JP6305337B2 - 半導体構造の処理方法 - Google Patents
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Description
可視光スペクトルにわたって動作可能となる高輝度の発光素子の製造に現在関心ある材料系は、III−V族半導体、特に、III族窒化物材料と呼ばれる、ガリウム、アルミニウム、インディウム、及び窒化物を含む二元、三元、四元合金を含んでいる。
一般的に、サファイア、シリコンカーバイド、III族窒化物、他の適切な基板上の異なる混成及びドーパント濃度の半導体層の積み重ね(スタック)を、金属有機化学気相成長(MOCVD)、分子線エピタキシ(MBE)、又はその他のエピタシャル技術によって、エピタキシャルに成長させることで、III族窒化物発光素子は製造される。
この積み重ねは、基板の上に形成したシリコンなどをドープした1又は複数のN型層、単数の又は複数のN型層の上に形成した活性領域の中の1又は複数の発光層、活性領域の上に形成したマグネシウムなどをドープした1又は複数のP型層を含む。電気的接点(コンタクト)がN領域及びP領域の上に形成される。
一旦波長変換材料のシートが固められると、シートはいくつかの個々の波長変換素子に分割される(ステップS104)。個々の波長変換素子はLEDダイ(発光ダイオードのダイ)に取り付けられるようなサイズで形成される。
そして、半導体発光素子(発光ダイオード)のダイが与えられる(ステップS106)。LEDダイは、例えばリフレクタカップやサブマウントにマウントされた、マウントダイとし得る。あるいは、LEDダイはマウントされていなくてもよい。そして、波長変換素子はLEDダイに接合される(ステップS108)。
高温でLEDを処理すると、LED性能特性の劣化と潜在的な層間剥離や、処理時に成膜される層のひびを引き起こすおそれがある。多くの適切なガラス層は、大幅に400℃を超えた接合温度を必要とする。その結果、図13の処理温度の制限(400℃以下)は、利用される材料の選択を限定してしまう。さらに、低い接合温度が適切なガラスは、特に短い波長において、高い接合温度が適切なガラスよりも光吸収が大きい。低温接合ガラスを組み入れた素子は性能上で不利を負う。
以下図面を参照して本発明を実施するための形態について説明する。
本明細書において、「ウエハ」とは、複数の小さな構造に分割される前の構造であって、例えば、たくさんの発光素子のために半導体材料が成長した成長基板等である。後述の実施例において、半導体発光素子は青色光や紫外(UV)光を発光するIII族窒化物LEDである。しかし、本発明において、半導体発光素子はLEDの代わりに、レーザーダイオードや、例えばIII―V族材料や、III族リン化物、III族ヒ化物、II―VI族材料、酸化亜鉛(ZnO)、又はシリコン系の材料等からなる他の半導体発光体を利用してもよい。
半導体構造13はN型領域12と、P型領域16と、N型領域12とP型領域16との間に挟まれた発光領域又は活性領域14とを有している。N型領域12が最初に成長させられる。そしてN型領域12は異なる組成とドーパント濃度を有する複数の層を含んでいる。複数の層として、例えば、バッファー層や核生成層等の調合層、及び/又は、成長基板11の除去を容易にしてN型で意図的にはドープしていない層、及び発光領域14に効果的に発光させるのに望ましい、特に光学や電気的な特性に設計される、N型素子層(又はP型素子層でもよい)である。
発光領域或いは活性領域14は、N型領域12の上に成長している。適切な発光領域14の例として、単一の厚い又は薄い発光層、あるいは、境界層によって分割された複数の薄い又は厚い発光層を含む複数の量子井戸型発光領域を含む。
P型領域16はその後発光領域14の上で成長させられる。N型領域12と同様に、P型領域16は、異なる組成、厚さ、ドーパント濃度を有する複数の層であって、意図的にはドープしていない層や、複数のN型層を有してもよい。
図1の素子の半導体材料のすべての厚さの合計は、ある実施例では10μmよりも薄く、別の実施例では6μmよりも薄い。ある実施例では、半導体材料は、成長後、任意に200°C〜800°Cで焼き鈍し(アニール)される。
ある実施例では、例えば、支持基板20と半導体構造13とを加熱加圧しながら一緒に押すか、又は、支持基板20と半導体構造13を加熱下で静電場をかけながら一緒に押して陽極接合をすることで、支持基板20は半導体構造13に直接接合されている。
別の実施例(図2)では、1又は複数の接合層18によって、支持基板20が半導体構造13に接合される。接合層18は支持基板20の上だけ、半導体構造13の上だけ、又は支持基板20と半導体構造13の両方の上に形成されている。接合層18は、例えば、1つ以上のシリコンの酸化物等、適切な物質で形成されている。接合層18を形成した後、支持基板20と半導体構造13とを加熱加圧しながら一緒に押されるか、或いは支持基板20と半導体構造13を一緒に加熱し静電場をかけられる。
支持基板20を取り付けた後、成長基板11の材料にとって適切な技術例えばレーザーリフトオフ、エッチング、機械的な技法によって、成長基板11は取り除かれる。
ここで、任意の光学インピーダンス整合層22がN型領域12の上に形成されている。光学インピーダンス整合層22は、半導体構造13の表面の凸凹(粗面化)を必要としないで、半導体構造13の抽出を増やす。光学インピーダンス整合層22は、例えば、蒸着やスパッタリングを含む適切な技術により形成された反射防止スタックにより形成される。
また、ある実施例では、N型領域12は粗面化される。このN型領域12が粗面化される実施例において、接合が隙間なく十分に形成されるように、粗面化された表面の隙間を充たすように流れるコンプライアント接合層23が使用される。
接合層23の適切な材料の例として下記材料で作られる。III―V族半導体としてガリウムヒ化物、ガリウム窒化物、ガリウムリン化物、インジウムガリウムリン化等を含みこれらに限らない。II―VI族半導体として、カドミウムセレン化物、カドミウム硫化物、カドミウムテルル化物、硫化亜鉛、セレン化亜鉛、テルル化亜鉛を含みこれらに限らない。IV族半導体及び化合物として、ゲルマニウム、シリコン、シリコンカーバイドを含みこれに限らない。
有機半導体、酸化物、金属酸化物、希土酸化物として、酸化物又は窒化物のアルミニウム、アンチモン、ヒ素、ビスマス、ボロン、カドミウム、セレン、コバルト、銅、ガリウム、ゲルマニウム、インジウム、インジウムスズ、鉛、リチウム、モデニウム、ネオデミウム、ニッケル、ニオブ、亜リン酸、カルシウム、シリコン、ナトリウム、テリウム、タリウム、チタン、タングステン、亜鉛、又はジルコニウムを含み、これに限らない。
オキシハライドとして例えば塩酸化物などがある。フッ化物、塩化物、臭化物として、フッ化した、塩化した、及び臭化したカルシウム、鉛、マグネシウム、カルシウム、ナトリウム、や亜鉛を含み、これに限らない。
金属として、インジウム、マグネシウム、スズ、亜鉛、イットリウムアルミニウムガーネット(YAG)、リン化化合物、ヒ化化合物、アンチモン化合物、窒化化合物、高指標(屈折率)有機化合物もしくはこれらの混合物や合金等を含み、これに限らない。
一つの又は複数の接合層23は、蒸着、スパッタリング、化学気相成長、ディスペンシング、印刷、スプレーコーティング、スピンコーティング、ブレードコーティングなどいずれか好適な方法で、設けられる。
高屈折率接合材料は流動形で成膜し結合時まで流動のままである、あるいは接合の際に部分的に凝固し又はゲル化する、あるいは簡単に接合できるように熱しながら粘着力を高めて固体にする。あるいは高屈折率接合材料は、ゲル状態から固い樹脂まで幅を持った凝固結合を形成するように反応してもよい。
ガラスの屈折率は、1.5〜2.2の範囲又はそれ以上にあり、GaN(2.4)の屈折率に的確に対応する。
基板24に適応する材料として、電気的絶縁材料、半導体ではない材料、フリットガラス、適切な高屈折率のガラス等を含み、これらに限らない。また、基板24は、例えば、塩化鉛、フッ化カリウム、亜鉛フッ化物、及び、アルミニウム、アンチモン、ビスマス、ボロン、鉛、リチウム、リン、カリウム、シリコン、ナトリウム、テルル、タリウム、タングステン、亜鉛等の酸化物や、その他これらの混合物を含んでもよい。
高屈折率を有するガラスとは例えば、ショット社製ガラスであるLaSFN35,LaF10,NZK7,NLAF21,LaSFN18,SF59,或いは、LaSF3、(有)大原硝子製のSLAH51若しくはSLAM60又はこれらの混合物、(Ge,As,Sb,Ga)(S,Se,Te,F,Cl,I,Br)のカルコゲン化合物、カルコゲンーハロゲン化物のガラス等を含む。ある実施例では、基板24は、低屈折率の材料、例えば、ガラス、フッ化マグネシウム、又はポリマー等を含み、或いは形成されてもよい。
例えばシリコーンやシロキサンなどの高屈折率及び低屈折率の樹脂両方が、例えば信越化学株式会社などの製造者から入手可能である。シロキサン骨格の側鎖はシリコーンの屈折率を変更するよう修飾され得る。
ここで、一般的な組み合わせの例として、黄色発光波長変換材料と組み合わされた青色発光LED、緑色―赤色発光波長変換材料と組み合わされた青色発光LED、青色―黄色発光波長変換材料と組み合わされたUV発光LED、青色―緑色―赤色発光波長変換材料と組み合わされたUV発光LED等が含まれる。
素子から発光される光のスペクトルを調整するために他の色の光を発する波長変換材料が追加されてもよい。
波長変換材料は、コンベンショナルな蛍光体粒子、有機半導体、II−VI族又はIII−V族半導体、II−VI族又はIII−V族半導体の量子ドット又はナノ結晶、染料、ポリマー、冷光を発するGaN等である。
基板24がコンベンショナルな蛍光体粒子を含む場合、ある実施例において、基板24は、典型的には約5ミクロンから約50ミクロンまでのサイズを有する粒子を収容するのに十分な厚さを有する。
ガーネット系蛍光体、例えばY3Al5O12:Ce(YAG),Lu3Al5O12:Ce(LuAG),Y3Al5−xGaxO12:Ce(YAlGaG),(Ba1−xSrx)SiO3:Eu(BOSE),及び、窒化物系蛍光体、例えば(Ca,Sr)AlSiN3:Eu及び(Ca,Sr,Ba)2Si5N8:Euを含むいずれか適切な蛍光体が利用される。
第1金属層32は、ある実施例では100Å〜2000Åの厚みを有し、ある実施例では、500Å〜1700Åの厚み、別の実施例では1000Å〜1600Åの厚みである。第1金属層32が成膜された後、この構造は任意でアニールされる。
第2金属層34は、ある実施例では1000Å〜10000Åの厚みを有し、ある実施例では2000Å〜8000Åの厚み、別の実施例では2000Å〜7000Åの厚みである。
ある実施例では、P接点33の第2金属層34に利用されるフォトリソグラフィマスクにより、パターンが決定される。この実施例では、P接点33の第2金属層34のエッチングに続けてのエッチングが、単一の処理として実施される。一部の領域で、P型領域16全体の厚み及び発光領域14全体の厚みが取り除かれ、N型領域12の表面が見えるようになる。
誘電体38はN接点36が形成される前または後に形成される。
接合パッド40a及び40bは、図6、7に示すように、隙間を開けることで、或いは誘電体38で述べた材料などの固体誘電体によって、電気的に分離され得る。
金属N接点36、金属P接点33、誘電体38、接合パッド40は、図6を参照して上述したのと同じ方法で作成された同じ材料を用いてよい。
図8、9、10、11及び12において、図6の素子又は図7の素子どちらかの複数の素子が説明されている。図8、9、10、11、及び12において、半導体構造13は、図6に示す最上面にあるP型領域16、又は図7に示す最上面にあるN型領域12を有している。同様に、図8、9、10、11、及び12に構造31として示す金属接点33、36、及び誘電体38は、図6の構成又は図7の構成のように形成されている。
この素子は何らかの適切な構造物、例えばPCボードにはんだで取り付けられる。
ある実施例、例えば、透明接点を有する素子やバーティカル素子では、光の大半は半導体構造13から基板24とは反対側の半導体構造13の表面へ向かい得る。このような実施例では、例えば反射金属などの反射接合層が利用され、基板24は透明又は不透明とし得る。金属接合層は接点としても利用することもできる。
12 N型領域
13 半導体構造(GaN)
14 発光領域(III族窒化物発光層、発光層)
16 P型領域
18 接合層
20 支持基板
22 光学インピーダンス整合層
23 接合層
24 基板(第二基板、セラミック基板、波長変換基板、電気伝導基板、光変換層)
31 構造
32 第1金属層
33 P接点(金属P接点)
34 第2金属層
36 N接点
38 誘電体(誘電体層)
40、40a、40b 接合パッド
42、44、46 素子(半導体発光素子)
Claims (12)
- 成長基板上に成長された半導体構造を有するウエハを用意し、前記半導体構造は、N型領域とP型領域との間に挟まれたIII族窒化物発光層を有し、
前記ウエハを第2基板に接合し、前記第2基板は、透明であって、ガラス内に置かれた波長変換材料を有し、
前記成長基板を取り除き、
前記ウエハを前記第2基板に接合した後、前記ウエハを複数の発光素子へと処理し、該処理は、
前記P型領域上に金属接点を形成し、
前記N型領域の一部が見えるように、前記発光層と前記P型領域との一部を取り除き、且つ
前記発光層と前記P型領域との一部を取り除いたことにより露出した前記N型領域の上に金属接点を形成する
ことを有し、且つ
前記ウエハを複数の発光素子へと処理した後、且つ前記ウエハをダイシングする前に、前記ウエハを検査し且つ前記検査の結果に応じて前記発光素子夫々に対応する波長変換材料の量を調整する、
ことを有する方法。 - 前記第2基板は、1.5よりも高い屈折率を持つ、請求項1記載の方法。
- 前記調整することは、レーザーアブレーションにより波長変換材料を取り除くことを有する、請求項1記載の方法。
- 前記調整することは、波長変換材料を追加することを含む、請求項1記載の方法。
- 前記ウエハを第2基板に接合することは、前記ウエハと前記第2基板とを500℃よりも高い温度で押し付けることを有する、請求項1記載の方法。
- 前記調整することの後に、前記ウエハを、単一の発光ダイオードへ、又は発光ダイオードの群へとダイシングすることを更に有する請求項1記載の方法。
- 前記ウエハをダイシングした後に、前記単一の発光ダイオード又は前記発光ダイオードの群の各々の側面に、反射コーティングを形成することを更に有する請求項6記載の方法。
- 前記接合することよりも前に、光学インピーダンス整合層を前記半導体構造の上に形成することを更に有する請求項1記載の方法。
- 前記半導体構造に接合された面とは反対側の前記第2基板の表面をテクスチャー処理することを更に有する請求項1記載の方法。
- 前記ウエハを前記複数の発光素子へと処理することは、前記成長基板を取り除いた後に行われる、請求項1記載の方法。
- 当該方法はさらに、前記成長基板を取り除く前に、前記ウエハを支持基板に接合することを有し、前記ウエハを第2基板に接合することは、前記半導体構造が前記支持基板に接合されたまま、前記成長基板を取り除いた後に行われる、請求項1記載の方法。
- 前記第2基板に接合された面とは反対側の前記半導体構造の表面の上に、反射コンタクトを形成することを更に有する請求項1記載の方法。
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