JP6251870B2 - スラッジ回収方法及び粉粒体の製造方法 - Google Patents
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Description
本発明に係るスラッジ回収方法は、前記水溶液の温度が30℃より高いものである。また、本発明に係るスラッジ回収方法は、前記Siの加工と同時に予めマイクロバブルを含む水を供給し、当該マイクロバブルの酸素成分と前記Siとを反応させてSiO2安定酸化膜を形成するものである。
まず、第1の実験として、Si酸化量の制御を目的とする各環境条件でのSiの酸化挙動の調査を重量変化、EDX分析、オージェ分析などにより行った。
図2に本実験で用いた各試料を走査型電子顕微鏡(SEM)で撮像した画像を示す。試料Aは切断スラッジであり、多結晶Siの切断粉で切削水中から採取したものである。試料AのBET値は19.2m2/gである。試料Bは集塵粉であり、乾式での破砕時に生じる乾燥粉体である。試料BのBET値は4.15m2/gである。試料Cは購入したものであり、外部から入手したSiスラッジである。試料CのBET値は5.9m2/gである。
上記の実験結果を踏まえ、第2の実験としてSi酸化の進行機構を検証する実験を行った。この実験は、Si表面が、新生面が水中又は脱酸素雰囲気で形成され、十分な酸素が存在しない状況で酸化が進行する場合、すなわち安定酸化膜が形成されない場合にSiの酸化が顕著に進行するという想定で行った。
(a)ウエハ片(10数mm角)を乾式で研磨(耐水研磨紙600番→1200番)後、洗浄、70℃で3分乾燥後、200cc水道水に浸漬。70℃3時間保持。その後乾燥。
(b)ウエハ片(10数mm角)を水中で研磨(耐水研磨紙600番→1200番)後、洗浄、乾燥させることなく200cc水道水に浸漬。70℃3時間保持。その後乾燥。
(c)ウエハ片(10数mm角)を水中で研磨(耐水研磨紙600番→1200番)後、洗浄、乾燥させることなく200cc水道水に浸漬。70℃3時間保持。常温湿潤紙中に96時間保持。その後乾燥。
(1)SEM観察:表面状態を確認すると共に分析領域を指定する。
(2)深さ方向分析:表層組織の深さ分布を知るために主成分について深さ方向分析する。
以下、分析結果を説明する。図5に分析した領域付近を観察したSEM写真を示す。図5(A)が試料aの乾式研磨した場合の写真、図5(B)が試料bの湿式研磨した場合の写真、図5(C)が試料cの湿式研磨後水中保持した場合の写真である。図5の写真からわかるように、試料aの場合は、多少研磨による線状の傷があるものの表面は比較的平坦になっており、試料bの場合は、研磨による線状の傷に加えて酸化による凹凸部分が散見され、試料cの場合は、酸化による激しい凹凸部分がほとんどの領域に広がっている。
図6に深さ方向の分析結果を示す。図6(A)が試料a、図6(B)が試料b、図6(C)が試料cの分析結果である。横軸がスパッタ時間(分:スパッタ速度=約4.4nm/分)、縦軸が濃度(原子%)である。図6(C)については、横軸のスケールが異なった状態で示されている。
Si粉スラッジについては、空気バブリングが新生面への安定酸化膜形成に有効であることが考えられることから、第3の実験として検証実験を行った。
Siウエハは、表面に安定な酸化膜が形成されている場合において、深部への酸化は抑制されており、表面に安定酸化膜が形成されない雰囲気(水中など)で新生面が形成され、その表面が水中に暴露されると酸化が進行し、表面は侵食された凹凸のある状態となる。また、切断スラッジにおいては、水中でスラッジ粉が生成される場合、時間の経過と共に水素発生を伴い酸化が進行する。スラッジ溶液中に空気バブリングすることにより水素発生は短時間で抑制され、酸化の程度も顕著に軽減される。表面に安定酸化膜が形成されたことにより深部への酸化が抑制される。N2バブリングは溶液中の溶存酸素量を低減する効果があると考えられたが、スラッジの酸化の程度を軽減させることはなかった。
溶液量と空気の流入量との関係を検証するために第4の実験を行った。多結晶Siインゴットにドリルで穴加工することにより、Si粉を生成し、そのSi粉の酸化状況を調査した。
以上のことから、酸素気泡率P(O2)値が0.02(空気気泡率P(air)=0.1)以上となるように空気の流量等を調整することで、酸化の進行を効率よく抑えることができる。
上記第4の実験と同様の条件において、空気気泡率P(air)値を2(酸素気泡率P(O2)=0.4)%に固定して、スラッジ溶液温度を20℃から90℃まで変化させて第5の実験をおこなった。またバブリング時間は1時間とした。50℃の場合を基準として、水中保持後のEDX分析による酸素濃度の比を図9に示す。65℃超においては、バブリングによる酸化抑制の効果が顕著に減少している。したがって、空気または酸素を含む気体によるバブリングは、65℃以下でおこなうことが好ましいことが明らかである。
Claims (5)
- 水又は水溶液中でケイ素(シリコン:Si)を加工する際に発生する前記Siの粉末を含むスラッジから前記Siを回収するスラッジ回収方法において、
水又は水溶液中での前記Siの加工により発生する前記粉末の新生面に水又は水溶液中の酸素気泡率が0.02%以上となるような酸素(O2)を含む気体を供給し、供給された前記気体に含まれる酸素(O2)と前記Siとが反応して生成されるSiO2安定酸化膜を形成する安定酸化膜形成ステップを含むことを特徴とするスラッジ回収方法。 - 請求項1に記載のスラッジ回収方法において、
前記水又は水溶液の温度が65℃以下であることを特徴とするスラッジ回収方法。 - 請求項2に記載のスラッジ回収方法において、
前記水又は水溶液の温度が30℃より高いことを特徴とするスラッジ回収方法。 - 請求項1ないし3のいずれかに記載のスラッジ回収方法において、
前記Siの加工と同時に予めマイクロバブルを含む水又は水溶液を供給し、当該マイクロバブルの酸素成分と前記Siとを反応させてSiO 2 安定酸化膜を形成することを特徴とするスラッジ回収方法。 - 水又は水溶液中でケイ素(シリコン:Si)を加工する際に発生する前記Siの粉末を含むスラッジから前記Siの粉粒体を製造する粉粒体の製造方法において、
水又は水溶液中での前記Siの加工により発生する前記粉末の新生面に、水又は水溶液中の酸素気泡率が0.02%以上となるような酸素(O 2 )を含む気体を供給し、供給された酸素(O 2 )と前記Siとが反応して生成されるSiO 2 安定酸化膜を形成する安定酸化膜形成ステップを含むことを特徴とする粉粒体の製造方法。
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