JP6195205B2 - 半導体レーザ - Google Patents
半導体レーザ Download PDFInfo
- Publication number
- JP6195205B2 JP6195205B2 JP2014541904A JP2014541904A JP6195205B2 JP 6195205 B2 JP6195205 B2 JP 6195205B2 JP 2014541904 A JP2014541904 A JP 2014541904A JP 2014541904 A JP2014541904 A JP 2014541904A JP 6195205 B2 JP6195205 B2 JP 6195205B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- refractive index
- composition
- cladding layer
- gan
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/30—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region
- H01S5/34—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising quantum well or superlattice structures, e.g. single quantum well [SQW] lasers, multiple quantum well [MQW] lasers or graded index separate confinement heterostructure [GRINSCH] lasers
- H01S5/343—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising quantum well or superlattice structures, e.g. single quantum well [SQW] lasers, multiple quantum well [MQW] lasers or graded index separate confinement heterostructure [GRINSCH] lasers in AIIIBV compounds, e.g. AlGaAs-laser, InP-based laser
- H01S5/34333—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising quantum well or superlattice structures, e.g. single quantum well [SQW] lasers, multiple quantum well [MQW] lasers or graded index separate confinement heterostructure [GRINSCH] lasers in AIIIBV compounds, e.g. AlGaAs-laser, InP-based laser with a well layer based on Ga(In)N or Ga(In)P, e.g. blue laser
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
- H01S5/0206—Substrates, e.g. growth, shape, material, removal or bonding
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/20—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers
- H01S5/22—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers having a ridge or stripe structure
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/30—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region
- H01S5/3013—AIIIBV compounds
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/30—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region
- H01S5/32—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising PN junctions, e.g. hetero- or double- heterostructures
- H01S5/323—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising PN junctions, e.g. hetero- or double- heterostructures in AIIIBV compounds, e.g. AlGaAs-laser, InP-based laser
- H01S5/32308—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising PN junctions, e.g. hetero- or double- heterostructures in AIIIBV compounds, e.g. AlGaAs-laser, InP-based laser emitting light at a wavelength less than 900 nm
- H01S5/32341—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising PN junctions, e.g. hetero- or double- heterostructures in AIIIBV compounds, e.g. AlGaAs-laser, InP-based laser emitting light at a wavelength less than 900 nm blue laser based on GaN or GaP
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S2301/00—Functional characteristics
- H01S2301/17—Semiconductor lasers comprising special layers
- H01S2301/173—The laser chip comprising special buffer layers, e.g. dislocation prevention or reduction
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/20—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers
- H01S5/22—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers having a ridge or stripe structure
- H01S5/223—Buried stripe structure
- H01S5/2231—Buried stripe structure with inner confining structure only between the active layer and the upper electrode
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/30—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region
- H01S5/32—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising PN junctions, e.g. hetero- or double- heterostructures
- H01S5/3201—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising PN junctions, e.g. hetero- or double- heterostructures incorporating bulkstrain effects, e.g. strain compensation, strain related to polarisation
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/30—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region
- H01S5/32—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising PN junctions, e.g. hetero- or double- heterostructures
- H01S5/3211—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising PN junctions, e.g. hetero- or double- heterostructures characterised by special cladding layers, e.g. details on band-discontinuities
- H01S5/3213—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising PN junctions, e.g. hetero- or double- heterostructures characterised by special cladding layers, e.g. details on band-discontinuities asymmetric clading layers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/30—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region
- H01S5/34—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising quantum well or superlattice structures, e.g. single quantum well [SQW] lasers, multiple quantum well [MQW] lasers or graded index separate confinement heterostructure [GRINSCH] lasers
- H01S5/3407—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising quantum well or superlattice structures, e.g. single quantum well [SQW] lasers, multiple quantum well [MQW] lasers or graded index separate confinement heterostructure [GRINSCH] lasers characterised by special barrier layers
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Geometry (AREA)
- Semiconductor Lasers (AREA)
- Led Devices (AREA)
Description
以下、半導体発光素子の一実施形態について図面を参照しながら説明する。一実施形態の半導体発光素子は、図1に示すように、GaNからなる基板11と、基板11の上方に設けられた第1導電型の第1クラッド層12と、前記第1クラッド層12の上方に設けられた量子井戸活性層13と、前記量子井戸活性層13の上方に設けられた第2導電型の第2クラッド層14とを備えている。
屈折率補正層15を構成するIn1-x-yAlyGaxN層が(式1)を満たすことにより、屈折率補正層15の屈折率を、第1クラッド層12の屈折率よりも低くすることができる。以下に、その理由を説明する。
x/1.08+y/0.91≦1 ・・・(式3)
屈折率補正層15を構成するIn1-x-yAlyGaxN層が(式2)、及び(式3)を満たすことにより、屈折率補正層15と、基板11及び第1クラッド層12との格子定数の差を1%以内に抑えることができる。このため、基板11と第1クラッド層12との格子不整を抑制することができる。
発光波長が530nm以上の場合には、屈折率補正層15を構成するIn1-x-yAlyGaxN層が(式4)を満たすことにより、屈折率補正層15の屈折率を、第1クラッド層12の屈折率よりも低くすることができる。発光波長が530nmである場合には、第1クラッド層12の屈折率の下限となるAl組成が0.1であるAl0.1Ga0.9N層と屈折率が等しい、In1-x-yAlyGaxN層は、図3においてx/1.13+y/0.49=1により表される線分と一致する。すなわち、発光波長が530nm以上の場合には、In組成が0.51、Al組成が0.49、Ga組成が0であるIn0.51Al0.49Nと、Al組成が0.1、Ga組成が0.9、In組成が0であるAl0.1Ga0.9Nとを結ぶ線分上の組成の層の屈折率は、第1クラッド層12の屈折率の実質上の下限と等しい。
発光波長が630nm以上の場合には、屈折率補正層15を構成するIn1-x-yAlyGaxN層が(式5)を満たすことにより、屈折率補正層15の屈折率を、第1クラッド層12の屈折率よりも低くすることができる。発光波長が630nmである場合には、第1クラッド層12の屈折率の下限となるAl組成が0.1であるAl0.1Ga0.9N層と屈折率が等しい、In1-x-yAlyGaxN層は、図4において、x/1.54+y/0.24=1により表される線分と一致する。すなわち、発光波長が630nm以上の場合には、In組成が0.76、Al組成が0.24、Ga組成が0であるIn0.76Al0.24Nと、Al組成が0.1、Ga組成が0.9、In組成が0であるAl0.1Ga0.9Nとを結ぶ線分上の組成の層の屈折率は、第1クラッド層12の屈折率の実質上の下限と等しい。
x/0.96+y/0.81≧1 ・・・(式7)
まず、図5(a)及び、図5(b)に、InAlNにおける格子欠陥が発生する臨界膜厚と格子不整との関係及び、臨界膜厚を格子不整が1%である場合の値で規格化した規格化臨界膜厚と格子不整との関係をそれぞれ示す。図5(a)に示すように、GaNからなる基板11と屈折率補正層15との格子定数の差が0.45%以下の場合には、膜厚が100Å以下の範囲において、格子欠陥の発生を抑制できる。
x/0.99+y/0.82≧1 ・・・(式9)
図5(a)、図5(b)に示すように、GaNからなる基板11と屈折率補正層15との格子定数の差が0.1%以下の場合、格子欠陥が発生する臨界膜厚が急激に増大する。
図6は、バルクのInAlGaNにおける、熱力学的な計算により求めた種々の結晶成長温度に対する、組成分離を生じる原子組成範囲を示している。図6から、結晶成長温度を低くすると、組成分離を生じる原子組成範囲が大きくなることがわかる。
実施例1に係る半導体発光素子は、図1に示すような断面構成を有している。
実施例2の半導体発光素子は、図1に示した実施例1の構造において、量子井戸活性層13におけるInGaNウェル層のIn組成を530nm帯のレーザ発振を得るために0.3としている。また、格子欠陥発生を抑制するためにウェル層の厚さは25Åとし、TQW構造としている。
実施例3の半導体発光素子は、図15に示すように、第1クラッド層12をAlGaNではなく、InAlGaNとしている。その他の点は、実施例1、又は実施例2と同様である。このような構成としても、格子欠陥や組成分離の発生を抑制でき、低損失の屈折率補正層15と、垂直方向光閉じ込め係数の増大とを実現することが可能である。
実施例4の半導体発光素子は、図16に示すように、屈折率補正層15と基板11との間に第3クラッド層12Aが設けられている。その他の点は、実施例から実施例3と同様である。
実施例5の半導体発光素子は、図17に示すように、第2屈折率補正層16を第2クラッド層14とコンタクト層317との間に備えている。その他の点は、実施例1、又は実施例2と同様である。
12 第1クラッド層
13 量子井戸活性層
14 第2クラッド層
14A リッジ
15 屈折率補正層
16 第2屈折率補正層
141 第1層
142 第2層
313 ガイド層
315 量子井戸電子障壁層
317 コンタクト層
318 電流ブロック層
320 第2電極
321 第1電極
Claims (13)
- GaNからなる基板と、
前記基板の上方に設けられたIn1-n1-n2Aln2Gan1N(0<n1<1、0≦n2≦0.1、n1+n2≦1)からなる第1導電型の第1クラッド層と、
前記第1クラッド層の上方に設けられた量子井戸活性層と、
前記量子井戸活性層の上方に設けられたIn1-m1-m2Alm2Gam1N(0<m1<1、0<m2<1、m1+m2≦1)からなる第2導電型の第2クラッド層と、
前記基板と前記第1クラッド層との間に設けられた第1導電型の第1屈折率補正層とを備え、
前記第1屈折率補正層は、In1-x-yAlyGaxN(x+y<1)層を含み、
前記x及びyは、x/1.05+y/0.69>1、x/0.91+y/0.75≧1、及びx/1.08+y/0.91≦1の関係式を満たし、
前記量子井戸活性層の発光波長は430nm以上である、半導体レーザ。 - GaNからなる基板と、
前記基板の上方に設けられたIn1-n1-n2Aln2Gan1N(0<n1<1、0≦n2≦0.1、n1+n2≦1)からなる第1導電型の第1クラッド層と、
前記第1クラッド層の上方に設けられた量子井戸活性層と、
前記量子井戸活性層の上方に設けられたIn1-m1-m2Alm2Gam1N(0<m1<1、0<m2<1、m1+m2≦1)からなる第2導電型の第2クラッド層と、
前記基板と前記第1クラッド層との間に設けられた第1導電型の第1屈折率補正層とを備え、
前記第1屈折率補正層は、In1-x-yAlyGaxN(x+y<1)層を含み、
前記x及びyは、x/1.13+y/0.49>1、x/0.91+y/0.75≧1、及びx/1.08+y/0.91≦1の関係式を満たし、
前記量子井戸活性層の発光波長は530nm以上である、半導体レーザ。 - GaNからなる基板と、
前記基板の上方に設けられたIn1-n1-n2Aln2Gan1N(0<n1<1、0≦n2≦0.1、n1+n2≦1)からなる第1導電型の第1クラッド層と、
前記第1クラッド層の上方に設けられた量子井戸活性層と、
前記量子井戸活性層の上方に設けられたIn1-m1-m2Alm2Gam1N(0<m1<1、0<m2<1、m1+m2≦1)からなる第2導電型の第2クラッド層と、
前記基板と前記第1クラッド層との間に設けられた第1導電型の第1屈折率補正層とを備え、
前記第1屈折率補正層は、In1-x-yAlyGaxN(x+y<1)層を含み、
前記x及びyは、x/1.54+y/0.24>1、x/0.91+y/0.75≧1、及びx/1.08+y/0.91≦1の関係式を満たし、
前記量子井戸活性層の発光波長は630nm以上である、半導体レーザ。 - 前記x及びyは、x/0.96+y/0.81≧1、及びx/1.04+y/0.87≦1の関係式を満たす、請求項1〜3のいずれか1項に記載の半導体レーザ。
- 前記x及びyは、x/0.99+y/0.82≧1、及びx/1.01+y/0.84≦1の関係式を満たす、請求項1〜3のいずれか1項に記載の半導体レーザ。
- 前記x及びyは、x/0.80+y/0.89≧1の関係式を満たす、請求項1〜3のいずれか1項に記載の半導体レーザ。
- 前記第1屈折率補正層は、前記In1-x-yAlyGaxN層とGaN層とを含む多重量子井戸からなる超格子層である、請求項1〜6のいずれか1項に記載の半導体レーザ。
- 前記xは0である、請求項1〜7のいずれか1項に記載の半導体レーザ。
- 前記第1屈折率補正層と、前記第1クラッド層との間に設けられた第3クラッド層をさらに備えている、請求項1〜8のいずれか1項に記載の半導体レーザ。
- 前記第1クラッド層はGaNからなり、前記第3クラッド層はAlGaNからなる、請求項9に記載の半導体レーザ。
- 前記第2クラッド層の上方に設けられた第2屈折率補正層をさらに備えている、請求項1〜10のいずれか1項に記載の半導体レーザ。
- 前記量子井戸活性層の上方に設けられた第2屈折率補正層をさらに備え、
前記第2クラッド層は、第1層と第2層とを有し、
前記第2屈折率補正層は、前記第1層と前記第2層との間に設けられている、請求項1〜10のいずれか1項に記載の半導体レーザ。 - 前記量子井戸活性層と前記第2クラッド層との間に設けられた第2屈折率補正層をさらに備えている、請求項1〜10のいずれか1項に記載の半導体レーザ。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2012231383 | 2012-10-19 | ||
JP2012231383 | 2012-10-19 | ||
PCT/JP2013/002544 WO2014061174A1 (ja) | 2012-10-19 | 2013-04-15 | 半導体発光素子 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPWO2014061174A1 JPWO2014061174A1 (ja) | 2016-09-05 |
JP6195205B2 true JP6195205B2 (ja) | 2017-09-13 |
Family
ID=50487757
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2014541904A Active JP6195205B2 (ja) | 2012-10-19 | 2013-04-15 | 半導体レーザ |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US9214789B2 (ja) |
JP (1) | JP6195205B2 (ja) |
CN (1) | CN104737393B (ja) |
WO (1) | WO2014061174A1 (ja) |
Families Citing this family (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US11095096B2 (en) | 2014-04-16 | 2021-08-17 | Yale University | Method for a GaN vertical microcavity surface emitting laser (VCSEL) |
WO2016054232A1 (en) | 2014-09-30 | 2016-04-07 | Yale University | A METHOD FOR GaN VERTICAL MICROCAVITY SURFACE EMITTING LASER (VCSEL) |
US11018231B2 (en) | 2014-12-01 | 2021-05-25 | Yale University | Method to make buried, highly conductive p-type III-nitride layers |
US10554017B2 (en) * | 2015-05-19 | 2020-02-04 | Yale University | Method and device concerning III-nitride edge emitting laser diode of high confinement factor with lattice matched cladding layer |
DE102018129051A1 (de) * | 2018-11-19 | 2020-05-20 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Kantenemittierender Halbleiterlaser |
WO2022004146A1 (ja) * | 2020-06-30 | 2022-01-06 | 日亜化学工業株式会社 | 垂直共振器面発光レーザ素子の製造方法及び垂直共振器面発光レーザ素子 |
Family Cites Families (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH11251685A (ja) * | 1998-03-05 | 1999-09-17 | Toshiba Corp | 半導体レーザ |
JP4163343B2 (ja) * | 1999-09-22 | 2008-10-08 | 三菱化学株式会社 | 発光素子および発光素子モジュール |
WO2001022545A1 (fr) | 1999-09-22 | 2001-03-29 | Mitsubishi Chemical Corporation | Element lumineux et module d'element lumineux |
JP4291960B2 (ja) | 2001-03-09 | 2009-07-08 | 日亜化学工業株式会社 | 窒化物半導体素子 |
JP4204982B2 (ja) * | 2002-04-04 | 2009-01-07 | シャープ株式会社 | 半導体レーザ素子 |
JP2004014818A (ja) * | 2002-06-07 | 2004-01-15 | Fuji Photo Film Co Ltd | 半導体レーザ素子 |
US7123637B2 (en) * | 2003-03-20 | 2006-10-17 | Xerox Corporation | Nitride-based laser diode with GaN waveguide/cladding layer |
JP2006196867A (ja) * | 2004-12-17 | 2006-07-27 | Sharp Corp | 半導体レーザ素子及びそれを備えた光学式情報記録装置 |
EP2023411A1 (en) * | 2006-05-01 | 2009-02-11 | Mitsubishi Chemical Corporation | Integrated semiconductor light-emitting device and its manufacturing method |
JP2010212499A (ja) | 2009-03-11 | 2010-09-24 | Sony Corp | 半導体レーザ素子 |
JP2011003661A (ja) * | 2009-06-17 | 2011-01-06 | Rohm Co Ltd | 半導体レーザ素子 |
-
2013
- 2013-04-15 JP JP2014541904A patent/JP6195205B2/ja active Active
- 2013-04-15 CN CN201380052323.9A patent/CN104737393B/zh active Active
- 2013-04-15 WO PCT/JP2013/002544 patent/WO2014061174A1/ja active Application Filing
-
2015
- 2015-04-16 US US14/688,746 patent/US9214789B2/en active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20150229104A1 (en) | 2015-08-13 |
JPWO2014061174A1 (ja) | 2016-09-05 |
CN104737393B (zh) | 2017-08-04 |
CN104737393A (zh) | 2015-06-24 |
US9214789B2 (en) | 2015-12-15 |
WO2014061174A1 (ja) | 2014-04-24 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR100689782B1 (ko) | 반도체 발광 소자 및 그 제조 방법 | |
US6249534B1 (en) | Nitride semiconductor laser device | |
JP6195205B2 (ja) | 半導体レーザ | |
JP5963004B2 (ja) | 窒化物半導体発光素子 | |
JP6255939B2 (ja) | 窒化物半導体レーザ素子 | |
JP2010177651A (ja) | 半導体レーザ素子 | |
JP2002335052A (ja) | 窒化物半導体素子 | |
US20110272667A1 (en) | Semiconductor light emitting device | |
US11070028B2 (en) | Semiconductor light emitting element | |
JP2006135221A (ja) | 半導体発光素子 | |
JP7116291B2 (ja) | 半導体レーザ素子 | |
JP2011003661A (ja) | 半導体レーザ素子 | |
JP4821385B2 (ja) | Iii族窒化物半導体光素子 | |
JP2016066670A (ja) | 半導体レーザ | |
JP4254373B2 (ja) | 窒化物半導体素子 | |
US10389089B2 (en) | Nitride semiconductor laser device | |
JP5669672B2 (ja) | 半導体発光素子 | |
JP6158590B2 (ja) | 半導体レーザ | |
US12021350B2 (en) | Edge-emitting semiconductor laser | |
JP6603507B2 (ja) | 半導体レーザ素子 | |
TW202232782A (zh) | 氮化物半導體發光元件 | |
JP2014229743A (ja) | 半導体レーザ | |
JP2009135284A (ja) | 半導体レーザ素子およびその製造方法 | |
JP2001007444A (ja) | 窒化物半導体レーザ素子 | |
JP2007049199A (ja) | 半導体発光素子 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20161220 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20170213 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20170718 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20170804 |
|
R151 | Written notification of patent or utility model registration |
Ref document number: 6195205 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R151 |