TW201424887A - 混銀銅粉及其製造法、含有該混銀銅粉之導電性糊料、導電性接著劑、導電性膜、及電路 - Google Patents

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Abstract

本發明係關於一種混銀銅粉，及其製造法、含有該混銀銅粉之導電性糊料、導電性接著劑、導電性膜及電路，其特徵為銀微粒子粉末附著於銅粉之表面上，銅粉之平均粒子直徑(D50)與銀微粒子之平均粒子直徑(DSEM)之比例(D50/DSEM)為3~400之範圍，且銅粉與銀微粒子之敲緊密度(tap density)比例為0.5~1.5的範圍。本發明之混銀銅粉，可藉由使用具有特定的平均粒子直徑與敲緊密度之銅粉與銀微粒子，混合攪拌銅粉末與銀微粒子粉末，使銀微粒子粉末附著於銅粉末之粒子表面而製得，導電性、導電性及耐位移性優異。

Description

混銀銅粉及其製造法、含有該混銀銅粉之導電性糊料、導電性接著劑、導電性膜、及電路
本發明係有關一種導電性、導電性及耐位移性優異的混銀銅粉與其製造法、含有該混銀銅粉之導電性糊料、導電性接著劑、導電性膜及電路。
金屬微粒子粉末，係使用作為印刷配線板之電路形成用構件、各種電氣連接點用構件、電容器等之電極用構件等之導電性粒子粉末，此等構件被廣泛地使用於各種電子裝置。
使用於前述用途之導電性粒子粉末，已知有金、銀、鉑、銅，鋁等之導電性金屬微粒子，由於金或鉑為高價品，一般而言在要求高導電性之領域中大多使用銀，而除其外之領域中大多使用銅作為導電性粒子粉末。
然而，銀是僅次於金或鉑之高價品，而且，於長時間處於高濕環境中被施加電壓時，會有容易引起位移現象，在電極間或配線間產生短路的問題。
另外，銅為低價品，較少會產生位移現象，惟導電性 銅糊料與導電性銀糊料相比時，由於導電性低且耐氧化性不佳，於使導電性糊料加熱時，會有容易氧化，並在銅粒子表面上形成氧化膜而降低導電性的問題。
直至目前，以提高銅粉之導電性及耐氧化性為目的時，已知提案有將銀被覆於銅粒子表面上之方法，機械性強制接合有銀粉末與銅粉末之銀-銅複合粉末(專利文獻1)；藉由銀離子與金屬銅之取代反應，將銀被覆於銅粒子表面上的被覆銀之銅粉(專利文獻2)；鍍銀之銅粉(專利文獻3)等。
〔習知技術文獻〕 〔專利文獻〕
專利文獻1：日本特開昭56-155259號公報
專利文獻2：日本特開2002-245849號公報
專利文獻3：日本特開平7-138549號公報
換言之，於前述專利文獻1中，雖記載機械性強制接合有銀粉末與銅粉末之銀-銅複合粉末，惟由於相對於銅粉末之平均粒子直徑而言，附著於表面之銀粉末之的平均粒子直徑過大，如下述比較例所示，無法有效地以銀微粒子粉末被覆銅粉末之粒子表面，而不易減低導電性。
此外，於前述專利文獻2中，雖記載藉由銀離子與金屬銅之取代反應，將銀被覆於銅粒子表面上被的被覆銀之 銅粉及其製造方法，惟由於為在水溶液中之濕式反應，銅粉產生氧化，且同時藉由銀均勻地被覆粒子表面，而容易產生位移現象之問題。
另外，於前述專利文獻3中，雖記載鍍銀銅粉，惟會有鍍銀銅粉於糊料混練時容易產生鍍銀剝離的情形，並容易產生位移現象的問題。
因此，本發明以提供一種導電性、導電性及耐位移性優異的混銀銅粉作為技術之課題。
前述之技術課題，可藉由下述之本發明予以達成。
換言之，本發明之混銀銅粉，其特徵為銀微粒子粉末附著於銅粉表面上，銅粉之平均粒子直徑(D50)與銀微粒子之平均粒子直徑(DSEM)的比例(D50/DSEM)為3~400之範圍，且銅粉與銀微粒子之敲緊密度比例為0.5~1.5的範圍(本發明1)。
而且，本發明1之混銀銅粉，其中敲緊密度為2.0g/cm3以上(本發明2)。
此外，本發明1或本發明2之混銀銅粉，其中藉由雷射繞射散亂粒度分布之平均粒子直徑(D50)為0.1~50μm(本發明3)。
另外，本發明1至本發明3中任一項之混銀銅粉，其中相對於銅粉100重量份而言銀微粒子之附著量為1~300重量份(本發明4)。
此外，本發明1至本發明4中任一項之混銀銅粉，其中銀微粒子之平均粒子直徑(DSEM)為30~300nm，敲緊密度為3.0g/cm3以上(本發明5)。
另外，本發明1至本發明5中任一項之混銀銅粉之製造法，其係混合攪拌銅粉末與銀微粒子粉末，使銀微粒子粉末附著於銅粉末之粒子表面上的混銀銅粉之製造法，其特徵為以乾式法進行全部處理步驟，並同時使用銅粉之平均粒子直徑(D50)與銀微粒子之平均粒子直徑(DSEM)的比例(D50/DSEM)為3~400之範圍，且銅粉與銀微粒子之敲緊密度之比例為0.5~1.5範圍的銅粉與銀微粒子粉末(本發明6)。
而且，本發明之導電性接著劑，其係含有本發明1至本發明5中任一項之混銀銅粉(本發明7)。
此外，本發明之導電性糊料，其係含有本發明1至本發明5中任一項之混銀銅粉(本發明8)。
另外，本發明之導電性膜，其係使用本發明8之導電性糊料所形成者(本發明9)。
而且，本發明之電路，其係使用本發明8之導電性糊料所形成者(本發明10)。
本發明之混銀銅粉，由於導電性、導電性及耐位移性優異，故適合作為導電性糊料及導電性接著劑等之原料。
本發明使用混銀銅粉的導電性糊料以及導電性接著 劑，由於可提供耐位移性及導電性優異的印刷配線基板，故適合作為使用於各種電子裝置之導電性糊料及導電性接著劑。
〔第1圖〕係表示實施例1中使用的銅粉之電子顯微鏡照片(倍率5,000倍)
〔第2圖〕係表示實施例1中使用的銀微粒子之電子顯微鏡照片(倍率5,000倍)
〔第3圖〕係表示實施例1中使用的銀微粒子之電子顯微鏡照片(倍率50,000倍)
〔第4圖〕係表示實施例1所得的混銀銅粉之電子顯微鏡照片(倍率5,000倍)
於下述中，更詳細地說明本發明之構成。
首先，說明有關本發明之混銀銅粉。
本發明之混銀銅粉，其特徵為銀微粒子粉末附著於銅粉表面上，銅粉之平均粒子直徑(D50)與銀微粒子之平均粒子直徑(DSEM)的比例(D50/DSEM)為3~400之範圍，且銅粉與銀微粒子之敲緊密度比例為0.5~1.5的範圍。
本發明之混銀銅粉，藉由雷射繞射散亂粒度分布之平均粒子直徑(D50)以0.1~50μm較佳，更佳者為0.1~ 40μm，最佳者為0.1~30μm。而且，亦可使用組合平均粒子直徑(D50)不同的混銀銅粉。平均粒子直徑(D50)未達0.1μm時，因粒子微細化而變得容易引起表面氧化，且降低導電性，故不為企求。此外，平均粒子直徑(D50)超過50μm時，由於使用該物所得的導電性糊料之印刷性及填充性降低，故無法製得具有高導電性之導電性糊料。
本發明之混銀銅粉之粒子形狀，沒有特別的限制，可組合球狀、樹枝狀、碎片狀、針狀、板狀、粒狀等使用。而且，亦可組合形狀不同的混銀銅粉使用。
本發明之混銀銅粉之敲緊密度，以2.0g/cm3以上較佳，更佳者為2.5g/cm3以上，特佳者為3.0g/cm3以上，最佳者為3.5g/cm3以上。敲緊密度未達2.0g/cm3時，藉由含有該混銀銅粉之導電性糊料所形成的微細配線，會有不易提高混銀銅粉之填充率，並降低電阻值之缺點。
本發明之混銀銅粉的BET比表面積值，以4.0m2/g以下較佳，更佳者為0.1~3.0m2/g。BET比表面積值超過4.0m2/g時，由於粒子粉末之表面積過大，變得容易引起表面氧化，並降低導電性，故不為企求。
本發明之混銀銅粉，銅粉之平均粒子直徑(D50)與銀微粒子粉末之平均粒子直徑(DSEM)的比例(D50/DSEM)為3~400之範圍，較佳者為4~350，更佳者為5~300。銅粉之平均粒子直徑(D50)與銀微粒子粉末之平均粒子直徑(DSEM)的比例(D50/DSEM)未達3時，由於相對於銅粉之平均粒子直徑(D50)而言，銀微 粒子粉末之平均粒子直徑(DSEM)過大，導致不易將銀微粒子粉末被覆於銅粉之粒子表面上，而無法製得具有高導電性之導電性糊料。
本發明之混銀銅粉，銅粉與銀微粒子粉末之敲緊密度的比例為0.5~1.5範圍，較佳者為0.55~1.45，更佳者為0.6~1.4。藉由使銅粉與銀微粒子粉末之敲緊密度的比例在上述範圍內，即使銅粉與銀微粒子粉末之敲緊密度的值接近，於將銀微粒子粉末被覆於銅粉之粒子表面時，由於銅粉與銀微粒子粉末不會分離且動作一致，故可更為有效地藉由銀微粒子粉末進行被覆處理。
本發明中附著於混銀銅粉之銀微粒子之比例，係視銅粉之BET比表面積值而定，相對於銅粉100重量份而言，銀微粒子以1~300重量份較佳，更佳者為2~200重量份，最佳者為3~150重量份。藉由銀微粒子之被覆量未達1重量份時，由於銀微粒子之附著量過少，而無法藉由被覆銀微粒子得到充分的導電性提高效果。而且，芯材之銅粉的露出面變多，銅粉被氧化而無法確保充分的導電性。另外，由於銀微粒子為高價品，就考慮耐氧化性及導電性之改善效果、與所得的混銀銅粉之成本的平衡性而言，其上限值為300重量份。另外，由於粒子表面之銀微粒子的存在量增加，變得容易引起銀之位移現象，故不為企求。
本發明之混銀銅粉，不需藉由銀微粒子均勻地被覆銅粉之粒子表面，視其目的而定，亦可露出部分的銅粉。
其次，說明有關本發明之混銀銅粉之製造方法。
本發明之混銀銅粉，係藉由混合攪拌銅粉末與銀微粒子粉末，使銀微粒子粉末附著於銅粉末之粒子表面而得。
本發明之銅粉，不受其種類、製法等所限制，可使用由一般電解法、還原法、微粒化法、機械粉碎法等而得的銅粉。
本發明之銅粉的粒子形狀，沒有特別的限制，可使用球狀、樹枝狀、鱗片狀、碎片狀、針狀、板狀、粒狀等。而且，亦可組合形狀不同的銅粉使用。
本發明之銅粉藉由雷射繞射散亂粒度分布之平均粒子直徑(D50)，以0.1~50μm較佳，更佳者為0.1~40μm，最佳者為0.1~30μm。可組合平均粒子直徑(D50)不同的銅粉使用。平均粒子直徑(D50)未達0.1μm時，因粒子之微細化而變得容易引起表面氧化，並降低導電性，故不為企求。此外，平均粒子直徑(D50)超過50μm時，由於使用該物所得的混銀銅粉與使用該混銀銅粉而得的導電性糊料之印刷性及填充性降低，故不易製得具有高導電性之導電性糊料。
本發明之銅粉的敲緊密度，以1.5g/cm3以上較佳，更佳者為2.0g/cm3以上，最佳者為2.5g/cm3以上。敲緊密度未達1.5g/cm3時，不易使所得的混銀銅粉之敲緊密度為2.0g/cm3以上。
本發明之銅粉的BET比表面積值，以4.0m2/g以下較佳，更佳者為0.05~3.0m2/g。BET比表面積值超過4.0 m2/g時，由於粒子粉末之表面積過大，變得容易引起表面氧化，並降低導電性，故不為企求。
本發明之銀微粒子粉末，不受其種類、製法等所限制，可使用由一般機械粉碎法、微粒化法、濕式還原法、電解法、氣相法等之習知方法而得的銀微粒子粉末。
本發明之銀微粒子粉末的粒子形狀，沒有特別的限制，可使用球狀、粒狀、不定形、樹枝狀、碎片狀、板狀、針狀等，惟以球狀、粒狀或不定形較佳。
本發明之銀微粒子粉末的平均粒子直徑(DSEM)，以30~300nm較佳，更佳者為35~200nm，最佳者為40~100nm。平均粒子直徑(DSEM)未達30nm時，由於因銀微粒子粉末微細化，導致活性過高而變得不安定，不易在常溫下進行處理。
本發明之銀微粒子粉末的敲緊密度，以3.0g/cm3以上較佳，更佳者為3.2g/cm3以上，最佳者為3.4g/cm3以上。敲緊密度未達3.0g/cm3時，無法使所得的混銀銅粉之敲緊密度為2.0g/cm3以上。銀微粒子之敲緊密度的上限值約為6.0g/cm3，較佳者約為5.5g/cm3。
銅粉與銀微粒子粉末之混合攪拌，以可在粉體層中施加機械性能量之裝置較佳，例如可使用球型混練機、輪輾型混練機，使用球型混練機更為有效。
前述球型混練機有振動磨、回轉磨、砂磨機等，較佳者為振動磨。前述輪輾型混練機有研磨機(與混練機、辛普森混練機(音譯)、砂磨機同義)、雙輾盤混練機、斯 特茲混練機(音譯)、濕式盤型混練機、粉磨機、環型混練機等。
於本發明中，銅粉與銀微粒子粉末之混合攪拌，以乾式進行全部步驟，且同時為防止因銅粉氧化降低導電性時，以在N2氣體環境中進行較佳。
其次，說明有關本發明之含有混銀銅粉之導電性糊料。
本發明之導電性糊料，係由本發明之混銀銅粉及溶劑所形成，視其所需可配合接著劑樹脂、硬化劑、分散劑、流動性調整劑等之其他成分。而且，在不會損害本發明之主旨的範圍內，除本發明之混銀銅粉外，可組合鉑、金、銀、銅、鈀等之金屬粉末或碳等之任意導電性填充物。
接著劑樹脂可使用於該領域之習知者，例如甲基纖維素、乙基纖維素、羥基乙基纖維素、硝基纖維素、乙基纖維素衍生物等之纖維素系樹脂、聚酯樹脂、胺基甲酸酯改質的聚酯樹脂、環氧基改質的聚酯樹脂、丙烯基改質的聚酯等之各種改質聚酯樹脂、聚胺基甲酸酯樹脂、氯乙烯‧醋酸乙烯共聚物、丙烯酸系樹脂、環氧系樹脂、苯酚系樹脂、蜜胺樹脂、烷醇樹脂、丁醛樹脂、聚乙烯醇、聚醯亞胺樹脂、聚醯胺醯亞胺樹脂、胺基樹脂、苯乙烯系樹脂、可溶酚醛樹脂及玻璃粉末等之無機接著劑等。此等接著劑樹脂，可單獨使用或2種以上併用。
溶劑可使用該領域之習知者，例如十四烷、甲苯、二甲苯、乙苯、二乙苯、異丙苯、戊苯、p-異丙甲苯、四氫 萘及石油系芳香族烴混合物等之烴系溶劑；乙二醇單乙醚、乙二醇單丁醚、丙二醇單甲醚、丙二醇單乙醚、丙二醇單正丁醚、丙二醇單第3-丁醚、二乙二醇單乙醚、二乙二醇單丁醚、二丙二醇單甲醚、二丙二醇單丁醚、三丙二醇單甲醚等之醚或乙二醇醚系溶劑；乙二醇單甲醚乙酸酯、乙二醇單乙醚乙酸酯、乙二醇單丁醚乙酸酯、丙二醇單甲醚乙酸酯、丙二醇單乙醚乙酸酯等之乙二醇酯系溶劑；醋酸乙酯、醋酸丁酯等之酯系溶劑；甲基異丁酮、甲基乙酮、環己酮等之酮系；萜品醇、沉香醇、香葉醇、香茅醇等之萜烯醇；甲醇、乙醇、丙醇、正丁醇、第2-丁醇、第3-丁醇等之醇系溶劑；乙二醇、二乙二醇等之乙二醇系溶劑；γ-丁內酯、二噁烷、二甲基乙醯胺、二甲基甲醯胺、N-甲基吡唑咯酮及水等。溶劑可單獨使用或2種以上併用。
導電性糊料中之混銀銅粉的含有量，視用途而定為各種的含量，例如為配線形成用途時等，以儘可能接近100重量%較佳。
本發明之導電性糊料，可藉由使用攪拌雷潰機、球磨機(pot mill)、三條輥磨、回轉式混合機、二軸混合機等之各種混練機、分散機混合‧分散各成分而得。
本發明之導電性糊料，可適合使用於篩網印刷、凹版印刷、平板印刷、噴墨法、照相凹版印刷、轉印印刷、輥塗佈、流動塗佈、噴霧塗裝、旋轉塗佈、浸漬法、刮刀塗佈、電鍍等之各種塗佈方法。
另外，本發明之導電性糊料，可使用作為形成FPD(平面面板裝置)、太陽電池、有機EL等之電極或形成LSI基板之配線、以及埋入微細凹溝、微孔、接觸孔等之配線形成材料。而且，層合陶瓷電容器或層合感應器之內部電極形成用等在高溫下燒成之用途，由於可進行低溫燒成，故當然適合作為在可撓性基板或IC卡、其他基板上之配線形成材料及電極形成材料。此外，作為導電性被膜時亦可使用電磁波密封膜或紅外線反射密封膜等。亦可於電子實裝中使用作為連接電子零件與絕緣基材之導電性接著劑、取代鉛焊接材。
<作用>
本發明之重點，係使用具有特定的平均粒子直徑與敲緊密度之銅粉與銀微粒子所得的混銀銅粉，導電性及耐位移性優異為其事實。
有關本發明之混銀銅粉之導電性優異的理由，如本發明人等之下述探討。換言之，本發明之混銀銅粉係藉由目前已知的銀離子與金屬銅之取代反應，將銀被覆於銅粒子之表面的方法，或如鍍銀法藉由在水溶液中進行處理，使銅粉在水溶液中氧化，以防止導電性降低，即使以少量的銀微粒子之處理量，仍可得優異的導電性。此外，特別是藉由使用銅粉與銀微粒子之敲緊密度接近者，由於沒有銅粉與銀微粒子不均勻的情形，可使銀微粒子對銅粒子表面之密接性更為優異的被覆處理之故。
有關本發明之混銀銅粉之耐位移性優異的理由，係如本發明人等之下述檢討。換言之，如電鍍處理之將銀被覆於粒子表面之一面時，容易產生位移現象，惟本發明之混銀銅粉，由於沒有將銀微粒子均勻地被覆於銅粒子之粒子表面上而得優異的導電性，可抑制位移現象產生。
〔實施例〕
於下述中，以本發明之實施例具體地說明本發明。
銀微粒子之平均粒子直徑(DSEM)，係使用掃描型電子顯微鏡照片「S-4800」(HITACHI製)攝影粒子之照片，且使用該照片測定100個以上之粒子直徑，並求取其平均值，作為平均粒子直徑(DSEM)。
銅粉與混銀銅粉之平均粒子直徑(D50)，係使用雷射繞射散亂式粒度分布測定器「LMS-2000e」(SEISHIN股份有限公司企業製)，且於測定粒度分布時表示累積值為50%之粒子直徑。
銅粉、銀微粒子及混銀銅粉之比表面積值，以使用「MONOSORB MS-11」(QUANTACHROME股份有限公司製)，藉由BET法所測定之值表示。
構成混銀銅粉之銅及銀的含有量，係將試料0.2g、硝酸5ml及離子交換水10ml加入50ml之氟樹脂製燒杯中，在240℃下保持15分鐘予以溶解，使用「誘導結合電漿發光分光分析裝置iCAP6500Duo」(Thermo Fisher Scientific股份有公司製)進行測定。
導電性塗膜之比電阻值，係有關藉由將下述導電性糊料塗佈於厚度50μm之聚醯亞胺薄膜上，在120℃下預備乾燥10分鐘後，於氮氣氣體環境中、240℃下加熱5分鐘所得的導電性膜，使用4端子電阻測定裝置「ROLESTA GP/MCP-T610」(DIA INSTRUMENTS製)測定，且藉由薄片電阻與膜厚求取比電阻。
導電性塗膜之耐位移性，係以在厚度50μm之聚醯亞胺薄膜上，使用下述之導電性糊料，以乾燥膜厚為10~30μm之方式，於中央篩網印刷具有0.75mm間距之線寬0.75mm、長度25.0mm之圖案，且在150℃下加熱乾燥30分鐘者作為試料。然後，在上述間距之間以注射器NICHIPET Le(NICHIRYO股份有限公司製)慢慢地滴下蒸餾水0.02ml，且以直流電源R6142(ADVANTEST股份有限公司製)施加3V，且以Digital Multimeter R6871E(ADVANTEST股份有限公司製)測定電流值，測定至電流值為0.1mA為止的時間，且以5次測定值之平均值進行評估。時間愈長時，表示耐位移性愈佳。
其次，係表示實施例及比較例。
<實施例1-1：混銀銅粉之製造>
將銅粉1(形狀：樹枝狀、平均粒子直徑D50：10.5μm、BET比表面積值：0.3m2/g、敲緊密度：3.4g/cm3)1.8kg投入振動磨「MB1」(中徑： 11m/m之樹脂塗佈球3.9kg)(製品名、中央化工機股份有限公 司製)，然後添加銀微粒子1(形狀：不定形、平均粒子直徑DSEM：75nm、BET比表面積值：3.1m2/g、敲緊密度：4.6g/cm3)200g，且以回轉數1200rpm、振幅6mm進行混合攪拌180分鐘，製得實施例1-1之混銀銅粉。
所得的混銀銅粉之粒子形狀為樹枝狀，平均粒子直徑(D50)為6.7μm，BET比表面積值為0.47m2/g，敲緊密度為4.40g/cm3，Ag含有量為9.11%，Cu含有量為90.89%。銅粉之平均粒子直徑(D50)與銀微粒子粉末之平均粒子直徑(DSEM)之比例(D50/DSEM)為140.0，銅粉與銀微粒子粉末之敲緊密度的比例為0.74。
實施例1中使用的銅粉之電子顯微鏡照片如第1圖所示，表示銀微粒子之電子顯微鏡照片如第2圖(倍率5,000倍)及第3圖(倍率50,000倍)所示，所得的混銀銅粉之電子顯微鏡照片如第4圖所示。電子顯微鏡照片觀察的結果，第4圖中雖不能確認銀微粒子，於測定銀之含有量時，由於檢測出一定量的銀，故可確認銀微粒子與銅粉複合化。
<實施例2-1：導電性糊料之製造>
相對於實施例1-1之混銀銅粉100重量份而言，加入聚酯樹脂之二乙二醇單丁醚乙酸酯溶液(固成分35%)及二乙二醇單丁醚乙酸酯與二乙二醇單乙醚乙酸酯，將導電性糊料之混銀銅粉的含有量調整為88wt%(固成分為91wt%)後，進行預混合，使用3條輥進行均勻混練‧分 散處理。然後，以導電性糊料之固成分為70wt%的方式加入二乙二醇單丁醚乙酸酯與二乙二醇單乙醚乙酸酯之混合溶液，進行分散‧混合處理，製得實施2-1之導電性糊料。
將所得的導電性糊料塗佈於厚度50μm之聚醯亞胺薄膜上，比電阻值測定用係在氮氣氣體環境中、240℃下加熱乾燥5分鐘，耐位移性測定用係在氮氣氣體環境中、150℃下加熱乾燥10分鐘，製得導電性塗膜。
所得的導電性塗膜之比電阻值為4.7×10-2Ω‧cm，耐位移性為588sec。
依照前述實施例1-1及實施例2-1，製作混銀銅粉及導電性糊料。表示各製造條件及所得的混銀銅粉及導電性糊料之各特性。
銅粉1~5：使用具有表1所示之特性的銅粉作為銅粉。
銀微粒子1~7：
使用具有表2所示之特性的銀微粒子粉末作為銀微粒子。
實施例1-2~1-6及比較例1-1~1-4
除變化銅粉之種類、銀微粒子之種類及添加量外，與前述實施例1-1相同地，製得混銀銅粉。
此時之製造條件及混銀銅粉之各特性如表3所示。
實施例2-2~2-6及比較例2-1~2-7：
除混銀銅粉之種類作各種變化以外，依照前述實施例2-1之導電性糊料的製作方法，製造導電性糊料及導電性塗膜。而且，比較例2-7之導電性粒子為市售的混銀銅粉(粒子形狀：樹枝狀、平均粒子直徑(D50)：10.7μm、BET比表面積值：0.43m2/g、敲緊密度：2.99g/cm3、Ag含有量：9.60%、Cu含有量：90.34%)。
此時之製造條件及所得的導電性塗膜之各特性如表4所示。
〔產業上之利用價值〕
本發明之混銀銅粉，由於導電性、導電性及耐位移性優異，適合作為導電性糊料及導電性接著劑等之原料。
使用本發明之混銀銅粉之導電性糊料及導電性接著劑，由於可提供耐位移性及導電性優異的印刷配線基板 等，適合作為使用於各種電子裝置之導電性糊料及導電性接著劑。

Claims (10)

  1. 一種混銀銅粉，其特徵為銀微粒子粉末附著於銅粉表面上，銅粉之平均粒子直徑(D50)與銀微粒子之平均粒子直徑(DSEM)的比例(D50/DSEM)為3~400之範圍，且銅粉與銀微粒子之敲緊密度比例為0.5~1.5的範圍。
  2. 如申請專利範圍第1項之混銀銅粉，其中敲緊密度為2.0g/cm3以上。
  3. 如申請專利範圍第1或2項之混銀銅粉，其中藉由雷射繞射散亂粒度分布之平均粒子直徑(D50)為0.1~50μm。
  4. 如申請專利範圍第1~3項中任一項之混銀銅粉，其中相對於銅粉100重量份而言銀微粒子之附著量為1~300重量份。
  5. 如申請專利範圍第1~4項中任一項之混銀銅粉，其中銀微粒子之平均粒子直徑(DSEM)為30~300nm，敲緊密度為3.0g/cm3以上。
  6. 一種如申請專利範圍第1~5項中任一項之混銀銅粉之製造法，其係混合攪拌銅粉末與銀微粒子粉末，使銀微粒子粉末附著於銅粉末之粒子表面上的混銀銅粉之製造法，其特徵為以乾式法進行全部處理步驟，並同時使用銅粉之平均粒子直徑(D50)與銀微粒子之平均粒子直徑(DSEM)的比例(D50/DSEM)為3~400之範圍，且銅粉與銀微粒子之敲緊密度之比例為0.5~1.5範圍的銅粉與銀 微粒子粉末。
  7. 一種導電性接著劑，其係含有如申請專利範圍第1~5項中任一項之混銀銅粉。
  8. 一種導電性糊料，其係含有如申請專利範圍第1~5項中任一項之混銀銅粉。
  9. 一種導電性膜，其係使用如申請專利範圍第8項之導電性糊料所形成者。
  10. 一種電路，其係使用如申請專利範圍第8項之導電性糊料所形成者。
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