JP6286776B2 - 活性層の初期歪み状態を最終歪み状態へと修正するプロセス - Google Patents
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- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 66
- 230000008569 process Effects 0.000 title claims description 55
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 155
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 102
- 239000003351 stiffener Substances 0.000 claims description 18
- -1 polydimethylsiloxane Polymers 0.000 claims description 15
- 230000003014 reinforcing effect Effects 0.000 claims description 14
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 12
- 229920001971 elastomer Polymers 0.000 claims description 8
- 239000000806 elastomer Substances 0.000 claims description 8
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 239000004205 dimethyl polysiloxane Substances 0.000 claims description 7
- 229920000435 poly(dimethylsiloxane) Polymers 0.000 claims description 7
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 229910000530 Gallium indium arsenide Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 239000004952 Polyamide Substances 0.000 claims description 5
- 229910008310 Si—Ge Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 229920003229 poly(methyl methacrylate) Polymers 0.000 claims description 5
- 229920002647 polyamide Polymers 0.000 claims description 5
- 239000004926 polymethyl methacrylate Substances 0.000 claims description 5
- 229920001343 polytetrafluoroethylene Polymers 0.000 claims description 5
- 239000004810 polytetrafluoroethylene Substances 0.000 claims description 5
- GNFTZDOKVXKIBK-UHFFFAOYSA-N 3-(2-methoxyethoxy)benzohydrazide Chemical compound COCCOC1=CC=CC(C(=O)NN)=C1 GNFTZDOKVXKIBK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910017083 AlN Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910002601 GaN Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910013641 LiNbO 3 Inorganic materials 0.000 claims description 4
- HFGPZNIAWCZYJU-UHFFFAOYSA-N lead zirconate titanate Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Ti+4].[Zr+4].[Pb+2] HFGPZNIAWCZYJU-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910052451 lead zirconate titanate Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000010453 quartz Substances 0.000 claims description 4
- 230000000284 resting effect Effects 0.000 claims description 4
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 239000011032 tourmaline Substances 0.000 claims description 4
- 229940070527 tourmaline Drugs 0.000 claims description 4
- 229910052613 tourmaline Inorganic materials 0.000 claims description 4
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N zinc oxide Inorganic materials [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- FGUUSXIOTUKUDN-IBGZPJMESA-N C1(=CC=CC=C1)N1C2=C(NC([C@H](C1)NC=1OC(=NN=1)C1=CC=CC=C1)=O)C=CC=C2 Chemical compound C1(=CC=CC=C1)N1C2=C(NC([C@H](C1)NC=1OC(=NN=1)C1=CC=CC=C1)=O)C=CC=C2 FGUUSXIOTUKUDN-IBGZPJMESA-N 0.000 claims description 3
- 230000002787 reinforcement Effects 0.000 claims description 3
- 238000005452 bending Methods 0.000 claims description 2
- 230000001965 increasing effect Effects 0.000 description 8
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 7
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 4
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 3
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 2
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 2
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 239000003302 ferromagnetic material Substances 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 2
- 229920000620 organic polymer Polymers 0.000 description 2
- 230000009466 transformation Effects 0.000 description 2
- 238000003486 chemical etching Methods 0.000 description 1
- 239000012459 cleaning agent Substances 0.000 description 1
- 230000032798 delamination Effects 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 230000001939 inductive effect Effects 0.000 description 1
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 1
- 238000004377 microelectronic Methods 0.000 description 1
- 230000005693 optoelectronics Effects 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
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-
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
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- H01L21/71—Manufacture of specific parts of devices defined in group H01L21/70
- H01L21/76—Making of isolation regions between components
- H01L21/762—Dielectric regions, e.g. EPIC dielectric isolation, LOCOS; Trench refilling techniques, SOI technology, use of channel stoppers
- H01L21/7624—Dielectric regions, e.g. EPIC dielectric isolation, LOCOS; Trench refilling techniques, SOI technology, use of channel stoppers using semiconductor on insulator [SOI] technology
- H01L21/76251—Dielectric regions, e.g. EPIC dielectric isolation, LOCOS; Trench refilling techniques, SOI technology, use of channel stoppers using semiconductor on insulator [SOI] technology using bonding techniques
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- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
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- H01L23/52—Arrangements for conducting electric current within the device in operation from one component to another, i.e. interconnections, e.g. wires, lead frames
- H01L23/538—Arrangements for conducting electric current within the device in operation from one component to another, i.e. interconnections, e.g. wires, lead frames the interconnection structure between a plurality of semiconductor chips being formed on, or in, insulating substrates
- H01L23/5387—Flexible insulating substrates
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/02—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/06—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape; characterised by the shapes, relative sizes, or dispositions of the semiconductor regions ; characterised by the concentration or distribution of impurities within semiconductor regions
- H01L29/0657—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape; characterised by the shapes, relative sizes, or dispositions of the semiconductor regions ; characterised by the concentration or distribution of impurities within semiconductor regions characterised by the shape of the body
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- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/02—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/06—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape; characterised by the shapes, relative sizes, or dispositions of the semiconductor regions ; characterised by the concentration or distribution of impurities within semiconductor regions
- H01L29/0684—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape; characterised by the shapes, relative sizes, or dispositions of the semiconductor regions ; characterised by the concentration or distribution of impurities within semiconductor regions characterised by the shape, relative sizes or dispositions of the semiconductor regions or junctions between the regions
- H01L29/0692—Surface layout
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- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
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- H10N30/00—Piezoelectric or electrostrictive devices
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N30/00—Piezoelectric or electrostrictive devices
- H10N30/80—Constructional details
- H10N30/85—Piezoelectric or electrostrictive active materials
- H10N30/853—Ceramic compositions
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N30/00—Piezoelectric or electrostrictive devices
- H10N30/80—Constructional details
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- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
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- H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
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- H10N30/2047—Membrane type
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Description
基板と、
基板の上にある活性層とを備え、
活性層はE1で示されるヤング率を有する第1の材料で作られ、活性層はh1で示される厚さを有し、基板はE2で示されるヤング率を有する第2の材料で作られ、基板はh2で示される厚さを有し、基板及び活性層はRで示される曲率半径の湾曲形状を有し、構造は、基板の第2の材料がE2/E1≦10−2の関係を守る可撓性材料である点、及び基板の厚さがh2/h1≧104の関係を守るという点、並びに曲率半径が、R=h2/2εの関係を守るという点で注目すべきである。
第2の基板2と、
第2の基板2の上にある活性層10とを備える。
2つの側端部分20を備える第2の基板2と、
第2の基板2の上にある活性層10と、
基板2に接合された補剛材4を形成する層と、
補剛材4を形成する層からそれぞれ延在する、各側端部分20に配置された針形状の補強部材5とを備える。
である。したがって、F=0.99に対応する直線D3の下に限定される部分は、プロセスの動作範囲を定義する。
Claims (21)
- a)E1で示されるヤング率を有する第1の材料で作られ、且つh1で示される厚さを有する初期歪み状態の活性層(10)を備える第1の基板(1)を準備するステップと、b)E2で示されるヤング率を有する第2の材料で作られ、h2で示される厚さを有し、且つ静止時の初期形状を有する第2の基板(2)を準備するステップと、c)Rで示される同一の曲率半径の湾曲形状をそれぞれ有するように、前記第1の基板(1)及び前記第2の基板(2)を曲げるステップと、d)前記第2の基板(2)が前記第1の基板の形状に緊密に従うように、前記第2の基板(2)を前記活性層(10)に接合するステップと、e)前記活性層(10)が最終歪み状態を有するように、前記第2の基板(2)の初期静止時形状を再確立するステップとを含む、活性層(10)と呼ばれるものの前記初期歪み状態をεで示される前記最終歪み状態へと修正するプロセスにおいて、前記第2の基板(2)の前記第2の材料がE2/E1 ≦10 −3 の関係を守る可撓性材料であり、前記第2の基板(2)の厚さがh2/h1≧10 5 の関係を守り、前記曲率半径が、R=h2/2εの関係を守ることを特徴とする、プロセス。
- 前記第1の基板(1)が、前記活性層(10)を形成する第1の部分と第2の部分(11)とを備え、前記プロセスが、前記第1の基板(1)の前記第2の部分(11)の厚さを減少させることを含むステップd1)を含むことを特徴とする、請求項1に記載のプロセス。
- 前記第1の基板(1)が自己支持性のままであるように、ステップc)の前にステップd1)が実施されることを特徴とする、請求項2に記載のプロセス。
- ステップd1)が、前記第1の基板(1)の前記第2の部分(11)の全体を除去するように実施され、ステップd)の後であってステップe)の前に実施されることを特徴とする、請求項2に記載のプロセス。
- 前記第2の基板(2)が2つの側端部分(20)を備え、前記プロセスが、それぞれ針形状である少なくとも1つの補強部材(5)を、各側端部分(20)に配置することを含むステップc1)を含むことを特徴とする、請求項1〜4のいずれか一項に記載のプロセス。
- 補剛材(4)を形成する層を前記第2の基板(2)に接合することを含むステップc2)であって、ステップc)の前に実施されるステップc2)を含むことを特徴とする、請求項1〜5のいずれか一項に記載のプロセス。
- 各補強部材(5)が補剛材(4)を形成する前記層から延在することを特徴とする、請求項5と組み合わせた請求項6に記載のプロセス。
- 前記第2の基板(2)の前記第2の材料がE2/E1≦10−4の関係を守り、前記第2の基板(2)の厚さがh2/h1≧106の関係を守ることを特徴とする、請求項1〜7のいずれか一項に記載のプロセス。
- 前記活性層(10)の厚さが、5nm〜50nmの間に含まれ、前記第2の基板(2)の厚さが、1cm〜10cmの間に含まれることを特徴とする、請求項1〜8のいずれか一項に記載のプロセス。
- 前記曲率半径が絶対値で0.5m〜2mの間に含まれることを特徴とする、請求項1〜9のいずれか一項に記載のプロセス。
- 前記第2の基板(2)の前記第2の材料がエラストマーであり、ポリジメチルシロキサン、ポリメチルメタクリレート、PA 6−3−Tなどのポリアミド、及びポリテトラフルオロエチレンを含む群から選択されることを特徴とする、請求項1〜10のいずれか一項に記載のプロセス。
- 前記活性層(10)の前記第1の材料が半導体であり、Si、Ge、Si−GeなどのIV−IV材料、GaN、GaAs、InP、InGaAsなどのIII−V材料、及びII−VI材料を含む群から選択されることを特徴とする、請求項1〜11のいずれか一項に記載のプロセス。
- 前記活性層(10)の前記第1の材料が圧電材料であり、ジルコン酸チタン酸鉛、ZnO、GaN、AlN、石英、LiNbO3、LiTaO3、BaTiO3、及びトルマリンを含む群から選択されることを特徴とする、請求項1〜11のいずれか一項に記載のプロセス。
- 前記活性層(10)を最終基板へと移転させることを含むステップf)を含み、次に、前記第2の基板(2)を除去することを含むステップg)を含むことを特徴とする、請求項1〜13のいずれか一項に記載のプロセス。
- 基板(2)と、
前記基板(2)の上にある活性層(10)とを備え、
前記活性層(10)がE1で示されるヤング率を有する第1の材料で作られ、前記活性層(10)がh1で示される厚さを有し、前記基板(2)がE2で示されるヤング率を有する第2の材料で作られ、前記基板(2)がh2で示される厚さを有し、前記基板(2)及び前記活性層(10)がRで示される曲率半径の湾曲形状を有する、活性層(10)と呼ばれるものの初期歪み状態をεで示される最終歪み状態へと修正するための構造において、前記基板(2)の前記第2の材料がE2/E1≦10 −3 の関係を守る可撓性材料であり、前記基板(2)の厚さがh2/h1≧10 5 の関係を守り、曲率半径が、R=h2/2εの関係を守ることを特徴とする、構造。 - 前記基板(2)が2つの側端部分(20)を備え、前記構造が、各側端部分(20)に配置された、それぞれ針形状である少なくとも1つの補強部材(5)を備えることを特徴とする、請求項15に記載の構造。
- 前記基板(2)に接合される補剛材(4)を形成する層を備えることを特徴とする、請求項15又は16に記載の構造。
- 各補強部材(5)が補剛材(4)を形成する前記層から延在することを特徴とする、請求項16と組み合わせた請求項17に記載の構造。
- 前記基板(2)の前記第2の材料がエラストマーであり、ポリジメチルシロキサン、ポリメチルメタクリレート、PA 6−3−Tなどのポリアミド、及びポリテトラフルオロエチレンを含む群から選択されることを特徴とする、請求項15〜18のいずれか一項に記載の構造。
- 前記活性層(10)の前記第1の材料が半導体であり、Si、Ge、Si−GeなどのIV−IV材料、GaN、GaAs、InP、InGaAsなどのIII−V材料、及びII−VI材料を含む群から選択されることを特徴とする、請求項15〜19のいずれか一項に記載の構造。
- 前記活性層(10)の前記第1の材料が圧電材料であり、ジルコン酸チタン酸鉛、ZnO、GaN、AlN、石英、LiNbO3、LiTaO3、BaTiO3、及びトルマリンを含む群から選択されることを特徴とする、請求項15〜19のいずれか一項に記載の構造。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
FR1202939A FR2997554B1 (fr) | 2012-10-31 | 2012-10-31 | Procede de modification d'un etat de contrainte initial d'une couche active vers un etat de contrainte final |
FR1202939 | 2012-10-31 | ||
PCT/IB2013/002292 WO2014068377A1 (fr) | 2012-10-31 | 2013-10-11 | Procede de modification d'un etat de contrainte initial d'une couche active vers un etat de contrainte final |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2016500922A JP2016500922A (ja) | 2016-01-14 |
JP6286776B2 true JP6286776B2 (ja) | 2018-03-07 |
Family
ID=48128345
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2015538581A Active JP6286776B2 (ja) | 2012-10-31 | 2013-10-11 | 活性層の初期歪み状態を最終歪み状態へと修正するプロセス |
Country Status (8)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US9240343B2 (ja) |
EP (1) | EP2915184B1 (ja) |
JP (1) | JP6286776B2 (ja) |
KR (1) | KR102078697B1 (ja) |
CN (1) | CN104781911B (ja) |
CA (1) | CA2889160C (ja) |
FR (1) | FR2997554B1 (ja) |
WO (1) | WO2014068377A1 (ja) |
Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE102015210384A1 (de) * | 2015-06-05 | 2016-12-08 | Soitec | Verfahren zur mechanischen Trennung für eine Doppelschichtübertragung |
FR3064820B1 (fr) | 2017-03-31 | 2019-11-29 | Soitec | Procede d'ajustement de l'etat de contrainte d'un film piezoelectrique |
US10580893B2 (en) * | 2018-04-06 | 2020-03-03 | Globalfoundries Inc. | Sealed cavity structures with non-planar surface features to induce stress |
Family Cites Families (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
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-
2012
- 2012-10-31 FR FR1202939A patent/FR2997554B1/fr active Active
-
2013
- 2013-10-11 CN CN201380057203.8A patent/CN104781911B/zh active Active
- 2013-10-11 WO PCT/IB2013/002292 patent/WO2014068377A1/fr active Application Filing
- 2013-10-11 EP EP13812060.5A patent/EP2915184B1/fr active Active
- 2013-10-11 CA CA2889160A patent/CA2889160C/en active Active
- 2013-10-11 KR KR1020157013556A patent/KR102078697B1/ko active IP Right Grant
- 2013-10-11 US US14/438,175 patent/US9240343B2/en active Active
- 2013-10-11 JP JP2015538581A patent/JP6286776B2/ja active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20150249033A1 (en) | 2015-09-03 |
US9240343B2 (en) | 2016-01-19 |
EP2915184B1 (fr) | 2016-09-14 |
WO2014068377A1 (fr) | 2014-05-08 |
FR2997554A1 (fr) | 2014-05-02 |
CN104781911B (zh) | 2017-06-09 |
CA2889160A1 (en) | 2014-05-08 |
CA2889160C (en) | 2018-01-02 |
FR2997554B1 (fr) | 2016-04-08 |
EP2915184A1 (fr) | 2015-09-09 |
KR20150080544A (ko) | 2015-07-09 |
CN104781911A (zh) | 2015-07-15 |
KR102078697B1 (ko) | 2020-02-19 |
JP2016500922A (ja) | 2016-01-14 |
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