JP6164048B2 - 半導体記憶装置及びそれに用いられる回路装置 - Google Patents
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Description
本発明は、フラッシュメモリー等の不揮発メモリーや、DRAM(Dynamic Random Access Memory)等のRAMを含む各種の半導体記憶装置に適用可能であるが、以下においては、一例として、本発明をフラッシュメモリーに適用した実施形態について説明する。
図1は、本発明の各実施形態に係る半導体記憶装置の構成例を示すブロック図である。この半導体記憶装置は、メモリーセルアレイ10と、メモリー制御回路20と、電源回路30と、ワード線駆動電圧生成回路40と、ワード線駆動回路50と、ソース線駆動回路60とを含んでいる。
図2は、本発明の第1の実施形態に係る半導体記憶装置の一部の構成例を示す回路図である。図2には、図1に示すワード線駆動電圧生成回路40に加えて、ワード線駆動回路50の一部、ソース線駆動回路60の一部、及び、メモリーセルアレイ10の一部が示されている。
次に、本発明の第2の実施形態について説明する。
図3は、本発明の第2の実施形態に係る半導体記憶装置の一部の構成例を示す回路図である。第2の実施形態においては、図2に示す第1の実施形態におけるワード線駆動電圧生成回路40の替りに、ワード線駆動電圧生成回路40aが設けられている。その他の点に関しては、第1の実施形態におけるのと同様である。
次に、本発明の第3の実施形態について説明する。
図4は、本発明の第3の実施形態に係る半導体記憶装置の一部の構成例を示す回路図である。第3の実施形態は、第1又は第2の実施形態の変形例であり、図2又は図3に示すワード線ドライバー51の替りに、ワード線ドライバー51aが設けられている。その他の点に関しては、第1又は第2の実施形態におけるのと同様である。
Claims (9)
- 複数のメモリーセルに接続されたワード線を駆動するPチャネルトランジスターを含むワード線ドライバーに電源電位を供給する回路装置であって、
第1のノードと第2のノードとの間に電気的に接続されたソース及びドレインを有する第1のPチャネルトランジスターと、
前記第2のノードと第3のノードとの間に電気的に接続されたソース及びドレイン、及び、前記第2のノードに電気的に接続されたバックゲートを有する第2のPチャネルトランジスターと、
前記第3のノードに電気的に接続され、前記第1のノードから前記第2のノードを介して前記第3のノードに供給された第1の電源電位を上昇させて、前記ワード線ドライバーの前記Pチャネルトランジスターのソースに供給される第2の電源電位を生成するブートストラップ回路と、
前記第3のノードと複数群のワード線ドライバーとの間に電気的にそれぞれ接続され、ゲート電位に従って、選択されたワード線を駆動するワード線ドライバーを含む一群のワード線ドライバーの前記Pチャネルトランジスターのソースに第2の電源電位を供給する複数の第3のPチャネルトランジスターと、
を含み、前記ワード線ドライバーの前記Pチャネルトランジスターのバックゲートに、前記第2のノードから第3の電源電位が供給される、回路装置。 - 複数のメモリーセルに接続されたワード線を駆動するPチャネルトランジスターを含むワード線ドライバーに電源電位を供給する回路装置であって、
第1のノードと第2のノードとの間に電気的に接続されたソース及びドレインを有する第1のPチャネルトランジスターと、
前記第2のノードと第3のノードとの間に電気的に接続されたソース及びドレイン、及び、前記第2のノードに電気的に接続されたバックゲートを有する第2のPチャネルトランジスターと、
前記第3のノードに電気的に接続され、前記第1のノードから前記第2のノードを介して前記第3のノードに供給された第1の電源電位を上昇させて、前記ワード線ドライバーの前記Pチャネルトランジスターのソースに供給される第2の電源電位を生成するブートストラップ回路と、
前記第2のノードと複数群のワード線ドライバーとの間に電気的にそれぞれ接続され、ゲート電位に従って、選択されたワード線を駆動するワード線ドライバーを含む一群のワード線ドライバーの前記Pチャネルトランジスターのバックゲートに第3の電源電位を供給する複数の第4のPチャネルトランジスターと、
を含み、前記ワード線ドライバーの前記Pチャネルトランジスターのバックゲートに、前記第2のノードから第3の電源電位が供給される、回路装置。 - 複数のメモリーセルに接続されたワード線を駆動するPチャネルトランジスターを含むワード線ドライバーに電源電位を供給する回路装置であって、
第1のノードと第2のノードとの間に電気的に接続されたソース及びドレインを有する第1のPチャネルトランジスターと、
前記第2のノードと第3のノードとの間に電気的に接続されたソース及びドレイン、及び、前記第2のノードに電気的に接続されたバックゲートを有する第2のPチャネルトランジスターと、
前記第3のノードに電気的に接続され、前記第1のノードから前記第2のノードを介して前記第3のノードに供給された第1の電源電位を上昇させて、前記ワード線ドライバーの前記Pチャネルトランジスターのソースに供給される第2の電源電位を生成するブートストラップ回路と、
前記第2のノードに電気的に接続され、前記第1のノードから前記第2のノードに供給された第1の電源電位を上昇させて第3の電源電位を生成する第2のブートストラップ回路と、
を含み、前記ワード線ドライバーの前記Pチャネルトランジスターのバックゲートに、前記第2のノードから第3の電源電位が供給される、回路装置。 - 前記ブートストラップ回路が第1の電源電位を上昇させたときに、前記第2のPチャネルトランジスターの寄生ダイオードを介して前記第3のノードから前記第2のノードに電流が流れる、請求項1〜3のいずれか1項記載の回路装置。
- 前記第2のノードから第3の電源電位が供給されて、前記第2のPチャネルトランジスターのゲートを駆動する論理回路をさらに含む、請求項1〜4のいずれか1項記載の回路装置。
- 前記第2のノードから第3の電源電位が供給されて、前記複数の第3のPチャネルトランジスターのゲートをそれぞれ駆動する複数の論理回路をさらに含む、請求項1記載の回路装置。
- 前記複数の第3のPチャネルトランジスターのバックゲートに、前記第2のノードから第3の電源電位が供給される、請求項1又は6記載の回路装置。
- 前記第2のノードから第3の電源電位が供給されて、前記複数の第4のPチャネルトランジスターのゲートをそれぞれ駆動する複数の論理回路をさらに含む、請求項2記載の回路装置。
- 複数のメモリーセルと、
前記複数のメモリーセルに接続されたワード線を駆動するPチャネルトランジスターを含むワード線ドライバーと、
前記ワード線ドライバーに電源電位を供給する請求項1〜8のいずれか1項記載の回路装置と、
を含む半導体記憶装置。
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Family Applications (1)
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