JP6624643B2 - 半導体モジュールおよび該モジュールを用いた電力変換装置 - Google Patents
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Description
図1に、第1実施例に係る半導体モジュール1Aの主要部の構成を示す。なお、図1は、半導体素子(SW1〜SW4,D1〜D4)同士の電気的な接続状態を示す回路図であるとともに、基板2上における半導体素子(SW1〜SW4,D1〜D4)および外部端子(T1〜T8)の概略的な配置を示す平面図である点に留意されたい。図6についても同様である。
図6および図7に、第2実施例に係る半導体モジュール1Bを示す。図1と図6の比較から明らかなように、本実施例に係る半導体モジュール1Bは、第1スイッチ部3、第1ダイオード部4、第2スイッチ部5および第2ダイオード部6の並びが第1実施例と相違している。すなわち、本実施例では、スイッチ部3,5が中心線Cに対して対称的に、かつ隣接して配置されるとともに、ダイオード部4,6が中心線Cに対して対称的に、かつスイッチ部3,5を挟み込むように配置されている。
以上、本発明に係る半導体モジュールおよび電力変換装置の実施例について説明してきたが、本発明の構成は実施例の構成に限定されるものではない。
2 基板
3 第1スイッチ部
4 第1ダイオード部
5 第2スイッチ部
6 第2ダイオード部
7 ケース
C1〜C4 共振コンデンサ
L1,L2 共振コイル
TR トランス
TR1 一次コイル
TR2 二次コイル
D1〜D8 ダイオード素子
SW1〜SW8 スイッチ素子
T1〜T16 外部端子
Claims (8)
- 基板と該基板に実装された複数の半導体素子を備えた半導体モジュールであって、
前記複数の半導体素子が、
直列に接続された第1および第2スイッチ素子からなる第1スイッチ部と、
直列に接続された第1および第2ダイオード素子からなる第1ダイオード部と、
直列に接続された第3および第4スイッチ素子からなる第2スイッチ部と、
直列に接続された第3および第4ダイオード素子からなる第2ダイオード部と、
を含み、
前記第1ダイオード部が、前記第1および第2ダイオード素子の接続点に設けられた第1外部端子を含み、
前記第2ダイオード部が、前記第3および第4ダイオード素子の接続点に設けられた第2外部端子を含み、
前記第1スイッチ部が、前記第1および第2スイッチ素子の接続点に設けられた第3外部端子を含み、
前記第2スイッチ部が、前記第3および第4スイッチ素子の接続点に設けられた第4外部端子を含み、
前記第1スイッチ部の一方の端部および他方の端部にそれぞれ設けられた第5および第6外部端子と、
前記第2スイッチ部の一方の端部および他方の端部にそれぞれ設けられた第7および第8外部端子と、
をさらに備え、
前記第1スイッチ部、前記第2スイッチ部、前記第1ダイオード部および前記第2ダイオード部が互いに並列に接続され、
前記第1および第2ダイオード部が隣接して対称的に配置され、かつ、
前記第1および第2スイッチ部が前記第1および第2ダイオード部を挟み込むように対称的に配置されている
ことを特徴とする半導体モジュール。 - 前記第3、第5および第6外部端子が一直線上に配置され、かつ
前記第4、第7および第8外部端子が一直線上に配置されている
ことを特徴とする請求項1に記載の半導体モジュール。 - 前記第1、第3、第5および第6外部端子が一直線上に配置され、かつ
前記第2、第4、第7および第8外部端子が一直線上に配置されている
ことを特徴とする請求項2に記載の半導体モジュール。 - 基板と該基板に実装された複数の半導体素子を備えた半導体モジュールであって、
前記複数の半導体素子が、
直列に接続された第1および第2スイッチ素子からなる第1スイッチ部と、
直列に接続された第1および第2ダイオード素子からなる第1ダイオード部と、
直列に接続された第3および第4スイッチ素子からなる第2スイッチ部と、
直列に接続された第3および第4ダイオード素子からなる第2ダイオード部と、
を含み、
前記第1ダイオード部が、前記第1および第2ダイオード素子の接続点に設けられた第1外部端子を含み、
前記第2ダイオード部が、前記第3および第4ダイオード素子の接続点に設けられた第2外部端子を含み、
前記第1スイッチ部が、前記第1および第2スイッチ素子の接続点に設けられた第3外部端子を含み、
前記第2スイッチ部が、前記第3および第4スイッチ素子の接続点に設けられた第4外部端子を含み、
前記第1スイッチ部の一方の端部および前記第2スイッチ部の一方の端部の接続点に設けられた第5外部端子と、
前記第1スイッチ部の他方の端部および前記第2スイッチ部の他方の端部の接続点に設けられた第6外部端子と、
をさらに備え、
前記第1スイッチ部、前記第2スイッチ部、前記第1ダイオード部および前記第2ダイオード部が互いに並列に接続され、
前記第1および第2スイッチ部が隣接して対称的に配置され、かつ、
前記第1および第2ダイオード部が前記第1および第2スイッチ部を挟み込むように対称的に配置されている
ことを特徴とする半導体モジュール。 - 請求項1に記載の半導体モジュールと、
前記第1および第2外部端子に接続されたトランスの一次コイルと、
前記第1および第3外部端子に接続された第1共振コイルと、
前記第2および第4外部端子に接続された第2共振コイルと、
前記第3および第5外部端子に接続された第1共振コンデンサと、
前記第3および第6外部端子に接続された第2共振コンデンサと、
前記第4および第7外部端子に接続された第3共振コンデンサと、
前記第4および第8外部端子に接続された第4共振コンデンサと、
を用いて一次側フルブリッジ回路を構成したことを特徴とする電力変換装置。 - 請求項1に記載の半導体モジュールを用いて二次側フルブリッジ回路を構成したことを特徴とする請求項5に記載の電力変換装置。
- 請求項4に記載の半導体モジュールと、
前記第1および第2外部端子に接続されたトランスの一次コイルと、
前記第1および第3外部端子に接続された第1共振コイルと、
前記第2および第4外部端子に接続された第2共振コイルと、
前記第3および第5外部端子に接続された第1共振コンデンサと、
前記第3および第6外部端子に接続された第2共振コンデンサと、
前記第4および第5外部端子に接続された第3共振コンデンサと、
前記第4および第6外部端子に接続された第4共振コンデンサと、
を用いて一次側フルブリッジ回路を構成したことを特徴とする電力変換装置。 - 請求項4に記載の半導体モジュールを用いて二次側フルブリッジ回路を構成したことを特徴とする請求項7に記載の電力変換装置。
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