JP6238084B2 - 太陽電池セル及び太陽電池セルの抵抗算出方法 - Google Patents

太陽電池セル及び太陽電池セルの抵抗算出方法 Download PDF

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Description

本発明は、太陽電池セル及び太陽電池セルの抵抗算出方法に関する。
半導体基板上に非晶質系半導体層が形成された太陽電池セルを安定的に生産するためには、半導体基板と非晶質系半導体層上に形成された電極との間の抵抗を算出し、生産条件にフィードバックすることが有効である。
特許文献１には、光電変換素子の拡散層と電極との間の接触抵抗を求める方法が開示されている。特許文献１では、光電変換素子の主表面側の拡散層と直接接触するようにスクリーン印刷によって銀ペーストを塗布して第一の電極と第二の電極を形成し、この第一電極と第二電極の間の電極間距離Ｄを１〜５ｍｍまで変化させた試料をそれぞれ用意して接触抵抗を測定する。ここでは、ＴＬＭ（ｔｒａｎｓｍｉｓｓｉｏｎ Ｌｉｎｅ Ｍｏｄｅｌ）法に準じて、拡散層の抵抗の両端にそれぞれ接触抵抗が接続するモデルで、電極間距離Ｄを変えると拡散層の抵抗はＤに比例して変化することから接触抵抗を求めている。
特開２００８−２０５３９８号公報
本発明は、半導体基板と非晶質系半導体層上に形成された電極との間の抵抗を、商品としての太陽電池セルを用いて算出することを目的とする。
本発明に係る太陽電池セルは、第１導電型の半導体基板の一方の面上において、第１導電型の非晶質半導体層と第２導電型の非晶質半導体層とが配置された光電変換部と、第１導電型の非晶質半導体層のうち、予め定めた第１電極領域に配置された第１電極と、第２導電型の非晶質半導体層のうち、予め定めた第２電極領域に配置された第２電極と、第１導電型の非晶質半導体層上において、互いに所定の間隔をあけて設けられた少なくとも２つの第１測定電極と、を有する。
本発明に係る太陽電池セルの抵抗算出方法は、第１導電型の半導体基板の一方の面上において、第１導電型の非晶質半導体層と第２導電型の非晶質半導体層とが配置され、第１導電型の非晶質半導体層上に第１電極が配置され、第２導電型の非晶質半導体層上に第２電極が配置された太陽電池セルにおいて、半導体基板と第１電極および第２電極の少なくとも一方との間の抵抗を測定する方法であって、第１導電型の非晶質半導体層上において、互いに所定の間隔をあけて設けられる少なくとも２つの第１測定電極の間の電圧−電流特性を測定して測定電極間抵抗値を求め、測定電極間抵抗値から予め求めておいた半導体基板の測定電極間抵抗値を減算して、半導体基板と第１測定電極との間の第１抵抗を算出する。
上記構成によれば、半導体基板上に非晶質半導体層が形成された太陽電池セルにおいて、非晶質半導体層と電極との間の接触抵抗を含めた抵抗を算出できる。
実施の形態に係る太陽電池セルにおける裏面側の平面図である。 実施の形態に係る太陽電池セルの断面図である。 図１のＡ−Ａ線における断面図である。 実施の形態に係る太陽電池セルにおける抵抗の算出を説明する図である。 測定電極の他の配置の例を示す図である。 測定電極のさらに他の配置の例を示す図である。 測定電極の別の配置の例を示す図である。 測定電極のさらに別の配置の例を示す図である。
以下に図面を用いて、本発明の実施の形態を詳細に説明する。以下で述べる厚さ等は説明のための例示であって、太陽電池セルの仕様に応じ、適宜変更が可能である。以下では、全ての図面において一または対応する要素には同一の符号を付し、重複する説明を省略する。
図１は、裏面接合型の太陽電池セル１０の裏面側の平面図である。裏面接合型の太陽電池セル１０は、その受光面の反対側の裏面に、光電変換を行うｐｎ接合を形成し、電極も裏面にのみ設けるものである。このように、受光面に電極を一切配置しないので、受光面積が広く取れ、面積当たりの光電変換効率が向上する。図１では、紙面の奥側が受光面側で、手前側が裏面である。なお、以下では、特に断らない限り、裏面接合型の太陽電池セル１０のことを、単に太陽電池セル１０と呼ぶことにする。
太陽電池セル１０は、ｎ型の半導体基板上にｎ型の非晶質半導体層とｐ型の非晶質半導体層を平面的に配置し、太陽光等の光を受光することで正孔および電子の光生成キャリアを生成する光電変換部１２と、光電変換された電力を取り出す電極１４，１６とを備える。なお、電極１４，１６は、後述するように透明導電膜層１４−１，１６−１とＣｕメッキ層１４−２，１６−２の積層構造となっている。さらに、電極１４，１６が配置される電極領域の外側周縁部１８に、非晶質半導体層と電極との間の接触抵抗を含めた抵抗を測定するための複数の測定電極を含む抵抗測定部２０を備える。
図２は、裏面接合型の太陽電池セル１０の構造を示す断面図である。この断面図は、電極１４，１６が配置される電極領域における断面図である。ここでは、紙面上で上側を太陽電池セル１０の裏面側とし、下側を受光面側としてある。
図２において、基板２２は、結晶系の半導体材料から構成されている。基板２２は、ｎ型またはｐ型の導電型の結晶性半導体基板とすることができる。基板２２としては、単結晶シリコン基板、多結晶シリコン基板、ガリウムヒ素（ＧａＡｓ）基板、インジウムリン（ＩｎＰ）基板等を用いることができる。基板２２は、入射された光を吸収することで、光電変換により電子および正孔のキャリア対を発生させる。ここでは、基板２２としてｎ型シリコン単結晶が用いられる。図２では、基板２２をｃ−Ｓｉと示した。
ｎ型領域２４は、ｉ型非晶質半導体層２４−１とｎ型非晶質半導体層２４−２の積層構造を有する。以下では、ｉ型非晶質半導体層をｉ層、ｎ型非晶質半導体層をｎ層と呼び、同様にｐ型非晶質半導体層をｐ層と呼ぶことにする。
ｉ層２４−１は、基板２２上の全面に形成される。ｉ層２４−１は、例えば水素を含む非晶質の半導体層とできる。ｉ層の厚さの一例を示すと、約１〜２５ｎｍで、好ましくは約５〜１０ｎｍとすることがよい。ｎ層２４−２は、ｉ層２４−１上の全面に形成される。ｎ層２４−２は、水素を含む非晶質半導体層にｎ型の導電型の元素であるドナーを含む。ｎ層の厚さの一例を示すと、約５〜２０ｎｍで、好ましくは約１０〜１５ｎｍとすることがよい。
ＳｉＮX層２６は、ｎ型領域とｐ型領域とを分離するため等に用いられる窒化シリコン膜層である。ＳｉＮX層２６は、ｎ層２４−２上のｎ型領域２４に対応する領域に形成される。窒化シリコンの代表はＳｉ3Ｎ4であるが、成膜条件によっては必ずしもＳｉ3Ｎ4の組成とならずに一般的にはＳｉＮXの組成となる。ＳｉＮX層２６の厚さの一例を示すと、約１０〜５００ｎｍで、好ましくは約５０〜１００ｎｍとすることがよい。
ｐ型領域２８は、ｉ層２８−１とｐ層２８−２の積層構造を有する。ｉ層２８−１は、ＳｉＮX層２６をマスクとして、ｎ型領域以外のｉ層２４−１とｎ層２４−２を除去して基板２２を露出させ、その露出した基板２２上に形成される。ｉ層２８−１は、ｉ層２４−１と同様に水素を含む非晶質の半導体層とでき、その厚さもｉ層２４−１と同様に約１〜２５ｎｍで、好ましくは約５〜１０ｎｍとできる。ｐ層２８−２は、ｉ層２８−１の上に形成される。ｐ層２８−２は、水素を含む非晶質半導体層にｐ型の導電型の元素であるアクセプタを含む。ｐ層２８−２の厚さの一例を示すと、約５〜２０ｎｍで、好ましくは約１０〜１５ｎｍとすることがよい。
電極１４，１６は、透明導電膜層１４−１，１６−１と、Ｃｕメッキ層１４−２，１６−２の積層構造を有する。電極１４は、ｎ型領域２４から引き出されるｎ型用電極で、ｎ層２４−２の上に透明導電膜層１４−１とＣｕメッキ層１４−２が積層されて構成される。電極１６は、ｐ型領域２８から引き出されるｐ型用電極で、ｐ層２８−２の上に透明導電膜層１６−１とＣｕメッキ層１６−２が積層されて構成される。
透明導電膜層１４−１，１６−１は、例えば、多結晶構造を有する酸化インジウム（Ｉｎ2Ｏ3）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、酸化錫（ＳｎＯ2）、酸化チタン（ＴｉＯ2）等の金属酸化物を少なくとも１つ含んで構成される。透明導電膜層１４−１，１６−１の厚さの一例を示すと、約７０〜１００ｎｍである。
Ｃｕメッキ層１４−２，１６−２は、電解メッキ法によって形成される。Ｃｕメッキ層１４−２，１６−２の厚さの一例を示すと、約１０μｍから２０μｍである。Ｃｕメッキ層１４−２，１６−２形成の際に下地電極層を用いてもよい。また、Ｃｕメッキ層１４−２，１６−２の上にＳｎメッキ層を形成してもよい。
受光面側のパッシベーション層３０は、光電変換が行われる基板２２の受光面である表面を保護する層で、ｉ層３０−１とｎ層３０−２の積層構造を有する。上記のように、基板２２の裏面側にｎ型領域２４のためのｉ層２４−１とｎ層２４−２が形成されるが、その際に、基板２２の受光面側にもｉ層３０−１とｎ層３０−２を形成し、これをパッシベーション層３０とすることができる。
反射防止層３２は、受光面における反射を抑制する機能を有する絶縁膜層で、ＳｉＮX層が用いられる。基板２２の裏面側においてｎ型領域２４の形成の後で行われるＳｉＮX２６の成膜の際に、基板２２の受光面側にもＳｉＮXを成膜し、これを反射防止層３２とすることができる。
図３は、抵抗測定部２０の断面図である。抵抗測定部２０は、太陽電池セル１０において電極１４，１６が配置される電極領域の外側の外側周縁部１８に、基板２２とｎ型領域上の電極またはｐ型領域上の電極との間の抵抗を測定するために設けられる複数の測定電極群である。以下、基板２２とｎ型領域２４上の電極との間の抵抗をｎ型抵抗、基板２２とｐ型領域２８上の電極との間の抵抗をｐ型抵抗とする。図３では、３つの測定電極３４，３６，３８が示されるが、さらに多くの測定電極を設けてもよい。なお、図３では、ｎ型領域２４、ｐ型領域２８、電極１４，１６についての積層構造の図示を省略した。
外側周縁部１８には、電極１４，１６は配置されない。しかし、電極１４，１６の形成工程に合せて、各層形成時にマスクの位置を調整することにより、外側周縁部１８にも任意の電極構造を形成することが可能である。そこで、外側周縁部１８に電極領域と同じ条件で、ｎ型領域２４を作り込み、そのｎ型領域２４において所定の電極間隔で少なくとも２つの測定電極を設ける。測定電極間の電流−電圧特性（Ｉ−Ｖ特性）を測定し、それに基づいて測定電極と基板２２の間のｎ型抵抗を算出する。また、外側周縁部１８に電極領域と同じ条件で、ｐ型領域２８を作り込み、そのｐ型領域２８において少なくとも１つの測定電極を設ける。ｎ型領域２４上の測定電極とｐ型領域２８上の測定電極との間のＩ−Ｖ特性を測定し、ｎ型領域２４上の測定電極とｐ型領域２８上の測定電極との間の第１抵抗を算出する。算出されたｎ型抵抗と第１抵抗とに基づいて、基板２２とｐ型領域２８上の測定電極との間のｐ型抵抗を算出する。ここで、ｎ型抵抗、ｐ型抵抗は、基板２２と測定電極との間に設けられた各層間の界面、ｉ層２４−１またはｉ層２８−１、ｎ層２４−２またはｐ層２８−２の抵抗を含む。このように、抵抗測定部２０は、基板２２とｎ型領域２４上の測定電極との間のｎ型抵抗と、基板２２とｐ型領域２８上の測定電極との間のｐ型抵抗をそれぞれ独立に分離して測定することができる。
図３では、３つの測定電極３４，３６，３８の平面寸法と電極間間隔を同じに揃え、ｎ型領域２４から測定電極３４，３６を引き出し、ｐ型領域２８から測定電極３８を引き出す。３つの測定電極３４，３６，３８は、外側周縁部１８において、太陽電池セル１０の外周の辺Ｘに沿って一列に配列される。３つの測定電極３４，３６，３８の平面寸法と電極間間隔は、外側周縁部１８の幅方向（辺Ｘに対して垂直な方向）の寸法に比べて十分に小さくする。例えば、外側周縁部１８の幅方向の寸法の１／１０以下に設定することがよい。外側周縁部１８の幅方向の寸法の一例を挙げると、約１〜３ｍｍである。この場合の測定電極３４，３６，３８の平面寸法の一例を挙げると、一辺が約１００〜５００μｍの正方形とできる。測定電極３４と測定電極３６の間の電極間間隔、測定電極３６と測定電極３８の間の電極間間隔の一例を挙げると、約５０〜２００μｍとできる。
この構成を用いて、ｎ型領域２４から引き出される測定電極３４，３６の間のＩ−Ｖ特性を求めて、それに基づき、基板２２とｎ型領域２４上の測定電極３４，３６との間のｎ型抵抗を算出することができる。次に、ｎ型領域２４から引き出される測定電極３４とｐ型領域２８から引き出される測定電極３８の間のＩ−Ｖ特性を求めて、それに基づき、測定電極３４と測定電極３８との間の第１型抵抗を算出することができる。算出されたｎ型抵抗と第１抵抗とを用いて、基板２２とｐ型領域２８上の測定電極３８の間のｐ型抵抗を算出することができる。
図４のモデルを用いて抵抗ＲCの測定原理を説明する。図４のモデルは、半導体層４０の上に電極間間隔Ｌで２つの測定電極４２，４４を設け、測定電極４２，４４の間に電流Ｉを流し、そのときの測定電極４２，４４の間の電圧Ｖを測定し、測定電極間抵抗値Ｒを求め、この測定電極間抵抗値Ｒに基づいて、半導体層４０と測定電極４２，４４との間の抵抗ＲCを求めるものである。なお、測定電極間抵抗値Ｒは、測定電極４２，４４の間にまず電圧Ｖをかけて、測定電極４２，４４の間に流れる電流Ｉを測定して求めてもよい。
測定電極４２，４４の間に電流Ｉを流し、そのときの測定電極４２，４４の間の電圧Ｖから、測定電極間抵抗値Ｒは、Ｒ＝Ｖ／Ｉで求められる。図４で示すように、測定電極間距離をＬ、そのＬで向かい合う半導体層４０の面積をＳとすると、半導体層４０の測定電極間抵抗値ＲSUBは、半導体層４０の比抵抗率をρとして、ＲSUB＝ρ×（Ｌ／Ｓ）で求められる。半導体層４０と測定電極４２との間の抵抗と、半導体層４０と測定電極４４との間の抵抗を同じとして、それぞれＲCとすると、Ｒ＝Ｉ／Ｖ＝ＲSUB＋２ＲCとなる。これから、半導体層４０と測定電極４２，４４との間の抵抗ＲCは、それぞれ、ＲC＝｛（Ｒ−ＲSUB）／２｝として算出できる。
図３に戻り、測定電極３４，３６の間に電流Ｉ34・ 36 を流し、そのときの測定電極３４，３６の間の電圧Ｖ34・ 36 を測定することで、ｎ型領域２４と測定電極３４，３６の間の抵抗ＲCnは、上記の原理により、ＲCn＝｛（Ｒ34・ 36 −ＲSUBn）／２｝で算出できる。ここで、Ｒ34・ 36 ＝Ｖ34・ 36 ／Ｉ34・ 36 である。ＲSUBnは、基板２２とｎ型領域２４の電極間抵抗値であるが、実質的には、基板２２の電極間抵抗値ＲSUB22としてよい。このようにして求められたＲCnは、太陽電池セル１０の電極領域における基板２２とｎ型領域２４上の電極１４との間のｎ型抵抗として用いることができる。なお、このｎ型抵抗は、基板２２と電極１４との間の各層の界面と、ｉ層２４−１と、ｎ層２４−２の抵抗も含む。
次に、測定電極３４，３８の間に電流Ｉ34・ 38 を流し、そのときの測定電極３４，３８の間の電圧Ｖ34・ 38 を測定すると、測定電極３４，３８の間の電流−電圧特性を得ることができる。この電流−電圧特性は、太陽電池セル１０のｎ型用電極とｐ型用電極との間の電流−電圧特性に対応するもので、電流をＩ、電圧をＶとして、次式を用いることができる。
Figure 0006238084
 ここで、ｋBはボルツマン定数、Ｔは温度、ＲSとＲShは、それぞれ、太陽電池セル１０を微小な光電変換部が並列に接続されたモデルとしたときの直列抵抗と並列抵抗である。
上記Ｉ−Ｖ特性において、Ｉ＝Ｉ34・ 38 、Ｖ＝Ｖ34・ 38 として、非線形の電極間抵抗値ＲS＝Ｒ34・ 38 が求められる。ここで、基板２２とｐ型領域２８の電極間抵抗値をＲSUBpとし、ｐ型領域２８と測定電極３８の間の抵抗をＲCpとすると、Ｒ34・ 38 ＝ＲSUBp＋ＲCn＋ＲCpである。したがって、ＲCp＝｛（Ｒ34・ 38 −ＲSUBp）−ＲCn｝で算出される。ＲSUBpは、基板２２とｐ型領域２８の電極間抵抗値であるが、実質的には、基板２２の電極間抵抗値ＲSUB22としてよい。このようにして求められたＲCpは、太陽電池セル１０の電極領域における基板２２とｐ型領域２８上の電極１６との間のｐ型抵抗として用いることができる。なお、このｐ型抵抗は、基板２２と電極１６との間の各層の界面と、ｉ層２８−１と、ｐ層２８−２の抵抗も含む。
上記では、半導体層４０の電極間抵抗値をＲSUB＝ρ×（Ｌ／Ｓ）で求めるものとした。図４のモデルは、Ｌが十分に長く、Ｓが十分に広いものと仮定しているが、Ｌが短い場合も考えられる。図４のモデルで、Ｌは電流が流れて抵抗値として貢献する長さであるので、Ｌが短い場合には、Ｌに補正を加えてＲSUBを求めることがよい。例えば、補正係数をαとして、ＬをαＬ／ＳとしてＲSUBを求める。αは予め実験等で求めることができる。
なお、本実施形態では、抵抗測定部２０は、太陽電池セル１０の外側周縁部１８に設けられているが、太陽電池セル１０の電極領域に設けられていてもよい。電極領域に抵抗測定部２０を設ける場合の構成について、図５〜図８を参照して説明する。図５〜図８は、それぞれ、太陽電池セル１０の裏面の電極領域の部分の拡大図である。
図５では、ｐ型領域２８の中央部に、ｎ型領域２５を作り込み、２つの測定電極３５，３７が所定の電極間隔をあけて設けられている。すなわち、２つの測定電極３５，３７は、所定の間隔をあけて電極１６に囲まれている。これにより、２つの測定電極３５，３７を用いてｎ型抵抗を算出することができ、測定電極３５，３７と電極１６とを用いて第１抵抗を算出することができる。そして、ｎ型抵抗と第１抵抗とに基づき、ｐ型抵抗が算出される。
なお、図５では、ｐ型領域２８の中央部にｎ型領域２４が作り込まれているが、ｎ型領域２４の中央部にｎ型領域２５が作り込まれ、２つの測定電極３５，３７が設けられてもよい。すなわち、測定電極３５，３７は、所定の間隔をあけて電極１４に囲まれている。この場合、２つの測定電極３５，３７を用いてｎ型抵抗を算出することができる。電極１４と電極１４に隣接する電極１６とを用いて第１抵抗を算出することができる。なお、ｎ型領域２４，２５は、同時に形成してもよいし、別々に形成してもよい。
また、図６では、ｎ型領域２４の中央部に、１つの測定電極３５が設けられている。すなわち、測定電極３５は、所定の間隔をあけて電極１４に囲まれている。これにより、測定電極３５と電極１４とを用いてｎ型抵抗を算出することができ、電極１４と電極１４に隣接する電極１６とを用いて第１抵抗を算出することができる。そして、ｎ型抵抗と第１抵抗とに基づき、ｐ型抵抗が算出される。
また、図７では、電極１６の先端部と電極１４との間に、ｎ型領域２５を作り込み、２つの測定電極３５，３７が所定の電極間隔をあけて設けられている。これにより、２つの測定電極３５，３７を用いてｎ型抵抗を算出することができ、電極１６と測定電極３５，３７または電極１６に隣接する電極１４とを用いて第１抵抗を算出することができる。そして、ｎ型抵抗と第１抵抗とに基づき、ｐ型抵抗が算出される。
また、図８では、電極１４の先端部と電極１６との間にｎ型領域２５を作り込み、電極１４から所定の間隔をあけて１つの測定電極３５が設けられている。これにより、測定電極３５と電極１４とを用いてｎ型抵抗を算出することができる。そして、ｎ型抵抗と第１抵抗とに基づき、ｐ型抵抗が算出される。なお、ｎ型領域２４，２５は、同時に形成してもよいし、別々に形成してもよい。
以上のように、抵抗測定部２０が設けられる場所は特に限定されない。また、ｎ型領域２４，２５上に所定の電極間隔で少なくとも２つの電極を設けることにより、ｎ型抵抗を算出することが可能である。裏面接合型の太陽電池セル１０の場合、ｎ型領域２４上に設けられた電極１４と、ｐ型領域２８上に設けられた電極１６とは、所定の間隔で交互に隣接して配置されているため、第１抵抗は電極１４、１６を用いて容易に算出することができる。すなわち、ｎ型領域２４，２５上に所定の電極間隔で少なくとも２つの電極を設けるだけで、基板２２とｐ型領域２８上の電極との間のｐ型抵抗まで容易に算出することが可能である。
なお、本実施形態では、基板２２としてｎ型シリコン単結晶を用いているため、ｎ型領域２４上に所定の電極間隔で少なくとも２つの電極が設けられている。基板２２としてｐ型の結晶性半導体基板を用いた場合、ｐ型領域２８上に所定の電極間隔で少なくとも２つの電極が設けられていれば、上述した効果と同一の効果を得ることができる。
本発明は、太陽電池セルに利用できる。
１０ 太陽電池セル、１２ 光電変換部、１４，１６ 電極、１４−１，１６−１ 透明導電膜層、１４−２，１６−２ メッキ層、１８ 外側周縁部、２０ 抵抗測定部、２２ 基板、２４，２５ ｎ型領域、２４−１，２８−１，３０−１ ｉ層（ｉ型非晶質半導体層）、２４−２，３０−２ ｎ層（ｎ型非晶質半導体層）、２６ ＳｉＮX層、２８ ｐ型領域、２８−２ ｐ層（ｐ型非晶質半導体層）、３０ パッシベーション層、３２ 反射防止層、３４，３５，３６，３７，３８，４２，４４ 測定電極、４０ 半導体層。

Claims (6)

  1. 第１導電型の半導体基板の一方の面上において、第１導電型の非晶質半導体層と第２導電型の非晶質半導体層とが配置された光電変換部と、
    前記第１導電型の非晶質半導体層のうち、予め定めた第１電極領域上に配置された第１電極と、
    前記第２導電型の非晶質半導体層のうち、予め定めた第２電極領域上に配置された第２電極と、
    前記第１導電型の非晶質半導体層上に接して、互いに所定の間隔をあけて隣り合って設けられた少なくとも２つの第１測定電極と、
    を備える、太陽電池セルであって、
    前記第１測定電極は、前記第１電極領域および前記第２電極領域の外側であって、前記太陽電池セルの外側周縁部に、前記第１電極および前記第２電極と離間して設けられる。
  2. 前記第２導電型の非晶質半導体層上において、前記第１測定電極に対し所定の間隔をあけて設けられた少なくとも１つの第２測定電極を有する、請求項１に記載の太陽電池セル。
  3. 前記第１測定電極および前記第２測定電極は、前記光電変換部上の前記第１電極領域および前記第２電極領域以外の領域に配置されている、請求項２に記載の太陽電池セル。
  4. 前記第１測定電極の一つと、前記第２測定電極とは、互いに隣あって設けられている、請求項２または３に記載の太陽電池セル。
  5. 前記第１電極は、前記第１導電型の非晶質半導体層から、透明導電層、下地電極層およびメッキ層を、この順番に積層した構造を有する、請求項１から４のいずれか１項に記載の太陽電池セル。
  6. 第１導電型の半導体基板の一方の面上に配置された第１導電型の非晶質半導体層および第２導電型の非晶質半導体層と、
    前記第１導電型の非晶質半導体層の予め定めた第１電極領域上に配置された第１電極と
    、
    前記第２導電型の非晶質半導体層の予め定めた第２電極領域上に配置された第２電極と、
    前記第１導電型の非晶質半導体層上に接して、互いに所定の間隔をあけて隣り合って設けられた少なくとも２つの第１測定電極と、を備える、
    太陽電池セルにおいて、
    前記第１測定電極は、前記第１電極領域および前記第２電極領域の外側であって、前記太陽電池セルの外側周縁部に、前記第１電極および前記第２電極と離間して設けられ、
    前記半導体基板と、前記第１電極および第２電極の少なくとも一方との間の抵抗を測定する方法であって、
    第１測定電極の少なくとも２つの電極間の電圧−電流特性を測定して測定電極間抵抗値を求め、
    前記測定電極間抵抗値から予め求めておいた前記半導体基板の測定電極間抵抗値を減算して、前記半導体基板と前記第１測定電極との間の第１抵抗を算出する、太陽電池セルの抵抗算出方法。
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