JP6202135B2 - 水質管理装置 - Google Patents
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Description
対策データD1、D2では、ポリマー濃度と亜鉛濃度/全りん酸濃度に着目し、ポリマー濃度が基準値濃度を維持していても、亜鉛濃度/全りん酸濃度が、ポリマー濃度及び水処理剤の配合率から算出される濃度より低い場合、水処理設備100において腐食が発生し始めている可能性があると推定され、防食剤の注入量増加が推定された状況への対策となる。
対策データD3では、塩化物イオン濃度、硫酸イオン濃度、及びマットソン比に着目し、塩化物イオン濃度及び硫酸イオン濃度が基準値濃度を維持していても、マットソン比が1以下である場合、水処理設備100において銅材の腐食が発生し始めていると推定され、ブロー量増加による濃縮倍数の低減と防食剤の注入量増加が推定された状況への対策となる。
対策データD4、D5では、濁度と鉄濃度/銅濃度に着目し、濁度及び鉄濃度/銅濃度が上昇した場合、水処理設備100において腐食、又は持込み鉄による二次腐食が発生し始めていると推定され、防食剤の注入量増加が推定された状況への対策となる。
対策データD6では、ポリマー濃度及びCODに着目し、ポリマー濃度が基準値濃度を維持していても、循環水中のポリマー濃度に対するCODが上昇している場合、水処理設備100において外部からのCOD成分の混入によりスライムが発生し始めている可能性があると推定され、スライム防止剤の注入量増加が推定された状況への対策となる。
対策データD7では、遊離残留塩素濃度及び補給水アンモニウムイオン濃度に着目し、遊離残留塩素濃度が低下した場合、スライムが発生している可能性があると推定され、補給水アンモニウムイオン濃度から循環水系に必要な次亜塩素酸量を求め、次亜塩素酸ナトリウムの添加を行う。
対策データD8では、シリカ濃度及びマグネシウム硬度に着目し、シリカ濃度及びマグネシウム硬度が低下した場合、水処理設備100においてケイ酸マグネシウムでのスケールが析出していると推定され、ケイ酸マグネシウムスケール防止剤の注入量増加又はブロー量増加による濃縮倍数の低減が推定された状況への対策となる。
対策データD9では、濁度及びCODに着目し、濁度及びCODが上昇した場合、水処理設備100においてスライムが発生している可能性があると推定され、スライム防止剤の注入量増加が推定された状況への対策となる。
図1に示す装置により、パイロットプラント(以下、第1プラント)の冷却水系の循環水で、スケール防止剤としてアクリル酸を主体とするポリマーの濃度を連続して分析し、分析した結果が一定となるように薬品注入量を自動制御した。この系では、別途、持ち運び可能な分析計によりTOCをバッチで測定した。なお、第1プラントの脇で、測定開始後の26日以降から、近辺での有機溶剤の取り扱いを想定して、冷却塔脇に有機溶剤の排気ダクトの一部を引っ張り、運転を継続した。測定結果を表1に示す。
図1に示す装置により、第1プラントとは別のパイロットプラント(以下、第2プラント)の冷却水系の循環水で、ORP測定値に基づいて、モノクロロスファミン酸を主体とするスライム防止剤を含む水処理薬品の注入量を制御した。この系では、別途、持ち運び可能な分析計によりpHをバッチで測定した。なお、第2プラントでは、測定開始後の4日後にプロセスからのリークを模擬して冷却水系内に塩酸を添加した。測定結果を表2に示す。
図1に示す装置により、第1、2のプラントとは別のパイロットプラント(以下、第3プラント)に設置された循環水系の循環水及び補給水について、残留塩素およびシリカを測定した。本プラントでは、モノクロロスファミン酸を主体とするスライム防止剤を含む水処理薬品をタイマー注入した。また、夏場の渇水時期を想定して、実機冷却水の濁質をバッチで毎日投入した。それぞれの分析結果とシリカから算出した濃縮倍数の経時変化を表3に示す。
図1に示す装置により、第1〜3のプラントとは別のパイロットプラント(以下、第4プラント)に設置された循環水系の循環水及び補給水について、持ち運び可能な分析計によりバッチでpH、薬品濃度、およびシリカ濃度を測定した。さらに測定したシリカ濃度から濃縮倍数を算出した。測定結果及び算出結果を以下の表4に示す。なお、本プラントでは、アルカリを含んだ冷却水用薬品をタイマー注入した。
図1に示す装置により、第1〜4のプラントとは別のパイロットプラント(以下、第5プラント)に設置された循環水系の循環水及び補給水について、電気伝導率、カルシウム硬度、酸消費量(pH4.8)及びシリカ濃度を測定し、さらにそれぞれの測定値から濃縮倍数を算出した。測定結果を以下の表5に示す。
2 電極測定部
3 電気伝導率測定部
4 操作部
5 表示部
6 演算部
7 メモリ
10 セル設置部
12A〜12C セル
15 センサ設置盤
16,17 イオン電極
18 pHガラス電極
19 電気伝導率計
20 試料水容器
21 試料水容器配置部
23 比較電極
60 冷却塔
100 水処理設備
102 水処理装置
104 分析計
110 水質管理装置
112 入力部
114 表示部
116 演算部
118 メモリ
Claims (9)
- 水処理設備から採取された試料水について測定された複数の水質パラメータが入力される入力部と、
複数の水質パラメータの変化と、該変化があった場合に前記水処理設備における推定される水処理状況と、前記水処理設備に施す対策とを組み合わせた対策データを記憶する記憶部と、
前記対策データを参照し、入力された複数の水質パラメータに対応する水処理状況を選択する演算部と、
前記演算部により選択された水処理状況を表示する表示部と、
試料水の複数の水質パラメータを測定する複数の水質測定器と、
を備え、
前記演算部は、前記対策データを参照し、前記複数の水質測定器により測定された複数の水質パラメータに対応する水処理状況を選択し、
前記水質測定器として、透過率又は吸光度を測定するための光学的測定器、1種又は2種のイオン電極、及び電気伝導率計のうちの少なくとも2個を有し、
前記水質測定器の筐体の上面部に、起倒方向に回動可能なセンサ設置盤が設けられ、該センサ設置盤の下面から突出するようにイオン電極又は電気伝導率計よりなる水質測定器が設置されており、
該筐体には、倒伏状態の該センサ設置盤の下方に試料水用の容器が配置されており、
該センサ設置盤が倒伏した状態において、水質測定器の下端側が該容器内の試料水に浸漬されることを特徴とする水質管理装置。 - 水処理設備から採取された試料水について測定された複数の水質パラメータが入力される入力部と、
複数の水質パラメータの変化と、該変化があった場合に前記水処理設備における推定される水処理状況と、前記水処理設備に施す対策とを組み合わせた対策データを記憶する記憶部と、
前記対策データを参照し、入力された複数の水質パラメータに対応する水処理状況を選択する演算部と、
前記演算部により選択された水処理状況を表示する表示部と、
を備え、
前記対策データには、ポリマー濃度が基準値濃度を維持し、かつ亜鉛濃度が該ポリマー濃度に基づく濃度より低い場合、前記水処理設備において腐食が発生し始めていると推定され、該水処理設備に対し防食剤の注入量増加という対策を施すことが規定されていることを特徴とする水質管理装置。 - 水処理設備から採取された試料水について測定された複数の水質パラメータが入力される入力部と、
複数の水質パラメータの変化と、該変化があった場合に前記水処理設備における推定される水処理状況と、前記水処理設備に施す対策とを組み合わせた対策データを記憶する記憶部と、
前記対策データを参照し、入力された複数の水質パラメータに対応する水処理状況を選択する演算部と、
前記演算部により選択された水処理状況を表示する表示部と、
を備え、
前記対策データには、ポリマー濃度が基準値濃度を維持し、かつ全りん酸濃度が該ポリマー濃度に基づく濃度より低い場合、前記水処理設備において腐食が発生し始めていると推定され、該水処理設備に対し防食剤の注入量増加という対策を施すことが規定されていることを特徴とする水質管理装置。 - 水処理設備から採取された試料水について測定された複数の水質パラメータが入力される入力部と、
複数の水質パラメータの変化と、該変化があった場合に前記水処理設備における推定される水処理状況と、前記水処理設備に施す対策とを組み合わせた対策データを記憶する記憶部と、
前記対策データを参照し、入力された複数の水質パラメータに対応する水処理状況を選択する演算部と、
前記演算部により選択された水処理状況を表示する表示部と、
を備え、
前記対策データには、塩化物イオン濃度及び硫酸イオン濃度が基準値濃度を維持し、かつマットソン比が1以下である場合、前記水処理設備において銅材の腐食が発生し始めていると推定され、該水処理設備に対し防食剤の注入量増加及びブロー量増加という対策を施すことが規定されていることを特徴とする水質管理装置。 - 水処理設備から採取された試料水について測定された複数の水質パラメータが入力される入力部と、
複数の水質パラメータの変化と、該変化があった場合に前記水処理設備における推定される水処理状況と、前記水処理設備に施す対策とを組み合わせた対策データを記憶する記憶部と、
前記対策データを参照し、入力された複数の水質パラメータに対応する水処理状況を選択する演算部と、
前記演算部により選択された水処理状況を表示する表示部と、
を備え、
前記対策データには、濁度及び鉄濃度が上昇した場合、前記水処理設備において腐食又は持込み鉄による二次腐食が発生し始めていると推定され、該水処理設備に対し防食剤の注入量増加という対策を施すことが規定されていることを特徴とする水質管理装置。 - 水処理設備から採取された試料水について測定された複数の水質パラメータが入力される入力部と、
複数の水質パラメータの変化と、該変化があった場合に前記水処理設備における推定される水処理状況と、前記水処理設備に施す対策とを組み合わせた対策データを記憶する記憶部と、
前記対策データを参照し、入力された複数の水質パラメータに対応する水処理状況を選択する演算部と、
前記演算部により選択された水処理状況を表示する表示部と、
を備え、
前記対策データには、濁度及び銅濃度が上昇した場合、前記水処理設備において腐食が発生し始めていると推定され、該水処理設備に対し防食剤の注入量増加という対策を施すことが規定されていることを特徴とする水質管理装置。 - 水処理設備から採取された試料水について測定された複数の水質パラメータが入力される入力部と、
複数の水質パラメータの変化と、該変化があった場合に前記水処理設備における推定される水処理状況と、前記水処理設備に施す対策とを組み合わせた対策データを記憶する記憶部と、
前記対策データを参照し、入力された複数の水質パラメータに対応する水処理状況を選択する演算部と、
前記演算部により選択された水処理状況を表示する表示部と、
を備え、
前記対策データには、ポリマー濃度が基準値濃度を維持し、かつ循環水中のポリマー濃度に対するCOD(化学的酸素要求量)が上昇している場合、前記水処理設備において外部からのCOD成分の混入によりスライムが発生し始めていると推定され、該水処理設備に対しスライム防止剤の注入量増加という対策を施すことが規定されていることを特徴とする水質管理装置。 - 水処理設備から採取された試料水について測定された複数の水質パラメータが入力される入力部と、
複数の水質パラメータの変化と、該変化があった場合に前記水処理設備における推定される水処理状況と、前記水処理設備に施す対策とを組み合わせた対策データを記憶する記憶部と、
前記対策データを参照し、入力された複数の水質パラメータに対応する水処理状況を選択する演算部と、
前記演算部により選択された水処理状況を表示する表示部と、
を備え、
前記対策データには、シリカ濃度及びマグネシウム硬度が低下している場合、前記水処理設備においてケイ酸マグネシウムでのスケールが析出していると推定され、該水処理設備に対しケイ酸マグネシウムスケール防止剤の注入量増加又はブロー量増加という対策を施すことが規定されていることを特徴とする水質管理装置。 - 水処理設備から採取された試料水について測定された複数の水質パラメータが入力される入力部と、
複数の水質パラメータの変化と、該変化があった場合に前記水処理設備における推定される水処理状況と、前記水処理設備に施す対策とを組み合わせた対策データを記憶する記憶部と、
前記対策データを参照し、入力された複数の水質パラメータに対応する水処理状況を選択する演算部と、
前記演算部により選択された水処理状況を表示する表示部と、
を備え、
前記対策データには、濁度及びCOD(化学的酸素要求量)が上昇している場合、前記水処理設備においてスライムが発生していると推定され、該水処理設備に対しスライム防止剤の注入量増加という対策を施すことが規定されていることを特徴とする水質管理装置。
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