JP6308978B2 - 半導体装置 - Google Patents
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Description
図1は、本発明の実施の形態1による半導体装置1の構成の一例を示す図である。なお、本実施の形態1では、半導体装置1は、T−typeの3レベルインバータに用いられるものとする。
図3は、本発明の実施の形態2による半導体装置1の構成の一例を示す図であり、ANPC形I−typeの3レベルインバータに用いられる2個の半導体装置1の構成を示す図である。図3に示す面13,14は、図1(b)に示す面13,14を概念的に示したものである。本実施の形態2による半導体装置1は、実施の形態1による半導体装置1(図1,2参照)のAC端子10の配置位置を変更したものである。その他の構成は、実施の形態1と同様であるため、ここでは説明を省略する。
図4は、本発明の実施の形態3による半導体装置1の構成の一例を示す図であり、ANPC形I−typeの3レベルインバータに用いられる2個の半導体装置1の構成を示す図である。図4に示す面13,14は、図1(b)に示す面13,14を概念的に示したものである。本実施の形態3による半導体装置1は、実施の形態1による半導体装置1(図1,2参照)と比較して、P端子8、N端子9、AC端子10、C1端子11、およびC2端子12の配置位置を変更したものである。その他の構成は、実施の形態1と同様であるため、ここでは説明を省略する。
Claims (15)
- T−typeまたはANPC(Active Neutral Point Clamped)形I−typeの3レベルインバータに用いられる半導体装置であって、
ダイオードが逆並列に接続された自己消弧機能を有する第1のパワー半導体スイッチング素子、第2のパワー半導体スイッチング素子、および第3のパワー半導体スイッチング素子を備え、
前記第1のパワー半導体スイッチング素子および前記第2のパワー半導体スイッチング素子は、互いに直列に接続され、
前記第3のパワー半導体スイッチング素子は、前記第1のパワー半導体スイッチング素子および前記第2のパワー半導体スイッチング素子とは絶縁されていることを特徴とする、半導体装置。 - 前記第1のパワー半導体スイッチング素子、前記第2のパワー半導体スイッチング素子、および前記第3のパワー半導体スイッチング素子は、モノリシックのパワー半導体スイッチング素子であることを特徴とする、請求項1に記載の半導体装置。
- 前記第1のパワー半導体スイッチング素子のエミッタと前記第2のパワー半導体スイッチング素子のコレクタとは電気的に接続され、
前記第1のパワー半導体スイッチング素子のコレクタと電気的に接続された第1の外部端子と、
前記第2のパワー半導体スイッチング素子のエミッタと電気的に接続された第2の外部端子と、
前記第1のパワー半導体スイッチング素子のエミッタおよび前記第2のパワー半導体スイッチング素子のコレクタと電気的に接続された第3の外部端子と、
前記第3のパワー半導体スイッチング素子のコレクタと電気的に接続された第4の外部端子と、
前記第3のパワー半導体スイッチング素子のエミッタと電気的に接続された第5の外部端子と、
を備える、請求項1または2に記載の半導体装置。 - 前記第1の外部端子、前記第2の外部端子、前記第4の外部端子、および前記第5の外部端子は、同一の面上に並べて配置され、
前記第1の外部端子と前記第4の外部端子とは、互いに隣り合うように配置され、
前記第2の外部端子と前記第5の外部端子とは、互いに隣り合うように配置されることを特徴とする、請求項3に記載の半導体装置。 - 前記第3の外部端子は、前記第1の外部端子、前記第2の外部端子、前記第4の外部端子、および前記第5の外部端子が配置される面とは異なる面上に配置されることを特徴とする、請求項3または4に記載の半導体装置。
- 前記第3の外部端子は、前記第1の外部端子、前記第2の外部端子、前記第4の外部端子、および前記第5の外部端子が配置される面と対向する面上に配置されることを特徴とする、請求項4に記載の半導体装置。
- 前記第1の外部端子、前記第2の外部端子、前記第4の外部端子、および前記第5の外部端子は、前記第3の外部端子との距離よりも互いに近接して配置され、
前記第1の外部端子と前記第4の外部端子とは、互いに隣り合うように配置され、
前記第2の外部端子と前記第5の外部端子とは、互いに隣り合うように配置されることを特徴とする、請求項3に記載の半導体装置。 - 前記第1の外部端子、前記第2の外部端子、前記第3の外部端子、前記第4の外部端子、および前記第5の外部端子は、同一の面上に並べて配置され、
前記第3の外部端子と前記第4の外部端子とは、互いに隣り合うように配置され、
前記第3の外部端子と前記第5の外部端子とは、互いに隣り合うように配置されることを特徴とする、請求項3に記載の半導体装置。 - 前記第1の外部端子および前記第2の外部端子は、前記第3の外部端子、前記第4の外部端子、および前記第5の外部端子が配置される面とは異なる同一の面上に並べて配置されることを特徴とする、請求項3に記載の半導体装置。
- 前記第3の外部端子、前記第4の外部端子、および前記第5の外部端子は、前記第1の外部端子および前記第2の外部端子が配置される面と対向する面上に並べて配置されることを特徴とする、請求項9に記載の半導体装置。
- 前記第3の外部端子と前記第4の外部端子とは、互いに隣り合うように配置され、
前記第3の外部端子と前記第5の外部端子とは、互いに隣り合うように配置されることを特徴とする、請求項10に記載の半導体装置。 - 前記第1の外部端子および前記第5の外部端子は、同一の面側に配置され、
前記第2の外部端子および前記第4の外部端子は、前記第1の外部端子および前記第5の外部端子が配置される面とは反対の面側に配置されることを特徴とする、請求項10または11に記載の半導体装置。 - 前記第3の外部端子、前記第4の外部端子、および前記第5の外部端子は、前記第1の外部端子および前記第2の外部端子が配置される面とは異なる同一の面上に並べて配置されることを特徴とする、請求項9に記載の半導体装置。
- 前記第1の外部端子および前記第2の外部端子は、前記第3の外部端子、前記第4の外部端子、および前記第5の外部端子との距離よりも互いに近接して配置されることを特徴とする、請求項9に記載の半導体装置。
- 前記半導体装置は、前記3レベルインバータに代えて、3レベルコンバータに用いられることを特徴とする、請求項1から14のいずれか1項に記載の半導体装置。
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