JP6144107B2 - Wafer cutting method - Google Patents
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Description
本発明は、表面に保護膜やTEG等の積層体が形成された半導体ウェーハなどの被加工物を切削する切削方法に関する。 The present invention relates to a cutting method for cutting a workpiece such as a semiconductor wafer having a surface on which a laminate such as a protective film or TEG is formed.
従来、半導体ウェーハやガラス基板、樹脂基板等をデバイスチップへと分割するための切削装置(ダイシング装置)が知られており、例えば、特許文献1に開示されているように、2つのスピンドルユニットを有する2スピンドル切削装置も知られている。このような2スピンドル切削装置では、先ず一方のスピンドルユニットの切削ブレードによって所定深さの溝を形成するハーフカットを行い、その後、もう一方のスピンドルユニットの切削ブレードによってハーフカットされた溝を完全切断するフルカットを行う、といったステップカットが実施される。 Conventionally, a cutting device (dicing device) for dividing a semiconductor wafer, a glass substrate, a resin substrate or the like into device chips is known. For example, as disclosed in Patent Document 1, two spindle units are provided. A two-spindle cutting machine having is also known. In such a two-spindle cutting apparatus, first, a half-cut is formed by forming a groove of a predetermined depth by the cutting blade of one spindle unit, and then the groove half-cut by the cutting blade of the other spindle unit is completely cut. A step cut such as performing a full cut is performed.
このようなステップカットは、半導体ウェーハを切削加工する際において、分割予定ラインが設定されたストリートにテストエレメントグループ(TEG)と称されるテスト用の金属パターンを除去する場合においても行われる。即ち、先ず一方のスピンドルユニットの切削ブレードにてTEGを除去(ハーフカット)して第一の切削溝を形成し、次いで、もう一方のスピンドルユニットの切削ブレードにて第一の切削溝の位置に第二の切削溝を形成して半導体ウェーハを完全に切断する(フルカット)、といったものである。 Such a step cut is also performed when a test metal pattern called a test element group (TEG) is removed from a street where a division planned line is set when cutting a semiconductor wafer. That is, the TEG is first removed (half cut) with the cutting blade of one spindle unit to form the first cutting groove, and then the cutting blade of the other spindle unit is moved to the position of the first cutting groove. The second cutting groove is formed to completely cut the semiconductor wafer (full cut).
このようなステップカットを実施することによれば、予めハーフカットによってTEGが除去され、ハーフカットで用いた切削ブレードとは別の切削ブレードでフルカットが行われるため、フルカットを行う切削ブレードについてはTEGによる目詰まりが発生することがない。そして、フルカットを行う切削ブレードについてTEGによる目詰まり気味の状況を発生させないことにより、ウェーハの裏面側にチッピングが発生してしまうことを効果的に防止することができる。 By performing such a step cut, the TEG is removed in advance by a half cut, and a full cut is performed with a cutting blade different from the cutting blade used in the half cut. No clogging due to TEG occurs. Then, by preventing the cutting blade that performs full cutting from being clogged by TEG, it is possible to effectively prevent chipping from occurring on the back side of the wafer.
しかし、切削ブレードは、高速に回転しながらウェーハなどのワークを切削するが、ハーフカットを長時間続けたり、ストリート上のTEGパターンを切断し続けることで、樹脂等の切削屑がブレード先端に付着し、ブレードが目詰まり、切れ味の低下が発生してしまう。この問題を解決するために、ブレードの目立てを行うドレス部材専用のサブチャックテーブルをチャックテーブルに隣接する位置に設けたり、ダイシングテープ上のワークに隣接する位置にドレス部材を貼付して設けたりする方法がある(例えば、特許文献2、3参照)。いずれにしても、サブチャックテーブルを設けたり、特殊なダイシング用のフレームを用意する必要がありコストがかかってしまう。 However, the cutting blade cuts workpieces such as wafers while rotating at high speed, but by continuing half-cutting for a long time or cutting the TEG pattern on the street, cutting chips such as resin adhere to the tip of the blade. Then, the blade is clogged, and the sharpness is reduced. In order to solve this problem, a dressing member dedicated sub-chuck table for sharpening the blade is provided at a position adjacent to the chuck table, or a dressing member is affixed at a position adjacent to the workpiece on the dicing tape. There are methods (see, for example, Patent Documents 2 and 3). In any case, it is necessary to provide a sub-chuck table or to prepare a special dicing frame, which increases costs.
本発明は、上記に鑑みてなされたものであって、特殊な設備を用意する必要がなく、切削動作を中断することなくハーフカット用の切削ブレードの目詰まりを解消しながら半導体ウェーハを切削することができるウェーハの切削方法を提供することである。 The present invention has been made in view of the above, and it is not necessary to prepare special equipment, and it is possible to cut a semiconductor wafer while eliminating clogging of a cutting blade for half cut without interrupting the cutting operation. It is an object to provide a method for cutting a wafer.
上述した課題を解決し、目的を達成するために、本発明に係るウェーハの切削方法は、環状の切れ刃を有し所定の方向に回転する切削ブレードに対して、基板の表面に積層された積層体によってデバイスが形成されたウェーハを、該切削ブレードの回転軸と直交する方向に相対的に移動させて、該デバイスを区画する複数のストリートに沿って切削するウェーハの切削方法であって、前記ウェーハの裏面にダイシングテープを貼着するテープ貼着工程と、該テープ貼着工程を実施した後に、前記切削ブレードを該積層体の厚さよりも深く該基板の途中まで切り込み、且つ、該切削ブレードと前記ウェーハが対向する位置において該切削ブレードの回転方向と同じ方向に前記ウェーハを前記ストリートに沿って相対移動させて、切削溝を形成することで該積層体を除去する積層体除去工程と、該積層体除去工程を遂行後の任意のタイミングで、該切削ブレードを該積層体除去工程での回転方向と同方向に回転させた状態で、該切削溝に沿って該切削溝よりも深くかつ該切削溝の溝底から該裏面までの厚さよりも浅い深さで切り込み、該切削ブレードの回転方向と逆方向に前記ウェーハを相対移動させて該切削溝に沿って該基板を切削して、該積層体除去工程で該切削ブレードの先端に付着した該積層体を除去し該切削ブレードの目立てを行う目立て工程と、を備えることを特徴とする。
前記ウェーハの切削方法において、該積層体除去工程では、該切削ブレードである第一切削ブレードでウェーハを切削し、該第一切削ブレードの厚さよりも薄い該切削ブレードである第二切削ブレードを、該ウェーハ単体の厚さよりも深く該ダイシングテープは切断しきらない深さで該切削溝の該溝底から切り込み、且つ、該第二切削ブレードと前記ウェーハが対向する位置において該第二切削ブレードの回転方向と同じ方向に前記ウェーハを前記ストリートに沿って相対移動させて、該ウェーハの該基板を切削する分割工程を備えることを特徴とする。
前記ウェーハの切削方法において、該切削ブレードを、該ウェーハ単体の厚さよりも深く該ダイシングテープは切断しきらない深さで該切削溝の該溝底から切り込み、且つ、該切削ブレードと前記ウェーハが対向する位置において該切削ブレードの回転方向と同じ方向に前記ウェーハを前記ストリートに沿って相対移動させて、該ウェーハの該基板を切削する分割工程を備えることを特徴とする。
In order to solve the above-described problems and achieve the object, a wafer cutting method according to the present invention is laminated on the surface of a substrate with respect to a cutting blade having an annular cutting edge and rotating in a predetermined direction. A wafer cutting method in which a wafer on which a device is formed by a laminate is moved relative to a direction perpendicular to the rotation axis of the cutting blade and cut along a plurality of streets partitioning the device, After performing a tape adhering step for adhering a dicing tape to the back surface of the wafer, and the tape adhering step, the cutting blade is cut into the middle of the substrate deeper than the thickness of the laminate, and the cutting It said wafer in the same direction as the rotation of the cutting blade at a position where the blade and the wafer are opposed along the streets are relatively moved, to form a cutting groove In a state where the laminate removing step of removing the laminate, at any timing after performing the laminate removing step, rotate the cutting blade in the same direction as the rotational direction in the laminate removing step by Cutting along the cutting groove at a depth deeper than the cutting groove and shallower than the thickness from the groove bottom to the back surface of the cutting groove, and relatively moving the wafer in a direction opposite to the rotation direction of the cutting blade. And a sharpening step of cutting the substrate along the cutting groove to remove the laminate adhering to the tip of the cutting blade in the laminate removing step and sharpening the cutting blade. And
In the wafer cutting method, in the laminated body removing step, the wafer is cut with the first cutting blade that is the cutting blade, and the second cutting blade that is the cutting blade thinner than the thickness of the first cutting blade, The dicing tape is cut from the groove bottom of the cutting groove at a depth deeper than the thickness of the single wafer, and the second cutting blade is opposed to the wafer at a position where the second cutting blade faces the wafer. There is provided a dividing step of cutting the substrate of the wafer by relatively moving the wafer along the street in the same direction as the rotation direction.
In the wafer cutting method, the cutting blade is cut from the groove bottom of the cutting groove at a depth deeper than a thickness of the wafer alone and the dicing tape cannot be cut, and the cutting blade and the wafer are The method includes a dividing step of cutting the substrate of the wafer by moving the wafer relatively along the street in the same direction as the rotation direction of the cutting blade at an opposing position.
本発明に係るウェーハの切削方法は、表面の積層体を除去したハーフカット用の切削ブレードを、積層体を除去した切削溝に切り込みながら戻ることで、積層体を除去した切削ブレードの目立てを行うことができるため、特殊な機構を設ける必要が無く経済的である。さらに、切削ブレードの目立てを行うために生産を停止する必要がないためスループット向上も図れる。 In the wafer cutting method according to the present invention, the cutting blade for half cut from which the laminated body on the surface has been removed is returned to the cutting groove from which the laminated body has been removed, so that the cutting blade from which the laminated body has been removed is sharpened. Therefore, there is no need to provide a special mechanism and it is economical. Furthermore, since it is not necessary to stop production to sharpen the cutting blade, throughput can be improved.
以下に、本発明に係るウェーハの切削方法の実施形態を図面に基づいて詳細に説明する。なお、この実施形態によりこの発明が限定されるものではない。また、下記実施形態における構成要素には、当業者が置換可能かつ容易なもの、或いは実質的に同一のものが含まれる。 Hereinafter, embodiments of a wafer cutting method according to the present invention will be described in detail with reference to the drawings. In addition, this invention is not limited by this embodiment. In addition, constituent elements in the following embodiments include those that can be easily replaced by those skilled in the art or those that are substantially the same.
〔実施形態〕
図1は、実施形態に係るウェーハの切削方法によって切削加工を行う切削装置の斜視図である。本実施形態において、X軸方向は、後述する切削ブレード15の回転軸の方向および鉛直方向の双方と直交する方向であり、Y軸方向は、鉛直方向と直交する切削ブレード15の回転軸の方向であり、Z軸方向は、鉛直方向である。図1に示す切削装置1は、チャックテーブル5と、二つの切削手段10と、洗浄・乾燥手段50と、を含んで構成されている。本実施形態に係るウェーハの切削方法で用いられる切削装置1は、二つの切削手段10をY軸方向に対向配置させたフェイシングデュアルタイプの加工装置である。
Embodiment
FIG. 1 is a perspective view of a cutting apparatus that performs cutting by the wafer cutting method according to the embodiment. In the present embodiment, the X-axis direction is a direction orthogonal to both the direction of the rotation axis and the vertical direction of the cutting blade 15 described later, and the Y-axis direction is the direction of the rotation axis of the cutting blade 15 orthogonal to the vertical direction. And the Z-axis direction is the vertical direction. A cutting apparatus 1 shown in FIG. 1 includes a chuck table 5, two cutting means 10, and a cleaning / drying means 50. The cutting apparatus 1 used in the wafer cutting method according to the present embodiment is a facing dual type processing apparatus in which two cutting means 10 are arranged to face each other in the Y-axis direction.
切削装置1は、被加工物を保持するチャックテーブル5と、二つの切削手段10を相対移動させることで、被加工物に切削加工を施す。即ち、チャックテーブル5は、被加工物を保持した状態で、加工送り方向であるX軸方向に、装置本体2に対して相対移動可能に設けられている。 The cutting device 1 cuts the workpiece by moving the chuck table 5 holding the workpiece and the two cutting means 10 relative to each other. That is, the chuck table 5 is provided so as to be movable relative to the apparatus main body 2 in the X-axis direction, which is the machining feed direction, while holding the workpiece.
ここで、被加工物は、切削加工される加工対象であり、特に限定されないが、例えば、シリコン、ヒ化ガリウム(GaAs)等を母材とする円板状の半導体ウェーハや光デバイスウェーハ、セラミック、ガラス、サファイア(Al2O3)系の円板状の無機材料基板、金属や樹脂等の円板状の延性材料等、各種加工材料である。本実施形態では、切削装置1は、被加工物として半導体ウェーハWの切削加工を行うものとして説明する。 Here, the workpiece is an object to be machined and is not particularly limited. For example, a disk-shaped semiconductor wafer, optical device wafer, or ceramic that uses silicon, gallium arsenide (GaAs), or the like as a base material. Glass, sapphire (Al 2 O 3 ) -based disc-shaped inorganic material substrate, and disc-shaped ductile material such as metal and resin. In the present embodiment, the cutting apparatus 1 will be described on the assumption that the semiconductor wafer W is cut as a workpiece.
ウェーハWは、例えば、デバイスが複数形成されているデバイス側の面である表面の反対側の面である裏面に、粘着テープであるダイシングテープTが貼着され、ダイシングテープTがさらに、磁性体の環状フレームFに貼着されることによって環状フレームFに固定された状態で、切削加工が行われる。切削装置1でのウェーハWの切削加工は、ウェーハWは、ダイシングテープTが貼着された側の面がチャックテーブル5に載置されてチャックテーブル5に吸引保持され、チャックテーブル5の周囲に配設されるフレーム保持手段6に環状フレームFが保持された状態で行われる。 The wafer W has, for example, a dicing tape T as an adhesive tape attached to the back surface that is the surface opposite to the surface that is a device side surface on which a plurality of devices are formed. Cutting is performed in a state of being fixed to the annular frame F by being attached to the annular frame F. In the cutting of the wafer W by the cutting apparatus 1, the wafer W is placed on the chuck table 5 on the surface on which the dicing tape T is adhered, and is sucked and held by the chuck table 5. This is performed in a state where the annular frame F is held by the arranged frame holding means 6.
図2は、図1に示す切削手段の詳細図である。二つの切削手段10は、第一切削手段11と第二切削手段12とからなり、これらの切削手段10は、切削ブレード15と、スピンドル20と、スピンドルハウジング25と、ノズル30と、ブレードカバー35と、を含んで構成されている。つまり、第一切削手段11は、第一切削ブレード16と、第一スピンドル21と、第一スピンドルハウジング26と、第一ノズル31と、第一ブレードカバー36と、を含んで構成されている。同様に、第二切削手段12も、第二切削ブレード17と、第二スピンドル22と、第二スピンドルハウジング27と、第二ノズル32と、第二ブレードカバー37と、を含んで構成されている。このうち、第二切削ブレード17は、第一切削ブレード16の厚さよりも若干薄い厚さで形成されている。 FIG. 2 is a detailed view of the cutting means shown in FIG. The two cutting means 10 include a first cutting means 11 and a second cutting means 12, and these cutting means 10 include a cutting blade 15, a spindle 20, a spindle housing 25, a nozzle 30, and a blade cover 35. And. That is, the first cutting means 11 includes the first cutting blade 16, the first spindle 21, the first spindle housing 26, the first nozzle 31, and the first blade cover 36. Similarly, the second cutting means 12 includes a second cutting blade 17, a second spindle 22, a second spindle housing 27, a second nozzle 32, and a second blade cover 37. . Among these, the second cutting blade 17 is formed with a thickness slightly thinner than the thickness of the first cutting blade 16.
これらの切削手段10は、それぞれ移動手段によって移動可能になっており、割り出し送り手段であるY軸移動手段40と、切り込み送り手段であるZ軸移動手段45により、Y軸方向とZ軸方向とに移動可能になっている。つまり、第一切削手段11は、第一Y軸移動手段41と第一Z軸移動手段46とにより、Y軸方向とZ軸方向とに移動可能になっており、第二切削手段12は、第二Y軸移動手段42と第二Z軸移動手段47により、Y軸方向とZ軸方向とに移動可能になっている。これにより、第一切削手段11と第二切削手段12とは、チャックテーブル5に保持されたウェーハWに切削水を供給しながら、加工すべき領域に切削加工を施すことができる。 These cutting means 10 can be moved by moving means, respectively, and a Y-axis direction and a Z-axis direction can be obtained by a Y-axis moving means 40 that is an index feeding means and a Z-axis moving means 45 that is a cutting feed means. Can be moved to. That is, the first cutting means 11 is movable in the Y-axis direction and the Z-axis direction by the first Y-axis moving means 41 and the first Z-axis moving means 46, and the second cutting means 12 is The second Y-axis moving means 42 and the second Z-axis moving means 47 are movable in the Y-axis direction and the Z-axis direction. As a result, the first cutting means 11 and the second cutting means 12 can cut the region to be processed while supplying cutting water to the wafer W held on the chuck table 5.
切削ブレード15は、環状の切れ刃を有し、所定の方向に回転可能に設けられている。詳しくは、切削ブレード15は、高速回転することでチャックテーブル5に保持されたウェーハWを切削する極薄のリング形状に形成された切削砥石であり、これにより、切削ブレード15は、環状の切れ刃を有している。この切削ブレード15は、固定ナット(図示省略)により、スピンドル20に交換可能に固定されている。スピンドルハウジング25は、筒状に形成されており、内挿されたスピンドル20をエアベアリングにより回転自在に支持する。ノズル30は、切削ブレード15の加工点に切削液を噴出させて供給する。ブレードカバー35は、ノズル30を着脱可能に保持する。第一切削手段11と第二切削手段12とは、共にこれらの構造で構成されている。 The cutting blade 15 has an annular cutting edge and is provided to be rotatable in a predetermined direction. Specifically, the cutting blade 15 is a cutting grindstone formed in an extremely thin ring shape that cuts the wafer W held on the chuck table 5 by rotating at a high speed. Has a blade. The cutting blade 15 is fixed to the spindle 20 in a replaceable manner by a fixing nut (not shown). The spindle housing 25 is formed in a cylindrical shape, and rotatably supports the inserted spindle 20 by an air bearing. The nozzle 30 jets and supplies the cutting fluid to the processing point of the cutting blade 15. The blade cover 35 holds the nozzle 30 in a detachable manner. Both the 1st cutting means 11 and the 2nd cutting means 12 are comprised by these structures.
洗浄・乾燥手段50は、切削加工後のウェーハWの洗浄と乾燥が可能になっている。詳しくは、洗浄・乾燥手段50は、回転駆動源で発生する動力によりスピンナテーブル51を回転させつつ、ウェーハWに対して洗浄液噴射装置によって洗浄液を噴射して当該ウェーハWを洗浄し、洗浄後のウェーハWに気体噴射装置から気体を噴射して当該ウェーハWを乾燥させることが可能になっている。 The cleaning / drying means 50 can clean and dry the wafer W after cutting. Specifically, the cleaning / drying means 50 cleans the wafer W by spraying a cleaning liquid onto the wafer W by a cleaning liquid spraying device while rotating the spinner table 51 by the power generated by the rotational drive source. It is possible to dry the wafer W by injecting gas from the gas injection device onto the wafer W.
本実施形態に係るウェーハWの切削方法で切削加工を行う切削装置1は、以上のごとき構成からなり、以下、その作用について説明する。図3は、図1に示す切削装置によってウェーハの切削加工を行う際における説明図である。上述した切削装置1は、第一切削ブレード16と第二切削ブレード17との二つの切削ブレード15によって、段階的にウェーハWの切断を行う、いわゆるステップカットによって切断を行う加工装置になっている。つまり、切削装置1は、複数のデバイス67(図5参照)を区画するストリートS(図5参照)に沿って、第一の切削ブレード15である第一切削ブレード16でウェーハWの厚さ方向における途中まで切削し、この切削溝66(図5参照)に沿って第二の切削ブレード15である第二切削ブレード17により、ウェーハWの残りの厚さ分を切削する。 The cutting device 1 that performs cutting by the wafer W cutting method according to the present embodiment has the above-described configuration, and the operation thereof will be described below. FIG. 3 is an explanatory diagram when the wafer is cut by the cutting apparatus shown in FIG. The above-described cutting apparatus 1 is a processing apparatus that performs cutting by a so-called step cut, in which the wafer W is cut stepwise by the two cutting blades 15 of the first cutting blade 16 and the second cutting blade 17. . In other words, the cutting apparatus 1 uses the first cutting blade 16 that is the first cutting blade 15 in the thickness direction of the wafer W along the street S (see FIG. 5) that partitions the plurality of devices 67 (see FIG. 5). The remaining thickness of the wafer W is cut by the second cutting blade 17 which is the second cutting blade 15 along the cutting groove 66 (see FIG. 5).
また、切削装置1でウェーハWの切削加工を行う際には、ダイシングテープTが貼着されたウェーハWにおける、ダイシングテープTが貼着されている面の反対側の面である表面61側から、切削加工を行う。また、このように切削加工を行うウェーハWは、ウェーハWのベースとなる基板65の表面61側に、TEG(Test Element Group)等の回路パターンを有する表面膜等の積層体Lが積層されており、これによりウェーハWには複数のデバイス67が形成されている。
Further, when the wafer W is cut by the cutting apparatus 1, from the
切削装置1でウェーハWの切削加工を行う際には、ダイシングテープTが貼着されている側の面である裏面62が下面になってチャックテーブル5に対向し、積層体Lが積層されている側の面である表面61が上面になる向きで、チャックテーブル5上に載置する。さらに、環状フレームFをフレーム保持手段6で保持し、ウェーハWの裏面62側をチャックテーブル5で吸引保持した状態で、ウェーハWの表面61側から、第一切削ブレード16と第二切削ブレード17とによって、段階的に切削する。即ち、第一切削ブレード16は、ハーフカット用の切削ブレード15として設けられており、第二切削ブレード17は、分割用の切削ブレード15として設けられており、切削装置1は、この二つの切削ブレード15を用いて段階的にウェーハWを切削する。
When cutting the wafer W with the cutting device 1, the
図4は、実施形態に係るウェーハの切削加工を用いてウェーハを分割する際における工程のフロー図である。ウェーハWを分割する際には、積層体Lが積層されているウェーハWに対して、まず、テープ貼着工程(ステップST11)で、ダイシングテープTを貼着する。ダイシングテープTは、内径がウェーハWの外径よりも大きい孔を有する環状フレームFに貼着する。この状態で、ウェーハWの裏面62を、環状フレームFの孔の部分からダイシングテープTに貼着する。これにより、ダイシングテープTを、ウェーハWの裏面62の全面に貼着する。
FIG. 4 is a flowchart of processes when the wafer is divided using the wafer cutting process according to the embodiment. When the wafer W is divided, the dicing tape T is first attached to the wafer W on which the laminate L is laminated in the tape attaching step (step ST11). The dicing tape T is attached to an annular frame F having a hole whose inner diameter is larger than the outer diameter of the wafer W. In this state, the
テープ貼着工程を実施したら、次に、積層体除去工程(ステップST12)で、ウェーハWの表面61に積層されている積層体Lを除去する。積層体Lを除去する際には、まず、表面61が上面になる向きで、切削装置1のチャックテーブル5でウェーハWを保持する(図3参照)。この状態で、ウェーハWにおける表面61側、即ち、積層体Lが積層されている側から、切削ブレード15によってウェーハWの切削を行うことにより、積層体Lを除去する。
If a tape sticking process is implemented, next, the laminated body L currently laminated | stacked on the
図5は、積層体除去工程における切削の説明図である。図6は、図5のA−A断面図である。積層体除去工程は、二つの切削ブレード15のうち、第一切削ブレード16をウェーハWの表面61に対向させ、回転する第一切削ブレード16の外周面をウェーハWのストリートSに接触させながら、第一切削ブレード16とウェーハWとをストリートSに沿って相対移動させることにより行う。この積層体除去工程では、第一切削ブレード16を、積層体Lの厚さよりも深く、ウェーハWの厚さよりも浅い深さで、外周面における下端付近を積層体L側の面からウェーハWに切り込ませ、表面61側から基板65の途中まで切り込ませる。これにより、第一切削ブレード16は、積層体L側の面からウェーハWに入り込んだ深さで、ウェーハWを切削する。
FIG. 5 is an explanatory diagram of cutting in the laminate removal step. 6 is a cross-sectional view taken along the line AA in FIG. The laminated body removing step is such that the first cutting blade 16 of the two cutting blades 15 is opposed to the
積層体除去工程では、第一切削ブレード16でウェーハWを切削すると同時に、ウェーハWを保持するチャックテーブル5を、第一切削ブレード16の回転軸と直交する方向に相対的に移動させる。その際における移動方向は、回転する第一切削ブレード16における下端付近での回転方向と同じ方向にチャックテーブル5を移動させ、第一切削ブレード16に対して、この方向にウェーハWを相対移動させる。即ち、チャックテーブル5を、ウェーハWのストリートSに沿った方向で、且つ、第一切削ブレード16においてウェーハWに接触する部分付近の回転方向と同じ方向である順方向に移動させる。この状態では、第一切削ブレード16は、ウェーハWの移動方向において第一切削ブレード16がウェーハWの切削を開始する部分は、上方側から下方側、即ち、表面61方向側から裏面62方向側に向かって切削を行う、いわゆるダウンカットによって切削を行う。
In the stacked body removing step, the wafer W is cut by the first cutting blade 16 and at the same time, the chuck table 5 holding the wafer W is relatively moved in a direction perpendicular to the rotation axis of the first cutting blade 16. The moving direction at that time is such that the chuck table 5 is moved in the same direction as the rotating direction near the lower end of the rotating first cutting blade 16, and the wafer W is moved relative to the first cutting blade 16 in this direction. . That is, the chuck table 5 is moved in the forward direction, which is the direction along the street S of the wafer W and the same direction as the rotation direction in the vicinity of the portion of the first cutting blade 16 that contacts the wafer W. In this state, the first cutting blade 16 is such that the first cutting blade 16 starts cutting the wafer W in the moving direction of the wafer W from the upper side to the lower side, that is, from the
これにより、第一切削ブレード16は、積層体Lの厚さよりも深く、ウェーハWの厚さよりも浅い深さで、積層体Lが積層されている側の面からウェーハWを切削し、この深さの切削溝66を、ストリートSに沿って形成する。換言すると、切削溝66は、第一切削ブレード16の厚さで積層体Lが除去され、さらに、基板65における積層体L寄りの部分が第一切削ブレード16の厚さで切削されることにより形成される。このように、積層体除去工程では、第一切削ブレード16とウェーハWが対向する位置において、第一切削ブレード16の回転方向と順方向にウェーハWをストリートSに沿って相対移動させて、切削溝66を形成することにより、積層体Lを除去する。
As a result, the first cutting blade 16 cuts the wafer W from the surface on which the laminate L is laminated at a depth deeper than the thickness of the laminate L and shallower than the thickness of the wafer W. The cutting
積層体除去工程を遂行したら、次に、目立て工程(ステップST13)で、第一切削ブレード16の目立てを行う。図7は、目立て工程における目立ての説明図である。図8は、図7のB−B断面図である。目立て工程は、積層体除去工程でウェーハWの切削を行った第一切削ブレード16を、積層体除去工程での回転方向と同方向に回転させた状態で外周面を切削溝66に接触させながら、積層体除去工程でのウェーハWとの相対移動の方向と反対方向に相対移動させることにより行う。この目立て工程では、第一切削ブレード16を、ウェーハWにおいて切削溝66を形成した部分の残りの厚さ、即ち、切削溝66の溝底から裏面62までの厚さよりも浅い深さで、外周面における下端付近を切削溝66の溝底からウェーハWに切り込ませる。これにより、第一切削ブレード16は、切削溝66の溝底からウェーハWに入り込んだ深さで、ウェーハWを切削する。
After performing the laminated body removing step, the first cutting blade 16 is sharpened in the sharpening step (step ST13). FIG. 7 is an explanatory diagram of sharpening in the sharpening process. 8 is a cross-sectional view taken along the line BB in FIG. In the sharpening step, the first cutting blade 16 that has cut the wafer W in the laminated body removing step is rotated in the same direction as the rotating direction in the laminated body removing step while bringing the outer peripheral surface into contact with the cutting
目立て工程でも、このように第一切削ブレード16でウェーハWを切削するが、目立て工程では、積層体除去工程とは異なり、チャックテーブル5は、回転する第一切削ブレード16における下端付近での回転方向の反対方向に移動させる。つまり、目立て工程では、第一切削ブレード16の回転方向は積層体除去工程での回転方向を維持したまま、チャックテーブル5を、積層体除去工程で移動方向の反対方向に移動させる。詳しくは、積層体除去工程では、第一切削ブレード16をストリートSに沿わせた状態で、順方向にウェーハWを移動させるが、第一切削ブレード16がストリートSの端部に到達したら、ウェーハWが反対方向に移動するように、チャックテーブル5を移動させる。 In the sharpening process, the wafer W is cut with the first cutting blade 16 as described above. In the sharpening process, unlike the stack removing process, the chuck table 5 rotates around the lower end of the rotating first cutting blade 16. Move in the opposite direction. That is, in the sharpening process, the chuck table 5 is moved in the direction opposite to the moving direction in the stack removing process while the rotation direction of the first cutting blade 16 is maintained in the rotating direction in the stack removing process. Specifically, in the laminate removing step, the wafer W is moved in the forward direction with the first cutting blade 16 being along the street S. When the first cutting blade 16 reaches the end of the street S, the wafer is moved. The chuck table 5 is moved so that W moves in the opposite direction.
換言すると、目立て工程では、第一切削ブレード16の回転方向は変えずに、チャックテーブル5を、ウェーハWのストリートSに沿った方向で、且つ、第一切削ブレード16においてウェーハWに接触する部分付近における回転方向の反対方向である逆方向に移動させる。この状態では、第一切削ブレード16は、ウェーハWの移動方向において第一切削ブレード16がウェーハWの切削を開始する部分は、下方側から上方側、即ち、裏面62方向側から表面61方向側に向かって切削を行う、いわゆるアップカットによって切削を行う。
In other words, in the sharpening process, the rotation direction of the first cutting blade 16 is not changed, and the chuck table 5 is in the direction along the street S of the wafer W and the portion of the first cutting blade 16 that contacts the wafer W. It is moved in the reverse direction that is the opposite direction of the rotation direction in the vicinity. In this state, the first cutting blade 16 is such that the first cutting blade 16 starts cutting the wafer W in the moving direction of the wafer W from the lower side to the upper side, that is, from the
これにより、第一切削ブレード16は、切削溝66をより深く切り込み、チャックテーブル5が、第一切削ブレード16の回転方向と逆方向にウェーハWを相対移動させる方向に移動する状態で、第一切削ブレード16によって切削溝66に沿って基板65を切削する。目立て工程では、このように第一切削ブレード16の回転方向と逆方向にウェーハWを相対移動させながら切削することにより、ウェーハWの移動方向に逆らう方向で第一切削ブレード16にウェーハWの切削を行わせる。これにより、積層体除去工程で第一切削ブレード16の先端、即ち、第一切削ブレード16の外周面に付着した積層体Lを除去し、積層体Lに含まれる金属等を第一切削ブレード16の外周面から除去することにより、第一切削ブレード16の目立てを行う。
As a result, the first cutting blade 16 cuts the cutting
目立て工程を遂行したら、次に、分割工程(ステップST14)で、ウェーハWの分割を行う。図9は、分割工程における切削の説明図である。図10は、図9のC−C断面図である。分割工程は、二つの切削ブレード15のうち、第二切削ブレード17をウェーハWの表面61に対向させ、回転する第二切削ブレード17の外周面を、第一切削ブレード16で形成した切削溝66に接触させながら、切削溝66に沿って第二切削ブレード17とウェーハWとを相対移動させることにより行う。この分割工程では、第二切削ブレード17を、ウェーハW単体の厚さよりも深く、ウェーハWの裏面62に貼着されているダイシングテープTは切断しきらない深さで、外周面における下端付近を切削溝66の溝底からウェーハWに切り込ませる。これにより、第二切削ブレード17は、ウェーハWの基板65は切断し、ダイシングテープTは切断しない深さで、ウェーハWを切削する。
After performing the sharpening process, the wafer W is divided in the dividing process (step ST14). FIG. 9 is an explanatory diagram of cutting in the dividing step. 10 is a cross-sectional view taken along the line CC of FIG. In the dividing step, of the two cutting blades 15, the second cutting blade 17 is opposed to the
なお、第二切削ブレード17は、厚さが第一切削ブレード16よりも薄いため、第二切削ブレード17は、第一切削ブレード16で切削した切削溝66の溝幅は広げずに、この切削溝66の溝底から、基板65に対してさらに切削をする。
Since the second cutting blade 17 is thinner than the first cutting blade 16, the second cutting blade 17 does not widen the groove width of the cutting
分割工程では、積層体除去工程で第一切削ブレード16によってウェーハWを切削する場合と同様に、チャックテーブル5を、回転する第二切削ブレード17における下端付近での回転方向と同じ方向に移動させ、第二切削ブレード17に対してウェーハWを相対移動させる。即ち、チャックテーブル5を、第二切削ブレード17においてウェーハWに接触する部分付近の回転方向と同じ方向である順方向に移動させる。 In the dividing step, the chuck table 5 is moved in the same direction as the rotation direction in the vicinity of the lower end of the rotating second cutting blade 17 in the same manner as when the wafer W is cut by the first cutting blade 16 in the stacked body removing step. The wafer W is moved relative to the second cutting blade 17. That is, the chuck table 5 is moved in the forward direction, which is the same direction as the rotation direction in the vicinity of the portion in contact with the wafer W in the second cutting blade 17.
このように、分割工程では、第二切削ブレード17によって切削溝66をより深く切り込み、ウェーハW単体の厚さよりも深く、ウェーハWの裏面62に貼着されているダイシングテープTも含んだ厚さよりは浅い深さで、切削溝66に沿ってウェーハWを切削する。これにより、第二切削ブレード17を、第一切削ブレード16によって形成した切削溝66に沿ってダイシングテープTの途中まで切り込む。さらに、このようにウェーハWを切削しつつ、第二切削ブレード17とウェーハWが対向する位置において、第二切削ブレード17の回転方向に対して順方向にウェーハWをストリートSに沿って相対移動させる。これにより、ダイシングテープTは切断することなく、第一切削ブレード16で形成した切削溝66に沿って基板65を分割し、切削溝66の両側に位置するデバイス67同士を分割する。
As described above, in the dividing step, the cutting
なお、これらのように第二切削ブレード17を用いた分割工程で、所定のストリートSに沿って基板65を分割する際には、第一切削ブレード16を用いて、他のストリートSで積層体除去工程を行うのが好ましい。
In addition, when the
以上の実施形態に係るウェーハWの切削方法は、第一切削ブレード16で切削溝66を形成することにより積層体Lを除去した後、切削溝66に対して第一切削ブレード16をさらに深く切り込み、第一切削ブレード16の回転方向と逆方向にウェーハWを相対移動させることにより、第一切削ブレード16の目立てを行っている。この結果、特殊な機構を設ける必要が無く、ウェーハWを切削するための装置を設ける際におけるコストを抑えることができるため、経済性を向上させることができる。さらに、切削動作を中断することなく、第一切削ブレード16の目詰まりを解消しながらウェーハWを切削することができるため、第一切削ブレード16の目立てを行うために生産を停止する必要がなく、スループットの向上を図ることができる。
In the cutting method of the wafer W according to the above embodiment, the first cutting blade 16 is further deeply cut into the cutting
また、このように第一切削ブレード16の目詰まりを解消しながら、ウェーハWを切削することにより、切削性能を向上させることができるため、ウェーハWを切削することによって生成する各デバイス67の品質を向上させることができる。
Further, since the cutting performance can be improved by cutting the wafer W while eliminating the clogging of the first cutting blade 16 in this way, the quality of each
〔変形例〕
なお、上述したウェーハWの切削方法は、切削ブレード15として第一切削ブレード16と第二切削ブレード17とを使用し、この2つの切削ブレード15を用いて段階的に行う切削加工である、いわゆるステップカットによってウェーハWを切削する切削装置1で用いられるが、これ以外の切削装置1で用いられてもよい。例えば、積層体除去工程と分割工程を、切削用の1つのスピンドル20を有し、このスピンドル20に固定される1つの切削ブレード15によって分割を行う切削装置1を用いて行ってもよい。その場合には、1つの切削ブレード15で切削溝66を形成することにより積層体Lの除去を行った後、目立て工程を行い、目立て工程で切削ブレード15の先端をドレスした後に、再度切削ブレード15で切削溝66のフルカットを行うことによって、ウェーハWを切削する。これにより、特殊な設備を用意する必要がなく、また、切削動作を中断することなく、切削ブレード15の目詰まりを解消しながら、ウェーハWを切削することができる。
[Modification]
The above-described method for cutting the wafer W is a so-called cutting process in which the first cutting blade 16 and the second cutting blade 17 are used as the cutting blade 15 and the two cutting blades 15 are used in stages. Although it is used in the cutting device 1 that cuts the wafer W by step cutting, it may be used in other cutting devices 1. For example, the laminated body removing step and the dividing step may be performed by using the cutting device 1 that has one spindle 20 for cutting and performs division by one cutting blade 15 fixed to the spindle 20. In that case, after the laminated body L is removed by forming the cutting
また、上述したウェーハWの切削方法では、切削ブレード15の目立て工程を行うタイミングについては規定していないが、切削ブレード15の目立て工程を行うタイミングは、適宜設定してもよい。例えば、積層体除去工程で、ウェーハWを移動させながら所定のストリートSに沿ってストリートSの端部まで切削ブレード15で切削加工を行った後、切削ブレード15を次のストリートSに位置付けるためにウェーハWが反対方向に移動する際に、そのストリートSで切削ブレード15の目立て工程を行ってもよい。または、ストリートSが複数形成される1つのウェーハWにおいて、1つのストリートSのみで目立て工程を行ってもよい。目立て工程は、ウェーハWの大きさや積層体Lの材質、ストリートSの数等に応じて、積層体除去工程を遂行後の任意のタイミングで適宜設定して実行するのが好ましい。 Further, in the above-described method for cutting the wafer W, the timing for performing the sharpening process for the cutting blade 15 is not defined, but the timing for performing the sharpening process for the cutting blade 15 may be set as appropriate. For example, in order to position the cutting blade 15 on the next street S after cutting with the cutting blade 15 along the predetermined street S to the end of the street S while moving the wafer W in the stacked body removing step. When the wafer W moves in the opposite direction, the sharpening process of the cutting blade 15 may be performed on the street S. Alternatively, the sharpening process may be performed on only one street S in one wafer W on which a plurality of streets S are formed. It is preferable that the sharpening process is appropriately set and executed at an arbitrary timing after the stacked body removing process is performed in accordance with the size of the wafer W, the material of the stacked body L, the number of streets S, and the like.
また、上述したウェーハWの切削方法では、積層体除去工程と分割工程では、ウェーハWは切削ブレード15の回転方向に対して順方向に移動させ、目立て工程では、ウェーハWは切削ブレード15の回転方向に対して逆方向に移動させているが、ウェーハWの移動方向は、これら以外の方向でもよい。つまり、積層体除去工程と分割工程は、ダウンカットによって切削を行い、目立て工程は、アップカットによって切削を行っているが、切削時における切削方向は、これら以外の方向でもよい。例えば、目立て工程でウェーハWを順方向に移動させ、目立て工程をダウンカットによって行ってもよい。ウェーハWの移動方向は、切削装置1の動作手順や、求める切削の仕上げ状態に応じて、適宜設定するのが好ましい。 In the wafer W cutting method described above, the wafer W is moved in the forward direction with respect to the rotation direction of the cutting blade 15 in the stacked body removing step and the dividing step, and in the sharpening step, the wafer W is rotated by the cutting blade 15. Although it is moved in the opposite direction to the direction, the moving direction of the wafer W may be other directions. That is, the laminated body removing step and the dividing step are cut by down-cutting, and the sharpening step is cut by up-cutting, but the cutting direction at the time of cutting may be other directions. For example, the wafer W may be moved in the forward direction in the sharpening process, and the sharpening process may be performed by down-cutting. The moving direction of the wafer W is preferably set as appropriate according to the operation procedure of the cutting apparatus 1 and the desired finishing state of the cutting.
1 切削装置
2 装置本体
5 チャックテーブル
10 切削手段
15 切削ブレード
16 第一切削ブレード
17 第二切削ブレード
20 スピンドル
25 スピンドルハウジング
30 ノズル
35 ブレードカバー
40 Y軸移動手段
45 Z軸移動手段
61 表面
62 裏面
65 基板
66 切削溝
W ウェーハ
T ダイシングテープ
L 積層体
S ストリート
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Cutting device 2 Apparatus
Claims (3)
前記ウェーハの裏面にダイシングテープを貼着するテープ貼着工程と、
該テープ貼着工程を実施した後に、前記切削ブレードを該積層体の厚さよりも深く該基板の途中まで切り込み、且つ、該切削ブレードと前記ウェーハが対向する位置において該切削ブレードの回転方向と同じ方向に前記ウェーハを前記ストリートに沿って相対移動させて、切削溝を形成することで該積層体を除去する積層体除去工程と、
該積層体除去工程を遂行後の任意のタイミングで、該切削ブレードを該積層体除去工程での回転方向と同方向に回転させた状態で、該切削溝に沿って該切削溝よりも深くかつ該切削溝の溝底から該裏面までの厚さよりも浅い深さで切り込み、該切削ブレードの回転方向と逆方向に前記ウェーハを相対移動させて該切削溝に沿って該基板を切削して、該積層体除去工程で該切削ブレードの先端に付着した該積層体を除去し該切削ブレードの目立てを行う目立て工程と、
を備えることを特徴とするウェーハの切削方法。 Relative to a cutting blade having an annular cutting edge and rotating in a predetermined direction, a wafer on which a device is formed by a laminate laminated on the surface of the substrate is relative to a direction perpendicular to the rotation axis of the cutting blade. A wafer cutting method of cutting along a plurality of streets dividing the device,
A tape adhering step of adhering a dicing tape to the back surface of the wafer;
After performing the tape adhering step, the cutting blade is cut in the middle of the substrate deeper than the thickness of the laminate, and the rotation direction of the cutting blade is the same at a position where the cutting blade and the wafer face each other. Laminate removal step of removing the laminate by moving the wafer in the direction along the street and forming a cutting groove;
At an arbitrary timing after performing the laminated body removing step, the cutting blade is rotated in the same direction as the rotating direction in the laminated body removing step, and is deeper than the cutting groove along the cutting groove. Cutting at a depth shallower than the thickness from the bottom of the cutting groove to the back surface , cutting the substrate along the cutting groove by moving the wafer relative to the direction of rotation of the cutting blade, A sharpening step of sharpening the cutting blade by removing the laminate adhered to the tip of the cutting blade in the laminate removing step;
A wafer cutting method comprising:
該第一切削ブレードの厚さよりも薄い該切削ブレードである第二切削ブレードを、該ウェーハ単体の厚さよりも深く該ダイシングテープは切断しきらない深さで該切削溝の該溝底から切り込み、且つ、該第二切削ブレードと前記ウェーハが対向する位置において該第二切削ブレードの回転方向と同じ方向に前記ウェーハを前記ストリートに沿って相対移動させて、該ウェーハの該基板を切削する分割工程を備える Cutting the second cutting blade, which is the cutting blade thinner than the thickness of the first cutting blade, from the groove bottom of the cutting groove at a depth deeper than the thickness of the single wafer and the dicing tape cannot be cut; And a division step of cutting the substrate of the wafer by relatively moving the wafer along the street in the same direction as the rotation direction of the second cutting blade at a position where the second cutting blade and the wafer face each other. With
ことを特徴とする請求項1に記載のウェーハの切削方法。 The wafer cutting method according to claim 1.
ことを特徴とする請求項1に記載のウェーハの切削方法。 The wafer cutting method according to claim 1.
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