JP6187126B2 - 電気接続材料 - Google Patents

電気接続材料 Download PDF

Info

Publication number
JP6187126B2
JP6187126B2 JP2013215095A JP2013215095A JP6187126B2 JP 6187126 B2 JP6187126 B2 JP 6187126B2 JP 2013215095 A JP2013215095 A JP 2013215095A JP 2013215095 A JP2013215095 A JP 2013215095A JP 6187126 B2 JP6187126 B2 JP 6187126B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
resin composition
polymerization initiator
composition layer
thermosetting resin
electrical connection
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
JP2013215095A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2015079603A (ja
Inventor
恭志 阿久津
恭志 阿久津
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Dexerials Corp
Original Assignee
Dexerials Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Dexerials Corp filed Critical Dexerials Corp
Priority to JP2013215095A priority Critical patent/JP6187126B2/ja
Priority to KR1020167008851A priority patent/KR101828192B1/ko
Priority to CN201480054982.0A priority patent/CN105594064B/zh
Priority to US15/027,422 priority patent/US10154587B2/en
Priority to PCT/JP2014/074510 priority patent/WO2015056512A1/ja
Priority to TW103135171A priority patent/TWI627639B/zh
Publication of JP2015079603A publication Critical patent/JP2015079603A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP6187126B2 publication Critical patent/JP6187126B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01BCABLES; CONDUCTORS; INSULATORS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR CONDUCTIVE, INSULATING OR DIELECTRIC PROPERTIES
    • H01B5/00Non-insulated conductors or conductive bodies characterised by their form
    • H01B5/14Non-insulated conductors or conductive bodies characterised by their form comprising conductive layers or films on insulating-supports
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C08ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08FMACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED BY REACTIONS ONLY INVOLVING CARBON-TO-CARBON UNSATURATED BONDS
    • C08F2/00Processes of polymerisation
    • C08F2/44Polymerisation in the presence of compounding ingredients, e.g. plasticisers, dyestuffs, fillers
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C08ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08FMACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED BY REACTIONS ONLY INVOLVING CARBON-TO-CARBON UNSATURATED BONDS
    • C08F2/00Processes of polymerisation
    • C08F2/46Polymerisation initiated by wave energy or particle radiation
    • C08F2/48Polymerisation initiated by wave energy or particle radiation by ultraviolet or visible light
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C09DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09JADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J163/00Adhesives based on epoxy resins; Adhesives based on derivatives of epoxy resins
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C09DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09JADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J201/00Adhesives based on unspecified macromolecular compounds
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01BCABLES; CONDUCTORS; INSULATORS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR CONDUCTIVE, INSULATING OR DIELECTRIC PROPERTIES
    • H01B1/00Conductors or conductive bodies characterised by the conductive materials; Selection of materials as conductors
    • H01B1/20Conductive material dispersed in non-conductive organic material
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01BCABLES; CONDUCTORS; INSULATORS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR CONDUCTIVE, INSULATING OR DIELECTRIC PROPERTIES
    • H01B1/00Conductors or conductive bodies characterised by the conductive materials; Selection of materials as conductors
    • H01B1/20Conductive material dispersed in non-conductive organic material
    • H01B1/22Conductive material dispersed in non-conductive organic material the conductive material comprising metals or alloys
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01BCABLES; CONDUCTORS; INSULATORS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR CONDUCTIVE, INSULATING OR DIELECTRIC PROPERTIES
    • H01B13/00Apparatus or processes specially adapted for manufacturing conductors or cables
    • H01B13/0026Apparatus for manufacturing conducting or semi-conducting layers, e.g. deposition of metal
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01BCABLES; CONDUCTORS; INSULATORS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR CONDUCTIVE, INSULATING OR DIELECTRIC PROPERTIES
    • H01B3/00Insulators or insulating bodies characterised by the insulating materials; Selection of materials for their insulating or dielectric properties
    • H01B3/18Insulators or insulating bodies characterised by the insulating materials; Selection of materials for their insulating or dielectric properties mainly consisting of organic substances
    • H01B3/30Insulators or insulating bodies characterised by the insulating materials; Selection of materials for their insulating or dielectric properties mainly consisting of organic substances plastics; resins; waxes
    • H01B3/40Insulators or insulating bodies characterised by the insulating materials; Selection of materials for their insulating or dielectric properties mainly consisting of organic substances plastics; resins; waxes epoxy resins
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/26Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/27Manufacturing methods
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/26Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/28Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process
    • H01L24/29Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process of an individual layer connector
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/80Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L24/81Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a bump connector
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/80Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L24/83Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01RELECTRICALLY-CONDUCTIVE CONNECTIONS; STRUCTURAL ASSOCIATIONS OF A PLURALITY OF MUTUALLY-INSULATED ELECTRICAL CONNECTING ELEMENTS; COUPLING DEVICES; CURRENT COLLECTORS
    • H01R4/00Electrically-conductive connections between two or more conductive members in direct contact, i.e. touching one another; Means for effecting or maintaining such contact; Electrically-conductive connections having two or more spaced connecting locations for conductors and using contact members penetrating insulation
    • H01R4/04Electrically-conductive connections between two or more conductive members in direct contact, i.e. touching one another; Means for effecting or maintaining such contact; Electrically-conductive connections having two or more spaced connecting locations for conductors and using contact members penetrating insulation using electrically conductive adhesives
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K1/00Printed circuits
    • H05K1/02Details
    • H05K1/03Use of materials for the substrate
    • H05K1/0313Organic insulating material
    • H05K1/0353Organic insulating material consisting of two or more materials, e.g. two or more polymers, polymer + filler, + reinforcement
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K1/00Printed circuits
    • H05K1/02Details
    • H05K1/09Use of materials for the conductive, e.g. metallic pattern
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K1/00Printed circuits
    • H05K1/18Printed circuits structurally associated with non-printed electric components
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/02Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which the conductive material is applied to the surface of the insulating support and is thereafter removed from such areas of the surface which are not intended for current conducting or shielding
    • H05K3/06Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which the conductive material is applied to the surface of the insulating support and is thereafter removed from such areas of the surface which are not intended for current conducting or shielding the conductive material being removed chemically or electrolytically, e.g. by photo-etch process
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/10Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/12Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/13Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process of an individual bump connector
    • H01L2224/13001Core members of the bump connector
    • H01L2224/13099Material
    • H01L2224/131Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
    • H01L2224/13138Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
    • H01L2224/13144Gold [Au] as principal constituent
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/27Manufacturing methods
    • H01L2224/27001Involving a temporary auxiliary member not forming part of the manufacturing apparatus, e.g. removable or sacrificial coating, film or substrate
    • H01L2224/27003Involving a temporary auxiliary member not forming part of the manufacturing apparatus, e.g. removable or sacrificial coating, film or substrate for holding or transferring the layer preform
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/27Manufacturing methods
    • H01L2224/271Manufacture and pre-treatment of the layer connector preform
    • H01L2224/2712Applying permanent coating
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/27Manufacturing methods
    • H01L2224/273Manufacturing methods by local deposition of the material of the layer connector
    • H01L2224/2731Manufacturing methods by local deposition of the material of the layer connector in liquid form
    • H01L2224/2732Screen printing, i.e. using a stencil
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/28Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/29Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/29001Core members of the layer connector
    • H01L2224/29075Plural core members
    • H01L2224/2908Plural core members being stacked
    • H01L2224/29083Three-layer arrangements
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/28Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/29Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/29001Core members of the layer connector
    • H01L2224/29099Material
    • H01L2224/2919Material with a principal constituent of the material being a polymer, e.g. polyester, phenolic based polymer, epoxy
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/28Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/29Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/29001Core members of the layer connector
    • H01L2224/29099Material
    • H01L2224/29198Material with a principal constituent of the material being a combination of two or more materials in the form of a matrix with a filler, i.e. being a hybrid material, e.g. segmented structures, foams
    • H01L2224/29199Material of the matrix
    • H01L2224/2929Material of the matrix with a principal constituent of the material being a polymer, e.g. polyester, phenolic based polymer, epoxy
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/28Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/29Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/29001Core members of the layer connector
    • H01L2224/29099Material
    • H01L2224/29198Material with a principal constituent of the material being a combination of two or more materials in the form of a matrix with a filler, i.e. being a hybrid material, e.g. segmented structures, foams
    • H01L2224/29199Material of the matrix
    • H01L2224/29294Material of the matrix with a principal constituent of the material being a liquid not provided for in groups H01L2224/292 - H01L2224/29291
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/28Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/29Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/29001Core members of the layer connector
    • H01L2224/29099Material
    • H01L2224/29198Material with a principal constituent of the material being a combination of two or more materials in the form of a matrix with a filler, i.e. being a hybrid material, e.g. segmented structures, foams
    • H01L2224/29298Fillers
    • H01L2224/29299Base material
    • H01L2224/293Base material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
    • H01L2224/29338Base material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
    • H01L2224/29355Nickel [Ni] as principal constituent
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/28Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/29Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/29001Core members of the layer connector
    • H01L2224/29099Material
    • H01L2224/29198Material with a principal constituent of the material being a combination of two or more materials in the form of a matrix with a filler, i.e. being a hybrid material, e.g. segmented structures, foams
    • H01L2224/29298Fillers
    • H01L2224/29299Base material
    • H01L2224/2939Base material with a principal constituent of the material being a polymer, e.g. polyester, phenolic based polymer, epoxy
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/28Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/29Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/29001Core members of the layer connector
    • H01L2224/29099Material
    • H01L2224/29198Material with a principal constituent of the material being a combination of two or more materials in the form of a matrix with a filler, i.e. being a hybrid material, e.g. segmented structures, foams
    • H01L2224/29298Fillers
    • H01L2224/29399Coating material
    • H01L2224/294Coating material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
    • H01L2224/29438Coating material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
    • H01L2224/29455Nickel [Ni] as principal constituent
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/73Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
    • H01L2224/732Location after the connecting process
    • H01L2224/73201Location after the connecting process on the same surface
    • H01L2224/73203Bump and layer connectors
    • H01L2224/73204Bump and layer connectors the bump connector being embedded into the layer connector
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/81Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a bump connector
    • H01L2224/8119Arrangement of the bump connectors prior to mounting
    • H01L2224/81191Arrangement of the bump connectors prior to mounting wherein the bump connectors are disposed only on the semiconductor or solid-state body
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/81Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a bump connector
    • H01L2224/819Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a bump connector with the bump connector not providing any mechanical bonding
    • H01L2224/81901Pressing the bump connector against the bonding areas by means of another connector
    • H01L2224/81903Pressing the bump connector against the bonding areas by means of another connector by means of a layer connector
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/83Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
    • H01L2224/831Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector the layer connector being supplied to the parts to be connected in the bonding apparatus
    • H01L2224/83101Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector the layer connector being supplied to the parts to be connected in the bonding apparatus as prepeg comprising a layer connector, e.g. provided in an insulating plate member
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/83Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
    • H01L2224/832Applying energy for connecting
    • H01L2224/83201Compression bonding
    • H01L2224/83203Thermocompression bonding, e.g. diffusion bonding, pressure joining, thermocompression welding or solid-state welding
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/83Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
    • H01L2224/838Bonding techniques
    • H01L2224/8385Bonding techniques using a polymer adhesive, e.g. an adhesive based on silicone, epoxy, polyimide, polyester
    • H01L2224/83851Bonding techniques using a polymer adhesive, e.g. an adhesive based on silicone, epoxy, polyimide, polyester being an anisotropic conductive adhesive
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/83Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
    • H01L2224/838Bonding techniques
    • H01L2224/8385Bonding techniques using a polymer adhesive, e.g. an adhesive based on silicone, epoxy, polyimide, polyester
    • H01L2224/83855Hardening the adhesive by curing, i.e. thermosetting
    • H01L2224/83856Pre-cured adhesive, i.e. B-stage adhesive
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/10Bump connectors ; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/12Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process
    • H01L24/13Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process of an individual bump connector
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01RELECTRICALLY-CONDUCTIVE CONNECTIONS; STRUCTURAL ASSOCIATIONS OF A PLURALITY OF MUTUALLY-INSULATED ELECTRICAL CONNECTING ELEMENTS; COUPLING DEVICES; CURRENT COLLECTORS
    • H01R12/00Structural associations of a plurality of mutually-insulated electrical connecting elements, specially adapted for printed circuits, e.g. printed circuit boards [PCB], flat or ribbon cables, or like generally planar structures, e.g. terminal strips, terminal blocks; Coupling devices specially adapted for printed circuits, flat or ribbon cables, or like generally planar structures; Terminals specially adapted for contact with, or insertion into, printed circuits, flat or ribbon cables, or like generally planar structures
    • H01R12/50Fixed connections
    • H01R12/51Fixed connections for rigid printed circuits or like structures
    • H01R12/55Fixed connections for rigid printed circuits or like structures characterised by the terminals
    • H01R12/57Fixed connections for rigid printed circuits or like structures characterised by the terminals surface mounting terminals
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/30Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor
    • H05K3/32Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits
    • H05K3/321Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits by conductive adhesives
    • H05K3/323Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits by conductive adhesives by applying an anisotropic conductive adhesive layer over an array of pads

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Medicinal Chemistry (AREA)
  • Polymers & Plastics (AREA)
  • Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Dispersion Chemistry (AREA)
  • Non-Insulated Conductors (AREA)
  • Adhesives Or Adhesive Processes (AREA)
  • Polymerisation Methods In General (AREA)
  • Electric Connection Of Electric Components To Printed Circuits (AREA)
  • Wire Bonding (AREA)
  • Organic Insulating Materials (AREA)
  • Adhesive Tapes (AREA)

Description

本発明は、異方性導電フィルム等の電気接続材料、その製造方法及び接続体に関する。
ICチップ等の電気部品を基板等に実装する際に、導電粒子とその分散媒となるバインダ樹脂組成物とから構成される異方性導電フィルムが電気接続材料として広く使用されている。このような異方性導電フィルムには、高い接着強度が求められているため、バインダ樹脂組成物として、アクリレート系接着剤組成物よりも高い接着強度を実現可能なエポキシ系接着剤組成物が広く使用されている。通常、このようなエポキシ系接着剤組成物は、エポキシ系化合物にアニオン系硬化剤又はカチオン系硬化剤を配合したものである。
しかし、エポキシ系接着剤組成物をバインダ樹脂組成物として使用した異方性導電フィルムの場合、エポキシ系接着剤組成物の硬化物は、当該エポキシ系接着剤組成物の硬化収縮により異方性導電接合部に生ずる応力を十分に緩和することができないため、異方性導電接合部に反りを発生させてしまうという問題があった。このため、カチオン系硬化剤を使用したエポキシ系接着剤組成物に、それよりも比較的応力緩和能に優れた硬化物を与えるラジカル重合型アクリレート系組成物を配合し、エポキシ系接着剤組成物の高い接着強度を低下させずに応力緩和能を付与しようとすることが提案されている(特許文献1)。
特開2006−127776号公報
しかしながら、特許文献1の異方性導電フィルムの場合、異方性導電接続部における反りの発生をある程度軽減することが可能であったが、異方性導電フィルムを用いて形成した接続体を高温高湿で保管した場合には、導通抵抗が増大し、導通信頼性が低下するという問題があった。
本発明の目的は、以上の従来の技術の問題点を解決することであり、異方性導電接続部等の電気接続部に反りが発生することを抑制し、しかも異方性導電接続等の電気接続により得られた接続体の導通信頼性を低下させない異方性導電フィルム等の電気接続材料を提供することである。
本発明者は、異方性導電フィルム等の電気接続材料を、導電粒子含有層を絶縁性樹脂組成物層で挟持させた構造とし、当該導電粒子含有層として、導電粒子を含有するアクリレート系ラジカル重合性組成物に、非ラジカル重合性エポキシ化合物をエポキシ化合物用の硬化剤と併用することなく配合してなる樹脂組成物層を光硬化させてBステージ化したものを採用することにより、上述の目的を達成できることを見出し、本発明を完成させるに至った。
即ち、本発明は、導電粒子含有層が、第1の絶縁性熱硬化型樹脂組成物層と第2の絶縁性熱硬化型樹脂組成物層とで挟持された電気接続材料、好ましくは異方性導電フィルムであって、
導電粒子含有層が、アクリレート系ラジカル重合性化合物と、光ラジカル重合開始剤と、非ラジカル重合性エポキシ化合物と、導電粒子とを含有する導電粒子含有樹脂組成物層を光照射により光ラジカル重合させてBステージ化したものであり、
第1の絶縁性熱硬化型樹脂組成物層及び第2の絶縁性熱硬化型樹脂組成物層が、それぞれ非ラジカル重合性エポキシ化合物と熱カチオン重合開始剤又は熱アニオン重合開始剤とを含有していることを特徴とする電気接続材料を提供する。
本発明は、また、上述の本発明の電気接続材料、好ましくは異方性導電フィルムの製造方法であって、
アクリレート系ラジカル重合性化合物と、光ラジカル重合開始剤と、非ラジカル重合性エポキシ化合物と、導電粒子とを含有する導電粒子含有樹脂組成物を成膜し、得られた膜に対し光を照射して光ラジカル重合させBステージ化することにより導電粒子含有層を形成する工程、及び
導電粒子含有層の片面に、非ラジカル重合性エポキシ化合物と熱カチオン重合開始剤又は熱アニオン重合開始剤とを含有している第1の絶縁性熱硬化型樹脂組成物層、他面に非ラジカル重合性エポキシ化合物と熱カチオン重合開始剤又は熱アニオン重合開始剤とを含有している第2の絶縁性熱硬化型樹脂組成物層を積層する工程
を有する製造方法を提供する。
更に、本発明は、第1の電気部品の端子と第2の電気部品の端子とを、上述の本発明の電気接続材料、好ましくは異方性導電フィルムを介して熱圧着により電気接続、好ましくは異方性導電接続してなる接続体を提供する。
本発明の異方性導電フィルム等の電気接続材料は、導電粒子含有層が、第1の絶縁性熱硬化型樹脂組成物層と第2の絶縁性熱硬化型樹脂組成物層とで挟持された構造を有する。従って、例えば、第1の絶縁性熱硬化型樹脂組成物層と第2の絶縁性熱硬化型樹脂組成物層との硬化収縮率を互いに同レベルに合致させれば、異方性導電フィルム等の電気接続材料を用いて作成した接続体における反りの発生を抑制することが可能となる。
また、導電粒子含有層が、アクリレート系ラジカル重合性化合物と、光ラジカル重合開始剤と、非ラジカル重合性エポキシ化合物と、導電粒子とを含有する導電粒子含有樹脂組成物層を光照射により光ラジカル重合させてBステージ化したものである。従って、異方性導電接続等の電気接続の際、接続すべき端子間(接続部)から導電粒子が流動し難くなり、導通信頼性の向上に資することが可能となる。しかも、異方性導電フィルム等の電気接続材料全体に応力緩和能を発現させることが可能となり、異方性導電フィルム等の電気接続材料を用いて作成した接続体における反りの発生の抑制に寄与することも可能となる。
更に、この導電粒子含有層には非ラジカル重合性エポキシ化合物を重合させる重合開始剤が含有されていない。よって、Bステージ化した導電粒子含有層には重合していない非ラジカル重合性エポキシ化合物が含有されていることになり、液状のエポキシ化合物を使用すれば、異方性導電接続等の電気接続の際に導電粒子を押し込むのに必要な流動性を確保することが可能となる。
また、導電粒子含有層に含有されている非ラジカル重合性エポキシ化合物は、異方性導電接続等の電気接続の際の熱圧着により第1及び第2の絶縁性熱硬化型樹脂組成物層で生ずる熱カチオン重合又は熱アニオン重合によりカチオン重合又はアニオン重合することができる。これにより、導電粒子含有層を十分に硬化させることができ、異方性導電フィルム等の電気接続材料を用いて作成した接続体の導通信頼性の低下を抑制することができる。このように本願発明の電気接続材料は異方性導電フィルムとして有用であるが、異方性導電ペースト、通常の導電フィルムや導電ペーストとしても有用である。
図1は、本発明の電気接続材料の好ましい一態様である異方性導電フィルムの断面図である。
以下、本発明の電気接続材料の好ましい一態様である異方性導電フィルムを例にとり、本発明を詳細に説明する。
<異方性導電フィルム>
図1に示すように、本発明の異方性導電フィルム10は、導電粒子含有層1が、第1の絶縁性熱硬化型樹脂組成物層2と第2の絶縁性熱硬化型樹脂組成物層3とで挟持された構造を有する。
(導電粒子含有層1)
この導電粒子含有層1は、アクリレート系ラジカル重合性化合物と、光ラジカル重合開始剤と、非ラジカル重合性エポキシ化合物と、導電粒子とを含有する導電粒子含有樹脂組成物層を光照射により光ラジカル重合させてBステージ化したものである。ここで、“Bステージ”とは硬化型樹脂組成物が半硬化した状態であって、加熱により流動もしくは軟化する状態を意味する。
導電粒子含有層1の光ラジカル重合前の前駆体である導電粒子含有樹脂組成物層は、アクリレート系ラジカル重合性化合物と、光ラジカル重合開始剤と、非ラジカル重合性エポキシ化合物と、導電粒子とを含有するが、非ラジカル重合性エポキシ化合物を重合させる重合開始剤を含有しない。この理由は、導電粒子含有層1の両面に積層されている第1の絶縁性熱硬化型樹脂組成物層2及び第2の絶縁性熱硬化型樹脂組成物層3の重合により非ラジカル重合性エポキシ化合物を重合させるためである。
導電粒子含有層1中において、光照射により生ずる光ラジカル重合におけるアクリレート系ラジカル重合性化合物の反応率は、好ましくは70%以上である。反応率が70%以上であれば、接続時の粒子流動の抑制という効果を十分に得ることができる。反応率の測定は、FT−IRなど公知の手法により行うことができる。なお、その反応率が100%である場合も本願発明の範囲であるが、導電粒子含有層1は、重合していない非ラジカル重合性エポキシ化合物を含有しているため、導電粒子含有層1全体としては本硬化状態ではなく、Bステージ状態であると言える。
なお、光照射条件(光源、光波長、光強度、光量、温度等)は適宜設定することができる。
アクリレート系ラジカル重合性化合物としては、単官能又は多官能(メタ)アクリレート(ここで、(メタ)アクリレートとはアクリレートとメタクリレートとを包含する用語である)を挙げることができる。単官能(メタ)アクリレート化合物としては、メチル(メタ)アクリレート、エチル(メタ)アクリレート、n又はi−プロピル(メタ)アクリレート、n,i,sec又はtert―ブチル(メタ)アクリレート、2−エチルヘキシル(メタ)アクリレート、ベンジル(メタ)アクリレート、ジシクロペンタニルアクリレ−ト等が挙げられる。多官能(メタ)アクリレート化合物としては、エチレングリコールジ(メタ)アクリレート、ジエチレングリコールジ(メタ)アクリレート、1,6−ヘキサンジオールジ(メタ)アクリレート、プロピレングリコールジ(メタ)アクリレート、ジプロピレングリコールジ(メタ)アクリレート、1,2−シクロヘキサンジオールジ(メタ)アクリレート、ネオペンチルグリコールジ(メタ)アクリレート、ジシクロペンタジエンジメタクリレート等の2官能(メタ)アクリレート化合物や、グリセリントリ(メタ)アクリレート、トリメチロールプロパントリ(メタ)アクリレート、ペンタエリスリトールトリ(メタ)アクリレート、トリス(2−アクリロイルオキシエチル)イソシアヌレート等の3官能(メタ)アクリレート化合物を例示することができる。また、エポキシ変性、ウレタン変性、エチレンオキサイド変性、プロピレンオキサイド変性したものも使用することができる。中でも、硬化後の接続安定性の点からビスフェノールA型エポキシアクリレートを好ましく使用することができる。
光ラジカル重合開始剤としては、公知の光ラジカル重合開始剤の中から適宜選択して使用することができる。例えば、アセトフェノン系光重合開始剤、ベンジルケタール系光重合開始剤、リン系光重合開始剤等が挙げられる。具体的には、アセトフェノン系光重合開始剤として、2−ヒドロキシ−2−シクロへキシルアセトフェノン(イルガキュア(IRGACURE)184、BASFジャパン(株))、α−ヒドロキシ−α,α′−ジメチルアセトフェノン(ダロキュア(DAROCUR)1173、BASFジャパン(株))、2,2−ジメトキシ−2−フェニルアセトフェノン(イルガキュア(IRGACURE)651、BASFジャパン(株))、4−(2−ヒドロキシエトキシ)フェニル(2−ヒドロキシ−2−プロピル)ケトン(イルガキュア(IRGACURE)2959、BASFジャパン(株))、2−ヒドロキシ−1−{4−[2−ヒドロキシ−2−メチル−プロピオニル]−ベンジル}フェニル}−2−メチル−プロパン−1−オン(イルガキュア(IRGACURE)127、BASFジャパン(株))等が挙げられる。ベンジルケタール系光重合開始剤として、ベンゾフェノン、フルオレノン、ジベンゾスベロン、4−アミノベンゾフェノン、4,4′−ジアミノベンゾフェノン、4−ヒドロキシベンゾフェノン、4−クロロベンゾフェノン、4,4′−ジクロロベンゾフェノン等が挙げられる。また、α−アルキルアミノフェノン系光重合開始剤として、2−ベンジル−2−ジメチルアミノ−1−(4−モルフォリノフェニル)−ブタノン−1(イルガキュア(IRGACURE)369、BASFジャパン(株))を使用することができる。リン系光重合開始剤として、ビス(2,4,6−トリメチルベンゾイル)−フェニルフォスフィンオキサイド(イルガキュア(IRGACURE)819、BASFジャパン(株))、(2,4,6−トリメチルベンゾイル)−ジフェニルフォスフィンオキサイド(ダロキュア(DAROCURE)TPO、BASFジャパン(株))等が挙げられる。
光ラジカル重合開始剤の配合量は、アクリレート系ラジカル重合性化合物100質量部に対し、好ましくは0.1〜40質量部、より好ましくは0.5〜30質量部である。この範囲であれば、光ラジカル重合を十分に進行させ、導電粒子含有層1の機械的強度の低下を抑制することができる。
アクリレート系ラジカル重合性化合物と光ラジカル重合開始剤との好ましい組み合わせとしては、ビスフェノールA型エポキシアクリレートとα−アルキルアミノフェノン系光重合開始剤との組み合わせを挙げることができる。
非ラジカル重合性エポキシ化合物としては、液状でも固体状でもよく、エポキシ当量が通常100〜4000程度であって、分子内にラジカル重合性の不飽和結合が存在せず、2以上のエポキシ基を有する化合物を挙げることできる。例えば、ビスフェノールA型エポキシ化合物、フェノールノボラック型エポキシ化合物、クレゾールノボラック型エポキシ化合物、エステル型エポキシ化合物、脂環型エポキシ化合物等を好ましく使用することができる。また、これらの化合物にはモノマーやオリゴマーが含まれる。
非ラジカル重合性エポキシ化合物の配合量は、アクリレート系ラジカル重合性化合物100質量部に対し、好ましくは3〜250質量部、より好ましくは10〜150質量部である。この範囲であれば、接着力を向上させ、過度な反りの変化を抑制することができる。
なお、導電粒子含有層1には、アクリレート系ラジカル重合性化合物と非ラジカル重合性エポキシ化合物とに加えて、膜形成用樹脂としてフェノキシ樹脂、エポキシ樹脂、不飽和ポリエステル樹脂、飽和ポリエステル樹脂、ウレタン樹脂、ブタジエン樹脂、ポリイミド樹脂、ポリアミド樹脂、ポリオレフィン樹脂等を含有させることができる。このような膜形成用樹脂成分の配合量は、アクリレート系ラジカル重合性化合物と非ラジカル重合性エポキシ化合物との合計100質量部に対し、好ましくは10〜200質量部、より好ましくは20〜150質量部である。この範囲であれば、硬化前の取り扱い性を向上させ、反りの要因にもなる硬化後の残留応力を抑制することができる。
導電粒子としては、公知の異方性導電フィルムを構成している導電粒子を採用することができる。例えば、ニッケルなどの金属粒子、樹脂コアの表面にニッケル等の金属メッキ膜を形成した金属被覆樹脂粒子等が挙げられる。必要に応じて絶縁薄膜が形成されていてもよい。
このような導電粒子の平均粒径としては、導通保持性の点から、好ましくは1〜20μm、より好ましくは2〜10μmである。
導電粒子の配合量は、アクリレート系ラジカル重合性化合物と非ラジカル重合性エポキシ化合物と必要に応じて配合される膜形成用樹脂との合計100質量部に対し、好ましくは2〜200質量部、より好ましくは5〜150質量部である。この範囲であれば、接続信頼性を向上させ、接着性の過度な低下や接合後のショート発生を抑制することができる。
導電粒子含有層1における導電粒子密度は、導通の確保とショート防止の点から、好ましくは1000〜150000個/mmで、より好ましくは2000〜100000個/mmである。
なお、導電粒子含有層1における導電粒子の存在形態としては、導電粒子含有樹脂組成物中に均一に混合して成膜した形態としてもよく、公知の手法、例えば転写型を使用して単層で規則配列させた形態としてもよい。
導電粒子含有層1の層厚は、好ましくは1〜20μm、より好ましくは2〜10μm、更により好ましくは3〜8μmである。この範囲であれば、粒子捕捉効率を必要以上に低下させず、導通抵抗の過度の上昇も抑制することができる。
(第1の絶縁性熱硬化型樹脂組成物層2及び第2の絶縁性熱硬化型樹脂組成物層3)
これらの樹脂組成物層は、それぞれ独立的に、非ラジカル重合性エポキシ化合物と熱カチオン重合開始剤又は熱アニオン重合開始剤とを含有する。
非ラジカル重合性エポキシ化合物としては、液状でも固体状でもよく、エポキシ当量が通常100〜4000程度であって、分子内にラジカル重合性の不飽和結合が存在せず、2以上のエポキシ基を有する化合物を挙げることできる。例えば、ビスフェノールA型エポキシ化合物、フェノールノボラック型エポキシ化合物、クレゾールノボラック型エポキシ化合物、エステル型エポキシ化合物、脂環型エポキシ化合物等を好ましく使用することができる。また、これらの化合物にはモノマーやオリゴマーが含まれる。特に好ましい非ラジカル重合性エポキシ化合物としては、硬化後の接続安定性の点からビスフェノールA型エポキシ化合物である。
熱カチオン重合開始剤としては、エポキシ化合物のカチオン重合を開始させる公知の熱カチオン重合開始剤を使用することができ、例えば、公知のヨードニウム塩、スルホニウム塩、ホスホニウム塩、フェロセン類等を用いることができ、温度に対して良好な潜在性を示す芳香族スルホニウム塩を好ましく使用することができる。熱カチオン系重合開始剤の好ましい例としては、ジフェニルヨードニウムヘキサフルオロアンチモネート、ジフェニルヨードニウムヘキサフルオロホスフェート、ジフェニルヨードニウムヘキサフルオロボレート、トリフェニルスルフォニウムヘキサフルオロアンチモネート、トリフェニルスルフォニウムヘキサフルオロホスフェート、トリフェニルスルフォニウムヘキサフルオロボレートが挙げられる。具体的には、(株)ADEKA製のSP−150、SP−170、CP−66、CP−77;日本曹達(株)製のCI−2855、CI−2639;三新化学工業(株)製のサンエイドSI−60、SI−80;ユニオンカーバイド社製のCYRACURE−UVI−6990、UVI−6974等が挙げられる。
熱カチオン重合開始剤の配合量は、少なすぎると熱カチオン重合が十分に進行しない傾向があり、多すぎると剛性低下の原因となることが懸念されるので、非ラジカル重合性エポキシ化合物100質量部に対し、好ましくは0.1〜40質量部、より好ましくは0.5〜30質量部である。
熱アニオン重合開始剤としては、エポキシ化合物のアニオン重合を開始させる公知の熱アニオン重合開始剤を使用することができ、例えば、脂肪族アミン系化合物、芳香族アミン系化合物、二級又は三級アミン系化合物、イミダゾール系化合物、ポリメルカプタン系化合物、三フッ化ホウ素−アミン錯体、ジシアンジアミド、有機酸ヒドラジッド等を挙げることができ、温度に対して良好な潜在性を示すカプセル化イミダゾール系化合物を好ましく使用することができる。具体的には、旭化成イーマテリアルズ(株)製ノバキュアHX3941HP等が挙げられる。
熱アニオン重合開始剤の配合量は、少なすぎると熱アニオン重合が十分に進行しない傾向があり、多すぎると剛性低下の原因となることが懸念されるので、非ラジカル重合性エポキシ化合物100質量部に対し、好ましくは0.1〜200質量部、より好ましくは0.5〜150質量部である。
第1の絶縁性熱硬化型樹脂組成物層2と第2の絶縁性熱硬化型樹脂組成物層3との間の硬化収縮率差は、本発明の異方性導電フィルムを用いて作成した接続体に反りの発生をより抑制するために、両者の硬化収縮率差が好ましくは10%以下であることが好ましい。ない、硬化収縮率は、JISK6901に準拠して測定することができる。なお、各層それぞれの硬化収縮率は、好ましくは10%以内、より好ましくは5%以内、更により好ましくは3%以内である。
第1の絶縁性熱硬化型樹脂組成物層2及び第2の絶縁性熱硬化型樹脂組成物層3の層厚は、それぞれ好ましくは0.1〜30μm、より好ましくは1〜20μmである。この範囲であれば、粒子捕捉効率を必要以上に低下させず、導通抵抗の過度の上昇も抑制することができる。
以上、本発明の電気接続材料を、異方性導電フィルムを例にとり説明したが、本発明の電気接続材料は、異方性導電フィルムの他、異方性導電ペースト、導電ペースト、導電フィルム等の態様を取ることができる。
<電気接続材料(好ましくは異方性導電フィルム)の製造方法>
本発明の異方性導電フィルム等の電気接続材料は、以下に説明する工程1と工程2とを有する製造方法により製造することができる。
(工程1)
まず、アクリレート系ラジカル重合性化合物と、光ラジカル重合開始剤と、非ラジカル重合性エポキシ化合物と、導電粒子とを含有する導電粒子含有樹脂組成物を成膜し、得られた膜に対し光を照射して光ラジカル重合させBステージ化することにより導電粒子含有層を形成する。
導電粒子含有樹脂組成物は、アクリレート系ラジカル重合性化合物と、光ラジカル重合開始剤と、非ラジカル重合性エポキシ化合物と、導電粒子と、必要に応じて配合される膜形成成分などの他の成分とともに、公知の手法、例えば遊星混合機などにより均一に混合することにより調製できる。その成膜も公知の手段、例えば、ドクターブレード法などにより行うことができる。この場合、剥離処理ベースシート(例えば剥離処理されたポリエステルシート)に、導電粒子含有組成物を成膜し、必要に応じて乾燥させることにより未硬化の状態の導電粒子含有組成物層を形成することができる。このようにして形成された導電粒子含有組成物層に対し、紫外線などの光を照射し、アクリレート系ラジカル重合性化合物を光ラジカル重合させ、好ましくはアクリレート系ラジカル重合性化合物の反応率が70%以上、好ましくは90%以上となるようにする。これによりBステージ化された導電粒子含有層が形成される。
(工程2)
次に、導電粒子含有層の片面に、非ラジカル重合性エポキシ化合物と熱カチオン重合開始剤又は熱アニオン重合開始剤とを含有している第1の絶縁性熱硬化型樹脂組成物層、他面に非ラジカル重合性エポキシ化合物と熱カチオン重合開始剤又は熱アニオン重合開始剤とを含有している第2の絶縁性熱硬化型樹脂組成物層を積層する。これにより、本発明の異方性導電フィルム等の電気接続材料が得られる。
第1の絶縁性熱硬化型樹脂組成物層及び第2の絶縁性熱硬化型樹脂組成物層は以下のように作成することができる。まず、非ラジカル重合性エポキシ化合物と熱カチオン重合開始剤又は熱アニオン重合開始剤と必要に応じて配合される膜形成成分などの他の成分とともに、公知の手法、例えば遊星混合機などにより均一に混合することによりそれぞれ絶縁性熱硬化型樹脂組成物を調製する。この樹脂組成物を、公知の手段、例えばドクターブレード法などにより、剥離処理ベースシートに成膜し、必要に応じて乾燥させることにより未硬化の状態の第1の絶縁性熱硬化型樹脂組成物層及び第2の絶縁性熱硬化型樹脂組成物層を作成する。
次に、先に形成した導電粒子含有層に、第1の絶縁性熱硬化型樹脂組成物層を重ね合わせ、圧着させる。続いて、導電粒子含有層側の剥離ベースシートを剥がし、第2の絶縁性熱硬化型樹脂組成物層を重ね合わせ、得られた積層物を圧着することにより、本発明の異方性導電フィルム等の電気接続材料が得られる。なお、剥離処理ベースシートから剥がされた導電粒子含有層を、第1の絶縁性熱硬化型樹脂組成物層と第2の絶縁性熱硬化型樹脂組成物層とで挟持し、得られた積層物を圧着することでも本発明の異方性導電フィルム等の電気接続材料が得られる。
<接続体>
本発明の異方性導電フィルム等の電気接続材料は、第1の電気部品(例えば、ICチップ)の端子(例えばバンプ)と、第2の電気部品(例えば配線基板)の端子(例えばバンプ、パッド)との間に配置し、第1又は第2の電気部品側から熱圧着により本硬化させて異方性導電接続等の電気接続することにより接続体を与えることができる。
以下、本発明を実施例により具体的に説明する。
実施例1〜7、比較例1〜4
(第1の絶縁性熱硬化型樹脂組成物層の形成)
表1に示す配合(単位:質量部)に従って、トルエンを用いて50%固形分の第1の絶縁性熱硬化型樹脂組成物混合液を調製し、この混合液を剥離PETベースシート上に、乾燥厚が8μmとなるように塗布し、80℃で5分間乾燥することにより、第1の絶縁性熱硬化型樹脂組成物層を形成した。
(第2の絶縁性熱硬化型樹脂組成物層の形成)
表1に示す配合(単位:質量部)に従って、トルエンを用いて50%固形分の第二の絶縁性樹脂組成物混合液を調製し、この混合液を剥離PETベースシート上に、乾燥厚が8μmとなるように塗布し、80℃で5分間乾燥することにより、第2の絶縁性熱硬化型樹脂組成物層を形成した。
(導電粒子含有層の形成)
表1に示す配合(単位:質量部)に従って、トルエンを用いて50%固形分の導電粒子含有樹脂組成物混合液を調製し、この混合液を剥離PETベースシート上に、乾燥厚が6μmとなるように塗布し、80℃で5分間乾燥し、続いて、紫外線を表1の積算光量となるように照射して光ラジカル重合させることにより導電粒子含有層を形成した。この導電粒子含有層におけるアクリレート系ラジカル重合性化合物の反応率を、FT−IR(FT/IR−4100、日本分光(株))を用いて測定し、得られた結果を表1に示した。
(異方性導電フィルムの作成)
第1の絶縁性熱硬化型樹脂組成物層に導電粒子含有層を重ね合わせ、ラミネートした後、導電粒子含有層側の剥離PETベースシートを剥がし、導電粒子含有層を露出させた。その露出した導電粒子含有層に第2の絶縁性熱硬化型樹脂組成物層を重ね合わせ、剥離PETベースシート上から、40℃、0.1Paの条件でラミネートすることにより、異方性導電フィルムを得た。
<接続体の評価>
(接続体の作成)
各実施例及び比較例で作成した異方性導電フィルムを用いて、ICチップのバンプとガラス基板のITOパターン電極との間を、熱圧着により異方性導電接続した。なお、異方性接続時には第一の絶縁性樹脂組成物層をICチップ側に配置した。
熱圧着条件: 180℃、80MPa、5秒
ICチップのサイズ:1.5mm×20mm、0.5mmt
ICチップのバンプ:金メッキバンプ、30μm×85μm、バンプ高さ15μm、バンプピッチ50μm
200nm厚のITOパターン電極が設けられたガラス基板のサイズ:50mm×30mm、0.3mmt(1737F、コーニング社)
(性能評価)
得られた接続体について、以下に説明するように、「初期導通抵抗」、「高温高湿負荷試験後の導通抵抗(導通信頼性)」、「接続体の反り」について測定した。得られた結果を表1に示す。
「初期導通抵抗」
作成直後の接続体の初期導通抵抗を市販の抵抗測定器を用いて測定した。実用上、10Ω以下であることが望まれる。
「高温高湿負荷試験後の導通抵抗(導通信頼性)」
接続体を、85℃、85%Rhに維持されたチャンバー中で1000時間放置した後の接続体の導通抵抗を市販の抵抗測定器を用いて測定した。実用上、15Ω以下であることが望まれる。
「接続体の反り」
接続体の反りについては、ICチップが実装されていない側のガラス基板表面を、ICチップの裏側に相当する巾20mmを、市販の三次元形状測定システム((株)キーエンス)を用いて測定した。反りが10μm以内であることが望まれる。
Figure 0006187126
<考察>
実施例1〜7の異方性導電フィルムは、導通信頼性に優れ、反りも少ないものであった。なお、アクリレートの配合量が比較的少ないために剛性が比較的低い実施例4の異方性導電フィルムと、反応率が比較的低いために剛性が比較的低い実施例6の異方性導電フィルムとの結果から、異方性導電フィルムの剛性が比較的低い方が反り難いことが分かる。また逆に、剛性が比較的高い実施例5や実施例7の異方性導電フィルムの場合、反り易くなっていることがわかる。
それに対し、比較例1、2、4の場合には、導電粒子含有層に対する光照射が行われていないので、導通信頼性に問題があった。比較例3の場合も、導電粒子含有層に対する光照射は行われていたが、光ラジカル重合開始剤が含有されていないので、導通信頼性に問題があった。また、熱ラジカル重合開始剤を含有していたため、異方性導電接続時に直ちに硬化し、大きく反ってしまった。
本発明の異方性導電フィルム等の電気接続材料によれば、異方性導電接続部等の電気接続部に反りが発生することを抑制し、しかも異方性導電接続等の電気接続により得られた接続体の導通信頼性を低下させることがない。従って、本発明の異方性導電フィルムは、ICチップ等の電気部品を、配線基板等の他の電機部品にフリップチップ実装する際に有用である。
1 導電粒子含有層
2 第1の絶縁性熱硬化型樹脂組成物層
3 第2の絶縁性熱硬化型樹脂組成物層

Claims (8)

  1. 導電粒子含有層が、第1の絶縁性熱硬化型樹脂組成物層とそれと別体の第2の絶縁性熱硬化型樹脂組成物層とで挟持された電気接続材料であって、
    導電粒子含有層が、アクリレート系ラジカル重合性化合物と、光ラジカル重合開始剤と、非ラジカル重合性エポキシ化合物と、導電粒子とを含有するが、非ラジカル重合性エポキシ化合物を重合させる重合開始剤を含有しない導電粒子含有樹脂組成物層を光照射により光ラジカル重合させてBステージ化したものであり、
    第1の絶縁性熱硬化型樹脂組成物層及び第2の絶縁性熱硬化型樹脂組成物層が、それぞれ非ラジカル重合性エポキシ化合物と熱カチオン重合開始剤又は熱アニオン重合開始剤とを含有しており、
    第1の絶縁性熱硬化型樹脂組成物層と第2の絶縁性熱硬化型樹脂組成物層との間の硬化収縮率差が10%以下である
    ことを特徴とする電気接続材料。
  2. 導電粒子含有層中において、アクリレート系ラジカル重合性化合物の反応率が70%以上である請求項1記載の電気接続材料。
  3. アクリレート系ラジカル重合性化合物が、ビスフェノールA型エポキシアクリレートであり、光ラジカル重合開始剤が、α−アルキルアミノフェノン系光重合開始剤である請求項1又は2記載の電気接続材料。
  4. 非ラジカル重合性エポキシ化合物が、ビスフェノールA型エポキシ化合物であり、熱カチオン重合開始剤が、芳香族スルホニウム塩である請求項1〜3のいずれかに記載の電気接続材料。
  5. 請求項1記載の電気接続材料の製造方法であって、
    アクリレート系ラジカル重合性化合物と、光ラジカル重合開始剤と、非ラジカル重合性エポキシ化合物と、導電粒子とを含有するが、非ラジカル重合性エポキシ化合物を重合させる重合開始剤を含有しない導電粒子含有樹脂組成物を成膜し、得られた膜に対し光を照射して光ラジカル重合させBステージ化することにより導電粒子含有層を形成する工程、及び
    導電粒子含有層を、非ラジカル重合性エポキシ化合物と熱カチオン重合開始剤又は熱アニオン重合開始剤とをそれぞれ含有し、硬化収縮率差が10%以下の第1の絶縁性熱硬化型樹脂組成物層とそれと別体の第2の絶縁性熱硬化型樹脂組成物層とで挟持する工程
    を有する製造方法。
  6. 導電粒子含有樹脂組成物の膜に対し、アクリレート系ラジカル重合性化合物の反応率が70%以上となるように光を照射する請求項5記載の製造方法。
  7. 第1の電気部品の端子と第2の電気部品の端子とが、請求項1〜4のいずれかに記載の電気接続材料の本硬化物を介して電気接続されている接続体。
  8. 請求項7記載の接続体の製造方法であって、第1の電気部品の端子と第2の電気部品の端子との間に、請求項1〜4のいずれかに記載の電気接続材料を配置し、第1又は第2の電気部品側から熱圧着して本硬化させることにより電気接続する製造方法。
JP2013215095A 2013-10-15 2013-10-15 電気接続材料 Active JP6187126B2 (ja)

Priority Applications (6)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2013215095A JP6187126B2 (ja) 2013-10-15 2013-10-15 電気接続材料
KR1020167008851A KR101828192B1 (ko) 2013-10-15 2014-09-17 전기 접속 재료
CN201480054982.0A CN105594064B (zh) 2013-10-15 2014-09-17 电连接材料、其制备方法及连接体
US15/027,422 US10154587B2 (en) 2013-10-15 2014-09-17 Electrical connection material
PCT/JP2014/074510 WO2015056512A1 (ja) 2013-10-15 2014-09-17 電気接続材料
TW103135171A TWI627639B (zh) 2013-10-15 2014-10-09 Electrical connecting material and manufacturing method thereof, and connecting body

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2013215095A JP6187126B2 (ja) 2013-10-15 2013-10-15 電気接続材料

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2015079603A JP2015079603A (ja) 2015-04-23
JP6187126B2 true JP6187126B2 (ja) 2017-08-30

Family

ID=52827965

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2013215095A Active JP6187126B2 (ja) 2013-10-15 2013-10-15 電気接続材料

Country Status (6)

Country Link
US (1) US10154587B2 (ja)
JP (1) JP6187126B2 (ja)
KR (1) KR101828192B1 (ja)
CN (1) CN105594064B (ja)
TW (1) TWI627639B (ja)
WO (1) WO2015056512A1 (ja)

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6750197B2 (ja) * 2015-07-13 2020-09-02 デクセリアルズ株式会社 異方性導電フィルム及び接続構造体
CN114787307A (zh) * 2019-12-03 2022-07-22 迪睿合株式会社 各向异性导电膜

Family Cites Families (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH08148210A (ja) * 1994-11-25 1996-06-07 Hitachi Chem Co Ltd 接続部材
JP4155470B2 (ja) * 1994-11-25 2008-09-24 日立化成工業株式会社 接続部材を用いた電極の接続法
JPH08148213A (ja) * 1994-11-25 1996-06-07 Hitachi Chem Co Ltd 接続部材、該接続部材を用いた電極の接続構造及び接続方法
JP4181239B2 (ja) * 1998-03-26 2008-11-12 日立化成工業株式会社 接続部材
CN1290886C (zh) * 2002-03-18 2006-12-20 大日本印刷株式会社 树脂组合物和光学元件
JP4229731B2 (ja) * 2002-03-18 2009-02-25 大日本印刷株式会社 樹脂組成物および光学素子
KR100601341B1 (ko) * 2004-06-23 2006-07-14 엘에스전선 주식회사 이방 도전성 접착제 및 이를 이용한 접착필름
JP4534716B2 (ja) 2004-10-26 2010-09-01 日立化成工業株式会社 回路接続材料並びに回路端子の接続構造体及び接続方法
WO2007083810A1 (ja) * 2006-01-23 2007-07-26 Hitachi Chemical Co., Ltd. 接着剤組成物、フィルム状接着剤、接着シート、並びにそれを用いた半導体装置
JP5499454B2 (ja) * 2008-03-11 2014-05-21 日立化成株式会社 感光性接着剤組成物、接着シート、接着剤パターン、接着剤層付半導体ウェハ、並びに半導体装置及びその製造方法
JP5400545B2 (ja) * 2009-09-25 2014-01-29 積水化学工業株式会社 異方性導電材料、接続構造体の製造方法及び接続構造体
JP5754378B2 (ja) * 2010-01-22 2015-07-29 コニカミノルタ株式会社 インクジェットヘッドの製造方法
CN103460132B (zh) * 2011-04-08 2016-04-27 太阳油墨制造株式会社 感光性组合物、其固化皮膜以及使用了它们的印刷电路板
JP2013057017A (ja) * 2011-09-08 2013-03-28 Sekisui Chem Co Ltd 絶縁材料、積層体、接続構造体、積層体の製造方法及び接続構造体の製造方法
JP2013058413A (ja) * 2011-09-08 2013-03-28 Sekisui Chem Co Ltd 絶縁材料、積層体、接続構造体、積層体の製造方法及び接続構造体の製造方法
JP6218354B2 (ja) * 2012-01-06 2017-10-25 積水化学工業株式会社 絶縁材料、多層フィルムの製造方法、積層体の製造方法、接続構造体及び接続構造体の製造方法
JP2013143291A (ja) * 2012-01-11 2013-07-22 Sekisui Chem Co Ltd 絶縁材料、多層フィルム、積層体、接続構造体、積層体の製造方法及び接続構造体の製造方法

Also Published As

Publication number Publication date
CN105594064A (zh) 2016-05-18
US10154587B2 (en) 2018-12-11
TW201530563A (zh) 2015-08-01
US20160255724A1 (en) 2016-09-01
WO2015056512A1 (ja) 2015-04-23
KR20160052674A (ko) 2016-05-12
TWI627639B (zh) 2018-06-21
KR101828192B1 (ko) 2018-02-09
CN105594064B (zh) 2019-03-05
JP2015079603A (ja) 2015-04-23

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP6372543B2 (ja) 異方性導電フィルム及びその製造方法
JP6372542B2 (ja) 異方性導電フィルムの製造方法及び異方性導電フィルム
JP6056700B2 (ja) 異方性導電フィルム及びその製造方法
JP6384234B2 (ja) ラジカル重合型接着剤組成物、及び電気接続体の製造方法
JP6187126B2 (ja) 電気接続材料
WO2015119090A1 (ja) 異方性導電フィルム及びその製造方法
JP6232855B2 (ja) ラジカル重合型接着剤組成物、及び電気接続体の製造方法
JP2014202821A (ja) 液晶表示素子の製造方法及び接合材料
WO2016076398A1 (ja) 光硬化系異方性導電接着剤、接続体の製造方法及び電子部品の接続方法
WO2015119098A1 (ja) 異方性導電フィルム及びその製造方法
JP2014192303A (ja) 異方性導電フィルム
TW202028390A (zh) 連接構造體之製造方法及連接膜
JP2018065916A (ja) 接続体の製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20160404

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20161004

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20161202

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20161227

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20170223

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20170704

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20170717

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 6187126

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250