JPWO2016147565A1 - 太陽電池セル - Google Patents
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Abstract
Description
図1は、第1の実施の形態における太陽電池セル70を示す平面図であり、太陽電池セル70の裏面70bの構造を示す。太陽電池セル70は、裏面70bに設けられるn側電極14と、p側電極15を備える。n側電極14は、x方向に延びるバスバー電極14aと、y方向に延びる複数のフィンガー電極14bとを含む櫛歯状に形成される。同様に、p側電極15は、x方向に延びるバスバー電極15aと、y方向に延びる複数のフィンガー電極15bとを含む櫛歯状に形成される。n側電極14およびp側電極15は、それぞれの櫛歯が噛み合って互いに間挿し合うように形成される。なお、n側電極14及びp側電極15のそれぞれは、複数のフィンガーのみにより構成され、バスバーを有さないバスバーレス型の電極であってもよい。
結晶性の半導体基板10と、
半導体基板10の主面(第2主面10b)上に非晶質構造を有する材料で形成されるパッシベーション層(第1積層体12、第2積層体13)と、
パッシベーション層上に微結晶構造を有する材料で形成されるコンタクト層(インジウム錫酸化物層21)と、
コンタクト層上に設けられる二酸化錫(SnO2)層22と、を備える。
パッシベーション層(第1積層体12、第2積層体13)は、第1領域W1上にn型の非晶質シリコンで形成される第1導電型層12nと、第2領域W2上にp型の非晶質シリコンで形成される第2導電型層13pとを有してもよい。
図3は、第2の実施の形態に係る太陽電池セル170の構造を示す断面図である。本実施の形態では、上述のインジウム錫酸化物層21を設ける代わりに、第1導電型層112nおよび第2導電型層113pを微結晶構造とすることで、これらを二酸化錫層22とのコンタクト層として機能させる。以下、上述の第1の実施の形態との相違点を中心に述べる。
結晶性の半導体基板10と、
半導体基板10の主面(第2主面10b)上に非晶質構造を有する材料で形成されるパッシベーション層(第1のi型層112i、第2のi型層113i)と、
パッシベーション層上に微結晶構造を有する材料で形成されるコンタクト層(第1導電型層112n、第2導電型層113p)と、
コンタクト層上に設けられる二酸化錫(SnO2)層22と、を備える。
パッシベーション層は、第1領域W1上にi型の非晶質シリコンで形成される第1のi型層112iと、第2領域W2上にi型の非晶質シリコンで形成される第2のi型層113iとを有し、
コンタクト層は、第1のi型層112i上にn型の微結晶シリコンで形成される第1導電型層112nと、第2のi型層113i上にp型の微結晶シリコンで形成される第2導電型層113pとを有してもよい。
図4は、第3の実施の形態に係る太陽電池セル270の構造を示す断面図である。太陽電池セル270は、半導体基板210、第1のi型層211、第1導電型層212、第1インジウム錫酸化物層213、第1二酸化錫層214、第1金属電極215、第2のi型層221、第2導電型層222、第2インジウム錫酸化物層223、第2二酸化錫層224、第2金属電極225を備える。本実施の形態に係る太陽電池セル270は、太陽電池セル270の受光面270aと裏面270bの双方に電極が設けられる点で上述の実施の形態と異なる。以下、上述の実施の形態との相違点を中心に述べる。
結晶性の半導体基板210と、
半導体基板210の主面(第1主面210a、第2主面210b)上に非晶質構造を有する材料で形成されるパッシベーション層(第1のi型層211、第2のi型層221)と、
パッシベーション層上に微結晶構造を有する材料で形成されるコンタクト層(第1インジウム錫酸化物層213、第2インジウム錫酸化物層223)と、
コンタクト層上に設けられる二酸化錫(SnO2)層(第1二酸化錫層214、第2二酸化錫層224)と、を備える。
図5は、第4の実施の形態に係る太陽電池セル370の構造を示す断面図である。本実施の形態では、上述の第1インジウム錫酸化物層213および第2インジウム錫酸化物層223を設ける代わりに、第1導電型層312および第2導電型層313を微結晶構造とすることで、これらを二酸化錫層とのコンタクト層として機能させる。以下、上述の第3の実施の形態との相違点を中心に述べる。
結晶性の半導体基板210と、
半導体基板210の主面(第1主面210a、第2主面210b)上に非晶質構造を有する材料で形成されるパッシベーション層(第1のi型層211、第2のi型層221)と、
パッシベーション層上に微結晶構造を有する材料で形成されるコンタクト層(第1導電型層312、第2導電型層322)と、
コンタクト層上に設けられる二酸化錫(SnO2)層(第1二酸化錫層214、第2二酸化錫層224)と、を備える。
Claims (5)
- 結晶性の半導体基板と、
前記半導体基板の主面上に非晶質構造を有する材料で形成されるパッシベーション層と、
前記パッシベーション層上に微結晶構造を有する材料で形成されるコンタクト層と、
前記コンタクト層上に設けられる二酸化錫(SnO2)層と、を備える太陽電池セル。 - 前記コンタクト層は、インジウム錫酸化物(ITO)層を含む請求項1に記載の太陽電池セル。
- 前記コンタクト層は、微結晶シリコン層を含む請求項1または2に記載の太陽電池セル。
- 前記半導体基板は、前記主面上に第1領域と第2領域とを有し、
前記パッシベーション層は、前記第1領域上にn型の非晶質シリコンで形成される第1導電型層と、前記第2領域上にp型の非晶質シリコンで形成される第2導電型層とを有する請求項2に記載の太陽電池セル。 - 前記半導体基板は、前記主面上に第1領域と第2領域とを有し、
前記パッシベーション層は、前記第1領域上にi型の非晶質シリコンで形成される第1のi型層と、前記第2領域上にi型の非晶質シリコンで形成される第2のi型層とを有し、
前記コンタクト層は、前記第1のi型層上にn型の微結晶シリコンで形成される第1導電型層と、前記第2のi型層上にp型の微結晶シリコンで形成される第2導電型層とを有する請求項3に記載の太陽電池セル。
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