JP6187124B2 - 銅膜形成用組成物、銅膜形成方法、銅膜、配線基板および電子機器 - Google Patents
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Description
同様に、金属膜の形成に蒸着法やスパッタ法等を用いる場合においても、真空中で金属膜の形成を行う必要があるので、装置や操作上の制約が大きく、処理に長時間を要して効率良く金属膜を形成することができない。
(A)水酸化銅および酸化銅からなる群より選ばれる少なくとも1種の銅化合物、
(B)ハロゲン化合物、並びに
(C)還元剤
を含むことを特徴とする銅膜形成用組成物に関する。
(1)本発明の第1の態様の銅膜形成用組成物の塗膜を基板上に形成する工程と、
(2)その塗膜を加熱する工程と
を有することを特徴とする銅膜形成方法に関する。
また、本発明においては、配線基板の有する配線、電極および端子等と称される導電性の電気的導通部材を、便宜上、配線と総称する。
本発明の実施形態の銅膜形成用組成物は、銅化合物として水酸化銅および酸化銅からなる群より選ばれる少なくとも1種を含み、さらにハロゲン化合物と、銅膜形成のための還元を起こさせる還元剤とを含む組成物であり、還元反応型の組成物である。また、本実施形態の銅膜形成用組成物は、さらに溶剤を含有することができる。また、本実施形態の銅膜形成用組成物は、さらに、金属微粒子のほか、その他任意成分を含有することができる。そして、本実施形態の銅膜形成用組成物は、公知の多様な塗布法によるパターニングされた塗膜の形成が可能であり、またその塗膜は、加熱されて銅膜を形成することができる。
以下、本実施形態の銅膜形成用組成物の各成分について以下で説明する。
本実施形態の銅膜形成用組成物に含有される水酸化銅は、Cu(OH)2で表される2価の銅の水酸化物である。水酸化銅は、加熱されて酸化銅となり、その酸化銅が還元されて金属銅、すなわち、銅膜を形成する。水酸化銅は入手が容易であり、例えば、市販品の使用が可能である。しかし、本発明の実施形態において、水酸化銅の入手方法等については特に限定されない。
本実施形態の銅膜形成用組成物に含有される酸化銅は、Cu2Oで表される1価の銅の酸化物またはCuOで表される2価の銅の酸化物である。酸化銅が還元されて金属銅、すなわち、銅膜を形成する。酸化銅は入手が容易であり、例えば、市販品の使用が可能である。しかし、本発明の実施形態において、酸化銅の入手方法等については特に限定されない。
本実施形態の銅膜形成用組成物に含有されるハロゲン化合物は、形成される銅膜の抵抗値を低下させる効果を示す成分であり、低温で簡便に低抵抗の銅膜を形成する、本実施形態の銅膜形成用組成物の特徴的な成分となる。ハロゲン化合物の作用については、本実施形態の銅膜形成用組成物に含有された水酸化銅が加熱されて酸化銅となり、その酸化銅が還元されて金属銅を形成するに際し、銅微粒子の融着を促進し、緻密な銅膜の形成を促進するものと考えることができる。
本実施形態の銅膜形成用組成物に含有される還元剤は、銅膜形成のための還元を起こさせる成分である。
本実施の形態の銅膜形成用組成物において、溶剤を成分として添加することが可能である。溶剤を添加して銅膜形成用組成物中に含有させることにより、塗布方法に対応した銅膜形成用組成物の粘度調整が容易となり、また、安定した均一な物性の銅膜を形成することが可能となる。
本実施形態の銅膜形成用組成物は、上述した水酸化銅および酸化銅からなる群より選ばれる少なくとも1種、ハロゲン化合物並びに還元剤に加え、本発明の効果を損なわない限りにおいて、金属微粒子を含有することができる。また、本実施形態の銅膜形成用組成物は、本発明の効果を損なわない限りにおいて、その他任意成分として、分散剤、酸化防止剤、濃度調整剤、表面張力調整剤、粘度調整剤、塗膜形成補助剤を含有することが可能である。
[調製方法]
本実施形態の銅膜形成用組成物は、上述した水酸化銅および酸化銅からなる群より選ばれる少なくとも1種、ハロゲン化合物並びに還元剤を混合することで、簡便に調製し、製造することができる。混合する順序は特に限定するものではない。
本実施形態の銅膜形成用組成物の調製における混合方法としては、特に限定するものではないが、例えば、攪拌羽による攪拌、スターラーおよび攪拌子による攪拌、沸盪器による攪拌、超音波ホモジナイザー、ビーズミル、ペイントシェーカーまたは攪拌脱泡装置等を使用した方法等が挙げられる。混合の条件としては、例えば、攪拌羽による攪拌の場合、攪拌羽の回転速度が、通常1rpm〜4000rpmの範囲、好ましくは100rpm〜2000rpmの範囲である。
以上で説明した本発明の実施形態の銅膜形成用組成物は、所望とする適当な基板上に塗布され、本実施形態の銅膜形成用組成物の塗膜を形成する。そして、その本実施形態の銅膜形成用組成物の塗膜が加熱されて基板上に銅膜を形成する。すなわち、本発明の実施形態の銅膜形成方法は、本発明の実施形態の銅膜形成用組成物を用い、本発明の実施形態の銅膜を形成する。その結果、本発明の実施形態の銅膜を用い、本発明の実施形態の配線基板を製造することができる。
以下、本発明の実施形態の銅膜形成方法について、さらに詳しく説明する。
本発明の実施形態の銅膜形成方法において、本実施形態の銅膜形成用組成物の塗膜を形成する基板としては、公知のものを用いることができ、特に限定するものではない。
本発明の実施形態の銅膜形成方法における、本実施形態の銅膜形成用組成物の塗布方法としては、インクジェット印刷、グラビア印刷、フレキソ印刷、(シルク)スクリーン印刷、凸版印刷等の印刷方法が挙げられ、また、スピンコート法、スプレーコート法、バーコート法、キャスト法、ディップコート法、および、ロールコータ法等の塗布方法が挙げられる。本実施形態の銅膜形成用組成物を基板に塗布する塗布量としては、所望する銅膜の膜厚に応じて適宜調整することができる。
本発明の実施形態の銅膜形成方法において、本実施形態の銅膜形成用組成物から銅膜を形成するための加熱は、上述したように、非酸化性雰囲気下が不要となる。本発明の実施形態の銅膜形成方法において、銅膜を形成するための加熱は、例えば、酸化性雰囲気下で行うことができる。すなわち、本実施形態の銅膜形成方法は、基板上に形成された本実施形態の銅膜形成用組成物の塗膜を大気下で加熱して、その基板上に銅膜を形成することができる。
上述した本発明の実施形態の銅膜形成方法は、本発明の実施形態の銅膜形成用組成物を用い、本発明の実施形態の銅膜を形成する。そして、本発明の実施形態の銅膜を用い、それを配線として使用する本発明の実施形態の電子機器を提供することができる。
以下、本発明の実施形態の電子機器として例示した本発明の実施形態のタッチパネルについて説明する。
本発明の実施形態のタッチパネルは、例えば、検知電極およびそれを引き出すための引き出し配線が設けられた基板上に、当該検知電極を覆うように形成された光透過性の絶縁膜を有するタッチパネルである。このタッチパネルは、例えば、静電容量方式のタッチパネルとすることができる。
尚、本発明の実施形態のタッチパネルにおいては、上述の絶縁膜を設けない構造とすることも可能である。
図1に示すように、電極パッド30は菱形形状とすることができるが、こうした形状に限られず、例えば、六角形等の多角形形状とすることができる。
実施例1〜実施例38および比較例1〜比較例4では、以下に示す方法で実施例1〜実施例38および比較例1〜比較例4の銅膜形成用組成物を調製し、それを用いて実施例1〜実施例35および比較例1〜比較例4の銅膜を形成した。そして、それら銅膜の評価として、抵抗特性である比抵抗値(体積抵抗値)を評価し、さらにハロゲン含有量(ハロゲン含有比率)を評価した。
表1に示す種類と配合量のハロゲン化合物と、表1に示す配合量の水酸化銅および酸化銅と、表1に示す配合量の還元剤であるグリセリンおよびアミンと、必要に応じて添加される溶剤とを混合し、ビーズミルを使用して、室温で回転数2000rpm、60分間のビーズミル分散を行い、銅膜形成用組成物を調製した。
実施例1〜実施例38および比較例1〜比較例4の銅膜形成用組成物を用い、縦150mm、横150mmの正方形状の無アルカリガラス基板上に、バーコーターを用いて塗布し、縦50mm、横100mmの長方形状にパターニングされ、膜厚が90μmである塗膜を形成した。次に、大気下で、ホットプレートを用い、前述の塗膜の形成されたガラス基板を200℃で90分間加熱処理し、膜厚が10μm〜20μm程度の上記形状にパターニングされた薄膜として実施例1〜実施例38および比較例1〜比較例4の銅膜を得た。
(体積抵抗値の測定)
実施例1〜実施例38および比較例1〜比較例4の銅膜形成用組成物を用い、上述した銅膜の形成方法によりそれぞれ形成された実施例1〜実施例38および比較例1〜比較例4の銅膜を用い、それらの比抵抗値(体積抵抗値)を、四探針抵抗測定機(商品名:Model sigma−5、NPS社)を用いて測定した。測定結果は、表1にまとめて示す。
例1〜実施例38の各銅膜形成用組成物は、低抵抗の銅膜を形成できることがわかった。すなわち、実施例1〜実施例38の銅膜の評価結果に示されるように、銅膜形成用組成物におけるハロゲン化合物の含有は、形成される銅膜の低抵抗化に有効であることがわかった。そして、ハロゲン化合物の含有量を0.00001質量%〜20質量%の範囲内とすることで、形成される銅膜の体積抵抗値を格段に低下させることができることがわかった。
実施例1〜実施例38および比較例1〜比較例4の銅膜形成用組成物を用いて、上述した銅膜の形成方法により形成された実施例1〜実施例38および比較例1〜比較例4の各銅膜を用い、ハロゲン原子の含有比率を測定した。
測定の方法は、2次イオン質量分析(SIMS)(商品名:PHI ADEPT1010、アルバック・ファイ社製)を用いる方法とし、一次イオン種:Cs+、一次加速電圧:5.0kV、検出領域:42μm×42μmの条件で、実施例1〜実施例38および比較例1〜比較例4の銅膜を測定した。そして、実施例1〜実施例38および比較例1〜比較例4の各銅膜において、市販の高純度銅(純度99.9999%)を参照試料として定量し、膜中の銅原子を100とした時のハロゲン原子の含有比率を評価した。測定結果は、表1にまとめて示す。尚、表1中に示された「ND」の表記は、ハロゲン原子が検出されなかったことを示す。
22 透明基板
23 第1検知電極
24 第2検知電極
25 絶縁膜
28 交差部
29 層間絶縁膜
30 電極パッド
31 引き出し配線
32 ブリッジ電極
Claims (4)
- 銅膜の形成に用いる銅膜形成用組成物であって、
(A)水酸化銅および酸化銅からなる群より選ばれる少なくとも1種の銅化合物、
(B)ハロゲン化合物、並びに
(C)還元剤、
を含み、
該(B)成分のハロゲン化合物は、リチウム、ナトリウム、カリウム、ルビジウム、セシウム、カルシウム、マグネシウム、ストロンチウム、バリウム、ラジウム、クロム、マンガン、鉄、コバルト、ニッケル、銅、亜鉛、ルテニウム、ロジウム、パラジウム、銀、金および白金からなる群より選ばれる少なくとも1種の金属のハロゲン化物と、ハロゲン化水素と、ハロゲン化アンモニウム類と、アミン類のハロゲン化水素酸塩とからなる群より選ばれる少なくとも1種であることを特徴とする銅膜形成用組成物。 - (C)成分の還元剤は、アミン、還元性カルボン酸およびその塩およびそのエステル、多価アルコール並びにアルデヒドからなる群より選ばれる少なくとも1種であることを特徴とする請求項1に記載の銅膜形成用組成物。
- (B)成分のハロゲン化合物の含有量は、全成分の0.00001質量%〜20質量%であることを特徴とする請求項1または2に記載の銅膜形成用組成物。
- (1)請求項1に記載の銅膜形成用組成物の塗膜を基板上に形成する工程と、
(2)前記塗膜を加熱する工程と
を有することを特徴とする銅膜形成方法。
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