JP6292240B2 - 非定常磁界放射体、及びシステム内でのその接続及びデータ変調方法 - Google Patents
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Description
逆方向のデータフローは、今までと同じであり得る。
図1から図4、図8、図12から図18による本実施例において、矩形断面のフェライトコア1を備えた放射体の構造が説明される。コア1は、9mmの長さと断面0.8mm×0.6mmとを有する。コア1には非導電性基板6が追加され、非導電性基板6は、0.8mmの幅と0.04mmの厚さとを有する。コア1上に、かつ更に非導電性基板6を横切って、銅の絶縁されたワイヤの細線2が、すぐ隣同士に配置して巻かれている(21)。1つの細線2は、0.05mmの直径を備えた6つの平行ワイヤ4で構成される。これは、大きさが0.3mm×0.05mmの1つの細線2の平坦な導線と置き換えられる。
MOSFETトランジスタのスイッチング時間が1nsよりも小さいという事実によって、より高次のスイッチング調和積は、容量C3によってフィルタにかける必要がある。ブリッジH+及びブリッジH−のスイッチング信号は、相互に2.2nsだけ位相がずれており、その結果、両方の制御された分枝の同時スイッチング、及び、従って、アースに対する電源Vccの短絡が防止される。
本実施例では、図5、図6に示すように、平坦な絶縁されたワイヤ4が使用され、これの断面高さは、ワイヤ4の断面幅の約1/8に対応する。平坦なワイヤ4は、コア1の楕円形断面において使用され得、そこでは、矩形コア1は小さなサイズ及び小さな半径で丸み付けされ、コア1上にワイヤを巻く際にワイヤ4を損傷または破壊するリスクはない。構造の別の例では、ワイヤ4は、金属層の蒸着によってコア1上に創成されるか、または表面に導電性経路を被覆する他の同様な技術によって創成され得る。コア1上では、ワイヤ4の厚さに少なくとも等しい細線2間のギャップを分離する機能において、マスクが創成され得る。この場合、マスクは、細線間絶縁体8を形成する幅を備えた、螺旋状先導細片の形状をしている。その後、金属層が、平坦で広いコイルを形成するために適用される。ワイヤ4の縁部上に可能と思われる絶縁体を適用し、かつ、その後、導電性層細片を繰り返して適用することによって(これは細線間ギャップを重ねる)、コア1の端部からの磁界漏出を制限するように、平坦なワイヤ4の縁部をぴったりと取り付けることが可能である。
本実施例では、図5及び図7に示すように、平坦な絶縁されたワイヤ4は、隣接する細線2の縁部にまたがって先導され、その結果、細線が重なり、細線間の磁界の貫通を防ぐ。しかしながら、ワイヤ4の絶縁体8の厚さの2倍の厚さを備えたギャップを通して磁界が漏洩する可能性は、依然として残る。
本実施例では、図9及び図10に示すように、絶縁されていないワイヤ42、43、44、45、46と、絶縁されたワイヤ41及び47の組み合わせが使用される。1つの細線2は7つのワイヤ4から作られ、そこでは、与えられた細線41及び47の2つの周縁ワイヤは、密接な巻き線での細線間の短絡を防止するために、絶縁体8を有する。絶縁されていないワイヤ42、43、44、45、46は、グループの内部に配置される。それらは絶縁体8を有していないので、磁界漏洩ためのギャップが形成されるのを減少させる。また、これらのワイヤ42、43、44、45、46は、電気的に相互接続される必要はない。それ故に、ワイヤ41、42、46、47だけが、接続パッド7に出力される。
本実施例では、図11によれば、単一細線2を創成するために、1つの平坦な絶縁されていないワイヤ42と、古典的な円形断面を備えた、2つの絶縁されたワイヤ41、43との組み合わせが使用される。その組み合わせは放射体の生産を単純にするが、このことは、小さな厚さを備えた、適切で利用可能な平坦なワイヤが、任意の絶縁体を有していないのと同様である。境界ワイヤ41及び43は、細線間絶縁体を形成し、かつ接続パッド7上にあるが、接続パッド7は、互いに導電的に連結され、かつ平坦なワイヤ42にも連結される。
本実施例では、コア1は、直径0.8mmの円形断面と7mmの長さとを備えたフェライトロッドの形態をとる。放射体は17個の細線2を有し、細線2の有効幅wは0.41mmである。コア1の半径に対する細線2の有効幅の比率は、1.025である。コア1の透磁率は、与えられた放射体のサイズ及び巻き線で、インダクタンスがL=750nHとなるように選ばれる。
POS端末は、非接触の支払いカードリーダーを含む。カードは、通信接続を確立するために、リーダーの動作空間に接近しなければならない。通信素子を携帯メモリカード5の中に含む支払いカードをスロット12の中に配置すると、支払いカード上の通信素子をリーダーの動作空間の中心に十分接近させる可能性が低くなる。同時に、携帯電話スロット12は、一般的なメモリカード5を挿入するために、主として設計される。通信素子に対して、スロット12は望ましくない遮蔽を提示し、スロット12の本体の一部は、金属形状の殻から成る。通信素子は、本発明による放射体を含み、本実施例では、それはマイクロSDカード上に直接配置される。カード5のフォーマットは、本発明の範囲を制限せず、将来いかなるフォーマットであれ、使用され得る。メモリカード5の、及び対応するスロット12の継続的な小型化によって、カード5上に通信素子を有効的に配置する可能性は低下する。しかしながら、ここで説明されたソリューションは、問題を解決する。通信素子は、NFCプラットフォームを使用する。現実の環境において、かつ携帯電話が通常の方法でユーザーによって扱われる場合、変成器接続係数はk=0.2−0.001である。
矩形断面を備えたフェライトロッドの形態をしたフェライトコア1は、導電性層によって被覆され、これがワイヤ4を形成する。先ず、コア1上に螺旋状に先導されるマスクが配置され、これが細線2を別々に分離する。その後、コア1は金属層によって被覆されるが、そこでは、分離マスクによって、望ましい数の細線2を備えたコイルが創成される。マスクによって創成されたギャップは、細線間絶縁体を表す。コア1の側面上の被覆された金属層の終端は、接続パッド7を形成し、これが、放射体素子全体を基板に取り付ける。
放射体は、図23に示すように、実施例1から実施例7までと同様に作製される。携帯電話製造業者は、PCBボード10を設計する場合、既知のタイプのNFCアンテナに対する要求によって制限されない方法で、新しいモデルを設計する。異なるタイプ及び異なるモデルの携帯電話は、1つのタイプの放射体を直接PCBボード10上に装備する。
放射体は、SIMカード9の中に位置する。放射体のコア1は、図19から図22による異なるバージョンにおいては、異なった具合に方向付けされ、かつ異なった具合に位置する。
放射体は、図24に示すように、携帯電話バッテリ11の本体の中に配置される。基本的に、それは充電蓄電池11であり、これは、しかしながら、一般にはバッテリ11と呼ばれる。コア1の小さな厚さに関して、放射体は、プラスチックバッテリ11のハウジングの最後の層の下で、一般的なバッテリ11の表面上に配置される。
ナノSIMカード9のスロット12は、図26に示すように、金属プレート形状のホルダを有する。スロット12は、フェライト箔の形態をした増幅素子13を含む。ナノSIMカード9は、カードのカード本体の縁部上に放射体を有する。
2 細線
3 磁界フロー障壁
4 ワイヤ
41、42、43、44、45、46、47から4N 1つの細線のワイヤ/一細線ワイヤ
5 リムーバブルメモリカード
6 非導電性基板
7 接続パッド
8 ワイヤ絶縁体
9 SIMカード
10 PCBボード
11 蓄電池/バッテリ
12 スロット
13 増幅素子
w 細線の有効幅
PCB プリント回路基板
RFID 無線IDタグ
NFC 近距離無線通信
SD セキュアデジタル
POS 販売時点情報管理
SIM 加入者識別モジュール
Claims (33)
- 平坦なキャリア上の小型アンテナの容量における非定常磁界放射体において、
前記放射体は、1よりも高い透磁率を備えた長方形コア(1)を有し、前記コア(1)は少なくとも部分的にはフェライトであり、少なくとも2つの細線(2)を備えたワイヤ(4)が前記コア(1)の上に巻かれ、かつ、前記放射体は、非接触のNFC通信チャンネルまたはRFID通信チャンネルを創成するための素子を形成し、前記放射体から送信された信号は、標準のNFC受信手段または標準のRFID受信手段によって受信され、
細線(2)は、1または2つの層で前記コア(1)上に同一方向で巻回されて配置され、
隣接する細線(2)同士は密接して配置されることで前記コア(1)の遮蔽を形成し、その遮蔽によって前記コア(1)内に磁界を均質に保つと共に、細線(2)の配置されないコア(1)の端部のみから磁界が放射されるようにし、
1つの細線(2)の有効幅wは、コア(1)の円形断面でコア(1)の半径の0.25から1.75倍に対応するか、または他のコア(1)形状に対して等価的半径の0.25から1.75倍に対応し、
それによって、前記1つの細線の有効幅wが隣接する細線が織り合わされていない場合の細線の幅であり、かつ前記細線の幅は、前記隣接する細線が織り合わされる場合に重なり合う縁部を引いたものであり、
前記非円形断面の等価的半径は、仮にリングが特定の非円形断面の断面形状と同じ面積を有する場合、該リングが有すべき半径である
ことを特徴とする非定常磁界放射体。 - 1つの細線(2)の前記有効幅wは、前記コア(1)の円形断面で前記コア(1)の半径の0.85から1.15倍に対応するか、または、他のコア(1)形状に対して前記等価的半径の0.85から1.15倍に対応する
請求項1に記載の非定常磁界放射体。 - 前記コア(1)の断面の小さい方のパラメータが1mmよりも小さく、前記コア(1)の長さが、前記コア(1)の断面の前記小さい方のパラメータの7倍よりも大きい
請求項1または2に記載の非定常磁界放射体。 - 前記コア(1)の断面が、円形または楕円形、または少なくとも部分的に矩形、特に正方形または長方形であり、好ましくは湾曲した角部を備え、または、これらを組み合わせることによって形成される断面を有する
請求項1ないし3のいずれかに記載の非定常磁界放射体。 - 前記コア(1)が、まっすぐなロッド形状である
請求項1ないし4のいずれかに記載の非定常磁界放射体。 - 前記コア(1)が、1mmまでの高さ、好ましくは0.6mmまでの高さ、5mmまでの幅、好ましくは1mmの幅、及び15mmまでの長さ、好ましくは11mmの長さを有する
請求項1ないし5のいずれかに記載の非定常磁界放射体。 - 前記コイルワイヤ(4)は平坦であり、好ましくは断面においてワイヤ(4)の高さの2倍を超える幅である
請求項1ないし6のいずれかに記載の非定常磁界放射体。 - 平坦なワイヤ(4)は、隣接する細線ワイヤ(4)と重ねられた縁部に沿っており、前記重ねられた縁部に絶縁体(8)が施される
請求項7に記載の非定常磁界放射体。 - 前記コイルは、多段細線(2)を形成するいくつかの平行なワイヤ(41から4N)を含み、1つの細線(2)のこれらのワイヤ(41から4N)は、電気的に相互接続され、好ましくは前記コア(1)の側面に接続される
請求項1ないし8のいずれかに記載の非定常磁界放射体。 - 前記多段ワイヤ(41から4N)は、前記コイルの端部で、接続パッド(7)までもたらされ、かつ接続パッド(7)に取り付けられ、前記ワイヤ(4)は、互いから遠い
請求項9に記載の非定常磁界放射体。 - 前記多段ワイヤ(41から4N)で、1つの細線(2)の少なくとも4つで、1つの細線(2)の周縁ワイヤ(41から4N)だけが、表面上で電気気に絶縁される
請求項9または10に記載の非定常磁界放射体。 - 前記ワイヤ(4)は、前記細線(2)間にギャップを備えた状態で、金属被覆をコア(1)表面上に適用することによって形成される
請求項1ないし8のいずれかに記載の非定常磁界放射体。 - 与えられたワイヤ(4)コイルで、前記放射体が600nHから1200nHのインダクタンス、好ましくは750nHに近いインダクタンスに達するように、前記コア(1)の透磁率が選ばれる
請求項1ないし12のいずれかに記載の非定常磁界放射体。 - 前記放射体を磁界フロー障壁(3)の内部に、例えば遮蔽カバーを有する機器の内部に配置する場合、放射体の共振周波数が送信周波数に近くなるように、前記放射体が送信周波数に調整され、障壁(3)に近接すると放射体インダクタンスが減少し、かつ、前記障壁(3)効果を除去すると、前記放射体インダクタンス増加し、内部抵抗が増加し、かつ共振周波数が減少し、かつ送信周波数が移動する
請求項1ないし13のいずれかに記載の非定常磁界放射体。 - 最も好ましくない遮蔽において最大送信パワーとなるように、周波数及び/またはインダクタンス及び/または内部抵抗が事前設定され、環境の遮蔽素子が、前記放射体の周波数及び/またはインダクタンス及び/または内部抵抗に影響を与えるという事実によって、周囲との関係によって遮蔽度合いを減少させることが、同じ入力励磁で送信パワーを減少させ、その一方で、ゼロ遮蔽でも、放射体送信パワーは、標準のNFCまたはRFIDによる受信のための最小パワーを超える環境に配置された
請求項14に記載の非定常磁界放射体。 - 前記コア(1)は、非導電性基板(6)上に配置されたフェライトロッドによって形成され、前記非導電性基板(6)は、前記コア(1)の幅に対応する幅を有し、非導電性基板(6)は、前記コア(1)の長さに等しい、または前記コア(1)の長さを超える長さを有し、細線(2)のワイヤ(4)は、フェライトロッドを横切って、かつ非導電性基板(6)をも横切って機械的に巻かれ、これによって、ワイヤ(4)のコイルは、前記コア(1)を前記非導電性基板(6)に接続し、前記非導電性基板(6)は、前記コイルの前記ワイヤ(4)を接続し、かつ前記放射体をホスト装置の本体に接続する目的で、前記コア(1)の側面に沿って接続パッド(7)を有する
請求項1ないし15のいずれかに記載の非定常磁界放射体。 - 前記非導電性基板(6)は、前記コア(1)の高さの1/8よりも小さな厚さを有する誘電体材料から成る
請求項16に記載の非定常磁界放射体。 - 細線(2)のコイルは、アースに接続された導電性遮蔽カバーによって覆われる
請求項1ないし17のいずれかに記載の非定常磁界放射体。 - 前記放射体は、リムーバブルメモリカード(5)の基板上に配置される
請求項1ないし18のいずれかに記載の非定常磁界放射体。 - 前記放射体の前記コア(1)の軸は、主として前記リムーバブルメモリカード(5)の本体の表面に平行に方向付けられ、かつ前記放射体は、前記リムーバブルメモリカード(5)の縁部で、リムーバブルメモリカード(5)のコンタクトインターフェースのゾーンから外に配置される
請求項19に記載の非定常磁界放射体。 - 前記放射体は、前記ホスト装置の、特に携帯通信装置のPCBボード(10)上に配置される
請求項1ないし18のいずれかに記載の非定常磁界放射体。 - 前記コア(1)の前記軸は、前記携帯通信装置の本体の主な外側表面に主として平行に方向付けられる
請求項21に記載の非定常磁界放射体。 - 前記放射体は、任意のフォーマット(SIM、ミニSIM、マイクロSIM、ナノSIM)のSIMカード(9)上に配置される
請求項1ないし18のいずれかに記載の非定常磁界放射体。 - 前記放射体は、携帯電話のリムーバブルバッテリ(11)の本体内に配置される
請求項1ないし18のいずれかに記載の非定常磁界放射体。 - 放射体電磁界の範囲の中に増幅素子(13)が付加され、該増幅素子(13)は前記ホスト装置の中に安定に位置し、好ましくは、リムーバブル素子に適したスロット(12)またはコネクタの中に位置することを特徴とする、前記ホスト装置の中のリムーバブル素子上に位置する
請求項1ないし20のいずれか、または23または24のいずれかに記載の非定常磁界放射体。 - 前記増幅素子(13)はフェライト箔、またはフェライト板、若しくは共振回路である
請求項25に記載の非定常磁界放射体。 - 放射体から受信器に相互変成器接続でデータを転送するシステムにおいて、請求項1ないし26のいずれかに記載の非定常磁界放射体の接続であって、
前記受信器は発生器、アンテナ、復調素子を含み、前記放射体は変調素子、電磁波発生器に接続され、前記受信器は第1周波数でキャリア信号を前記放射体に送信するように適合され、前記受信器はこれのアンテナの出力上で信号を受信し、前記信号は、前記第1周波数でのキャリア周波数と、第2周波数で送信されたデータで変調されたサブキャリア信号との形態で出現し、かつ前記受信器は、前記キャリア信号をこれのアンテナの出力上の信号から分離し、かつ送信されたデータを復調するように適合される、非定常磁界放射体の接続において、
前記放射体に接続された前記電磁波発生器は、前記受信器の周波数と異なる周波数で励磁するように適合され、それらの周波数間の差異は、サブキャリア周波数に対応し、その結果、前記受信器の側で受信され、かつ復調される信号は、前記受信器によって送信されたキャリア信号を、前記放射体によって送信される変調データと結合することによって創成される
ことを特徴とする非定常磁界放射体の接続。 - 前記放射体は、前記受信器によって期待される前記サブキャリア周波数に対する放射特性を考慮することなく、送信周波数に狭く調整される
請求項27に記載の非定常磁界放射体の接続。 - 前記復調素子は、好ましくは誘導子を介して、センサ抵抗に向けてのアンテナの誘導体の回転部に接続される
請求項27または28に記載の非定常磁界放射体の接続。 - 請求項1ないし26のいずれかに記載された非定常磁界放射体からの送信におけるデータ変調方法であって、
前記放射体から前記受信器へのデータ転送で、変成器がアンテナを介して接続され、前記受信器は第1周波数でキャリア信号を送信し、前記放射体側ではデータが変調され、かつ受信機に送られ、前記受信器はアンテナの出力で前記信号を受信し、その一方で、第1周波数でのキャリア信号、および前記キャリア周波数に関して第2周波数でのデータで変調されたサブキャリア周波数の形態で、前記信号が出現し、前記受信器において、前記キャリア信号は前記アンテナの出力上の信号から分離され、かつ送信されたデータは復調され、
前記受信器の周波数と前記放射体の周波数が異なり、周波数における差異は、前記サブキャリア周波数に対応し、これに対して、前記受信器側で受信され、かつ変調される信号は、送信されたキャリア信号と前記放射体によって送信された変調データとを組み合わせることによって形成される
ことを特徴とする非定常磁界放射体からの送信におけるデータ変調方法。 - 前記送信されたデータは、該データの受信器周波数信号位相の、好ましくはφ=0°またはφ=180°の変化によって変調される
請求項30に記載の非定常磁界放射体からの送信におけるデータ変調方法。 - 前記送信された周波数の前記位相は、1etu(基本時間単位)当たりに1回変更され、これに対してetuは1ビット間隔に対応する
請求項31に記載の非定常磁界放射体からの送信におけるデータ変調方法。 - 前記受信器の前記キャリア信号は、13.56MHz±7kHzの周波数を有し、前記受信器の信号キャリア周波数と前記送信器の周波数との間の差異は、前記キャリア周波数によって、好ましくは前記キャリア周波数の1/16によって完全に形成される
請求項30ないし32のいずれかに記載の非定常磁界放射体からの送信におけるデータ変調方法。
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