JP6172982B2 - 撮像装置及びカメラシステム - Google Patents

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Description

本発明は、撮像装置及びカメラシステムに関し、特にデジタルスチルカメラやデジタルビデオカメラなどのカメラシステムに用いられる撮像装置に関するものである。
デジタルスチルカメラやビデオカメラにおいて、撮像素子の一部あるいは全部の画素に測距機能を有する測距画素を配置し、位相差方式で検出するようにした固体撮像素子(撮像装置)が提案されている(特許文献1)。
測距画素は、複数の光電変換部を備え、カメラレンズの瞳上の異なる領域を通過した光束が、異なる光電変換部に導かれるように構成される。
各測距画素に含まれる光電変換部で得た信号により、異なる瞳領域を通過した光束で生成される光像(以後、測距像と記す。)を取得する。
この測距像のズレ量を基に、ステレオ画像による三角測量を用いてデフォーカス量を算出し、距離を測定することができる。
これによると、従来のコントラスト方式とは異なり、距離を測定するためにレンズを動かす必要が無いため、高速高精度な測距が可能となる。
また、各測距画素に含まれる複数の光電変換部で取得した信号は、撮影画像を生成するために、各測距画素の画素値として用いることができる。
特許第4027113号公報
このような測距画素を含む撮像装置において、低輝度な被写体を撮像すると、測距画素の各光電変換部に入射する光量は小さくなる。これにより、取得される信号の強度は小さくなり、S/Nが劣化し、信号の品質が低下する。
一方、高輝度な被写体を撮像すると、各光電変換部に入射する光量が増大する。
入射光の光量が所定の閾値を超えると、光電変換され、蓄積される電荷量の許容値を超え、得られる信号は、最大値で飽和し、正確な信号が取得できなくなる。
そのため、従来の測距画素を含む撮像素子では、低輝度あるいは高輝度な被写体の距離検出および撮像において、高品質な信号の取得が難しくなる。
そして、測距においては、測距像の精度が低下し、測距精度が低下する。
また、画像の生成においては、測距画素の画素値の精度が低下し、撮影画像の画質が低下する。
本発明は、上記課題に鑑み、低輝度および高輝度の被写体に対して測距の精度を向上させると共に、品質の向上を図ることが可能となる撮像装置及びカメラシステムの提供を目的とする。
本発明の撮像装置は、撮像素子と、被写体の像を前記撮像素子上に結像する結像光学系と、を有する撮像装置であって、前記撮像素子は、第1の高感度受光部と第1の低感度受光部と第1の瞳分割手段を有する第1の画素、及び第2の高感度受光部と第2の低感度受光部と第2の瞳分割手段を有する第2の画素を備え、前記第1の画素と前記第2の画素とは互いに近傍位置に配置され、前記第1の高感度受光部、前記第1の低感度受光部、前記第2の高感度受光部及び前記第2の低感度受光部は、それぞれ光電変換部を備え、前記第1の高感度受光部及び低感度受光部と、前記第2の高感度受光部及び低感度受光部とは、前記第1の画素及び前記第2の画素の中心を基準に、瞳分割方向に、互いに反転させた位置関係にあり、前記第1の瞳分割手段は前記結像光学系の射出瞳の第1領域からの光を前記第1の高感度受光部に導き、前記第2の瞳分割手段は前記結像光学系の射出瞳の前記第1の瞳領域と異なる第2領域からの光を前記第2の高感度受光部に導くことが可能に構成されると共に、前記第1の瞳分割手段は前記結像光学系の射出瞳の第3領域からの光を前記第1の低感度受光部に導き、前記第2の瞳分割手段は前記結像光学系の射出瞳の前記第3の瞳領域と異なる第4領域からの光を前記第2の低感度受光部に導くことが可能に構成され、前記第1の高感度受光部及び低感度受光部は、前記結像光学系から前記第1の画素に入射する光束のうち、前記第1の高感度受光部の受光量が、前記第1の低感度受光部の受光量よりも大きくなるように構成されると共に、前記第2の高感度受光部及び低感度受光部は、前記結像光学系から前記第2の画素に入射する光束のうち、前記第2の高感度受光部の受光量が、前記第2の低感度受光部の受光量よりも大きくなるように構成され、前記第1及び第2の高感度受光部から取得された信号、または、前記第1及び第2の低感度受光部から取得された信号を用いて測距することを特徴とする。
本発明によれば、低輝度および高輝度の被写体に対して測距の精度を向上させると共に、品質の向上を図ることが可能となる撮像装置及びカメラシステムを実現することができる。
本発明の実施形態における撮像装置を示す図である。 本発明の実施形態における撮像装置の画素の構成を示す図である。 本発明の実施形態における撮像装置の画素の特性を示す図である。 本発明の実施形態における撮像装置の画素の特性を示す図である。 本発明の実施形態における撮像装置の画素の構成を示す図である。 本発明の実施形態における撮像装置の画素の特性を示す図である。 本発明の実施形態における撮像装置の画素の配置を示す図である。 本発明の実施例1における撮像装置の画素の構成を示す図である。 本発明の実施例1における撮像装置の画素の構成を示す図である。 本発明の実施例2における撮像装置の画素の構成を示す図である。 本発明の実施例3における撮像装置の画素の構成を示す図である。 本発明の実施例4における撮像装置の画素の構成を示す図である。
本発明の実施形態における撮像装置について、図1および図2を用いて説明する。
図1(a)において、撮像装置100は、撮像素子101と、被写体の像を撮像素子上に結像する結像光学系102を備える。
撮像装置100は、例えば、図1(c)に示すように、他の素子と組み合わせることでカメラシステム130が構成される。
図1(c)のカメラシステム130は、撮像装置100を制御するCPU121、撮像素子101で取得した信号の読み出し、処理、記録のための、配線122、信号処理基板123、記録装置124を備えている。
結像レンズ102は、被写体の像を撮像素子101上に結像する。図1(b)は、撮像素子101の一部を示す図である。
撮像素子101は、測距機能を有する画素103と104を備え、互いに近接して配置されている。
なお、本実施形態における画素とは、撮影画像を構成する最小単位の要素を画素として定義している。
図2は画素103及び104を示す図である。
画素(第1の画素)103は、瞳分割手段(第1の瞳分割手段)110と高感度受光部(第1の高感度受光部)116、低感度受光部(第1の低感度受光部)117を備えている。
また、画素(第2の画素)104は、瞳分割手段(第2の瞳分割手段)111と、高感度受光部(第2の高感度受光部)118、低感度受光部(第2の低感度受光部)119を備えている。更に、各画素には図示しないカラーフィルタを備えている。
画素103の高感度受光部116と低感度受光部117と、画素104の高感度受光部118と低感度受光部119とは、第1の画素及び第2の画素の中心を基準に、瞳分割方向(x方向)に、互いに反転させた構造に構成されている。
各受光部は、基板109内に光電変換部105、106、107、108を含んでいる。基板109は、撮像する波長帯域で吸収を有する材料、例えばSiであり、イオン打ち込みなどで、内部の少なくとも一部の領域に光電変換部105、106、107、108を形成する。結像レンズ102より、各光電変換部に到達した光束は、電気信号に変換され、図示しない信号処理回路より出力される。
瞳分割手段110は、結像レンズ102の射出瞳120の一部の領域からの光束112を光電変換部105に導き、他の一部の領域からの光束113を光電変換部106に導くように構成している。
瞳分割手段111は、射出瞳120の、光束112が通過する領域とは異なる、他の一部の領域からの光束114を光電変換部107に導くように構成している。
更に、瞳分割手段111は、光束113が通過する領域とは異なる、他の一部の領域からの光束115を光電変換部108に導くように構成している。
画素103の高感度受光部116及び低感度受光部117は、結像レンズ102から画素103に入射する光束のうち、光電変換部105による受光量が、光電変換部106によ
る受光量よりも大きくなるように構成している。
画素104の高感度受光部118及び低感度受光部119は、結像レンズ102から画素104に入射する光束のうち、光電変換部107による受光量が、光電変換部108による受光量よりも大きくなるように構成している。
高感度受光部116及び118、あるいは、低感度受光部117及び119により、異なる瞳領域を通過した光束による測距像が取得され、公知の方法により、被写体の距離を検出できる。
また、高感度受光部116と低感度受光部117で取得した信号における少なくとも一方の受光部で取得した信号より、該第1の画素の撮影画像のための画素信号を生成することができる。
すなわち、片方もしくは両方の信号を用いて、画素103の撮影画像の画素値を生成することができる。
同様に、高感度受光部118と低感度受光部119で取得した信号より、画素104の撮影画像の画素値を生成することができる。
これにより、被写体の距離情報と画像情報を同時に取得することができる。
各受光部の特性の一例を、図3に示す。図3(a)のグラフの横軸は、画素に入射する光束の角度を表しており、xz平面における、z軸と成す角度を示している。
縦軸は、感度を表している。図の実線116aと118aは、高感度受光部116と118の特性、破線117aと119aは低感度受光部117と119の特性を示している。縦線121は、結像光学系のレンズ枠や絞り径で決まる最大入射角度を示す線である。
図3(b)は、各受光部で受光される光束が、射出瞳120上で通過する領域を示している。
図の領域116bと118bは高感度受光部116と118、領域117bと119bは低感度受光部117と119で、それぞれ受光される光束が通過する瞳領域を示している。
高感度受光部116と低感度受光部117、高感度受光部118と低感度受光部119とは、それぞれ、最大感度が異なる特性となっている。
瞳分割手段110及び111、高感度受光部116及び118、低感度受光部117及び119をそれぞれ適切に設定することで、このような角度特性を有する受光部を構成することができる。
本発明の撮像装置100で、低輝度あるいは高輝度な被写体に対して高精度な測距と高品質な撮影画像を得ることができる理由について述べる。
被写体の輝度が低い場合、画素103及び104に入射する光束は少なくなる。高感度受光部116と118は、画素103及び104に入射する光束のうち、多くの光束を光電変換部105及び107で受光し、更に、互いに異なる瞳領域からの測距像を取得するように構成されている。
このため、被写体の輝度が低くても、信号の強度が強く、S/Nが大きい信号を取得することができる。これにより、高品質な信号が得られ、高精度な測距を行うことができる。更に、高感度受光部116及び118で取得した高品質な信号により、画素103及び104の画素値の精度が向上し、高画質な撮影画像を取得できる。
被写体の輝度が高い場合、画素103及び104に入射する光束は多くなる。低感度受光部117と119は、画素103及び104に入射する光束のうち、一部の光束のみを光電変換部106及び108で受光し、更に、互いに異なる瞳領域からの測距像を取得するように構成されている。
このため、被写体が高輝度でも、信号値が飽和しにくく、正確な信号を取得することができる。
これにより、高品質な信号が得られ、高精度な測距を行うことができる。
更に、低感度受光部117及び119で取得した高品質な信号により、画素103及び104の画素値の精度が向上し、高画質な撮影画像を取得することができる。
なお、中間輝度の被写体に対しては、高感度受光部116及び118、あるいは低感度受光部117及び119で取得した信号の、片方あるいは両方の信号を用いて、測距と撮影画像の生成を行うことができる。
本発明における撮像装置100で、高感度受光部116及び118と、低感度受光部117及び119で取得した信号を用いて、低輝度及び高輝度の被写体に対して、高精度な測距と、高品質な撮影画像の生成を行うことができる。
なお、絞りがある結像光学系では、撮影状況によって絞り径が変更される。
従来の構成では、絞り径が小さくなると、各画素に入射する光量が低下し、各光電変換部で取得される信号のS/Nが悪化する。
これに対して、本実施形態のように構成をすることで、絞り径が小さくなっても、高感度受光部116及び118により、S/Nが大きい信号を取得することができ、高精度な測距と高画質な画像の生成を行うことができる。
図3のように、低感度受光部117と高感度受光部118、低感度受光部119と高感度受光部116が同じ瞳領域を通過する光束を受光し、互いに感度が異なるように構成する。
このような特性にすると、低感度受光部及び高感度受光部で取得される測距像は、互いに形状が同じで、明るさが異なる像となる。この明るさの差は、両受光部の感度差を元に、信号処理により、補正することができる。
そのため、中間輝度の被写体に対しては、同じ画素に含まれる受光部116と117あるいは受光部118と119で取得した信号を用いて測距することができ、高精度な測距を行うことができる。
各受光部は、図4に示す特性を有することが望ましい。
図4は、図3と同様に、各受光部の角度特性と、各受光部で受光される光束が、射出瞳120上で通過する領域を示している。
図4(a)のように、低感度受光部117及び119を、高感度受光部116及び118よりも、大きな角度かつ狭い角度範囲から入射する光束に対して感度を有するように構成する。
低感度受光部117及び119では、大きな角度で入射する光束を受光することにより、射出瞳120の周辺領域を通過した光束による測距像が取得される。この測距像は、被写体の距離に応じて、像の位置が大きく変化する。
すなわち、基線長が長くなり、高精度な測距が可能となる。更に、低感度受光部117及び119では、狭い角度範囲で入射する光束を受光することにより、射出瞳120の狭い領域を通過した光束による測距像が取得される。
このような光束による像は、結像レンズの焦点位置から外れた位置にある被写体の像でもボケにくく、低感度受光部117及び119では、明確な測距像が取得される。
このような低感度受光部117及び119で取得した信号を用いることで、高輝度及び中間輝度の被写体に対して、非常に高精度な測距が可能となる。
また、絞りがある結像光学系において、絞り径が大きいときは、低感度受光部で高精度な測距が可能となり、絞り径が小さいときは、高感度受光部で、射出瞳中央付近からの光束を受光し、測距することができる。
瞳分割手段110及び111、高感度受光部116及び118、低感度受光部117及び119をそれぞれ適切に設定することで、このような角度特性を有する受光部を構成し、上記の効果を得ることができる。
本発明の撮像装置100において、各画素の受光部の配置及び瞳分割方向は、x方向に限定されるものではなく、y方向あるいはxy方向に構成してもよい。各画素の受光部をy方向あるいはxy方向に配置することで構成でき、y方向あるいはxy方向にコントラスト変化がある被写体の測距を行うことができる。
あるいは、各画素に、高感度受光部を2つ、低感度受光部を2つ設けてもよい。4つ受光部を含む画素151及び152の構成を図5に示す。図5(a)は、各画素のxz断面、(b)は、yz断面を示している。
各画素には、瞳分割手段161及び162を備える。
更に、画素151には、高感度受光部153と低感度受光部154と他の受光部157及び158を備え、画素152には、高感度受光部155と低感度受光部156と他の受光部159及び160を備える。
各受光部には、基板109中に、図示しない、光電変換部を備えている。
画素151に含まれる高感度受光部153と低感度受光部154と、画素152に含まれる高感度受光部155と低感度受光部156とは、各画素の中心を基準に、瞳分割方向(x方向及びy方向)に反転して構成している。
図6は、各受光部の角度特性と、取得される光束が通過する瞳領域を示している。図6(a)及び(b)のグラフの横軸は、各画素に入射する光束の角度を表しており、それぞれ、xz平面及びyz平面における、z軸と成す角度を示している。
縦軸は、各受光部の感度を表している。図の実線153a及び155aは、高感度受光部153と155の特性、破線154a及び156aは、低感度受光部154と156の特性を示している。
破線157a、158a、159a、160aは、他の受光部157、158、159、160の特性を示している。縦線121は、結像光学系のレンズ枠や絞り径で決まる最大入射角度を示す線である。
図6(c)は、各受光部で受光される光束が、射出瞳120上で通過する領域を示している。
領域153b及び155bは高感度受光部153と155、領域154b及び156bは低感度受光部154と156で、それぞれ受光される光束が通過する瞳領域を示している。
領域157b、158b、159b、160bは、それぞれ、受光部157、158、159、160で受光される光束が通過する瞳領域を示している。
高感度受光部153と155では、低感度受光部154と156よりも多くの光束が受光される。
このような構成にすることで、高輝度あるいは低輝度の被写体で、x方向あるいはy方向にコントラスト変化を有する被写体の測距が可能となる。
被写体が低輝度で、x方向にコントラスト変化がある被写体に対しては、受光部153と158、受光部155と159で取得した信号をそれぞれ積算する。
y方向にコントラスト変化がある被写体に対しては、受光部153と157、受光部155と160で取得した信号をそれぞれ積算する。
そして、積算した信号を用いて測距することができる。被写体が高輝度で、x方向にコントラスト変化がある被写体に対しては、受光部154と157、受光部156と160で取得した信号をそれぞれ積算する。
y方向にコントラスト変化がある被写体に対しては、受光部154と158、受光部156と159で取得した信号を、それぞれ積算する。
これら積算した信号を用いて測距することができる。撮影画像の生成においては、被写体の輝度に応じて、受光部153、154、157、158で取得した信号より、画素151の画素値を生成できる。
そして、受光部155、156、159、160で取得した信号より、画素152の画素値を生成できる。
なお、高感度受光部及び低感度受光部の特性は、図6に示す特性に限定されるものでない。
前述と同様に、高感度受光部153と低感度受光部156、高感度受光部154と低感度受光部155とが、それぞれ同じ瞳領域を通過する光束を受光し、互いに感度が異なるように構成してもよい。
これにより、前述と同様の効果を得ることができる。
本発明の撮像装置100において、画素103や104のように、画素内に複数の光電変換部を配置すると、各画素の光電変換部で取得した信号を用いて、撮影画像用の画素信号を作成することができる。
撮像素子101の全画素に、このような画素を配置すると、距離画像と撮影画像の生成を同時に行うことができる。
撮像素子の全画素とは、実質的に撮影画像(被写体の像の撮像用の信号)の生成を行う全ての画素という意味であり、イメージエリアを担う画素全てを指す。つまり、所謂、有効画素数にカウントされる画素の全てである。よって、ノイズ低減のために遮光膜を設けて光を照射しない領域(所謂オプティカルブラック)や、イメージエリアに隣接して画像処理に必要な情報を取り出すための所謂リングピクセルを構成する画素は、含まない。
撮像素子の全画素に測距用信号の生成機能を設けることで、各画素位置における被写体の距離情報(距離マップ)が得られるので、撮像後に緻密な距離マップに基づいてボケの付与等の撮像画像の加工を施すことが可能となる。また、画像信号の取得専用の受光部(画素)を無くすことで、受光部の種類が減り、撮像素子を作製しやすくなる。
また、撮像素子101の任意の画素群より抽出した信号を用いて測距を行うことで、任意の撮像領域(被写体)の距離を測定することができる。
あるいは、撮像素子101の一部の画素に画素103及び104を配置し、他の画素には画像取得用の画素を配置してもよい。
測距に用いる画素の数を減らすことができ、撮影画像の画質を向上させることができる。
画素103と画素104とは、同じ被写体からの光束の一部を受光し、測距を行うことから、互いに近傍位置に配置することが望ましい。望ましくは、4画素以内、更に望ましくは、2画素以内の距離に配置することが望ましい。
測距像のズレ量を検出するため、画素103及び画素104は、瞳分割方向に、所定の画素間隔で複数の画素を配置することが望ましい。望ましくは8画素、更に望ましくは2画素以内の画素間隔で配置することが好ましい。
また、画素103及び画素104は、瞳分割方向に垂直な方向(図1(b)におけるy方向)において、同じ画素列上に配置することが望ましい。
瞳分割方向において、測距像を取得する位置を出来るだけ同じにすることで、画素103と画素104で取得した測距像の形状の差を低減でき、高い精度で測距することができる。
図7に画素の配置例を示す。
図7(a)は、画素103及び104を、瞳分割方向(x方向)に、2画素間隔で配置し、瞳分割方向に垂直な方向(y方向)に、画素103と画素104とを2画素離れた画素列に配置した例である。
図7の配置にすると、ベイヤー配列で画素を配置し、特定の色の画素のみに、測距画素を配置することができる。
図7(b)は、画素103及び104を、瞳分割方向(x方向)に、8画素間隔で配置し、瞳分割方向に垂直な方向(y方向)に、画素103と画素104とを4画素離れた画素
列に配置した例である。このように離散的に画素103及び104を配置することで、少ない測距画素で測距を行うことができる。
なお、本発明の撮像装置100において、瞳分割手段110は、射出瞳120の一部の領域からの光束を、光電変換部105及び106の両方に導くように構成してもよい。
そして、瞳分割手段111は、射出瞳120の、上記の領域とは異なる、一部の領域からの光束を、光電変換部107及び108の両方に導くように構成してもよい。
このような瞳分割手段を用いても、本発明の効果を得ることができる。
以下に、本発明の実施例について説明する。
[実施例1]
実施例1として、本発明を適用した撮像装置の構成例について説明する。
本実施例の撮像装置における撮像素子の画素201及び202の構成を図8に示す。
本実施例の撮像装置を構成する画素201は、基板109中に光電変換部205及び206が設けられ、その上部に瞳分割手段としてマイクロレンズ203が配置されている。
また、画素202は、基板109中に光電変換部207及び208が設けられ、その上方に瞳分割手段としてマイクロレンズ204が配置されている。
マイクロレンズ203及び204は、射出瞳120と、光電変換部205及び206とが共役関係となるように構成している。
光電変換部205及び207は、それぞれ、光電変換部206及び208よりも、撮像面に平行な面内において大きな受光面積を有している。
更に、光電変換部206及び208は、それぞれ、光電変換部205及び207よりも、各画素の中心から離れた位置に配置している。
画素201では、光電変換部205により高感度受光部209が、光電変換部206により低感度受光部210が構成される。
画素202では、光電変換部207により高感度受光部211が、光電変換部208により低感度受光部212が構成される。
画素201の高感度受光部209及び低感度受光部210と、画素202の高感度受光部211及び低感度受光部212は、各画素の中心を基準に、瞳分割方向に、互いに反転して配置されている。
結像レンズ102より画素201に入射した光束は、マイクロレンズ203によって、光束112は光電変換部205に向けて集光され、光束113は光電変換部206に向けて集光される。
同様に、結像レンズ102より画素202に入射した光束は、マイクロレンズ204によって、光束114は光電変換部207に向けて集光され、光束115は光電変換部208に向けて集光される。
光電変換部205と207、光電変換部206と208は、互いに異なる瞳領域からの光束が受光される。
瞳分割手段として、光電変換部の上部にマイクロレンズを設けることで、異なる瞳領域を通過した光束を、異なる光電変換部に導くことができ、瞳分割機能を容易に実現することができる。
光電変換部206及び208は、受光面積が小さく、光電変換される領域が小さいため、マイクロレンズ203と204により集光された光束の一部を電気信号に変換する。
一方、光電変換部205と207は、受光面積が大きく、光電変換される領域が大きいため、多くの光を受光することができる。
更に、射出瞳120の周辺付近を通過する光束は、レンズ枠や絞りによるビネッティングの影響により、光量が低下する。
射出瞳の周辺からの光束は、マイクロレンズ203と204により、画素の中心から離れた位置に結像する。
画素の中心より離れた位置に光電変換部206と208を配置すると、受光量が低下し、低感度な特性となる。
一方、画素の中心近傍に光電変換部205及び207を配置すると、光量低下を防ぎ、高感度な特性を実現することができる。
前述の実施例と同様に、低輝度の被写体に対しては、高感度受光部209と211、高輝度の被写体に対しては、低感度受光部210と212により、高品質な信号を取得することができる。
これらの信号により、高精度な測距と、高画質な画像の生成を行うことができる。
各画素に、受光面の面積、あるいは、画素の中心までの距離が異なる光電変換部対を設けることで、簡易に高感度受光部及び低感度受光部を構成することができる。
大きい受光面積を有する光電変換部を設けることで、画素内で、光電変換されない領域が減り、高感度受光部の最大感度を増加させることができる。
これにより低輝度あるいは中間輝度の被写体に対して、非常にS/Nが大きい、高品質な信号を取得することができる。
各画素の入射した光束は、マイクロレンズ203及び204により、小さい角度で入射した光束は、各画素の中央付近に集光され、大きな角度で入射した光束は、各画素の周辺付近に集光される。
光電変換部206及び208の面積を小さくすると、狭い角度範囲の光束のみが受光される。
また、光電変換部206及び208を各画素の中央より離れた位置に配置すると、大きい角度で入射した光束が受光される。
そのため、低感度受光部210及び212の角度特性は、狭い角度範囲かつ大きな角度で入射した光束に対して感度を有する特性となる。
一方、高感度受光部209及び211は、低感度受光部210及び212とは逆に、広い角度範囲かつ浅い角度で入射した光束に対して感度を有する特性となる。
このような構成により、各受光部の特性は、図4に示す特性となる。前述と同様に、低感度受光部210及び212で取得した信号を用いることで、高輝度あるいは中間輝度の被写体に対して、非常に高精度な測距が可能となる。
本実施例の撮像装置100における撮像素子301の画素の構成を図9に示す。実施例の撮像装置100を構成する画素301は、基板109中に光電変換部105及び106が配置され、瞳分割手段としてマイクロレンズ203が配置され、その間にフィルタ303が配置されている。
また、画素302は、基板109に光電変換部107及び108が配置され、瞳分割手段としてマイクロレンズ204が配置され、その間にフィルタ304が配置されている。フィルタ303及び304は、画素の面内(xy面)おいて、異なる透過率を有している。フィルタ303及び304は、遮光部材305で構成され、それぞれ、開口部306と307、開口部308と309を有している。開口部306、307、308、309は、それぞれ、光電変換部105、106、107、108の上部に配置されている。
開口部306及び308は、それぞれ、開口部307及び309よりも大きな開口幅を有している。更に、開口部307及び309は、それぞれ、開口部306及び308よりも、各画素の中心から離れた位置に配置されている。
画素301では、開口部306と光電変換部105により高感度受光部310が、開口部307と光電変換部106により低感度受光部311が構成される。画素302では、開口部308と光電変換部107より高感度受光部312が、開口部309と光電変換部
108より低感度受光部313が構成される。
画素301の高感度受光部310及び低感度受光部311と、画素302の高感度受光部312及び低感度受光部313とは、各画素の中心を基準に、瞳分割方向に、互いに反転して配置されている。
前述の実施例と同様に、マイクロレンズ203及び204によって、光電変換部105と107、光電変換部106と108は、互いに異なる瞳領域からの光束が集光される。
集光された光のうち、一部の光はフィルタ303及び304の開口部306、307、308、309を通過し、各光電変換部105、106、107、108に到達する。
開口部の開口幅が大きく、画素中心付近に配置されるほど、各光電変換部では、多くの光が受光される。
光電変換部105及び107は、光電変換部106及び108よりも多くの光が受光される。このような構成により、各画素に高感度受光部及び低感度受光部が構成され、前述と同様に、高輝度あるいは低輝度の被写体に対して、高精度な測距と、高画質な画像の生成を行うことができる。
光電変換部の上部に遮光部材で構成されたフィルタを設け、開口幅あるいは開口位置が異なる開口部を設けることで、画素内に高感度受光部と低感度受光部を容易に構成することができる。
前述と同様に、低感度受光部311及び313の開口部307及び309の開口幅を小さくすると、狭い角度範囲の光束のみが受光される。
また、開口部307及び309を各画素の中央より離れた位置に配置すると、大きい角度で入射した光束が受光される。
このような構成により、各受光部の角度特性は、図4に示す特性となる。
そして、このような低感度受光部311及び313で取得した信号を用いることで、高輝度あるいは中間輝度の被写体に対して、非常に高精度な測距が可能となる。
[実施例2]
実施例2として、実施例1と異なる形態の撮像装置の構成例について説明する。本実施例の撮像装置における撮像素子の画素401及び402の構成を図10に示す。
本実施例の撮像装置を構成する画素401及び402は、それぞれ、基板109に光電変換部105と106、光電変換部107と108が配置され、瞳分割手段として導波路403及び404が配置されている。
更に、画素401は、導波路403と光電変換部105、106との間に、導波路411、412を配置したフィルタ409が配置されている。画素402は、導波路404と光電変換部107、108との間に、導波路413、414を配置したフィルタ410が配置されている。
導波路403及び404は、コア部405、407とクラッド部406、408で構成されている。
フィルタ409は、導波路411及び412で構成され、それぞれ、コア部415及び416とクラッド部417で構成されている。フィルタ410は、導波路413及び414で構成され、それぞれコア部418及び419とクラッド部420で構成されている。
各フィルタに含まれる導波路のコア部415と416、コア部418と419は、それぞれ導波路403及び404のコア部405及び407と接続されている。
コア部416及び418は、それぞれコア部415及び419よりも大きなコア径を有している。
更に、コア部415及び419は、コア部416及び418よりも、各画素の中心より離れた位置に配置されている。各コア部405、407、415、416、418、419は、それぞれのクラッド部406、408、417、420よりも高い屈折率媒質で形成されている。
各コア部およびクラッド部は、撮像する波長帯域で透明な材料で形成される。例えば、SiO2、SiN、有機材料などで形成される。
これにより、各導波路のコア部内に光を閉じ込めて伝播させることができる。
画素401では、導波路411と光電変換部105より高感度受光部421が、導波路412と光電変換部106より低感度受光部422が構成される。
画素402では、導波路413と光電変換部107より高感度受光部423が、導波路414と光電変換部108より低感度受光部424が構成される。
画素401の高感度受光部421及び低感度受光部422と、画素402の高感度受光部423及び低感度受光部424は、各画素の中心を基準に、互いに反転して配置されている。
画素401に第1の方向から入射した光束112は、導波路403の導波モードに変換されて導波路403を伝播し、更に導波路411の導波モードと結合し、導波路411を伝播する。
一方、第2の方向から入射した光束113は、導波路403の導波モードに変換されて導波路403を伝播し、更に導波路412の導波モードに変換されて導波路412を伝搬する。
導波モードとは、導波路の持つ複数の固有モードの和で表され、導波路中の伝播状態を示すものである。
固有モードは、導波路のコア、クラッドの形状、屈折率によって一意に決まる。導波路403に光束112及び113が入射すると、複数の固有モードと結合し、固有の導波モードで伝播する。
入射角によって、導波モードを構成する固有モードの割合は異なり、それによって、導波モードの電場分布も異なる分布となる。
導波路403の形状、媒質を適切に設定することで、入射角によって異なる電場分布を有する導波モードで伝播させることができる。
更に、導波路403を伝搬する各導波モードと各導波路411、412の導波モードとを結合させることで、入射角が異なる各光束を異なる導波路411、412へ伝播させることができる。
導波路411、412を透過した光は、光電変換部105及び106で受光される。導波路403によって、異なる瞳領域からの光束を光電変換部105、106に導くことができる。
導波路404も同様に、光束114及び115を、光電変換部107及び108に導くことができる。
導波路403と導波路411、412の導波モード間の結合効率は、両導波路の接続部における導波モードの電場分布が互いに近い分布であるほど、高くなる。導波路411のコア径が大きいほど、導波路411には多くの導波モードが存在し、導波路403の導波モードと結合しやすい導波モードが多くなる。
そして、導波路403より導波路411を伝播し、光電変換部105に到達する光量が多くなる。
一方、導波路411のコア径が小さくなると、導波路411の導波モードが少なくなり、導波路412を伝播し、光電変換部106に到達する光量は小さくなる。
同様に、画素402の光電変換部107では、光電変換部108よりも多くの光量を受光することとなる。
このような構成により、各画素に高感度受光部及び低感度受光部が構成され、前述と同様に、高輝度あるいは低輝度の被写体に対して、高精度な測距と、高画質な画像の生成を行うことができる。
導波路412及び414のコア径が小さくなると、導波モード間の結合効率が小さくな
り、特定の狭い角度範囲から入射した光束のみが、導波路412及び414の導波モードと結合し、光電変換部106及び108で受光される。
また、導波路403及び404に入射した光束のうち、z軸と成す角度が小さい角度で入射した光束は、画素中心付近に電場が集中し易く、大きい角度で入射した光束ほど、画素の周辺付近に電場が集中し易くなる。
導波路412及び414のコア部415及び419を、各画素の中心より離れた位置に設けると、大きい角度で入射した光束が、導波路412及び414の導波モードと結合し易くなる。
そのため、低感度受光部422及び424の角度特性は、狭い角度範囲かつ大きな角度で入射した光束に対して感度を有する特性となる。一方、高感度受光部421及び423は、低感度受光部422及び424とは逆に、広い角度範囲かつ浅い角度で入射した光束に対して感度を有する特性となる。
このような構成により、各受光部の特性は、図4に示す特性となる。前述と同様に、低感度受光部422及び424で取得した信号を用いることで、高輝度あるいは中間輝度の被写体に対して、非常に高精度な測距が可能となる。
各画素には、図10に図示していないが、光電変換部で取得した電気信号を抽出するための配線が設けられる。
画素サイズが小さくなると、配線によって、光が伝播できる領域が狭くなる。瞳分割手段として、このような導波路で構成すると、光は導波路のコア部に強く閉じ込めて伝播させることができ、画素サイズが小さい場合でも、配線の影響を受けにくく、入射光束を光電変換部に効率良く導くことができる。
フィルタ409及び410の各導波路411、412、413、414を伝播する光は、各導波路内に閉じ込められ、空間的な広がりが抑制された状態で、基板109中に射出される。
これにより、基板109中の射出光の分布が制限される。各導波路の下に光電変換部を適切に配置すると、各導波路中の光を、光電変換部がある領域へ射出することができ、効率良く光を受光することができる。なお、各導波路の導波モードは、各導波路の形状や媒質あるいは設ける位置で決定され、本実施例で示す構成で、各導波路を適切に設定することで、上記で述べた効果を得ることができる。導波路403及び404は、コア部が入射端(結像レンズの方向)に向かって、幅が広くなる、テーパ形状である方が望ましい。テーパ形状にすることで、図10には示してないが、電気信号を抽出するための配線を設ける空間を確保することができる。
また、各導波路403、404、411、412、413、414で、光が伝播する領域を画素の特定領域に限定し、隣接する画素に光が漏れて生じるクロストークを軽減することができる。
なお、本発明の撮像装置における瞳分割手段および高感度受光部と低感度受光部を構成する手段は、本実施例に限られるものではない。
例えば、瞳分割手段として導波路を用い、導波路の射出側に、受光面積又は位置が異なる光電変換部、あるいは、遮光部材中に開口部を有するフィルタを設け、高感度受光部及び低感度受光部を構成してもよい。
瞳分割手段として、マイクロレンズを用い、マイクロレンズの結像面近傍に、高感度受光部及び低感度受光部を構成する手段として、導波路で構成したフィルタを設けてもよい。あるいは、これらの複数の手段を組み合わせて、高感度受光部及び低感度受光部を構成してもよい。
これらの組み合わせで、瞳分割機能と高感度受光部および低感度受光部を構成し、前述の効果を得ることができる。
なお、本実施例では、基板109の表側に瞳分割手段及び各受光部を構成した表面照射
型の撮像素子の例について述べたが、裏面照射型の撮像素子で構成してもよい。
基板109中に、基板109の裏側から順に、瞳分割手段、高感度受光部及び低感度受光部、光電変換部を設ける。
このような構成でも、瞳分割機能と高感度受光部および低感度受光部の機能を得ることができ、前述の効果を得ることができる。
このような構成にすると、基板の裏側から入射した光(+z方向に伝播する光)が検出される。
配線等は基板109の表側に配置することができ、入射光の伝播が、配線等によって妨げられるのを回避することができる。
また、配線等による空間的制約が軽減され、導波路の形状をより自由に構成することができ、入射光を光電変換部に効率良く導くことができる。
[実施例3]
実施例3として、上記各実施例と異なる形態の撮像装置の構成例について説明する。
本実施例の撮像装置における撮像素子の画素501及び502の構成を図11に示す。
高感度受光部及び低感度受光部を構成する手段として、各画素に吸収材料で形成したフィルタを設けた構成を示す。
本実施例の撮像装置を構成する画素501及び502において、マイクロレンズ203及び204、基板109、光電変換部105、106、107、108は、前述と同じ構成となっている。
フィルタ503及び504は、画素の面内(xy面)おいて、異なる透過率を有している。フィルタ503は、光電変換部106の上部を吸収媒質505で構成し、光電変換部105の上部を非吸収媒質506で構成している。
フィルタ504は、光電変換部108の上部を吸収媒質507で構成し、光電変換部107の上部を非吸収媒質508で構成している。
画素501では、非吸収媒質506と光電変換部105により高感度受光部509が、吸収媒質505と光電変換部106とにより低感度受光部510が構成される。
画素502では、非吸収媒質508と光電変換部107とにより高感度受光部511が、吸収媒質507と光電変換部108とにより低感度受光部512が構成される。
画素501の高感度受光部509及び低感度受光部510と、画素502の高感度受光部511及び低感度受光部512は、各画素の中心を基準に、瞳分割方向に、互いに反転して配置されている。
マイクロレンズ203及び204によって集光される光束のうち、光電変換部106及び108に向かう光束は、吸収媒質505及び507によって吸収され、一部の光が光電変換部106、108で受光される。
光電変換部105、107に向けて集光された光束は、非吸収媒質506及び508を通過し、光電変換部105、107で受光される。
これにより、高感度受光部509及び511では、低感度受光部510及び512よりも受光量が大きくなる。
各光電変換部における受光量は、吸収媒質の吸収係数や厚さに応じて決定される。
フィルタ503及び504を適切に設けることで、高感度受光部及び低感度受光部を容易に設けることができる。
このような構成により、前述と同様に、高輝度あるいは低輝度の被写体に対して、高精度な測距と、高画質な画像の生成を行うことができる。
このような構成にすることで、各受光部の角度特性は、図3に示す特性となる。前述と同様に、中間輝度の被写体に対して、同じ画素に含まれる高感度受光部と低感度受光部で取得した信号を用いて測距することができ、高精度な測距を行うことができる。
本実施例において、高感度受光部及び低感度受光部の構成は、本実施例で示す構成に限
定されるものではない。
例えば、フィルタ503及び504の代わりに、光電変換部105及び107の撮像面に垂直な方向の厚さを、光電変換部106及び108よりも長くすることで、高感度受光部および低感度受光部を構成してもよい。
光電変換部に入射した光は、光電変換部中を伝播し、一部の光が電子に変換される。
光電変換部の厚さによって、光電変換部を透過する間に光電変換される光量が変化し、感度が変化する。各光電変換部の厚さを適切な長さに設定することで、光電変換部105及び107の受光量を、光電変換部106及び108よりも大きくすることができる。
あるいは、光電変換部105及び107の露光時間を、光電変換部106及び108よりも長くすることで、高感度受光部および低感度受光部を構成してもよい。
各光電変換部の露光時間は、シャッターを設け、光を入射させる時間を制御するか、あるいは、光電変換部に蓄積された電荷を読み出すタイミングを制御することにより制御することができる。
これらの手段により、高感度受光部及び低感度受光部を構成することができ、前述と同様の効果を得ることができる。
[実施例4]
実施例4として、本発明を適用した撮像装置の構成例について説明する。
本実施例の撮像装置における撮像素子の構成を図12に示す。
図12(a)において、本実施例の撮像装置における撮像素子600は、各画素に画素601あるいは画素602のいずれかを配置することで構成されている。画素601は、瞳分割手段と低感度受光部603及び高感度受光部604を含み、画素602は、瞳分割手段と低感度受光部605及び高感度受光部606を含み、瞳分割方向に互いに反転させた構造となっている。
各画素は、前述の実施例のいずれかの構造で構成される。このような構成により、前述と同様に、高輝度あるいは低輝度の被写体に対して、高精度な測距と、高画質な画像の生成を行うことができる。
撮像素子の全画素に、このような画素を配置すると、距離画像と撮影画像の生成を同時に行うことができる。
撮像素子の全画素とは、実質的に撮影画像(被写体の像の撮像用の信号)の生成を行う全ての画素という意味であり、撮像素子に種々の理由でダミー的に設けた画素等の撮像用信号の生成を担わない画素は含まない。
撮像素子の全画素に測距用信号の生成機能を設けることで、各画素位置における被写体の距離情報(距離マップ)が得られるので、撮像後に緻密な距離マップに基づいてボケの付与等の撮像画像の加工を施すことが可能となる。
また、画像信号の取得専用の受光部(画素)を無くすことで、受光部の種類が減り、撮像素子を作製しやすくなる。
なお、画素601及び画素602は、瞳分割方向に垂直な方向(図12(a)におけるy方向)において、同じ画素列上に配置することが望ましい。
瞳分割方向において、測距像を取得する位置を出来るだけ同じにすることで、画素601と画素602で取得した測距像の形状の差を低減でき、高い精度で測距することができる。
図12(b)のように、画素601及び602に、赤、緑、青のいずれかのカラーフィルタを配置した画素601R、601G、601B、602R、602G、602Bを配置してもよい。撮影画像の生成において、各画素の低感度受光部あるいは高感度受光部により、高輝度あるいは低輝度被写体の色情報を含む画像信号を取得することができ、カラー画像を生成することができる。測距においては、同色のカラーフィルタを設けた画素における低感度受光部あるいは高感度受光部で生成した信号で測距することで、前述の実施
例と同様に、距離画像を取得できる。
100:撮像装置
101:撮像素子
102:結像光学系
103、104:画素
105、106、107、108:光電変換部
109:基板
110、111:瞳分割手段
116、118:高感度受光部
117、119:低感度受光部
120:射出瞳
121:CPU
122:配線
123:信号処理基板
124:記録装置
130:カメラシステム

Claims (13)

  1. 撮像素子と、被写体の像を前記撮像素子上に結像する結像光学系と、を有する撮像装置であって、
    前記撮像素子は、第1の高感度受光部と第1の低感度受光部と第1の瞳分割手段を有する第1の画素、及び第2の高感度受光部と第2の低感度受光部と第2の瞳分割手段を有する第2の画素を備え、
    前記第1の画素と前記第2の画素とは互いに近傍位置に配置され、
    前記第1の高感度受光部、前記第1の低感度受光部、前記第2の高感度受光部及び前記第2の低感度受光部は、それぞれ光電変換部を備え、
    前記第1の高感度受光部及び低感度受光部と、前記第2の高感度受光部及び低感度受光部とは、前記第1の画素及び前記第2の画素の中心を基準に、瞳分割方向に、互いに反転させた位置関係にあり、
    前記第1の瞳分割手段は前記結像光学系の射出瞳の第1領域からの光を前記第1の高感度受光部に導き、前記第2の瞳分割手段は前記結像光学系の射出瞳の前記第1の瞳領域と異なる第2領域からの光を前記第2の高感度受光部に導くことが可能に構成されると共に、前記第1の瞳分割手段は前記結像光学系の射出瞳の第3領域からの光を前記第1の低感度受光部に導き、前記第2の瞳分割手段は前記結像光学系の射出瞳の前記第3の瞳領域と異なる第4領域からの光を前記第2の低感度受光部に導くことが可能に構成され
    前記第1の高感度受光部及び低感度受光部は、前記結像光学系から前記第1の画素に入射する光束のうち、前記第1の高感度受光部の受光量が、前記第1の低感度受光部の受光量よりも大きくなるように構成されると共に、前記第2の高感度受光部及び低感度受光部は、前記結像光学系から前記第2の画素に入射する光束のうち、前記第2の高感度受光部の受光量が、前記第2の低感度受光部の受光量よりも大きくなるように構成され、
    前記第1及び第2の高感度受光部から取得された信号、または、前記第1及び第2の低感度受光部から取得された信号を用いて測距することを特徴とする撮像装置。
  2. 前記瞳分割手段は、
    前記第1の画素における前記第1の高感度受光部及び低感度受光部と、第2の画素における前記第2の高感度受光部及び低感度受光部との上に、それぞれマイクロレンズを有することを特徴とする請求項1に記載の撮像装置。
  3. 前記第3及び第4の瞳領域は、前記第1及び第2の瞳領域よりも狭い、または、前記射出瞳の周辺領域であることを特徴とする請求項1または2に記載の撮像装置。
  4. 前記第1及び第2の高感度受光部における光電変換部は、
    前記第1及び第2の低感度受光部における光電変換部よりも大きい受光面を有し、または、前記第1及び第2の画素の中心に近い位置に配置されていることを特徴とする請求項3に記載の撮像装置。
  5. 前記第1及び第2の高感度受光部と、前記第1及び第2の低感度受光部は、前記第1及び第2の瞳分割手段とそれぞれの前記光電変換部との間に、フィルタを備え、
    前記フィルタは、それぞれの前記光電変換部の上部に配置された遮光部材の一部に、開口部を設けることにより構成され、
    前記第1及び第2の高感度受光部における前記開口部は、前記第1及び第2の低感度受光部における開口部よりも大きい開口幅を有し、または、前記第1及び第2の画素の中心に近い位置に配置されていることを特徴とする請求項3に記載の撮像装置。
  6. 前記第1及び第4の瞳領域は、前記射出瞳のじ領域であり
    前記第2及び第3の瞳領域は、前記射出瞳の同じ領域であり
    前記第1及び第2の低感度受光部は、前記第1及び第2の高感度受光部よりも、感度が小さいことを特徴とする請求項1または2に記載の撮像装置。
  7. 前記第1及び第2の高感度受光部と、前記第1及び第2の低感度受光部は、前記第1及び第2の瞳分割手段とそれぞれの前記光電変換部の間に、フィルタを備え、
    前記フィルタは、前記第1及び第2の低感度受光部におけるそれぞれの前記光電変換部の上部が吸収媒質で構成され、
    前記第1及び第2の高感度受光部におけるそれぞれの前記光電変換部の上部が非吸収媒質で構成されていることを特徴とする請求項に記載の撮像装置。
  8. 前記第1の画素及び前記第2の画素は、前記瞳分割方向に垂直な方向において、同じ画素列に配置されていることを特徴とする請求項1から7のいずれか1項に記載の撮像装置。
  9. 前記瞳分割手段は、前記第1の画素における前記第1の高感度受光部及び低感度受光部と、第2の画素における前記第2の高感度受光部及び低感度受光部との上に、それぞれ導波路を有することを特徴とする請求項1に記載の撮像装置。
  10. 前記第1の画素の第1の高感度受光部と第1の低感度受光部における少なくとも一方の受光部で取得した信号より、該第1の画素の撮影画像のための画素信号を生成し、
    前記第2の画素の第2の高感度受光部と第2の低感度受光部における少なくとも一方の受光部で取得した信号より、該第2の画素の撮影画像のための画素信号を生成することを特徴とする請求項請求項1からのいずれか1項に記載の撮像装置。
  11. 前記互いに近傍位置に配置されている第1の画素と前記第2の画素とは、互いに2画素以内の距離に配置されていることを特徴とする請求項から10のいずれか1項に記載の撮像装置。
  12. 前記第1及び第2の高感度受光部と、前記第1及び第2の低感度受光部は、前記第1及び第2の瞳分割手段とそれぞれの前記光電変換部との間に、導波路を備え、
    前記第1及び第2の高感度受光部における前記導波路は、前記第1及び第2の低感度受光部における導波路よりも大きいコア径を有し、または、前記第1及び第2の画素の中心に近い位置に前記導波路のコア部が配置されていることを特徴とする請求項に記載の撮像装置。
  13. 前記被写体の輝度が低い場合に、前記第1及び第2の高感度受光部から取得された信号を用いて測距し、
    前記被写体の輝度が高い場合に、前記第1及び第2の低感度受光部から取得された信号を用いて測距することを特徴とする請求項1から12のいずれか1項に記載の撮像装置。
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Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN111527743A (zh) * 2017-12-28 2020-08-11 伟摩有限责任公司 扩展动态范围的多种操作模式
KR102177400B1 (ko) * 2020-03-09 2020-11-11 재단법인 다차원 스마트 아이티 융합시스템 연구단 낮은 복잡도로 깊이 정확도를 향상시키는 카메라 시스템 및 그 동작 방법
KR102192322B1 (ko) * 2020-04-13 2020-12-17 재단법인 다차원 스마트 아이티 융합시스템 연구단 픽셀 블록 단위로 상보적인 픽슬렛 구조가 적용된 카메라 시스템 및 그 동작 방법
KR102289202B1 (ko) * 2020-06-12 2021-08-13 주식회사 덱셀리온 수평과 수직 방향으로 상보적인 픽슬렛 구조가 적용된 카메라 시스템 및 그 동작 방법
KR102307594B1 (ko) * 2020-06-15 2021-10-05 주식회사 덱셀리온 트리플 픽셀 기반 상보적인 픽슬렛 구조가 적용된 카메라 시스템 및 그 동작 방법
KR102371801B1 (ko) * 2020-09-18 2022-03-10 주식회사 덱셀리온 상보적인 픽슬렛 구조가 적용된 카메라 시스템 및 그 동작 방법

Families Citing this family (34)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5710835B2 (ja) * 2012-03-21 2015-04-30 富士フイルム株式会社 撮像装置
US9305949B2 (en) 2013-11-01 2016-04-05 Omnivision Technologies, Inc. Big-small pixel scheme for image sensors
US9324759B2 (en) * 2013-12-19 2016-04-26 Omnivision Technologies, Inc. Image sensor pixel for high dynamic range image sensor
JP6347621B2 (ja) * 2014-02-13 2018-06-27 キヤノン株式会社 固体撮像素子及び撮像装置
JP6347620B2 (ja) * 2014-02-13 2018-06-27 キヤノン株式会社 固体撮像素子及び撮像装置
JP2015169722A (ja) * 2014-03-05 2015-09-28 ソニー株式会社 撮像装置
US9491442B2 (en) 2014-04-28 2016-11-08 Samsung Electronics Co., Ltd. Image processing device and mobile computing device having the same
KR102292136B1 (ko) * 2014-04-28 2021-08-20 삼성전자주식회사 광전 변환 소자들을 포함하는 픽셀을 포함하는 이미지 센서와 이를 포함하는 이미지 처리 장치
KR102363433B1 (ko) 2015-01-15 2022-02-16 삼성전자주식회사 이미지 센서
JP6518071B2 (ja) * 2015-01-26 2019-05-22 キヤノン株式会社 固体撮像装置およびカメラ
JP6579756B2 (ja) * 2015-02-10 2019-09-25 キヤノン株式会社 固体撮像素子およびそれを用いた撮像装置
KR102195407B1 (ko) * 2015-03-16 2020-12-29 삼성전자주식회사 이미지 신호 프로세서와 이를 포함하는 장치들
EP3094076A1 (en) 2015-05-13 2016-11-16 Thomson Licensing Method for obtaining a refocused image from a 4D raw light field data using a shift correction parameter
EP3098778A1 (en) 2015-05-29 2016-11-30 Thomson Licensing Method for obtaining a refocused image from 4d raw light field data
EP3145190A1 (en) 2015-09-17 2017-03-22 Thomson Licensing Method for delivering a set of images from a light field content
EP3145192A1 (en) 2015-09-17 2017-03-22 Thomson Licensing Method for displaying 4d light field data
EP3144886A1 (en) 2015-09-17 2017-03-22 Thomson Licensing Method for encoding a light field content
EP3145194A1 (en) 2015-09-17 2017-03-22 Thomson Licensing Method for encoding 4d light field data comprising discretizing a first and a second plane used in a light field parametrization
RU2018113737A (ru) 2015-09-17 2019-10-17 Томсон Лайсенсинг Способ кодирования содержимого светового поля
EP3145191A1 (en) 2015-09-17 2017-03-22 Thomson Licensing Method for encoding a light field content
EP3145193A1 (en) 2015-09-17 2017-03-22 Thomson Licensing Method for encoding light field content
JP6706482B2 (ja) * 2015-11-05 2020-06-10 ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 固体撮像装置および電子機器
EP3166073A1 (en) 2015-11-06 2017-05-10 Thomson Licensing Method for obtaining a refocused image from 4d raw light field data
JP2017118266A (ja) * 2015-12-22 2017-06-29 キヤノン株式会社 撮像装置
EP3249607A1 (en) 2016-01-28 2017-11-29 Thomson Licensing Method for obtaining a position of a main lens optical center of a plenoptic camera
JP2017134265A (ja) * 2016-01-28 2017-08-03 ソニー株式会社 焦点検出装置、撮像装置
US9838590B2 (en) 2016-03-16 2017-12-05 Omnivision Technologies, Inc. Phase-detection auto-focus pixel array and associated imaging system
JP2018019296A (ja) * 2016-07-28 2018-02-01 キヤノン株式会社 撮像装置およびその制御方法
US10151962B2 (en) * 2016-09-29 2018-12-11 Mitutoyo Corporation Variable focal length lens system with focus monitoring and control
US20180301484A1 (en) * 2017-04-17 2018-10-18 Semiconductor Components Industries, Llc Image sensors with high dynamic range and autofocusing hexagonal pixels
JP7005317B2 (ja) * 2017-12-04 2022-01-21 キヤノン株式会社 撮像装置、撮像装置の制御方法およびプログラム
KR20200045737A (ko) 2018-10-23 2020-05-06 삼성전자주식회사 소형 분광 유닛 및 생체 신호 측정 장치
KR102307593B1 (ko) * 2020-06-09 2021-10-05 주식회사 덱셀리온 쿼드 픽셀 블록 단위로 상보적인 픽슬렛 구조가 적용된 카메라 시스템 및 그 동작 방법
KR102382206B1 (ko) * 2020-10-16 2022-04-05 주식회사 덱셀리온 Opa가 적용된 카메라 시스템 및 그 동작 방법

Family Cites Families (27)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001183108A (ja) * 1999-12-27 2001-07-06 Minolta Co Ltd 距離測定装置
JP2003037757A (ja) * 2001-07-25 2003-02-07 Fuji Photo Film Co Ltd 画像撮像装置
JP4027113B2 (ja) 2002-02-19 2007-12-26 キヤノン株式会社 撮像装置及びシステム
JP2004048561A (ja) * 2002-07-15 2004-02-12 Fuji Photo Film Co Ltd 撮像装置及び測光装置
JP4025207B2 (ja) * 2003-01-17 2007-12-19 富士フイルム株式会社 固体撮像素子及びデジタルカメラ
TWI248297B (en) * 2003-01-17 2006-01-21 Fuji Photo Film Co Ltd Method and imaging apparatus for correcting defective pixel of solid-state image sensor, and method for creating pixel information
DE50310881D1 (de) * 2003-03-25 2009-01-15 Thomson Licensing Erfassung elektromagnetischer strahlung
JP4738907B2 (ja) * 2004-11-19 2011-08-03 富士フイルム株式会社 固体撮像素子および固体撮像装置
JP2007158692A (ja) 2005-12-05 2007-06-21 Nikon Corp 固体撮像素子及びこれを用いた電子カメラ
JP4935078B2 (ja) 2006-01-10 2012-05-23 株式会社ニコン 固体撮像素子及びこれを用いた電子カメラ
US7638804B2 (en) * 2006-03-20 2009-12-29 Sony Corporation Solid-state imaging device and imaging apparatus
JP2007259344A (ja) * 2006-03-24 2007-10-04 Fujifilm Corp 撮像装置および画像処理方法
JP2008193163A (ja) * 2007-01-31 2008-08-21 Sanyo Electric Co Ltd 固体撮像装置
KR101338353B1 (ko) * 2007-05-30 2013-12-06 삼성전자주식회사 영상 촬상 장치 및 방법
KR100976284B1 (ko) * 2007-06-07 2010-08-16 가부시끼가이샤 도시바 촬상 장치
JP5188107B2 (ja) * 2007-06-21 2013-04-24 株式会社東芝 アレイ型受光素子
JP4957413B2 (ja) * 2007-07-04 2012-06-20 株式会社ニコン 固体撮像素子及びこれを用いた撮像装置
JP2009192882A (ja) 2008-02-15 2009-08-27 Nikon Corp 焦点検出装置および撮像装置
US8878817B2 (en) * 2009-01-20 2014-11-04 Sharp Kabushiki Kaisha Area sensor and liquid crystal display device with area sensor
WO2010095374A1 (ja) * 2009-02-23 2010-08-26 パナソニック株式会社 撮像素子及びそれを備えた撮像装置
US8213022B1 (en) * 2009-03-04 2012-07-03 University Of Central Florida Research Foundation, Inc. Spatially smart optical sensing and scanning
JP5278165B2 (ja) * 2009-05-26 2013-09-04 ソニー株式会社 焦点検出装置、撮像素子および電子カメラ
JP5506517B2 (ja) 2010-04-12 2014-05-28 キヤノン株式会社 固体撮像素子
JP2011257565A (ja) 2010-06-08 2011-12-22 Canon Inc 撮像装置
JP5693082B2 (ja) 2010-08-09 2015-04-01 キヤノン株式会社 撮像装置
JP5620196B2 (ja) 2010-08-30 2014-11-05 オリンパスイメージング株式会社 撮像装置
JP5197823B2 (ja) * 2011-02-09 2013-05-15 キヤノン株式会社 光電変換装置

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN111527743A (zh) * 2017-12-28 2020-08-11 伟摩有限责任公司 扩展动态范围的多种操作模式
KR102177400B1 (ko) * 2020-03-09 2020-11-11 재단법인 다차원 스마트 아이티 융합시스템 연구단 낮은 복잡도로 깊이 정확도를 향상시키는 카메라 시스템 및 그 동작 방법
KR102192322B1 (ko) * 2020-04-13 2020-12-17 재단법인 다차원 스마트 아이티 융합시스템 연구단 픽셀 블록 단위로 상보적인 픽슬렛 구조가 적용된 카메라 시스템 및 그 동작 방법
KR102289202B1 (ko) * 2020-06-12 2021-08-13 주식회사 덱셀리온 수평과 수직 방향으로 상보적인 픽슬렛 구조가 적용된 카메라 시스템 및 그 동작 방법
KR102307594B1 (ko) * 2020-06-15 2021-10-05 주식회사 덱셀리온 트리플 픽셀 기반 상보적인 픽슬렛 구조가 적용된 카메라 시스템 및 그 동작 방법
KR102371801B1 (ko) * 2020-09-18 2022-03-10 주식회사 덱셀리온 상보적인 픽슬렛 구조가 적용된 카메라 시스템 및 그 동작 방법

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