KR102089111B1 - Wafer cutting method - Google Patents
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Abstract
본 발명은 특수한 설비를 준비할 필요가 없고, 절삭 동작을 중단하는 일없이 절삭 블레이드의 눈 막힘을 해소하면서 웨이퍼를 절삭할 수 있는 웨이퍼 절삭 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.
절삭 블레이드(15)에 대하여, 기판(65)의 표면에 적층된 적층체에 의해 디바이스가 형성된 웨이퍼(W)를, 절삭 블레이드(15)의 회전축과 직교하는 방향으로 상대적으로 이동시켜, 복수의 스트리트를 따라 절삭하는 웨이퍼(W)의 절삭 방법으로서, 절삭 블레이드(15)를 적층체의 두께보다 깊게 기판(65)의 도중까지 절입하며, 또한, 웨이퍼(W)를 스트리트를 따라 상대 이동시켜, 절삭홈(66)을 형성함으로써 적층체를 제거하는 적층체 제거 공정과, 절삭 블레이드(15)를, 절삭홈(66)을 따라 깊게 절입하고, 웨이퍼(W)를 상대 이동시켜 절삭홈(66)을 따라 절삭하여, 절삭 블레이드(15)의 선단에 부착된 적층체를 제거하여 드레싱을 행하는 드레싱 공정을 포함한다.An object of the present invention is to provide a wafer cutting method capable of cutting a wafer while eliminating the clogging of the cutting blade without interrupting the cutting operation without having to prepare a special equipment.
With respect to the cutting blade 15, the wafer W on which the device is formed by the laminate stacked on the surface of the substrate 65 is relatively moved in a direction orthogonal to the axis of rotation of the cutting blade 15, thereby allowing a plurality of streets. As a cutting method of the wafer W cutting along, the cutting blade 15 is cut deeper into the middle of the substrate 65 than the thickness of the laminate, and the wafer W is moved relative to the street to cut. The laminate removal process for removing the laminate by forming the groove 66 and the cutting blade 15 are deeply cut along the cutting groove 66 and the wafer W is moved relative to move the cutting groove 66 Cutting along, and removing the laminate attached to the tip of the cutting blade 15 includes a dressing process for dressing.
Description
본 발명은, 표면에 보호막이나 TEG 등의 적층체가 형성된 반도체 웨이퍼 등의 피가공물을 절삭하는 절삭 방법에 관한 것이다.The present invention relates to a cutting method for cutting a workpiece, such as a semiconductor wafer, on which a laminate such as a protective film or TEG is formed on a surface.
종래, 반도체 웨이퍼나 유리 기판, 수지 기판 등을 디바이스 칩으로 분할하기 위한 절삭 장치(다이싱 장치)가 알려져 있고, 예컨대, 특허문헌 1에 개시되어 있는 바와 같이, 2개의 스핀들 유닛을 갖는 2스핀들 절삭 장치도 알려져 있다. 이러한 2스핀들 절삭 장치에서는, 먼저 한쪽의 스핀들 유닛의 절삭 블레이드에 의해 정해진 깊이의 홈을 형성하는 하프 컷트를 행하고, 그 후, 다른 한쪽의 스핀들 유닛의 절삭 블레이드에 의해 하프 컷트된 홈을 완전히 절단하는 풀 컷트를 행하는 스텝 컷트가 실시된다.Conventionally, a cutting device (dicing device) for dividing a semiconductor wafer, a glass substrate, a resin substrate, or the like into device chips is known, and for example, as disclosed in Patent Document 1, two spindle cutting with two spindle units Devices are also known. In this two-spindle cutting device, first, a half-cut is formed to form a groove of a depth defined by a cutting blade of one spindle unit, and then a half-cut groove is completely cut by the cutting blade of the other spindle unit. A step cut is performed to perform a full cut.
이러한 스텝 컷트는, 반도체 웨이퍼를 절삭 가공할 때에 있어서, 분할 예정 라인이 설정된 스트리트에 테스트 엘리먼트 그룹(TEG)이라고 칭해지는 테스트용의 금속 패턴을 제거하는 경우에 있어서도 행해진다. 즉, 먼저 한쪽의 스핀들 유닛의 절삭 블레이드로 TEG를 제거(하프 컷트)하여 제1 절삭홈을 형성하고, 계속해서, 다른 한쪽의 스핀들 유닛의 절삭 블레이드로 제1 절삭홈의 위치에 제2 절삭홈을 형성하여 반도체 웨이퍼를 완전히 절단(풀 컷트)한다는 것이다.Such a step cut is also performed in the case of cutting a semiconductor wafer and removing a metal pattern for testing called a test element group (TEG) on a street on which a line to be divided is set. That is, first, the TEG is removed (half cut) with the cutting blade of one spindle unit to form the first cutting groove, and then, the second cutting groove is positioned at the position of the first cutting groove with the cutting blade of the other spindle unit. Is to cut the semiconductor wafer completely (full cut).
이러한 스텝 컷트를 실시하는 것에 따르면, 미리 하프 컷트에 의해 TEG가 제거되고, 하프 컷트에서 이용한 절삭 블레이드와는 별도의 절삭 블레이드로 풀 컷트가 행해지기 때문에, 풀 컷트를 행하는 절삭 블레이드에 대해서는 TEG에 의한 눈 막힘이 발생하는 일이 없다. 그리고, 풀 컷트를 행하는 절삭 블레이드에 대해서 TEG에 의한 눈 막힘 가능성이 있는 상황을 발생시키지 않음으로써, 웨이퍼의 이면측에 치핑이 발생하는 것을 효과적으로 방지할 수 있다.According to this step cutting, TEG is previously removed by half-cutting, and since full-cutting is performed with a cutting blade separate from the cutting blade used in half-cutting, TEG is applied to the cutting blade for full-cutting. No clogging occurs. In addition, it is possible to effectively prevent chipping from occurring on the back side of the wafer by not generating a situation where there is a possibility of clogging due to TEG with respect to the cutting blade performing full cutting.
그러나, 절삭 블레이드는, 고속으로 회전하면서 웨이퍼 등의 워크를 절삭하는데, 하프 컷트를 장시간 계속하거나, 스트리트 상의 TEG 패턴을 계속하여 절단함으로써, 수지 등의 절삭 부스러기가 블레이드 선단에 부착되어, 블레이드의 눈이 막혀, 절삭 능력의 저하가 발생하여 버린다. 이 문제를 해결하기 위해, 블레이드의 드레싱을 행하는 드레스 부재 전용의 서브 척 테이블을 척 테이블에 인접하는 위치에 설치하거나, 다이싱 테이프 상의 워크에 인접하는 위치에 드레스 부재를 첩부하여 설치하거나 하는 방법이 있다(예컨대, 특허문헌 2, 특허문헌 3 참조). 어느 쪽이든, 서브 척 테이블을 설치하거나, 특수한 다이싱용의 프레임을 준비할 필요가 있어 비용이 발생하게 된다.However, the cutting blade cuts a workpiece such as a wafer while rotating at a high speed. By cutting a half-cut for a long time or continuously cutting a TEG pattern on a street, cutting debris such as resin adheres to the blade tip, and the blade eye This clogging causes a drop in cutting ability to occur. In order to solve this problem, there is a method of installing a sub-chuck table dedicated to a dress member for dressing a blade at a position adjacent to the chuck table, or attaching a dress member at a position adjacent to a work piece on a dicing tape. (For example, see
본 발명은, 상기한 상황을 감안하여 이루어진 것으로서, 특수한 설비를 준비할 필요가 없고, 절삭 동작을 중단하는 일없이 하프 컷트용의 절삭 블레이드의 눈 막힘을 해소하면서 반도체 웨이퍼를 절삭할 수 있는 웨이퍼 절삭 방법을 제공하는 것이다.The present invention is made in view of the above-described situation, and it is not necessary to prepare a special facility, and wafer cutting capable of cutting a semiconductor wafer while eliminating clogging of a cutting blade for a half cut without interrupting the cutting operation. Is to provide a way.
전술한 과제를 해결하여, 목적을 달성하기 위해, 본 발명에 따른 웨이퍼 절삭 방법은, 환형의 날을 가지며 정해진 방향으로 회전하는 절삭 블레이드에 대하여, 기판의 표면에 적층된 적층체에 의해 디바이스가 형성된 웨이퍼를, 상기 절삭 블레이드의 회전축과 직교하는 방향으로 상대적으로 이동시켜, 상기 디바이스를 구획하는 복수의 스트리트를 따라 절삭하는 웨이퍼 절삭 방법으로서, 상기 웨이퍼의 이면에 다이싱 테이프를 접착하는 테이프 접착 공정과, 상기 테이프 접착 공정을 실시한 후에, 상기 절삭 블레이드를 상기 적층체의 두께보다 깊게 상기 기판의 도중까지 절입하고, 상기 절삭 블레이드와 상기 웨이퍼가 대향하는 위치에서 상기 절삭 블레이드의 회전 방향과 순방향으로 상기 웨이퍼를 상기 스트리트를 따라 상대 이동시켜, 절삭홈을 형성함으로써 상기 적층체를 제거하는 적층체 제거 공정과, 상기 적층체 제거 공정을 수행한 후의 임의의 타이밍에, 상기 절삭 블레이드를, 상기 절삭홈을 따라 상기 절삭홈보다 깊게 절입하며, 상기 절삭 블레이드의 회전 방향과 역방향으로 상기 웨이퍼를 상대 이동시켜 상기 절삭홈을 따라 상기 기판을 절삭하여, 상기 적층체 제거 공정에서 상기 절삭 블레이드의 선단에 부착된 상기 적층체를 제거하고 상기 절삭 블레이드의 드레싱을 행하는 드레싱 공정을 포함하는 것을 특징으로 한다.In order to solve the above-described problems and achieve the object, the wafer cutting method according to the present invention includes a device formed by a laminate stacked on the surface of a substrate with respect to a cutting blade having an annular blade and rotating in a predetermined direction. A wafer cutting method for moving a wafer in a direction orthogonal to a rotational axis of the cutting blade and cutting along a plurality of streets partitioning the device, comprising: a tape bonding process of bonding a dicing tape to the back surface of the wafer; , After performing the tape bonding process, the cutting blade is cut deeper than the thickness of the laminate to the middle of the substrate, and the wafer is rotated and forward in the rotational direction of the cutting blade at a position where the cutting blade and the wafer face each other. To move relative to the street, cutting groove The laminate removal process for removing the laminate by forming, and at any timing after performing the laminate removal process, cut the cutting blade deeper than the cutting groove along the cutting groove, and Dressing for cutting the substrate along the cutting groove by moving the wafer relative to the rotational direction and in the reverse direction, removing the laminate attached to the tip of the cutting blade in the layer removing step and dressing the cutting blade It is characterized by including a process.
본 발명에 따른 웨이퍼 절삭 방법은, 표면의 적층체를 제거한 하프 컷트용의 절삭 블레이드를, 적층체를 제거한 절삭홈에 절입하면서 복귀시킴으로써, 적층체를 제거한 절삭 블레이드의 드레싱을 행할 수 있기 때문에, 특수한 기구를 설치할 필요가 없어 경제적이다. 또한, 절삭 블레이드의 드레싱을 행하기 위해 생산을 정지할 필요가 없기 때문에 작업 처리량의 향상도 도모할 수 있다.In the wafer cutting method according to the present invention, since the cutting blade for a half cut from which the surface laminate is removed is returned while cutting into the cutting groove from which the laminate is removed, dressing of the cutting blade from which the laminate is removed can be performed. It is economical because there is no need to install equipment. Further, since it is not necessary to stop production in order to dress the cutting blade, it is possible to improve the throughput.
도 1은 실시형태에 따른 웨이퍼 절삭 방법에 따라 절삭 가공을 행하는 절삭 장치의 사시도이다.
도 2는 도 1에 도시된 절삭 수단의 상세도이다.
도 3은 도 1에 도시된 절삭 장치에 의해 웨이퍼의 절삭 가공을 행할 때에 있어서의 설명도이다.
도 4는 실시형태에 따른 웨이퍼의 절삭 가공을 이용하여 웨이퍼를 분할할 때에 있어서의 공정의 흐름도이다.
도 5는 적층체 제거 공정에 있어서의 절삭의 설명도이다.
도 6은 도 5의 A-A 단면도이다.
도 7은 드레싱 공정에 있어서의 드레싱의 설명도이다.
도 8은 도 7의 B-B 단면도이다.
도 9는 분할 공정에 있어서의 절삭의 설명도이다.
도 10은 도 9의 C-C 단면도이다.1 is a perspective view of a cutting device that performs cutting according to the wafer cutting method according to the embodiment.
FIG. 2 is a detailed view of the cutting means shown in FIG. 1.
3 is an explanatory view when cutting a wafer by the cutting device shown in FIG. 1.
4 is a flowchart of a process at the time of dividing a wafer using the cutting process of the wafer according to the embodiment.
It is explanatory drawing of the cutting in a laminated body removal process.
6 is a cross-sectional view taken along line AA of FIG. 5.
It is explanatory drawing of the dressing in a dressing process.
8 is a cross-sectional view taken along line BB in FIG. 7.
9 is an explanatory view of cutting in a division process.
10 is a cross-sectional view taken along line CC of FIG. 9.
이하에, 본 발명에 따른 웨이퍼 절삭 방법의 실시형태를 도면에 기초하여 상세하게 설명한다. 한편, 본 실시형태에 의해 본 발명이 한정되는 것은 아니다. 또한, 하기 실시형태에 있어서의 구성 요소에는, 당업자가 치환 가능하며 용이한 것, 혹은 실질적으로 동일한 것이 포함된다.EMBODIMENT OF THE INVENTION Hereinafter, embodiment of the wafer cutting method which concerns on this invention is demonstrated in detail based on drawing. In addition, this invention is not limited by this embodiment. In addition, the structural elements in the following embodiments include those that can be easily replaced by those skilled in the art or substantially the same.
〔실시형태〕[Embodiment]
도 1은 실시형태에 따른 웨이퍼 절삭 방법에 따라 절삭 가공을 행하는 절삭 장치의 사시도이다. 본 실시형태에 있어서, X축 방향은, 후술하는 절삭 블레이드(15)의 회전축의 방향 및 연직 방향의 쌍방과 직교하는 방향이며, Y축 방향은, 연직 방향과 직교하는 절삭 블레이드(15)의 회전축의 방향이고, Z축 방향은, 연직 방향이다. 도 1에 도시된 절삭 장치(1)는, 척 테이블(5)과, 2개의 절삭 수단(10)과, 세정·건조 수단(50)을 포함하여 구성되어 있다. 본 실시형태에 따른 웨이퍼 절삭 방법에서 이용되는 절삭 장치(1)는, 2개의 절삭 수단(10)을 Y축 방향에 대향 배치시킨 페이싱 듀얼 타입의 가공 장치이다.1 is a perspective view of a cutting device that performs cutting according to the wafer cutting method according to the embodiment. In the present embodiment, the X-axis direction is a direction orthogonal to both the direction of the rotational axis of the cutting blade 15 described later and the vertical direction, and the Y-axis direction is a rotational axis of the cutting blade 15 orthogonal to the vertical direction. And the Z-axis direction is a vertical direction. The cutting device 1 shown in FIG. 1 includes a chuck table 5, two cutting means 10, and cleaning and drying means 50. The cutting device 1 used in the wafer cutting method according to the present embodiment is a facing dual type processing device in which two cutting means 10 are disposed opposite to the Y-axis direction.
절삭 장치(1)는, 피가공물을 유지하는 척 테이블(5)과, 2개의 절삭 수단(10)을 상대 이동시킴으로써, 피가공물에 절삭 가공을 실시한다. 즉, 척 테이블(5)은, 피가공물을 유지한 상태로, 가공 이송 방향인 X축 방향으로, 장치 본체(2)에 대하여 상대 이동 가능하게 설치되어 있다.The cutting device 1 cuts a workpiece by relatively moving the chuck table 5 holding the workpiece and two cutting means 10. That is, the chuck table 5 is provided so as to be movable relative to the apparatus
여기서, 피가공물은, 절삭 가공되는 가공 대상으로서, 특별히 한정되는 것은 아니지만, 예컨대, 실리콘, 비화갈륨(GaAs) 등을 모재로 하는 원판형의 반도체 웨이퍼나 광 디바이스 웨이퍼, 세라믹, 유리, 사파이어(Al2O3)계의 원판형의 무기 재료 기판, 금속이나 수지 등의 원판형의 연성 재료 등, 각종 가공 재료이다. 본 실시형태에서, 절삭 장치(1)는, 피가공물로서 반도체 웨이퍼(W)의 절삭 가공을 행하는 것으로서 설명한다.Here, the object to be processed is a processing object to be cut, but is not particularly limited, for example, a semiconductor wafer or an optical device wafer, ceramic, glass, sapphire (Al) made of silicon, gallium arsenide (GaAs), or the like. It is a 2 O 3 ) -based disc-shaped inorganic material substrate, and various processing materials such as disc-shaped flexible materials such as metal and resin. In the present embodiment, the cutting device 1 will be described as cutting the semiconductor wafer W as a workpiece.
웨이퍼(W)는, 예컨대 디바이스가 복수 형성되어 있는 디바이스 측의 면인 표면의 반대측 면인 이면에, 접착 테이프인 다이싱 테이프(T)가 접착되고, 또한 다이싱 테이프(T)가 자성체의 환형 프레임(F)에 접착됨으로써 환형 프레임(F)에 고정된 상태로, 절삭 가공이 행해진다. 절삭 장치(1)에서의 웨이퍼(W)의 절삭 가공에 있어서, 웨이퍼(W)는, 다이싱 테이프(T)가 접착된 측의 면이 척 테이블(5)에 배치되어 척 테이블(5)에 흡인 유지되고, 척 테이블(5)의 주위에 배치되는 프레임 유지 수단(6)에 환형 프레임(F)이 유지된 상태에서 행해진다.The wafer W is, for example, a dicing tape T, which is an adhesive tape, is adhered to the back surface, which is the opposite side of the surface, which is the side of the device side on which a plurality of devices are formed, and the dicing tape T is an annular frame of a magnetic body ( By being adhered to F), cutting is performed while being fixed to the annular frame F. In the cutting process of the wafer W in the cutting device 1, the wafer W has the dicing tape T adhered to the chuck table 5 with the side on the chuck table 5 disposed thereon. It is carried out in a state in which the annular frame F is held by the
도 2는 도 1에 도시된 절삭 수단의 상세도이다. 2개의 절삭 수단(10)은, 제1 절삭 수단(11)과 제2 절삭 수단(12)으로 이루어지고, 이들 절삭 수단(10)은, 절삭 블레이드(15)와, 스핀들(20)과, 스핀들 하우징(25)과, 노즐(30)과, 블레이드 커버(35)를 포함하여 구성되어 있다. 즉, 제1 절삭 수단(11)은, 제1 절삭 블레이드(16)와, 제1 스핀들(21)과, 제1 스핀들 하우징(26)과, 제1 노즐(31)과, 제1 블레이드 커버(36)를 포함하여 구성되어 있다. 마찬가지로, 제2 절삭 수단(12)도, 제2 절삭 블레이드(17)와, 제2 스핀들(22)과, 제2 스핀들 하우징(27)과, 제2 노즐(32)과, 제2 블레이드 커버(37)를 포함하여 구성되어 있다. 이 중, 제2 절삭 블레이드(17)는, 제1 절삭 블레이드(16)의 두께보다 약간 얇은 두께로 형성되어 있다.FIG. 2 is a detailed view of the cutting means shown in FIG. 1. The two cutting means 10 is composed of the first cutting means 11 and the second cutting means 12, and these cutting means 10 include a cutting blade 15, a spindle 20, and a spindle. It comprises a housing 25, a nozzle 30, and a blade cover 35. That is, the first cutting means 11 includes a first cutting blade 16, a first spindle 21, a first spindle housing 26, a first nozzle 31, and a first blade cover ( 36). Similarly, the second cutting means 12 also includes a second cutting blade 17, a second spindle 22, a second spindle housing 27, a second nozzle 32, and a second blade cover ( 37). Among them, the second cutting blade 17 is formed to be slightly thinner than the thickness of the first cutting blade 16.
이들 절삭 수단(10)은, 각각 이동 수단에 의해 이동 가능하게 되어 있고, 인덱싱 이송 수단인 Y축 이동 수단(40)과, 절입 이송 수단인 Z축 이동 수단(45)에 의해, Y축 방향과 Z축 방향으로 이동 가능하게 되어 있다. 즉, 제1 절삭 수단(11)은, 제1 Y축 이동 수단(41)과 제1 Z축 이동 수단(46)에 의해, Y축 방향과 Z축 방향으로 이동 가능하게 되어 있고, 제2 절삭 수단(12)은, 제2 Y축 이동 수단(42)과 제2 Z축 이동 수단(47)에 의해, Y축 방향과 Z축 방향으로 이동 가능하게 되어 있다. 이에 의해, 제1 절삭 수단(11)과 제2 절삭 수단(12)은, 척 테이블(5)에 유지된 웨이퍼(W)에 절삭수를 공급하면서, 가공하여야 하는 영역에 절삭 가공을 실시할 수 있다.Each of these cutting means 10 can be moved by the moving means, and the Y-axis moving means 40 as the indexing conveying means and the Z-axis moving means 45 as the infeed conveying means. It is movable in the Z-axis direction. That is, the 1st cutting means 11 is movable by the 1st Y-axis moving means 41 and the 1st Z-axis moving means 46 in a Y-axis direction and a Z-axis direction, and a 2nd cutting The means 12 is movable by the second Y-axis moving means 42 and the second Z-axis moving means 47 in the Y-axis direction and the Z-axis direction. Thereby, the 1st cutting means 11 and the 2nd cutting means 12 can perform a cutting process to the area | region to be processed, supplying cutting water to the wafer W hold | maintained on the chuck table 5 have.
절삭 블레이드(15)는, 환형의 날을 가지며, 정해진 방향으로 회전 가능하게 설치되어 있다. 자세하게는, 절삭 블레이드(15)는, 고속 회전함으로써 척 테이블(5)에 유지된 웨이퍼(W)를 절삭하는 극히 얇은 링 형상으로 형성된 절삭 지석이며, 이에 의해, 절삭 블레이드(15)는, 환형의 날을 가지고 있다. 이 절삭 블레이드(15)는, 고정 너트(도시 생략)에 의해, 스핀들(20)에 교환 가능하게 고정되어 있다. 스핀들 하우징(25)은, 통형으로 형성되어 있고, 내부 삽입된 스핀들(20)을 에어 베어링에 의해 회전 가능하게 지지한다. 노즐(30)은, 절삭 블레이드(15)의 가공점에 절삭액을 분출시켜 공급한다. 블레이드 커버(35)는, 노즐(30)을 착탈 가능하게 유지한다. 제1 절삭 수단(11)과 제2 절삭 수단(12)은, 모두 이들 구조로 구성되어 있다.The cutting blade 15 has an annular blade and is rotatably installed in a predetermined direction. In detail, the cutting blade 15 is a cutting grindstone formed in an extremely thin ring shape for cutting the wafer W held on the chuck table 5 by rotating at high speed, whereby the cutting blade 15 has an annular shape. Have a day The cutting blade 15 is fixed to the spindle 20 by a fixing nut (not shown) to be exchangeable. The spindle housing 25 is formed in a cylindrical shape, and the spindle 20 inserted therein is rotatably supported by an air bearing. The nozzle 30 ejects and supplies the cutting fluid to the machining point of the cutting blade 15. The blade cover 35 holds the nozzle 30 detachably. Both the 1st cutting means 11 and the 2nd cutting means 12 are comprised by these structures.
세정·건조 수단(50)은, 절삭 가공 후의 웨이퍼(W)의 세정과 건조가 가능하게 되어 있다. 자세하게는, 세정·건조 수단(50)은, 회전 구동원으로 발생되는 동력에 의해 스피너 테이블(51)을 회전시키면서, 웨이퍼(W)에 대하여 세정액 분사 장치에 의해 세정액을 분사하여 상기 웨이퍼(W)를 세정하고, 세정 후의 웨이퍼(W)에 기체 분사 장치로부터 기체를 분사하여 상기 웨이퍼(W)를 건조시킬 수 있게 되어 있다.The cleaning and drying means 50 is capable of cleaning and drying the wafer W after cutting. In detail, the cleaning / drying means 50 sprays the cleaning liquid by the cleaning liquid spraying device against the wafer W while rotating the spinner table 51 by the power generated by the rotational drive source, thereby discharging the wafer W. After washing, the wafer W can be dried by spraying gas from the gas injection device to the wafer W after cleaning.
본 실시형태에 따른 웨이퍼(W)의 절삭 방법으로 절삭 가공을 행하는 절삭 장치(1)는, 이상 같은 구성으로 이루어지고, 이하, 그 작용에 대해서 설명한다. 도 3은 도 1에 도시된 절삭 장치에 의해 웨이퍼의 절삭 가공을 행할 때에 있어서의 설명도이다. 전술한 절삭 장치(1)는, 제1 절삭 블레이드(16)와 제2 절삭 블레이드(17)의 2개의 절삭 블레이드(15)에 의해, 단계적으로 웨이퍼(W)의 절단을 행하는, 소위 스텝 컷트에 의해 절단을 행하는 가공 장치로 되어 있다. 즉, 절삭 장치(1)는, 복수의 디바이스(67)(도 5 참조)를 구획하는 스트리트(S)(도 5 참조)를 따라, 제1 절삭 블레이드(15)인 제1 절삭 블레이드(16)로 웨이퍼(W)의 두께 방향에서의 도중까지 절삭하고, 이 절삭홈(66)(도 5 참조)을 따라 제2 절삭 블레이드(15)인 제2 절삭 블레이드(17)에 의해, 웨이퍼(W)의 나머지의 두께분을 절삭한다.The cutting device 1 which performs cutting by the cutting method of the wafer W according to the present embodiment has the above-described configuration, and its operation will be described below. 3 is an explanatory view when cutting a wafer by the cutting device shown in FIG. 1. The above-described cutting device 1 is a so-called step cut that cuts the wafer W step by step by two cutting blades 15 of the first cutting blade 16 and the second cutting blade 17. It becomes the processing apparatus which cuts by. That is, the cutting device 1 is the 1st cutting blade 16 which is the 1st cutting blade 15 along the street S (refer FIG. 5) which divides the some device 67 (refer FIG. 5). The wafer W is cut by the second cutting blade 17 which is the second cutting blade 15 along the cutting groove 66 (see Fig. 5), and cuts halfway in the thickness direction of the furnace wafer W. The rest of the thickness is cut.
또한, 절삭 장치(1)에서 웨이퍼(W)의 절삭 가공을 행할 때에는, 다이싱 테이프(T)가 접착된 웨이퍼(W)에 있어서의, 다이싱 테이프(T)가 접착되어 있는 면의 반대측 면인 표면(61)측으로부터, 절삭 가공을 행한다. 또한, 이와 같이 절삭 가공을 행하는 웨이퍼(W)는, 웨이퍼(W)의 베이스가 되는 기판(65)의 표면(61)측에, TEG(Test Element Group) 등의 회로 패턴을 갖는 표면막 등의 적층체(L)가 적층되어 있고, 이에 의해 웨이퍼(W)에는 복수의 디바이스(67)가 형성되어 있다.In addition, when cutting the wafer W in the cutting device 1, in the wafer W to which the dicing tape T is adhered, it is the side opposite to the surface to which the dicing tape T is adhered. Cutting is performed from the
절삭 장치(1)에서 웨이퍼(W)의 절삭 가공을 행할 때에는, 다이싱 테이프(T)가 접착되어 있는 측의 면인 이면(62)이 하면이 되어 척 테이블(5)에 대향하고, 적층체(L)가 적층되어 있는 측의 면인 표면(61)이 상면이 되는 방향으로, 척 테이블(5) 상에 배치된다. 또한, 환형 프레임(F)을 프레임 유지 수단(6)으로 유지하고, 웨이퍼(W)의 이면(62)측을 척 테이블(5)로 흡인 유지한 상태로, 웨이퍼(W)의 표면(61)측으로부터, 제1 절삭 블레이드(16)와 제2 절삭 블레이드(17)에 의해, 단계적으로 절삭한다. 즉, 제1 절삭 블레이드(16)는, 하프 컷트용의 절삭 블레이드(15)로서 설치되어 있고, 제2 절삭 블레이드(17)는, 분할용의 절삭 블레이드(15)로서 설치되어 있으며, 절삭 장치(1)는, 이 2개의 절삭 블레이드(15)를 이용하여 단계적으로 웨이퍼(W)를 절삭한다.When cutting the wafer W in the cutting device 1, the
도 4는 실시형태에 따른 웨이퍼의 절삭 가공을 이용하여 웨이퍼를 분할할 때 에 있어서의 공정의 흐름도이다. 웨이퍼(W)를 분할할 때에는, 적층체(L)가 적층되어 있는 웨이퍼(W)에 대하여, 먼저, 테이프 접착 공정(스텝 ST11)에서, 다이싱 테이프(T)를 접착한다. 다이싱 테이프(T)는, 내직경이 웨이퍼(W)의 외직경보다 큰 구멍을 갖는 환형 프레임(F)에 접착된다. 이 상태로, 웨이퍼(W)의 이면(62)을, 환형 프레임(F)의 구멍의 부분으로부터 다이싱 테이프(T)에 접착시킨다. 이에 의해, 다이싱 테이프(T)는, 웨이퍼(W)의 이면(62)의 전체면에 접착된다.4 is a flowchart of a process in dividing a wafer using the cutting process of the wafer according to the embodiment. When dividing the wafer W, the dicing tape T is first adhered to the wafer W on which the laminate L is laminated, in a tape bonding step (step ST11). The dicing tape T is adhered to the annular frame F having a hole whose inner diameter is larger than the outer diameter of the wafer W. In this state, the
테이프 접착 공정을 실시하였다면, 다음에, 적층체 제거 공정(스텝 ST12)에서, 웨이퍼(W)의 표면(61)에 적층되어 있는 적층체(L)를 제거한다. 적층체(L)를 제거할 때에는, 우선, 표면(61)이 상면이 되는 방향으로, 절삭 장치(1)의 척 테이블(5)에서 웨이퍼(W)를 유지한다(도 3 참조). 이 상태에서, 웨이퍼(W)에서의 표면(61)측, 즉 적층체(L)가 적층되어 있는 측으로부터, 절삭 블레이드(15)에 의해 웨이퍼(W)의 절삭을 행함으로써, 적층체(L)를 제거한다.If the tape bonding step is performed, then, in the layer removing step (step ST12), the layered layer L stacked on the
도 5는 적층체 제거 공정에서의 절삭의 설명도이다. 도 6은 도 5의 A-A 단면도이다. 적층체 제거 공정은, 2개의 절삭 블레이드(15) 중, 제1 절삭 블레이드(16)를 웨이퍼(W)의 표면(61)에 대향시켜, 회전하는 제1 절삭 블레이드(16)의 외주면을 웨이퍼(W)의 스트리트(S)에 접촉시키면서, 제1 절삭 블레이드(16)와 웨이퍼(W)를 스트리트(S)를 따라 상대 이동시킴으로써 행한다. 이 적층체 제거 공정에서는, 제1 절삭 블레이드(16)를, 적층체(L)의 두께보다 깊고, 웨이퍼(W)의 두께보다 얕은 깊이로, 외주면에서의 하단 부근을 적층체(L)측의 면으로부터 웨이퍼(W)에 절입시켜, 표면(61)측으로부터 기판(65)의 도중까지 절입시킨다. 이에 의해, 제1 절삭 블레이드(16)는, 적층체(L)측의 면으로부터 웨이퍼(W)에 들어간 깊이로, 웨이퍼(W)를 절삭한다.5 is an explanatory diagram of cutting in a layered product removal process. 6 is a cross-sectional view taken along line A-A in FIG. 5. In the stack removal process, among the two cutting blades 15, the first cutting blade 16 is opposed to the
적층체 제거 공정에서는, 제1 절삭 블레이드(16)로 웨이퍼(W)를 절삭함과 동시에, 웨이퍼(W)를 유지하는 척 테이블(5)을, 제1 절삭 블레이드(16)의 회전축과 직교하는 방향으로 상대적으로 이동시킨다. 그때에 있어서의 이동 방향은, 회전하는 제1 절삭 블레이드(16)에 있어서의 하단 부근에서의 회전 방향과 동일한 방향으로 척 테이블(5)을 이동시켜, 제1 절삭 블레이드(16)에 대하여, 이 방향으로 웨이퍼(W)를 상대 이동시킨다. 즉, 척 테이블(5)을, 웨이퍼(W)의 스트리트(S)를 따른 방향이면서, 제1 절삭 블레이드(16)에 있어서 웨이퍼(W)에 접촉하는 부분 부근의 회전 방향과 동일한 방향인 순방향으로 이동시킨다. 이 상태에서는, 제1 절삭 블레이드(16)는, 웨이퍼(W)의 이동 방향에서 제1 절삭 블레이드(16)가 웨이퍼(W)의 절삭을 개시하는 부분은, 상방측으로부터 하방측, 즉 표면(61) 방향측으로부터 이면(62) 방향측을 향하여 절삭을 행하는, 소위 다운 컷트에 의해 절삭을 행한다.In the stack removal step, while cutting the wafer W with the first cutting blade 16, the chuck table 5 holding the wafer W is orthogonal to the rotation axis of the first cutting blade 16. Move relative to the direction. The movement direction at that time moves the chuck table 5 in the same direction as the rotational direction in the vicinity of the lower end of the rotating first cutting blade 16, and the first cutting blade 16 is moved. The wafer W is moved in a relative direction. That is, the chuck table 5 is in the forward direction, which is the direction along the street S of the wafer W, and the same direction as the rotational direction in the vicinity of the portion in contact with the wafer W in the first cutting blade 16. To move. In this state, the first cutting blade 16 has a portion where the first cutting blade 16 starts cutting the wafer W in the moving direction of the wafer W, from the upper side to the lower side, that is, the surface ( 61) Cutting is performed by a so-called down cut, which cuts from the direction side toward the
이에 의해, 제1 절삭 블레이드(16)는, 적층체(L)의 두께보다 깊으며, 웨이퍼(W)의 두께보다 얕은 깊이로, 적층체(L)가 적층되어 있는 측의 면으로부터 웨이퍼(W)를 절삭하고, 이 깊이의 절삭홈(66)을, 스트리트(S)를 따라 형성한다. 바꾸어 말하면, 절삭홈(66)은, 제1 절삭 블레이드(16)의 두께로 적층체(L)가 제거되고, 또한, 기판(65)에서의 적층체(L) 쪽의 부분이 제1 절삭 블레이드(16)의 두께로 절삭됨으로써 형성된다. 이와 같이, 적층체 제거 공정에서는, 제1 절삭 블레이드(16)와 웨이퍼(W)가 대향하는 위치에서, 제1 절삭 블레이드(16)의 회전 방향과 순방향으로 웨이퍼(W)를 스트리트(S)를 따라 상대 이동시켜, 절삭홈(66)을 형성함으로써, 적층체(L)를 제거한다.Thereby, the 1st cutting blade 16 is deeper than the thickness of the laminated body L, and is shallower than the thickness of the wafer W, and the wafer W is from the side on which the laminated body L is laminated. ) Is cut, and a cutting
적층체 제거 공정을 수행하였다면, 다음에, 드레싱 공정(스텝 ST13)에서, 제1 절삭 블레이드(16)의 드레싱을 행한다. 도 7은 드레싱 공정에 있어서의 드레싱의 설명도이다. 도 8은 도 7의 B-B 단면도이다. 드레싱 공정은, 적층체 제거 공정에서 웨이퍼(W)의 절삭을 행한 제1 절삭 블레이드(16)를, 적층체 제거 공정에서의 회전 방향과 동일 방향으로 회전시킨 상태로 외주면을 절삭홈(66)에 접촉시키면서, 적층체 제거 공정에서의 웨이퍼(W)와의 상대 이동의 방향과 반대 방향으로 상대 이동시킴으로써 행한다. 이 드레싱 공정에서는, 제1 절삭 블레이드(16)를, 웨이퍼(W)에 있어서 절삭홈(66)을 형성한 부분의 나머지의 두께, 즉 절삭홈(66)의 홈 바닥으로부터 이면(62)까지의 두께보다 얕은 깊이로, 외주면에서의 하단 부근을 절삭홈(66)의 홈 바닥으로부터 웨이퍼(W)에 절입시킨다. 이에 의해, 제1 절삭 블레이드(16)는, 절삭홈(66)의 홈 바닥으로부터 웨이퍼(W)에 들어간 깊이로, 웨이퍼(W)를 절삭한다.If the laminate removal process has been performed, then, in the dressing process (step ST13), the first cutting blade 16 is dressed. It is explanatory drawing of the dressing in a dressing process. 8 is a cross-sectional view taken along line B-B in FIG. 7. In the dressing process, the outer circumferential surface is cut into the cutting
드레싱 공정에서도, 이와 같이 제1 절삭 블레이드(16)로 웨이퍼(W)를 절삭하지만, 드레싱 공정에서는, 적층체 제거 공정과는 다르게, 척 테이블(5)을, 회전하는 제1 절삭 블레이드(16)에 있어서의 하단 부근에서의 회전 방향의 반대 방향으로 이동시킨다. 즉, 드레싱 공정에서는, 제1 절삭 블레이드(16)의 회전 방향은 적층체 제거 공정에서의 회전 방향을 유지한 채로, 척 테이블(5)을, 적층체 제거 공정에서 이동 방향의 반대 방향으로 이동시킨다. 자세하게는, 적층체 제거 공정에서는, 제1 절삭 블레이드(16)를 스트리트(S)를 따르게 한 상태로, 순방향으로 웨이퍼(W)를 이동시키지만, 제1 절삭 블레이드(16)가 스트리트(S)의 단부에 도달하였다면, 웨이퍼(W)가 반대 방향으로 이동하도록, 척 테이블(5)을 이동시킨다.Even in the dressing process, the wafer W is cut with the first cutting blade 16 in this way, but in the dressing process, unlike the laminate removal process, the first cutting blade 16 for rotating the chuck table 5 It moves in the direction opposite to the rotational direction in the vicinity of the lower end. That is, in the dressing process, the rotation direction of the first cutting blade 16 moves the chuck table 5 in the opposite direction to the movement direction in the stack removal step, while maintaining the rotation direction in the stack removal step. . In detail, in the stack removal step, the wafer W is moved in the forward direction in a state where the first cutting blade 16 follows the street S, but the first cutting blade 16 moves the street S When the end is reached, the chuck table 5 is moved so that the wafer W moves in the opposite direction.
바꾸어 말하면, 드레싱 공정에서는, 제1 절삭 블레이드(16)의 회전 방향은 바꾸지 않고, 척 테이블(5)을, 웨이퍼(W)의 스트리트(S)를 따른 방향이면서, 제1 절삭 블레이드(16)에서 웨이퍼(W)에 접촉하는 부분 부근에 있어서의 회전 방향의 반대 방향인 역방향으로 이동시킨다. 이 상태에서는, 제1 절삭 블레이드(16)는, 웨이퍼(W)의 이동 방향에 있어서 제1 절삭 블레이드(16)가 웨이퍼(W)의 절삭을 개시하는 부분은, 하방측으로부터 상방측, 즉 이면(62) 방향측으로부터 표면(61) 방향측을 향하여 절삭을 행하는, 소위 업 컷트에 의해 절삭을 행한다.In other words, in the dressing process, the rotation direction of the first cutting blade 16 is not changed, and the chuck table 5 is the direction along the street S of the wafer W, while the first cutting blade 16 is It moves in the reverse direction which is the opposite direction of the rotation direction in the vicinity of the part which contacts the wafer W. In this state, in the first cutting blade 16, the portion where the first cutting blade 16 starts cutting the wafer W in the moving direction of the wafer W is from the lower side to the upper side, that is, the back side. (62) Cutting is performed by a so-called up cut, which cuts from the direction side toward the
이에 의해, 제1 절삭 블레이드(16)는, 절삭홈(66)을 보다 깊게 절입하고, 척 테이블(5)이, 제1 절삭 블레이드(16)의 회전 방향과 역방향으로 웨이퍼(W)를 상대 이동시키는 방향으로 이동하는 상태에서, 제1 절삭 블레이드(16)에 의해 절삭홈(66)을 따라 기판(65)을 절삭한다. 드레싱 공정에서는, 이와 같이 제1 절삭 블레이드(16)의 회전 방향과 역방향으로 웨이퍼(W)를 상대 이동시키면서 절삭함으로써, 웨이퍼(W)의 이동 방향을 거스르는 방향으로 제1 절삭 블레이드(16)에 웨이퍼(W)의 절삭을 행하게 한다. 이에 의해, 적층체 제거 공정에서 제1 절삭 블레이드(16)의 선단, 즉 제1 절삭 블레이드(16)의 외주면에 부착된 적층체(L)를 제거하여, 적층체(L)에 포함되는 금속 등을 제1 절삭 블레이드(16)의 외주면으로부터 제거함으로써, 제1 절삭 블레이드(16)의 드레싱을 행한다.Thereby, the 1st cutting blade 16 cuts the cutting
드레싱 공정을 수행하였다면, 다음에, 분할 공정(스텝 ST14)에서, 웨이퍼(W)의 분할을 행한다. 도 9는 분할 공정에 있어서의 절삭의 설명도이다. 도 10은 도 9의 C-C 단면도이다. 분할 공정은, 2개의 절삭 블레이드(15) 중, 제2 절삭 블레이드(17)를 웨이퍼(W)의 표면(61)에 대향시켜, 회전하는 제2 절삭 블레이드(17)의 외주면을, 제1 절삭 블레이드(16)로 형성한 절삭홈(66)에 접촉시키면서, 절삭홈(66)을 따라 제2 절삭 블레이드(17)와 웨이퍼(W)를 상대 이동시킴으로써 행한다. 이 분할 공정에서는, 제2 절삭 블레이드(17)를, 웨이퍼(W) 단일체의 두께보다 깊고, 웨이퍼(W)의 이면(62)에 접착되어 있는 다이싱 테이프(T)는 완전히 절단하지 않는 깊이로, 외주면에서의 하단 부근을 절삭홈(66)의 홈 바닥으로부터 웨이퍼(W)에 절입시킨다. 이에 의해, 제2 절삭 블레이드(17)는, 웨이퍼(W)의 기판(65)은 절단하고, 다이싱 테이프(T)는 절단하지 않는 깊이로, 웨이퍼(W)를 절삭한다.If the dressing process has been performed, then, the wafer W is divided in the division process (step ST14). 9 is an explanatory diagram of cutting in a division process. 10 is a cross-sectional view taken along line C-C in FIG. 9. The dividing process first cuts the outer circumferential surface of the rotating second cutting blade 17 by facing the second cutting blade 17 of the two cutting blades 15 against the
한편, 제2 절삭 블레이드(17)는, 두께가 제1 절삭 블레이드(16)보다 얇기 때문에, 제2 절삭 블레이드(17)는, 제1 절삭 블레이드(16)로 절삭한 절삭홈(66)의 홈 폭은 넓히지 않고, 이 절삭홈(66)의 홈 바닥으로부터, 기판(65)에 대하여 더욱 절삭을 행한다.On the other hand, since the second cutting blade 17 is thinner than the first cutting blade 16, the second cutting blade 17 is a groove of the cutting
분할 공정에서는, 적층체 제거 공정에서 제1 절삭 블레이드(16)에 의해 웨이퍼(W)를 절삭하는 경우와 마찬가지로, 척 테이블(5)을, 회전하는 제2 절삭 블레이드(17)에서의 하단 부근에서의 회전 방향과 동일한 방향으로 이동시켜, 제2 절삭 블레이드(17)에 대하여 웨이퍼(W)를 상대 이동시킨다. 즉, 척 테이블(5)을, 제2 절삭 블레이드(17)에 있어서 웨이퍼(W)에 접촉하는 부분 부근의 회전 방향과 같은 방향인 순방향으로 이동시킨다.In the dividing step, as in the case of cutting the wafer W by the first cutting blade 16 in the stack removal step, the chuck table 5 is located near the lower end of the rotating second cutting blade 17. The wafer W is moved relative to the second cutting blade 17 by moving in the same direction as the rotating direction of. That is, the chuck table 5 is moved in the forward direction, which is the same direction as the rotational direction in the vicinity of the portion in contact with the wafer W in the second cutting blade 17.
이와 같이, 분할 공정에서는, 제2 절삭 블레이드(17)에 의해 절삭홈(66)을 보다 깊게 절입하고, 웨이퍼(W) 단일체의 두께보다 깊으며, 웨이퍼(W)의 이면(62)에 접착되어 있는 다이싱 테이프(T)도 포함한 두께보다는 얕은 깊이로, 절삭홈(66)을 따라 웨이퍼(W)를 절삭한다. 이에 의해, 제2 절삭 블레이드(17)를, 제1 절삭 블레이드(16)에 의해 형성한 절삭홈(66)을 따라 다이싱 테이프(T)의 도중까지 절입한다. 또한, 이와 같이 웨이퍼(W)를 절삭하면서, 제2 절삭 블레이드(17)와 웨이퍼(W)가 대향하는 위치에 있어서, 제2 절삭 블레이드(17)의 회전 방향에 대하여 순방향으로 웨이퍼(W)를 스트리트(S)를 따라 상대 이동시킨다. 이에 의해, 다이싱 테이프(T)는 절단하는 일없이, 제1 절삭 블레이드(16)로 형성한 절삭홈(66)을 따라 기판(65)을 분할하여, 절삭홈(66)의 양측에 위치하는 디바이스(67)끼리를 분할한다.In this way, in the dividing process, the cutting
한편, 이들과 같이 제2 절삭 블레이드(17)를 이용한 분할 공정에서, 정해진 스트리트(S)를 따라 기판(65)을 분할할 때에는, 제1 절삭 블레이드(16)를 이용하여, 다른 스트리트(S)에서 적층체 제거 공정을 행하는 것이 바람직하다.On the other hand, in the dividing process using the second cutting blade 17 as described above, when dividing the
이상의 실시형태에 따른 웨이퍼(W)의 절삭 방법은, 제1 절삭 블레이드(16)로 절삭홈(66)을 형성함으로써 적층체(L)를 제거한 후, 절삭홈(66)에 대하여 제1 절삭 블레이드(16)를 더욱 깊게 절입하고, 제1 절삭 블레이드(16)의 회전 방향과 역방향으로 웨이퍼(W)를 상대 이동시킴으로써, 제1 절삭 블레이드(16)의 드레싱을 행하고 있다. 이 결과, 특수한 기구를 설치할 필요가 없으며, 웨이퍼(W)를 절삭하기 위한 장치를 설치할 때에의 비용을 억제할 수 있기 때문에, 경제성을 향상시킬 수 있다. 또한, 절삭 동작을 중단하는 일없이, 제1 절삭 블레이드(16)의 눈 막힘을 해소하면서 웨이퍼(W)를 절삭할 수 있기 때문에, 제1 절삭 블레이드(16)의 드레싱을 행하기 위해 생산을 정지할 필요가 없어, 작업 처리량의 향상을 도모할 수 있다.Cutting method of the wafer (W) according to the above embodiment, after forming the cutting
또한, 이와 같이 제1 절삭 블레이드(16)의 눈 막힘을 해소하면서, 웨이퍼(W)를 절삭함으로써, 절삭 성능을 향상시킬 수 있기 때문에, 웨이퍼(W)를 절삭함으로써 생성되는 각 디바이스(67)의 품질을 향상시킬 수 있다.In addition, since the cutting performance can be improved by cutting the wafer W while eliminating the clogging of the first cutting blade 16 in this way, the
〔변형예〕〔Modifications〕
또한, 전술한 웨이퍼(W)의 절삭 방법은, 절삭 블레이드(15)로서 제1 절삭 블레이드(16)와 제2 절삭 블레이드(17)를 사용하고, 이 2개의 절삭 블레이드(15)를 이용하여 단계적으로 행하는 절삭 가공인, 소위 스텝 컷트에 의해 웨이퍼(W)를 절삭하는 절삭 장치(1)에서 이용되지만, 이 이외의 절삭 장치(1)에서 이용되어도 좋다. 예컨대, 적층체 제거 공정과 분할 공정을, 절삭용의 하나의 스핀들(20)을 구비하고, 이 스핀들(20)에 고정되는 하나의 절삭 블레이드(15)에 의해 분할을 행하는 절삭 장치(1)를 이용하여 행하여도 좋다. 그 경우에는, 하나의 절삭 블레이드(15)로 절삭홈(66)을 형성함으로써 적층체(L)의 제거를 행한 후, 드레싱 공정을 행하고, 드레싱 공정에서 절삭 블레이드(15)의 선단을 드레스한 후에, 재차 절삭 블레이드(15)로 절삭홈(66)의 풀 컷트를 행함으로써, 웨이퍼(W)를 절삭한다. 이에 의해, 특수한 설비를 준비할 필요가 없으며, 절삭 동작을 중단하는 일없이, 절삭 블레이드(15)의 눈 막힘을 해소하면서, 웨이퍼(W)를 절삭할 수 있다.In addition, the above-described cutting method of the wafer W uses the first cutting blade 16 and the second cutting blade 17 as the cutting blade 15, and uses the two cutting blades 15 to stepwise. Although it is used by the cutting device 1 which cuts the wafer W by a so-called step cut, which is a cutting process performed by, it may be used by other cutting devices 1. For example, the cutting device 1 which divides the layered product removal process and the division process by one cutting blade 15 provided with one spindle 20 for cutting and fixed to the spindle 20 is provided. You may use it. In that case, after forming the cutting
또한, 전술한 웨이퍼(W)의 절삭 방법에서는, 절삭 블레이드(15)의 드레싱 공정을 행하는 타이밍에 대해서는 규정하고 있지 않지만, 절삭 블레이드(15)의 드레싱 공정을 행하는 타이밍은, 적절하게 설정하여도 좋다. 예컨대, 적층체 제거 공정에서, 웨이퍼(W)를 이동시키면서 정해진 스트리트(S)를 따라 스트리트(S)의 단부까지 절삭 블레이드(15)로 절삭 가공을 행한 후, 절삭 블레이드(15)를 다음 스트리트(S)에 위치시키기 위해 웨이퍼(W)가 반대 방향으로 이동할 때에, 그 스트리트(S)에서 절삭 블레이드(15)의 드레싱 공정을 행하여도 좋다. 또는, 스트리트(S)가 복수 형성되는 하나의 웨이퍼(W)에 있어서, 하나의 스트리트(S)만으로 드레싱 공정을 행하여도 좋다. 드레싱 공정은, 웨이퍼(W)의 크기나 적층체(L)의 재질, 스트리트(S)의 수 등에 따라, 적층체 제거 공정을 수행한 후의 임의의 타이밍으로 적절하게 설정하여 실행하는 것이 바람직하다.In addition, although the timing of performing the dressing process of the cutting blade 15 is not prescribed | regulated in the above-mentioned cutting method of the wafer W, the timing of performing the dressing process of the cutting blade 15 may be set suitably. . For example, in the lamination removal process, after the wafer W is moved, the cutting blade 15 is cut to the end of the street S along the predetermined street S, and then the cutting blade 15 is moved to the next street ( When the wafer W moves in the opposite direction to be positioned in S), a dressing process of the cutting blade 15 may be performed on the street S. Alternatively, in one wafer W in which a plurality of streets S are formed, a dressing process may be performed with only one street S. It is preferable that the dressing process is appropriately set and executed at an arbitrary timing after performing the laminate removal process, depending on the size of the wafer W, the material of the laminate L, the number of streets S, and the like.
또한, 전술한 웨이퍼(W)의 절삭 방법에 있어서, 적층체 제거 공정과 분할 공정에서는, 웨이퍼(W)를 절삭 블레이드(15)의 회전 방향에 대하여 순방향으로 이동시키고, 드레싱 공정에서는, 웨이퍼(W)를 절삭 블레이드(15)의 회전 방향에 대하여 역방향으로 이동시키고 있지만, 웨이퍼(W)의 이동 방향은, 이들 이외의 방향이어도 좋다. 즉, 적층체 제거 공정과 분할 공정은, 다운 컷트에 의해 절삭을 행하고, 드레싱 공정은, 업 컷트에 의해 절삭을 행하고 있지만, 절삭 시에서의 절삭 방향은, 이들 이외의 방향이어도 좋다. 예컨대, 드레싱 공정에서 웨이퍼(W)를 순방향으로 이동시켜, 드레싱 공정을 다운 컷트에 의해 행하여도 좋다. 웨이퍼(W)의 이동 방향은, 절삭 장치(1)의 동작 순서나, 요구하는 절삭의 마무리 상태에 따라, 적절하게 설정하는 것이 바람직하다.In addition, in the above-mentioned cutting method of the wafer W, in the stack removal step and the splitting step, the wafer W is moved in the forward direction with respect to the rotational direction of the cutting blade 15, and in the dressing step, the wafer W ) Is moved in the reverse direction with respect to the rotational direction of the cutting blade 15, but the moving direction of the wafer W may be a direction other than these. That is, although the layer removing step and the dividing step are cut by a down cut, the dressing step is cut by an up cut, the cutting direction at the time of cutting may be a direction other than these. For example, in the dressing process, the wafer W may be moved in the forward direction, and the dressing process may be performed by downcutting. It is preferable that the moving direction of the wafer W is appropriately set according to the operation sequence of the cutting device 1 or the required finishing state of cutting.
1 : 절삭 장치 2 : 장치 본체
5 : 척 테이블 10 : 절삭 수단
15 : 절삭 블레이드 16 : 제1 절삭 블레이드
17 : 제2 절삭 블레이드 20 : 스핀들
25 : 스핀들 하우징 30 : 노즐
35 : 블레이드 커버 40 : Y축 이동 수단
45 : Z축 이동 수단 61 : 표면
62 : 이면 65 : 기판
66 : 절삭홈 W : 웨이퍼
T : 다이싱 테이프 L : 적층체
S :스트리트1: cutting device 2: device body
5: chuck table 10: cutting means
15: cutting blade 16: first cutting blade
17: second cutting blade 20: spindle
25: spindle housing 30: nozzle
35: blade cover 40: Y-axis moving means
45: Z-axis moving means 61: surface
62: back 65: substrate
66: cutting groove W: wafer
T: Dicing tape L: Laminate
S: Street
Claims (1)
상기 웨이퍼의 이면에 다이싱 테이프를 접착하는 테이프 접착 공정과,
상기 테이프 접착 공정을 실시한 후에, 상기 절삭 블레이드를 상기 적층체의 두께보다 깊게 상기 기판의 도중까지 절입하고, 상기 절삭 블레이드와 상기 웨이퍼가 대향하는 위치에서 상기 절삭 블레이드의 회전 방향과 동일한 방향으로 상기 웨이퍼를 상기 스트리트를 따라 상대 이동시켜, 절삭홈을 형성함으로써 상기 적층체를 제거하는 적층체 제거 공정, 그리고
상기 적층체 제거 공정을 수행한 후의 임의의 타이밍에, 상기 절삭 블레이드를 상기 적층체 제거 공정에서의 회전 방향과 동일 방향으로 회전시킨 상태로, 상기 절삭홈을 따라 상기 절삭홈보다 깊게 그리고 상기 절삭홈의 홈 바닥으로부터 상기 이면까지의 두께보다 얕은 깊이로 절입하며, 상기 절삭 블레이드의 회전 방향과 역방향으로 상기 웨이퍼를 상대 이동시켜 상기 절삭홈을 따라 상기 기판을 절삭하여, 상기 적층체 제거 공정에서 상기 절삭 블레이드의 선단에 부착된 상기 적층체를 제거하고 상기 절삭 블레이드의 드레싱을 행하는 드레싱 공정
을 포함하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 절삭 방법.With respect to a cutting blade which has an annular blade and rotates in a predetermined direction, a wafer in which a device is formed by a stacked body laminated on a surface of a substrate is moved in a direction orthogonal to a rotation axis of the cutting blade, thereby partitioning the device. As a wafer cutting method for cutting along a plurality of streets,
A tape adhering process for adhering a dicing tape to the back side of the wafer,
After performing the tape bonding process, the cutting blade is cut deeper than the thickness of the laminate to the middle of the substrate, and the wafer is in the same direction as the rotating direction of the cutting blade at a position where the cutting blade and the wafer face each other. A stack removal step of removing the stack by moving relative to the street to form a cutting groove, and
At any timing after performing the laminate removal process, the cutting blade is rotated in the same direction as the rotation direction in the laminate removal process, and deeper than the cutting groove along the cutting groove and the cutting groove Cut into a depth shallower than the thickness from the bottom of the groove to the back surface of the cutting blade and move the wafer in a direction opposite to the direction of rotation of the cutting blade to cut the substrate along the cutting groove to cut the substrate in the laminate removal process. Dressing process for removing the laminate attached to the tip of the blade and dressing the cutting blade
Wafer cutting method comprising a.
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