JP6152301B2 - 定量方法およびプログラム - Google Patents

Description

本発明は、定量方法およびプログラムに関する。

ガスクロマトグラフ質量分析装置は、例えば特許文献１に示すように、試料注入部、分離カラム部、インターフェース部、質量分析部を含んで構成されている。一般的に分析装置の検出器の応答能は一定ではなく、すべての工程で不確かさを生じる。また、分析装置の検出器の応答能は、経時的にも変動しているため、定量には通常、試料測定毎の検量線の作成が要求される。

しかしながら、検量線作成は調製・測定・解析に多大な時間と労力を要するため、迅速な分析を妨げることとなる。このことから、迅速かつ精度の高い定量分析を可能とするための補正方法を構築する必要がある。

例えば、日本薬局方の一般試験法等では、ピーク面積又はピーク高さと標準被検成分量により検量線を作成する絶対検量線、内標準物質のピーク面積またはピーク高さに対する標準被検成分のピーク面積またはピーク高さの比と標準被検成分量により検量線を作成する内標準法が採用されている。これらの検量線を用いて、被検成分量を定量している。

絶対検量線法は一定量を再現性よく注入することが必要とされるが、一般にガスクロマトグラフ質量分析装置では、注入量が少量のため一定量の注入が難しい。そのため、試料の注入量の変動や検出感度の変動に伴う不確かさは、内標準法を採用することで、無視できるとされている。内標準法では、内標準物質と被検成分が常に同じ変動を示すことを前提として、被検成分と内標準物質との比を求めることにより装置の感度変動が相殺されるとされている。

しかしながら、実際には、モニターイオンが異なれば、装置（検出器）の検出感度の変動（経時的な変動、日内変動および日差変動）も異なる。そのため、内標準法を用いても、装置の検出感度の変動を補正して精度の高い定量値を得ることは困難であった。

特開２０１０−４８５５６号公報

本発明は、以上のような問題点に鑑みてなされたものであり、本発明のいくつかの態様によれば、装置の検出感度の変動を補正して、精度の高い定量値を得ることができる定量方法およびプログラムを提供することができる。

（１）本発明に係る定量方法は、
クロマトグラフ質量分析装置を用いて複数の内標準物質を含む被検試料を測定して、当該被検試料の被検物質を定量する定量方法であって、
複数の前記内標準物質の各々について、内標準法により作成された検量線に基づいて前記被検試料の前記被検物質の定量値を算出し、複数の前記内標準物質の各々について算出された前記定量値を平均して、第１定量値を算出する工程と、
前記第１定量値を補正するための補正係数を算出する工程と、
前記第１定量値を前記補正係数で補正して、前記被検試料の前記被検物質の第２定量値を算出する工程と、
を含み、
前記検量線を作成するための測定は、標準試料で第１チューニングされたクロマトグラフ質量分析装置を用いて行われ、
前記被検試料の測定は、前記標準試料で第２チューニングされたクロマトグラフ質量分析装置を用いて行われ、
前記補正係数を算出する工程では、
前記第１チューニングの結果得られる前記標準試料の第１マススペクトルから算出された前記被検物質の定量イオンと前記内標準物質の定量イオンとの信号強度比、および前記第２チューニングの結果得られる前記標準試料の第２マススペクトルから算出された前記被検物質の定量イオンと前記内標準物質の定量イオンとの信号強度比に基づいて、前記補正係数を算出する。

このような定量方法によれば、複数の内標準物質を用いることにより、装置の検出感度の変動（経時的な変動、日内変動および日差変動）を精度よく補正することができ、高い定量精度を得ることができる。さらに、このような定量方法によれば、被検試料の被検物質の信号強度と被検試料の内標準物質の信号強度との比を、検量線作成時の状態に合わせることができる。したがって、例えば、検量線作成時の装置と、被検試料を測定したときの装置とが異なっている場合でも、装置間の変動を補正することができる。

（２）本発明に係る定量方法において、
前記第１定量値を算出する工程では、下記式により、前記第１定量値Ｑ_ａｖｅを算出してもよい。

ただし、Ｐ_Ｓは前記被検試料の前記被検物質の定量イオンの信号強度であり、Ｐ_ｉ（ｉ＝１、２、３、・・・、ｎ）は前記被検試料の前記内標準物質の定量イオンの信号強度であり、Ｑは前記検量線から算出される前記被検試料の前記被検物質の定量値であり、ｎは前記被検試料の前記内標準物質の数である。

（３）本発明に係る定量方法において、
前記補正係数を算出する工程では、下記式により、前記補正係数ｋを算出してもよい。

ただし、Ｒ_Ｓは前記第１マススペクトルから算出された前記被検物質の定量イオンの信号強度であり、Ｒ_ｉ（ｉ＝１、２、３、・・・、ｎ）は前記第１マススペクトルから算出
された前記内標準物質の定量イオンの信号強度であり、Ｓ_Ｓは前記第２マススペクトルから算出された前記被検物質の定量イオンの信号強度であり、Ｓ_ｉ（ｉ＝１、２、３、・・・、ｎ）は前記第２マススペクトルから算出された前記内標準物質の定量イオンの信号強度であり、ｎは前記内標準物質の数である。

（４）本発明に係る定量方法において、
前記第２定量値を算出する工程では、下記式により、前記第２定量値Ｍを算出してもよい。

ただし、Ｑ_ａｖｅは前記第１定量値であり、ｋは前記補正係数である。

（５）本発明に係る定量方法において、
前記第１チューニングおよび前記第２チューニングは、ＤＦＴＰＰチューニングであってもよい。

（６）本発明に係る定量方法において、
第１定量値を算出する工程では、データベースに登録された前記検量線に基づいて、前記第１定量値を算出してもよい。

（７）本発明に係るプログラムは、
クロマトグラフ質量分析装置を用いて複数の内標準物質を含む被検試料を測定して、当該被検試料の被検物質を定量するプログラムであって、
複数の前記内標準物質の各々について、内標準法により作成された検量線に基づいて前記被検試料の前記被検物質の定量値を算出し、複数の前記内標準物質の各々について算出
された前記定量値を平均して、第１定量値を算出する第１定量値算出部と、
前記第１定量値を補正するための補正係数を算出する補正係数算出部と、
前記第１定量値を前記補正係数で補正して、前記被検試料の前記被検物質の第２定量値を算出する第２定量値算出部としてコンピューターを機能させ、
前記検量線の作成は、標準試料で第１チューニングされたクロマトグラフ質量分析装置を用いて行われ、
前記被検試料の測定は、前記標準試料で第２チューニングされたクロマトグラフ質量分析装置を用いて行われ、
前記補正係数算出部は、
前記第１チューニングの結果得られる前記標準試料の第１マススペクトルから算出された前記被検物質の定量イオンと前記内標準物質の定量イオンとの信号強度比、および前記第２チューニングの結果得られる前記標準試料の第２マススペクトルから算出された前記被検物質の定量イオンと前記内標準物質の定量イオンとの信号強度比に基づいて、前記補正係数を算出する。

このようなプログラムによれば、複数の内標準物質を用いることにより、装置の検出感度の変動を精度よく補正することができ、高い定量精度を得ることができる。さらに、このようなプログラムによれば、被検試料の被検物質の信号強度と被検試料の内標準物質との信号強度との比を、検量線作成時の状態に合わせることができる。したがって、例えば、検量線作成時の装置と、被検試料を測定したときの装置とが異なっている場合でも、装置間の変動を補正することができる。

本実施形態に係るクロマトグラフ質量分析装置の構成例を示す図。 検量線の一例を示すグラフ。 本実施形態に係るクロマトグラフ質量分析装置を用いた被検物質の定量分析工程の一例を示すフローチャート。 データベースを準備する工程の一例を示すフローチャート。 ＤＦＴＰＰのマススペクトルから第１関係式を算出する方法を説明するためのグラフ。 被検試料の測定を行う工程の一例を示すフローチャート。 定量計算部による定量計算処理の一例を示すフローチャート。 ＤＦＴＰＰチューニングにより得られたイオン強度の変動を示すグラフ。 ＤＦＴＰＰのマススペクトルから第１関係式を算出する方法の変形例を説明するためのグラフ。

以下、本発明の好適な実施形態について図面を用いて詳細に説明する。なお、以下に説明する実施形態は、特許請求の範囲に記載された本発明の内容を不当に限定するものではない。また、以下で説明される構成の全てが本発明の必須構成要件であるとは限らない。

１． クロマトグラフ質量分析装置の構成
まず、本実施形態に係るクロマトグラフ質量分析装置の構成について、図面を参照しながら説明する。図１は、クロマトグラフ質量分析装置１００の構成例を示す図である。

ここで、クロマトグラフ質量分析装置とは、ガスクロマトグラフ（ＧＣ）または液体クロマトグラフ（ＬＣ）と、質量分析装置（ＭＳ）とを接続した装置である。すなわち、クロマトグラフ質量分析装置は、ガスクロマトグラフ質量分析装置（ＧＣ／ＭＳ）または液体クロマトグラフ質量分析装置（ＬＣ／ＭＳ）である。本実施形態では、クロマトグラフ質量分析装置１００がガスクロマトグラフ質量分析装置である場合について説明する。

クロマトグラフ質量分析装置１００は、図１に示すように、ガスクロマトグラフ部１０と、質量分析部２０と、インターフェース部３０と、定量計算部４０と、を含んで構成されている。

クロマトグラフ質量分析装置１００において、定量分析の対象となる被検物質を含む試料（以下「被検試料」ともいう）には、複数の内標準物質が添加される。すなわち、被検試料は、被検物質と、複数の内標準物質と、を含む。ここで、内標準物質とは、クロマトグラフ質量分析装置１００に対する応答が被検物質と類似し、かつ、被検物質と分離測定可能な物質である。内標準物質としては、例えば、被検物質の安定同位体化合物、被検物質に化学的物理的性質が類似した物質等から選択される。複数の内標準物質は、例えば、互いに保持時間や定量イオンが異なる。複数の内標準物質は、それぞれ所定の濃度で添加される。

ガスクロマトグラフ部１０は、試料注入部１０２と、分離カラム部１０４と、を有している。試料注入部１０２には、測定対象となる試料（試料ガス）が注入される。試料注入部１０２に注入された試料は、キャリアガスによって、分離カラム部１０４に移動する。

分離カラム部１０４は、試料に含まれる各成分を時間軸で分離する。分離された試料は、インターフェース部３０を介して質量分析部２０に導入される。

インターフェース部３０は、ガスクロマトグラフ部１０と質量分析部２０とを接続して
いる。

質量分析部２０は、分離された試料の各成分から生成したイオンを、四重極マスフィルター等により質量電荷比に応じて分離し検出する。質量分析部２０では、この測定を短い時間間隔で繰り返すことにより、横軸を質量電荷比（ｍ／ｚ）とし、縦軸をイオン強度とするマススペクトルが作成される。また、質量分析部２０は、複数のマススペクトルを得て、マススペクトルごとに特定の質量電荷比のピークに着目して、当該質量電荷比のイオン強度を時間軸方向に並べることにより、当該質量電荷比のイオンのマスクロマトグラムを作成する。質量分析部２０で作成されたマススペクトルおよびマスクロマトグラムは、例えば、定量計算部４０（処理部４１０）に送られ、記憶部４４０で記憶される。

クロマトグラフ質量分析装置１００では、測定が行われる前に、チューニングが行われる。ここで、チューニングとは、成分の種類や濃度が既知である標準試料（以下「チューニング用標準試料」ともいう）を測定し、得られたマススペクトルに基づいて、クロマトグラフ質量分析装置の質量分解能の調整、感度の調整、および質量数の校正等の少なくとも１つを行うことをいう。

チューニング用標準試料は、例えば、ＤＦＴＰＰ（デカフルオロトリフェニルホスフィン）である。チューニングは、例えば、ＤＦＴＰＰチューニングである。なお、チューニング用標準試料は、マススペクトルが既知の物質であれば特に限定されない。

チューニングで得られたチューニング用標準試料のマススペクトルは、例えば、定量計算部４０（処理部４１０）に送られ、記憶部４４０で記憶される。

定量計算部４０は、処理部（ＣＰＵ）４１０と、操作部４２０と、表示部４３０と、記憶部４４０と、記録媒体４５０と、を含んで構成されている。定量計算部４０は、例えば、パーソナルコンピューター（ＰＣ）などで実現することができる。

操作部４２０は、ユーザーによる操作に応じた操作信号を取得し、処理部４１０に送る処理を行う。操作部４２０は、例えば、ボタン、キー、タッチパネル型ディスプレイ、マイクなどである。

表示部４３０は、処理部４１０から入力される表示信号に基づいて、処理部４１０の処理結果等を文字やグラフその他の情報として表示するものである。例えば、表示部４３０には、処理部４１０で算出された定量値が表示される。表示部４３０は、例えば、ＣＲＴ、ＬＣＤ、タッチパネル型ディスプレイなどである。

記憶部４４０は、処理部４１０が各種の計算処理や制御処理を行うためのプログラムやデータ等を記憶している。また、記憶部４４０は、処理部４１０の作業領域として用いられ、操作部４２０から入力された操作信号、記録媒体４５０から読み出されたプログラムやデータ、処理部４１０が各種プログラムに従って実行した算出結果等を一時的に記憶するためにも使用される。記憶部４４０には、データベース４４２が記憶されている。なお、データベース４４２は、記録媒体４５０に記録されていてもよい。

データベース４４２には、定量分析の対象となる物質（被検物質）に関するデータが登録されている。登録されているデータは、例えば、被検物質の構造式、被検物質の保持時間、被検物質の主要なフラグメントイオン（定量イオンおよび確認イオン）、被検物質のマススペクトル、内標準法により作成された被検物質の検量線等である。データベース４４２には、複数の被検物質に関するデータが登録されている。これらのデータは、被検物質の定性および定量に用いられる。

ここで、定量イオンとは、試料に含まれる被検物質を定量する場合に、当該被検物質を特徴づけるイオンをいう。定量イオンは、例えば、当該被検物質の典型的なマススペクトルにおいて信号強度が最大となるピークに対応したイオンである。また、確認イオンは、定量イオンとは異なる質量電荷比を持つイオンであって、試料に含まれる被検物質を定量する場合に、当該被検物質を特徴づけるイオンである。なお、定量イオンおよび確認イオンは、任意に選択されることができる。

また、データベース４４２に登録される検量線は、内標準法により作成される。具体的には、既知の濃度の被検物質に既知の濃度の内標準物質が添加された標準試料を測定し、内標準物質と被検物質の信号強度比（被検物質の信号強度／内標準物質の信号強度）と被検物質の濃度との関係を検量線として作成する。図２は、検量線の一例を示すグラフである。図２では、横軸が被検物質の濃度であり、縦軸が被検物質と内標準物質との信号強度比Ｐ_Ｓ／Ｐ_ｉ（被検物質の信号強度／内標準物質の信号強度）である。

さらに、データベース４４２には、検量線作成時のチューニングで得られたチューニング用標準試料のマススペクトル（以下「第１マススペクトル」ともいう）に基づいて作成される質量電荷比と信号強度との関係式（第１関係式）が登録されている。第１関係式は、後述する補正係数ｋを算出するための第１信号強度Ｒ_ｓおよび第２信号強度Ｒ_ｉを取得するために用いられる。

ここで、チューニングで得られたチューニング用標準試料のマススペクトルとは、クロマトグラフ質量分析装置がチューニングされた結果得られるチューニング用標準試料のマススペクトルである。

記録媒体４５０は、各種のアプリケーションプログラムやデータを記憶するための、コンピューター読み取り可能な記録媒体である。また、記録媒体４５０は、処理部４１０の処理により生成されたデータのうち、長期的な保存が必要なデータを記録する記録部としても機能するようにしてもよい。記録媒体４５０は、例えば、光ディスク（ＣＤ、ＤＶＤ）、光磁気ディスク（ＭＯ）、磁気ディスク、ハードディスク、磁気テープ、メモリー（ＲＯＭ、フラッシュメモリーなど）により実現することができる。

処理部４１０は、記憶部４４０に記憶されているプログラムや記録媒体４５０に記憶されているプログラムに従って、各種の計算処理を行う。

本実施形態では、処理部４１０は、記憶部４４０に記憶されているプログラムを実行することで、以下に説明する第１定量値算出部４１２、補正係数算出部４１４、第２定量値算出部４１６として機能する。あるいは、有線又は無線の通信ネットワークに接続されたサーバーから当該プログラムを受信し、記憶部４４０や記録媒体４５０に記憶させて実行するようにしてもよい。ただし、第１定量値算出部４１２、補正係数算出部４１４、および第２定量値算出部４１６の少なくとも一部をハードウェア（専用回路）で実現してもよい。

第１定量値算出部４１２は、複数の内標準物質の各々について、内標準法により作成された検量線に基づいて、被検試料の被検物質の定量値を算出し、複数の内標準物質の各々について算出された定量値を平均して、被検物質の定量値（第１定量値）を算出する処理を行う。具体的には、第１定量値算出部４１２は、下記式（１）により被検試料の被検物質の定量値Ｑ_ａｖｅを算出する処理を行う。

ただし、Ｐ_Ｓは被検試料の被検物質の定量イオンの信号強度であり、Ｐ_ｉ（ｉ＝１、２、３、・・・、ｎ）は被検試料の内標準物質の定量イオンの信号強度であり、Ｑは内標準法により作成された検量線から算出される被検試料の被検物質の定量値であり、ｎは被検試料の内標準物質の数である。

ここで、第１定量値算出部４１２は、定量値Ｑを算出するにあたり、データベース４４２に登録された検量線を用いる。また、第１定量値算出部４１２は、被検物質の定量イオンの信号強度Ｐ_Ｓおよび内標準物質の定量イオンの信号強度Ｐ_ｉを、記憶部４４０に記録された被検物質の定量イオンのマスクロマトグラム、および内標準物質の定量イオンのマスクロマトグラムから取得する。ここで、被検物質の定量イオンの信号強度Ｐ_Ｓとは、マスクロマトグラムにおける被検物質の定量イオンのピークの高さ、またはピークの面積をいう。内標準物質の定量イオンの信号強度Ｐ_ｉとは、マスクロマトグラムにおける内標準物質の定量イオンのピークの高さ、またはピークの面積をいう。

補正係数算出部４１４は、第１定量値算出部４１２で算出された被検物質の定量値Ｑ_ａｖｅを補正するための補正係数を算出する処理を行う。ここで、当該補正係数は、被検試料を測定したときの装置の状態を、検量線を作成するための標準試料の測定を行ったときの装置の状態に合わせるための係数である。すなわち、当該被検試料の、被検物質と内標準物質との信号強度比を、検量線作成時の被検物質と内標準物質との信号強度比に合わせるための係数である。

補正係数算出部４１４は、検量線作成時のチューニング（以下「第１チューニング」ともいう）で得られたチューニング用標準試料のマススペクトル（第１マススペクトル）、および、被検試料測定時のチューニング（以下「第２チューニング」ともいう）で得られたチューニング用標準試料のマススペクトル（以下「第２マススペクトル」ともいう）に基づいて、補正係数を算出する処理を行う。具体的には、補正係数算出部４１４は、第１チューニングで得られた第１マススペクトルから算出された被検物質と内標準物質との信号強度比、および第２チューニングで得られた第２マススペクトルから算出された被検物質と内標準物質との信号強度比に基づいて、補正係数を算出する処理を行う。

より具体的には、補正係数算出部４１４は、下記式（２）により、補正係数ｋを算出する処理を行う。

ただし、Ｒ_ｓは第１マススペクトルから算出された被検物質の定量イオンの信号強度（第１信号強度）であり、Ｒ_ｉ（ｉ＝１、２、３、・・・、ｎ）は第１マススペクトルから算出された内標準物質の定量イオンの信号強度（第２信号強度）であり、Ｓ_Ｓは第２マススペクトルから算出された被検物質の定量イオンの信号強度（第３信号強度）であり、Ｓ
_ｉ（ｉ＝１、２、３、・・・、ｎ）は第２マススペクトルから算出された内標準物質の定量イオンの信号強度（第４信号強度）であり、ｎは内標準物質の数である。

ここで、第１信号強度Ｒ_ｓおよび第２信号強度Ｒ_ｉは、補正係数算出部４１４によってデータベース４４２に登録された第１関係式から算出される。具体的には、第１信号強度Ｒ_ｓは、第１関係式から、被検物質の定量イオンの質量電荷比に相当する信号強度を求めることで得られる。また、第２信号強度Ｒ_ｉは、第１関係式から、内標準物質の定量イオンの質量電荷比に相当する信号強度を求めることで得られる。

また、第３信号強度Ｓ_Ｓおよび第４信号強度Ｓ_ｉは、補正係数算出部４１４によって第２関係式から算出される。第２関係式は、第２マススペクトルに基づいて作成される質量電荷比と信号強度との関係式である。第３信号強度Ｓ_Ｓは、第２関係式から、被検物質の定量イオンの質量電荷比に相当する信号強度を求めることで得られる。また、第４信号強度Ｓ_ｉは、第２関係式から、内標準物質の定量イオンの質量電荷比に相当する信号強度を求めることで得られる。

第２定量値算出部４１６は、第１定量値算出部４１２が算出した定量値Ｑ_ａｖｅを、補正係数算出部４１４が算出した補正係数ｋで補正して、被検試料の被検物質の定量値（第２定量値）を算出する処理を行う。

具体的には、第２定量値算出部４１６は、下記式（３）により、被検試料の被検物質の定量値Ｍを算出する処理を行う。

また、処理部４１０は、例えば、算出された被検試料の定量値Ｍを表示部４３０に表示する処理を行う。また、処理部４１０は、測定の結果や計算結果等をデータベース４４２に登録する処理を行ってもよい。

２． 被検物質の定量方法
次に、クロマトグラフ質量分析装置１００を用いた被検物質の定量方法について説明する。図３は、クロマトグラフ質量分析装置１００を用いた被検物質の定量分析工程の一例を示すフローチャートである。

図３に示すように、被検物質の定量方法は、データベース４４２を準備する工程Ｓ１０と、被検試料を測定する工程Ｓ２０と、被検物質を定量する工程Ｓ３０と、を含む。

（１）データベースの準備
まず、データベース４４２を準備する（Ｓ１０）。図４は、データベース４４２を準備する工程の一例を示すフローチャートである。以下、図１および図４を参照しながら、データベース４４２を準備する工程Ｓ１０について説明する。

まず、クロマトグラフ質量分析装置１００の立ち上げを行う（Ｓ１００）。

次に、クロマトグラフ質量分析装置１００は、ユーザーの操作に応じて、ＤＦＴＰＰチューニング（第１チューニング）を行う（Ｓ１０２）。

次に、第１チューニングされたクロマトグラフ質量分析装置１００を用いて、検量線を
作成するための基礎データを取得する測定を行う（Ｓ１０４）。具体的には、まず、既知の濃度の被検物質に、所定の複数の内標準物質を既知の濃度で添加した標準試料の測定を行う。そして、標準試料の被検物質の濃度を段階的に変えて、測定を繰り返し行う。本工程Ｓ１０４は、複数の被検物質がある場合、被検物質ごとに行われる。

次に、基礎データに基づいて、内標準法により検量線を作成する（Ｓ１０６）。具体的には、例えば、処理部４１０が、工程Ｓ１０４の測定の結果得られたマスクロマトグラムから、被検物質と内標準物質との信号強度比（被検物質の信号強度／内標準物質の信号強度）と、被検物質の濃度との関係を求め、検量線を作成する（図２参照）。

次に、第１チューニングで得られたＤＦＴＰＰのマススペクトルから第１関係式を算出する（Ｓ１０８）。図５は、ＤＦＴＰＰのマススペクトルから第１関係式を算出する方法を説明するためのグラフである。図５に示すように処理部４１０は、第１チューニングで得られたＤＦＴＰＰのマススペクトルのフラグメントイオン（ｍ/ｚ６９，１３１，２１９，４１４，５０２，６１４）とその信号強度をｘｙ座標（ｘ座標を質量電荷比、ｙ座標を信号強度）にプロットし、質量電荷比と信号強度との関係式（第１関係式）を作成する。処理部４１０は、例えば、フラグメントイオンの質量電荷比とその信号強度から、最小二乗法等を用いて、第１関係式を作成する。処理部４１０は、作成された検量線および第１関係式を、データベース４４２に登録する（Ｓ１１０）。

なお、処理部４１０は、データベース４４２に、被検物質の構造式、被検物質の保持時間、被検物質の主要なフラグメントイオン（定量イオンおよび確認イオン）、被検物質のマススペクトルを登録する処理を行ってもよい。

以上の工程により、データベース４４２を準備することができる。

（２）被検試料の測定
次に、被検試料の測定を行う（Ｓ２０）。図６は、被検試料の測定を行う工程の一例を示すフローチャートである。以下、図１および図６を参照しながら、被検試料の測定を行う工程Ｓ２０について説明する。

まず、クロマトグラフ質量分析装置１００の立ち上げを行う（Ｓ２００）。

次に、クロマトグラフ質量分析装置１００は、ユーザーの操作に応じて、ＤＦＴＰＰチューニング（第２チューニング）を行う（Ｓ２０２）。質量分析部２０は、第２チューニングで得られたチューニング用標準試料の第２マススペクトルを、定量計算部４０（処理部４１０）に送る。処理部４１０は、第２マススペクトルを記憶部４４０に記憶させる。

次に、チューニングされたクロマトグラフ質量分析装置１００を用いて、被検試料の測定を行う（Ｓ２０４）。これにより、被検試料のマススペクトル、被検物質の定量イオンのマスクロマトグラム、および各内標準物質の定量イオンのマスクロマトグラムが得られる。質量分析部２０は、これらのマススペクトルおよびマスクロマトグラムを、定量計算部４０（処理部４１０）に送る。処理部４１０は、これらのマススペクトルおよびマスクロマトグラムを、記憶部４４０に記憶させる。

以上の工程により、被検試料の測定を行うことができる。

（３）被検物質の定量
次に、図３に示すように、被検物質の定量を行う（Ｓ３０）。被検物質の定量は、定量計算部４０によって行われる。図７は、定量計算部４０による定量計算処理の一例を示す
フローチャートである。以下、図１および図７を参照しながら、被検物質の定量を行う工程Ｓ３０について説明する。

まず、第１定量値算出部４１２は、複数の内標準物質の各々について、内標準法により作成された検量線に基づいて被検試料の被検物質の定量値を算出し、当該定量値を平均して、第１定量値Ｑ_ａｖｅを算出する処理を行う（Ｓ３００）。

具体的には、第１定量値算出部４１２は、まず、記憶部４４０に記憶されている被検試料のマススペクトルから、被検物質の定量イオンの信号強度Ｐ_Ｓ、および内標準物質の定量イオンの信号強度Ｐ_ｉを取得する処理を行う。次に、複数の内標準物質の各々について、データベース４４２に登録されている検量線を用いて、被検物質の定量イオンの信号強度Ｐ_Ｓ、および内標準物質の定量イオンの信号強度Ｐ_ｉから、被検試料の被検物質の定量値Ｑ（Ｐ_Ｓ／Ｐ_ｉ）を算出する処理を行う。そして、内標準物質ごとの定量値Ｑ（Ｐ_Ｓ／Ｐ_ｉ）を平均して、被検物質の定量値Ｑ_ａｖｅを算出する処理を行う。すなわち、第１定量値算出部４１２は、上記式（１）により、被検物質の定量値Ｑ_ａｖｅを算出する処理を行う。

なお、第１定量値算出部４１２は、被検試料のマススペクトルを、データベース４４２を参照して定性し、被検物質を特定してもよい。

次に、補正係数算出部４１４は、第１チューニングで得られた第１マススペクトルから算出された被検物質と内標準物質との信号強度比（Ｒ_Ｓ／Ｒ_ｉ）、および第２チューニングで得られた第２マススペクトルから算出された被検物質と内標準物質の信号強度比（Ｓ_Ｓ／Ｓ_ｉ）に基づいて、補正係数ｋを算出する処理を行う（Ｓ３０２）。

具体的には、補正係数算出部４１４は、まず、データベース４４２に登録された第１関係式を用いて、第１信号強度Ｒ_ｓおよび第２信号強度Ｒ_ｉを算出する処理を行う。具体的には、図５に示すように、補正係数算出部４１４は、第１関係式を用いて被検物質の定量イオンの質量電荷比から第１信号強度Ｒ_ｓを算出する。同様に、補正係数算出部４１４は、第１関係式を用いて内標準物質の定量イオンの質量電荷比から第２信号強度Ｒ_ｉを算出する。次に、第２チューニングで得られたＤＦＴＰＰの第２マススペクトルから第２関係式を作成する処理を行う。第２関係式を作成する処理は、具体的には、上述した第１関係式を作成する処理（Ｓ１０８、図５参照）と同様であり、第２チューニングで得られたＤＦＴＰＰのマススペクトルのフラグメントイオン（ｍ/ｚ６９，１３１，２１９，４１４，５０２，６１４）とその信号強度をｘｙ座標にプロットし、質量電荷比と信号強度との関係式（第２関係式）を作成する。補正係数算出部４１４は、例えば、フラグメントイオンの質量電荷比とその信号強度から、最小二乗法等を用いて、第２関係式を作成する処理を行う。次に、第２関係式を用いて、第３信号強度Ｓ_Ｓおよび第４信号強度Ｓ_ｉを算出する処理を行う。次に、上記式（２）により、補正係数ｋを算出する処理を行う。これにより、補正係数ｋを算出することができる。

次に、第２定量値算出部４１６は、第１定量値Ｑ_ａｖｅを補正係数ｋで補正して、被検試料の被検物質の定量値Ｍを算出する処理を行う（Ｓ３０４）。具体的には、第２定量値算出部４１６は、上記式（３）により、定量値Ｍを算出する処理を行う。

処理部４１０は、例えば、定量値Ｍを表示部４３０に表示させ、処理を終了する。

なお、ここでは、図３に示す、データベース４４２を準備する工程Ｓ１０、および被検試料の測定を行う工程Ｓ２０を、クロマトグラフ質量分析装置１００で行う場合について説明したが、データベース４４２を準備する工程Ｓ１０と、被検試料の測定を行う工程Ｓ
２０とを異なるクロマトグラフ質量分析装置で行ってもよい。

以上に説明したように、本実施形態に係る定量方法では、複数の内標準物質の各々について、内標準法により作成された検量線に基づいて、被検試料の被検物質の定量値を算出し、当該定量値を平均して、第１定量値Ｑ_ａｖｅを算出する。これにより、装置の検出感度の変動を精度よく補正することができ、高い定量精度を得ることができる。ここで、装置の検出感度の変動とは、検出感度の経時的な変動をいい、日内変動および日差変動を含む。装置の検出感度の変動は、モニターイオンや保持時間が異なると、異なる場合がある。そのため、１つの内標準物質で校正を行った場合、装置の検出感度の変動を精度よく補正することは困難である。本実施形態では、複数の内標準物質の各々について定量値を算出し、当該定量値を平均しているため、１つの内標準物質で校正を行った場合と比べて、装置の検出感度の変動を精度よく補正することができる。

また、本実施形態に係る定量方法は、複数の内標準物質の各々について、内標準法により作成された検量線に基づいて被検試料の被検物質の定量値を算出し、当該定量値を平均して、第１定量値Ｑ_ａｖｅを算出する工程と、第１定量値Ｑ_ａｖｅを補正するための補正係数ｋを算出する工程と、第１定量値Ｑ_ａｖｅを補正係数ｋで補正して、被検試料の被検物質の第２定量値Ｍを算出する工程と、を含む。そして、補正係数ｋは、第１チューニングで得られた第１マススペクトルから算出される被検物質と内標準物質との信号強度比（Ｒ_Ｓ／Ｒ_ｉ）、および第２チューニングで得られた第２マススペクトルから算出される被検物質と内標準物質との信号強度比（Ｓ_Ｓ／Ｓ_ｉ）に基づいて、補正係数ｋを算出する。これにより、被検試料を測定したときの装置の状態を、検量線を作成するための標準試料の測定を行ったときの装置の状態に合わせることができる。すなわち、被検試料の被検物質と内標準物質との信号強度比（Ｐ_Ｓ／Ｐ_ｉ）を、検量線作成時の被検物質と内標準物質との信号強度比に合わせることができる。したがって、例えば、データベース４４２を作成するための基礎データを取得した装置と、被検試料の測定を行った装置とが、異なる場合であっても、装置間の変動を補正することができ、高い定量精度を得ることができる。

また、本実施形態に係る定量方法によれば、上述のように装置間の変動を補正することができるため、試料測定ごとに検量線を作成しなくても、あらかじめデータベース４４２に登録された検量線を用いて、高い定量精度を得ることができる。したがって、高い精度が要求される定量分析においても、精度が高く、かつ、迅速な定量分析を行うことができる。

３． 実施例
被検物質として、多環芳香族炭化水素（ＰＡＨ）を用いて、定量を行った。

ガスクロマトグラフ質量分析計の内標準物質は、認証標準物質である１，４−ｂｉｓ（ｔｒｉｍｅｔｈｙｌｓｉｌｙｌ）ｂｅｎｚｅｎｅ−ｄ_４（ＢＴＭＳＢ，純度９９．８±０．４ｗ／ｗ％）、ｄｉｅｔｈｙｌ ｐｈｔｈａｌａｔｅ(ＤＥＰ， 純度９９．９８±０．０９ｗ／ｗ％)、およびｂｉｓｐｈｅｎｏｌ−Ａ（純度９９．９２±０．０６ｗ／ｗ％)の３種を選定した。ＤＦＴＰＰチューニングを行った後、ＰＡＨ１８種および内標準物質の一斉分析でＰＡＨに関する基礎データを集積してデータベースを作成した。その後、作成したデータベースの検量線および関係式を用いて被検物質の定量値を算出し、想定濃度に対する定量精度を検証した。

（１）検量線作成
検量線を作成するための標準試料は、ＰＡＨを１８種混合した標準液と内標準物質を３種混合した標準液とを作製し、それぞれマイクロシリンジで精密にはかり、アセトンで受容した。ＰＡＨの検量線は、各内標準物質との相対比により作成した。すなわち、１被検
物質あたり、３本の検量線を作成した。

（２）装置
ガスクロマトグラフ質量分析装置は、Ｓｈｉｍａｄｚｕ ＧＣＭＳ−ＱＰ２０１０ Ｐｌｕｓを用いた。

（３）ガスクロマトグラフ測定条件
カラムは、ＳＧＥ ｆｏｒｔｅ ＧＣ Ｃａｐｉｌｌａｒｙ Ｃｏｌｕｍｎ ＢＰＸ−５（０．２５ｍｍ ｉ．ｄ．×３０ｍ，０．２５μｍ）、注入方法は、スプリットレス、注入量は１μＬ、インサートは、片側テーパーウールあり、キャリアガスは、Ｈｅ、カラム温度は、４５℃−３０℃／ｍｉｎ−１９０℃−２℃／ｍｉｎ−２００℃−１５℃／ｍｉｎ−２６０℃−５℃／ｍｉｎ−３１５℃（１０ｍｉｎ）である。

（４）質量分析計条件
質量分析装置の測定条件は、イオン化法は、電子イオン化法（ＥＩ）、イオン化電圧は、７０ｅＶ、インターフェース温度は、２８０℃、イオン源温度は、３００℃、測定モードは、スキャンモード、スキャン範囲（ｍ／ｚ）は、５０−５５０、定量イオン（ｍ／ｚ）は、ＢＴＭＳＢが２１１、ＤＥＰが１４９、ｂｉｓｐｈｅｎｏｌ−Ａが２１３である。

また、ＰＡＨの定量イオンは、表７に示す。

（５）装置の変動
図８は、ＤＦＴＰＰチューニングにより得られたイオン強度（ピークの高さ）の変動を示すグラフである。図８のグラフにおいて、縦軸は、各定量イオンの１日目の強度を１００としたときの強度の割合、横軸は、経過日数である。

図８のグラフから、同一のチューニングを行っても、定量イオンの強度は、経時的に変化を生じ、同一のマススペクトルが得られないことを確認した。また、モニターイオンが異なれば、ガスクロマトグラフ質量分析計の検出感度のばらつきも異なることを確認した。

（６）装置変動の補正
データベースには、検量線作成時のチューニングにおける被検成分および内標準物質の強度比（Ｒ_ｓ／Ｒ_ｉ）を収載した。被検試料測定時の状態を補正するため、被検試料測定直前のチューニングデータより得られた被検成分および内標準物質の定量イオンの質量電荷比における強度比（Ｓ_Ｓ／Ｓ_ｉ）を算出し、データベース中の比（Ｒ_ｓ／Ｒ_ｉ）を試料測定時の比で除したものを補正係数ｋとした。この補正係数ｋを、検量線を用いて内標準物質ごとに定量値を求め平均した定量値Ｑ_ａｖｅに乗じ、定量値Ｍ（Ｍ_ａｖｅ）とした。

ここでは、被検物質であるＰＡＨの１８種（表７参照）のうち、Ｎａｐｈｔｈａｌｅｎｅの定量値Ｍ_ａｖｅを算出する場合について具体的に説明する。

まず、ＰＡＨ１８種および内標準物質３種（ＢＴＭＳＢ、ＤＥＰ、ｂｉｓｐｈｅｎｏｌ−Ａ）を含む被検試料の測定結果から、式（１）を用いて、定量値Ｑ_ａｖｅを算出した。ここでは、内標準物質を３種類用いているため、式（１）は以下のように表される。

ここで、信号強度Ｐ_Ｓとして、被検試料の測定結果から得られるＮａｐｈｔｈａｌｅｎｅの定量イオン（ｍ／ｚ１２８）のピーク面積を用いた。また、信号強度Ｐ_１として、被検試料の測定結果から得られるＢＴＭＳＢの定量イオンのピーク面積を用い、信号強度Ｐ_２として、被検試料の測定結果から得られるＤＥＰの定量イオンのピーク面積を用い、信号強度Ｐ_３として、被検試料の測定結果から得られるｂｉｓｐｈｅｎｏｌ−Ａの定量イオンのピーク面積を用いた。

また、定量値Ｑ（Ｐ_Ｓ／Ｐ_１）は、信号強度Ｐ_Ｓおよび信号強度Ｐ_１から、内標準法により作成された検量線を用いて算出した。定量値Ｑ（Ｐ_Ｓ／Ｐ_２）は、信号強度Ｐ_Ｓおよび信号強度Ｐ_２から、内標準法により作成された検量線を用いて算出した。定量値Ｑ（Ｐ_Ｓ／Ｐ_３）は、信号強度Ｐ_Ｓおよび信号強度Ｐ_３から、内標準法により作成された検量線を用いて算出した。このようにして、被検試料の測定結果から、定量値Ｑ_ａｖｅを算出した。

下記表１は、定量値Ｑ_ａｖｅを算出した結果を示している。なお、Ｎａｐｈｔｈａｌｅｎｅの想定濃度は、１ｍｇ／Ｌである。表１に示すように、本実施例では、被検試料の５回の測定を１セットとして５セット行い、１回の測定ごとに定量値Ｑ_ａｖｅを算出した。そして、１セット（５回）の測定で得られた５つの定量値Ｑ_ａｖｅを平均して、１セットごとに５回平均の定量値Ｑ_ａｖｅ（平均定量値Ｑ_ａｖｅ）を算出した。なお、各セットの測定は、異なる日に行った。

次に、式（２）を用いて、補正係数ｋを算出した。ここでは、式（２）は、下記のように表される。

ここでは、まず、データベースから、検量線作成時のチューニングにおけるＮａｐｈｔｈａｌｅｎｅの定量イオンとＢＴＭＳＢの定量イオンとの強度比Ｒ_ｓ／Ｒ_１と、検量線作成時のチューニングにおけるＮａｐｈｔｈａｌｅｎｅの定量イオンとＤＥＰの定量イオンとの強度比Ｒ_ｓ／Ｒ_２と、検量線作成時のチューニングにおけるＮａｐｈｔｈａｌｅｎｅの定量イオンとｂｉｓｐｈｅｎｏｌ−Ａの定量イオンとの強度比Ｒ_ｓ／Ｒ_３を取得した。
データベースに収載されている強度比Ｒ_ｓ／Ｒ_１と、強度比Ｒ_ｓ／Ｒ_２と、強度比Ｒ_ｓ／Ｒ_３と、を表２に示す。

なお、強度比Ｒ_ｓ／Ｒ_１、強度比Ｒ_ｓ／Ｒ_１、および強度比Ｒ_ｓ／Ｒ_１は、検量線作成時のＤＦＴＰＰチューニングデータから、質量電荷比と信号強度との関係式を求めて算出したものである。

次に、被検試料測定直前のＤＦＴＰＰチューニングデータから、質量電荷比と信号強度との関係式を求めて、Ｎａｐｈｔｈａｌｅｎｅの定量イオンの信号強度Ｓ_Ｓ、ＢＴＭＳＢの定量イオンの信号強度Ｓ_１、ＤＥＰの定量イオンの信号強度Ｓ_２、および、ｂｉｓｐｈｅｎｏｌ−Ａの定量イオンの信号強度Ｓ_３を算出した。その結果を表３に示す。なお、ＤＦＴＰＰチューニングは、１セットごとに行い、１セットごとに信号強度Ｓ_Ｓ，Ｓ_１，Ｓ_２，Ｓ_３を算出した。

次に、表３に示す結果から、ＮａｐｈｔｈａｌｅｎｅとＢＴＭＳＢの信号強度比Ｓ_Ｓ／Ｓ_１、ＮａｐｈｔｈａｌｅｎｅとＤＥＰの信号強度比Ｓ_Ｓ／Ｓ_２、Ｎａｐｈｔｈａｌｅｎｅとｂｉｓｐｈｅｎｏｌ−Ａの信号強度比Ｓ_Ｓ／Ｓ_３を算出した。その結果を、表４に示す。

次に、表２に示す強度比Ｒ_ｓ／Ｒ_１、強度比Ｒ_ｓ／Ｒ_２、および強度比Ｒ_ｓ／Ｒ_３と、表４に示す強度比Ｓ_ｓ／Ｓ_１、強度比Ｓ_ｓ／Ｓ_２、および強度比Ｓ_ｓ／Ｓ_３とから、式（２）を用いて、セットごとに補正係数ｋを算出した。

表５は、セットごとの補正係数ｋの算出結果を示している。

次に、１セットごとの平均定量値Ｑ_ａｖｅ（表１参照）と、補正係数ｋ（表５参照）から、式（３）を用いて、定量値Ｍを算出する。この結果を表６に示す。

表６に示す結果から、５セットの平均定量値Ｍ_ａｖｅを算出した。その結果、Ｎａｐｈｔｈａｌｅｎｅの平均定量値Ｍ_ａｖｅ＝０．９５であり、相対標準偏差（ＲＳＤ）は、１２．５％であった。

同様にして、被検試料に含まれる他の化合物についても、平均定量値Ｍ_ａｖｅおよび相対標準偏差（ＲＳＤ）を算出した。その結果を、表７に示す。なお、表７に示す定量値は、平均定量値Ｍ_ａｖｅである。

（７）装置変動の補正の結果
検量線を作成した日とは別の日に、被検試料を測定し、データベースの検量線を用いて定量値Ｍを算出した。表７から明らかなように、想定濃度と定量値（日の異なる５回の試行の平均、平均定量値Ｍ_ａｖｅ）がよく一致している。また、日の異なる５回の試行の相対標準偏差（ＲＳＤ）も小さく、定量値が想定濃度の２０％以内と精確に定量できた測定は１８種を５回試行した計９０測定のうち９３．３％であった。このように、精度の高い定量結果が得られることがわかった。

なお、上述した実施形態は、一例であってこれらに限定されるわけではない。

例えば、上述した実施形態では、図５に示すように、第１チューニングで得られたＤＦＴＰＰのマススペクトルから、最小二乗法等を用いて、第１関係式を作成したが、第１関係式の算出方法はこれに限定されない。

図９は、ＤＦＴＰＰのマススペクトルから第１関係式を算出する方法の変形例を説明するためのグラフである。図９に示すように、例えば、第１チューニングで得られたＤＦＴＰＰのマススペクトルのフラグメントイオン（ｍ/ｚ６９，１３１，２１９，４１４，５０２，６１４）とその信号強度をｘｙ座標（ｘ座標を質量電荷比、ｙ座標を信号強度）にプロットし、プロットされた隣り合う座標間を結ぶ直線を表す式を、第１関係式として用いてもよい。

本発明は、実施の形態で説明した構成と実質的に同一の構成（例えば、機能、方法および結果が同一の構成、あるいは目的及び効果が同一の構成）を含む。また、本発明は、実施の形態で説明した構成の本質的でない部分を置き換えた構成を含む。また、本発明は、実施の形態で説明した構成と同一の作用効果を奏する構成又は同一の目的を達成することができる構成を含む。また、本発明は、実施の形態で説明した構成に公知技術を付加した構成を含む。

１０…ガスクロマトグラフ部、２０…質量分析部、３０…インターフェース部、４０…定量計算部、１００…クロマトグラフ質量分析装置、１０２…試料注入部、１０４…分離カラム部、４１０…処理部、４１２…第１定量値算出部、４１４…補正係数算出部、４１６…第２定量値算出部、４２０…操作部、４３０…表示部、４４０…記憶部、４４２…データベース、４５０…記録媒体

Claims (7)

1. クロマトグラフ質量分析装置を用いて複数の内標準物質を含む被検試料を測定して、当該被検試料の被検物質を定量する定量方法であって、
   複数の前記内標準物質の各々について、内標準法により作成された検量線に基づいて前記被検試料の前記被検物質の定量値を算出し、複数の前記内標準物質の各々について算出された前記定量値を平均して、第１定量値を算出する工程と、
   前記第１定量値を補正するための補正係数を算出する工程と、
   前記第１定量値を前記補正係数で補正して、前記被検試料の前記被検物質の第２定量値を算出する工程と、
   を含み、
   前記検量線を作成するための測定は、標準試料で第１チューニングされたクロマトグラフ質量分析装置を用いて行われ、
   前記被検試料の測定は、前記標準試料で第２チューニングされたクロマトグラフ質量分析装置を用いて行われ、
   前記補正係数を算出する工程では、
   前記第１チューニングの結果得られる前記標準試料の第１マススペクトルから算出された前記被検物質の定量イオンと前記内標準物質の定量イオンとの信号強度比、および前記第２チューニングの結果得られる前記標準試料の第２マススペクトルから算出された前記被検物質の定量イオンと前記内標準物質の定量イオンとの信号強度比に基づいて、前記補正係数を算出する、定量方法。
2. 請求項１において、
   前記第１定量値を算出する工程では、下記式により、前記第１定量値Ｑａｖｅを算出する、定量方法。
   

   

   ただし、Ｐ_Ｓは前記被検試料の前記被検物質の定量イオンの信号強度であり、Ｐ_ｉ（ｉ＝１、２、３、・・・、ｎ）は前記被検試料の前記内標準物質の定量イオンの信号強度であり、Ｑは前記検量線から算出される前記被検試料の前記被検物質の定量値であり、ｎは前記被検試料の前記内標準物質の数である。
3. 請求項１または２において、
   前記補正係数を算出する工程では、下記式により、前記補正係数ｋを算出する、定量方法。
   

   

   ただし、Ｒ_ｓは前記第１マススペクトルから算出された前記被検物質の定量イオンの信号強度であり、Ｒ_ｉ（ｉ＝１、２、３、・・・、ｎ）は前記第１マススペクトルから算出された前記内標準物質の定量イオンの信号強度であり、Ｓ_Ｓは前記第２マススペクトルから算出された前記被検物質の定量イオンの信号強度であり、Ｓ_ｉ（ｉ＝１、２、３、・・・、ｎ）は前記第２マススペクトルから算出された前記内標準物質の定量イオンの信号強度であり、ｎは前記内標準物質の数である。
4. 請求項１ないし３のいずれか１項において、
   前記第２定量値を算出する工程では、下記式により、前記第２定量値Ｍを算出する、定量方法。
   

   

   ただし、Ｑ_ａｖｅは前記第１定量値であり、ｋは前記補正係数である。
5. 請求項１ないし４のいずれか１項において、
   前記第１チューニングおよび前記第２チューニングは、ＤＦＴＰＰチューニングである、定量方法。
6. 請求項１ないし５のいずれか１項において、
   第１定量値を算出する工程では、データベースに登録された前記検量線に基づいて、前記第１定量値を算出する、定量方法。
7. クロマトグラフ質量分析装置を用いて複数の内標準物質を含む被検試料を測定して、当該被検試料の被検物質を定量するプログラムであって、
   複数の前記内標準物質の各々について、内標準法により作成された検量線に基づいて前記被検試料の前記被検物質の定量値を算出し、複数の前記内標準物質の各々について算出された前記定量値を平均して、第１定量値を算出する第１定量値算出部と、
   前記第１定量値を補正するための補正係数を算出する補正係数算出部と、
   前記第１定量値を前記補正係数で補正して、前記被検試料の前記被検物質の第２定量値
   を算出する第２定量値算出部としてコンピューターを機能させ、
   前記検量線の作成は、標準試料で第１チューニングされたクロマトグラフ質量分析装置を用いて行われ、
   前記被検試料の測定は、前記標準試料で第２チューニングされたクロマトグラフ質量分析装置を用いて行われ、
   前記補正係数算出部は、
   前記第１チューニングの結果得られる前記標準試料の第１マススペクトルから算出された前記被検物質の定量イオンと前記内標準物質の定量イオンとの信号強度比、および前記第２チューニングの結果得られる前記標準試料の第２マススペクトルから算出された前記被検物質の定量イオンと前記内標準物質の定量イオンとの信号強度比に基づいて、前記補正係数を算出する、プログラム。
   

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