JP6213165B2 - 検出装置、センサー、電子機器及び移動体 - Google Patents
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Description
図1に本実施形態の検出装置20を含むジャイロセンサー510(広義にはセンサー)と、ジャイロセンサー510を含む電子機器500の構成例を示す。なお電子機器500、ジャイロセンサー510は図1の構成に限定されず、その構成要素の一部を省略したり、他の構成要素を追加するなどの種々の変形実施が可能である。また本実施形態の電子機器500としては、デジタルカメラ、ビデオカメラ、スマートフォン、携帯電話機、カーナビゲーションシステム、ロボット、ゲーム機、時計、健康器具、或いは携帯型情報端末等の種々の機器を想定できる。
図2に本実施形態の検出装置20の構成例を示す。検出装置20は、振動子10(物理量トランスデューサー)からのフィードバック信号DIを受けて、振動子10を駆動する駆動回路30と、振動子10からの検出信号IQ1、IQ2を受けて、所望信号を検出する検出回路60を含む。
本実施形態では駆動信号出力回路50が正弦波の駆動信号DQを出力して、振動子10を駆動している。具体的には、前述のようにゲイン制御回路40は、駆動信号出力回路50での駆動信号DQの増幅のゲインを制御している。そしてI/V変換回路32はI/V変換用の抵抗素子REを有する。例えばI/V変換回路32は、演算増幅器OPEと、演算増幅器OPEの出力ノードと反転入力端子のノードとの間に設けられる帰還の抵抗素子REを有する。
ここでCG、CDは、インバーター回路IVのゲート、ドレインの寄生容量でありGmはトランスコンダクタンスである。
ここで、Kは、駆動信号出力回路50での信号増幅のゲインであり、RIは、I/V変換用の抵抗(例えば抵抗素子REの抵抗値)である。
図6に、本実施形態の手法を実現する駆動回路30の詳細な構成例を示す。
次に駆動回路30の種々の変形例について説明する。図10は駆動回路30の第1の変形例である。図6の構成と図10の第1の変形例の相違点は以下の通りである。
図13に検出回路60の詳細な構成例を示す。図13は全差動スイッチングミキサー方式の検出回路60の例である。
CP1、CP3、CPL、CPM コンパレーター、
CE、CG、CH、CL、CK キャパシター、
RE、RF1、RF2、RG、RH、RJ1、RJ2、RK 抵抗素子、
SF1、SF2、SL1、SL2、SI1、SI2 スイッチ素子、
TA1〜TA9 トランジスター、
10 振動子、20 検出装置、30 駆動回路、
32 I/V変換回路(電流−電圧変換回路)、33 反転増幅回路、
34 ハイパスフィルター、35 種回路、36 OTA回路、
37 V/I変換回路(電圧−電流変換回路)、38 差動部、
39 I/V変換回路(第2の電流−電圧変換回路)、40 ゲイン制御回路、
42 全波整流器、44 積分器、46 発振検出器、
50 駆動信号出力回路、52 同期信号出力回路、54 矩形波信号出力回路、
60 検出回路、61 増幅回路、62、64 Q/V変換回路、
72、74 ゲイン調整アンプ、80 スイッチングミキサー、81 同期検波回路、
92、94 フィルター、100 A/D変換回路、110 DSP部、140 制御部、
206 移動体(自動車)、207 車体、208 車体姿勢制御装置、209 車輪、
260 離散型Q/V変換回路、270 A/D変換回路、280 DSP部、
362、364 Q/V変換回路、366 差動増幅回路、
367 ハイパスフィルター、368 ACアンプ、370 オフセット調整回路、
380 同期検波回路、382 ローパスフィルター、384 ゲイン調整アンプ、
386 DCアンプ、388 SCF、390 A/D変換回路、392 DSP部、
500 電子機器、510 ジャイロセンサー、520 処理部、530 メモリー、
540 操作部、550 表示部
Claims (9)
- 振動子からのフィードバック信号を受けて、前記振動子を駆動する駆動回路と、
前記振動子からの検出信号を受けて、所望信号を検出する検出回路と、
を含み、
前記駆動回路は、
前記フィードバック信号を受けて、電流−電圧変換を行う電流−電圧変換回路と、
前記電流−電圧変換回路による電流−電圧変換後の入力電圧信号を増幅して、正弦波の駆動信号を出力する駆動信号出力回路と、
前記入力電圧信号に基づいて、前記駆動信号出力回路での前記駆動信号の増幅のゲインを制御するゲイン制御回路と、
を有し、
前記電流−電圧変換回路の電流−電圧変換用の抵抗をRIとし、前記駆動信号出力回路での前記駆動信号の増幅のゲインをKとし、前記振動子の基本波モードでの等価直列抵抗をRとした場合に、前記ゲイン制御回路は、K×RI=Rとなるようにゲイン制御を行うことを特徴とする検出装置。 - 請求項1に記載の検出装置において、
前記駆動信号出力回路は、
前記ゲイン制御回路からの制御電圧によってトランスコンダクタンスが設定されて、前記入力電圧信号を電流信号に変換するOTA(Operational Transconductance Amplifier)回路と、
前記OTA回路からの前記電流信号の電流−電圧変換を行い、前記駆動信号を出力する第2の電流−電圧変換回路と、
を有することを特徴とする検出装置。 - 請求項2に記載の検出装置において、
前記OTA回路は、
前記ゲイン制御回路からの前記制御電圧を制御電流に変換する電圧−電流変換回路と、
前記制御電流により設定されるバイアス電流がバイアス電流源に流れ、第1の差動入力端子にアナログ基準電圧が入力され、第2の差動入力端子に前記入力電圧信号が入力され、前記電流信号を前記第2の電流−電圧変換回路に出力する差動部と、
を有することを特徴とする検出装置。 - 請求項3に記載の検出装置において、
前記ゲイン制御回路は、
前記入力電圧信号の全波整流を行う全波整流器と、
前記全波整流器による全波整流後の信号の積分処理を行う積分器と、
を有し、
前記電圧−電流変換回路は、
前記積分器からの前記制御電圧を前記制御電流に変換することを特徴とする検出装置。 - 請求項1乃至4のいずれか一項に記載の検出装置において、
前記駆動信号出力回路の前記入力電圧信号のピーク・ツー・ピーク電圧をVP1とし、前記駆動信号のピーク・ツー・ピーク電圧をVP2とし、前記ゲイン制御回路のAGC(Automatic Gain control)ループにより設定される前記振動子の駆動電流のピーク・ツー・ピーク電流をIDPとし、高電位側電源電圧と低電位側電源電圧の電圧差をVDSとした場合に、VDS>VP2=K×VP1=IDP×Rであることを特徴とする検出装置。 - 請求項1乃至5のいずれか一項に記載の検出装置において、
前記駆動信号出力回路は、
前記入力電圧信号を受けて、矩形波信号を出力する矩形波信号出力回路を有し、
前記駆動信号出力回路は、
前記振動子の発振起動期間では、前記矩形波信号出力回路からの前記矩形波信号を、前記駆動信号として前記振動子に出力し、
前記発振起動期間の完了後に、正弦波の前記駆動信号を出力することを特徴とする検出装置。 - 請求項1乃至6のいずれか一項に記載の検出装置と、
前記振動子と、
を含むことを特徴とするセンサー。 - 請求項1乃至6のいずれか一項に記載の検出装置を含むことを特徴とする電子機器。
- 請求項1乃至6のいずれか一項に記載の検出装置を含むことを特徴とする移動体。
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