JP2015046551A - Cutting blade and wafer dividing method - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、ウェーハを分割予定ラインに沿って分割するための切削ブレード及びウェーハの分割方法に関する。 The present invention relates to a cutting blade and a wafer dividing method for dividing a wafer along a dividing line.
半導体ウェーハは、2つの回転する切削ブレードを備えた切削装置により、いわゆるステップカット、デュアルカットと称される分割方法によって分割予定ライン上で分割される(例えば、特許文献1参照)。具体的には、ステップカットでは、一方の切削ブレードにより、溝底がウェーハの裏面に達しないハーフカット溝をウェーハの表面に形成した後、他方の切削ブレードにより、ハーフカット溝の底側を切削して切削溝が形成される。デュアルカットでは、2つの切削ブレードによりウェーハの異なる分割予定ライン上で同時に切削される。これらの分割方法においては、まず、ウェーハの裏面側に保護テープが貼着された後、ウェーハの表面側から保護テープの厚み方向中間まで切削ブレードで切り込むことでウェーハの厚み方向に完全切断がなされる。ここで、完全切断の際には、チップの裏面側エッジにチッピング(欠け)が発生してしまう場合がある。従って、チッピング(欠け)の発生が許容できる程度となるように、切削ブレードの切削速度を低速としてチップ分割を行っている。 A semiconductor wafer is divided on a line to be divided by a cutting apparatus having two rotating cutting blades by a dividing method called so-called step cut or dual cut (see, for example, Patent Document 1). Specifically, in step cutting, a half-cut groove whose bottom does not reach the back surface of the wafer is formed on the wafer surface with one cutting blade, and then the bottom side of the half-cut groove is cut with the other cutting blade. Thus, a cutting groove is formed. In the dual cut, two cutting blades cut simultaneously on different division planned lines of the wafer. In these dividing methods, a protective tape is first attached to the back side of the wafer, and then the cutting is performed with a cutting blade from the front side of the wafer to the middle in the thickness direction of the protective tape so that the wafer is completely cut in the thickness direction of the wafer. The Here, in the case of complete cutting, chipping (chips) may occur at the back side edge of the chip. Therefore, the chip is divided at a low cutting speed of the cutting blade so that the occurrence of chipping (chips) is acceptable.
一方、切削ブレードにおける切削加工においては、裏面加工品質を悪化させずに加工速度を上昇することが要求されている。かかる要求に応じるため、切削ブレードにより完全切断を行わずにハーフカット溝を形成した後、保護テープに外力を付与し、ハーフカット溝を起点に亀裂を成長させて分割することができれば、切削送り速度を大幅に上昇させることができる。 On the other hand, in cutting with a cutting blade, it is required to increase the processing speed without deteriorating the back surface processing quality. In order to meet these requirements, after forming a half-cut groove without completely cutting with a cutting blade, if external force is applied to the protective tape and cracks can grow and be divided starting from the half-cut groove, the cutting feed Speed can be increased significantly.
しかし、通常の切削ブレードにあっては、先端が摩耗により半円形状になり、この影響でハーフカット溝の溝底も半円状の断面形状に形成される。このため、ハーフカット溝の溝底を起点に亀裂を成長させると、亀裂の形成位置が不均一になってしまい、適切な位置でウェーハを分割することが難しい、という問題がある。 However, in a normal cutting blade, the tip becomes semicircular due to wear, and the groove bottom of the half cut groove is also formed in a semicircular cross-sectional shape due to this influence. For this reason, when a crack is grown starting from the groove bottom of the half-cut groove, there is a problem that the formation position of the crack becomes non-uniform and it is difficult to divide the wafer at an appropriate position.
本発明は、上記問題に鑑みてなされたものであり、その目的は、切削溝の溝底に亀裂を発生させるための起点を形成でき、起点の形成位置に沿う適切な位置でウェーハを分割することができる切削ブレード及びウェーハの分割方法を提供することである。 The present invention has been made in view of the above problems, and its purpose is to form a starting point for generating a crack in the groove bottom of the cutting groove, and to divide the wafer at an appropriate position along the forming position of the starting point. It is to provide a cutting blade and a wafer dividing method that can be used.
本発明の切削ブレードは、ウェーハの切削を行う円環形状の切削刃を有する切削ブレードであって、該切削刃の先端側は、一方の面の先端を頂点として該頂点から他方の面に向けて傾斜し、断面形状が、片刃形状に形成されている、ことを特徴とする。 The cutting blade of the present invention is a cutting blade having an annular cutting blade for cutting a wafer, and the tip side of the cutting blade is directed from the top to the other side with the tip of one surface as a vertex. And the cross-sectional shape is a single-edged shape.
この構成によれば、切削刃が片刃形状に形成されるので、ウェーハ表面にハーフカットとなる切削溝を形成した場合、切削溝の溝底も片刃形状に応じて傾斜した断面形状に形成することができる。これにより、溝底において、切削刃の頂点で切削した尖った位置を起点としてウェーハ裏面側に向かい亀裂が発生しやすくなり、ウェーハを適切な位置で分割することができる。 According to this configuration, since the cutting blade is formed in a single-edged shape, when a cutting groove that is a half cut is formed on the wafer surface, the groove bottom of the cutting groove is also formed in a cross-sectional shape inclined according to the single-edged shape. Can do. Thereby, at the groove bottom, cracks are likely to occur toward the wafer back surface starting from the pointed position cut at the apex of the cutting blade, and the wafer can be divided at an appropriate position.
また、本発明のウェーハの分割方法では、上記の切削ブレードを使用して、表面に分割予定ラインが形成されたウェーハを該分割予定ラインに沿って分割を行うウェーハの分割方法であって、ウェーハの裏面に保護テープを貼着する貼着工程と、該貼着工程を実施した後に、該保護テープ側をチャックテーブルに保持し、該切削ブレードをウェーハ表面側からウェーハの厚さ方向の途中まで切り込み該分割予定ラインに沿って切削をし、溝底がウェーハ表面に対して傾斜した切削溝をウェーハに形成する切削溝形成工程と、該切削溝形成工程を実施した後に、該切削溝が形成されたウェーハに外力を付与して該溝底の前記頂点を起点に亀裂を発生させ、該分割予定ラインに沿って個々のチップに分割する分割工程と、から構成される。この方法によっても、上述した作用、効果を得ることができる。 The wafer dividing method according to the present invention is a wafer dividing method for dividing a wafer having a predetermined dividing line formed on the surface thereof along the planned dividing line using the cutting blade, A sticking step of sticking a protective tape on the back surface of the wafer, and after carrying out the sticking step, the protective tape side is held on a chuck table, and the cutting blade is moved from the wafer surface side to the middle of the wafer thickness direction. Cutting along the line to be cut and forming a cutting groove on the wafer where the groove bottom is inclined with respect to the wafer surface, and forming the cutting groove after performing the cutting groove forming process A dividing step of applying an external force to the formed wafer to generate a crack starting from the apex of the groove bottom, and dividing the wafer into individual chips along the planned dividing line. Also by this method, the above-described actions and effects can be obtained.
本発明によれば、切削溝の溝底に亀裂を発生させるための起点を形成でき、起点の形成位置に沿う適切な位置でウェーハを分割することができる。 According to the present invention, it is possible to form a starting point for generating a crack in the groove bottom of the cutting groove, and to divide the wafer at an appropriate position along the forming position of the starting point.
以下、添付図面を参照して、本実施の形態に係るウェーハの分割方法ついて説明する。図1は、本実施の形態に係る切削装置の概略斜視図である。 Hereinafter, a wafer dividing method according to the present embodiment will be described with reference to the accompanying drawings. FIG. 1 is a schematic perspective view of a cutting apparatus according to the present embodiment.
図1に示すように、切削装置1は、基台2と、チャックテーブル3と、基台2上に設けられてチャックテーブル3をX軸方向に加工送りするチャックテーブル移動機構4と、チャックテーブル3で保持されたウェーハWを切削する切削機構5とを備えて構成されている。
As shown in FIG. 1, a
ここで、切削対象となるウェーハWについて説明すると、円板状をなすウェーハWの表面は、格子状に配列された分割予定ラインとなるストリートSTによって複数の領域に区画され、この区画された領域にIC、LSI、LED等の各種デバイスDが形成されている。また、ウェーハWの裏面には保護テープTが貼着され、この保護テープTを介して環状のフレームFにウェーハWが装着されている。 Here, the wafer W to be cut will be described. The surface of the wafer W having a disk shape is partitioned into a plurality of regions by streets ST which are the planned division lines arranged in a lattice pattern. In addition, various devices D such as IC, LSI, LED and the like are formed. A protective tape T is attached to the back surface of the wafer W, and the wafer W is mounted on the annular frame F via the protective tape T.
チャックテーブル3は、後述するX軸テーブル16の上面に固定されてZ軸回りに回転可能なθテーブル10と、θテーブル10の上部に設けられ、ウェーハWを吸着保持する保持部11とを有している。保持部11の上面中央部分には、ポーラスセラミック材により保持面12が形成され、この保持面12は、保持部11内の流路を通じて吸引源(不図示)に接続されている。保持部11の周囲における四箇所位置には、クランプ部13がそれぞれ設けられている。各クランプ部13は、エアアクチュエータ(不図示)により駆動し、ウェーハWの周囲のフレームFを挟持固定する(図6A参照)。
The chuck table 3 includes a θ table 10 that is fixed to the upper surface of an X-axis table 16 to be described later and that can rotate about the Z-axis, and a
チャックテーブル移動機構4は、基台2の上面に配置されたX軸方向に平行な一対のガイドレール15と、一対のガイドレール15にスライド可能に設置されたモータ駆動のX軸テーブル16とを有している。X軸テーブル16の上部には、チャックテーブル3が設けられている。また、X軸テーブル16の下面側には、図示しないナット部が形成され、このナット部にボールネジ17が螺合されている。そして、ボールネジ17の一端部には、駆動モータ18が連結されている。駆動モータ18によりボールネジ17が回転駆動され、チャックテーブル3がガイドレール15に沿ってX軸方向に移動される。
The chuck
切削機構5は、基台2上に固定された門型の柱部21と、柱部21に設けられたブレードユニット移動機構22と、ブレードユニット移動機構22によってY軸及びZ軸方向に移動可能に支持される一対のブレードユニット23とを有する。
The
ブレードユニット移動機構22は、柱部21の前面に対してY軸方向に平行な一対のガイドレール25と、一対のガイドレール25にスライド可能に設置されたモータ駆動の一対のY軸テーブル26とを有している。また、ブレードユニット移動機構22は、各Y軸テーブル26の前面に配置されたZ軸方向に平行な一対のガイドレール27と、各ガイドレール27にスライド可能に設置されたモータ駆動のZ軸テーブル28とを有している。各Z軸テーブル28の下部には、ブレードユニット23がそれぞれ設けられている。
The blade
各Y軸テーブル26の背面側には、図示しないナット部が形成され、これらナット部にボールネジ30が螺合されている。また、各Z軸テーブル28の背面側には、図示しないナット部が形成され、これらナット部にボールネジ31が螺合されている。Y軸テーブル26用のボールネジ30、Z軸テーブル28用のボールネジ31の一端部には、それぞれ駆動モータ33,34が連結されている。これら駆動モータ33,34によりボールネジ30,31が回転駆動され、ブレードユニット23がガイドレール25,27に沿ってY軸方向及びZ軸方向に移動される。
A nut portion (not shown) is formed on the back side of each Y-axis table 26, and a
次に、図2及び図3を参照してブレードユニット23について詳細に説明する。図2は、本実施の形態に係るブレードユニット23の分解斜視図である。図3は、ブレードユニット23の部分正面模式図である。
Next, the
図2に示すように、ブレードユニット23は、スピンドルユニット37と、スピンドルユニット37の一端側に着脱可能に装着される切削ブレード38とを備える。スピンドルユニット37の他端側にはモータ(不図示)が連結されており、このモータを駆動することで切削ブレード38を回転し、ウェーハWに切削溝M(図6B参照)を形成できるようになっている。
As shown in FIG. 2, the
スピンドルユニット37は、回転軸を構成するスピンドルシャフト40と、スピンドルシャフト40を支持するスピンドルハウジング41とを含む。スピンドルシャフト40の先端部は、スピンドルハウジング41から突出しており、切削ブレード38固定用のマウントフランジ42がネジ43を介して装着されている。
The
マウントフランジ42は、円筒状のボス部45と、ボス部45の外周面から外方に延出する固定フランジ46とを有している。ボス部45には、スピンドルシャフト40の先端部が嵌め込まれる嵌合孔45a(図3参照)が設けられている。
The
切削ブレード38は、ハブブレードであり、ウェーハWを切削する砥石からなる切削刃48と、切削刃48を保持するハブ基台49とを有している。ハブ基台49の中央には、ボス部45が挿入される貫通孔49aが形成されている。ハブ基台49がボス部45に差し込まれると、ハブ基台49からボス部45の略半部が突出される。このボス部45の略半部には外周面にネジ部45bが形成されている。切削ブレード38は、ハブ基台49から突出したネジ部45bにリング状の固定ナット50が締め付けられることで、マウントフランジ42に固定される。
The
切削刃48は、例えば、ダイヤモンド等の砥粒をボンド材で結合して円環形状に形成され、スピンドルシャフト40を介して回転する切削刃48をウェーハWに接触させることで、ウェーハWが切削加工される。切削刃48の図3中左面となる一方の面48aは、ハブ基台49に保持されている。また、切削刃48の一方の面48aは、Y軸と平行となる回転中心軸Cに直交する面(ZX平面)と平行に形成されている。切削刃48の先端側において、一方の面48aと他方の面48bとにより頂点48cが形成される。切削刃48の他方の面48bは、頂点48cから一方の面48aに対して傾斜する方向に向けられたテーパ面をなしている。従って、切削刃48の先端側における断面形状は、片刃形状に形成されることとなる。
The
なお、上記のブレードユニット23では、切削ブレード38をハブブレードとしたが、図4に示すように、切削ブレード55をワッシャーブレードとしたブレードユニット56を採用してもよい。切削ブレード55は、円環形状に形成された切削刃57からなり、この切削刃57の先端側の形状は、上記の切削刃48と同様の形状に形成される。図4において、スピンドルユニット37では、スピンドルシャフト40の先端部に、切削ブレード55固定用のマウントフランジ59がネジ60を介して装着されている。マウントフランジ59は、円筒状のボス部62と、ボス部62に連なる固定フランジ63とを有している。ボス部62の外周面にはネジ部62aが形成され、このネジ62aに固定ナット65がねじ結合される。ボス部62に切削ブレード55を挿入し、更に着脱フランジ66をボス部62に挿入して、固定ナット65をネジ部62aに締め付けることにより、切削刃57は固定フランジ63と着脱フランジ66により両側から挟まれてスピンドルシャフト40に取り付けられる。
In the
次に、図5乃至図7を参照して、本実施の形態に係るウェーハWの分割方法の流れについて説明する。図5は、貼着工程の説明図である。図6A及び図6Bは、切削溝形成工程の説明図であり、図7は、分割工程の説明図である。 Next, the flow of the wafer W dividing method according to the present embodiment will be described with reference to FIGS. FIG. 5 is an explanatory diagram of the sticking process. 6A and 6B are explanatory diagrams of the cutting groove forming step, and FIG. 7 is an explanatory diagram of the dividing step.
図5に示すように、まず貼着工程が実施される。貼着工程では、まず、環状のフレームFの内側にウェーハWが表面を下向きとした状態で配置される。その後、ウェーハWの裏面(上面)とフレームFの上面とが保護テープTによって一体に貼着され、保護テープTを介してフレームFにウェーハWが装着される。 As shown in FIG. 5, a sticking process is first implemented. In the attaching step, first, the wafer W is arranged inside the annular frame F with the surface facing downward. Thereafter, the back surface (upper surface) of the wafer W and the upper surface of the frame F are bonded together by the protective tape T, and the wafer W is mounted on the frame F via the protective tape T.
図6に示すように、貼着工程を実施した後には切削溝形成工程が実施される。切削溝形成工程では、まず、保護テープTを介してフレームFに装着されたウェーハWが上下反転され、ウェーハWの表面を上向き、保護テープTがウェーハWの下側に位置する向きとしてチャックテーブル3上に搬送される。そして、チャックテーブル3の保持面12の面内にウェーハWが収まる状態で、保護テープTが貼着されたウェーハWが保持面12に載置される(図6A参照)。その後、保持面12が吸引源(不図示)に連通し、保護テープTを介してフレームFに装着されたウェーハWがチャックテーブル3に吸着保持される。この状態で、チャックテーブル3の外周では、4体のクランプ部13によってフレームFが挟持され、保持される。
As shown in FIG. 6, after performing the sticking process, the cutting groove forming process is performed. In the cutting groove forming step, first, the wafer W mounted on the frame F via the protective tape T is turned upside down, the surface of the wafer W faces upward, and the protective tape T is positioned below the wafer W so that the chuck table 3 is conveyed. Then, the wafer W to which the protective tape T is stuck is placed on the holding
かかる保持を完了した後、チャックテーブル3に保持されたウェーハWにおける格子状のストリートSTが、θテーブル10の回転によってX軸方向及びY軸方向と平行に位置合わせされる。次いで、Y軸テーブル26の移動によって、一対のブレードユニット23の切削刃48がウェーハWのY軸方向両端に最も近いストリートSTにそれぞれ位置付けされる。次に、各Z軸テーブル28の移動によって回転された切削刃48のウェーハWに対する切削溝Mの深さDpが調整される(図6B参照)。深さDpは、切削溝Mがハーフカット溝となるよう、溝底MaにおけるウェーハW裏面側の頂点MbがウェーハWの裏面から所定厚みを残すように設定される。Z軸テーブル28による切削刃48の位置調整後、高速回転された切削刃48に対してX軸テーブル16が相対移動されることで、ウェーハWのストリートSTに沿って深さDpの切削溝Mが形成される。1本の切削溝Mを形成する毎に、ストリートSTのY軸方向のピッチ間隔分、Y軸テーブル26が移動され、X軸と平行なストリートST全てに切削溝Mが形成された後、θテーブル10が90°回転される。すると、格子状のストリートSTのうち、切削溝Mが未形成のストリートSTがX軸と平行とされる。この状態から前述と同様にX軸と平行なストリートST全てに切削溝Mが形成され、格子状のストリートST全てにおいて切削溝Mが形成される。
After completing such holding, the lattice-shaped streets ST on the wafer W held on the chuck table 3 are aligned in parallel with the X-axis direction and the Y-axis direction by the rotation of the θ table 10. Next, the
図7に示すように、切削溝形成工程を実施した後には分割工程が実施される。分割工程では、先ず、保護テープTを介してフレームFに装着されたウェーハWが分割装置(不図示)に搬入される。分割装置では、環状テーブル70上でクランプ部71によってフレームFが保持され、ウェーハWとフレームFとの間に拡張ドラム72の上端が位置付けられる。そして、環状テーブル70と共にフレームFが下降することで、拡張ドラム72が環状テーブル70に対して相対的に上昇される。これにより、保護テープTが放射方向に拡張されて、切削溝Mが形成されたウェーハWに面方向に引っ張られる外力が付与され、溝底Maの頂点Mbに集中的にストレスが発生される。そして、頂点Mbを起点にウェーハW裏面に至る亀裂Kが発生し、ストリートSTに沿ってウェーハWが複数のチップに分割される。
As shown in FIG. 7, after performing the cutting groove forming process, the dividing process is performed. In the dividing step, first, the wafer W mounted on the frame F is carried into a dividing device (not shown) via the protective tape T. In the dividing apparatus, the frame F is held by the
以上のように、本実施の形態に係る分割方法によれば、ハーフカット溝となる切削溝Mの溝底Maが切削刃48の片刃形状に応じて傾斜した形状となるので、ウェーハWに外力が加わると、溝底Maの頂点Mbに応力が集中して頂点Mbにせん断力を大きく発生させることができる。これにより、各切削溝Mにおいて、亀裂Kの起点が頂点Mbに安定して保たれ、複数のチップに分割する位置がストリートSTの幅方向にずれてバラツキが生じることを防止でき、チップの形状及びサイズを適切に精度良く維持することができる。
As described above, according to the dividing method according to the present embodiment, the groove bottom Ma of the cutting groove M serving as a half-cut groove is inclined according to the single-edged shape of the
また、本実施の形態では、保護テープTの厚み方向中間まで切り込まなくても、ウェーハWの厚み方向に完全切断をすることができる。これにより、切削ブレードだけによる完全切断と比較すると、ハーフカットで切削溝Mを形成するので、切削送り速度を上昇することができ、ひいては、チップ分割のスループットを向上することができる。しかも、ウェーハWの分割において、切削ブレード38がウェーハWの裏面まで達することがないので、チップの裏面側エッジにおけるチッピング発生の低減も図ることができる。
In the present embodiment, the wafer W can be completely cut in the thickness direction without being cut into the middle in the thickness direction of the protective tape T. Thus, as compared with complete cutting using only the cutting blade, the cutting groove M is formed by half-cutting, so that the cutting feed rate can be increased, and as a result, the throughput of chip division can be improved. In addition, since the
更に、切削刃48は他方の面48bだけがZX平面に対して傾斜する片刃形状となるので、いわゆる両刃形状の切削刃に比べ、テーパ面を形成する工程を減らして製造工程の簡略化を図ることができる。また、切削刃48を片刃形状とすることで、両刃形状に比べ、切削刃48の厚みを薄くし、刃先の角度をより鋭角としても、刃先が継時的に丸まってしまうことを抑制することができる。これにより、切削刃48を交換サイクルを長くしても、溝底Maの頂点Mbに応力が集中し易い状態に長期間保つことができ、これによっても、ウェーハWを適切な位置でより良く分割することができる。
Furthermore, since the
なお、本発明は上記実施の形態に限定されず、種々変更して実施することが可能である。上記実施の形態において、添付図面に図示されている大きさや形状などについては、これに限定されず、本発明の効果を発揮する範囲内で適宜変更することが可能である。その他、本発明の目的の範囲を逸脱しない限りにおいて適宜変更して実施することが可能である。 In addition, this invention is not limited to the said embodiment, It can change and implement variously. In the above-described embodiment, the size, shape, and the like illustrated in the accompanying drawings are not limited to this, and can be appropriately changed within a range in which the effect of the present invention is exhibited. In addition, various modifications can be made without departing from the scope of the object of the present invention.
例えば、分割工程は、上記実施の形態で説明した方法に限られるものでなく、ウェーハWに外力を付与して頂点Mbを起点に亀裂Kを発生できる限りにおいて、変更してもよい。他の方法の一例を挙げると、チャックテーブル3の保持面12におけるストリートSTの直下位置に吸引溝を形成し、この吸引溝を負圧にして保護テープTを凹ませるように変形させることで亀裂Kを生じさせてもよい。
For example, the dividing step is not limited to the method described in the above embodiment, and may be changed as long as an external force is applied to the wafer W and the crack K can be generated from the vertex Mb. As an example of another method, a suction groove is formed at a position immediately below the street ST on the holding
また、ブレードユニット23の設置数を一体とし、これに応じてZ軸テーブル28等、ブレードユニット移動機構22の構成の一部を省略してもよい。
Further, the number of
以上説明したように、本発明は、ハーフカットで切削溝を形成する切削ブレード、及びこの切削ブレードによって切削溝が形成されたウェーハに外力を付与して分割する分割方法に有用である。 As described above, the present invention is useful for a cutting blade that forms a cutting groove by half-cutting, and a dividing method that divides the wafer in which the cutting groove is formed by the cutting blade by applying an external force.
1 切削装置
3 チャックテーブル
38 切削ブレード
48 切削刃
48a 一方の面
48b 他方の面
48c 頂点
55 切削ブレード
57 切削刃
M 切削溝
Ma 溝底
Mb 頂点
ST ストリート(分割予定ライン)
T 保護テープ
W ウェーハ
DESCRIPTION OF
T Protective tape W Wafer
Claims (2)
該切削刃の先端側は、一方の面の先端を頂点として該頂点から他方の面に向けて傾斜し、断面形状が、片刃形状に形成されている、ことを特徴とする切削ブレード。 A cutting blade having an annular cutting blade for cutting a wafer,
The cutting blade is characterized in that the tip end side of the cutting blade is inclined from the apex of one surface toward the other surface, and the cross-sectional shape is formed in a single-edged shape.
ウェーハの裏面に保護テープを貼着する貼着工程と、
該貼着工程を実施した後に、該保護テープ側をチャックテーブルに保持し、該切削ブレードをウェーハ表面側からウェーハの厚さ方向の途中まで切り込み該分割予定ラインに沿って切削をし、溝底がウェーハ表面に対して傾斜した切削溝をウェーハに形成する切削溝形成工程と、
該切削溝形成工程を実施した後に、該切削溝が形成されたウェーハに外力を付与して該溝底の前記頂点を起点に亀裂を発生させ、該分割予定ラインに沿って個々のチップに分割する分割工程と、
から構成されるウェーハの分割方法。 A method for dividing a wafer, wherein the cutting blade according to claim 1 is used to divide a wafer having a division line formed on the surface along the division line.
An adhering step of adhering a protective tape to the back surface of the wafer;
After carrying out the adhering step, the protective tape side is held on the chuck table, the cutting blade is cut from the wafer surface side to the middle of the wafer thickness direction, and cut along the planned dividing line. Cutting groove forming step for forming a cutting groove inclined to the wafer surface on the wafer;
After performing the cutting groove forming step, an external force is applied to the wafer on which the cutting groove is formed to generate a crack starting from the apex of the groove bottom, and the chip is divided into individual chips along the division line. Splitting process,
A wafer dividing method comprising:
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JPH08316176A (en) * | 1995-05-17 | 1996-11-29 | Sony Corp | Dicing apparatus |
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-
2013
- 2013-08-29 JP JP2013178169A patent/JP2015046551A/en active Pending
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