bのインデックス格子により形成される光強度分布に対応して受光素子アレイ12にて生成される信号を領域B信号といい、図には単に領域Bと示す。さらに、領域Cのインデックス格子により形成される光強度分布に対応して受光素子アレイ12にて生成される信号を領域C信号といい、図には単に領域Cと示す。
図10(a)に示すように、領域A信号、領域B信号および領域C信号の振幅はそれぞれ、像倍率Mの変動に対して、実施例1にて式(1)または式(2)で示した関係を満足することにより異なる点をピークに持つ。その結果、領域A信号、領域B信号および領域C信号が足し合わされて生成される受光素子アレイ12からの各相の出力信号の振幅変動が抑えられる。
また、図10(b)に示すように、領域A信号、領域B信号および領域C信号の位相はそれぞれ像倍率Mの変動に伴って変化する。しかし、式(1)または式(2)で示した関係を満足することによってその位相変動がキャンセルされるように領域A信号、領域B信号および領域C信号間で重み付けが変化する。このため、領域A信号、領域B信号および領域C信号が足し合わされて生成される受光素子アレイ12からの各相の出力信号の位相変動が抑えられる。他のB(+)相、A(−)相およびB(−)相についても同様である。
このように、インデックス格子15Aに互いに格子ピッチが異なる3つのインデックス格子(領域A,B,C)を設けてこれらを組み合わせることで、実施例1に比べてより広い像倍率Mの変動に対して安定的な特性を得ることができる。
なお、本実施例では互いに格子ピッチが異なる3つのインデックス格子(3つの領域)を設けた場合について説明したが、4つ以上のインデックス格子を設けた場合でも、本実施例と同様に広い像倍率Mの変動に対して安定的な特性を得ることができる。
図11には、本発明の実施例3であるエンコーダにおけるセンサユニット10Bの構成をスケール側から見て示している。本実施例において、実施例1と共通する構成要素には、実施例1と同符号を付して説明に代える。
本実施例のセンサユニット10Bに用いられるインデックス格子15Bでは、位置検出方向(X方向)における格子ピッチが、位置検出方向に直交する方向(Y方向)に連続して変化している。L=L=1mmにおいて、発光素子11から出射して受光素子アレイ12に入射する光束の主光線(中心光線)とインデックス格子15B上で交わる位置をY=0とし、発光素子11に近づく方向を正(Y>0)とする。
インデックス格子15Bの位置検出方向での格子ピッチP3(Y)は、次式で表される関数に従う。
P3(Y)=0.0434964・Y+4.069952(μm)
本実施例のインデックス格子15Bにおいて、
となるY0を通り、位置検出方向に延びる直線を境界線Dとする。例えば、L=L=1mmの場合は、P3(0)=P3maxとなるので、境界線Dの位置はY=0となる。LおよびLの値が変化すると、境界線Dの位置Daがシフトする。このとき、Y>Daの領域A内のインデックス格子が第1のインデックス格子に相当し、Y<Daの領域B内のインデックス格子が第2のインデックス格子に相当する。本実施例でも、実施例1と同様の効果を得ることができる。
次に、本発明の実施例4であるエンコーダについて説明する。本実施例では、受光素子アレイ上に干渉縞としてスケール格子の2倍周期像が形成される。本実施例におけるセンサユニットをスケール側から見た構成は、図6に示した実施例1におけるセンサユニット10と同じであり、実施例1と共通する構成要素には実施例1と同符号を付す。インデックス格子については、格子ピッチが実施例1とは異なるが、実施例1と同じ符号15を付して説明する。
光源格子14の格子ピッチPは16μmであり、スケール格子21の格子ピッチPは8μmである。
本実施例でも、インデックス格子15は、位置検出方向(X方向)に延びる直線を境界線Bとして、位置検出方向に直交する方向(Y方向)に2つの領域に分かれている。該2つの領域のうち光源格子14(発光素子11)に近い領域を領域Aとし、光源格子14から遠い領域を領域Bとする。
インデックス格子15における領域Aには、位置検出方向において第1の格子ピッチを有する第1のインデックス格子が設けられている。第1の格子ピッチP3aは、17.260851μmである。また、領域Bには、位置検出方向において第2の格子ピッチを有する第2のインデックス格子が設けられている。第2の格子ピッチP3bは、17.102296μmである。
発光素子11から出射して光源格子14を通過し、スケール格子21によって回折および反射された+1次回折光および−1次回折光と0次回折光は、インデックス格子15上で互いに干渉し、これにより16μm周期の光強度分布を有する干渉縞が形成される。一方、インデックス格子15における第1および第2の格子ピッチP3a,P3bはそれぞれ16μmからわずかにずれている(大きい)ため、もとの干渉縞に対して粗い空間周期Pmが重畳された光強度分布(干渉縞)がインデックス格子15を透過する。
インデックス格子15の格子ピッチ(P3a,P3b)をPとするとき、空間周期Pmは以下の式で表すことができる。ただし、ABS(x)はxの絶対値を表す関数である。
Pm=ABS(2・P・P/(2・P−P))
インデックス格子15を透過した空間周期Pmの光強度分布は、さらに伝搬して、像倍率Mで受光素子アレイ12上に投影される。すなわち、受光素子アレイ12上には、空間周期M・Pの光強度分布が形成される。このときの像倍率Mは、実施例1でも示したように、
M=(L+L+L)/(L+L
で表される。
実施例1と同様に、L=L=1mm、L=0.2mmとすると、
M=(1+1+0.2)/(1+1)
=1.1
である。このため、受光素子アレイ12上には、第1のインデックス格子(領域A)によって、
M・P=1.1×ABS(2×8×17.260851/(2×8−17.260851))
=240.9412μm
の空間周期を有する光強度分布が形成される。また、第2のインデックス格子(領域B)によって、
M・P=1.1×ABS(2×8×17.102296/(2×8−17.102296))
=273.0667μm
の空間周期を有する光強度分布が形成される。
このようにして、受光素子アレイ12上には、同じ受光素子群を構成する受光素子間のピッチである群内素子ピッチPpd(=256μm)より小さい空間周期の光強度分布と、群内素子ピッチPpdより大きい空間周期の光強度分布とが形成される。つまり、インデックス格子15は、受光素子アレイ12上に群内素子ピッチPpdより小さい空間周期の光強度分布を形成する第1のインデックス格子(領域A)と群内素子ピッチPpdより大きい空間周期の光強度分布を形成する第2のインデックス格子(領域B)とを含む。
受光素子アレイ12上に投影(形成)される光強度分布の空間周波数に対する受光素子アレイ12(IVアンプ)からの正弦波出力の応答特性は、1/Ppdをピークとする特性を示す。
すなわち、
M・P=Ppd
となる場合に、正弦波出力の信号振幅が最大になる。
そして、正弦波出力の信号振幅が最大になるときのインデックス格子15の格子ピッチPをP3maxとすると、
となる。この式の2つの解をP3max1,P3max2とすると、
と表せる。
図12には、本実施例におけるLおよびLと、P3max2,P3aおよびP3bとの関係を示す。この図から、L=L=1mm±0.3mmの範囲内において、P3aとP3bが、
なる関係(条件)を満足していることが分かる。
が満たされていることが分かる。
図13(a)には本実施例における像倍率Mに対するA(+)相の信号振幅の変化を示し、図13(b)には像倍率Mに対するA(+)相の信号位相の変化を示す。インデックス格子15の第1のインデックス格子(領域A)により形成される光強度分布に対応して受光素子アレイ12にて生成される信号を領域A信号といい、図には単に領域Aと示す。また、第2のインデックス格子(領域B)により形成される光強度分布に対応して受光素子アレイ12にて生成される信号を領域B信号といい、図には単に領域Bと示す。
図13(a)に示すように、領域A信号と領域B信号の振幅はそれぞれ、像倍率Mの変動に対して、上記式(5)の関係を満足することにより異なる点をピークに持つ。その結果、領域A信号と領域B信号とが足し合わされて生成される受光素子アレイ12からの各相の出力信号の振幅変動が抑えられる。
また、図13(b)に示すように、領域A信号と領域B信号の位相はそれぞれ像倍率Mの変動に伴って変化する。しかし、上記式(5)の関係を満足することによってその位相変動がキャンセルされるように領域A信号と領域B信号間で重み付けが変化し、領域A信号と領域B信号とが足し合わされて生成される受光素子アレイ12からの各相の出力信号の位相変動が抑えられる。他のB(+)相、A(−)相およびB(−)相についても同様である。
なお、P3aとP3bが、
なる関係(条件)を満足しても同様の効果が得られる。すなわち、第1のインデックス格子の格子ピッチ(第1の格子ピッチ)P3aと第2のインデックス格子の格子ピッチ(第2の格子ピッチ)P3bが、式(5)または式(6)により示した関係を満足すればよい。
さらに、受光素子アレイ12が含む複数の受光素子の数をM個とし、各受光素子群を構成する受光素子の数をN個とし、受光素子群の群数GをG=M/Nとする(本実施例でも実施例1と同様に、G=32/8=4)。このとき、第1のインデックス格子の格子ピッチP3aと第2のインデックス格子の格子ピッチP3bが、以下の式(7)または式(8)により示す関係を満足することが望ましい。
式(7)または式(8)の関係を満足することにより、像倍率Mの変動に対する領域A信号と領域B信号のそれぞれの振幅変動が、一方が単調増加、他方が単調減少となる。このため、領域A信号と領域B信号とが足し合わされて生成される受光素子アレイ12からの各相の出力信号の振幅変動が抑制される効果がより高く得られる。
以上説明したように、本実施例によれば、センサユニット10およびスケール20の組み付け誤差の位置検出精度への影響が少ない高分解能なエンコーダを実現することができる。
なお、本実施例のエンコーダにおけるインデックス格子15を、実施例3にて説明したように格子ピッチが連続して変化するように構成してもよい。
また、上記各実施例では、スケールに格子ピッチが同じ1種類のスケール格子が設けられている場合について説明した。しかし、各実施例と同様の構成を、格子ピッチが異なる複数種類のスケール格子が設けられ、バーニア演算等を用いて位置を検出するエンコーダにも適用することができる。
また、上記各実施例では、光源からの光をスケール(スケール格子)にて反射して受光素子アレイで受光する反射型のエンコーダについて説明した。しかし、各実施例と同様の構成を、光源からの光をスケールを透過させて受光素子アレイで受光する透過型のエンコーダに適用することもできる。
さらに、上記各実施例ではリニアエンコーダについて説明したが、ロータリエンコーダにおいても各実施例と同様に構成することで、各実施例と同様の効果が得られる。
図14には、上述した実施例1で説明したエンコーダを搭載した装置の一例として、半導体ウエハに電子回路を露光する露光装置を示している。この露光装置では、エンコーダを、ウエハが搭載されて2次元方向に駆動されるステージの位置を検出するために用いている。
図14において、50は動作可能な可動部としてのステージであり、このステージ50上にはウエハ53が搭載されている。51はウエハ53に対して不図示のマスクの光学像である電子回路像を投影(露光)する投影光学系である。ステージ50は、駆動機構55によって、投影光学系51に対してX方向およびY方向に駆動される。これにより、ウエハ53上における電子回路像の投影位置が制御される。
20は実施例1のエンコーダのスケールであり、10はセンサユニットである。スケール20はステージ50に取り付けられ、センサユニット10は露光装置の固定部である筐体54に取り付けられている。なお、エンコーダとして、実施例2〜4にて説明したものを用いてもよい。
56はセンサユニット10における受光素子アレイ(図1中の12)からの出力を用いてステージ50の位置を演算し、駆動機構55を制御する制御部である。
このように、露光装置のステージ50の位置を実施例1(または実施例2〜4)のエンコーダを用いて高分解能に、かつ安定的に検出することで、ステージ50の移動(動作)を高精度に制御することができる。
なお、実施例1〜4にて説明したエンコーダは、上述した露光装置に限らず、ロボットアームや搬送装置等、様々な装置における可動部の位置検出に用いることができる。
以上説明した各実施例は代表的な例にすぎず、本発明の実施に際しては、各実施例に対して種々の変形や変更が可能である。
高分解能な位置検出が可能な光学式エンコーダを提供することができる。
10 センサユニット
11 発光素子
12 受光素子アレイ
14 光源格子
15 インデックス格子
20 スケール
21 スケール格子

Claims (7)

  1. 光源からの光を反射または透過するスケールパターンが設けられたスケールと前記スケールパターンからの光を受光するセンサとが相対移動する光学式エンコーダであって、
    前記センサは、該センサと前記スケールとの相対移動方向に配列された複数の受光素子を含む受光素子アレイを有し、
    該受光素子アレイには、互いに出力が足し合わされる2以上の受光素子により構成される受光素子群がピッチPで複数設けられており、
    前記スケールと前記センサとの間に、前記受光素子アレイ上に前記ピッチPより小さい空間周期の光強度分布を形成する第1のパターンと前記受光素子アレイ上に前記ピッチより大きい空間周期の光強度分布を形成する第2のパターンを含む中間パターンが設けられていることを特徴とする光学式エンコーダ。
  2. 前記第1のパターンのピッチをP3aとし、
    前記第2のパターンのピッチをP3bとし、
    前記スケールパターンのピッチをPとし、
    前記光源と前記スケールパターンとの間の距離をLとし、
    前記スケールパターンと前記中間パターンとの間の距離をLとし、
    前記中間パターンと前記受光素子アレイとの間の距離をLとするとき、

    または

    を満足することを特徴とする請求項1に記載の光学式エンコーダ。
  3. 前記受光素子アレイはM個の前記受光素子を含み、
    前記各受光素子群は、N個の前記受光素子により構成され、
    前記受光素子群の数GをG=M/Nとするとき、

    または

    を満足することを特徴とする請求項1または2に記載の光学式エンコーダ。
  4. 前記第1のパターンのピッチをP3aとし、
    前記第2のパターンのピッチをP3bとし、
    前記スケールパターンのピッチをPとし、
    前記光源と前記スケールパターンとの間の距離をLとし、
    前記スケールパターンと前記中間パターンとの間の距離をLとし、
    前記中間パターンと前記受光素子アレイとの間の距離をLとするとき、

    または

    を満足することを特徴とする請求項1に記載の光学式エンコーダ。
  5. 前記受光素子アレイはM個の前記受光素子を含み、
    前記各受光素子群は、N個の前記受光素子により構成され、
    前記受光素子群の数GをG=M/Nとするとき、

    または

    を満足することを特徴とする請求項1または4に記載の光学式エンコーダ。
  6. 前記中間パターンにおける前記第1および第2のパターンのピッチが連続して変化していることを特徴とする請求項1から5のいずれか一項に記載の光学式エンコーダ。
  7. 動作可能な可動部と、
    請求項1から6のいずれか一項に記載の光学式エンコーダと、
    該光学式エンコーダを用いて前記可動部の動作を制御する制御部とを有することを特徴とする装置。
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