TWI623202B - 非靜態磁場發射器,在系統中其之連接及資料調變方法 - Google Patents
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Abstract
一種發射器意欲在小型組建空間中提供一非接觸式通信頻道(特定而言,無線射頻識別(RFID)/近場通信(NFC))。該發射器具有一長方形、至少部分鐵氧體核心(1),該核心(1)係藉由具有至少兩個螺紋(2)之一導線(4)捲繞,該等螺紋(2)係彼此緊鄰而放置於該核心(1)上且一螺紋(2)之有效寬度(w)對應於圓形核心(1)截面中之該核心(1)之半徑或對應於具有高達+-75%之偏差之在該核心(1)之其他形狀中之等效半徑。線圈之該導線(4)係扁平的或該線圈包含形成一多級螺紋之彼此平行而固持之若干導線(41至4N)。該發射器可放置於可移除式記憶體卡(5)中及/或於PCB板(10)及/或SIM卡(9)及/或電池(11)上。藉由該發射器傳輸之資料之調變使用具有不同於接收器之一頻率之電磁波產生器,此等頻率之差值對應於副載波頻率。
Description
本發明係關於一種非靜態磁場發射器,其在具有一小的可用組建高度之一扁平載體上、尤其在一可移除式記憶體卡(諸如微型SD卡或SIM卡)之表面上形成一小型天線替代物。該天線特定而言可用於在一行動電話中亦或在不同電子裝置之一PCB板上產生一額外非接觸式近場通信(NFC)/無線射頻識別(RFID)通信頻道。該解決方案係主要意欲用於藉由一行動通信裝置實施之付款應用。然而,原則上,根據本發明之一新類型之發射器、其之放置及調變方法亦可用於其它應用及裝置,特定而言,其中並非足以放大天線之一空間之處,且其中天線在應用於各種周圍環境時由在不同環境特性方面具有不同結構及屬性之相鄰元件屏蔽之處。
直接於意欲用於插入至一行動通信裝置之插槽中之一可移除式卡上之天線放置係自公開專利文件(諸如DE 10252348 A1、WO 03/043101 A3)已知。此等公開案描述在卡上使用天線之一般可能性,但在其中可移除式卡係由行動通信裝置(特定而言,行動電話)之相鄰件屏蔽之一情形中並不含有一足夠天線規格。
特定而言,描述之NFC天線係在表面上呈導線環圈之形狀,而在小尺寸之情況中採用全部可用空間。當放置該NFC天線於相對較小區
域時,該天線經塑形為具有經圓化角之一內接矩形螺旋線圈,該內接矩形螺旋線圈通常沿著可用區域之外輪廓。此配置已產生相當典型之NFC天線形狀。
因此,用於NFC及RFID傳輸之天線係基本上扁平的(其中環圈纏繞於一可用區域之邊緣),諸如根據DE102008005795、CN102074788、US2009314842、CN101577740、CN201590480、CN201215827、CN201515004、CN201830251、JP2010102531、JP2011193349、KR20100056159、KR100693204、WO2010143849、JP2004005494、JP2006304184、JP2005033461、JP2010051012。當在一可移除式記憶體卡上實施此一天線時,以自然方式利用一扁平卡特性且該天線藉由環圈纏繞於最大區域之可用部分上而發展,舉例而言,如WO2012019694、DE102010052127、DE102004029984、CN101964073。然而,可用表面上之框形天線解決方案並不導致一所要結果,且因此不同申請人係使用其他元件(諸如肋、層及類似者)補充天線。此等解決方案增加結構困難且仍並不導致產生一可靠通信頻道。目前,已知解決關於減小天線尺寸及其至基板之連接之問題之小型天線解決方案(如根據US 2007/0194913 A1),但此等申請案並未解決關於不同天線屏蔽之問題。應用關於在具有一些可用空間之一區域中之現有NFC天線之知識並未產生所要結果,而低於一特定位準之小型化並不線性改變所得天線屬性。
公開之Logomotion之專利申請案描述天線組態及特定可移除式記憶體卡層,其目的為有預設發射及接收天線特性以允許即使在不同經屏蔽卡插槽處亦產生一可靠通信頻道。此經定義之技術任務導致僅在一些行動電話之情況下導致滿意結果之若干技術解決方案之產生且接著發展朝向在屏蔽區域外之一行動電話之本體上產生較大、額外天線而前進。(例如)呈秥附物形式之此等額外天線(CN201590480 U)可在
卡上與一基本天線非接觸式連結,但其仍保持此一配置之小通用性且同時應用之複雜性亦對一般使用者不利。
直接放置於一可移除式卡上之天線具有非常有限之尺寸選項。行動電話具有用於微型SD格式之卡之插槽,此顯著限制可直接放置於該卡上之天線之尺寸。當放置可移除式卡於非常屏蔽之插槽中(例如,在一行動電話之電池下方)時,自卡上之天線之傳輸條件變得顯著不利。使用整流層、箔具有一窄特定效應且在設定行動電話之各種結構時通用性較差。基本理論及技術公開案係具有以下意見:在一小厚度及可用之空間處,RFID或NFC天線應形成為一片狀天線,諸如在2010年Klaus Finkenzeller之RFID HANDBOOK中根據圖2.11、圖2.15、圖12.7、圖12.9、圖12.11、圖12.13。根據相同來源(4.1.1.2章節Optimal Antenna Diameter/Physical Principles of RFID Systems),最佳的係若傳輸天線之半徑對應於所需天線範圍之平方根。
用於非接觸式通信之標準ISO 14443特徵化經由具有13.56MHz頻率之載波信號之A或B調變之條件。經傳輸之資料係在傳輸器中經調變成副載波頻率且該副載波頻率與基本載波信號相組合。結果將為在接收器中藉由使載波信號與經接收頻譜分離而偵測到之一頻率與經傳輸資料之疊加。
因為在行動電話中更經常使用金屬組件及殼體,所以即使在其中已在一行動電話設計中預見NFC元件或類似通信元件之一情形中亦可出現關於構造及NFC天線放置之一問題。所期望的是確保來自行動電話PCB板、SIM卡或可移除式記憶體卡上之元件(其等可由諸如一電池或金屬殼體之周圍行動電話金屬元件屏蔽)之經傳輸信號之高輸送量之該解決方案。
所提及之缺點係藉由用於天線之容量中之一非靜態磁場發射器
顯著消除,特定而言在一電子裝置(例如,行動電話)中之一扁平基板上之天線,其中根據本發明之發射器之本質在於事實:該發射器具有一長方形、至少部分鐵氧體核心,該核心係用具有至少兩個螺紋之一導線捲繞,該等螺紋係彼此緊鄰而放置且一螺紋之有效寬度w對應於具有+-75%之偏差之在一圓形核心截面中之該核心之半徑。在其他有效核心截面中,一螺紋之寬度對應於具有+-75%之偏差之等效半徑。
一螺紋有效寬度w對核心半徑或等效核心半徑之自0.25至1.75、較佳自0.5至1.5、特定而言較佳自0.85至1.15之比率不僅係尺寸設定之一徵兆。如在發明發射器中所出現,僅與緊密導線繞組相關之一尺寸關係觀測展示若干實體型樣之協同交互作用。在所規定間隔之範圍中,在不形成非所要渦旋場之情況下產生來自導線之不同部分及來自個別線圈之磁場交互作用,藉此核心中之磁場放大且其亦不能沿著線圈洩漏出核心之終端部。有效單頭螺紋寬度對核心半徑之所規定比率還未成為發射器或天線中之一經觀測參數。在具有核心之現有天線中,一螺紋之有效寬度w達成小於核心半徑之0.001至0.1倍。根據本發明,對發射器有利的將為接近1之比率,亦即,w=D/2,其中D係核心直徑或等效核心直徑。
發射器係用作一典型電磁天線之一替代物,而在非接觸式NFC或RFID耦合之另一側上,藉由標準NFC或RFID接收構件接收及傳輸信號。發射器具有產生一密集及均勻磁場之一任務。在微型SD卡或SIM卡(用戶識別模組)上使用發射器之情況中,核心截面將為小於1mm之較小者(例如,核心高度之參數)。在微型SD卡上使用發射器之情況中,核心長度大於核心截面之較小參數之7倍。核心長度通常並未超過15mm。在奈米SIM卡上使用發射器之情況中,發射器之厚度小於0.65mm且其長度並不超過12mm。發射器將用於(特定而言)產生一額外非接觸式通信頻道。本發明之發射器亦產生電場,然而,在接收裝
置側上,此並非一信號載體;其僅為並不對穿透主機裝置之屏蔽作出一重要貢獻之次場組件。在具有低於1mm之核心厚度之小型化天線處,出現不能僅藉由成比例設定通常已知之較大天線結構之尺寸來解決之技術問題。首先,根據本發明使用平行於載體表面軸之螺紋藉由以下事實成為顯然的:螺紋直徑將顯著減小,此與增加天線範圍之一般要求相反,根據2010年Klaus Finkenzeller之RFID HANDBOOK。
核心在縱向方向上為長方形以便核心端部在表面上之可用空間內彼此相離最遠而放置。核心可彎曲但最佳結果係當磁場線在最長路徑中圍封發射器外部且因此具有洩漏出經屏蔽空間之一力時使用一直桿核心達成。核心之鐵氧體應具有預設之一相對磁導率,使得發射器之電感係自600nH至1200nH,較佳接近於750nH。考量此準則,鐵氧體核心可具有30至300範圍中之磁導率。將根據最大允許磁飽和及核心截面尺寸選項之技術可能性設定核心磁導率。鐵氧體應意謂放大磁場特性及屬性之任何材料。
重要的是,螺紋應彼此緊鄰而捲繞以防止在核心端部外之自核心之磁場發射。螺紋導線形成核心之屏蔽。相鄰螺紋之導線防止產生相鄰導線之間之導線之渦旋磁場。實質上,在鄰近螺紋之間,僅存在呈導線絕緣厚度形式之一間隙。一組金屬線圈產生引導磁場流之一核心屏蔽罩蓋。
為達成一條件,當磁場甚至透過主機裝置中之屏蔽元件之間之微小間隙洩漏出發射器時,核心中之磁場需要儘可能均勻且同時在一小核心截面處具有最大強度。均勻性之要求係關於在小發射器尺寸處核心中之不相等磁場強度展示大損耗之發現。要求高磁場強度以達成跨整個環境之磁場之高穿透性。
這兩個要求在其中一螺紋之有效寬度w對應於一圓形核心截面處之核心半徑之組態中最佳滿足。一螺紋之有效寬度w係一參數,其中
一螺紋導線反映核心之長度。該導線可具有一不同截面,因此一螺紋之有效寬度w可不同於真實導線寬度。在最普通之情況中,當螺紋導線具有一環或簡單扁平形狀但並不交錯時,螺紋之有效寬度w實質上將等於導線寬度。當使用一扁平導線使得使用相鄰導線之一邊緣覆蓋單頭螺紋導線之部分時,有效導線寬度w將視為不具有邊緣之寬度,該邊緣已覆蓋相鄰導線。基本上,導線寬度之部分將在扁平導線中接觸核心。在一緻密、緊密線圈中,單頭螺紋導線之有效寬度w將與一螺紋節距相同。
匹配有效寬度w至核心之半徑或核心之等效半徑之一要求應理解為,該有效寬度w實質上等於該核心半徑。在核心之小總截面參數下,即使一小的技術偏差亦引起脫離該規則,而仍達成益處或該原理之至少足夠有用之效應。因此,在滿足尺寸關係條件下需要考量一情形,當螺紋之有效寬度w係在核心半徑或核心之等效半徑之0.6倍至1.4倍之範圍中。在自0.6至1.4之比率之範圍中,最大磁功率之一損耗係10%。甚至藉由一相對較大比率範圍(0.25至1.75)亦達成足夠強及有利之結果,而先前技術包含有效寬度與核心半徑之不同級比率(小於0.001至0.1)。
關於尺寸關係,當自小型核心之一小截面區域密集發射磁場時,產生具有一磁力槍之效應之發射器。
術語非圓形截面之等效半徑意謂,若一環具有與特定非圓形截面之截面形狀相同之區域則,該環應具有之該半徑。因此,非圓形截面之等效半徑係跨板之等效半徑。例如,在具有一側「a」之核心之一確切正方形截面處,等效半徑係re=a/π。在不具有經圓化邊緣之參數「a」、「b」之一矩形截面處,等效半徑係re=(a.b/π)。核心可具有一正方形截面、矩形、圓形或橢圓形或可藉由組合所提及之形狀而形成。核心之最普通形狀經設計以利用空間,通常核心將具有圓形截
面形狀或橢圓形形狀或一截面至少係部分矩形之形狀,尤其正方形或長方形,較佳具有彎曲角。
為了簡單,將以寬度w之導線沿著核心I之整個長度纏繞且具有N=I/w螺紋之方式製造發射器。電源U具有一內部阻抗Z。發射器Ls具有一系列損耗電阻Rs且經由一調整部件C1//C2連接至該電源U(如圖1中所展示),使得在一工作頻率f上經極佳調適。圖1展示一串聯電路
Ls+Rs至並聯Lp//Rp之變換,其中 Rp=(1+Q 2 )Rs 且。
若諧振電路之品質Q>>1,則關係可簡化至型樣L=Ls及Rp=Q 2 Rs。
接著覆蓋損耗之電源功率係。若Rs小於實數部分
Re(Z),則可調整電感Ls。在該情形中,藉由該電感Ls流動之電流I L 係
接著在發射器之中間之磁場係
其中N係螺紋之數目。關係將進一步編輯為
其中R 1N 係一螺紋上之繞組之一標準化損耗且具有特性 R 1N =a,c -b,w | r
接著,圖2展示Rs對線圈寬度w除以核心直徑之相依性。對應於比率w/D=0.5之點C係標記於圖2中。最大線圈寬度係wmax=2πD。在較大寬度處將發生導線之一互相重疊。圖表之剩餘部分涵蓋自N=2.5螺紋至N=55螺紋之區域。
圖3中之圖表展示在發射器中心之磁場強度之相依性。所以當螺紋之有效寬度w對應於發射器核心之半徑時,磁場之最大值(圖表中之
點A)係在若w=0.5.D之一情況中。在點B之左邊(非常薄的導線寬度)係大於內部阻抗Re(Z)之電阻Rs且電源並不能夠遞送所需功率至負載,此導致磁場強度顯著降低。點B亦係受關注的,此係因為電容C2=0,所得諧振電路經簡化至串聯諧振電路,如圖4中所展示。然而,此一經簡化電路並不提供最大磁功率。點A右邊之磁場降低,此係因為寬度w增加之線圈與發射器核心之軸形成又更大角度。
基於畢奥-薩伐爾定律(Biot-Savart law),向量Hx係計算為電流IL與向量r之向量積,在吾人之情況中該向量r係發射器核心之一軸。該向量Hx求得跨繞組之整個曲線x(一螺旋寬度節距w)之積分。
因此,該發現展示,在一非常寬線圈中,角度α藉由係數cos α開始強有力地影響磁場強度。相反地,在點A之左邊,角度α之影響係可忽略的,但開始展示Rs之顯著損耗,如圖2中所展示。因為w=D/2之值,損耗Rs開始顯著增加(點C)。該圖表展示最佳發射器電感係約為L=750nH。在發射器之給定參數下,需要選取使得在w=D/2處電感將僅為L=750nH之一磁導率μ。
當使用一典型圓形截面之一單級盤繞導線時,發生關於一導線之一彎曲半徑之一問題,此係因為現等於導線直徑之導線有效寬度w應實質上等於核心(例如,圓形核心)半徑。可允許最小導線彎曲係通常判定為大於彎曲半徑之兩倍。若僅具有一毫米之一組建高度以放置發射器,則核心之最大高度將小於半毫米,此引起關於將相對較厚導線纏繞至一易破及小核心上之技術問題及複雜化。根據本發明,關於繞組之問題係由有效寬度對核心半徑之比率引起,因為導線與核心相比應相對較寬且因此較厚。
為更佳利用空間之一可用高度且仍遵循本發明之基本規則(即,
螺紋之有效寬度w與核心半徑之尺寸關係),已發明涉及使用一扁平導線之一解決方案。該扁平導線在纏繞之後跨核心之寬度對應於該核心之半徑。該扁平導線係更容易地纏繞於核心上且在截面高度中,其並不佔據很多空間。接著,給定空間可更佳用於發射器之核心。該扁平導線具有仍足夠低之電阻。該扁平導線將具有超過該導線高度或導線厚度兩倍之寬度。
此外,已發明,在一有利組態中,可由至少兩個相鄰盤繞導線之一系統取代扁平導線,但該兩個相鄰盤繞導線仍一起產生僅一螺紋。此等導線亦電連接。若(例如)想要用原始縱橫比1:3取代扁平導線,則使用彼此鄰近而捲繞之具有均勻圓形截面之三個導線取代此一扁平導線,猶如此係一個三級螺紋。若用原始截面1:8取代扁平導線,則使用彼此鄰近而放置之具有圓形截面之8個導線,如同在機械方面此係一八級螺紋。一多級螺紋中之導線將不必彼此之間絕緣,此係因為此等導線將使線圈端部電連結,但歸因於技術簡單性,相同絕緣導線可用於特定螺紋之全部導線。在其他配置中,僅一螺紋之邊緣導線可電絕緣,內部放置之導線並不需要具有絕緣物。
達成均勻高強度磁場(其將自遠核心端部發射)之努力導致許多對立要求。使用儘可能少的螺紋係可取的,但隨著螺紋之減少數目,由此等螺紋屏蔽之核心之長度亦降低,隨著螺紋之減少數目,亦增加信號發射所需之電流負載,然而,該電流強度係受主機裝置元件限制。使用扁平導線或使用平行固持之多級單頭螺紋導線適當消除該等要求之此相矛盾衝突。
小型尺寸之發射器可放置於一行動通信裝置內部之PCB板上,或可放置於可移除式記憶體卡之本體內,或可放置於一SIM卡上,或可放置於一電池上,或可放置於以上之組合中。
直接於一行動通信裝置(特定而言行動電話)之PCB板上使用根據
本發明之發射器,該發射器提供優點特定而言在於,用作一天線之發射器具有小型尺寸且其可放置於板上之幾乎任何地方。至今,NFC天線係特別針對新行動電話模型設計,而天線環圈環繞PCB板上或PCB板周圍之較大表面區域。直至現在,若干行動電話模型之一製造者不得不使用若干類型之NFC天線。當使用本發明之發射器時,即使在直接用於PCB板上時,亦將足以使用一小型發射器。
在可移除式記憶體卡上使用發射器之情況中,此一卡經設計以用於插入至一行動通信裝置之擴充插槽中。在此情況中,以使得天線核心之軸經定向成主要平行於可移除式卡之本體之表面且發射器係定位於接觸介面區域外之可移除式記憶體卡之本體之邊緣部分上之方式,在可移除式記憶體卡基板上放置發射器。有利的係,若發射器係沿著與具有可移除式記憶體卡之接觸介面區域之邊緣相對之邊緣而定位。
有利的係,當核心之長度(其為繞組軸之方向上之核心參數)係在卡之尺寸可能性內儘可能長時,此達成最長磁場線且僅磁流之一較小部分係閉合於一短路徑中。當放置發射器至可移除式卡之本體中時,核心高度將高達1mm,寬度高達5mm且長度高達15mm。在接觸區域外之一有利定向中,核心將具有其中高度高達0.7mm、寬度高達1mm且長度高達11mm之一矩形截面。
在一SIM卡上使用發射器之情況中,針對發射器放置有較大空間可用。SIM卡大於一微型SD卡且在接觸域中亦並不具有晶片外之電子組件之此一高穿透性。發射器可以不同位置及旋轉放置於一SIM卡上。當將發射器放置於一微型SIM卡或一奈米SIM卡上時,存在比一正常SIM卡處顯著更有限之空間選項。對於此一發射器定位已發明解決方案,當可移除式卡上之發射器與放置於其中插入有卡之插槽中或該插槽之緊鄰區域中之放大器(增幅器)協作時。接著該放大元件可用
於一較大空間或用於組建之較大區域(諸如空間)或可移除式卡本身上之發射器表面。術語放大元件亦包含並不增加磁場之能階之元件,但來自發射器之經發射流(例如)僅指向性地引導或均勻化。
放大元件可呈一鐵磁體或鐵氧體箔或一板之形式,可呈一諧振電路或類似者之形式。原則上,放大元件並不要求用於連接插槽與基板(例如,用於電源供應及類似者)之新的額外接觸件將為適當的。接著,可設計一新的插槽以在不改變周圍環境(PCB板、固持件及類似者)之設計之情況下改良其功能性。
插槽中之一發射器及放大元件之所提及組態將可良好用於製造實踐中,此係因為插槽係外部供應組件、外部製造子系統,其等在設計之後已在主機裝置中保留一適當空間。在未修改之空間中,可稍後放置補充有放大元件之一插槽。當發射器定位於作為一卡、插口、電池、其他配件之可移除式元件中且該放大元件係放置於在該發射器之磁場範圍中之插槽、連接器、可移除式罩蓋中時,可更通常使用可移除式卡上之發射器與定位於主機裝置中之放大元件之間之協作之原理亦。
當在一行動電話電池(蓄電池)中使用發射器時,該發射器之核心之更多放置選項及旋轉係可用的。原則上,具有不同相互定向之於不同位置上之更多發射器可放置於一電池中。可根據一給定行動電話中之連續傳輸之結果選取一特定發射器之啟動。
由一標準接收構件在一給定頻率頻帶中接收自根據本發明之磁場發射器傳輸之信號。例如,若發射器經指定用於一行動電話與一POS終端機讀取器之間之NFC傳輸,則該行動電話側上之天線將呈具有一鐵氧體核心之磁場發射器之形式,但在該POS終端機NFC讀取器側上將定位一共同接收天線。僅與現有標準裝置之一致性係重要的以便不需要改變在POS終端機側上廣泛展延之硬體。除了行動電話之現
有擴充插槽之外,於行動電話側上之硬體改變僅藉由插入可移除式記憶體卡(特定而言微型SD格式)或藉由插入一新的SIM卡或一新的電池而發生。行動通信裝置之擴充插槽係並不影響裝置之基本通信功能之用於一卡之一插槽,接著,其特定而言但並非純粹地係用於微型SD格式之可移除式記憶體卡之插槽。
從技術觀點,若核心形成為定位於非導電基板上之一鐵氧體桿則將為較佳的。該非導電基板將具有對應於該核心之寬度之一寬度及至少等於該核心之長度之一長度。螺紋導線係跨該鐵氧體桿且亦跨該非導電基板捲繞,藉此一導線線圈使用該非導電基板機械地支撐該核心。該非導電基板可在兩個端部皆具有連接線圈導線及連接天線與可移除式記憶體卡之本體之連接墊。在該等連接墊上,多級線圈導線彼此連接且此等發射器接觸件亦與主機裝置之導電電路互連。
於根據本發明之發射器中產生之磁場具有穿透一行動通信裝置之空間結構中之小間隙之能力。(例如)一卡與一卡插槽之間、接著一電池殼體與一相鄰行動電話之本體之間之扁平間隙係足以允許磁場穿透出該行動電話本體。發射出發射器之磁場將在藉由(例如)呈一POS終端機形式之一共同天線接收之通信頻道之相對側上。實務上,發射器將主要定位於具有呈不利組態之金屬覆蓋物之行動電話內部。磁場線透過罩蓋之間之小間隙出來因此至其中定位一NFC讀取器之空間中。覆蓋物基本上總是可卸離以經常能夠自罩蓋下方移除電池,產生其等零件之間之間隙。該等係足以確保具有一高強度之磁場自根據本發明之發射器穿透出。
可藉由調整線圈導線之位置及參數使得該線圈本身具有一適當能力或全部線圈導線之整個系統具有一適當能力(該適當能力可能包含電磁環境連結)而達成發射器諧振特性。
發射器可以在不同周圍環境之影響下適當調諧之方式設計。若
發射器緊鄰導電材料而定位,則降低發射器電感。此特徵係用於取決於其中定位發射器之周圍環境之發射功率之自動控制。此將增大應用該發射器之通用性,當配銷發射器時不需要考量不同類型之行動電話之影響。該發射器將僅當其在一金屬罩蓋中時經調諧(例如)至15MHz之諧振。在環境影響下,天線電感經穩定化,降低至1μH。然而,若其放置於殼體外部,則電感將增加至1.3μH且諧振將移動至12MHz。因為發射器發射具有14.4MHz之頻率之功率,所以在諧振接近於該值時精確發射最大功率,此係因為其內部電阻當時為最小的。然而,若發射器係放置於塑膠覆蓋物下方,則諧振將向下移動至12MHz且在14.4MHz之頻率處內部電阻將增加。發射器將處於經設計及經建構之一較佳組態中使得頻率及/或電感及/或內部電阻在最不利之可能屏蔽中(例如,在全覆蓋中)預設至最大傳輸功率。接著,在相同輸入供能,與環境有關之屏蔽之降低速率將降低傳輸功率,因為相鄰屏蔽元件影響發射器之頻率及/或電感及/或內部電阻。簡單地說,對於藉由發射器傳輸,將亦刻意使用經圍繞之金屬零件,儘管其等之缺失引起傳輸功率之一降低,但將設定發射器使得即使在零屏蔽處,發射器傳輸功率亦超過用於藉由標準NFC或RFID構件接收之最小效能。
根據本發明之磁場發射器將原則上用於自一可移除式記憶體卡之本體或一SIM卡之本體、自一PSB板或一電池傳輸信號。在通信之反向方向上,當於可移除式記憶體卡上接收信號時,此並非關於電磁場強度之一問題,而,在此方向上,傳輸天線係在尺寸上受限制。原則上,特定而言,不需要最佳化朝向發射器之傳遞路徑,該傳遞路徑將用作一接收天線。在其他配置中,發射器可經補充用於接收朝向可移除式卡之一信號之一典型線圈、一分離NFC天線。
當最大可允許電流負載係基於標準卡介面時,來自輸出驅動器之最大有效電流可在0.1Arms至0.2Arms之範圍中。該輸出驅動器係
功率放大器輸出級之零件。線圈導線中之電流並不超過0.8Arms之值。在此一設定中之輸出驅動器及微型SD卡上之電源供應器之輸出電阻可小於10Ohm。特定阻抗值可根據電壓、電流及功率之預設比率而改變。
當減小核心截面時,嘗試達成該核心中之最高可能磁場強度。
此引起對核心材料之增加之要求。增加鐵氧體核心效率之一適當方法係儘可能將頻率頻帶集中至最窄頻譜。一頻譜設計仍很大程度上藉由正常調變原理而定,基本上,係藉由非接觸式通信標準判定,根據該非接觸式通信標準經傳輸資料經調變成與基本、載波信號組合之副載波頻率。當頻譜可經調諧、調諧至一單頻率時,根據本發明之發射器已展示為特定而言有利於調變之新原理。發射器係精密地調諧至傳輸頻率,無論副載波頻率如何。頻譜可因此具有一明顯峰值。
發射器及接收器係經連接之變換器,接收器傳輸一第一頻率之一載波信號,在該發射器側上,資料經調變及傳輸至該接收器,該接收器分析該信號,而該信號呈一第一頻率之一載波信號及相對於該載波頻率之第二頻率之具有資料之經調變副載波頻率之形式出現。在接收器中,使載波信號與天線輸出上之信號相分離且解調變經傳輸資料。自發射器至接收器之資料傳輸中之一新調變之標的特定而言意謂接收器頻率與發射器頻率係不同的且頻率之差值對應於副載波頻率。在接收器側上接收及解調變之信號係組合經傳輸之載波信號與藉由發射器傳輸之經調變資料而形成,其中在接收器天線處經偵測及接收此組合。此頻率差值並非由一不精確引起,而是刻意且顯著的。該頻率差值係在副載波頻率之範圍中,預設接收器使用該副載波頻率。
當在轉頻器(transponder)中使用一變換器連接時,頻率信號並非必須經主動傳輸;若轉頻器天線之電感電路係在一所需頻率上短路則此係足夠的。可在接收器天線輸出上量測在轉頻器側上之此等變化。
相對於接收器載波頻率,發射器之傳輸頻率之變化經選取,使得甚至不需要改變在接收器側上之經接收信號之評估方法,也不需要改變該接收器之連接(配置)之一方式。傳輸頻率之變化可預設至載波頻率值之兩側,此意謂該傳輸頻率可低於或高於接收器載波頻率之值。
歸因於小的相互距離,於藉由具有互感之接收器之天線及發射器形成之天線系統中產生一變換器連接。在資料傳輸期間,接收器將其載波頻率發送至天線,發射器將具有一不同頻率之一經調變信號發送至其天線且接著於相互天線系統中組合不同頻率之該等信號。
在接收器中分析來自接收器之天線之輸出。在接收器之天線上之此輸出具有相同特性,猶如發射器經由在使用負載調變時之副載波信號之一調變在載波頻率上傳輸。接著,自頻率組合之結果,信號載波係在接收器中轉頻且所獲得之結果對應於經調變之副載波信號,即使發射器並不實際上使用該副載波信號。可透過解調變自此信號接收經傳輸之資料,即使在實際上經傳輸之資料直接調變成發射器之傳輸頻率時。未藉由針對接收器之此種組態而改變資料處理方法,該種組態係一重要因素,此係因為其使能夠使用具有新發射器之現有接收器。反向資料流動方向可與至今其呈現之方向相同。
假使如藉由本發明描述之接收器在其與接收器之天線所具有之互感外傳輸其信號,則經傳輸之信號將並不對應於副載波頻率之使用,此係因為發射器並不傳輸其且預期一標準信號結構之接收器將不能夠評估此種信號。僅當產生互感時,合併不同頻率之實體效應出現。此等頻率之間之差值係故意設定至預期副載波頻率之範圍。經接收信號係藉由接收器以相同方式處理,如其在直至現在之現有解決方案中所處理般。本發明之顯著貢獻在於,其並不要求在現有接收器側上之變化。發射器將定位於(例如)行動電話中。在實現無現金付款期
間,於記憶體卡上具有發射器之行動電話接近POS終端機讀取器內之接收器。信號係產生於卡中且係經由不同於藉由接收器產生之作為一載波頻率之頻率之頻率予以調變。來自接收器之信號與來自發射器之信號相組合且形成呈組合信號形式之一信號,該呈組合信號形式之信號在接收器中看似為根據現有結構之一信號。接著,接收器、讀取器處理一合併、組合信號,如在現有程序中為普通的。
若經傳輸資料係藉由發射器之頻率之相位φ=0°或φ=180°中之一變化直接調變,則此為合適的。若在發射器中之調變處,經傳輸頻率之相位係在調變期間每基本時間單位etu改變一次,則此為足夠的。以此方式較小數目個相變係足夠的,降低對發射器側上之調變管理之要求且亦降低雜訊之一情形。
所描述之方法係能夠在發射器與接收器之間之變換器連接中操作,此方法之優點主要出現於具有變換器連接係數k=0.2-0.001之弱變換器連接中。
從使用現有接收器之觀點,若載波信號fr具有13.56MHz±7kHz頻率則為合適的。信號載波頻率與發射器之頻率之間之差值係完全藉由載波頻率、較佳藉由載波頻率之1/16(其對應於847kHz)形成。硬體觀點係,該等頻率之間之此關係為有利的(其中可使用用於頻率劃分之現有電子元件)且從與現有標準之一致性出發亦係有利的。藉由發射器產生之頻率ft將具有13.56MHz+847kHz=14.4075MHz值,以及具有±7kHz之相同容限。
在接收器側上偵測之信號對應於載波頻率之共同負載調變期間之情形。然而,在所提出之解決方案及方法中,天線負載將不得不以副載波信號之每半波(其在載波頻率為13.56MHz之情況中將約為每0.6μs)改變。在根據本發明之解決方案及方法中,若每1etu僅進行一次該變化使得其將約為每9.3μs,則此為足夠的。變化之較小頻寬產
生較少雜訊,其中值雜訊功率=10.log(16)=12dB。
根據本發明之資料傳輸方法使能夠調諧發射器之天線至一窄傳輸頻率,而不需要針對副載波頻率考量天線之發射特性。實際上,發射器並不使用副載波頻率;該副載波頻率僅在頻率干擾期間存在。接收器預期接收副載波頻率;在根據ISO14443之組態中,接收器之天線輸出上之副載波信號之缺失將防止任意種通信發生。
所描述之方法將發現廣泛應用在其中傳輸器定位於行動通信裝置上或定位於行動通信裝置中、較佳定位於卡上之傳輸期間,該卡係(以一可移除式方式)放置於該行動通信裝置之插槽中(SD卡、微型SD卡、SIM卡、微型SIM卡、奈米SIM卡)。由於為該情況,實際上可增大變換器連接係數且傳輸特性之改良係本發明中所描述之方法之主要優點。如本發明中所描述之發射器經調諧至對應於傳輸頻率之一窄頻率特性。在反向資料路線之情況中使用一不同頻率,該不同頻率在發射器/轉頻器側上並不產生任何傳輸困難,此係因為讀取器藉由一相當高能量且甚至藉由一較高頻譜傳輸。該讀取器可為(例如)POS終端機之一通信元件。
為實現根據本發明之發射器之調變方法,可使用包括發射器、調變元件、解調變元件及具有不同於接收器之頻率之一頻率之一電磁波產生器之連接(配置)。在接收器及傳輸器天線電感之一變換器連接中,在該連接中使用電磁波產生器並不常見,此係因為目前為止在傳輸器側上已使用一負載調變。在吾人之連接中,產生器將為電磁波之振盪器且傳輸資料連接至該振盪器之輸入。
因為發射器應即使在反向資料流動期間亦能夠操作,所以發射器之解調變元件將連接至朝向感測器電阻器前進之電感之轉折。為消除至解調變元件中之入口處之電壓峰值,將經由電感器連接該解調變元件。該轉折減小張力且改良阻抗電路。可自經接收之電磁場確保發
射器之電路之電源供應器,在此情況中傳輸器可視為一被動元件;然而,該電源供應器亦可藉由其自身電源而穩固。在根據此解決方案將發射器實施於行動電話中之記憶體卡中之情況中,可經由該卡之介面供能量給傳輸器。
本文所提及之頻率值係合適設定且對應於現有規範及標準,但即使對完全不同之頻率值亦可應用所描述之頻率組合方法,此係因為在頻率組合器中產生副載波信號係基於通常有效之波之表現。
根據本發明之於卡上之發射器在不同行動通信裝置之插槽中且甚至在定位於一電池下方之插槽中具有極佳傳輸性質。量測已展示具有含根據本發明之發射器之可移除式記憶體卡之行動電話能夠產生一可靠NFC通信頻道,而一行動電話相對於一NFC讀取器之指向性定向並不限制。抑制不同行動電話結構對額外產生之非接觸式頻道之可靠性之影響。
所描述之發射器之連接及資料傳輸調變方法可甚至在其他傳輸解決方案中使用,例如,在自感測器之流電分離資料傳輸中,在自移動、振盪元件及類似者之資料傳輸期間。根據本發明之連接(配置)及方法使能夠最佳化在用於家庭設備、電器、醫學、汽車技術及類似者中之資料傳輸中之傳輸系統。本發明簡化在發射器之部分上之信號之調變,其降低雜訊且允許發射器之一非常精密及有效調諧。
此等效應結合發射器之新結構組態(一螺紋之有效寬度對發射器核心半徑之比率)即使在變換器連接弱時亦協同地改良傳輸特性,該變換器連接產生對甚至來自經屏蔽周圍環境之品質資料傳輸之先決條件。
1‧‧‧核心
2‧‧‧螺紋
3‧‧‧磁場流障壁
4‧‧‧導線
41、42、43、44、45、46、47至4N‧‧‧一螺紋之導線/單頭螺紋導線
5‧‧‧可移除式記憶體卡
6‧‧‧非導電基板
7‧‧‧連接墊
8‧‧‧導線絕緣物
9‧‧‧SIM卡
10‧‧‧PCB板
11‧‧‧蓄電池/電池
12‧‧‧插槽
13‧‧‧放大元件
w‧‧‧螺紋之有效寬度
RFID‧‧‧射頻識別
PCB‧‧‧印刷電路板
NFC‧‧‧近場通信
POS‧‧‧銷售點
SD‧‧‧安全數位卡
SIM‧‧‧用戶識別模組
本發明係使用圖1至圖26進一步闡釋。個別組件之所使用之顯示尺度及比率可並不對應於實例中之描述且該等尺度及比例不能解釋為
使保護範疇變窄。
圖1示意性地描繪串聯LR電路至並聯電路之變換。
圖2包含取決於導線寬度對核心之直徑之比率之在發射器之線圈中之損耗之一圖表。
圖3中係表達在發射器之中心處取決於繞組寬度對核心之直徑之比率之磁場之大小之一圖表。
圖4中係串聯諧振電路,簡化根據圖3之圖表之點B處之所得諧振電路至該串聯諧振電路。
圖5中具有扁平導線截面之發射器之一軸測視圖。導線線圈之間之間隙係展示為僅增加透明度,事實上繞組係彼此緊鄰而配置。
圖6中係核心及一單線圈處之扁平導線之一截面。又,在線圈彼此之間及在線圈與核心之間係展示為增加透明度之間隙,事實上,繞組係在沒有間隙之情況下彼此緊鄰而配置且僅在核心上。
圖7描繪具有重疊邊緣之扁平導線之截面區域。在線圈彼此之間及在線圈與核心之間係展示為增加透明度之間隙,事實上,繞組係在沒有間隙之情況下彼此緊鄰而配置且僅在核心上。
圖8展示具有多級導線線圈之核心之截面,其中全部單頭螺紋級之導線係相同且絕緣的。在圖8至圖13中之相鄰螺紋之邊緣導線之間經描繪用於增加透明度之一間隙,事實上,該間隙藉由繞組並不出現。圖式中之該間隙意指區分導線至單頭螺紋群組。
圖9描繪具有多級導線線圈之核心之一截面,其中僅一線圈之邊緣導線係絕緣的。一線圈之放置於一群組內部之導線係非絕緣的。
圖10展示在具有圓形截面之核心上之線圈中之導線節距。在該視圖中,為清楚起見,僅展示一導線41,其他導線係僅展示於截面中。螺紋節距係圓形核心之直徑之一半。
圖11呈現發射器之一半之一視圖,其中線圈包括扁平非絕緣導
線,沿著該扁平非絕緣導線之邊緣纏繞有圓形截面之絕緣導線。
圖12中係在具有非導電基板之核心之端部處之發射器之線圈之端部之一視圖,該非導電基板係焊接於可移除式記憶體卡基板上。
圖13展示在一連接墊上之單頭螺紋導線互連之細節,該連接墊係產生於非導電基板之底端上。
圖14描繪在微型SD格式之可移除式記憶體卡上發射器定位之一實例。
圖15中係當發射器放置於可移除式記憶體卡上且該可移除式記憶體卡插入至具有金屬殼體之行動電話中時側面透視之一磁場發射圖式。水平面中之發射圖式展示推動穿過一金屬罩蓋中之窄狹縫使得磁場線經圍封之磁場力。
圖16包含在NFC傳輸區域中四個天線頻率設定之實例。諧振曲線係以一實線標記。該諧振曲線之頂部表示天線諧振頻率fR且可與傳輸頻率f1或與接收頻率f2一致,或可僅形成該曲線之頂部,此特徵化可用頻率頻帶。該傳輸頻率f1係以虛線表示。該接收頻率f2係以點及虛線表示。軸y展示對天線之輸入電流。
圖17展示發射器之阻抗參數。
圖18描繪在發射器阻抗取決於環境改變時發射器功率之自動調諧。曲線「a」表示具有放置於一塑膠殼體中之發射器之一系統之內部電阻,曲線「a」應用於具有放置於一金屬殼體中之發射器之一系統。
圖19及圖22中展示有SIM卡(其中發射器不同地定位於該卡之本體中)。
圖23描繪直接於行動電話PCB板上之發射器之定位。
圖24中展示有在行動電話電池之本體中之發射器之定位。
圖25及圖26描繪一迷你SIM卡及一奈米SIM卡之插槽。插槽係具
備放大元件且展示為自主機裝置移除。
發明實例
實例1
在根據圖1、圖2、圖3、圖4、圖8、圖12、圖13、圖14、圖15至圖18之此實例中描述具有矩形截面之一鐵氧體核心1之發射器之一結構。該核心1具有9mm之長度及0.8mm x 0.6mm之截面。附加一非導電基板6至該核心1,該非導電基板6具有0.8mm之寬度及0.04mm之厚度。在該核心1上且亦跨該非導電基板6纏繞有彼此相鄰放置於右邊之銅絕緣導線之21個螺紋2。一螺紋2係由具有0.05mm之一直徑之六個平行導線4構成。此將取代經設定尺寸為0.3mm x 0.05mm之一螺紋2之扁平導體。
在非導電基板6上,在端部處係兩個連接墊7,在該等連接墊7上係導電連結之六個導線41、42、43、44、45、46。在核心1之端部處之在最後螺紋2之後之導線41、42、43、44、45、46分離以產生較大空間以用於一超音波熔接器之尖端。導線41、42、43、44、45、46係超音波地向下接合,熔接至連接墊7。
同時,連接墊7連結至一接觸件,使用該接觸件整個發射器之本體焊接至基板,在此實例中,至微型SD格式之可移除式記憶體卡5之基板。該可移除式記憶體卡5上之發射器係與具有卡接觸件之區域相對而定位,在此實例中,較佳在其中該卡具有一小的增厚以促進卡更容易自插槽12移除式之部分中之右邊。
具有0.8mm x 0.6mm之一截面之核心1具有0.391mm之等效半徑。此係半徑,在該半徑處圓形核心之面積0.48mm2與具有0.8mm x 0.6mm之參數之矩形核心之截面區域相同。運用每長度9mm有21個螺紋,一螺紋2之有效寬度w係約0.428mm。等效半徑與有效寬度之
間之比率係1:1.095,一螺紋之有效寬度w因此對應於等效半徑之約1.1倍。
相較於扁平導線,六個平行導線4之優點亦係在高頻率上之較佳導電率。歸因於深度之集膚效應ρ=17μm/14MHz,六個圓形導線之導電表面比在具有相同尺寸之一扁平導線中大π/2-1倍且因此導致較低損耗。此實例之發射器在14.4MHz之頻率處具有電感L=1.3μH及在13dBm之功率負載中具有品質Q=21。
天線陣列包括一天線激勵器(驅動器)、具有磁場發射器之串並聯諧振系統及具有高利益之一低雜訊放大器(限制器)。驅動器經設計成在橋供應電壓Vcc=2.7V處具有小於4Ohm之輸出電阻Rout之橋接(H橋)。歸因於金屬氧化物半導體場效應電晶體(MOSFET)電晶體之切換時間小於1ns之事實,較高切換諧波產物(harmonic product)需要藉由電容C3濾波。橋H+及橋H-之切換信號係按2.2ns相互非同相,使得防止此同時切換兩個受控分支且因此防止電源供應Vcc至接地之一短路。
藉由所描述之結構達成在核心1之鐵氧體桿之端部處具有水平發射之「磁力槍」之效應。如本發明中所定義之磁力槍理論係在於,磁場線在早於其端部處時不能離開核心1之鐵氧體桿且此係因為具有較近相互繞組之導線4之導電材料係不可滲透的。且因為磁場線必須總是圍封於彼此中,所以其中磁場線可離開發射器之唯一地方係核心1之端部處。然而,實務上,不可能產生一繞組使得導線4之間不存在空氣間隙且因此場線之部分穿透導線4。在圖15中觀察放置於金屬屏蔽內部之發射器之極佳發射特性。
發射器係定位於具有金屬罩蓋之一行動電話內部。此在圖15中可見為屏蔽罩蓋3(即,磁場流障壁)。磁場線自罩蓋之間之小間隙出來,即,至其中放置NFC讀取器之區域。
歸因於不同背景定位,發射器解諧,且在其緊鄰導電材料定位之情況中發射器電感降低至1μH。此屬性係用於取決於其中發射器定位之環境之發射功率之自動控制。發射器係僅當其處於一金屬殼體中(環境影響使天線電感降低至1μH)時調諧至諧振15MHz。金屬殼體表示屏蔽罩蓋3。然而,若放置於該殼體外部,則電感係增加至1.3μH且諧振係移動至12MHz。因為發射器功率係以14.4MHz頻率發射,所以在諧振接近於該值時精確發射最大功率,因為其內部電阻當時為最小,約20Ohm。然而,若發射器係放置於塑膠罩蓋下方,則諧振下移至12MHz且具有14.4MHz頻率之內部電阻提高至50Ohm。歸因於此組態達到一狀態:放置於金屬罩蓋下方之發射器發射最大功率,而在當發射器處於塑膠罩蓋下方時之一情形中,發射功率自動下降,藉此確保在此前情況中接收裝置(POS終端機)並未藉由太高信號供能。於圖18中展示當阻抗根據環境改變時發射器功率之此自動協調。
實例2
在此實例中(如圖5及圖6中所展示)使用扁平絕緣導線4,該扁平絕緣導線4之截面高度對應於該導線4之截面寬度之約八分之一。該扁平導線4可用於核心1之卵形截面中,在矩形核心1之小尺寸及小半徑處圓化之情況下,在導線4於核心1上之纏繞中不存在損壞或破壞該導線4之危險。在構造之另一實例中,可藉由金屬層之氣相沈積或塗佈一導電路徑至表面上之其他類似技術,於核心1上導線4產生。在核心1上,可產生至少等於導線4之厚度之處於分離螺紋2之間之間隙之功能中之一遮罩。該遮罩在此情況中係呈形成螺紋間絕緣物8之具有一寬度之一螺旋引導條帶之形狀。接著,施覆金屬層以形成一扁平、寬線圈。藉由導線4之邊緣上之絕緣物之潛在施覆及接著重複施覆導電層條帶(其將與螺紋間間隙重疊)可出現限制一磁場洩漏出核心1端部之扁平導線4邊緣之擬合。
實例3
在此實例中(如圖5及圖7中所展示)係跨相鄰螺紋2之邊緣引導以形成一螺紋重疊,以防止磁場在螺紋之間穿透之扁平絕緣導線4。然而,仍然保持磁場透過具有導線4之絕緣物8之厚度之兩倍之一厚度之一間隙洩漏之可能性。
實例4
在此實例中(如圖9及圖10中所展示)係使用非絕緣導線42、43、44、45、46與絕緣導線41及47之一組合。一螺紋2係由七個導線4構成,其中給定導線41及47之兩個邊緣導線具有絕緣物8以避免在緊密繞組處之螺紋間短路。非絕緣導線42、43、44、45、46係放置於群組內部。因為其等並不具有絕緣物8,所以將減少形成用於磁場洩漏之間隙且此等導線42、43、44、45、46並不需要電互連。因此,僅導線41、42、46及47係輸出至連接墊7。
實例5
在此實例中(根據圖11),為產生一單螺紋2使用一扁平非絕緣導線42與具有一典型圓形截面之兩個絕緣導線41、43之一組合。該組合使發射器之產生如同具有一小厚度之適當、可用扁平導線並不具有任何絕緣物一樣簡單。邊界導線41及43形成螺紋間絕緣物且係在連接墊7上彼此導電連結且亦連結至扁平導線42。
實例6
在此實例中,核心1呈具有直徑0.8mm及7mm長度之一圓形截面之一鐵氧體桿之形式。發射器具有17個螺紋2,該螺紋2之有效寬度w係0.41mm。螺紋2之有效寬度對核心1之半徑之比率係1.025。選取核心1之磁導率使得在給定發射器之尺寸及繞組處電感係L=750nH。
在此實例中,存在放置於可移除式記憶體卡5上之一發射器,該發射器亦含有付款卡功能且用於此付款卡與一POS終端機之間之通
信,利用兩個不同頻率之一資料傳輸方法。該POS終端機含有一非接觸式付款卡讀取器。該等卡不得不接近讀取器之操作體積以為了建置通信連接。將含有一通信元件之付款卡放置於插槽12中之行動記憶體卡5中使該付款卡上之該通信元件完全接近於讀取器之操作體積之中心之可能性惡化。同時,行動電話插槽12係主要經設計以用於插入一共同記憶體卡5。對於該通信元件,對於插槽12,呈現一非所要屏蔽,該插槽12之本體之部分係由金屬形狀外殼製成。通信元件含有根據本發明之發射器,且在此實例中,其直接放置於微型SD卡上。該卡5之格式並不限制本發明之範圍,在將來可使用無論任何格式。對應插槽12之記憶體卡5之連續小型化使通信元件有效放置於卡5上之可能性惡化;然而,本文所描述之解決方案解決了該問題。通信元件使用NFC平台。在真實環境中且在由使用者以一正常方式處置行動電話之情況中,變換器連接係數為k=0.2-0.001。
傳輸資料之內容及結構可不同,在此實例中將處置付款程序之通信及授權期間所需之資料。一行動電話之擁有者使用裝備有一非靜態磁場發射器之一記憶體卡5裝備其之裝置。藉由完成此,該擁有者擴展其之行動電話之功能性。在較佳組態中,記憶體卡5上亦將存在對應於此專利之申請者之一不同發明之一付款卡。重要的是,一行動電話與一記憶體卡5之連接將作為一標準非接觸式卡出現在POS終端機及其付款卡讀取器中。因此經傳輸資料之結構將為根據付款中之標準。所提及之解決方案之優點係行動電話使用者介面之一舒適可用性。
發射器含有具有14.4075MHz±7kHz之頻率之電磁波之一產生器。此頻率係比接收器之頻率高847kHz。接收器之頻率係在標準13.56MHz±7kHz中。該等頻率之間之差值係接收器之載波頻率之1/16。若當資料經由變換器連接(直至現在仍未使用該變換器連接)傳
輸時該產生器經連接且主動的以對發射器供能,則此為重要的。假使在現有解決方案中產生器存在於發射器中,則該產生器並非經設計以用於變換器連接中之主動活動,此係因為其歸因於相同傳輸頻率而並不需要。該產生器連接至諧振電路,該諧振電路之輸出連接至天線。
來自記憶體卡5上之發射器之資料係透過發射器及接收器天線電感M之變換器連接傳輸至POS終端機讀取器中之接收器中。該資料在發射器側上經調變成信號且接收器傳輸載波信號。發射器與接收器相距之距離將以cm為單位,基本上,行動電話之本體將碰觸讀取器,傳輸在實體意義中將為非接觸式的。發射器可甚至在操作體積中移動,而其速度將低於1m/s。
發射器發送具有頻率14.4075MHz±7kHz之信號,接收器之載波信號係13.56MHz±7kHz。該等頻率之間之差異具有對應於副載波頻率之大小之一值,該值係根據ISO 14443導出為載波頻率之1/16。
在接收器與發射器之天線陣列中,不同頻率之信號經組合且在接收器之於天線上之輸出中,信號以一載波頻率及具有資料之經調變副載波頻率之一連接之形式出現。載波信號係與接收器中信號組合之結果分離。此分離之結果係一副載波信號,儘管發射器從未實體上傳輸該副載波信號。自該副載波信號解調變經傳輸資料。解調變元件、諧振電路及接收器之產生器具有與在今天之現有技術解決方案中相同之組態及功能。
在此實例中,基本時間單位etu對應於一個位元時間間隔,因此對應於傳輸一資料單元所需之時間。在自發射器至接收器中之資料流動方向上,etu係定義為1etu=8/ft,其中一ft係藉由該發射器傳輸之經調變信號之一頻率。基本傳輸速度係106kbits/s。在來自發射器之信號之調變期間,若相位每1etu改變一次(約每9.3μs一次),因此相較於現有負載調變頻繁率小16倍,則此為足夠的。較小寬頻產生12dB
較少雜訊。經傳輸之資料係藉由發射器之頻率信號相位之一變化直接調變,其中φ=0°或φ=180°。此經調變信號亦可稱為發射器之載波信號,然而,因為發射器並不產生副載波頻率,因而此頻率僅稱為發射器之信號頻率。
發射器係精密地調諧至14.4075MHz之傳輸頻率,其具有FFT曲線之窄及高之路線。調諧發射器而無需針對副載波頻率847kHz之傳輸考量發射特性。假使此天線應甚至傳輸副載波頻率,則輻射特性將不足以用於一可靠傳輸。在根據本發明之解決方案中,具有經傳輸資料之信號輻射係恰在14.4075MHz頻率(此頻率係FFT曲線之峰值)上實現係重要的。
在此實例中,需要甚至確保自POS終端機讀取器至行動電話中之記憶體卡5中之反向資料流動方向。發射器包含解調變元件,該解調變元件較佳經由電感器連接至轉向感測器電阻器之天線電感。電感器之使用降低至解調變元件之入口上之電壓峰值。歸功於該轉向及該電感器,解調變元件可針對一較小電壓設定尺寸。在此資料流動方向上,etu係定義為1etu=128/fr,其中fr係接收器之載波頻率。
實例7
呈具有角截面之鐵氧體桿之一形式之鐵氧體核心1係藉由導電層予以塗佈,該導電層形成導線4。首先,於核心1上放置有一螺旋引導遮罩,該螺旋引導遮罩將使螺紋2分開。接著,該核心1係藉由其中歸因於一分離遮罩產生具有所要數目個螺紋2之線圈之一金屬層予以塗佈。藉由一遮罩產生之間隙表示螺紋間絕緣物。該核心1之側面上之一塗佈金屬層之端部形成連接墊7,接著該等連接墊7將整個發射器元件附接至基板。
在此實例中(但其亦可與其他實例相關),發射器係定位於行動電話PCB板10上。該電話具有一殼體(該殼體具有金屬零件),該殼體表
示屏蔽罩蓋3。歸功於使用根據本發明之發射器,基本上,該發射器可放置於PCB板10上之任何自由空間上且不存在關於一較差磁場穿透出行動電話之本體之問題。
實例8
如圖23中所展示之發射器係類似於實例1至實例7而製造。行動電話製造者以在設計PCB板10時並不受已知類型之NFC天線之要求限制之一方式設計新模型。不同類型及模型之行動電話係直接於PCB板10上裝備有發射器類型之一類型。
實例9
發射器係定位於SIM卡9中。在根據圖19至圖22之不同版本中不同地定向及定位該發射器之核心1。
實例10
如圖24中所展示之發射器係放置於行動電話電池11之本體中。基本上,行動電話電池11係一充電蓄電池11,然而,通常稱為一電池11。對於一小厚度之核心1,發射器係放置於一共同電池11之表面上在塑膠電池11殼體之最後一層下方。
實例11
如圖26中所展示之奈米SIM卡9插槽12具有經塑形金屬片之一固持件。該插槽12包含呈一鐵氧體箔形式之一放大元件13。奈米SIM卡9在該卡之卡本體之邊緣上具有發射器。
工業適用性
工業適用性係明顯的。根據本發明,可藉由工業重複地產生及使用具有一高發射率及小尺寸之直接放置於可移除式記憶體卡上之在一天線之容量中之非靜態磁場發射器。一新類型之發射器調變實質上降低雜訊且允許增加該發射器之核心中之磁場強度。
Claims (33)
- 一種非靜態磁場發射器,特定而言在行動通信裝置中之一小型天線替代物之容量中,一扁平載體上之主要天線替代物,其中該發射器具有一長方形核心(1),該長方形核心(1)具有高於1之磁導率,具有至少兩個螺紋(2)之導線(4)纏繞於該核心(1)上,且其中該發射器形成用於產生一非接觸式近場通信(NFC)或無線射頻識別(RFID)通信頻道之一元件,其中藉由一標準NFC或RFID接收構件接收自該發射器傳輸之該信號,其特徵在於該核心(1)係至少部分鐵氧體,螺紋(2)係以一層或最多以兩層放置於該核心(1)上,螺紋(2)係彼此緊鄰而放置於該核心(1)上以限制該核心(1)之端部外之自該核心(1)之磁場發射,一螺紋(2)之有效寬度w對應於在該核心(1)圓形截面處之核心(1)之半徑之0.25至1.75倍或對應於針對其他核心(1)形狀之等效半徑之0.25至1.75倍。
- 如請求項1之非靜態磁場發射器,其中:一螺紋(2)之該有效半徑w對應於在該核心(1)圓形截面處之該核心(1)之該半徑之0.85至1.15倍或對應於針對其他核心(1)形狀之該等效半徑之0.85至1.15倍。
- 如請求項1或2之非靜態磁場發射器,其中:該核心(1)截面之一參數係小於1mm,該核心(1)之長度係大於該核心(1)截面之該參數之7倍。
- 如請求項1或2之非靜態磁場發射器,其中:該核心(1)截面係圓形形狀或橢圓形,或至少部分矩形形狀,特定而言正方形或長方形形狀,較佳具有彎曲角,或具有藉由組合該等形狀而形成 之一截面。
- 如請求項1或2之非靜態磁場發射器,其中:該核心(1)具有一直桿形狀。
- 如請求項1或2之非靜態磁場發射器,其中:該核心(1)之高度高達1mm,較佳高達0.6mm,寬度高達5mm,較佳1mm且長度高達15mm,較佳11mm。
- 如請求項1或2之非靜態磁場發射器,其中:該核心導線(4)係扁平的,較佳具有超過截面中該導線(4)之高度之兩倍之寬度。
- 如請求項7之非靜態磁場發射器,其中:一扁平導線(4)沿著邊緣與相鄰螺紋導線(4)重疊,其中該重疊配備有絕緣物(8)。
- 如請求項1或2之非靜態磁場發射器,其中:該線圈包含形成一多級螺紋(2)之若干平行導線(41至4N),一螺紋(2)之此等導線(41至4N)係電互連,較佳連接於該核心(1)之側面上。
- 如請求項9之非靜態磁場發射器,其中:該等多級導線(41至4N)係在該線圈之端部處移動且附接至該等連接墊(7),其中該等導線(4)係彼此遠離。
- 如請求項9之非靜態磁場發射器,其中:在該等多級導線(41至4N)處,一螺紋(2)之至少四者中,僅一螺紋(2)之邊緣導線(41至4N)係在表面上電絕緣。
- 如請求項1或2之非靜態磁場發射器,其中:該導線(4)係藉由施覆一金屬塗層於該核心(1)上連同該等螺紋(2)之間之間隙所形成。
- 如請求項1或2之非靜態磁場發射器,其中:選取該核心(1)磁導率使得在給定導線(4)線圈處該發射器達到600nH至1200nH之電感,有利地接近於750nH。
- 如請求項1或2之非靜態磁場發射器,其中:該發射器經調諧至 傳輸頻率,使得放置該發射器在接近於磁場流障壁(3)(例如,屏蔽罩蓋)時該發射器之諧振頻率接近於該傳輸頻率,其中障壁(3)之該接近降低該發射器電感,且其中在消除該障壁(3)效應之後該發射器電感增加,內部電阻增加且該諧振頻率降低,且移動脫離該傳輸頻率。
- 如請求項14之非靜態磁場發射器,其放置於一特定環境中,其中:在最不利之屏蔽中,頻率及/或電感及/或內部電阻預設至最大傳輸功率,其中藉由事實上環境之屏蔽元件影響該發射器之該頻率及/或電感及/或內部電阻,該屏蔽程度藉由其與周遭之關係之減小而降低在相同輸入供能處之傳輸功率,而又在零屏蔽處,該發射器傳輸功率超過用於藉由標準NFC或RFID接收之最小功率。
- 如請求項1或2之非靜態磁場發射器,其中:該核心(1)係藉由放置於該非導電基板(6)上之一鐵氧體桿形成,該非導電基板(6)具有對應於該核心(1)之該寬度之一寬度,非導電基板(6)具有等於或超過該核心(1)之該長度之一長度,螺紋(2)之導線(4)係跨一鐵氧體桿且亦跨非導電基板(6)機械纏繞,藉此導線(4)之該線圈連接該核心(1)與該非導電基板(6),該非導電基板(6)已沿著該等核心(1)連接墊(7)之側面以為了連接該線圈之該等導線(4)及連接該發射器與主機裝置之本體。
- 如請求項16之非靜態磁場發射器,其中:該非導電基板(6)係由具有小於該核心(1)之該高度之八分之一之一厚度之一介電材料製成。
- 如請求項1或2之非靜態磁場發射器,其中:螺紋(2)之該線圈係由一導電屏蔽罩蓋覆蓋,該導電屏蔽罩蓋連接至接地。
- 如請求項1或2之非靜態磁場發射器,其中:該發射器放置於可 移除式記憶體卡(5)之基板上。
- 如請求項19之非靜態磁場發射器,其中:該發射器之該核心(1)之軸經定向成主要平行於該可移除式記憶體卡之本體(5)之表面,且該發射器放置於該可移除式記憶體卡(5)之邊緣處,在可移除式記憶體卡(5)之接觸介面之區域外。
- 如請求項1或2之非靜態磁場發射器,其中:該發射器放置於該主機裝置(特定而言行動通信裝置)之PCB板(10)上。
- 如請求項21之非靜態磁場發射器,其中:該核心(1)之該軸經定向成主要平行於行動通信裝置之本體之主要外表面。
- 如請求項1或2之非靜態磁場發射器,其中:該發射器放置於任何格式(用戶識別模組(SIM)、迷你SIM、微型SIM、奈米SIM)之SIM卡(9)上。
- 如請求項1或2之非靜態磁場發射器,其中:該發射器放置於行動電話之可移除式電池(11)之本體內。
- 如請求項1或2之非靜態磁場發射器,其定位於該主機裝置中之可移除式元件上,其中:在該發射器電磁場之範圍中,增加一放大元件(13),該放大元件(13)穩定地定位於該主機裝置中,較佳定位於對於一可移除式元件適當之插槽(12)或連接器中。
- 如請求項25之非靜態磁場發射器,其中:該放大元件(13)係一鐵氧體箔或一鐵氧體板或一諧振電路。
- 一種在藉由相互變換器連接將資料自發射器傳遞至接收器之系統中如請求項1至26中任一項之非靜態磁場發射器之連接,其中該接收器含有一產生器、一天線、解調變元件,該發射器與一調變元件、一電磁波產生器連接,且其中該接收器經調適以依一第一頻率傳輸一載波信號至該發射器,該接收器經調適以接收其之天線之輸出上之一信號,其中該信號以該第一頻率之一 載波頻率及一第二頻率之具有經傳輸之資料之一經調變副載波信號之形式出現,且該接收器經調適以使該載波信號與其之天線之該輸出上之該信號分離且解調變該經傳輸資料,其特徵在於:連接至該發射器之該電磁波產生器經調適以使用不同於該接收器之頻率之一頻率供能,該等頻率之間之差值對應於該副載波頻率,使得在該接收器側上接收及解調變之該信號係藉由組合藉由該接收器傳輸之該載波信號與藉由該發射器傳輸之該經調變資料而產生。
- 如請求項27之非靜態磁場發射器之連接,其中:該發射器係精密地調諧至傳輸頻率而無需針對藉由該接收器預期之該副載波頻率考量發射特性。
- 如請求項27之非靜態磁場發射器之連接,其中:該解調變元件較佳經由電感器連接至朝向感測器電阻器之該天線之電感之轉折。
- 一種自如請求項1至26中任一項之非靜態磁場發射器之傳輸中之資料調變方法,在自該發射器至接收器之資料傳遞處,係經由天線連接之變換器,該接收器傳輸一第一頻率之一載波信號,在該發射器側上係經調變及發送至一接收器之資料,該接收器接收天線之輸出上之信號,而該信號以一第一頻率之一載波信號及相對於該載波頻率之第二頻率之具有資料之經調變副載波頻率之形式出現,在該接收器中該載波信號係與天線之該輸出上之該信號分離,且在該接收器中解調變經傳輸之資料,其特徵在於:該接收器之頻率及發射器之頻率係不同的且頻率之差值對應於該副載波頻率,而在該接收器側上接收及調變之該信號係組合該經傳輸載波信號及藉由該發射器傳輸之經調變資料而形成。
- 如請求項30之自非靜態磁場發射器之傳輸中之資料調變方法,其中:該經傳輸資料係藉由較佳φ=0°或φ=180°之其等之接收器頻率信號相位之一變化予以調變。
- 如請求項31之自非靜態磁場發射器之傳輸中之資料調變方法,其中:傳輸頻率之相位係每etu(基本時間單位)(etu)改變一次,而etu對應於一個位元間隔。
- 如請求項30之自非靜態磁場發射器之傳輸中之資料調變方法,其中:該接收器之該載波信號具有13.56MHz±7kHz之一頻率,該接收器之信號載波頻率與傳輸器之頻率之間之差值係完全藉由該載波頻率、較佳藉由該載波頻率之1/16形成。
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