JP6171835B2 - 検査装置、検査方法および検査プログラム - Google Patents

Description

本発明は、検査装置、検査方法および検査プログラムに関し、例えばウェーハ内のチップの良否判定を行なう検査装置、検査方法および検査プログラムに関する。

集積回路等の半導体装置は、製造工程においてウェーハ上の欠陥検査を行なう。欠陥検査は、ウェーハ上の欠陥または異物等の有無および／またはその種類を検査するものである。最終のウェーハ半導体電気機能試験において、各チップの製造工程における欠陥検査結果を取得し、欠陥が有る場合、電気的試験を行なわない方法が知られている（例えば特許文献１）。外観状態が不良の半導体装置は電気的特性検査を行なわない方法が知られている（例えば特許文献２）

特開２００１−１８９３５２号公報 特開２００７−９５７６６号公報

半導体ウェーハ上に形成されたチップに対して、電気的な導通を行なう回路動作試験等の電気的試験においては、配線等の電気的な断線または短絡がなければ合格となってしまう。しかし、電気的試験が合格のチップであっても欠陥のあるチップは信頼性の問題がある場合がある。そこで、高い品質が要求されるチップに対してバーインエージング試験等の信頼性ストレス試験を行なうことが考えられる。しかしながら、信頼性ストレス試験を行なうとコストが増大してしまう。電気的試験が合格であっても欠陥検査において欠陥のある全てのチップを不良とすることが考えられる。しかしながら、信頼性上の問題のないチップを不良としてしまう場合がある。

本検査装置、検査方法および検査プログラムは、良および不良の判定を適切に行なうことを目的とする。

ウェーハ上に形成された複数のチップのうち、電気的試験が合格であり、かつ欠陥がある第１の対象チップ、または、電気的試験が合格であり、かつ欠陥がない第２の対象チップが、欠陥検査結果に基づく１または複数の条件を満たすか否かを判定する第１判定部と、前記１または複数の条件の少なくとも１つを満たすと判定した前記第１の対象チップまたは前記第２の対象チップを次工程に進めないまたは出荷しない不良と判定し、前記１または複数の条件の全てを満たさない前記第１の対象チップまたは前記第２の対象チップを次工程に進めるまたは出荷する良と判定する第２判定部と、を具備し、前記第１判定部は、前記ウェーハ上に複数の欠陥が直線状または円弧状に配列した直線または円弧を決定し、前記条件は、前記第１の対象チップの場合、前記第１の対象チップ内に前記複数の欠陥のうち少なくとも１個の欠陥がある、および、前記第１の対象チップ内に前記複数の欠陥の両端間の前記直線または前記円弧が通過する範囲がある、を含み、前記第２の対象チップの場合、前記第２の対象チップ内に前記複数の欠陥の両端間の前記直線または前記円弧が通過する範囲がある、を含むことを特徴とする検査装置を用いる。

ウェーハ上に形成された複数のチップのうち、電気的試験が合格であり、かつ欠陥がある第１の対象チップ、または、電気的試験が合格であり、かつ欠陥がない第２の対象チップが、欠陥検査結果に基づく１または複数の条件を満たすか否かを判定する第１判定部と、前記１または複数の条件の少なくとも１つを満たすと判定した前記第１の対象チップまたは前記第２の対象チップを次工程に進めないまたは出荷しない不良と判定し、前記１または複数の条件の全てを満たさない前記第１の対象チップまたは前記第２の対象チップを次工程に進めるまたは出荷する良と判定する第２判定部と、を具備し、前記条件は、前記第１の対象チップの場合、前記第１の対象チップ内に大きさが基準値以上の特定の種類の欠陥を含む、および、前記第１の対象チップ内に前記大きさが基準値以上の特定の種類の欠陥を含まないが、前記大きさが基準値以上の特定の種類の欠陥を含むチップに隣接する、を含み、前記第２の対象チップの場合、前記第２の対象チップが前記大きさが基準値以上の特定の種類の欠陥を含むチップに隣接する、を含むことを特徴とする検査装置を用いる。

ウェーハ上に形成された複数のチップのうち、電気的試験が合格であり、かつ欠陥がある第１の対象チップ、または、電気的試験が合格であり、かつ欠陥がない第２の対象チップが、欠陥検査結果に基づく１または複数の条件を満たすか否かを判定するステップと、前記１または複数の条件の少なくとも１つを満たすと判定した前記第１の対象チップまたは前記第２の対象チップを次工程に進めないまたは出荷しない不良と判定し、前記１または複数の条件の全てを満たさない前記第１の対象チップまたは前記第２の対象チップを次工程に進めるまたは出荷する良と判定するステップと、を含み、前記条件を満たすか否かを判定するステップは、前記ウェーハ上に複数の欠陥が直線状または円弧状に配列した直線または円弧を決定するステップを含み、前記条件は、前記第１の対象チップの場合、前記第１の対象チップ内に前記複数の欠陥のうち少なくとも１個の欠陥がある、および、前記第１の対象チップ内に前記複数の欠陥の両端間の前記直線または前記円弧が通過する範囲がある、を含み、前記第２の対象チップの場合、前記第２の対象チップ内に前記複数の欠陥の両端間の前記直線または前記円弧が通過する範囲がある、を含むことを特徴とする検査方法を用いる。

ウェーハ上に形成された複数のチップのうち、電気的試験が合格であり、かつ欠陥がある第１の対象チップ、または、電気的試験が合格であり、かつ欠陥がない第２の対象チップが、欠陥検査結果に基づく１または複数の条件を満たすか否かを判定するステップと、前記１または複数の条件の少なくとも１つを満たすと判定した前記第１の対象チップまたは前記第２の対象チップを次工程に進めないまたは出荷しない不良と判定し、前記１または複数の条件の全てを満たさない前記第１の対象チップまたは前記第２の対象チップを次工程に進めるまたは出荷する良と判定するステップと、を含み、前記条件は、前記第１の対象チップの場合、前記第１の対象チップ内に大きさが基準値以上の特定の種類の欠陥を含む、および、前記第１の対象チップ内に前記大きさが基準値以上の特定の種類の欠陥を含まないが、前記大きさが基準値以上の特定の種類の欠陥を含むチップに隣接する、を含み、前記第２の対象チップの場合、前記第２の対象チップが前記大きさが基準値以上の特定の種類の欠陥を含むチップに隣接する、を含むことを特徴とする検査方法を用いる。

コンピュータに、ウェーハ上に形成された複数のチップのうち、電気的試験が合格であり、かつ欠陥がある第１の対象チップ、または、電気的試験が合格であり、かつ欠陥がない第２の対象チップが、欠陥検査結果に基づく１または複数の条件を満たすか否かを判定させ、前記１または複数の条件の少なくとも１つを満たすと判定した前記第１の対象チップまたは前記第２の対象チップを次工程に進めないまたは出荷しない不良と判定させ、前記１または複数の条件の全てを満たさない前記第１の対象チップまたは前記第２の対象チップを次工程に進めるまたは出荷する良と判定させ、条件を満たすか否かを判定させるとき、前記ウェーハ上に複数の欠陥が直線状または円弧状に配列した直線または円弧を決定させ、前記条件は、前記第１の対象チップの場合、前記第１の対象チップ内に前記複数の欠陥のうち少なくとも１個の欠陥がある、および、前記第１の対象チップ内に前記複数の欠陥の両端間の前記直線または前記円弧が通過する範囲がある、を含み、前記第２の対象チップの場合、前記第２の対象チップ内に前記複数の欠陥の両端間の前記直線または前記円弧が通過する範囲がある、を含むことを特徴とする検査プログラムを用いる。

コンピュータに、ウェーハ上に形成された複数のチップのうち、電気的試験が合格であり、かつ欠陥がある第１の対象チップ、または、電気的試験が合格であり、かつ欠陥がない第２の対象チップが、欠陥検査結果に基づく１または複数の条件を満たすか否かを判定させ、前記１または複数の条件の少なくとも１つを満たすと判定した前記第１の対象チップまたは前記第２の対象チップを次工程に進めないまたは出荷しない不良と判定させ、前記１または複数の条件の全てを満たさない前記第１の対象チップまたは前記第２の対象チップを次工程に進めるまたは出荷する良と判定させ、前記条件は、前記第１の対象チップの場合、前記第１の対象チップ内に大きさが基準値以上の特定の種類の欠陥を含む、および、前記第１の対象チップ内に前記大きさが基準値以上の特定の種類の欠陥を含まないが、前記大きさが基準値以上の特定の種類の欠陥を含むチップに隣接する、を含み、前記第２の対象チップの場合、前記第２の対象チップが前記大きさが基準値以上の特定の種類の欠陥を含むチップに隣接する、を含むことを特徴とする検査プログラムを用いる。

本検査装置、検査方法および検査プログラムによれば、良および不良の判定を適切に行なうことができる。

図１は、実施例１における検査装置が用いられるシステムを示すブロック図である。 図２（ａ）は、コンピュータのブロック図である。図２（ｂ）は、実施例１に係る検査装置の機能ブロック図である。 図３は、コンピュータが実行する処理を示すフローチャートである。 図４（ａ）および図４（ｂ）は、ウェーハ内の電気的試験結果および欠陥検査結果の例を示す図である。 図５（ａ）から図５（ｃ）は、ウェーハ内の一部の領域を示す平面図である。 図６は、図３のステップＳ１８およびＳ２０の例を示すフローチャートである。 図７（ａ）から図７（ｄ）は、ウェーハの一部を示す平面図である。 図８（ａ）および図８（ｂ）は、図６のステップＳ３２内において第１判定部が行なう処理を示すフローチャートである。 図９（ａ）および図９（ｂ）は、図６のステップＳ３２内において第１判定部が行なう処理を示すフローチャートである。 図１０は、チップの平面図である。 図１１は、図６のステップＳ３６内において第１判定部が行なう処理を示すフローチャートである。 図１２は、ウェーハの一部を示す平面図である。 図１３（ａ）および図１３（ｂ）は、図６のステップＳ３２およびＳ３６内において第１判定部が行なう処理を示すフローチャートである。 図１４（ａ）および図１４（ｂ）は、チップの平面図である。 図１５（ａ）および図１５（ｂ）は、図６のステップＳ３２およびＳ３６内において第１判定部が行なう処理を示すフローチャートである。 図１６は、ウェーハの一部を示す平面図である。 図１７は、実施例１における不良の例を示すウェーハの平面図である。 図１８は、記憶装置に格納されているデータの例を示す図である。 図１９は、図３のステップＳ１６からＳ２８の別のフローを示すフローチャートである。

以下、図面を参照に実施例について説明する。

図１は、実施例１における検査装置が用いられるシステムを示すブロック図である。システム１００は、コンピュータ１０、電気的試験装置３０、欠陥検査装置３２、記憶装置３４およびネットワーク３８を備えている。コンピュータ１０は、実施例１に係る検査装置として機能する。また、コンピュータ１０は、検査方法および検査プログラムを実行する。電気的試験装置３０は、ウェーハ上の各チップの電気的試験を行なう。電気的試験は、例えば半導体ウェーハ上に形成されたチップに対して、電気的な導通を行なう回路動作試験である。電気的試験装置３０は、例えばウェーハ状態における各チップの最終機能試験を行なう。機能試験において、不合格のチップは不良品として、組み立て工程には進まない。または、出荷されない。

欠陥検査装置３２は、例えば製造工程において光学的外観検査によりウェーハ上の欠陥および異物を検査し、ウェーハ上の欠陥の位置、種類を検出する。欠陥検査は、例えばウェーハ内のアイソレーション形成後、ゲート電極形成後、コンタクト形成後、配線形成後等に行われる。記憶装置３４は、例えばサーバであり、電気的試験の結果、欠陥検査の結果、および良否判定結果をウェーハ毎に記憶する。記憶装置３４は、電気的試験の結果を記憶する記憶装置と、欠陥検査結果を記憶する記憶装置と、の複数の記憶装置を含んでもよい。ネットワーク３８は、各装置間を接続する。

図２（ａ）は、コンピュータのブロック図である。図２（ａ）に示すように、コンピュータ１０は、検査方法および検査プログラムを実行する。コンピュータ１０は、プロセッサであるＣＰＵ（Central
Processing Unit）１１、表示装置１２、入力装置１３および出力装置１４を備えている。さらに、コンピュータ１０は、主記憶装置１５、ハードディスクドライブ（ＨＤＤ）１６、記憶媒体用ドライブ１７、通信インターフェース１８および内部バス１９を備えている。表示装置１２は、例えば液晶パネル等の表示パネルを含み、処理結果等を表示する。入力装置１３は、例えばキーボード、マウスおよびタッチパネル等であり、処理データ等を入力する。出力装置１４は、例えばプリンタであり、処理結果等を出力する。主記憶装置１５は、例えばＤＲＡＭ（Dynamic Random Access Memory）等の揮発性メモリであり、処理中のデータを記憶する。ＨＤＤ１６は、例えば処理中または処理後のデータを記憶する。記憶媒体用ドライブ１７は、記憶媒体２１に格納されたプログラムをインストールする際に用いる。または、処理後のデータを記憶媒体２１に記憶させる。通信インターフェース１８は、ネットワーク３８を介し記憶装置３４とデータの送受信を行なう。内部バス１９は、コンピュータ１０内の各装置を接続する。

図２（ｂ）は、実施例１に係る検査装置の機能ブロック図である。検査装置２０は、取得部２２、２３、重合部２４、第１判定部２５および第２判定部２６を備えている。コンピュータ１０は、ソフトウエアと協働し、取得部２２、２３、重合部２４、第１判定部２５および第２判定部２６として機能する。取得部２２は、記憶装置３４からウェーハ毎に電気的試験結果を取得する。取得部２３は、記憶装置３４からウェーハ毎に欠陥検査結果を取得する。重合部２４は、ウェーハ毎に電気的試験結果と欠陥検査結果を重ね合わせる。第１判定部２５は、ウェーハ上に形成された複数のチップのうち、電気的試験が合格でありかつ欠陥がある、または、電気的試験が合格でありかつ欠陥がない対象チップが、条件を満たすか否かを判定する。第２判定部２６は、条件を満たすと判定した対象チップを不良と判定し、条件を満たさない対象チップを良と判定する。条件は、欠陥検査結果に基づく条件である。

図３は、コンピュータが実行する処理を示すフローチャートである。取得部２２は、記憶装置３４からウェーハ毎に電気的試験の結果を示す情報を取得する（ステップＳ１０）。取得部２３は、記憶装置３４からウェーハ毎に欠陥検査の結果を示す情報を取得する（ステップＳ１２）。

図４（ａ）および図４（ｂ）は、ウェーハ内の電気的試験結果および欠陥検査結果の例を示す平面図である。図４（ａ）に示すように、ウェーハ５０内にチップ５２が複数配置されている。チップ５２のうち電気的試験が不合格のチップ５２ａを×で示す。不合格のチップ５２ａ以外のチップ５２は合格のチップ５２ｂである。図４（ｂ）が示すように、ウェーハ５０内の欠陥５４の位置がドットで示されている。

図３に戻り、重合部２４は、取得部２２および２３が取得した情報から、電気的試験結果と欠陥検査結果とを重ね合わせる（ステップＳ１４）。

図５（ａ）から図５（ｃ）は、ウェーハ内の一部の領域を示す図である。図５（ａ）は、電気的試験結果を示し、図５（ｂ）は、欠陥検査結果を示す。図５（ｃ）は、電気的試験結果と欠陥検査結果を重ね合わせたウェーハの一部を示す。図５（ａ）および図５（ｂ）に、図４（ａ）および図４（ｂ）で示したウェーハのうち一部を示す。図５（ｃ）に示すように、電気的試験結果と欠陥検査結果を重ね合わせる。ウェーハ５０には、電気的試験が不合格でありかつ欠陥がないチップ５３ａ、電気的試験が合格でありかつ欠陥のないチップ５３ｂが存在する。さらに、ウェーハ５０には、電気的試験が不合格でありかつ欠陥があるチップ５３ｃ、および電気的試験が合格でありかつ欠陥のあるチップ５３ｄが存在する。

図３に戻り、第１判定部２５は、対象チップについて電気的試験が合格か判定する（ステップＳ１６）。Ｎｏの場合、第２判定部２６は、対象チップを不良とする（ステップＳ２４）。このように、電気的試験が不合格のチップは、欠陥検査の結果によらず不良とする。

ステップＳ１６においてＹｅｓの場合、第１判定部２５は、対象チップの欠陥検査結果が条件を満たすか判定する（ステップＳ１８）。第２判定部２６は、対象チップが良か否か判定する（ステップＳ２０）。第２判定部２６は、良と判定した場合、対象チップを良とする（ステップＳ２２）。第２判定部２６は、不良と判定した場合、対象チップを不良とする（ステップＳ２４）。コンピュータ１０は、最後のチップか判定する（ステップＳ２６）。Ｎｏの場合、次のチップに進み（ステップＳ２８）、ステップＳ１６に戻る。Ｙｅｓの場合、各チップの良否結果を記憶装置３４に格納する（ステップＳ２９）。その後、終了し、次のウェーハに進む。

図６は、図５のステップＳ１８およびＳ２０の例を示すフローチャートである。図６に示すように、第１判定部２５は、電気的試験が合格である対象チップに欠陥があるか否か判定する（ステップＳ３０）。欠陥のあるチップは第１対象チップであり、欠陥のないチップは第２対象チップである。Ｙｅｓの場合、第１判定部２５は、第１対象チップが欠陥検査結果に基づく第１条件を満足するか判定する（ステップＳ３２）。第１条件が複数有る場合、第１判定部２５は、第１対象チップが複数の第１条件をそれぞれ満足するか判定する。第２判定部２６は、第１条件を満たすか否か判定する（ステップＳ３４）。第１条件が複数ある場合、第２判定部２６は、複数の第１条件の少なくとも１つを満する場合、Ｙｅｓと判定する。第２判定部２６は、複数の第１条件の全てを満たさない場合、Ｎｏと判定する。Ｙｅｓの場合、第２判定部２６は、第１対象チップを不良と判定する（ステップＳ２４）。Ｎｏの場合、第２判定部２６は、第１対象チップを良と判定する（ステップＳ２２）。

ステップＳ３０において、Ｎｏの場合、第１判定部２５は、第２対象チップが欠陥検査結果に基づく第２条件を満足するか判定する（ステップＳ３６）。第２条件が複数有る場合、第１判定部２５は、第２対象チップが複数の第２条件をそれぞれ満足するか判定する。第２判定部２６は、第２条件を満たすか否か判定する（ステップＳ３８）。第２条件が複数ある場合、第２判定部２６は、複数の第２条件の少なくとも１つを満たす場合、Ｙｅｓと判定する。第２判定部２６は、複数の第２条件の全てを満たさない場合、Ｎｏと判定する。Ｙｅｓの場合、第２判定部２６は、第２対象チップを不良と判定する（ステップＳ２４）。Ｎｏの場合、第２判定部２６は、第２対象チップを良と判定する（ステップＳ２２）。

実施例１によれば、図６のステップＳ３２のように、第１判定部２５は、ウェーハ上に形成された複数のチップのうち、電気的試験が合格であり、かつ欠陥がある第１対象チップが、第１条件を満たすか否かを判定する。ステップＳ３４のように、第２判定部２６は、第１条件を満たすと判定した第１対象チップを不良と判定し、第１条件を満たさない第１対象チップを良と判定する。このように、電気的試験が合格であり、かつ欠陥のある第１対象チップのうち、所定の条件を満たすチップを不良とし、所定の条件を満たさないチップを良とする。これにより、電気的試験が合格のチップを全て良とする場合、および、電気的試験が合格であっても欠陥のあるチップを全て不良とする場合より、適切に良否を判定できる。

また、ステップＳ３６のように、第１判定部２５は、複数のチップのうち、電気的試験が合格であり、かつ欠陥がない第２対象チップのうち、第２条件を満たすか否かを判定する。ステップＳ３８のように、第２判定部２６は、第２条件を満たすと判定した第２対象チップを不良と判定し、第２条件を満たさない第２対象チップを良と判定する。このように、電気的試験が合格であり、かつ欠陥のない第２対象チップのうち、所定の条件を満たすチップを不良とし、所定の条件を満たさないチップを良とする。これにより、より適切に良否を判定できる。

次に、第１条件の例について説明する。図７（ａ）から図７（ｄ）は、ウェーハの一部を示す平面図である。図８（ａ）から図９（ｂ）は、図６のステップＳ３２内において第１判定部が行なう処理を示すフローチャートである。

図７（ａ）は、欠陥のあるチップを全て不良とする比較例である。図７（ａ）に示すように、ウェーハ５０に複数のチップ５２が配置されている。電気的試験において不合格のチップは、欠陥のないチップ５３ａおよび欠陥のあるチップ５３ｃともに不良とする。電気的試験において合格のチップのうち欠陥のないチップ５３ｂは良とする。電気的試験において合格のチップのうち欠陥のあるチップ５３ｄは不良とする。太枠のチップは不良とするチップである。このように、欠陥のあるチップ５３ｄを全て不良とすると、信頼性に問題のないチップも含めて不良とすることとなる。また、欠陥のないチップ５３ｂを全て良とすると、信頼性に問題のあるチップを良としてしまうことがある。

図７（ｂ）および図８（ａ）は、第１条件の一例を示す図である。図８（ａ）に示すように、第１判定部２５は、第１対象チップ内に基準個以上の欠陥があるか判定する（ステップＳ４０）。Ｙｅｓの場合、第１判定部２５は、第１条件を満足すると判定する（ステップＳ４２）。Ｎｏの場合、第１判定部２５は、第１条件を満足しないと判定する（ステップＳ４４）。図７（ｂ）に示すように、電気的試験が合格でありかつ欠陥のあるチップ５３ｄのうち基準値（例えば３個）以上の欠陥のあるチップを第１条件を満足するとして不良とする。例えば、チップ５５ｂは、欠陥が２個であるため、第１条件を満足しない。チップ５５ａは、欠陥が３個であるため、第１条件を満足する。欠陥を基準個以上有するチップは欠陥密度が大きいチップであり、信頼性の問題となる可能性がある。そこで、第１対象チップ内に基準個以上の欠陥があるチップ５５ｃを第１条件を満たすとすることにより、信頼性の問題となる可能性の高いチップを優先的に不良とすることができる。なお、基準個は２個であればよい。

図７（ｃ）および図８（ｂ）は、第１条件の別の一例を示す図である。図８（ｂ）に示すように、第１判定部２５は、第１対象チップ内に隣接するチップのうち基準個（例えば２個）以上のチップにおいて、電気的試験が不合格であるか判定する（ステップＳ４６）。Ｙｅｓの場合、第１判定部２５は、第１条件を満足すると判定する（ステップＳ４２）。Ｎｏの場合、第１判定部２５は、第１条件を満足しないと判定する（ステップＳ４４）。図７（ｃ）に示すように、チップ５５ｃは、電気的試験が合格でありかつ欠陥のあるチップ５３ｄである。チップ５５ｃに隣接するチップのうち２個のチップにおいて、電気的試験が不合格である。よって、チップ５５ｃは第１条件を満たす。その他のチップ５３ｄは、電気的試験が不合格のチップに隣接していないため第１条件を満たさない。電気的試験が不合格のチップに隣接し、かつ欠陥のあるチップは、信頼性の問題となる可能性がある。そこで、隣接するチップのうち基準個のチップにおいて電気的試験が不合格であるチップ５５ｃを第１条件を満たすとすることにより、信頼性の問題となる可能性の高いチップを優先的に不良とすることができる。なお、基準個は１個以上であればよい。

図７（ｄ）および図９（ａ）は、第１条件の別の一例を示す図である。図９（ａ）に示すように、第１判定部２５は、欠陥が特定の種類であるか判定する（ステップＳ４８）。Ｙｅｓの場合、第１判定部２５は、第１条件を満足すると判定する（ステップＳ４２）。Ｎｏの場合、第１判定部２５は、第１条件を満足しないと判定する（ステップＳ４４）。図７（ｄ）に示すように、チップ５５ｄの欠陥は特定の種類である。よって、チップ５５ｄは第１条件を満たす。その他のチップ５３ｄは、第１条件を満たさない。信頼性に影響を及ぼす欠陥の場合、第１条件を満たすとすることにより、信頼性の問題となる可能性の高いチップを優先的に不良とすることができる。

特定の種類としては、例えば群欠陥とすることができる。群欠陥は、基準距離（例えば２０μｍ）内に複数の欠陥が存在する欠陥である。群欠陥は信頼性の問題となる可能性が高い。また、特定の種類として、欠陥の大きさが基準値以上の欠陥とすることができる。大きさが基準値以上の欠陥は信頼性の問題となる可能性が高い。さらに、特定の製造工程における欠陥を特定の種類の欠陥とすることもできる。

図１０は、チップの平面図である。図９（ｂ）は、第１条件の別の一例を示す図である。図９（ｂ）に示すように、第１判定部２５は、欠陥がチップ内の特定の範囲に存在するか判定する（ステップＳ５０）。Ｙｅｓの場合、第１判定部２５は、第１条件を満足すると判定する（ステップＳ４２）。Ｎｏの場合、第１判定部２５は、第１条件を満足しないと判定する（ステップＳ４４）。図１０に示すように、欠陥があることにより信頼性の問題となりやすい範囲５６が存在する。例えば、トランジスタおよび／または配線が密集している範囲に欠陥があると信頼性上の問題となる。一方、トランジスタおよび／または配線が密集していない範囲に欠陥があっても信頼性上問題となる可能性は小さい。そこで、範囲５６に欠陥のあるチップを第１条件を満たすとする。これにより、信頼性の問題となる可能性の高いチップを優先的に不良とすることができる。なお、特定の範囲は、欠陥を検出した製造工程毎に設定してもよい。例えば、特定の製造工程において、パターンが密集する範囲を特定の範囲とすることができる。

次に、第２条件の例について説明する。図１１は、図６のステップＳ３６内において第１判定部が行なう処理を示すフローチャートである。図１１に示すように、第１判定部２５は、第２対象チップの基準個以内のチップに欠陥があるか判定する（ステップＳ５２）。Ｎｏの場合、第１判定部２５は、第２対象チップが第２条件を満たさないと判定する（ステップＳ５６）。Ｙｅｓの場合、第１判定部２５は、基準個内のチップの欠陥が特定の種類か判定する（ステップＳ５４）。Ｎｏの場合、第１判定部２５は、第２対象チップが第２条件を満たさないと判定する（ステップＳ５６）。Ｙｅｓの場合、第１判定部２５は、第２対象チップが第２条件を満たすと判定する（ステップＳ５８）。

図１２は、ウェーハの一部を示す平面図である。図１２に示すように、チップ５５ｅは、電気的試験が合格であり欠陥のないチップ５３ｂである。チップ５５ｅに隣接するチップ５５ｆは特定の種類の欠陥５７を含む。よって、チップ５５ｅは第２条件を満たす。特定の種類の欠陥の周辺のチップは信頼性の問題がある場合がある。そこで、チップ５３ｂから基準範囲以内にあるチップが特定の種類の欠陥を含む場合、第２条件を満足するとする。これにより、信頼性の問題となる可能性の高いチップを優先的に不良とすることができる。特定の種類の欠陥としては、例えば群欠陥とすることができる。

次に、複数の欠陥が直線状に配列した例を示す。図１３（ａ）および図１３（ｂ）は、図６のステップＳ３２およびＳ３６内において第１判定部が行なう処理を示すフローチャートである。図１３（ａ）に示すように、第１判定部２５は、電気的試験が合格でありかつ欠陥のある第１対象チップ内に、直線状に形成された複数の欠陥のうち少なくとも１個の欠陥があるか判定する（ステップＳ６０）。Ｙｅｓの場合、第１判定部２５は、第１条件を満足すると判定する（ステップＳ４２）。Ｎｏの場合、第１判定部２５は、第１条件を満足しないと判定する（ステップＳ４４）。図１３（ｂ）に示すように、第１判定部２５は、電気的試験が合格でありかつ欠陥のない第２対象チップ内を、複数の欠陥が配列した直線が通過するか判定する（ステップＳ６２）。Ｙｅｓの場合、第１判定部２５は、第２条件を満足すると判定する（ステップＳ５６）。Ｎｏの場合、第１判定部２５は、第２条件を満足しないと判定する（ステップＳ５８）。

図１４（ａ）および図１４（ｂ）は、チップの平面図である。図１４（ａ）に示すように、複数の欠陥５４ａが直線状に配列している。複数の欠陥５４ａが配列した直線を直線５８とする。チップ５５ｅには、直線状に形成された複数の欠陥５４ａのうち少なくとも１個の欠陥が存在する。よって、チップ５５ｅは第１条件を満たす。チップ５５ｆには欠陥がない。しかし、チップ５５ｆは直線５８が通過する。よって、チップ５５ｆは第２条件を満たす。なお、第２条件を満たす直線の範囲は、直線状の複数の欠陥５４ａの両端間の直線の範囲、または両端の欠陥から所定距離延長した直線の範囲とすることができる。

直線状の欠陥は、ウェーハ５０上のスクラッチである可能性が高い。スクラッチ痕のあるチップは信頼性が低下する可能性がある。そこで、第１対象チップのうち直線状の欠陥を含むチップを不良とする。また、欠陥がないチップであってもスクラッチが通過するチップは信頼性が低下する可能性がある。そこで、第２対象チップのうち直線が通過するチップを不良とする。これにより、信頼性の問題となる可能性の高いチップを優先的に不良とすることができる。

直線状の欠陥の検査方法の例について説明する。まず、近接する任意の２点の欠陥を抽出し、この２点を通過する直線を算出する。次に、算出した直線と基準距離以内の欠陥を一次関数の直線上の欠陥と判定する。

次に、複数の欠陥が円弧状に配列した例を示す。図１５（ａ）および図１５（ｂ）は、図６のステップＳ３２およびＳ３６内において第１判定部が行なう処理を示すフローチャートである。図１５（ａ）に示すように、第１判定部２５は、電気的試験が合格でありかつ欠陥のある第１対象チップ内に、円弧状に形成された複数の欠陥のうち少なくとも１個の欠陥があるか判定する（ステップＳ６４）。Ｙｅｓの場合、第１判定部２５は、第１条件を満足すると判定する（ステップＳ４２）。Ｎｏの場合、第１判定部２５は、第１条件を満足しないと判定する（ステップＳ４４）。図１５（ｂ）に示すように、第１判定部２５は、電気的試験が合格でありかつ欠陥のない第２対象チップ内を、複数の欠陥が配列した直線が通過するか判定する（ステップＳ６６）。Ｙｅｓの場合、第１判定部２５は、第２条件を満足すると判定する（ステップＳ５６）。Ｎｏの場合、第１判定部２５は、第２条件を満足しないと判定する（ステップＳ５８）。

図１４（ｂ）に示すように、複数の欠陥５４ｂが円弧状に配列している。複数の欠陥５４ｂが配列した円弧を６０とする。チップ５５ｇには、円弧状に形成された複数の欠陥５４ｂのうち少なくとも１個の欠陥が存在する。よって、チップ５５ｇは第１条件を満たす。チップ５５ｈには欠陥がない。しかし、チップ５５ｈは円弧６０が通過する。よって、チップ５５ｈは第２条件を満たす。なお、第２条件を満たす円弧の範囲は、円弧状の複数の欠陥５４ｂの両端間の円弧の範囲、または両端の欠陥から所定距離延長した円弧の範囲とすることができる。

円弧状の欠陥は、例えばＣＭＰ（Chemical Mechanical Polishing）におけるウェーハ５０上のスクラッチである可能性が高い。ＣＭＰのスクラッチ痕のあるチップは信頼性が低下する可能性がある。そこで、第１対象チップのうち円弧状の欠陥を含むチップを不良とする。また、欠陥がないチップであってもスクラッチが通過するチップは信頼性が低下する可能性がある。そこで、第２対象チップのうち円弧が通過するチップを不良とする。これにより、信頼性の問題となる可能性の高いチップを優先的に不良とすることができる。また、円弧以外にも、特定の曲線状の欠陥を含むチップ、または特定の曲線が通過するチップを不良としてもよい。

円弧状の欠陥の検査方法の例について説明する。まず、任意の３点の欠陥を抽出し、この３点を通過する円弧を算出する。次に３点の欠陥のうち１つの欠陥を他の欠陥に代え、円弧を算出する。円弧の中心が基準誤差以上離れなければ、これら４点の欠陥は同じ円弧にあると判定する。このようにして、点数を増やし、円弧の中心が基準誤差以内の欠陥を円弧状の欠陥とする。

図１６は、ウェーハの一部を示す平面図である。図１６に示すように、ウェーハ５０に複数のチップ５２が配列している。ウェーハ５０には欠陥５４が複数存在している。まず、範囲６４ａ内の３点の欠陥から円弧６０を算出する。円弧６０の中心は６２である。次に範囲を範囲６４ｂに拡大し、円弧６０を算出する。２つの円弧６０の中心位置の距離が基準誤差以内であれば同じ円弧６０と判定する。このようにして、円弧６０の範囲を範囲６４ｃ、６４ｄに拡大する。

円弧６０の中心６２を算出する計算式を以下に示す。
３点の欠陥Ａ、Ｂ、ＣのＸ，Ｙ座標をそれぞれ（Ｘ１、Ｙ１）、(Ｘ２、Ｙ２)、（Ｘ３、Ｙ３）とする。
このとき、円弧６０の中心６２の座標は以下となる。
Ｘ座標ＨＸ＝ＤＸ＋（（ＥＹ−ＤＹ）−（ＥＸ−ＤＸ）×ｔａｎ（Ｇ）／（ｔａｎ（Ｆ）−ｔａｎ（Ｇ））
Ｙ座標ＨＹ＝ＤＹ＋（ＨＸ−ＤＸ）×ｔａｎ（Ｆ）
ここで、ＤＸ＝（Ｘ１＋Ｘ２）／２、ＤＹ＝（Ｙ１＋Ｙ２）／２、ＥＸ＝（Ｘ２＋Ｘ３）／２、ＥＹ＝（Ｙ２＋Ｙ３）／２、Ｆ＝Ｔａｎ^−１（（Ｙ２−Ｙ１）＋（Ｘ２−Ｘ１））＋９０、Ｇ＝Ｔａｎ^−１（（Ｙ３−Ｙ２）＋（Ｘ３−Ｘ２））＋９０である。

図１７は、実施例１における不良の例を示すウェーハの平面図である。図１７に示すように、ウェーハ５０に複数のチップ５２が配列している。電気的試験の不合格チップ５２ａ（×で示す）は、不良とされる。直線または円弧のスクラッチ上のチップ７０（○で示す）は、不良とされる。特定の種類の欠陥として群欠陥を含むチップ７２（▽で示す）は、不良とされる。群欠陥を含むチップを拡大した範囲７４（□で示す）は、不良とされる。図１７のように、第１条件および第２条件を複数組み合わせてもよい。

図１８は、記憶装置に格納されているデータの例を示す図である。欠陥のあるデータを抜き出した図である。図１８に示すように、記憶装置３４には、欠陥毎に、ロット番号、ウェーハ番号、チップ座標、欠陥座標、群欠陥コード、欠陥検出工程、電気的試験結果および不良処理結果が記憶されている。ロット番号は、ウェーハの製造工程におけるロット番号である。製造工程においては、複数のウェーハがロットを構成する。図１８で示すデータのロットは「Ａ００００１」である。ウェーハ番号はロット内でのウェーハを識別する番号である。図１８のデータでは、ウェーハ番号は全て「１」である。チップＸ座標およびチップＹ座標は、ウェーハ内におけるチップ内の座標である。群欠陥コードは、群欠陥に付されたコードである、欠陥検出工程は、製造工程のうち欠陥が検出された工程を示す。試験結果は、電気的試験における「合格」または「不合格」を示す。不良処理は、不良とするチップに「不良」と示している。

図１８の例では、群欠陥コードが「１」のチップは、電気的試験が合格であるが不良として処理している。その他の欠陥のあるチップは不良として処理していない。

図１８のように、チップ座標、欠陥座標、群欠陥コード、欠陥検出工程、電気的試験の結果を関連付けて記憶することができる。不良処理結果をチップ座標に関連して記憶することができる。図１８では、欠陥があるチップを抜き出し、欠陥のないチップは抜き出していない。欠陥のないチップのデータについても記憶装置３４に記憶されている。

図１９は、図３のステップＳ１６からＳ２８の別のフローを示すフローチャートである。まず、電気的試験が不合格のチップを減耗しておく。ここで、減耗とは、例えば、出荷または次工程に進めることが可能なチップから不合格または不良のチップを除く処理である。

第１判定部２５は、第１減耗処理として、各チップにつき欠陥の種類等の条件を満足するか判定する（ステップＳ７０）。例えば、第１判定部２５は、図８（ａ）と同様に、チップ内に基準個以上の欠陥がある場合、条件を満足すると判断する。また、第１判定部２５は、図８（ｂ）のように隣接するチップのうち基準個以上のチップにおいて、電気的試験が不合格である場合、条件を満足すると判定する。第１判定部２５は、図９（ａ）のように、欠陥が特定の種類である場合、条件を満足すると判定する。第１判定部２５は、図１１のように、第２対象チップから基準範囲以内にあるチップが特定の種類の欠陥を含む場合、条件を満足すると判定する。第２判定部２６は、上記条件を満足し減耗すべきチップか否か判定する（ステップＳ７２）。ステップＳ７０において、Ｙｅｓの場合ステップＳ８２に進む。Ｎｏの場合ステップＳ７４に進む。

第１判定部２５は、第２減耗処理として、直線および／または特定の曲線が通過するか判定する（ステップＳ７４）。例えば、第１判定部２５は、図１３（ａ）および図１３（ｂ）のようにチップ内に直線が通過するか判定する。第１判定部２５は、図１４（ａ）および図１４（ｂ）のようにチップ内に円弧が通過するか判定する。第２判定部２６は、上記条件を満足し減耗すべきチップか否か判定する（ステップＳ７６）。Ｎｏの場合、減耗せず終了する。Ｙｅｓの場合ステップＳ７８に進む。

第１判定部２５は、第３減耗処理として、欠陥があっても減耗しない条件を満足するか判定する（ステップＳ７８）。例えば、第１判定部２５は、図９（ｂ）のように、欠陥がチップ内の特定の範囲には存在しない場合、減耗しない。第２判定部２６は、上記条件を満たさず減耗すべきか否か判定する（ステップＳ８０）。Ｎｏの場合、減耗せず終了する。Ｙｅｓの場合、ステップＳ８２に進む。ステップＳ８２において、減耗を実施する。その後終了する。図１９のように、複数の条件を積層構造としてもよい。

以上、発明の好ましい実施例について詳述したが、本発明は係る特定の実施例に限定されるものではなく、特許請求の範囲に記載された本発明の要旨の範囲内において、種々の変形・変更が可能である。

なお、以上の説明に関して更に以下の付記を開示する。
（付記１）ウェーハ上に形成された複数のチップのうち、電気的試験が合格であり、かつ欠陥がある対象チップが、欠陥検査結果に基づく条件を満たすか否かを判定する第１判定部と、前記条件を満たすと判定した前記対象チップを不良と判定し、前記条件を満たさない前記対象チップを良と判定する第２判定部と、を具備することを特徴とする検査装置。
（付記２）前記条件は、前記対象チップ内に、直線状または円弧状に配列した複数の欠陥のうち少なくとも１個の欠陥があることを特徴とする付記１記載の検査装置。
（付記３）前記第１判定部は、複数の前記条件を満たすか否かを判定し、前記第２判定部は、前記複数の条件の少なくとも１つを満たす前記対象チップを不良と判定し、前記複数の条件の全てを満たさない前記対象チップを良と判定することを特徴とする付記１または２記載の検査装置。
（付記４）ウェーハ上に形成された複数のチップのうち、電気的試験が合格であり、かつ欠陥がない対象チップのうち、欠陥検査結果に基づく条件を満たすか否かを判定する第１判定部と、前記条件を満たすと判定した前記対象チップを不良と判定し、前記条件を満たさない前記対象チップを良と判定する第２判定部と、を具備することを特徴とする検査装置。
（付記５）前記条件は、前記対象チップ内を、複数の欠陥が配列した直線または円弧が通過することであることを特徴とする付記４記載の検査装置。
（付記６）前記第１判定部は、複数の前記条件を満たすか否かを判定し、前記第２判定部は、前記複数の条件の少なくとも１つを満たす前記対象チップを不良と判定し、前記複数の条件の全てを満たさない前記対象チップを良と判定することを特徴とする付記４または５記載の検査装置。
（付記７）前記条件は、前記対象チップから基準範囲以内にあるチップが特定の種類の欠陥を含むことであることを特徴とする付記４から６のいずれか一項記載の検査装置。
（付記８）前記特定の種類の欠陥は、群欠陥であることを特徴とする付記７記載の検査装置。
（付記９）前記条件は、前記対象チップ内に２以上の基準個以上の欠陥があることであることを特徴とする付記１から３のいずれか一項記載の検査装置。
（付記１０）前記条件は、隣接するチップのうち基準個以上のチップにおいて、前記電気的試験が不合格であることを特徴とする付記１から３のいずれか一項記載の検査装置。
（付記１１）前記条件は、欠陥が特定の種類であることを特徴とする付記１から３のいずれか一項記載の検査装置。
（付記１２）前記条件は、欠陥がチップ内の特定の範囲に存在することであることを特徴とする付記１から３のいずれか一項記載の検査装置。
（付記１３）ウェーハ上に形成された複数のチップのうち、電気的試験が合格であり、かつ欠陥がある対象チップが、欠陥検査結果に基づく条件を満たすか否かを判定するステップと、前記条件を満たすと判定した前記対象チップを不良と判定し、前記条件を満たさない前記対象チップを良と判定するステップと、を含むことを特徴とする検査方法。
（付記１４）ウェーハ上に形成された複数のチップのうち、電気的試験が合格であり、かつ欠陥がない対象チップのうち、欠陥検査結果に基づく条件を満たすか否かを判定するステップと、前記条件を満たすと判定した前記対象チップを不良と判定し、前記条件を満たさない前記対象チップを良と判定するステップと、を含むことを特徴とする検査方法。
（付記１５）コンピュータに、ウェーハ上に形成された複数のチップのうち、電気的試験が合格であり、かつ欠陥がある対象チップが、欠陥検査結果に基づく条件を満たすか否かを判定させ、前記条件を満たすと判定した前記対象チップを不良と判定し、前記条件を満たさない前記対象チップを良と判定させることを特徴とする検査プログラム。
（付記１６）コンピュータに、ウェーハ上に形成された複数のチップのうち、電気的試験が合格であり、かつ欠陥がない対象チップのうち、欠陥検査結果に基づく条件を満たすか否かを判定させ、前記条件を満たすと判定した前記対象チップを不良と判定し、前記条件を満たさない前記対象チップを良と判定させることを特徴とする検査プログラム。

１０ コンピュータ
２２、２３ 取得部
２４ 重合部
２５ 第１判定部
２６ 第２判定部
３０ 電気試験装置
３２ 欠陥検査装置
３４ 記憶装置
５０ ウェーハ
５２ チップ
５６ 範囲
５８ 直線
６０ 円弧

Claims (9)

1. ウェーハ上に形成された複数のチップのうち、電気的試験が合格であり、かつ欠陥がある第１の対象チップ、または、電気的試験が合格であり、かつ欠陥がない第２の対象チップが、欠陥検査結果に基づく１または複数の条件を満たすか否かを判定する第１判定部と、
   前記１または複数の条件の少なくとも１つを満たすと判定した前記第１の対象チップまたは前記第２の対象チップを次工程に進めないまたは出荷しない不良と判定し、前記１または複数の条件の全てを満たさない前記第１の対象チップまたは前記第２の対象チップを次工程に進めるまたは出荷する良と判定する第２判定部と、
   を具備し、
   前記第１判定部は、前記ウェーハ上に複数の欠陥が直線状または円弧状に配列した直線または円弧を決定し、
   前記条件は、
   前記第１の対象チップの場合、前記第１の対象チップ内に前記複数の欠陥のうち少なくとも１個の欠陥がある、および、前記第１の対象チップ内に前記複数の欠陥の両端間の前記直線または前記円弧が通過する範囲がある、を含み、
   前記第２の対象チップの場合、前記第２の対象チップ内に前記複数の欠陥の両端間の前記直線または前記円弧が通過する範囲がある、を含むことを特徴とする検査装置。
2. 前記条件は、
   前記第１の対象チップの場合、前記第１の対象チップ内に前記複数の欠陥の両端から前記直線または前記円弧を所定距離延長した範囲を含む、をさらに含み、
   前記第２の対象チップの場合、前記第２の対象チップ内に前記複数の欠陥の両端から前記直線または前記円弧を所定距離延長した範囲を含む、をさらに含むことを特徴とする請求項１記載の検査装置。
3. ウェーハ上に形成された複数のチップのうち、電気的試験が合格であり、かつ欠陥がある第１の対象チップ、または、電気的試験が合格であり、かつ欠陥がない第２の対象チップが、欠陥検査結果に基づく１または複数の条件を満たすか否かを判定するステップと、
   前記１または複数の条件の少なくとも１つを満たすと判定した前記第１の対象チップまたは前記第２の対象チップを次工程に進めないまたは出荷しない不良と判定し、前記１または複数の条件の全てを満たさない前記第１の対象チップまたは前記第２の対象チップを次工程に進めるまたは出荷する良と判定するステップと、
   を含み、
   前記条件を満たすか否かを判定するステップは、前記ウェーハ上に複数の欠陥が直線状または円弧状に配列した直線または円弧を決定するステップを含み、
   前記条件は、
   前記第１の対象チップの場合、前記第１の対象チップ内に前記複数の欠陥のうち少なくとも１個の欠陥がある、および、前記第１の対象チップ内に前記複数の欠陥の両端間の前記直線または前記円弧が通過する範囲がある、を含み、
   前記第２の対象チップの場合、前記第２の対象チップ内に前記複数の欠陥の両端間の前記直線または前記円弧が通過する範囲がある、を含むことを特徴とする検査方法。
4. 前記条件は、
   前記第１の対象チップの場合、前記第１の対象チップ内に前記複数の欠陥の両端から前記直線または前記円弧を所定距離延長した範囲を含む、をさらに含み、
   前記第２の対象チップの場合、前記第２の対象チップ内に前記複数の欠陥の両端から前記直線または前記円弧を所定距離延長した範囲を含む、をさらに含むことを特徴とする請求項３記載の検査方法。
5. コンピュータに、
   ウェーハ上に形成された複数のチップのうち、電気的試験が合格であり、かつ欠陥がある第１の対象チップ、または、電気的試験が合格であり、かつ欠陥がない第２の対象チップが、欠陥検査結果に基づく１または複数の条件を満たすか否かを判定させ、
   前記１または複数の条件の少なくとも１つを満たすと判定した前記第１の対象チップまたは前記第２の対象チップを次工程に進めないまたは出荷しない不良と判定させ、前記１または複数の条件の全てを満たさない前記第１の対象チップまたは前記第２の対象チップを次工程に進めるまたは出荷する良と判定させ、
   条件を満たすか否かを判定させるとき、
   前記ウェーハ上に複数の欠陥が直線状または円弧状に配列した直線または円弧を決定させ、
   前記条件は、
   前記第１の対象チップの場合、前記第１の対象チップ内に前記複数の欠陥のうち少なくとも１個の欠陥がある、および、前記第１の対象チップ内に前記複数の欠陥の両端間の前記直線または前記円弧が通過する範囲がある、を含み、
   前記第２の対象チップの場合、前記第２の対象チップ内に前記複数の欠陥の両端間の前記直線または前記円弧が通過する範囲がある、を含むことを特徴とする検査プログラム。
6. 前記条件は、
   前記第１の対象チップの場合、前記第１の対象チップ内に前記複数の欠陥の両端から前記直線または前記円弧を所定距離延長した範囲を含む、をさらに含み、
   前記第２の対象チップの場合、前記第２の対象チップ内に前記複数の欠陥の両端から前記直線または前記円弧を所定距離延長した範囲を含む、をさらに含むことを特徴とする請求項５記載の検査プログラム。
7. ウェーハ上に形成された複数のチップのうち、電気的試験が合格であり、かつ欠陥がある第１の対象チップ、または、電気的試験が合格であり、かつ欠陥がない第２の対象チップが、欠陥検査結果に基づく１または複数の条件を満たすか否かを判定する第１判定部と、
   前記１または複数の条件の少なくとも１つを満たすと判定した前記第１の対象チップまたは前記第２の対象チップを次工程に進めないまたは出荷しない不良と判定し、前記１または複数の条件の全てを満たさない前記第１の対象チップまたは前記第２の対象チップを次工程に進めるまたは出荷する良と判定する第２判定部と、を具備し、
   前記条件は、
   前記第１の対象チップの場合、前記第１の対象チップ内に大きさが基準値以上の特定の種類の欠陥を含む、および、前記第１の対象チップ内に前記大きさが基準値以上の特定の種類の欠陥を含まないが、前記大きさが基準値以上の特定の種類の欠陥を含むチップに隣接する、を含み、
   前記第２の対象チップの場合、前記第２の対象チップが前記大きさが基準値以上の特定の種類の欠陥を含むチップに隣接する、を含むことを特徴とする検査装置。
8. ウェーハ上に形成された複数のチップのうち、電気的試験が合格であり、かつ欠陥がある第１の対象チップ、または、電気的試験が合格であり、かつ欠陥がない第２の対象チップが、欠陥検査結果に基づく１または複数の条件を満たすか否かを判定するステップと、
   前記１または複数の条件の少なくとも１つを満たすと判定した前記第１の対象チップまたは前記第２の対象チップを次工程に進めないまたは出荷しない不良と判定し、前記１または複数の条件の全てを満たさない前記第１の対象チップまたは前記第２の対象チップを次工程に進めるまたは出荷する良と判定するステップと、を含み、
   前記条件は、
   前記第１の対象チップの場合、前記第１の対象チップ内に大きさが基準値以上の特定の種類の欠陥を含む、および、前記第１の対象チップ内に前記大きさが基準値以上の特定の種類の欠陥を含まないが、前記大きさが基準値以上の特定の種類の欠陥を含むチップに隣接する、を含み、
   前記第２の対象チップの場合、前記第２の対象チップが前記大きさが基準値以上の特定の種類の欠陥を含むチップに隣接する、を含むことを特徴とする検査方法。
9. コンピュータに、
   ウェーハ上に形成された複数のチップのうち、電気的試験が合格であり、かつ欠陥がある第１の対象チップ、または、電気的試験が合格であり、かつ欠陥がない第２の対象チップが、欠陥検査結果に基づく１または複数の条件を満たすか否かを判定させ、
   前記１または複数の条件の少なくとも１つを満たすと判定した前記第１の対象チップまたは前記第２の対象チップを次工程に進めないまたは出荷しない不良と判定させ、前記１または複数の条件の全てを満たさない前記第１の対象チップまたは前記第２の対象チップを次工程に進めるまたは出荷する良と判定させ、
   前記条件は、
   前記第１の対象チップの場合、前記第１の対象チップ内に大きさが基準値以上の特定の種類の欠陥を含む、および、前記第１の対象チップ内に前記大きさが基準値以上の特定の種類の欠陥を含まないが、前記大きさが基準値以上の特定の種類の欠陥を含むチップに隣接する、を含み、
   前記第２の対象チップの場合、前記第２の対象チップが前記大きさが基準値以上の特定の種類の欠陥を含むチップに隣接する、を含むことを特徴とする検査プログラム。
   

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