JP6242776B2 - 保護膜組成物、半導体装置の製造方法およびレーザーダイシング方法 - Google Patents
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Description
ダイシング方法としては、近年では、レーザーダイシングが用いられている。
レーザーダイシングとは、対象物にレーザーを照射して、対象物を所望の形状に切削する方法であって、短時間で精度のよい加工を行うことが可能である。
デバイス表面をデブリから保護する加工方法として、基板表面に保護膜を形成し、保護膜を介してレーザー光を照射する加工方法が提案されている。保護膜としては、レーザーダイシング後には洗浄除去可能な水溶性保護膜の検討が進められている。
また、特許文献2には、ポリエチルオキサゾリンおよびポリビニルピロリドンから選ばれる少なくとも1種のレジンと、水溶性レジンおよびアルコール単量体から選ばれる少なくとも1種の成分と、溶媒としての、水または水と有機溶媒との混合物とを含むウエハーダイシング用保護膜組成物が開示されている。
一方、特許文献3には、有機半導体膜と層間絶縁膜の間に位置する遮光性保護膜形成用の組成物として、水溶性樹脂、水溶性染料化合物、及び、溶媒を含む遮光型水溶性樹脂組成物が開示されている。
また、特許文献2は、レーザー光吸収剤を含んでいないため、レーザー光の保護膜中の光が吸収される領域の広がりを抑制できないことが分かった。このため、切削幅が太くなる問題があった。
一方、特許文献3は、有機半導体膜と層間絶縁膜の間に位置する遮光性保護膜形成用の組成物が開示されているが、特許文献3には、レーザーダイシングへの適用についての記載はない。また、特許文献3に開示された組成物を用いて保護膜を形成し、レーザーダイシングを行っても、特許文献1と同様に、ダイシング対象の基板の厚みが大きくなるに伴い、綺麗な切削面が得られ難かったり、切削幅が太くなるなど、良好な切削形状が得られず、切削性が低下する傾向にある。
<1> 水溶性樹脂と、レーザー光吸収剤を内包した樹脂カプセルと、水系溶媒とを含有する、保護膜組成物。
<2> さらに界面活性剤を含有する<1>に記載の保護膜組成物。
<3> 水溶性樹脂が、ポリビニルアルコールおよびポリビニルピロリドンから選ばれる少なくとも1種である、<1>または<2>に記載の保護膜組成物。
<4> 水系溶媒が、水、または、水と有機溶媒との混合溶媒である<1>〜<3>のいずれかに記載の保護膜組成物。
<5> レーザーダイシング用である<1>〜<4>のいずれかに記載の保護膜組成物。
<6> 厚さ10μm以上の薄膜基板のレーザーダイシングに用いられるものである、<1>〜<5>のいずれかに記載の保護膜組成物。
<7> <1>〜<6>のいずれかに記載の保護膜組成物を基板上に適用して保護層を形成する工程と、保護層を介して基板にレーザー光を照射して、レーザーダイシングを行う工程と、レーザーダイシング後の基板を、水洗して、保護層を基板から除去する工程とを含む、半導体装置の製造方法。
<8> 基板は、厚さ10μm以上である、<7>に記載の半導体装置の製造方法。
<9> <1>〜<6>のいずれかに記載の保護膜組成物を基板上に適用して保護層を形成する工程と、保護層を介して基板にレーザー光を照射して、レーザーダイシングを行う工程と、レーザーダイシング後の基板を、水洗して、保護層を基板から除去する工程とを含む、レーザーダイシング方法。
本明細書において「〜」を用いて表される数値範囲は、「〜」の前後に記載される数値を下限値および上限値として含む範囲を意味する。
本明細書において「工程」との語は、独立した工程だけではなく、他の工程と明確に区別できない場合であってもその工程の所期の作用が達成されれば、本用語に含まれる。
本明細書において固形分濃度とは、組成物の総質量に対する、溶剤を除く他の成分の質量の質量百分率である。固形分とは、25℃における固形分をいう。
本明細書において、重量平均分子量は、GPC測定によるポリスチレン換算値として定義される。本明細書において、重量平均分子量(Mw)及び数平均分子量(Mn)は、例えば、HLC−8220(東ソー(株)製)を用い、カラムとしてTSKgel Super AWM―H(東ソー(株)製、6.0mmID×15.0cmを用いることによって求めることができる。溶離液は特に述べない限り、10mmol/L リチウムブロミドNMP(N−メチルピロリジノン)溶液を用いて測定したものとする。
本発明の保護膜組成物は、水溶性樹脂と、レーザー光吸収剤を内包した樹脂カプセルと、水系溶媒とを含有する。
本発明の保護膜組成物を用いることで、厚みのある基板に対しても、レーザーダイシングにおいて、良好な切削形状を与えることができる。このような効果が得られるメカニズムとしては、以下によるものと推測される。レーザー光吸収剤を樹脂カプセルで内包することで、詳細な理由は分からないが、レーザー照射によるレーザー光吸収剤の性能劣化を抑制できた。更には、上記樹脂カプセルは、保護膜中で分散して存在すると考えられ、レーザー光の吸収と、レーザー光の散乱の2つの効果が得られ、保護膜中におけるレーザー光の広がりを効率よく抑制できた。ダイシング対象の基板の厚みを大きくするに伴い、保護膜に照射されるレーザー光の照射エネルギーを大きくする必要があるが、本発明によれば、レーザー照射によるレーザー光吸収剤の性能劣化が生じにくく、更には、保護膜中におけるレーザー光の広がりを効率よく抑制できることから、厚みのある基板をレーザーダイシングする際にも、保護膜によりレーザー光による光の広がりを効率よく抑制でき、その結果、良好な切断形状を与えることが可能になったと考えられる。更には、デブリの発生を抑制でき、デバイス表面の保護性能も良好である。
また、本発明の保護膜組成物は、水溶性樹脂を含むので、水洗により、基板表面から簡単に除去することができる。
本発明の保護膜組成物は、レーザーダイシング用の保護膜組成物として好ましく用いることができる。
以下、本発明の保護膜組成の各成分について説明する。
本発明の保護膜組成物は、水溶性樹脂を含む。本発明における水溶性樹脂は、20℃における水に対する溶解量が1質量%以上である樹脂をいう。
本発明で用いる水溶性樹脂は、ポリビニルアルコール、ポリビニルピロリドン、水溶性多糖類(水溶性のセルロース(メチルセルロース、ヒドロキシエチルセルロース、ヒドロキシプロピルセルロース、ヒドロキシエチルメチルセルロース、ヒドロキシプロピルメチルセルロース等)、プルラン、プルラン誘導体、デンプン、ヒドロキシプロピルデンプン、カルボキシメチルデンプン、キトサン、シクロデキストリン)、ポリエチレングリコール、ポリエチレンオキサイド、ポリアクリル酸、ポリグリセリン等を例示することができる。ポリアクリル酸の例としては、ポリアクリル酸、ポリメタクリル酸、アクリル酸−メタクリル酸共重合体、アクリル酸エステル−メタクリル酸エステル共重合体などを挙げることができる。その他にも、水溶性樹脂として、ポリエチレンイミン、ポリエチレンオキシド、ポリビニルアミン、ポリアリルアミンなどを使用することができる。これらは、1種単独で使用することもできるし、2種以上を組み合わせて使用することもできる。また、これらの中から、主鎖構造が相違する2種以上を選択して使用してもよく、共重合体として使用してもよい。
なかでも、水溶性樹脂は、ポリビニルアルコールおよび/またはポリビニルピロリドンが好ましい。ポリビニルアルコールを用いることにより、基板との密着性が良好で、水洗により除去しやすい保護膜を形成することができる。また、ポリビニルピロリドンを用いることにより、熱安定性が良好で、水洗により除去しやすい保護膜を形成することができる。
水溶性樹脂としてポリビニルアルコールを用いる場合、ケン化度は、70mol%〜95mol%が好ましく、80mol%〜90mol%がより好ましい。
また、水溶性樹脂は、重量平均分子量が異なる2種以上を選択して使用してもよい。
水溶性樹脂の分散度(分子量分布)は、通常1.0〜3.0であり、好ましくは1.0〜2.6の範囲のものが好ましく使用される。
本発明の保護膜組成物において、水溶性樹脂の含有量は、保護膜組成物の全固形分に対して、80〜99.9質量%が好ましい。下限は、90質量%以上がより好ましく、95質量%以上が更に好ましい。上限は、99.8質量%以下がより好ましく、99質量%以下が更に好ましい。
本発明の保護膜組成物において、水溶性樹脂の含有量は、保護膜組成物の全質量(溶剤を含む)に対して、1〜60質量%が好ましい。下限は、5質量%以上がより好ましく、10質量%以上が更に好ましい。上限は、50質量%以下がより好ましく、40質量%以下が更に好ましい。
本発明の保護膜組成物は、レーザー光吸収剤を内包した樹脂カプセルを含む。なお、本発明において、「レーザー光吸収剤を内包した樹脂カプセル」とは、樹脂で形成されたカプセル壁の内部に、レーザー光吸収剤が存在している状態を意味する。
樹脂カプセルに内包されるレーザー光吸収剤としては、特に限定はないが、波長250〜700nmの範囲に、極大吸収波長を有する化合物が好ましい。極大吸収波長は、300〜550nmの範囲に有することがより好ましく、300〜400nmの範囲に有することが更に好ましい。
レーザー光吸収剤の例としては、サリチル酸系化合物、ベンゾフェノン系化合物、ベンゾトリアゾール系化合物、シアノアクリレート系化合物、トリアジン系化合物等が挙げられる。
サリチル酸系化合物としては、例えば、p−t−ブチルフェニルサリシレート、p−オクチルフェニルサリシレート等が挙げられる。
ベンゾフェノン系化合物としては、例えば、2,4−ジヒドロキシベンゾフェノン、2−ヒドロキシ−4−メトキシベンゾフェノン、2−ヒドロキシ−4−メトキシ−5−スルホベンゾフェノン、2,2',4,4'−テトラヒドロキシベンゾフェノン、ビス(2−メトキシ−4−ヒドロキシ−5−ベンゾイルフェニル)メタン等が挙げられる。
ベンゾトリアゾール系化合物としては、例えば、2−(2'−ヒドロキシ−5'−メチルフェニル)ベンゾトリアゾール、2−(2'−ヒドロキシ−5'−メチルフェニル)ベンゾトリアゾール、2,2'−メチレンビス[4−(1,1,3,3−テトラメチルブチル)−6−(2Hベンゾトリアゾール−2−イル)フェノール]等が挙げられる。
シアノアクリレート系化合物としては、例えば、エチル−2−シアノ−3,3'−ジフェニルアクリレート)等が挙げられる。
トリアジン系化合物としては、例えば、2−(4,6−ジフェニル−1,3,5−トリアジン−2−イル)−5−[(ヘキシル)オキシ]−フェノール等が挙げられる。
樹脂カプセルのカプセル壁を構成する材料としては、アクリル樹脂、ポリウレタン樹脂、ポリウレア樹脂、ポリイソシアネート樹脂、ポリアミド樹脂、ポリスルホンアミド樹脂、尿素ホルマリン樹脂、メラミン尿素樹脂、フェノールホルマリン樹脂等が挙げられる。なかでも、水系溶媒への分散性が良好であるという理由からアクリル樹脂が好ましい。
樹脂カプセルの平均一次粒子径は、0.1〜100μmが好ましく、0.1〜10μmがより好ましい。なお、本発明において、樹脂カプセルの平均粒子径は、走査型電子顕微鏡で撮影し画像解析により粒径を測定した値である。
レーザー光吸収剤を内包した樹脂カプセルは、市販されており、たとえば、TINUVIN 99−DW、400−DW、477−DW、479−DW、5333‐DW(BASF社製)などが挙げられ、これらを好ましく用いることができる。
本発明の保護膜組成物において、レーザー光吸収剤を内包した樹脂カプセルの含有量は、保護膜組成物の全固形分に対して、0.1〜10質量%が好ましい。下限は、0.5質量%以上がより好ましく、1質量%以上が更に好ましい。上限は、8質量%以下がより好ましく、5質量%以下が更に好ましい。
本発明の保護膜組成物において、レーザー光吸収剤の含有量は、保護膜組成物の全固形分に対して、0.001〜5質量%が好ましい。下限は、0.05質量%以上がより好ましく、0.2質量%以上が更に好ましい。上限は、3質量%以下がより好ましく、2質量%以下が更に好ましい。
本発明の保護膜組成物において、レーザー光吸収剤を内包した樹脂カプセルの含有量は、保護膜組成物の全質量(溶剤を含む)に対して、0.05〜5質量%が好ましい。下限は、0.1質量%以上がより好ましく、0.5質量%以上が更に好ましい。上限は、4質量%以下がより好ましく、2質量%以下が更に好ましい。
本発明の保護膜組成物は、水系溶媒を含む。
水系溶媒としては、水、水と有機溶媒との混合溶媒が挙げられる。
有機溶媒は、水に対して可溶なものが用いられる。なお、本発明において、有機溶媒が「水に対して可溶」とは、20℃の水100gに対して、有機溶剤が0.1g以上溶解することを意味する。
有機溶媒としては、例えば、(1)メタノール、エタノール、1−プロパノール、1−ブタノール、1−ペンタノール、3−メチル−1−ブタノール、1−ヘキサノール、4−メチル−1−ペンタノール、1−ヘプタノール、5−メチル−1−ヘキサノール、1−オクタノール、6−メチル−1−ヘプタノール、1−ノナノール、1−デカノール等の第一級アルコール類;(2)2−プロパノール、2−ブタノール、2−ペンタノール、2−ヘキサノール、2−ヘプタノール、2−オクタノール、2−ノナノール、2−デカノール等の第二級アルコール類;(3)t−ブタノ−ル、t−アミルアルコール、2,3−ジメチル−2−ブタノール、2−メチル−2‐ペンタノール、3−メチル−3−ペンタノール、3−エチル−3−ペンタノール、3−エチル−2−メチル−3−ペンタノール、2,3−ジメチル‐2−ペンタノール、2,3−ジメチル−3−ペンタノール、2,3、4−トリメチル−3−ペンタノール、3,4、4−トリメチル−3−ペンタノール等の第三級アルコール類;(4)エチレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテル、エチレングリコールモノプロピルエーテル、エチレングリコールモノブチルエーテル等のエチレングリコールモノアルキルエーテル類;(5)プロピレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノエチルエーテル、プロピレングリコールモノプロピルエーテル、プロピレングリコールモノブチルエーテル等のプロピレングリコールモノアルキルエーテル類等を挙げることができる。上記の有機溶剤は、1種単独で用いてもよく、2種以上を混合して用いることもできる。
本発明において、水系溶媒は、水、水と第一級アルコール類との混合溶媒、水と第二級アルコール類との混合溶媒が好ましく、水がより好ましい。
保護膜組成物は、固形分濃度が0.5〜50質量%となる割合で、水系溶媒を含有することが好ましく、1〜40質量%がより好ましく、2〜30質量%が更に好ましい。固形分濃度を上記範囲とすることでより均一に塗布することができる。
界面活性剤としては、表面張力を低下させるものであれば、ノニオン系界面活性剤、アニオン系界面活性剤、両性界面活性剤など、どのようなものでもかまわない。
ノニオン界面活性剤としては、例えば、ポリオキシエチレンラウリルエーテル、ポリオキシエチレンセチルエーテル、ポリオキシエチレンステアリルエーテル等のポリオキシエチレンアルキルエーテル類、ポリオキシエチレンオクチルフェニルエーテル、ポリオキシエチレンノニルフェニルエーテル等のポリオキシエチレンアルキルアリルエーテル類、ポリオキシエチレンステアレート等のポリオキシエチレンアルキルエステル類、ソルビタンモノラウレート、ソルビタンモノステアレート、ソルビタンジステアレート、ソルビタンモノオレエート、ソルビタンセスキオレエート、ソルビタントリオレエート等のソルビタンアルキルエステル類、グリセロールモノステアレート、グリセロールモノオレート等のモノグリセリドアルキルエステル類等、フッ素あるいはシリコンを含有するオリゴマー等、アセチレングリコール、アセチレングリコールのエチレンオキシド付加物等が挙げられる。
アニオン系界面活性剤としては、例えば、ドデシルベンゼンスルホン酸ナトリウム等のアルキルベンゼンスルホン酸塩類、ブチルナフタレンスルホン酸ナトリウム、ペンチルナフタレンスルホン酸ナトリウム、ヘキシルナフタレンスルホン酸ナトリウム、オクチルナフタレンスルホン酸ナトリウム等のアルキルナフタレンスルホン酸塩類、ラウリル硫酸ナトリウム等のアルキル硫酸塩類、ドデシルスルホン酸ソーダ等のアルキルスルホン酸塩類、ジラウリルスルホコハク酸ナトリウム等のスルホコハク酸エステル塩類等が挙げられる。
両性界面活性剤としては、ラウリルベタイン、ステアリルベタイン等のアルキルベタイン類、アミノ酸類等が挙げられる。
保護膜組成物が界面活性剤を含む場合、界面活性剤の含有量は、保護膜組成物の全固形分に対して、0.02〜5質量%が好ましい。下限は、0.03質量%以上がより好ましく、0.04質量%以上が更に好ましい。上限は、3質量%以下がより好ましく、1質量%以下が更に好ましい。
また、界面活性剤の含有量は、保護膜組成物の全質量(溶剤を含む)に対して、0.002〜3質量%が好ましい。下限は、0.003質量%以上がより好ましく、0.004質量%以上が更に好ましい。上限は、2質量%以下がより好ましく、1質量%以下が更に好ましい。
本発明の保護膜組成物は、さらに可塑剤を含有することができる。可塑剤としては、ポリエチレンオキシド、ポリプロピレンオキシド、エチレングリコール、トリエチレングリコール、テトラエチレングリコール、エタノールアミン、グリセリン、ソルビトール、グリセロールエステル、三酢酸グリセロール、脂肪酸トリグリセライド等を例示することができ、一種もしくは二種以上を組み合わせて使用することができる。
保護膜組成物が可塑剤を含む場合、可塑剤の含有量は、保護膜組成物の全質量(溶剤を含む)に対して、1〜50質量%が好ましい。下限は、2質量%以上がより好ましく、3質量%以上が更に好ましい。上限は、10質量%以下がより好ましく、7質量%以下が更に好ましい。
保護膜組成物は、上述の各成分を混合して調製することができる。各成分の混合は、通常、0℃〜100℃の範囲で行われる。また、各成分を混合した後、例えば、フィルタでろ過することが好ましい。ろ過は、多段階で行ってもよいし、多数回繰り返してもよい。また、ろ過した液を再濾過することもできる。
フィルタとしては、従来からろ過用途等に用いられているものであれば特に限定されることなく用いることができる。例えば、PTFE(ポリテトラフルオロエチレン)等のフッ素樹脂、ナイロン−6、ナイロン−6,6等のポリアミド系樹脂、ポリエチレン、ポリプロピレン(PP)等のポリオレフィン樹脂(高密度、超高分子量を含む)等によるフィルタが挙げられる。これら素材の中でもポリプロピレン(高密度ポリプロピレンを含む)およびナイロンが好ましい。
フィルタの孔径は、例えば、0.5〜100μm程度が適している。この範囲とすることにより、ろ過詰まりを抑えつつ、組成物に含まれる不純物や凝集物など、微細な異物を確実に除去することが可能となる。
フィルタを使用する際、異なるフィルタを組み合わせても良い。その際、第1のフィルタでのフィルタリングは、1回のみでもよいし、2回以上行ってもよい。異なるフィルタを組み合わせて2回以上フィルタリングを行う場合は1回目のフィルタリングの孔径より2回目以降の孔径が同じ、もしくは小さい方が好ましい。また、上述した範囲内で異なる孔径の第1のフィルタを組み合わせてもよい。ここでの孔径は、フィルタメーカーの公称値を参照することができる。市販のフィルタとしては、例えば、日本ポール株式会社、アドバンテック東洋株式会社、日本インテグリス株式会社(旧日本マイクロリス株式会社)又は株式会社キッツマイクロフィルタ等が提供する各種フィルタの中から選択することができる。
次に、本発明の半導体装置の製造方法およびレーザーダイシング方法について説明する。
本発明の半導体装置の製造方法およびレーザーダイシング方法は、本発明の保護膜組成物を基板上に適用して保護層を形成する工程(工程1)と、
保護層を介して基板にレーザー光を照射して、レーザーダイシングを行う工程(工程2)と、
レーザーダイシング後の基板を、水洗して、保護層を基板から除去する工程(工程3)とを含む。
本発明のレーザーダイシング方法について、半導体装置の製造に適用した例を挙げて、以下説明するが、本発明のレーザーダイシング方法は、半導体装置の製造以外にも、基板をダイシングする用途全般に適用することができる。
以下、本発明の半導体装置の製造方法およびレーザーダイシング方法の各工程について説明する。
工程1では、本発明の保護膜組成物を基板上に適用して保護層を形成する。
基板は、例えば、半導体装置において公知のものを制限なく使用することができ、例えば、シリコン基板、化合物半導体基板などが挙げられる。化合物半導体基板の具体例としては、SiC基板、SiGe基板、ZnS基板、ZnSe基板、GaAs基板、InP基板、GaN基板などが挙げられる。
基板の表面には、機械構造や回路が形成されていてもよい。機械構造や回路が形成された基板としては、例えば、MEMS(Micro Electro Mechanical Systems)、パワーデバイス、イメージセンサ、マイクロセンサー、LED、光学デバイス、インターポーザー、埋め込み型デバイス、マイクロデバイスなどが挙げられる。
基板の厚みは、10μm以上が好ましく、20μm以上が更に好ましく、50μm以上が一層好ましい。上限は、例えば、500μm以下が好ましく、200μm以下がより好ましく、100μm以下が一層好ましい。本発明は、Low−k材等を含むもろい材質の基板に対しても、レーザーダイシングにおいて、良好な切削形状を与えることができる。
次に、保護層を介して基板にレーザー光を照射し、基板のダイシング加工すべきラインに沿ってレーザー光を走査してレーザーダイシングを行う。
上記保護膜は、レーザー光吸収剤を内包した樹脂カプセルを含むため、高いレーザー光吸収能を有しており、レーザー光が保護膜を通して基板に照射されると、膜内でのレーザー光の広がりを抑えつつ、レーザー光の照射部位で、基板の熱分解と同時、あるいは、基板の熱分解に先立って、保護膜の熱分解が生じて破断が生じる。
また、レーザー光が照射されていない部分においては、基板は保護膜で覆われているため、基材の熱分解物などによるデブリから、基材表面を保護でき、デブリの付着などを防止できる。
そして、この保護膜は、レーザー照射によるレーザー光吸収剤の性能劣化が生じにくく、更には、保護膜中におけるレーザー光の広がりを効率よく抑制できることから、厚みのある基板をレーザーダイシングする際にも、保護膜によりレーザー光による光の広がりを効率よく抑制でき、その結果、良好な切断形状を与えることができる。
レーザー光の波長は、200〜600nmが好ましく、300〜500nmがより好ましい。レーザー光のスポット径は、特に限定はないが、例えば、0.1〜50μmが好ましく、1〜20μmがより好ましい。
なお、レーザー光のスポット径(D)は、パルスレーザー光が集光器の対物集光を通して照射される場合は、下記式(1)により算出できる。
D=4×λ×f/(π×W) ・・・(1)
式中、Dは、レーザー光のスポット径(μm)
λは、パルスレーザー光線の波長(μm)、
Wは、対物集光レンズに入射されるパルスレーザー光の直径(mm)、
fは、対物集光レンズの焦点距離(mm)
次に、レーザーダイシング後の基板を、水洗して、保護層を基板から除去する。
保護膜は、水溶性樹脂で構成されているため、水洗により簡単に基板上から除去できる。また、保護膜の除去と共に、保護膜上に付着したデブリなども洗い流される。
保護膜の水洗条件は、特に限定はない。保護膜の厚みなどに応じて適宜調整できる。
このようにして、個片化された半導体チップなどの半導体装置が得られる。
下記表に示す各成分を混合してた後、10μmのポアサイズを有するポリテトラフルオロエチレン製フィルタを用いてろ過して、保護膜組成物を調製した。
A−1:ポリビニルアルコール(PXP−05、日本酢ビ・ポバール株(株)製)
A−2:ポリビニルピロリドン(ピッツコール K−30、第一工業製薬(株)製)
B−1:TINUVIN 99−DW(BASF社製、レーザー光吸収剤を内包する樹脂カプセル(アクリルポリマービーズにレーザー光吸収剤を内包させてカプセル化)、レーザー光吸収剤の含有量= 24 質量%)
B−2:TINUVIN 447−DW(BASF社製、レーザー光吸収剤を内包する樹脂カプセル(アクリルポリマービーズにレーザー光吸収剤を内包させてカプセル化)、レーザー光吸収剤の含有量= 20 質量%)
B−3:フェルラ酸(水溶性レーザー吸収剤)
B−4:TINUVIN 1130(BASF社製、粉末状のレーザー光吸収剤)
厚さ150μmのシリコン酸化膜を積層したシリコンウエハ(300mmφ)に、上記保護膜組成物を、スピンコートし、100℃で1分乾燥させて保護膜を形成した。保護膜の膜厚は3μmであった。
次に、保護膜が形成されたシリコンウエハを、レーザー加工機(DISCO社製)レーザーダイシングを行い、完全に切削しないハーフダイシングを実施した。
レーザーダイシング後の切削形状を、上面から光学顕微鏡で観察して、以下の基準で評価した。
次に、保護膜を純水にて洗い流した。
−切削形状−
A:切削面がスムーズで、ラフネスが少ない。
B:切削面にラフネスがあるが、実用上問題ない。
C:切削面にラフネスがあり、実用上問題がある。
実施例1〜4において、水系溶媒を水とメタノールとの混合溶媒(混合比率50:50質量%)に替えても、良好な結果を得ることができた。
一方、比較例は、レーザーダイシングにおいて、良好な切削形状を与えることができなかった。
Claims (6)
- レーザーダイシング用の保護膜組成物であって、
水溶性樹脂と、レーザー光吸収剤を内包した樹脂カプセルと、水系溶媒とを含有する、保護膜組成物。 - さらに界面活性剤を含有する請求項1に記載の保護膜組成物。
- 前記水溶性樹脂が、ポリビニルアルコールおよびポリビニルピロリドンから選ばれる少なくとも1種である、請求項1または2に記載の保護膜組成物。
- 前記水系溶媒が、水、または、水と有機溶媒との混合溶媒である請求項1〜3のいずれか1項に記載の保護膜組成物。
- 請求項1〜4のいずれか1項に記載の保護膜組成物を基板上に適用して保護層を形成する工程と、
前記保護層を介して前記基板にレーザー光を照射して、レーザーダイシングを行う工程と、
レーザーダイシング後の基板を、水洗して、前記保護層を前記基板から除去する工程とを含む、半導体装置の製造方法。 - 請求項1〜4のいずれか1項に記載の保護膜組成物を基板上に適用して保護層を形成する工程と、
前記保護層を介して前記基板にレーザー光を照射して、レーザーダイシングを行う工程と、
レーザーダイシング後の基板を、水洗して、前記保護層を前記基板から除去する工程とを含む、レーザーダイシング方法。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2014196188A JP6242776B2 (ja) | 2014-09-26 | 2014-09-26 | 保護膜組成物、半導体装置の製造方法およびレーザーダイシング方法 |
TW104131223A TWI668279B (zh) | 2014-09-26 | 2015-09-22 | Protective film composition, method of manufacturing semiconductor device, and laser cutting method |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2014196188A JP6242776B2 (ja) | 2014-09-26 | 2014-09-26 | 保護膜組成物、半導体装置の製造方法およびレーザーダイシング方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2016066768A JP2016066768A (ja) | 2016-04-28 |
JP6242776B2 true JP6242776B2 (ja) | 2017-12-06 |
Family
ID=55805818
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2014196188A Active JP6242776B2 (ja) | 2014-09-26 | 2014-09-26 | 保護膜組成物、半導体装置の製造方法およびレーザーダイシング方法 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP6242776B2 (ja) |
TW (1) | TWI668279B (ja) |
Families Citing this family (16)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US9793132B1 (en) * | 2016-05-13 | 2017-10-17 | Applied Materials, Inc. | Etch mask for hybrid laser scribing and plasma etch wafer singulation process |
TWI638870B (zh) | 2016-10-06 | 2018-10-21 | 奇美實業股份有限公司 | 用以形成作為皮秒雷射加工之保護層的溶液與其製造方法 |
JP6739873B2 (ja) * | 2016-11-08 | 2020-08-12 | 株式会社ディスコ | ウェーハの加工方法 |
JP6866038B2 (ja) * | 2017-06-21 | 2021-04-28 | 株式会社ディスコ | パッケージデバイスの製造方法 |
JP7161371B2 (ja) * | 2018-10-23 | 2022-10-26 | 日本酢ビ・ポバール株式会社 | 保護膜形成用組成物 |
JP7161369B2 (ja) * | 2018-10-23 | 2022-10-26 | 日本酢ビ・ポバール株式会社 | 保護膜形成用組成物 |
EP3882959A4 (en) * | 2018-11-15 | 2022-08-17 | Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd. | PROTECTIVE FILM FORMING AGENT FOR PLASMA DICING AND SEMICONDUCTOR CHIP MANUFACTURING METHOD |
WO2020176457A1 (en) * | 2019-02-27 | 2020-09-03 | John Cleaon Moore | Water washable thermal and plasma resistant coating for laser interactive applications |
JP7412915B2 (ja) * | 2019-07-30 | 2024-01-15 | 東京応化工業株式会社 | 保護膜形成剤、及び半導体チップの製造方法 |
US11342226B2 (en) * | 2019-08-13 | 2022-05-24 | Applied Materials, Inc. | Hybrid wafer dicing approach using an actively-focused laser beam laser scribing process and plasma etch process |
TWI740212B (zh) | 2019-09-19 | 2021-09-21 | 國立陽明交通大學 | 微型發光二極體晶片的製作方法 |
TW202120630A (zh) * | 2019-11-13 | 2021-06-01 | 奇美實業股份有限公司 | 保護膜組成物、半導體裝置的製造方法及雷射切割方法 |
EP4060717A4 (en) * | 2019-12-24 | 2023-12-13 | Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd. | PROTECTIVE FILM FORMING AGENT AND SEMICONDUCTOR CHIP MANUFACTURING METHOD |
TWI726719B (zh) * | 2020-05-12 | 2021-05-01 | 彰洋材料股份有限公司 | 可剝離保護膜與反光可剝離保護膜之組成物及其噴霧製品 |
CN112898853A (zh) * | 2021-02-02 | 2021-06-04 | 深圳市化讯半导体材料有限公司 | 一种激光切割保护液及其制备方法和应用 |
JP7185086B1 (ja) * | 2021-09-16 | 2022-12-06 | 積水化学工業株式会社 | 仮保護材 |
Family Cites Families (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS538634A (en) * | 1976-07-14 | 1978-01-26 | Nippon Electric Co | Coating liquid for laser scriber |
JP2780554B2 (ja) * | 1992-01-17 | 1998-07-30 | 王子製紙株式会社 | 紫外線吸収剤内包マイクロカプセルの製造方法 |
NL1013644C2 (nl) * | 1999-11-23 | 2001-05-28 | Dsm Nv | Laser-markeerbare polymeersamenstelling. |
US6685765B1 (en) * | 2001-12-28 | 2004-02-03 | Vahid Ghodoussi | Water based protectant containing UV absorbers |
JP4571850B2 (ja) * | 2004-11-12 | 2010-10-27 | 東京応化工業株式会社 | レーザーダイシング用保護膜剤及び該保護膜剤を用いたウエーハの加工方法 |
KR101896710B1 (ko) * | 2012-08-29 | 2018-09-10 | 동우 화인켐 주식회사 | 레이저 다이싱용 웨이퍼 보호막 조성물 |
-
2014
- 2014-09-26 JP JP2014196188A patent/JP6242776B2/ja active Active
-
2015
- 2015-09-22 TW TW104131223A patent/TWI668279B/zh active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
TW201614017A (en) | 2016-04-16 |
JP2016066768A (ja) | 2016-04-28 |
TWI668279B (zh) | 2019-08-11 |
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Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
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A977 | Report on retrieval |
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A131 | Notification of reasons for refusal |
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R250 | Receipt of annual fees |
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