JP6258162B2 - 磁気共鳴装置 - Google Patents

Description

本発明は、被検体の撮影部位からＭＲ信号を収集するためのシーケンスを実行するスキャン手段を有する磁気共鳴装置に関する。

血液の信号を低減する方法として、ＭＳＤＥ（Motion-Sensitized Driven-Equilibrium）法が知られている（非特許文献１）。

Wang,et al.,"Improved Suppression of Plaque-Mimicking Artifacts in Black-Blood Carotid Atherosclerosis imaging Using a Multislice Motion-Sensitized Driven-Equilibrium（MSDE）Turbo Spin-Echo (TSE) Sequence," Magnetic Resonance in Medicine, Vol.58, pages973-981(2007)

ＭＳＤＥ法は、リフォーカスパルスを用いて、動きのある物質の縦磁化を、静止組織の縦磁化Ｍｚよりも小さくする手法であり、血液などの動く物質の信号の抑制に優れた方法である。したがって、ＭＳＤＥ法は、血液の信号を抑制させて血管壁を描出するブラックブラッドイメージング（Black Blood Imaging）に適用されている。また、ＭＳＤＥ法は、動きのある物質（例えば、血液）の信号が原因で生じるアーチファクトを低減するためにも使用されている。

しかし、ＭＳＤＥ法は、静磁場（Ｂ０）不均一や送信磁場（Ｂ１）不均一の影響を受けやすく、撮影部位内でＢ０値やＢ１値のばらつきが大きいと、撮影部位内に、静止組織の縦磁化Ｍｚが１（又は１に近い値）にならない領域が現れる。したがって、静止組織の縦磁化と、動きのある組織の縦磁化との差をつけることができず、画質が劣化するという問題がある。

そこで、Ｂ０不均一やＢ１不均一の影響を受けにくく、高品質な画像を取得することができるイメージング法が望まれている。

本発明の一観点は、被検体の撮影部位からＭＲ信号を収集するためのシーケンスを実行するスキャン手段を有する磁気共鳴装置であって、
前記スキャン手段は、
前記撮影部位を励起するために印加される第１のコンポジットパルスであって、フリップ角がαに設定され位相がφ_０に設定されたα_φ０パルスと、前記α_φ０パルスの後に印加され、フリップ角がβに設定され位相がθ_０に設定されたβ_θ０パルスとを有する第１のコンポジットパルスと、
前記第１のコンポジットパルスの後に印加され、前記撮影部位内で分散した磁化ベクトルを再収束するためのｎ（≧１）個の第２のコンポジットパルスであって、ｎ個の第２のコンポジットパルスのうちのｋ（１≦ｋ≦ｎ）番目の第２のコンポジットパルスが、フリップ角がβに設定され位相がθ_ｋに設定されたβ_θｋパルスと、前記β_θｋパルスの後に印加され、フリップ角が２αに設定され位相がφ_ｋに設定された２α_φｋパルスと、前記２α_φ１パルスの後に印加され、フリップ角がβに設定され位相がθ_ｋに設定されたβ_θｋパルスとを有するように構成されたｎ個の第２のコンポジットパルスと、
前記ｎ個のコンポジットパルスの後に印加され、前記撮影部位の磁化ベクトルの横磁化を縦磁化に戻すための第３のコンポジットパルスであって、フリップ角がβに設定され位相がθ_ｎ＋１に設定されたβ_θｎ＋１パルスと、前記β_θｎ＋１パルスの後に印加され、フリップ角がαに設定され位相がφ_ｎ＋１に設定されたα_φｎ＋１パルスとを有する第３のコンポジットパルスと、
を含むシーケンスを実行し、
θ_ｋ、φ_ｋ、θ_ｎ＋１、およびφ_ｎ＋１は、以下の式で表される磁気共鳴装置である。

θ_ｋ＝θ_０＋λ_ｋ
φ_ｋ＝φ_０＋λ_ｋ
θ_ｎ＋１＝θ_０＋λ_ｎ＋１
φ_ｎ＋１＝φ_０＋λ_ｎ＋１

ただし、λ_ｋ＝ｋλ＋δ_ｋ×ｍ_ｋ
λ_ｎ＋１＝（ｎ＋１）λ＋δ_ｎ＋１×ｍ_ｎ＋１
ここで、λ：角度
δ_ｋ：ｋの値に応じて定まる角度であって、８０°≦δ_ｋ≦１００°の角度
ｍ_ｋ：ｋの値に応じて定まる整数
δ_ｎ＋１：ｎ＋１の値に応じて定まる角度であって、８０°≦δ_ｎ＋１≦１００°の角度
ｍ_ｎ＋１：ｎ＋１の値に応じて定まる整数

コンポジットパルスを用いることにより、Ｂ０不均一やＢ１不均一の影響を受けにくくすることができる。したがって、高品質な画像を取得することができる。

本発明の一形態の磁気共鳴装置の概略図である。 プロセッサ９が実行する処理を示す図である。 本形態における撮影部位を概略的に示す図である。 通常のスキャンの一例を示す図である。 プリパレーションシーケンスＤＰが実行されている間の静止組織の磁化ベクトルの挙動のシミュレーション結果の説明図である。 送信磁場強度が理想値よりも小さい場合の磁化ベクトル挙動のシミュレーション結果の説明図である。 送信磁場強度が理想値よりも大きい場合の磁化ベクトルの挙動のシミュレーション結果の説明図である。 本形態で使用されるプリパレーションシーケンスＤＰ_０を示す図である。 コンポジットパルスＡ、Ｂ、およびＣの説明図である。 （α，β，φ_０，θ_０，λ，ｍ_１，ｍ_２）が表１に示す値に設定されているプリパレーションシーケンスＤＰ_１を示す図である。 ΔＢ１＝０％およびΔＢ０＝０Ｈｚにおける磁化ベクトルの挙動を表すシミュレーション結果の説明図である。 ΔＢ１＝−２０％およびΔＢ０＝０Ｈｚにおける磁化ベクトルの挙動を表すシミュレーション結果の説明図である。 面Ｓ１と面Ｓ４と違いの説明図である。 ΔＢ１＝２０％およびΔＢ０＝０Ｈｚにおける磁化ベクトルの挙動を表すシミュレーション結果の説明図である。 面Ｓ２と面Ｓ５と違いの説明図である。 シミュレーション結果を示す図である。 （α，β，φ_０，θ_０，λ，ｍ_１，ｍ_２）が表２の値に設定された場合のプリパレーションシーケンスＤＰ_２を示す図である。 （α，β，φ_０，θ_０，λ，ｍ_１，ｍ_２）が表３の値に設定された場合のプリパレーションシーケンスＤＰ_３を示す図である。 プリパレーションシーケンスＤＰ_２のシミュレーション結果を示す図である。 プリパレーションシーケンスＤＰ_３のシミュレーション結果を示す図である。 （α，β，φ_０，θ_０，λ，ｍ_１，ｍ_２）を表４の値に設定したプリパレーションシーケンスＤＰ_４を示す図である。 （α，β，φ_０，θ_０，λ，ｍ_１，ｍ_２）が表５の値に設定された場合のプリパレーションシーケンスＤＰ_５を示す図である。 シミュレーション結果を示す図である。 コンポジットパルスＢを複数回印加するときのプリパレーションシーケンスＤＰ_６を示す図である。 ｎ＝３の例を示す図である。 （α，β，φ_０，θ_０，λ）が表６に示す値に設定されたプリパレーションシーケンスＤＰ_７を示す図である。 位相が式（３０）〜式（３３）の値に設定されたときのプリパレーションシーケンスＤＰ_８を示す図である。 シミュレーション結果を示す図である。 （ｍ_１，ｍ_２，ｍ_３，ｍ_４，ｍ_５，ｍ_６，ｍ_７，ｍ_８）＝（１，０，１，１，０，１，０，０）に設定したときのＭｚマップＨ６を示す図である。

以下、発明を実施するための形態について説明するが、本発明は、以下の形態に限定されることはない。

図１は、本発明の一形態の磁気共鳴装置の概略図である。
磁気共鳴装置（以下、「ＭＲ装置」と呼ぶ）１００は、マグネット２、テーブル３、受信ＲＦコイル（以下、「受信コイル」と呼ぶ）４などを有している。

マグネット２は、被検体１３が収容されるボア２１を有している。また、マグネット２には、静磁場を発生させるための超伝導コイル、勾配パルスを印加するための勾配コイル、およびＲＦパルスを印加するためのＲＦコイルなどを有している。

テーブル３は、被検体１３を支持するクレードル３ａを有している。クレードル３ａは、ボア２１内に移動できるように構成されている。クレードル３ａによって、被検体１３はボア２１に搬送される。
受信コイル４は、被検体１３からの磁気共鳴信号を受信する。

ＭＲ装置１００は、更に、送信器５、勾配磁場電源６、受信器７、コンピュータ８、操作部１１、および表示部１２などを有している。

送信器５は、ＲＦコイルに電流を供給する。勾配磁場電源６は勾配コイルに電流を供給する。受信器７は、受信コイル４が受信した信号に対して、検波などの信号処理を行う。尚、マグネット２、受信コイル４、送信器５、勾配磁場電源６、受信器７を合わせたものがスキャン手段に相当する。

コンピュータ８は、表示部１２に必要な情報を伝送したり、画像を再構成するなど、ＭＲ装置１００の各種の動作を実現するように、ＭＲ装置１００の各部の動作を制御する。コンピュータ８は、プロセッサ９およびメモリ１０などを有している。

メモリ１０には、プロセッサ９により実行されるプログラムなどが記憶されている。プロセッサ９は、メモリ１０に記憶されているプログラムを読み出し、プログラムに記述されている処理を実行する。図２に、プロセッサ９が実行する処理を示す。プロセッサ９は、メモリ１０に記憶されているプログラムを読み出すことにより、画像作成手段９１などを構成する。

画像作成手段９１は、受信器７から受け取ったデータに基づいて、撮影部位の画像を作成する。
プロセッサ９は、画像作成手段９１を構成する一例であり、メモリ１０に記憶されたプログラムを実行することによりこの手段として機能する。

図１に戻って説明を続ける。
操作部１１は、オペレータにより操作され、種々の情報をコンピュータ８に入力する。表示部１２は種々の情報を表示する。
ＭＲ装置１００は、上記のように構成されている。

図３は、本形態における撮影部位を概略的に示す図である。
図３において、ＳＩ方向は被検体の頭尾方向を表しており、ＲＬ方向は被検体の左右方向を表しており、ＡＰ方向は被検体の前後方向を表している。

本形態では、血液ａの信号を低下させて血管Ａの血管壁を撮影するためのスキャンを実行する例について説明する。尚、以下の説明では、本形態におけるスキャンの効果を明確にするために、本形態におけるスキャンを説明する前に、血管壁を撮影するために使用されている通常のスキャンについて説明する。

図４は、通常のスキャンの一例を示す図である。
図４では、スキャンＳＣを、複数の期間Ｗ１〜Ｗｚに分けて示してある。
期間Ｗ１では、プリパレーションシーケンスＤＰおよびデータ収集シーケンスＤＡＱが実行される。

プリパレーションシーケンスＤＰは、３つのＲＦパルス（９０_ｘパルスＰ_０、１８０_−ｘパルスＰ_１、９０_ｘパルスＰ_２）を有している。

９０_ｘパルスＰ_０は、撮影部位を励起するための励起パルスである。１８０_−ｘパルスＰ_１は、分散した磁化ベクトルを再収束させるためのリフォーカスパルスである。９０_ｘパルスＰ_２は、磁化ベクトルの横磁化を縦磁化に戻すためのフリップバックパルスである。

また、プリパレーションシーケンスＤＰは、位相を分散させるためのＭＰＧ（motion probing gradient）を有している。尚、本形態では、ＭＰＧは１軸にのみ印加されているが、ＭＰＧを複数の軸に印加してもよい。

次に、３つのＲＦパルス（９０_ｘパルスＰ_０、１８０_−ｘパルスＰ_１、９０_ｘパルスＰ_２）のフリップ角および位相について説明する。

図４の下側には、ＲＦパルスの位相を表すための座標軸が示されている。ｚ軸は静磁場方向を表している。

９０_ｘパルスＰ_０およびＰ_２の「９０_ｘ」は、ＲＦパルスのフリップ角が９０°であり、ＲＦパルスの位相がｘ軸に設定されていることを表している。したがって、９０_ｘパルスＰ_０およびＰ_２は、ｘ軸を中心にして磁化を９０°回転させるＲＦパルスである。

１８０_−ｘパルスＰ_１の「１８０_−ｘ」は、ＲＦパルスのフリップ角が１８０°であり、ＲＦパルスの位相が−ｘ軸（ｘｙ面内において、ｘ軸から１８０°ずれた軸）に設定されていることを表している。したがって、１８０_ｘパルスＰ_１は、−ｘ軸を中心にして磁化を１８０°回転させるＲＦパルスである。

プリパレーションシーケンスを実行することにより、動きのある組織（例えば、血液）の縦磁化を、静止組織（例えば、血管壁）の縦磁化よりも十分に小さくすることができる。

プリパレーションシーケンスＤＰを実行した後、撮影部位からイメージングデータを収集するためのデータ収集シーケンスＤＡＱが実行される。データ収集シーケンスＤＡＱで使用されるＲＦパルスや勾配磁場は図示省略されている。プリパレーションシーケンスＤＰにより、動きのある組織の縦磁化は小さくなっているので、データ収集シーケンスＤＡＱを実行することにより、動きのある組織の信号が静止組織の信号よりも十分に低減されたＭＲ信号を収集することができる。

図４では、期間Ｗ１で実行されるシーケンスについて説明されているが、他の期間Ｗ２〜Ｗｚでも、期間Ｗ１と同様に、プリパレーションシーケンスＤＰおよびデータ収集シーケンスＤＡＱが実行される。期間Ｗ１〜Ｗｚでデータ収集を行うことにより、画像再構成に必要なｋ空間のデータを収集することができる。

次に、プリパレーションシーケンスＤＰが実行されている間の静止組織の磁化ベクトルの挙動について説明する。本形態では、プリパレーションシーケンスＤＰが実行されている間の静止組織の磁化ベクトルの挙動を調べるため、図４に示すプリパレーションシーケンスＤＰを実行したときの磁化ベクトルの挙動をシミュレーションした。以下に、そのシミュレーション結果について説明する。

図５はプリパレーションシーケンスＤＰが実行されている間の静止組織の磁化ベクトルの挙動のシミュレーション結果の説明図である。
尚、図５におけるシミュレーション条件は、以下の通りである。
（１）Ｂ０不均一およびＢ１不均一は発生していない。
（２）プリパレーションシーケンスＤＰの９０_ｘパルスＰ_０が印加される直前の時点ｔ０では、静止組織の磁化ベクトルＶの縦磁化ＭｚはＭｚ＝１である（図５（ａ）参照）。
（３）Ｔ２減衰、Ｔ１回復は無視する。

以下、図５について説明する。
プリパレーションシーケンスＤＰでは、先ず、９０_ｘパルスＰ_０が印加される。図５（ａ）に、９０_ｘパルスＰ_０が印加される直前の時点ｔ０における磁化ベクトルＶを示し、図５（ｂ）に、９０_ｘパルスＰ_０が印加された直後の時点ｔ１における磁化ベクトルＶを示す。磁化ベクトルＶは、９０_ｘパルスＰ_０により、ｘ軸を中心にして９０°回転する。９０_ｘパルスＰ_０が印加された後、ＭＰＧが印加される。

また、時点ｔ１〜ｔ２の間に、磁化ベクトルの位相が分散する。図５（ｃ）に、時点ｔ１〜時点ｔ２までの間に生じた位相分散を示す。位相分散により、０°〜３６０°の間の任意の位相を持つベクトルが現れるが、図５（ｃ）では、説明の便宜上、分散した磁化ベクトルを、２本の磁化ベクトルＶ１およびＶ２で示してある。磁化ベクトルＶ１は位相が０°であり、一方、磁化ベクトルＶ２は位相が１８０°である。また、図５（ｃ）には、位相分散により発生した磁化ベクトルの頂点で囲まれる面Ｓを示してある。時点ｔ２の直後に、１８０_−ｘパルスＰ_１が印加される。

図５（ｄ）に、１８０_−ｘパルスＰ_１が印加された直後の時点ｔ３における磁化ベクトルを示す。磁化ベクトルは、１８０_−ｘパルスＰ_１により、−ｘ軸を中心にして１８０°回転する。したがって、磁化ベクトルＶ１と磁化ベクトルＶ２の位置が入れ替わる。１８０_−ｘパルスＰ_１が印加された後、ＭＰＧが印加される。

また、時点ｔ３〜ｔ４の間に、分散していた磁化ベクトルが収束する。図５（ｅ）に、時点ｔ３〜時点ｔ４の間に収束した磁化ベクトルＶを示す。磁化ベクトルＶはｙ軸上に収束する。時点ｔ３〜時点ｔ４の時間は、時点ｔ１〜時点ｔ２の時間と同じである。時点ｔ４の直後に、９０_ｘパルスＰ_２が印加される。

図５（ｆ）に、９０_ｘパルスＰ_２が印加された直後の時点ｔ５における磁化ベクトルＶを示す。磁化ベクトルＶは、９０_ｘパルスＰ_２により、ｘ軸を中心にして９０°回転する。９０_ｘパルスＰ_２によって、磁化ベクトルＶの縦磁化ＭｚをＭｚ＝１に戻すことができる。

したがって、プリパレーションシーケンスＤＰを実行することによって、静止組織の磁化ベクトルの縦磁化ＭｚをＭｚ＝１に戻すことができる。一方、動きのある組織は、ＭＰＧの影響を受けるので、縦磁化が１よりも小さくなる。したがって、各組織の移動速度に応じて縦磁化の値を調整することができる。

しかし、実際には、送信磁場不均一（Ｂ１不均一）が原因で、撮影部位内に、送信磁場強度が理想値よりも小さくなる領域や、逆に、送信磁場強度が理想値よりも大きくなる領域が現れる。このような領域が現れると、磁化ベクトルは、ＲＦパルスのフリップ角よりも小さい角度しかフリップしなかったり、逆に、ＲＦパルスのフリップ角よりも大きくフリップしてしまう。そこで、送信磁場強度が理想値よりも小さい場合の磁化ベクトルの挙動と、送信磁場強度が理想値よりも大きい場合の磁化ベクトルの挙動についてもシミュレーションした。以下に、そのシミュレーション結果について説明する。

図６は、送信磁場強度が理想値よりも小さい場合の磁化ベクトル挙動のシミュレーション結果の説明図である。
尚、図６におけるシミュレーション条件は、以下の通りである。
（１）Ｂ１不均一により、送信磁場強度が理想値からΔＢ１＝−２０％だけずれている。つまり、送信磁場強度は、理想値よりも２０％小さい値である。
（２）撮影部位内では静磁場不均一は発生していない。つまり、静磁場不均一による周波数のずれ量ΔＢ０（Ｈｚ）はΔＢ０＝０Ｈｚである。
（３）９０_ｘパルスＰ_０が印加される直前の時点ｔ０では、静止組織の磁化ベクトルＶの縦磁化ＭｚはＭｚ＝１である（図６（ａ）参照）。
（４）Ｔ２減衰、Ｔ１回復は無視する。

以下、図６について説明する。
プリパレーションシーケンスＤＰでは、先ず、９０_ｘパルスＰ_０が印加される。図６（ａ）に、９０_ｘパルスＰ_０が印加される直前の時点ｔ０における磁化ベクトルＶを示し、図６（ｂ）に、９０_ｘパルスＰ_０が印加された直後の時点ｔ１における磁化ベクトルＶを示す。ΔＢ１＝−２０％であるので、９０_ｘパルスＰ_０のフリップ角は、９０°よりも２０％小さい角度、つまり、７２°になる。したがって、磁化ベクトルＶはｘ軸を中心として７２°しか回転しないので、磁化ベクトルＶにはＭｚ成分が残る。９０_ｘパルスＰ_０が印加された後、ＭＰＧが印加される。

また、時点ｔ１〜ｔ２の間に、磁化ベクトルの位相が分散する。図６（ｃ）に、時点ｔ１〜時点ｔ２までの間に生じた位相分散を示す。位相分散により、０°〜３６０°の間の任意の位相を持つベクトルが現れるが、図６（ｃ）では、説明の便宜上、分散した磁化ベクトルを、２本の磁化ベクトルＶ１およびＶ２で示してある。磁化ベクトルＶ１は位相が０°であり、一方、磁化ベクトルＶ２は位相が１８０°である。また、図６（ｃ）には、位相分散により発生した磁化ベクトルの頂点で囲まれる面Ｓを示してある。時点ｔ２の直後に、１８０_−ｘパルスＰ_１が印加される。

図６（ｄ）に、１８０_−ｘパルスＰ_１が印加された直後の時点ｔ３における磁化ベクトルを示す。ΔＢ１＝−２０％であるので、１８０_−ｘパルスＰ_２のフリップ角は、１８０°よりも２０％小さい角度、つまり、１４４°になる。したがって、分散した磁化ベクトルＶ１およびＶ２は、−ｘ軸を中心として１４４°しか回転しない。１８０_−ｘパルスＰ_１が印加された後、ＭＰＧが印加される。

また、時点ｔ３〜ｔ４の間に、分散していた磁化ベクトルが収束する。ただし、図６（ｄ）に示すように、磁化ベクトルは１４４°しか回転していないので、分散した磁化ベクトルを完全に収束させることはできない。図６（ｅ）に、時点ｔ３〜時点ｔ４の間に収束した磁化ベクトルを示す。図６（ｅ）において、磁化ベクトルＶ１と磁化ベクトルＶ２とを比較すると、磁化ベクトルＶ１と磁化ベクトルＶ２の位相がずれている。したがって、磁化ベクトルの頂点を結ぶと、一定の広がりを持つ面Ｓ１が現れ、磁化ベクトルが完全には収束していないことがわかる。時点ｔ４の直後に、９０_ｘパルスＰ_２が印加される。

図６（ｆ）に、９０_ｘパルスＰ_２が印加された直後の時点ｔ５における磁化ベクトルを示す。ΔＢ１＝−２０％であるので、９０_ｘパルスＰ_２のフリップ角は、９０°よりも２０％小さい角度、つまり、７２°になる。したがって、磁化ベクトルは、ｘ軸を中心として７２°しか回転しない。図６（ｆ）を参照すると、面Ｓ１は、ｚ軸からｙ軸の近くにまで広がっており、縦磁化が完全には１に戻らないことがわかる。

図６では、送信磁場強度が理想値よりも小さい場合の磁化ベクトルの挙動を説明したが、送信磁場強度が理想値より大きくなることもある。次に、送信磁場強度が理想値よりも大きい場合の磁化ベクトルの挙動について説明する（図７参照）。

図７は、送信磁場強度が理想値よりも大きい場合の磁化ベクトルの挙動のシミュレーション結果の説明図である。
尚、図７におけるシミュレーション条件は、以下の通りである。
（１）Ｂ１不均一により、送信磁場強度が理想値からΔＢ１＝２０％だけずれている。つまり、送信磁場強度は、理想値よりも２０％大きい値である。
（２）撮影部位内では静磁場不均一は発生していない。つまり、静磁場不均一による周波数のずれ量ΔＢ０（Ｈｚ）はΔＢ０＝０Ｈｚである。
（３）９０_ｘパルスＰ_０が印加される直前の時点ｔ０では、静止組織の磁化ベクトルＶの縦磁化ＭｚはＭｚ＝１である（図７（ａ）参照）。
（４）Ｔ２減衰、Ｔ１回復は無視する。

以下、図７について説明する。
プリパレーションシーケンスＤＰでは、先ず、９０_ｘパルスＰ_０が印加される。図７（ａ）に、９０_ｘパルスＰ_０が印加される直前の時点ｔ０における磁化ベクトルＶを示し、図７（ｂ）に、９０_ｘパルスＰ_０が印加された直後の時点ｔ１における磁化ベクトルＶを示す。ΔＢ１＝２０％であるので、９０_ｘパルスＰ_０のフリップ角は、９０°よりも２０％大きい角度、つまり、１０８°になる。したがって、磁化ベクトルＶはｘ軸を中心として１０８°回転するので、磁化ベクトルＶにはＭｚ成分が残る。９０_ｘパルスが印加された後、ＭＰＧが印加される。

また、時点ｔ１〜ｔ２の間に、磁化ベクトルの位相が分散する。図７（ｃ）に、時点ｔ１〜時点ｔ２までの間に生じた位相分散を示す。位相分散により、０°〜３６０°の間の任意の位相を持つベクトルが現れるが、図７（ｃ）では、説明の便宜上、分散した磁化ベクトルを、２本の磁化ベクトルＶ１およびＶ２で示してある。磁化ベクトルＶ１は位相が０°であり、一方、磁化ベクトルＶ２は位相が１８０°である。また、図７（ｃ）には、位相分散により発生した磁化ベクトルの頂点で囲まれる面Ｓを示してある。時点ｔ２の直後に、１８０_−ｘパルスＰ_１が印加される。

図７（ｄ）に、１８０_−ｘパルスＰ_１が印加された直後の時点ｔ３における磁化ベクトルを示す。ΔＢ１＝２０％であるので、１８０_−ｘパルスＰ_１のフリップ角は、１８０°よりも２０％大きい角度、つまり、２１６°になる。したがって、分散した磁化ベクトルＶ１およびＶ２は、−ｘ軸を中心として２１６°回転する。１８０_−ｘパルスＰ_１が印加された後、ＭＰＧが印加される。

また、時点ｔ３〜ｔ４の間に、分散していた磁化ベクトルが収束する。ただし、図７（ｄ）に示すように、磁化ベクトルは２１６°回転しているので、分散した磁化ベクトルを完全に収束させることはできない。図７（ｅ）に、時点ｔ３〜時点ｔ４の間に収束した磁化ベクトルを示す。図７（ｅ）において、磁化ベクトルＶ１と磁化ベクトルＶ２とを比較すると、磁化ベクトルＶ１と磁化ベクトルＶ２の位相がずれている。したがって、磁化ベクトルの頂点を結ぶと、一定の広がりを持つ面Ｓ２が現れ、磁化ベクトルが完全には収束していないことがわかる。時点ｔ４の直後に、９０_ｘパルスＰ_２が印加される。

図７（ｆ）に、９０_ｘパルスＰ_２が印加された直後の時点ｔ５における磁化ベクトルを示す。ΔＢ１＝２０％であるので、９０_ｘパルスＰ_２のフリップ角は、９０°よりも２０％大きい角度、つまり、１０８°になる。したがって、磁化ベクトルＶ１およびＶ２は、ｘ軸を中心として１０８°回転する。図７（ｆ）を参照すると、面Ｓ２は、ｚ軸から−ｙ軸の近くにまで広がっており、縦磁化が完全には１に戻らないことがわかる。

したがって、プリパレーションシーケンスＤＰでは、Ｂ１不均一の影響を受けて、静止組織の縦磁化を十分に１に戻すことができないという問題がある。そこで、本形態では、静止組織の縦磁化を１（又は１に近い値に）戻すことができるように、プリパレーションシーケンスを構成している。以下に、本形態で使用されるプリパレーションシーケンスについて説明する。

図８は、本形態で使用されるプリパレーションシーケンスＤＰ_０を示す図である。
本形態のプリパレーションシーケンスＤＰ_０は、コンポジットパルスＡ、コンポジットパルスＢ、およびコンポジットパルスＣを有している。以下、３つのコンポジットパルスＡ、Ｂ、およびＣについて順に説明する。

図９は、コンポジットパルスＡ、Ｂ、およびＣの説明図である。
（１）コンポジットパルスＡについて
コンポジットパルスＡは、撮影部位を励起するための励起パルスであり、α_φ０パルスＰ_０１およびβ_θ０パルスＰ_０２を有している。

図９（ａ）は、コンポジットパルスＡの説明図である。
α_φ０パルスＰ_０１は、フリップ角がαに設定され、位相がφ_０（ｘｙ面内においてｘ軸に対して角度φ_０だけ回転した軸：φ_０軸）に設定されたＲＦパルスを表している。
一方、β_θ０パルスＰ_０２は、フリップ角がβに設定され、位相がθ_０（ｘｙ面内においてｘ軸に対して角度θ_０だけ回転した軸：θ_０軸）に設定されたＲＦパルスを表している。

（２）コンポジットパルスＢについて
コンポジットパルスＢは、磁化ベクトルを再収束させるためのリフォーカスパルスであり、β_θ１パルスＰ_１１、２α_φ１パルスＰ_１２、およびβ_θ１パルスＰ_１３を有している。

図９（ｂ）は、コンポジットパルスＢの説明図である。
先ず、２α_φ１パルスＰ_１２について説明する。
２α_φ１パルスＰ_１２は、フリップ角が２αに設定され、位相がφ_１（ｘｙ面内においてｘ軸に対して角度φ_１だけ回転した軸：φ_１軸）に設定されたＲＦパルスを表している。φ_１は、以下の式を満たすように設定される。
φ_１＝φ_０＋λ_１ ・・・（１）
ここで、φ_０：コンポジットパルスＡのα_φ０パルスＰ_０１の位相
λ_１：位相差

式（１）のλ_１は、以下の式で表される。
λ_１＝λ＋δ_１×ｍ_１ ・・・（２）
ここで、λ：角度
δ_１：８０°≦δ_１≦１００°の範囲内の角度
ｍ_１：整数

本形態では、式（２）のδ_１は、δ_１＝９０°であるとする。したがって、式（２）は、以下の式で表される。
λ_１＝λ＋９０°×ｍ_１ ・・・（３）

したがって、式（３）を式（１）に代入すると、φ_１は、以下の式で表すことができる。
φ_１＝φ_０＋λ＋９０°×ｍ_１ ・・・（４）

次に、β_θ１パルス（Ｐ_１１およびＰ_１３）について説明する。
β_θ１パルス（Ｐ_１１およびＰ_１３）は、フリップ角がβに設定され、位相がθ_１（ｘｙ面内においてｘ軸に対して角度θ_１だけ回転した軸：θ_１軸）に設定されたＲＦパルスを表している。θ_１は、以下の式を満たすように設定される。
θ_１＝θ_０＋λ_１ ・・・（５）
ここで、θ_０：コンポジットパルスＡのβ_θ０パルスＰ_０２の位相
λ_１：位相差

式（５）のλ_１は、式（１）のλ_１と同様に、式（３）で表される。したがって、式（３）を式（５）に代入すると、θ_１は以下の式で表すことができる。
θ_１＝θ_０＋λ＋９０°×ｍ_１ ・・・（６）

（３）コンポジットパルスＣについて
コンポジットパルスＣは、磁化ベクトルの横磁化を縦磁化に戻すためのフリップバックパルスであり、β_θ２パルスＰ_２１およびα_φ２パルスＰ_２２を有している。

図９（ｃ）は、コンポジットパルスＣの説明図である。
先ず、β_θ２パルスＰ_２１について説明する。
β_θ２パルスＰ_２１は、フリップ角がβに設定され、位相がθ_２（ｘｙ面内においてｘ軸に対して角度θ_２だけ回転した軸：θ_２軸）に設定されたＲＦパルスを表している。θ_２は、以下の式を満たすように設定される。
θ_２＝θ_０＋λ_２ ・・・（７）
ここで、θ_０：コンポジットパルスＡのβ_θ０パルスＰ_０２の位相
λ_２：位相差

式（７）のλ_２は、以下の式で表される。

λ_２＝２λ＋δ_２×ｍ_２ ・・・（８）
ここで、λ：角度
δ_２：８０°≦δ_２≦１００°の範囲内の角度
ｍ_２：整数

本形態では、式（８）のδ_２は、δ_２＝９０°であるとする。したがって、式（８）は、以下の式で表される。
λ_２＝２λ＋９０°×ｍ_２ ・・・（９）

したがって、式（９）を式（７）に代入すると、θ_２は以下の式で表すことができる。
θ_２＝θ_０＋２λ＋９０°×ｍ_２ ・・・（１０）

次に、α_φ２パルスＰ_２２について説明する。
α_φ２パルスＰ_２２は、フリップ角がαに設定され、位相がφ_２（ｘｙ面内においてｘ軸に対して角度φ_２だけ回転した軸：φ_２軸）に設定されたＲＦパルスを表している。φ_２は、以下の式を満たすように設定される。
φ_２＝φ_０＋λ_２ ・・・（１１）
ここで、φ_０：コンポジットパルスＡのα_φ０パルスＰ_０１の位相
λ_２：位相差

式（１１）のλ_２は、式（７）のλ_２と同様に、式（９）で表される。したがって、式（９）を式（１１）に代入すると、φ_２は、以下の式で表すことができる。
φ_２＝φ_０＋２λ＋９０°×ｍ_２ ・・・（１２）

プリパレーションシーケンスＤＰ_０は、図９に示すように構成されている。本形態では、プリパレーションシーケンスＤＰ_０を実行した後、撮影部位からデータを収集するためのデータ収集シーケンスＤＡＱ（図８参照）を実行する。以下同様に、プリパレーションシーケンスＤＰ_０とデータ収集シーケンスＤＡＱとを交互に実行する。データ収集シーケンスＤＡＱで収集されたデータはコンピュータ８に送信される。そして、画像作成手段９１（図２参照）が、データ収集シーケンスＤＡＱで収集されたデータに基づいて、画像を作成する。

プリパレーションシーケンスＤＰ_０では、コンポジットパルスのフリップ角および位相を規定するために、上述したパラメータ（α，β，φ_０，θ_０，λ，ｍ_１，ｍ_２）が使用されている。パラメータ（α，β，φ_０，θ_０，λ，ｍ_１，ｍ_２）の値は、撮影条件に応じて設定することができる。ここで、プリパレーションシーケンスＤＰ_０で使用されているコンポジットパルスのフリップ角および位相を理解しやすくするために、パラメータ（α，β，φ_０，θ_０，λ，ｍ_１，ｍ_２）が、表１に示す値に設定されている場合について考える。

この場合、コンポジットパルスのフリップ角および位相は、図１０のように示される。図１０では、プリパレーションシーケンスを符号「ＤＰ_１」で示してある。以下、図１０に示すプリパレーションシーケンスＤＰ_１について、コンポジットパルスＡ、Ｂ、およびＣに分けて説明する。

（１）コンポジットパルスＡについて
図１０（ａ）は、コンポジットパルスＡの説明図である。
α＝９０°、φ_０＝０°であるので、α_φ０パルスＰ_０１は、フリップ角がα＝９０°に設定され、位相がφ_０＝０°（つまり、ｘ軸）に設定された９０_ｘパルスとなる。また、β＝９０°、θ_０＝９０°であるので、β_θ０パルスＰ_０２は、フリップ角がβ＝９０°に設定され、位相がθ_０＝９０°（つまり、ｙ軸）に設定された９０_ｙパルスとなる。

（２）コンポジットパルスＢについて
図１０（ｂ）は、コンポジットパルスＢの説明図である。
先ず、２α_φ１パルスＰ_１２について説明する。
２α_φ１パルスＰ_１２のフリップ角は２α＝１８０°である。
また、２α_φ１パルスＰ_１２の位相φ_１は、式（４）に、φ_０＝０°、λ＝１８０°、ｍ_１＝０を代入することにより求められる。
φ_１＝φ_０＋λ＋９０°×ｍ_１
＝０°＋１８０°＋９０°×０
＝１８０°

したがって、２α_φ１パルスＰ_１２は、フリップ角が２α＝１８０°に設定され、位相がφ_１＝１８０°（つまり、−ｘ軸）に設定された１８０_−ｘパルスとなる。

次に、β_θ１パルス（Ｐ_１１およびＰ_１３）について説明する。
β_θ１パルス（Ｐ_１１およびＰ_１３）のフリップ角はβ＝９０°である。
また、β_θ１パルス（Ｐ_１１およびＰ_１３）の位相θ_１は、式（６）に、θ_０＝９０°、λ＝１８０°、ｍ_１＝０を代入することにより求められる。
θ_１＝θ_０＋λ＋９０°×ｍ_１
＝９０°＋１８０°＋９０°×０
＝２７０°

したがって、β_θ１パルス（Ｐ_１１およびＰ_１３）は、フリップ角がβ＝９０°に設定され、位相がθ_１＝２７０°（つまり、−ｙ軸）に設定された９０_−ｙパルスとなる。

（３）コンポジットパルスＣについて
図１０（ｃ）は、コンポジットパルスＣの説明図である。
先ず、β_θ２パルスＰ_２１について説明する。
β_θ２パルスＰ_２１のフリップ角はβ＝９０°である。また、β_θ２パルスＰ_２１の位相θ_２は、式（１０）に、θ_０＝９０°、λ＝１８０°、ｍ_２＝０を代入することにより求められる。
θ_２＝θ_０＋２λ＋９０°×ｍ_２
＝９０°＋２×１８０°＋９０°×０
＝４５０°

位相は３６０°ごとに等価となるので、θ_２＝４５０°はθ_２＝９０°である。したがって、β_θ２パルスＰ_２１は、フリップ角がβ＝９０°で、位相がθ_２＝９０°（つまり、ｙ軸）に設定された９０_ｙパルスとなる。

次に、α_φ２パルスＰ_２２について説明する。
α_φ２パルスＰ_２２のフリップ角はα＝９０°である。また、α_φ２パルスＰ_２２の位相φ_２は、式（１２）に、φ_０＝０°、λ＝１８０°、ｍ_２＝０を代入することにより求められる。
φ_２＝φ_０＋２λ＋９０°×ｍ_２
＝０°＋２×１８０°＋９０°×０
＝３６０°

位相は３６０°ごとに等価となるので、θ_２＝３６０°はθ_２＝０°である。したがって、α_φ２パルスＰ_２２は、フリップ角がα＝９０°に設定され、位相がφ_２＝０°（つまり、ｘ軸）に設定された９０_ｘパルスとなる。

次に、図１０のプリパレーションシーケンスＤＰ_１が実行されている間の静止組織の磁化ベクトルの挙動を調べるため、図１０に示すプリパレーションシーケンスＤＰ_１を実行したときの磁化ベクトルの挙動をシミュレーションした。以下に、そのシミュレーション結果について説明する。

図１１〜図１５はプリパレーションシーケンスＤＰ_１が実行されている間の静止組織の磁化ベクトルの挙動のシミュレーション結果の説明図である。
以下、図１１〜図１５について説明する。

図１１は、ΔＢ１＝０％およびΔＢ０＝０Ｈｚにおける磁化ベクトルの挙動を表すシミュレーション結果の説明図である。
プリパレーションシーケンスＤＰ_１では、先ず、コンポジットパルスＡの９０_ｘパルスＰ_０１が印加される。図１１（ａ）に、９０_ｘパルスＰ_０１が印加される直前の時点ｔ０における磁化ベクトルＶを示し、図１１（ｂ）に、９０_ｘパルスＰ_０１が印加された直後の時点ｔ０１における磁化ベクトルＶを示す。ΔＢ１＝０％であるので、磁化ベクトルＶは、９０_ｘパルスＰ_０１により、ｘ軸を中心にして９０°回転する。したがって、磁化ベクトルＶは−ｙ軸上に位置する。９０_ｘパルスＰ_０１が印加された直後に、９０_ｙパルスＰ_０２が印加される。

図１１（ｃ）に、９０_ｙパルスＰ_０２が印加された直後の時点ｔ０２における磁化ベクトルＶを示す。ΔＢ１＝０％であるので、磁化ベクトルＶは、９０_ｙパルスＰ_０２により、ｙ軸を中心にして９０°回転する。ただし、磁化ベクトルＶは−ｙ軸上に位置しているので、９０_ｙパルスＰ_０２が印加されても、磁化ベクトルＶに変化はない。したがって、磁化ベクトルＶは、−ｙ軸上に位置したままの状態に保持される。コンポジットパルスＡが印加された後、ＭＰＧが印加される。

また、時点ｔ０２〜ｔ１１の間に、磁化ベクトルの位相が分散する。図１１（ｄ）に、時点ｔ０２〜ｔ１１までの間に生じた位相分散を示す。位相分散により、０°〜３６０°の間の任意の位相を持つベクトルが現れるが、図１１（ｄ）では、説明の便宜上、分散した磁化ベクトルを、２本の磁化ベクトルＶ１およびＶ２で示してある。磁化ベクトルＶ１は位相が０°であり、一方、磁化ベクトルＶ２は位相が１８０°である。また、図１１（ｄ）には、位相分散により発生した磁化ベクトルの頂点で囲まれる面Ｓを示してある。時点ｔ１１の直後に、コンポジットパルスＢが印加される。

コンポジットパルスＢでは、先ず、９０_−ｙパルスＰ_１１が印加される。図１１（ｅ）に、９０_−ｙパルスＰ_１１が印加された直後の時点ｔ１２における磁化ベクトルを示す。ΔＢ１＝０％であるので、磁化ベクトルは、９０_−ｙパルスＰ_１１により、−ｙ軸を中心にして９０°回転する。９０_−ｙパルスＰ_１１が印加された直後に、１８０_−ｘパルスＰ_１２が印加される。

図１１（ｆ）に、１８０_−ｘパルスＰ_１２が印加された直後の時点ｔ１３における磁化ベクトルを示す。ΔＢ１＝０％であるので、磁化ベクトルは、１８０_−ｘパルスＰ_１２により、−ｘ軸を中心にして１８０°回転する。したがって、磁化ベクトルＶ１と磁化ベクトルＶ２の位置が入れ替わる。１８０_−ｘパルスＰ_１２が印加された直後に、９０_−ｙパルスＰ_１３が印加される。

図１１（ｇ）に、９０_−ｙパルスＰ_１３が印加された直後の時点ｔ１４における磁化ベクトルを示す。ΔＢ１＝０％であるので、磁化ベクトルは、９０_−ｙパルスＰ_１３により、−ｙ軸を中心にして９０°回転する。したがって、図１１（ｄ）と、図１１（ｇ）とを比較すると、コンポジットパルスＢは、磁化ベクトルを、−ｘ軸を中心として１８０°回転（反転）させていることがわかる。９０_−ｙパルスＰ_１３が印加された後に、ＭＰＧが印加される。

また、時点ｔ１４〜ｔ２１の間に、分散していた磁化ベクトルが収束する。図１１（ｈ）に、時点ｔ１４〜ｔ２１の間に収束した磁化ベクトルＶを示す。磁化ベクトルＶはｙ軸上に収束する。時点ｔ２１の直後に、コンポジットパルスＣが印加される。

コンポジットパルスＣでは、先ず、９０_ｙパルスＰ_２１が印加される。図１１（ｉ）に、９０_ｙパルスＰ_２１が印加された直後の時点ｔ２２における磁化ベクトルＶを示す。ΔＢ１＝０％であるので、磁化ベクトルＶは、９０_ｙパルスＰ_２１により、ｙ軸を中心にして９０°回転する。ただし、磁化ベクトルＶはｙ軸に収束しているので、９０_ｙパルスＰ_２１を印加しても、磁化ベクトルＶに変化はない。９０_ｙパルスＰ_２１が印加された直後に、９０_ｘパルスＰ_２２が印加される。

図１１（ｊ）に、９０_ｘパルスＰ_２２が印加された直後の時点ｔ２３における磁化ベクトルＶを示す。ΔＢ１＝０％であるので、磁化ベクトルＶは、９０_ｘパルスＰ_２２により、ｘ軸を中心にして９０°回転する。９０_ｘパルスＰ_２２によって、磁化ベクトルＶを縦磁化に戻すことができる。

したがって、ΔＢ１＝０％の場合、プリパレーションシーケンスＤＰ_１は、プリパレーションシーケンスＤＰ（図５参照）と同様に、静止組織の縦磁化を１に戻すことができる。

次に、図１２について説明する。
図１２は、ΔＢ１＝−２０％およびΔＢ０＝０Ｈｚにおける磁化ベクトルの挙動を表すシミュレーション結果の説明図である。
プリパレーションシーケンスＤＰ_１では、先ず、コンポジットパルスＡの９０_ｘパルスＰ_０１が印加される。図１２（ａ）に、９０_ｘパルスＰ_０１が印加される直前の時点ｔ０における磁化ベクトルＶを示し、図１２（ｂ）に、９０_ｘパルスＰ_０１が印加された直後の時点ｔ０１における磁化ベクトルＶを示す。ΔＢ１＝−２０％であるので、９０_ｘパルスＰ_０１のフリップ角は、９０°よりも２０％小さい角度、つまり、７２°になる。したがって、磁化ベクトルＶは、ｘ軸を中心として７２°しか回転しないので、磁化ベクトルＶにはＭｚ成分が残る。９０_ｘパルスＰ_０１の直後に、９０_ｙパルスＰ_０２が印加される。

図１２（ｃ）に、９０_ｙパルスＰ_０２が印加された直後の時点ｔ０２における磁化ベクトルＶを示す。ΔＢ１＝−２０％であるので、９０_ｙパルスＰ_０２のフリップ角は、９０°よりも２０％小さい角度、つまり、７２°になる。したがって、磁化ベクトルＶは、ｙ軸を中心として７２°回転する。これにより、磁化ベクトルＶのＭｚ成分の大部分がＭｘ成分に変換されるので、磁化ベクトルＶのＭｚ成分を十分に小さくすることができる。コンポジットパルスＡが印加された後、ＭＰＧが印加される。

また、時点ｔ０２〜ｔ１１の間に、磁化ベクトルの位相が分散する。図１２（ｄ）に、時点ｔ０２〜ｔ１１までの間に生じた位相分散を示す。位相分散により、０°〜３６０°の間の任意の位相を持つベクトルが現れるが、図１２（ｄ）では、説明の便宜上、分散した磁化ベクトルを、２本の磁化ベクトルＶ１およびＶ２で示してある。磁化ベクトルＶ１は位相が０°であり、一方、磁化ベクトルＶ２は位相が１８０°である。また、図１２（ｄ）には、位相分散により発生した磁化ベクトルの頂点で囲まれる面Ｓを示してある。時点ｔ１１の直後に、コンポジットパルスＢが印加される。

コンポジットパルスＢでは、先ず、９０_−ｙパルスＰ_１１が印加される。図１２（ｅ）に、９０_−ｙパルスＰ_１１が印加された直後の時点ｔ１２における磁化ベクトルを示す。ΔＢ１＝−２０％であるので、９０_−ｙパルスＰ_１１のフリップ角は、９０°よりも２０％小さい角度、つまり、７２°になる。したがって、磁化ベクトルは、−ｙ軸を中心にして７２°回転する。９０_−ｙパルスＰ_１１が印加された直後に、１８０_−ｘパルスＰ_１２が印加される。

図１２（ｆ）に、１８０_−ｘパルスＰ_１２が印加された直後の時点ｔ１３における磁化ベクトルを示す。ΔＢ１＝−２０％であるので、１８０_−ｘパルスＰ_１２のフリップ角は、１８０°よりも２０％小さい角度、つまり、１４４°になる。したがって、磁化ベクトルは、−ｘ軸を中心として１４４°回転する。１８０_−ｘパルスＰ_１２が印加された直後に、９０_−ｙパルスＰ_１３が印加される。

図１２（ｇ）に、９０_−ｙパルスＰ_１３が印加された直後の時点ｔ１４における磁化ベクトルを示す。ΔＢ１＝−２０％であるので、９０_−ｙパルスＰ_１３のフリップ角は、９０°よりも２０％小さい角度、つまり、７２°になる。したがって、磁化ベクトルは、−ｙ軸を中心にして７２°回転する。

ここで、コンポジットパルスＢの印加直前における磁化ベクトル（図１２（ｄ）参照）と、コンポジットパルスＢの印加直後における磁化ベクトル（図１２（ｇ）参照）とを比較すると、磁化ベクトルＶ１は、コンポジットパルスＢにより、−ｘ軸を中心にして１８０°に近い角度だけ回転していることがわかる。同様に、磁化ベクトルＶ２も、コンポジットパルスＢにより、−ｘ軸を中心にして１８０°に近い角度だけ回転していることがわかる。図１２（ｇ）では、磁化ベクトルＶ１およびＶ２のみが図示されているが、図示されていない残りの磁化ベクトルも、コンポジットパルスＢにより、−ｘ軸を中心にして１８０°に近い角度だけ回転している。したがって、Ｂ１不均一により、ＲＦパルスのフリップ角が２０％小さくなる場合であっても、コンポジットパルスＢを印加することにより、磁化ベクトルを−ｘ軸を中心に１８０°に近い角度だけ回転させることができる。コンポジットパルスＢを印加した後、ＭＰＧが印加される。

また、時点ｔ１４〜ｔ２１の間に、分散していた磁化ベクトルが収束する。図１２（ｈ）に、時点ｔ１４〜ｔ２１の間に収束した磁化ベクトルを示す。図１２（ｈ）を参照すると、磁化ベクトルは、Ｂ１不均一の影響を受けて完全には収束していない。ただし、磁化ベクトルＶ２は磁化ベクトルＶ１に十分に近い位置に収束するので、磁化ベクトルの頂点で囲まれる面Ｓ４の面積は十分に小さくなることがわかる。尚、磁化ベクトルＶ１およびＶ２の位置はｙ軸からずれているので、磁化ベクトルＶ１およびＶ２は、Ｍｘ成分を含んでいることがわかる。時点ｔ２１の直後に、コンポジットパルスＣが印加される。

コンポジットパルスＣでは、先ず、９０_ｙパルスＰ_２１が印加される。図１２（ｉ）に、９０_ｙパルスＰ_２１が印加された直後の時点ｔ２２における磁化ベクトルを示す。ΔＢ１＝−２０％であるので、９０_ｙパルスＰ_２１のフリップ角は、９０°よりも２０％小さい角度、つまり、７２°になる。したがって、磁化ベクトルは、ｙ軸を中心として７２°回転するので、磁化ベクトルに含まれているＭｘ成分（図１２（ｈ）参照）の大部分を、Ｍｚ成分に戻すことができる。９０_ｙパルスＰ_２１が印加された直後に、９０_ｘパルスＰ_２２が印加される。

図１２（ｊ）に、９０_ｘパルスＰ_２２が印加された直後の時点ｔ２３における磁化ベクトルＶを示す。ΔＢ１＝−２０％であるので、９０_ｘパルスＰ_２２のフリップ角は、９０°よりも２０％小さい角度、つまり、７２°になる。したがって、磁化ベクトルは、ｘ軸を中心として７２°回転する。９０_ｘパルスＰ_２２によって、面Ｓ４は、ｚ軸の近傍に位置していることがわかる。

したがって、ΔＢ１＝−２０％であっても、コンポジットパルスＡ、Ｂ、およびＣを用いることにより、磁化ベクトルの縦磁化ＭｚがＭｚ＝１に近い値に戻ることがわかる。ここで、図１２（ｊ）に示す面Ｓ４を、単一ＲＦパルスのプリパレーションシーケンスＤＰを実行したときに得られる面Ｓ１（図６（ｆ）参照）と比較し、面Ｓ１と面Ｓ４との違いについて説明する。

図１３は、面Ｓ１と面Ｓ４と違いの説明図である。
図１３（ａ）は、左側から順に、面Ｓ１と、面Ｓ１のｙ軸方向への投影プロファイルＳ１ｙと、面Ｓ１のｘ軸方向への投影プロファイルＳ１ｘとを示す図である。
一方、図１３（ｂ）は、左側から順に、面Ｓ４と、面Ｓ４のｙ軸方向への投影プロファイルＳ４ｙと、面Ｓ４のｘ軸方向への投影プロファイルＳ４ｘとを示す図である。

図１３（ａ）と図１３（ｂ）とを比較すると、面Ｓ４は面Ｓ１よりも面積が十分に小さくなっている。したがって、コンポジットパルスを用いたプリパレーションシーケンスＤＰ_１は、単一ＲＦパルスを用いたプリパレーションシーケンスＤＰよりも、縦磁化Ｍｚを１に近い値に戻せることができるので、高品質な画像を取得することができる。

次に、図１４について説明する。
図１４は、ΔＢ１＝２０％およびΔＢ０＝０Ｈｚにおける磁化ベクトルの挙動を表すシミュレーション結果の説明図である。
プリパレーションシーケンスＤＰ_１では、先ず、コンポジットパルスＡの９０_ｘパルスＰ_０１が印加される。図１４（ａ）に、９０_ｘパルスＰ_０１が印加される直前の時点ｔ０における磁化ベクトルＶを示し、図１４（ｂ）に、９０_ｘパルスＰ_０１が印加された直後の時点ｔ０１における磁化ベクトルＶを示す。ΔＢ１＝２０％であるので、９０_ｘパルスＰ_０１のフリップ角は、９０°よりも２０％大きい角度、つまり、１０８°になる。したがって、磁化ベクトルＶは、ｘ軸を中心として１０８°回転するので、磁化ベクトルＶにはＭｚ成分が残る。９０_ｘパルスＰ_０１の直後に、９０_ｙパルスＰ_０２が印加される。

図１４（ｃ）に、９０_ｙパルスＰ_０２が印加された直後の時点ｔ０２における磁化ベクトルＶを示す。ΔＢ１＝２０％であるので、９０_ｙパルスＰ_０２のフリップ角は、９０°よりも２０％大きい角度、つまり、１０８°になる。したがって、磁化ベクトルＶは、ｙ軸を中心として１０８°回転する。これにより、磁化ベクトルＶのＭｚ成分の大部分がＭｘ成分に変換されるので、磁化ベクトルＶのＭｚ成分を十分に小さくすることができる。コンポジットパルスＡが印加された後、ＭＰＧが印加される。

また、時点ｔ０２〜ｔ１１の間に、磁化ベクトルの位相が分散する。図１４（ｄ）に、時点ｔ０２〜ｔ１１までの間に生じた位相分散を示す。位相分散により、０°〜３６０°の間の任意の位相を持つベクトルが現れるが、図１４（ｄ）では、説明の便宜上、分散した磁化ベクトルを、２本の磁化ベクトルＶ１およびＶ２で示してある。磁化ベクトルＶ１は位相が０°であり、一方、磁化ベクトルＶ２は位相が１８０°である。また、図１４（ｄ）には、位相分散により発生した磁化ベクトルの頂点で囲まれる面Ｓを示してある。時点ｔ１１の直後に、コンポジットパルスＢが印加される。

コンポジットパルスＢでは、先ず、９０_−ｙパルスＰ_１１が印加される。図１４（ｅ）に、９０_−ｙパルスＰ_１１が印加された直後の時点ｔ１２における磁化ベクトルを示す。ΔＢ１＝２０％であるので、９０_−ｙパルスＰ_１１のフリップ角は、９０°よりも２０％大きい角度、つまり、１０８°になる。したがって、磁化ベクトルは、−ｙ軸を中心にして１０８°回転する。９０_−ｙパルスＰ_１１が印加された直後に、１８０_−ｘパルスＰ_１２が印加される。

図１４（ｆ）に、１８０_−ｘパルスＰ_１２が印加された直後の時点ｔ１３における磁化ベクトルを示す。ΔＢ１＝２０％であるので、１８０_−ｘパルスＰ_１２のフリップ角は、１８０°よりも２０％大きい角度、つまり、２１６°になる。したがって、磁化ベクトルは、−ｘ軸を中心として２１６°回転する。１８０_−ｘパルスＰ_１２が印加された直後に、９０_−ｙパルスＰ_１３が印加される。

図１４（ｇ）に、９０_−ｙパルスＰ_１３が印加された直後の時点ｔ１４における磁化ベクトルを示す。ΔＢ１＝２０％であるので、９０_−ｙパルスＰ_１３のフリップ角は、９０°よりも２０％大きい角度、つまり、１０８°になる。したがって、磁化ベクトルは、−ｙ軸を中心にして１０８°回転する。

ここで、コンポジットパルスＢの印加直前における磁化ベクトル（図１４（ｄ）参照）と、コンポジットパルスＢの印加直後における磁化ベクトル（図１４（ｇ）参照）とを比較すると、磁化ベクトルＶ１は、コンポジットパルスＢにより、−ｘ軸を中心にして１８０°に近い角度だけ回転していることがわかる。同様に、磁化ベクトルＶ２も、コンポジットパルスＢにより、−ｘ軸を中心にして１８０°に近い角度だけ回転していることがわかる。図１４（ｇ）では、磁化ベクトルＶ１およびＶ２のみが図示されているが、図示されていない残りの磁化ベクトルも、コンポジットパルスＢにより、−ｘ軸を中心にして１８０°に近い角度だけ回転している。したがって、Ｂ１不均一により、ＲＦパルスのフリップ角が２０％大きくなる場合であっても、コンポジットパルスＢを印加することにより、磁化ベクトルを−ｘ軸を中心に１８０°に近い角度だけ回転させることができる。コンポジットパルスＢを印加した後、ＭＰＧが印加される。

また、時点ｔ１４〜ｔ２１の間に、ＭＰＧが印加されている間に、分散していた磁化ベクトルが収束する。図１４（ｈ）に、時点ｔ１４〜ｔ２１の間に収束した磁化ベクトルを示す。図１４（ｈ）を参照すると、磁化ベクトルは、Ｂ１不均一の影響を受けて完全には収束していない。ただし、磁化ベクトルＶ２は磁化ベクトルＶ１に十分に近い位置に収束するので、磁化ベクトルの頂点で囲まれる面Ｓ５の面積は十分に小さくなることがわかる。尚、磁化ベクトルＶ１およびＶ２の位置はｙ軸からずれているので、磁化ベクトルＶ１およびＶ２は、Ｍｘ成分を含んでいることがわかる。時点ｔ２１の直後に、コンポジットパルスＣが印加される。

コンポジットパルスＣでは、先ず、９０_ｙパルスＰ_２１が印加される。図１４（ｉ）に、９０_ｙパルスＰ_２１が印加された直後の時点ｔ２２における磁化ベクトルを示す。ΔＢ１＝２０％であるので、９０_ｙパルスＰ_２１のフリップ角は、９０°よりも２０％大きい角度、つまり、１０８°になる。したがって、磁化ベクトルは、ｙ軸を中心として１０８°回転するので、磁化ベクトルに含まれているＭｘ成分（図１４（ｈ）参照）の大部分を、Ｍｚ成分に戻すことができる。９０_ｙパルスＰ_２１が印加された直後に、９０_ｘパルスＰ_２２が印加される。

図１４（ｊ）に、９０_ｘパルスＰ_２２が印加された直後の時点ｔ２３における磁化ベクトルＶを示す。ΔＢ１＝２０％であるので、９０_ｘパルスＰ_２２のフリップ角は、９０°よりも２０％大きい角度、つまり、１０８°になる。したがって、磁化ベクトルは、ｘ軸を中心として１０８°回転する。９０_ｘパルスＰ_２２によって、磁化ベクトルはｚ軸の近傍に戻るので、磁化ベクトルの縦磁化ＭｚをＭｚ＝１に近い値に戻すことができる。

したがって、ΔＢ１＝２０％であっても、コンポジットパルスを用いることにより、磁化ベクトルの縦磁化ＭｚがＭｚ＝１に近い値に戻ることがわかる。ここで、図１４（ｊ）に示す面Ｓ５を、単一ＲＦパルスのプリパレーションシーケンスＤＰを実行したときに得られる面Ｓ２（図７（ｆ）参照）と比較し、面Ｓ２と面Ｓ５との違いについて説明する。

図１５は、面Ｓ２と面Ｓ５と違いの説明図である。
図１５（ａ）は、左側から順に、面Ｓ２と、面Ｓ２のｙ軸方向への投影プロファイルＳ２ｙと、面Ｓ２のｘ軸方向への投影プロファイルＳ２ｘとを示す図である。
一方、図１５（ｂ）は、左側から順に、面Ｓ５と、面Ｓ５のｙ軸方向への投影プロファイルＳ５ｙと、面Ｓ５のｘ軸方向への投影プロファイルＳ５ｘとを示す図である。

図１５（ａ）と図１５（ｂ）とを比較すると、面Ｓ５は面Ｓ２よりも面積が十分に小さくなっている。したがって、ΔＢ１＝２０％であっても、コンポジットパルスを用いたプリパレーションシーケンスＤＰ_１は、単一ＲＦパルスを用いたプリパレーションシーケンスＤＰよりも、縦磁化Ｍｚを１に近い値に戻せることができるので、高品質な画像を取得することができる。

尚、上記の説明では、（ΔＢ０，ΔＢ１）として、３通りの組合せ、つまり、（０Ｈｚ，０％）、（０Ｈｚ，−２０％）、および（０Ｈｚ，２０％）について考察した。しかし、上記のコンポジットパルスＡ、Ｂ、およびＣを用いることにより、（ΔＢ０，ΔＢ１）が別の値の組合せであっても、磁化ベクトルの縦磁化Ｍｚを１に近い値に戻すことができる。このことを検証するため、ΔＢ１およびΔＢ０を変更し、プリパレーションシーケンスＤＰ_１（図１０参照）を実行した直後（コンポジットパルスＣを印加した直後）の磁化ベクトルの縦磁化の値を調べるためのシミュレーションを行った。以下に、シミュレーション結果について説明する（図１６参照）。

図１６は、シミュレーション結果を示す図である。
図１６（ａ）は、コンポジットパルスを用いたプリパレーションシーケンスＤＰ_１（図１０参照）のシミュレーション結果を示す図である。
図１６（ａ）には、プリパレーションシーケンスＤＰ_１を実行した直後の縦磁化の値を表すＭｚマップＨ１が示されている。ＭｚマップＨ１の横軸はΔＢ１を表しており、縦軸はΔＢ０を表している。また、ＭｚマップＨ１では、縦磁化Ｍｚの値を白黒の明るさで示してある。ＭｚマップＨ１の色が白に近いほど縦磁化が大きく、色が黒に近いほど縦磁化は小さいことを意味している。

また、ＭｚマップＨ１の右側には、２つのプロファイルＦ１１およびＦ１２が示されている。プロファイルＦ１１は、ＭｚマップＨ１のΔＢ０＝０ＨｚにおけるＭｚを表している。一方、プロファイルＦ１２は、ＭｚマップＨ１のΔＢ１＝０％におけるＭｚを表している。

一方、図１６（ｂ）は、比較例として、単一ＲＦパルスを用いたプリパレーションシーケンスＤＰ（図４参照）のシミュレーション結果を示している。

図１６（ｂ）には、プリパレーションシーケンスＤＰを実行した直後の縦磁化の値を表すＭｚマップＨ２が示されている。また、ＭｚマップＨ２の右側には、２つのプロファイルＦ２１およびＦ２２が示されている。プロファイルＦ２１は、ＭｚマップＨ２のΔＢ０＝０ＨｚにおけるＭｚを表している。一方、プロファイルＦ１２は、ＭｚマップＨ２のΔＢ１＝０％におけるＭｚを表している。

図１６（ａ）と図１６（ｂ）とを比較すると、プリパレーションシーケンスＤＰ_１により得られたＭｚマップＨ１は、プリパレーションシーケンスＤＰにより得られたＭｚマップＨ２よりも、Ｍｚ＝１に近い値を持つ領域が広範囲に広がっている。したがって、コンポジットパルスは、単一ＲＦパルスよりも、Ｂ０不均一やＢ１不均一の影響を受けにくいことがわかる。特に、ＭｚマップＨ１の領域Ｒ（ΔＢ１＝−２５％〜＋２５％およびΔＢ０＝−２５０Ｈｚ〜＋２５０Ｈｚの範囲）の内側は、ΔＢ０およびΔＢ１の値に関わらず、縦磁化Ｍｚの値のばらつきが小さいことがわかる。したがって、コンポジットパルスを用いることにより、Ｂ０不均一やＢ１不均一の影響を受けにくくすることができるので、高品質な画像を取得できることがわかる。

尚、プリパレーションシーケンスＤＰ_１（図１０参照）では、λ＝１８０°に設定されている（表１参照）。しかし、λは１８０°に限定されることはなく、λを１８０°以外の値に設定してもよい。表２はλ＝０°に設定した例を示し、表３はλ＝５０°に設定した例を示す。

表２および表３は、表１と比較すると、λの値が異なっているが、（α，β，φ_０，θ_０，ｍ_１，ｍ_２）の値は同じである。

次に、（α，β，φ_０，θ_０，λ，ｍ_１，ｍ_２）が表２の値に設定された場合のプリパレーションシーケンスと、（α，β，φ_０，θ_０，λ，ｍ_１，ｍ_２）が表３の値に設定された場合のプリパレーションシーケンスについて順に考察する。

図１７は、（α，β，φ_０，θ_０，λ，ｍ_１，ｍ_２）が表２の値に設定された場合のプリパレーションシーケンスＤＰ_２を示す図である。

図１７（ａ）は、コンポジットパルスＡの説明図である。
α、φ_０の値に変化はないので、α_φ０パルスＰ_０１は、図１０と同様に、９０_ｘパルスである。また、β、θ_０にも変化はないので、β_θ０パルスＰ_０２は、図１０と同様に、９０_ｙパルスである。

図１７（ｂ）は、コンポジットパルスＢの説明図である。
先ず、２α_φ１パルスＰ_１２について説明する。
２α_φ１パルスＰ_１２のフリップ角は２α＝１８０°である。また、２α_φ１パルスＰ_１２の位相φ_１は、式（４）に、φ_０＝０°、λ＝０°、ｍ_１＝０を代入することにより求められる。
φ_１＝φ_０＋λ＋９０°×ｍ_１
＝０°＋０°＋９０°×０
＝０°

したがって、２α_φ１パルスＰ_１２は、フリップ角が２α＝１８０°に設定され、位相がφ_１＝０°（つまり、ｘ軸）に設定された１８０°_ｘパルスとなる。

次に、β_θ１パルス（Ｐ_１１およびＰ_１３）について説明する。
β_θ１パルス（Ｐ_１１およびＰ_１３）のフリップ角は、β＝９０°である。また、β_θ１パルス（Ｐ_１１およびＰ_１３）の位相θ_１は、式（６）に、θ_０＝９０°、λ＝０°、ｍ_１＝０を代入することにより求められる。
θ_１＝φ_０＋λ＋９０°×ｍ_１
＝９０°＋０°＋９０°×０
＝９０°

したがって、β_θ１パルス（Ｐ_１１およびＰ_１３）は、フリップ角がβ＝９０°に設定され、位相がθ_１＝９０°（つまり、ｙ軸）に設定された９０_ｙパルスとなる。

図１７（ｃ）はコンポジットパルスＣの説明図である。
先ず、β_θ２パルスＰ_２１について説明する。
β_θ２パルスＰ_２１のフリップ角はβ＝９０°である。また、β_θ２パルスＰ_２１の位相θ_２は、式（１０）に、θ_０＝９０°、λ＝０°、ｍ_２＝０を代入することにより求められる。
θ_２＝θ_０＋２λ＋９０°×ｍ_２
＝９０°＋２×０°＋９０°×０
＝９０°

したがって、β_θ２パルスＰ_２１は、フリップ角がβ＝９０°に設定され、位相がθ_２＝９０°（つまり、ｙ軸）に設定された９０_ｙパルスとなる。

次に、α_φ２パルスＰ_２２について説明する。
α_φ２パルスＰ_２２のフリップ角は、α＝９０°に設定される。また、α_φ２パルスＰ_２２の位相φ_２は、式（１２）に、φ_０＝０°、λ＝０°、ｍ_２＝０を代入することにより求められる。
φ_２＝φ_０＋２λ＋９０°×ｍ_２
＝０°＋２×０°＋９０°×０
＝０°

したがって、α_φ２パルスＰ_２２は、フリップ角がα＝９０°に設定され、位相がφ_２＝０°（つまり、ｘ軸）に設定された９０_ｘパルスとなる。

次に、（α，β，φ_０，θ_０，λ，ｍ_１，ｍ_２）が表３の値に設定された場合のプリパレーションシーケンスについて順に考察する。

図１８は、（α，β，φ_０，θ_０，λ，ｍ_１，ｍ_２）が表３の値に設定された場合のプリパレーションシーケンスＤＰ_３を示す図である。
図１８（ａ）は、コンポジットパルスＡの説明図である。
α_φ０パルスＰ_０１は９０_ｘパルスであり、β_θ０パルスＰ_０２は９０_ｙパルスである。

図１８（ｂ）は、コンポジットパルスＢの説明図である。
先ず、２α_φ１パルスＰ_１２について説明する。
２α_φ１パルスＰ_１２のフリップ角は２α＝１８０°である。また、２α_φ１パルスＰ_１２の位相φ_１は、式（４）に、φ_０＝０°、λ＝５０°、ｍ_１＝０を代入することにより求められる。
φ_１＝φ_０＋λ＋９０°×ｍ_１
＝０°＋５０°＋９０°×０
＝５０°
したがって、２α_φ１パルスＰ_１２の位相φ_１はφ_１＝５０°に設定される。

次に、β_θ１パルス（Ｐ_１１およびＰ_１３）について説明する。
β_θ１パルス（Ｐ_１１およびＰ_１３）のフリップ角は、β＝９０°である。また、β_θ１パルス（Ｐ_１１およびＰ_１３）の位相θ_１は、式（６）に、θ_０＝９０°、λ＝５０°、ｍ_１＝０を代入することにより求められる。
θ_１＝φ_０＋λ＋９０°×ｍ_１
＝９０°＋５０°＋９０°×０
＝１４０°

したがって、β_θ１パルス（Ｐ_１１およびＰ_１３）の位相θ_１は、θ_１＝１４０°に設定される。

図１８（ｃ）はコンポジットパルスＣの説明図である。
先ず、β_θ２パルスＰ_２１について説明する。
β_θ２パルスＰ_２１のフリップ角はβ＝９０°である。また、β_θ２パルスＰ_２１の位相θ_２は、式（１０）に、θ_０＝９０°、λ＝５０°、ｍ_２＝０を代入することにより求められる。
θ_２＝θ_０＋２λ＋９０°×ｍ_２
＝９０°＋２×５０°＋９０°×０
＝１９０°

したがって、β_θ２パルスＰ_２１の位相θ_２はθ_２＝１９０°に設定される。

次に、α_φ２パルスＰ_２２について説明する。
α_φ２パルスＰ_２２のフリップ角は、α＝９０°に設定される。また、α_φ２パルスＰ_２２の位相φ_２は、式（１２）に、φ_０＝０°、λ＝５０°、ｍ_２＝０を代入することにより求められる。
φ_２＝φ_０＋２λ＋９０°×ｍ_２
＝０°＋２×５０°＋９０°×０
＝１００°

したがって、α_φ２パルスＰ_２２の位相φ_２はφ_２＝１００°に設定される。

図１７および図１８を比較すると、λの値に応じて、コンポジットパルスＢおよびＣの位相が変化することがわかる。

次に、図１７のプリパレーションシーケンスＤＰ_２および図１８のプリパレーションシーケンスＤＰ_３について、磁化ベクトルの挙動を調べるためのシミュレーションを行った。図１９および図２０に、シミュレーション結果を示す。尚、シミュレーション条件は、ΔＢ１＝−２０％、ΔＢ０＝０Ｈｚである。

図１９は、プリパレーションシーケンスＤＰ_２のシミュレーション結果を示す図であり、図２０は、プリパレーションシーケンスＤＰ_３のシミュレーション結果を示す図である。図１９（ｊ）および図２０（ｊ）を参照すると、どちらの場合でも、磁化ベクトルの縦磁化は、１に近い値に戻ることがわかる。上記の説明では、λ＝０°、５０°、および１８０°の場合について示されているが、λを他の値に設定しても、磁化ベクトルの縦磁化を１に近い値に戻すことができる。

尚、表１、表２、および表３では、αとβは、（α，β）＝（９０°，９０°）に設定されている。しかし、（α，β）は（９０°，９０°）に限定されることはない。表４に、（α，β）を（１１２．５°，７５°）に設定した例を示す。

また、表１、表２、および表３では、φ_０およびθ_０は、（φ_０，θ_０）＝（０°，９０°）に設定されている。したがって、φ_０とθ_０との絶対値｜φ_０−θ_０｜は、以下の値に設定されている。
｜φ_０−θ_０｜＝｜０°−９０°｜
＝｜−９０°｜
＝９０°

しかし、絶対値｜φ_０−θ_０｜の値は｜φ_０−θ_０｜＝９０°に限定されることはなく、｜φ_０−θ_０｜≠９０°でもよい。表５に、｜φ_０−θ_０｜≠９０°の一例を示す。

表５では、φ_０＝０°、θ_０＝１００°であるので、｜φ_０−θ_０｜＝１００°の例が示されている。また、表５では、（α，β）＝（１２０°，７０°）である。

ここで、（α，β，φ_０，θ_０，λ，ｍ_１，ｍ_２）を表４の値に設定したプリパレーションシーケンスと、（α，β，φ_０，θ_０，λ，ｍ_１，ｍ_２）を表５の値に設定したプリパレーションシーケンスについて順に考察する。

図２１は、（α，β，φ_０，θ_０，λ，ｍ_１，ｍ_２）を表４の値に設定したプリパレーションシーケンスＤＰ_４を示す図である。尚、図２１プリパレーションシーケンスＤＰ_４は、図１０のプリパレーションシーケンスＤＰ_１と比較すると、フリップ角が異なるが、位相は同じである。したがって、図２１のプリパレーションシーケンスＤＰ_４については、フリップ角のみを説明する。

コンポジットパルスＡでは（図２１（ａ）参照）、α_φ０パルスＰ_０１はフリップ角がα＝１１２．５°に設定され、β_θ０パルスＰ_０２はフリップ角がβ＝７５°に設定される。

コンポジットパルスＢでは（図２１（ｂ）参照）、２α_φ１パルスＰ_１２のフリップ角は２α＝２×１１２．５°＝２２５°に設定され、β_θ１パルス（Ｐ_１１およびＰ_１３）のフリップ角はβ＝７５°に設定される。

コンポジットパルスＣでは（図２１（ｃ）参照）、β_θ２パルスＰ_２１のフリップ角はβ＝７５°に設定され、α_φ２パルスＰ_２２のフリップ角はα＝１１２．５°に設定される。

次に、（α，β，φ_０，θ_０，λ，ｍ_１，ｍ_２）が表５の値に設定された場合のプリパレーションシーケンスについて順に考察する。

図２２は、（α，β，φ_０，θ_０，λ，ｍ_１，ｍ_２）が表５の値に設定された場合のプリパレーションシーケンスＤＰ_５を示す図である。
図２２（ａ）は、コンポジットパルスＡの説明図である。
α＝１２０°、φ_０＝０°であるので、α_φ０パルスＰ_０１は、フリップ角がα＝１２０°に設定され、位相がφ_０＝０°（つまり、ｘ軸）に設定された１２０_ｘパルスとなる。また、β＝７０°、θ_０＝１００°であるので、β_θ０パルスＰ_０２は、フリップ角がβ＝７０°に設定され、位相がθ_０＝１００°に設定された７０_{θ０＝１００°}パルスとなる。

図２２（ｂ）は、コンポジットパルスＢの説明図である。
先ず、２α_φ１パルスＰ_１２について説明する。
２α_φ１パルスＰ_１２のフリップ角は２α＝２×１２０°＝２４０°である。また、２α_φ１パルスＰ_１２の位相φ_１は、式（４）に、φ_０＝０°、λ＝１８０°、ｍ_１＝０を代入することにより求められる。
φ_１＝φ_０＋λ＋９０°×ｍ_１
＝０°＋１８０°＋９０°×０
＝１８０°

したがって、２α_φ１パルスＰ_１２は、フリップ角が２α＝２４０°に設定され、位相がφ_１＝１８０°（つまり、−ｘ軸）に設定された２４０°_−ｘパルスとなる。
る。

次に、β_θ１パルス（Ｐ_１１およびＰ_１３）について説明する。
β_θ１パルス（Ｐ_１１およびＰ_１３）のフリップ角は、β＝７０°である。また、β_θ１パルス（Ｐ_１１およびＰ_１３）の位相θ_１は、式（６）に、θ_０＝１００°、λ＝１８０°、ｍ_１＝０を代入することにより求められる。
θ_１＝φ_０＋λ＋９０°×ｍ_１
＝１００°＋１８０°＋９０°×０
＝２８０°

したがって、β_θ１パルス（Ｐ_１１およびＰ_１３）は、フリップ角がβ＝７０°に設定され、位相がθ_１＝２８０°に設定された７０_{θ１＝２８０°}パルスとなる。

図２２（ｃ）はコンポジットパルスＣの説明図である。
先ず、β_θ２パルスＰ_２１について説明する。
β_θ２パルスＰ_２１のフリップ角はβ＝７０°である。また、β_θ２パルスＰ_２１の位相θ_２は、式（１０）に、θ_０＝１００°、λ＝１８０°、ｍ_２＝０を代入することにより求められる。
θ_２＝θ_０＋２λ＋９０°×ｍ_２
＝１００°＋２×１８０°＋９０°×０
＝４６０°

位相は３６０°ごとに等価となるので、θ_２＝４６０°はθ_２＝１００°である。したがって、β_θ２パルスＰ_２１は、フリップ角がβ＝７０°に設定され、位相がθ_２＝１００°に設定された７０_{θ２＝１００°}パルスとなる。

次に、α_φ２パルスＰ_２２について説明する。
α_φ２パルスＰ_２２のフリップ角は、α＝１２０°に設定される。また、α_φ２パルスＰ_２２の位相φ_２は、式（１２）に、φ_０＝０°、λ＝１８０°、ｍ_２＝０を代入することにより求められる。
φ_２＝φ_０＋２λ＋９０°×ｍ_２
＝０°＋２×１８０°＋９０°×０
＝３６０°

位相は３６０°ごとに等価となるので、φ_２＝３６０°はφ_２＝０°である。したがって、α_φ２パルスＰ_２２は、フリップ角がα＝１２０°に設定され、位相がφ_２＝０°（つまり、ｘ軸）に設定された１２０_ｘパルスとなる。

図２１および図２２のプリパレーションシーケンスＤＰ_４およびＤＰ_５は、図１０に示すシーケンスＤＰ_１と同様に、撮影部位内でＢ０不均一やＢ１不均一が発生しても、磁化ベクトルの縦磁化Ｍｚを１に近い値に戻すことができる。このことを検証するため、ΔＢ０およびΔＢ１を変更し、図２１および図２２のプリパレーションシーケンスＤＰ_４およびＤＰ_５を実行した直後（コンポジットパルスＣを印加した直後）の磁化ベクトルの縦磁化の値を調べるためのシミュレーションを行った。以下に、シミュレーション結果について説明する（図２３参照）。

図２３は、シミュレーション結果を示す図である。
図２３（ａ）は、図２１のプリパレーションシーケンスＤＰ_４のシミュレーション結果を示す図である。
図２３（ａ）には、プリパレーションシーケンスＤＰ_４を実行した直後の縦磁化の値を表すＭｚマップＨ３が示されている。ＭｚマップＨ３の右側には、２つのプロファイルＦ３１およびＦ３２が示されている。プロファイルＦ３１は、ＭｚマップＨ３のΔＢ０＝０ＨｚにおけるＭｚを表している。一方、プロファイルＦ３２は、ＭｚマップＨ３のΔＢ１＝０％におけるＭｚを表している。

一方、図２３（ｂ）は、図２２のプリパレーションシーケンスＤＰ_５のシミュレーション結果を示している。
図２３（ｂ）には、プリパレーションシーケンスＤＰ_５を実行した直後の縦磁化の値を表すＭｚマップＨ４が示されている。ＭｚマップＨ４の右側には、２つのプロファイルＦ４１およびＦ４２が示されている。プロファイルＦ４１は、ＭｚマップＨ４のΔＢ０＝０ＨｚにおけるＭｚを表している。一方、プロファイルＦ４２は、ＭｚマップＨ４のΔＢ１＝０％におけるＭｚを表している。

図２３（ａ）および（ｂ）を参照すると、Ｍｚ＝１に近い値を持つ領域が広範囲に渡って広がっていることがわかる。特に、ＭｚマップＨ３およびＨ４の領域Ｒ（ΔＢ１＝−２５％〜＋２５％およびΔＢ０＝−２５０Ｈｚ〜＋２５０Ｈｚの範囲）の内側は、ΔＢ０およびΔＢ１の値に関わらず、縦磁化Ｍｚの値のばらつきが小さいことがわかる。したがって、表４や表５の値を持つコンポジットパルスを用いることにより、Ｂ０不均一やＢ１不均一の影響を更に受けにくくすることができるので、より高品質な画像を取得することができる。尚、表５では、｜φ_０−θ_０｜＝１００°、すなわち、｜φ_０−θ_０｜＞９０°の例が示されている。しかし、｜φ_０−θ_０｜を｜φ_０−θ_０｜＜９０°に設定してもよい。

また、上記の例では、リフォーカスパルスの役割を果たすコンポジットパルスＢを１回印加する例について説明したが、本発明では、コンポジットパルスＢがｎ（≧１）回印加されるように構成してもよい。以下に、コンポジットパルスＢがｎ回印加される例について説明する。

図２４は、コンポジットパルスＢをｎ回印加するときのプリパレーションシーケンスＤＰ_６を示す図である。
プリパレーションシーケンスＤＰ_６は、コンポジットパルスＡと、ｎ（≧１）個のコンポジットパルスＢと、コンポジットパルスＣとを有している。尚、図２４では、ｎ個のコンポジットパルスＢを区別するために、記号「Ｂ」に、添字「１」、「２」、・・・「ｎ」を付してある。以下、コンポジットパルスＡ、コンポジットパルスＢ_１〜Ｂ_ｎ、およびコンポジットパルスＣについて順に説明する。

（１）コンポジットパルスＡについて
図２４（ａ）は、コンポジットパルスＡの説明図である。
コンポジットパルスＡは、先に説明したコンポジットパルスＡ（図９（ａ）参照）と同じである。α_φ０パルスＰ_０１は、フリップ角がαに設定され、位相がφ_０（ｘｙ面内においてｘ軸に対して角度φ_０だけ回転した軸：φ_０軸）に設定されたＲＦパルスである。一方、β_θ０パルスＰ_０２は、フリップ角がβに設定され、位相がθ_０（ｘｙ面内においてｘ軸に対して角度θ_０だけ回転した軸：θ_０軸）に設定されたＲＦパルスである。

（２）コンポジットパルスＢ_１〜Ｂ_ｎについて
先ず、ｎ個のコンポジットパルスＢ_１〜Ｂ_ｎのうちのｋ番目のコンポジットパルスＢ_ｋについて考える。ｋ番目のコンポジットパルスＢ_ｋは、β_θｋパルスＰ_ｋ１、２α_φｋパルスＰ_ｋ２、およびβ_θｋパルスＰ_ｋ３を有している。

図２４（ｂ）は、ｋ番目のコンポジットパルスＢ_ｋの説明図である。
先ず、２α_φｋパルスＰ_ｋ２について説明する。
２α_φｋパルスＰ_ｋ２は、フリップ角が２αに設定され、位相がφ_ｋ（ｘｙ面内においてｘ軸に対して角度φ_ｋだけ回転した軸：φ_ｋ軸）に設定されたＲＦパルスを表している。φ_ｋは、以下の式を満たすように設定される。
φ_ｋ＝φ_０＋λ_ｋ ・・・（１３）
ここで、φ_０：コンポジットパルスＡのα_φ０パルスＰ_０１の位相
λ_ｋ：位相差

式（１３）のλ_ｋは、ｋを用いて以下の式で表される。
λ_ｋ＝ｋλ＋δ_ｋ×ｍ_ｋ ・・・（１４）
ここで、λ：角度
δ_ｋ：８０°≦δ_ｋ≦１００°の範囲内の角度
ｍ_ｋ：整数

本形態では、式（１４）のδ_ｋは、δ_ｋ＝９０°であるとする。したがって、式（１４）は、以下の式で表される。
λ_ｋ＝ｋλ＋９０°×ｍ_ｋ ・・・（１５）

したがって、式（１５）を式（１３）に代入すると、φ_ｋは、以下の式で表すことができる。
φ_ｋ＝φ_０＋ｋλ＋９０°×ｍ_ｋ ・・・（１６）

次に、β_θｋパルス（Ｐ_ｋ１およびＰ_ｋ３）について説明する。
β_θｋパルス（Ｐ_ｋ１およびＰ_ｋ３）は、フリップ角がβに設定され、位相がθ_ｋ（ｘｙ面内においてｘ軸に対して角度θ_ｋだけ回転した軸：θ_ｋ軸）に設定されたＲＦパルスを表している。θ_ｋは、以下の式を満たすように設定される。
θ_ｋ＝θ_０＋λ_ｋ ・・・（１７）
ここで、θ_０：コンポジットパルスＡのβ_θ０パルスＰ_０２の位相
λ_ｋ：位相差

式（１７）のλ_ｋは、式（１３）のλ_ｋと同様に、式（１５）で表される。したがって、式（１５）を式（１７）に代入すると、θ_ｋは以下の式で表すことができる。
θ_ｋ＝θ_０＋ｋλ＋９０°×ｍ_ｋ ・・・（１８）

（３）コンポジットパルスＣについて
図２４（ｃ）は、コンポジットパルスＣの説明図である。
コンポジットパルスＣは、磁化ベクトルの横磁化を縦磁化に戻すためのフリップバックパルスであり、β_θｎ＋１パルスＰ_{ｎ＋１，１}およびα_φｎ＋１パルスＰ_{ｎ＋１，２}を有している。

先ず、β_θｎ＋１パルスＰ_{ｎ＋１，１}について説明する。
β_θｎ＋１パルスＰ_{ｎ＋１，１}は、フリップ角がβに設定され、位相がθ_ｎ＋１（ｘｙ面内においてｘ軸に対して角度θ_ｎ＋１だけ回転した軸：θ_ｎ＋１軸）に設定されたＲＦパルスを表している。θ_ｎ＋１は、以下の式を満たすように設定される。
θ_ｎ＋１＝θ_０＋λ_ｎ＋１ ・・・（１９）
ここで、θ_０：コンポジットパルスＡのβ_θ０パルスＰ_０２の位相
λ_ｎ＋１：位相差

式（１９）のλ_ｎ＋１は、ｎ＋１を用いて以下の式で表される。
λ_ｎ＋１＝（ｎ＋１）λ＋δ_ｎ＋１×ｍ_ｎ＋１ ・・・（２０）
ここで、λ：角度
δ_ｎ＋１：８０°≦δ_ｎ＋１≦１００°の範囲内の角度
ｍ_ｎ＋１：整数

本形態では、式（２０）のδ_ｎ＋１は、δ_ｎ＋１＝９０°であるとする。したがって、式（２０）は、以下の式で表される。
λ_ｎ＋１＝（ｎ＋１）λ＋９０°×ｍ_ｎ＋１ ・・・（２１）

したがって、式（２１）を式（１９）に代入すると、θ_ｎ＋１は以下の式で表すことができる。
θ_ｎ＋１＝θ_０＋（ｎ＋１）λ＋９０°×ｍ_ｎ＋１ ・・・（２２）

次に、α_φｎ＋１パルスＰ_{ｎ＋１，２}について説明する。
α_φｎ＋１パルスＰ_{ｎ＋１，２}は、フリップ角がαに設定され、位相がφ_ｎ＋１（ｘｙ面内においてｘ軸に対して角度φ_ｎ＋１だけ回転した軸：φ_ｎ＋１軸）に設定されたＲＦパルスを表している。φ_ｎ＋１は、以下の式を満たすように設定される。
φ_ｎ＋１＝φ_０＋λ_ｎ＋１ ・・・（２３）
ここで、φ_０：コンポジットパルスＡのα_φ０パルスＰ_０１の位相
λ_ｎ＋１：位相差

式（２３）のλ_ｎ＋１は、式（１９）のλ_ｎ＋１と同様に、式（２１）で表される。したがって、式（２１）を式（２３）に代入すると、φ_ｎ＋１は、以下の式で表すことができる。
φ_ｎ＋１＝φ_０＋（ｎ＋１）λ＋９０°×ｍ_ｎ＋１ ・・・（２４）

図２４に示すプリパレーションシーケンスＤＰ_６は、上記のように構成されている。ｎの値は、任意の整数値に設定することができる。図２４において、ｎ＝１に設定した例が、図９に示すプリパレーションシーケンスＤＰ_０を表している。ここで、ｎ≧２のプリパレーションシーケンスＤＰ_６の一例について考察する。図２５に、ｎ≧２のプリパレーションシーケンスＤＰ_６の一例として、ｎ＝３のプリパレーションシーケンスＤＰ_６が示されている。ｎ＝３の場合、プリパレーションシーケンスＤＰ_６は、コンポジットパルスＡ、コンポジットパルスＢ１、Ｂ２、およびＢ３、並びにコンポジットパルスＣを有する。

ここで、ｎ＝３の場合のコンポジットパルスＤＰ_６のフリップ角および位相を理解しやすくするために、パラメータ（α，β，φ_０，θ_０，λ）が、表６に示す値に設定されている場合について考える。

この場合、コンポジットパルスのフリップ角および位相は、図２６のように示される。図２６では、プリパレーションシーケンスを符号「ＤＰ_７」で示してある。以下、図２６に示すプリパレーションシーケンスＤＰ_７について説明する。

（１）コンポジットパルスＡについて
図２６（ａ）は、コンポジットパルスＡの説明図である。
α＝１２０°、φ_０＝０°であるので、α_φ０パルスＰ_０１は、フリップ角がα＝１２０°に設定され、位相がφ_０＝０°（つまり、ｘ軸）に設定された１２０_ｘパルスとなる。また、β＝７０°、θ_０＝１００°であるので、β_θ０パルスＰ_０２は、フリップ角がβ＝７０°に設定され、位相がθ_０＝１００°に設定された７０_{θ０＝１００°}パルスとなる。

（２）コンポジットパルスＢ_１について
図２６（ｂ１）は、コンポジットパルスＢ_１の説明図である。
先ず、２α_φ１パルスＰ_１２について説明する。
２α_φ１パルスＰ_１２のフリップ角は２α＝２×１２０＝２４０°である。
また、２α_φ１パルスＰ_１２の位相φ_１は、式（１６）に、ｋ＝１、φ_０＝０°、λ＝０°を代入することにより求められる。
φ_ｋ＝φ_０＋ｋλ＋９０°×ｍ_ｋ
φ_１＝φ_０＋λ＋９０°×ｍ_１
＝０°＋０°＋９０°×ｍ_１
＝９０°×ｍ_１ ・・・・・・・・・（２５）

したがって、２α_φ１パルスＰ_１２は、フリップ角が２α＝２４０°に設定され、位相がφ_１＝９０°×ｍ_１に設定された２４０_{φ１＝９０°×ｍ１}パルスとなる。

次に、β_θ１パルス（Ｐ_１１およびＰ_１３）について説明する。
β_θ１パルス（Ｐ_１１およびＰ_１３）のフリップ角はβ＝７０°である。
また、β_θ１パルス（Ｐ_１１およびＰ_１３）の位相θ_１は、式（１８）に、ｋ＝１、θ_０＝１００°、λ＝０°を代入することにより求められる。
θ_ｋ＝θ_０＋ｋλ＋９０°×ｍ_ｋ
θ_１＝θ_０＋λ＋９０°×ｍ_１
＝１００°＋０°＋９０°×ｍ_１
＝１００°＋９０°×ｍ_１ ・・・・・・・・・（２６）

したがって、β_θ１パルス（Ｐ_１１およびＰ_１３）は、フリップ角がβ＝７０°に設定され、位相がθ_１＝１００°＋９０°×ｍ_１に設定された７０_{θ１＝１００°＋９０°×ｍ１}パルスとなる。

（３）コンポジットパルスＢ_２について
図２６（ｂ２）は、コンポジットパルスＢ_２の説明図である。
先ず、２α_φ２パルスＰ_２２について説明する。
２α_φ２パルスＰ_２２のフリップ角は２α＝２×１２０＝２４０°である。
また、２α_φ２パルスＰ_２２の位相φ_２は、式（１６）に、ｋ＝２、φ_０＝０°、λ＝０°を代入することにより求められる。
φ_ｋ＝φ_０＋ｋλ＋９０°×ｍ_ｋ
φ_２＝φ_０＋２λ＋９０°×ｍ_２
＝０°＋２×０°＋９０°×ｍ_２
＝９０°×ｍ_２ ・・・・・・・・・（２７）

したがって、２α_φ２パルスＰ_２２は、フリップ角が２α＝２４０°に設定され、位相がφ_２＝９０°×ｍ_２に設定された２４０_{φ２＝９０°×ｍ２}パルスとなる。

次に、β_θ２パルス（Ｐ_２１およびＰ_２３）について説明する。
β_θ２パルス（Ｐ_２１およびＰ_２３）のフリップ角はβ＝７０°である。
また、β_θ２パルス（Ｐ_２１およびＰ_２３）の位相θ_２は、式（１８）に、ｋ＝２、θ_０＝１００°、λ＝０°を代入することにより求められる。
θ_ｋ＝θ_０＋ｋλ＋９０°×ｍ_ｋ
θ_２＝θ_０＋２λ＋９０°×ｍ_２
＝１００°＋２×０°＋９０°×ｍ_２
＝１００°＋９０°×ｍ_２ ・・・・・・・・・（２８）

したがって、β_θ２パルス（Ｐ_２１およびＰ_２３）は、フリップ角がβ＝７０°に設定され、位相がθ_２＝１００°＋９０°×ｍ_２に設定された７０_{θ２＝１００°＋９０°×ｍ２}パルスとなる。

（４）コンポジットパルスＢ_３について
図２６（ｂ３）は、コンポジットパルスＢ_３の説明図である。
先ず、２α_φ３パルスＰ_３２について説明する。
２α_φ３パルスＰ_３２のフリップ角は２α＝２×１２０＝２４０°である。
また、２α_φ３パルスＰ_３２の位相φ_３は、式（１６）に、ｋ＝３、φ_０＝０°、λ＝０°を代入することにより求められる。
φ_ｋ＝φ_０＋ｋλ＋９０°×ｍ_ｋ
φ_３＝φ_０＋３λ＋９０°×ｍ_３
＝０°＋３×０°＋９０°×ｍ_３
＝９０°×ｍ_３ ・・・・・・・・・（２９）

したがって、２α_φ３パルスＰ_３２は、フリップ角が２α＝２４０°に設定され、位相がφ_３＝９０°×ｍ_３に設定された２４０_{φ３＝９０°×ｍ３}パルスとなる。

次に、β_θ３パルス（Ｐ_３１およびＰ_３３）について説明する。
β_θ３パルス（Ｐ_３１およびＰ_３３）のフリップ角はβ＝７０°である。
また、β_θ３パルス（Ｐ_３１およびＰ_３３）の位相θ_３は、式（１８）に、ｋ＝３、θ_０＝１００°、λ＝０°を代入することにより求められる。
θ_ｋ＝θ_０＋ｋλ＋９０°×ｍ_ｋ
θ_３＝θ_０＋３λ＋９０°×ｍ_３
＝１００°＋３×０°＋９０°×ｍ_３
＝１００°＋９０°×ｍ_３ ・・・・・・・・・（３０）

したがって、β_θ３パルス（Ｐ_３１およびＰ_３３）は、フリップ角がβ＝７０°に設定され、位相がθ_３＝１００°＋９０°×ｍ_３に設定された７０_{θ３＝１００°＋９０°×ｍ３}パルスとなる。

（５）コンポジットパルスＣについて
図２６（ｃ）は、コンポジットパルスＣの説明図である。
先ず、β_θ４パルスＰ_４１について説明する。
β_θ４パルスＰ_４１のフリップ角はβ＝７０°である。また、β_θ４パルスＰ_４１の位相θ_４は、式（２２）に、ｎ＝３、θ_０＝１００°、λ＝０°を代入することにより求められる。
θ_ｎ＋１＝θ_０＋（ｎ＋１）λ＋９０°×ｍ_ｎ＋１
θ_４＝θ_０＋４λ＋９０°×ｍ_４
＝１００°＋４×０°＋９０°×ｍ_４
＝１００°＋９０°×ｍ_４ ・・・・・・・・・（３１）

したがって、β_θ４パルスＰ_４１は、フリップ角がβ＝７０°で、位相がθ_４＝１００°＋９０°×ｍ_４に設定された７０_{θ４＝１００°＋９０°×ｍ４}パルスとなる。

次に、α_φ４パルスＰ_４２について説明する。
α_φ４パルスＰ_４２のフリップ角はα＝１２０°である。また、α_φ４パルスＰ_４２の位相φ_４は、式（２４）に、ｎ＝３、φ_０＝０°、λ＝０°を代入することにより求められる。
φ_ｎ＋１＝φ_０＋（ｎ＋１）λ＋９０°×ｍ_ｎ＋１
φ_４＝φ_０＋４λ＋９０°×ｍ_４
＝０°＋４×０°＋９０°×ｍ_４
＝９０°×ｍ_４ ・・・・・・・・・（３２）

したがって、α_φ４パルスＰ_４２は、フリップ角がα＝１２０°に設定され、位相がφ_４＝９０×ｍ_４に設定された１２０_{φ４＝９０°×ｍ４}パルスとなる。

ここで、式（２５）〜（３２）からわかるように、コンポジットパルスＢ_１、Ｂ_２、Ｂ_３、およびＣの位相は、それぞれ、ｍ_１、ｍ_２、ｍ_３、およびｍ_４の値に依存する。したがって、プリパレーションシーケンスＤＰ_７を実行した直後の磁化ベクトルの縦磁化Ｍｚの値は、（ｍ_１，ｍ_２，ｍ_３，ｍ_４）の値の組合せに応じて変化することがわかる。そこで、プリパレーションシーケンスＤＰ_７を実行した直後の磁化ベクトルの縦磁化ＭｚをＭｚ＝１（又は１に近い値）に戻すのに適した（ｍ_１，ｍ_２，ｍ_３，ｍ_４）の値の組合せを求めるためのシミュレーションを実行した。このシミュレーションから、（ｍ_１，ｍ_２，ｍ_３，ｍ_４）が以下の組み合わせのときに、良好な結果が得られることがわかった。
（ｍ_１，ｍ_２，ｍ_３，ｍ_４）＝（１，０，１，０） ・・・（３３）

式（３３）の値を式（２５）〜（３２）に代入すると、位相（φ_１，θ_１）、（φ_２，θ_２）、（φ_３，θ_３）、および（φ_４，θ_４）は、以下の値となる。

（φ_１，θ_１）＝（９０°，１９０°） ・・・（３４）
（φ_２，θ_２）＝（ ０°，１００°） ・・・（３５）
（φ_３，θ_３）＝（９０°，１９０°） ・・・（３６）
（φ_４，θ_４）＝（ ０°，１００°） ・・・（３７）

図２７に、位相が式（３４）〜式（３７）の値に設定されたときのプリパレーションシーケンスＤＰ_８を示す。図２７から、φ_０〜φ_４は、０°（ｘ軸）、９０°（ｙ軸）が交互に現れるように設定されており、一方、θ_０〜θ_４は、１００°、１９０°が交互に現れるように設定されていることがわかる。

図２７のプリパレーションシーケンスＤＰ_８は、撮影部位内でＢ０不均一やＢ１不均一が発生しても、磁化ベクトルの縦磁化Ｍｚを１に近い値に戻すことができる。このことを検証するため、ΔＢ０およびΔＢ１を変更し、図２７のプリパレーションシーケンスＤＰ_８を実行した直後（コンポジットパルスＣを印加した直後）の磁化ベクトルの縦磁化の値を調べるためのシミュレーションを行った。以下に、シミュレーション結果について説明する（図２８参照）。

図２８は、シミュレーション結果を示す図である。
図２８には、図２７のプリパレーションシーケンスＤＰ_８を実行した直後の縦磁化の値を表すＭｚマップＨ５が示されている。ＭｚマップＨ５の右側には、２つのプロファイルＦ５１およびＦ５２が示されている。プロファイルＦ５１は、ＭｚマップＨ５のΔＢ０＝０ＨｚにおけるＭｚを表している。一方、プロファイルＦ５２は、ＭｚマップＨ５のΔＢ１＝０％におけるＭｚを表している。

図２８を参照すると、Ｍｚ＝１に近い値を持つ領域が広範囲に渡って広がっていることがわかる。したがって、コンポジットパルスを用いることにより、Ｂ０不均一やＢ１不均一の影響を受けにくくすることができるので、高品質な画像を取得できることがわかる。

尚、図２５〜図２８では、ｎ＝３の場合について説明されているが、ｎはｎ＝３に限定されることはなく、任意の値に設定することができる。例えば、ｎ＝７に設定した場合について考える。ｎ＝７では、リフォーカスパルスの役割を果たすコンポジットパルスは、７回印加される。したがって、式（１５）のｍ_ｋは、ｋ＝１〜７の整数、すなわち、（ｍ_１，ｍ_２，ｍ_３，ｍ_４，ｍ_５，ｍ_６，ｍ_７）を考える必要がある。また、ｎ＝７であるので、式（２１）のｍ_ｎ＋１は、ｍ_ｎ＋１＝ｍ_８となる。したがって、ｎ＝７の場合、磁化ベクトルの縦磁化Ｍｚは、（ｍ_１，ｍ_２，ｍ_３，ｍ_４，ｍ_５，ｍ_６，ｍ_７，ｍ_８）の値に応じて変化する。そこで、磁化ベクトルの縦磁化ＭｚをＭｚ＝１（又は１に近い値）に戻すのに適した（ｍ_１，ｍ_２，ｍ_３，ｍ_４，ｍ_５，ｍ_６，ｍ_７，ｍ_８）の値の組み合わせを求めるためのシミュレーションを実行した。このシミュレーションから、良好な結果が得られる（ｍ_１，ｍ_２，ｍ_３，ｍ_４，ｍ_５，ｍ_６，ｍ_７，ｍ_８）の組合せの例として、以下の組合せが得られた。
（ｍ_１，ｍ_２，ｍ_３，ｍ_４，ｍ_５，ｍ_６，ｍ_７，ｍ_８）
＝（１，０，１，１，０，１，０，０）
＝（１，０，１，−１，０，−１，０，０）
＝（２，２，０，２，２，０，０，０）
＝（１，０，１，０，１，０，１，０）
＝（１，０，１，−１，１，１，−１，０）
＝（−１，０，−１，−１，０，−１，０，０）
＝（０，２，２，２，２，０，０，０）
＝（−１，０，−１，１，０，１，０，０）
＝（０，２，２，０，２，２，０，０）
＝（−１，０，−１，１，−１，−１，１，０）
＝（１，０，１，０，０，２，２，０）
＝（１，０，１，−１，−１，１，１，０）
＝（１，０，１，０，２，２，０，０）
＝（１，０，１，２，０，０，２，０）
＝（１，０，１，１，−１，−１，１，０）
＝（１，０，１，２，２，０，０，０）

以下に、上記の組み合わせの中から、（１，０，１，１，０，１，０，０）について得られたＭｚマップを示す。

図２９に、（ｍ_１，ｍ_２，ｍ_３，ｍ_４，ｍ_５，ｍ_６，ｍ_７，ｍ_８）＝（１，０，１，１，０，１，０，０）に設定したときのＭｚマップＨ６を示す。ＭｚマップＨ６の右側には、２つのプロファイルＦ６１およびＦ６２が示されている。プロファイルＦ６１は、ＭｚマップＨ６のΔＢ０＝０ＨｚにおけるＭｚを表している。一方、プロファイルＦ６２は、ＭｚマップＨ６のΔＢ１＝０％におけるＭｚを表している。
図２９を参照すると、Ｍｚ＝１に近い値を持つ領域が広範囲に渡って広がっていることがわかる。

尚、本形態では、φ_０およびθ_０は、任意の値に設定することができる。したがって、φ_０とθ_０との差の絶対値｜φ_０−θ_０｜は、｜φ_０−θ_０｜＝９０°に設定されていてもよいし、｜φ_０−θ_０｜＞９０°に設定されていてもよいし、｜φ_０−θ_０｜＜９０°に設定されていてもよい。

本形態では、δ_ｋおよびδ_ｎ＋１（式（１４）、式（２０）参照）は、δ_ｋ＝δ_ｎ＋１＝９０°の場合について説明されている。しかし、δ_ｋおよびδ_ｎ＋１は９０°に近い値を有しているのであれば、９０°に限定されることはない。一般的には、δ_ｋおよびδ_ｎ＋１は、８０°≦δ_ｋ，δ_ｎ＋１≦１００°の範囲に含まれていれば、高品質な画像を得ることが可能である。また、δ_ｋおよびδ_ｎ＋１の値は、ｋの値およびｎ＋１の値に応じて異なるように設定してもよい。

本形態では、プリパレーションシーケンスＤＰ_０〜ＤＰ_８は、コンポジットパルスと次のコンポジットパルスとの間に、勾配磁場（ＭＰＧ）を１つ有している。しかし、コンポジットパルスと次のコンポジットパルスとの間に、複数の勾配磁場を備えてもよい。また、複数の勾配磁場は、同じ極性でもよいし、異なる極性でもよい。また、複数の勾配磁場として、正の極性の勾配磁場と負の極性の勾配磁場との組合せからなるバイポーラの勾配磁場を備えてもよい。更に、コンポジットパルスと次のコンポジットパルスとの間に、勾配磁場を備えなくてもよい。勾配磁場を備えないことにより、局所磁場不均一に起因した位相の分散の情報を含む画像や、Ｔ２強調画像を取得することができる。

また、コンポジットパルスＣを印加した直後に、横磁化を消去するためのキラー勾配磁場を印加してもよい。更に、コンポジットパルスＡを印加する前に、脂肪抑制やＴ２強調を行うためのＲＦパルスを印加してもよい。

尚、プリパレーションシーケンスＤＰ_０〜ＤＰ_８は、心拍信号や呼吸信号などの生体信号に同期して実行してもよい。

２ マグネット
３ テーブル
３ａ クレードル
４ 受信コイル
５ 送信器
６ 勾配磁場電源
７ 受信器
８ コンピュータ
９ プロセッサ
１０ メモリ
１１ 操作部
１２ 表示部
１３ 被検体
２１ ボア
９１ 画像作成手段
１００ ＭＲ装置

Claims (27)

1. 被検体の撮影部位からＭＲ信号を収集するためのシーケンスを実行するスキャン手段を有する磁気共鳴装置であって、
   前記スキャン手段は、
   前記撮影部位を励起するために印加される第１のコンポジットパルスであって、フリップ角がαに設定され位相がφ_０に設定されたα_φ０パルスと、前記α_φ０パルスの後に印加され、フリップ角がβに設定され位相がθ_０に設定されたβ_θ０パルスとを有する第１のコンポジットパルスと、
   前記第１のコンポジットパルスの後に印加され、前記撮影部位内で分散した磁化ベクトルを再収束するためのｎ（≧１）個の第２のコンポジットパルスであって、ｎ個の第２のコンポジットパルスのうちのｋ（１≦ｋ≦ｎ）番目の第２のコンポジットパルスが、フリップ角がβに設定され位相がθ_ｋに設定されたβ_θｋパルスと、前記β_θｋパルスの後に印加され、フリップ角が２αに設定され位相がφ_ｋに設定された２α_φｋパルスと、前記２α_φｋ パルスの後に印加され、フリップ角がβに設定され位相がθ_ｋに設定されたβ_θｋパルスとを有するように構成されたｎ個の第２のコンポジットパルスと、
   前記ｎ個のコンポジットパルスの後に印加され、前記撮影部位の磁化ベクトルの横磁化を縦磁化に戻すための第３のコンポジットパルスであって、フリップ角がβに設定され位相がθ_ｎ＋１に設定されたβ_θｎ＋１パルスと、前記β_θｎ＋１パルスの後に印加され、フリップ角がαに設定され位相がφ_ｎ＋１に設定されたα_φｎ＋１パルスとを有する第３のコンポジットパルスと、
   を含むシーケンスを実行し、
   θ_ｋ、φ_ｋ、θ_ｎ＋１、およびφ_ｎ＋１は、以下の式で表される磁気共鳴装置。
   
   θ_ｋ＝θ_０＋λ_ｋ
   φ_ｋ＝φ_０＋λ_ｋ
   θ_ｎ＋１＝θ_０＋λ_ｎ＋１
   φ_ｎ＋１＝φ_０＋λ_ｎ＋１
   
   ただし、λ_ｋ＝ｋλ＋δ_ｋ×ｍ_ｋ
   λ_ｎ＋１＝（ｎ＋１）λ＋δ_ｎ＋１×ｍ_ｎ＋１
   ここで、λ：角度
   δ_ｋ：ｋの値に応じて定まる角度であって、８０°≦δ_ｋ≦１００°の角度
   ｍ_ｋ：ｋの値に応じて定まる整数
   δ_ｎ＋１：ｎ＋１の値に応じて定まる角度であって、８０°≦δ_ｎ＋１≦１００°の角度
   ｍ_ｎ＋１：ｎ＋１の値に応じて定まる整数
2. δ_ｋ＝δ_ｎ＋１＝９０°である、請求項１に記載の磁気共鳴装置。
3. α＝βである請求項１又は２に記載の磁気共鳴装置。
4. α＝β＝９０°である請求項３に記載の磁気共鳴装置。
5. α≠βである請求項１又は２に記載の磁気共鳴装置。
6. α＞９０°＞βである請求項５に記載の磁気共鳴装置。
7. φ_０とθ_０との差の絶対値｜φ_０−θ_０｜が、｜φ_０−θ_０｜＝９０°に設定されている、請求項１〜６のうちのいずれか一項に記載の磁気共鳴装置。
8. φ_０とθ_０との差の絶対値｜φ_０−θ_０｜が、｜φ_０−θ_０｜＞９０°に設定されている、請求項１〜６のうちのいずれか一項に記載の磁気共鳴装置。
9. φ_０とθ_０との差の絶対値｜φ_０−θ_０｜が、｜φ_０−θ_０｜＜９０°に設定されている、請求項１〜６のうちのいずれか一項に記載の磁気共鳴装置。
10. αおよびβが、それぞれα＝１１２．５°およびβ＝７５°に設定され、φ_０とθ_０との差の絶対値｜φ_０−θ_０｜が、｜φ_０−θ_０｜＝９０°に設定されている、請求項１又は２に記載の磁気共鳴装置。
11. αおよびβが、それぞれα＝１２０°およびβ＝７０°に設定され、φ_０とθ_０との差の絶対値｜φ_０−θ_０｜が、｜φ_０−θ_０｜＝１００°に設定されている、請求項１又は２に記載の磁気共鳴装置。
12. ｎ＝１であり、（ｍ_１，ｍ_２）＝（０，０）である、請求項１〜１１のうちのいずれか一項に記載の磁気共鳴装置。
13. ｎ＝３であり、（ｍ_１，ｍ_２，ｍ_３，ｍ_４）＝（１，０，１，０）である、請求項１〜１１のうちのいずれか一項に記載の磁気共鳴装置。
14. ｎ＝７であり、（ｍ_１，ｍ_２，ｍ_３，ｍ_４，ｍ_５，ｍ_６，ｍ_７，ｍ_８）は、以下のいずれかの組み合わせに設定されている、請求項１〜１１のうちのいずれか一項に記載の磁気共鳴装置。
    （１，０，１，１，０，１，０，０）
    （１，０，１，−１，０，−１，０，０）
    （２，２，０，２，２，０，０，０）
    （１，０，１，０，１，０，１，０）
    （１，０，１，−１，１，１，−１，０）
    （−１，０，−１，−１，０，−１，０，０）
    （０，２，２，２，２，０，０，０）
    （−１，０，−１，１，０，１，０，０）
    （０，２，２，０，２，２，０，０）
    （−１，０，−１，１，−１，−１，１，０）
    （１，０，１，０，０，２，２，０）
    （１，０，１，−１，−１，１，１，０）
    （１，０，１，０，２，２，０，０）
    （１，０，１，２，０，０，２，０）
    （１，０，１，１，−１，−１，１，０）
    （１，０，１，２，２，０，０，０）
15. 前記スキャン手段は、コンポジットパルスを印加した後、次のコンポジットパルスを印加する前に、勾配磁場を印加しない、請求項１〜１４のうちのいずれか一項に記載の磁気共鳴装置。
16. 前記スキャン手段は、コンポジットパルスを印加した後、次のコンポジットパルスを印加する前に、勾配磁場を印加する、請求項１〜１４のうちのいずれか一項に記載の磁気共鳴装置。
17. 前記スキャン手段は、極性が同じ複数の勾配磁場を印加する、請求項１６に記載の磁気共鳴装置。
18. 前記スキャン手段は、極性が異なる複数の勾配磁場を印加する、請求項１６に記載の磁気共鳴装置。
19. 前記複数の勾配磁場は、バイポーラの勾配磁場である、請求項１８に記載の磁気共鳴装置。
20. 前記勾配磁場は、拡散強調を行うための勾配磁場である、請求項１６〜１９のうちのいずれか一項に記載の磁気共鳴装置。
21. 前記スキャン手段は、前記第３のコンポジットパルスの後に、横磁化を消去するためのキラー勾配磁場を印加する、請求項１〜２０のうちのいずれか一項に記載の磁気共鳴装置。
22. 前記スキャン手段は、前記シーケンスの後に、前記撮影部位からイメージングデータを収集するための他のシーケンスを実行する、請求項１〜２１のうちのいずれか一項に記載の磁気共鳴装置。
23. 前記スキャン手段は、前記シーケンスを実行する前に、又は、前記シーケンスを終了してから前記他のシーケンスを開始するまでの間に、ＲＦパルスを印加する、請求項２２に記載の磁気共鳴装置。
24. 前記ＲＦパルスは、脂肪抑制パルス、又はＴ２強調を行うためのパルスである、請求項２３に記載の磁気共鳴装置。
25. 前記スキャン手段は、前記被検体の生体信号に同期して、前記シーケンスを実行する、請求項１〜２４のうちのいずれか一項に記載の磁気共鳴装置。
26. 前記生体信号は、心拍信号および呼吸信号のうちの少なくともいずれか一方の信号である、請求項２５に記載の磁気共鳴装置。
27. 前記シーケンスは、血液の磁化ベクトルの縦磁化を、静止組織の磁化ベクトルの縦磁化よりも小さくする、請求項１〜２６のうちのいずれか一項に記載の磁気共鳴装置。