JP2007229831A - Cutting method by dicing blade - Google Patents

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洋久 松下
Koji Nakahara
孝司 中原
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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a cutting method for a dicing blade capable of extraordinarily reducing a generation percentage of defective cut portions, and improving a production yield only by properly performing initial setting of cut conditions without causing productivity degradation due to an increase in the number of processes. <P>SOLUTION: This is a cutting method using the dicing blade 10 rotated and driven by a dicing device along a dicing line 101 formed for partitioning and forming a plurality of optical parts piece regions 102 with small area on a surface of an optical substrate wafer 100. Dicing is performed under the cutting conditions described below: (a) Concentration ratio of the blade: 50-60, (b) Dicing tape adhesive material: acrylic UV hardened type, Adhesive thickness: 5-8 μm, Adhesive strength before UV irradiation: 4-7 N/20 mm, Adhesive strength after UV irradiation: 0.37 N/20 mm, (c) Rotational speed of dicing blade: 27,000-30,000 rpm, Feed rate of dicing blade: 10-14 mm/sec. <P>COPYRIGHT: (C)2007,JPO&INPIT

Description

本発明はガラス基板ウェハ等の大面積の光学基板ウェハを用いて光学部品を量産する工程において、生産性を低下させることなく、ウェハ切断面における切断不良箇所の発生率を大幅に低減することができるダイシングブレードによる切断方法に関する。   In the process of mass-producing optical components using a large-area optical substrate wafer such as a glass substrate wafer, the present invention can greatly reduce the incidence of defective cutting locations on the wafer cutting surface without reducing productivity. The present invention relates to a cutting method using a dicing blade.

従来、ガラス基板等の光学基板面上に光学薄膜パターンを備えた構造の光学部品を量産する場合には、例えば大面積のガラス基板ウェハ面上の各光学部品個片領域上にフォトリソグラフィ技術とエッチング技術を用いて光学薄膜パターンを形成してゆく。この際、個片領域の境界線に沿って光学薄膜パターンから成る線状のダイシングラインが格子状に成膜される。ダイシングラインに沿って切断することにより、ガラス基板ウェハは光学部品個片に分割される。
図5(a)及び(b)はガラス基板ウェハ100をダイシングテープ(ウェハ接着用テープ)102の上面中央部に接着した状態を示す平面図、及び正面図である。
ウェハ100の面上には格子状にダイシングライン101が形成されており、ダイシングテープ103の上面に設けた接着剤層上にウェハ100の下面を接着保持している。
Conventionally, when mass-producing an optical component having an optical thin film pattern on an optical substrate surface such as a glass substrate, for example, a photolithographic technique on each optical component individual region on a large-area glass substrate wafer surface An optical thin film pattern is formed using an etching technique. At this time, linear dicing lines composed of optical thin film patterns are formed in a lattice shape along the boundary lines of the individual regions. By cutting along the dicing line, the glass substrate wafer is divided into optical component pieces.
FIGS. 5A and 5B are a plan view and a front view showing a state where the glass substrate wafer 100 is bonded to the center of the upper surface of a dicing tape (wafer bonding tape) 102.
Dicing lines 101 are formed in a lattice pattern on the surface of the wafer 100, and the lower surface of the wafer 100 is bonded and held on an adhesive layer provided on the upper surface of the dicing tape 103.

図6(a)及び(b)は図5に示したガラス基板ウェハ及びテープを後述するダイシング装置に装着する前段階の作業として、内外のリング部材110、111によってダイシングテープ103を固定する手順を示している。小径の内リング部材110は、大径の外リング部材111の内周に嵌合可能な外径寸法を備えていると共に、ウェハ100の外径よりも大きい外径寸法を備えている。まず、図6(a)に示すようにウェハ100を中央部に保持したダイシングテープ103を内リング部材110の上面側に載置してから、内リング部材110の外周面と外リング部材111の内周面との間にダイシングテープ103が挟み込まれるように外リング部材111を内リング部材110の外周に嵌合させて締め付け固定する。このように内外のリング部材110、111間によりダイシングテープ103を挟み込むことにより、内外のリング部材の上面にウェハ100が固定された状態となる。   6 (a) and 6 (b) show a procedure for fixing the dicing tape 103 by the inner and outer ring members 110 and 111 as a pre-stage operation for mounting the glass substrate wafer and tape shown in FIG. Show. The small-diameter inner ring member 110 has an outer diameter dimension that can be fitted to the inner periphery of the large-diameter outer ring member 111, and has an outer diameter dimension that is larger than the outer diameter of the wafer 100. First, as shown in FIG. 6A, after the dicing tape 103 holding the wafer 100 at the center is placed on the upper surface side of the inner ring member 110, the outer peripheral surface of the inner ring member 110 and the outer ring member 111 are The outer ring member 111 is fitted to the outer periphery of the inner ring member 110 and fixed so that the dicing tape 103 is sandwiched between the inner peripheral surface and the inner peripheral surface. Thus, by sandwiching the dicing tape 103 between the inner and outer ring members 110 and 111, the wafer 100 is fixed to the upper surface of the inner and outer ring members.

図7(a)は従来のダイシング装置により光学基板ウェハを切断する状態を示す略図である。このダイシング装置は、ステージ120上に、図6(b)に示したウェハ100を保持した内外のリング部材110、111を固定した状態で、ウェハ100を、水冷式のスピンドルモータ121によって回転駆動される円盤状のダイシングブレード122によって、ダイシングライン101に沿って切断する。縦方向のダイシングラインの切断が終了した後で、ステージ120を90度回転させ、横方向のダイシングラインの切断を実施する。切断に際しては、純水等からなる切削水を切削箇所に供給しながら、ダイシングラインに沿ってダイシングブレード122の刃先が移動するようにスピンドルモータ121を所定の送り速度にて移動させつつ切断を実施する。ダイシングブレードによる切断深さは、ウェハ100をフルカットする一方で、その直下に位置するダイシングテープ103についてはハーフカットする程度に設定する。   FIG. 7A is a schematic diagram showing a state in which an optical substrate wafer is cut by a conventional dicing apparatus. In this dicing apparatus, the wafer 100 is rotationally driven by a water-cooled spindle motor 121 while the inner and outer ring members 110 and 111 holding the wafer 100 shown in FIG. The disc-shaped dicing blade 122 cuts along the dicing line 101. After the cutting of the vertical dicing line is completed, the stage 120 is rotated by 90 degrees to cut the horizontal dicing line. During cutting, cutting water is supplied while moving the spindle motor 121 at a predetermined feed speed so that the cutting edge of the dicing blade 122 moves along the dicing line while supplying cutting water made of pure water or the like to the cutting location. To do. The cutting depth by the dicing blade is set such that the wafer 100 is fully cut while the dicing tape 103 positioned immediately below the wafer 100 is half-cut.

スピンドルモータ121は、図示しない冷却水循環経路を内蔵し、発熱部を適宜冷却するように構成されている。
ダイシングブレード122は樹脂バインダー中にダイヤモンド粒を分散配置した構成を備えており、樹脂バインダー中におけるダイヤ粒の分散密度をブレードの集中度と称する。また、図7(b)に示すようにダイシングブレード122はブレード本体122aの両面中心部から所定の範囲を円盤状の支持板122bにより支持した構成を備えており、支持板122bの外周縁からブレード本体122aの先端までの長さLを歯出し量と称する。
ダイシングテープ103は、基材の片面に接着剤層を形成した構成を備える。
The spindle motor 121 has a built-in cooling water circulation path (not shown) and is configured to appropriately cool the heat generating portion.
The dicing blade 122 has a configuration in which diamond grains are dispersed in a resin binder, and the dispersion density of diamond grains in the resin binder is referred to as the degree of concentration of the blade. Further, as shown in FIG. 7B, the dicing blade 122 has a configuration in which a predetermined range is supported by a disk-shaped support plate 122b from the center of both surfaces of the blade body 122a. The length L up to the tip of the main body 122a is referred to as a tooth extension amount.
The dicing tape 103 has a configuration in which an adhesive layer is formed on one side of a base material.

上記構成を備えたダイシング装置を用いてダイシングテープ103上のウェハ100を切断する作業は、例えば以下の条件にて実施される。
(a)ダイシングブレード
製品名:SDC400GEBNR(ノリタケ社製)
ブレードの集中度:75
歯出し量:1.2〜2.4mm
(b)ダイシングテープ
製品名:NBD−5170K(日東電工社製)
基材材質:ポリオレフィン、基材厚み:150μm、
接着剤材質:アクリル系UV硬化型接着剤、接着剤厚み:20μm、
UV照射前粘着力:14.7N/20mm、UV照射前粘着力:0.15N/20mm
(c)ダイシング装置
ダイシングブレードの回転数:30000rpm
ダイシングブレードの送り速度:10mm/sec
(d)切削水:純水
The operation of cutting the wafer 100 on the dicing tape 103 using the dicing apparatus having the above configuration is performed under the following conditions, for example.
(A) Dicing blade Product name: SDC400GEBNR (manufactured by Noritake)
Blade concentration: 75
Denture amount: 1.2 to 2.4 mm
(B) Dicing tape Product name: NBD-5170K (manufactured by Nitto Denko Corporation)
Substrate material: polyolefin, substrate thickness: 150 μm,
Adhesive material: acrylic UV curable adhesive, adhesive thickness: 20 μm,
Adhesive strength before UV irradiation: 14.7 N / 20 mm, adhesive strength before UV irradiation: 0.15 N / 20 mm
(C) Dicing device Number of rotations of dicing blade: 30000 rpm
Feeding speed of dicing blade: 10mm / sec
(D) Cutting water: pure water

しかし、このような条件でのウェハの切断工程では、図7(c)の切断部の拡大図に示した如くウェハの切断面にビリカケ箇所、或いはチッピング箇所等の切断不良箇所100aが発生するため、歩留まりが93%程度に止まっていた。
このような切断不良箇所が発生する原因を本発明者が究明したところ、ブレードの集中度と、ダイシングテープの基材の材質及び厚み、接着剤の厚みに問題があることが判明した。
即ち、本発明者は、まずブレード集中度が75であると切削抵抗が高くなり、切れ味が低下し、その結果切断不良箇所が発生し易くなることを究明した。
However, in the wafer cutting process under such conditions, as shown in the enlarged view of the cutting portion in FIG. 7C, a cutting defect portion 100a such as a chipped portion or a chipping portion is generated on the cut surface of the wafer. The yield was only around 93%.
When the present inventor investigated the cause of the occurrence of such a defective cutting portion, it was found that there was a problem in the concentration of the blade, the material and thickness of the substrate of the dicing tape, and the thickness of the adhesive.
That is, the inventor has first determined that when the blade concentration is 75, the cutting resistance increases and the sharpness decreases, and as a result, a defective cutting portion is likely to occur.

次に上記のようにダイシングテープ基材の材質がポリオレフィンのように軟質であり、且つ基材厚みが150μm程度に厚いと、切断時にブレードからの圧力によってウェハが振動、揺動する傾向があり、その結果切断面に切断不良箇所が発生し易くなることを究明した。同様に接着剤厚みが20μm程度である場合にも同様の理由から切断不良が発生することが判明した。
このように従来の各切断条件では、切断不良箇所の発生頻度が高まるため、ダイシングブレードの送り速度の高速化に限界があり、10mm/secを超えた送り速度による生産性の向上は困難であった。
Next, if the material of the dicing tape base material is soft like polyolefin as described above and the base material thickness is as thick as about 150 μm, the wafer tends to vibrate and swing due to the pressure from the blade during cutting, As a result, it was clarified that a defective cutting portion is likely to occur on the cut surface. Similarly, when the thickness of the adhesive is about 20 μm, it has been found that cutting failure occurs for the same reason.
As described above, in each conventional cutting condition, the frequency of occurrence of defective cutting increases, so there is a limit to increasing the feeding speed of the dicing blade, and it is difficult to improve productivity with a feeding speed exceeding 10 mm / sec. It was.

特許文献1には、UV粘着テープ上に接着した基板をダイシング装置により個片に切断する際にカケが発生しないようにするために、ダイシングテーブル上に固定した基板を平行なダイシングラインに沿って切断した後に形成される溝内に固定材料であるレジストを充填し、その後ダイシングテーブルを90度回転させてから残りのダイシングラインに沿った切断を実施してから、レジストを溶解させて分離する方法が開示されている。
しかし、切断後に形成される溝内にレジストを充填する工程と、レジストの洗浄工程が増えることにより生産性が大幅に低下することは明かである。
特開2005−254336公報
In Patent Document 1, a substrate fixed on a dicing table is arranged along parallel dicing lines so as not to cause chipping when the substrate bonded on the UV adhesive tape is cut into individual pieces by a dicing apparatus. A method of filling a groove, which is formed after cutting, with a resist as a fixing material, then rotating the dicing table 90 degrees, cutting along the remaining dicing lines, and then dissolving and separating the resist Is disclosed.
However, it is clear that productivity is significantly reduced by increasing the number of steps of filling the groove formed after cutting with a resist and the step of cleaning the resist.
JP 2005-254336 A

以上のように従来のダイシング装置を用いた光学基板ウェハの切断方法にあっては、ブレードの集中度、ダイシングテープ基材の材質及び厚み、並びに接着剤の厚みが適切に設定されていなかったために、ウェハの切断面にビリカケ箇所、チッピング箇所等の切断不良箇所が発生し、ダイシングブレードの送り速度の高速化に限界が生じる結果として製造歩留まりが大幅に低下するという問題があった。切断溝内に固定材料を充填する等、工程数を増加すればこの不具合を解消できるが、生産性が大幅に低下するという問題があった。
本発明は上記に鑑みてなされたものであり、工程数の増大による生産性低下を招くことなく、切断条件の初期設定を適切に行うだけで切断不良箇所の発生率を大幅に低下させて製造歩留まりを向上させることができるダイシングブレードの切断方法を提供することを目的としている。
As described above, in the optical substrate wafer cutting method using the conventional dicing apparatus, the blade concentration, the material and thickness of the dicing tape base material, and the thickness of the adhesive were not set appropriately. There is a problem in that the manufacturing yield is greatly reduced as a result of the occurrence of cutting defects such as flickering spots and chipping spots on the cut surface of the wafer, which limits the speeding up of the feeding speed of the dicing blade. Increasing the number of steps, such as filling the cutting groove with a fixing material, can solve this problem, but there is a problem in that productivity is greatly reduced.
The present invention has been made in view of the above, and can be manufactured by significantly reducing the occurrence rate of defective cutting points by simply performing the initial setting of cutting conditions without causing a decrease in productivity due to an increase in the number of processes. It aims at providing the cutting method of the dicing blade which can improve a yield.

上記目的を達成するため、本発明に係るダイシングブレードによる切断方法は、光学基板ウェハの面上に、複数の小面積の光学部品個片領域を区画形成するために形成されたダイシングラインに沿って、ダイシング装置によって回転駆動されるダイシングブレードにより切断する方法であって、
以下の切断条件
(a)ダイシングブレード
ブレードの集中度:50〜60
歯出し量:1.2〜2.4mm
(b)ダイシングテープ
基材材質:PVC、基材厚み:150〜190μm、
接着剤材質;アクリル系UV硬化型、接着剤厚み;5〜8μm、
UV照射前粘着力:4〜7N/20mm、UV照射後粘着力:0.37N/20mm
(c)ダイシング装置
ダイシングブレードの回転数:27000〜30000rpm
ダイシングブレードの送り速度:10〜14mm/sec
に基づいてダイシングを実施することを特徴とする。
ダイシングブレードの集中度を従来の75から50〜60の範囲に低下させたことによって、切削抵抗を低下させて切れ味を高めることが出来た。また、ダイシングテープを構成する接着剤として従来よりも硬い材質を使用し、且つ接着剤厚みを薄くしたため、ダイシングブレードからの圧力によってテープ基材上においてウェハが振動、揺動しにくくなり、その結果切断不良箇所が発生しにくくなった。ダイシングテープについても軟質材料よりは硬質の材料の方がよいことが判った。
In order to achieve the above object, a cutting method using a dicing blade according to the present invention is performed along a dicing line formed to partition a plurality of small-area optical component piece regions on the surface of an optical substrate wafer. , A method of cutting with a dicing blade rotated by a dicing device,
The following cutting conditions (a) Dicing blade Concentration of blade: 50-60
Denture amount: 1.2 to 2.4 mm
(B) Dicing tape Substrate material: PVC, substrate thickness: 150-190 μm,
Adhesive material: acrylic UV curable, adhesive thickness: 5-8 μm,
Adhesive strength before UV irradiation: 4 to 7 N / 20 mm, Adhesive strength after UV irradiation: 0.37 N / 20 mm
(C) Dicing device Number of rotations of dicing blade: 27000-30000 rpm
Feeding speed of dicing blade: 10-14mm / sec
Based on the above, dicing is performed.
By reducing the concentration of the dicing blade from the conventional 75 to the range of 50 to 60, it was possible to reduce the cutting resistance and improve the sharpness. In addition, since a harder material is used as the adhesive that constitutes the dicing tape and the thickness of the adhesive is reduced, the wafer is less likely to vibrate and swing on the tape substrate due to the pressure from the dicing blade. It became hard to generate the defective cutting part. It has been found that a dicing tape is preferably a hard material rather than a soft material.

また、本発明に係るダイシングブレードによる切断方法は、光学基板ウェハの面上に、複数の小面積の光学部品個片領域を区画形成するために形成されたダイシングラインに沿って、ダイシング装置によって回転駆動されるダイシングブレードにより切断する方法であって、
以下の切断条件
(a)ダイシングブレード
ブレードの集中度:50〜60
歯出し量:1.2〜2.4mm
(b)ダイシングテープ
基材材質:ポリオレフィン、基材厚み:150〜190μm、
接着剤材質;アクリル系UV硬化型、接着剤厚み;5〜8μm
UV照射前粘着力:4〜7N/20mm、UV照射後粘着力:0.37N/20mm
(c)ダイシング装置
ダイシングブレードの回転数:27000〜30000rpm
ダイシングブレードの送り速度:10〜14mm/sec
に基づいてダイシングを実施することを特徴とする。
テープ上に積層した接着剤厚みを5〜8μm程度に薄くした場合であっても、基材材質をポリオレフィンとし、基材厚みを150〜190μmとした場合には、十分な切断不良防止効果が得られることが判った。
Further, the cutting method using the dicing blade according to the present invention is rotated by a dicing device along a dicing line formed for partitioning a plurality of small-area optical component individual regions on the surface of the optical substrate wafer. A method of cutting with a driven dicing blade,
The following cutting conditions (a) Dicing blade Concentration of blade: 50-60
Denture amount: 1.2 to 2.4 mm
(B) Dicing tape Substrate material: polyolefin, substrate thickness: 150-190 μm,
Adhesive material: acrylic UV curable, adhesive thickness: 5-8 μm
Adhesive strength before UV irradiation: 4 to 7 N / 20 mm, Adhesive strength after UV irradiation: 0.37 N / 20 mm
(C) Dicing device Number of rotations of dicing blade: 27000-30000 rpm
Feeding speed of dicing blade: 10-14mm / sec
Based on the above, dicing is performed.
Even when the thickness of the adhesive laminated on the tape is reduced to about 5 to 8 μm, when the base material is polyolefin and the base material thickness is 150 to 190 μm, a sufficient cutting failure prevention effect is obtained. It was found that

以下、本発明を図面に示した実施の形態により詳細に説明する。
図1(a)(b)(c)及び(d)は本発明の一実施形態に係るダイシングラインを備えた光学基板ウェハの平面図、このウェハをダイシングテープ上に接着した状態を示す平面図、正面図、及びリング部材によりウェハを固定した状態を示す図であり、図2はダイシング装置によりウェハを切断している状態を示す図である。
Hereinafter, the present invention will be described in detail with reference to embodiments shown in the drawings.
1A, 1B, 1C, and 1D are plan views of an optical substrate wafer provided with a dicing line according to an embodiment of the present invention, and a plan view showing a state in which the wafer is bonded onto a dicing tape. FIG. 2 is a view showing a state in which a wafer is fixed by a front view and a ring member, and FIG. 2 is a view showing a state in which the wafer is cut by a dicing apparatus.

この光学基板ウェハ100は、例えばガラス基板上に光学膜を成膜した光学部品を量産するために使用する大面積のガラス基板ウェハであり、このガラス基板ウェハ100の面上にフォトリソグラフィ技術によってダイシングライン101を格子状に形成し、ダイシングライン101によって包囲された光学部品個片領域102の各面上に所要の光学膜を成膜してから、ダイシングブレード10によりダイシングライン101に沿って切断、分割することにより光学部品個片を得ることができる。或いは、ダイシングライン101を形成するための格別の成膜を行うことなく、各光学部品個片領域間の境界線を構成する金属膜等の視認性の良好な材料を目印として、当該材料が存在しないウェハ面をダイシングラインとして認識することも可能である。
つまり、ダイシングライン101は、大面積のガラス基板ウェハ100の面上に、複数の小面積の光学部品個片領域102を区画形成するために形成されて、ダイシングブレード10による切断時のガイドとなる視認可能な、光学部品個片領域102間を画する境界線である。
The optical substrate wafer 100 is a large-area glass substrate wafer used for mass production of an optical component having an optical film formed on, for example, a glass substrate. Dicing is performed on the surface of the glass substrate wafer 100 by photolithography technology. A line 101 is formed in a lattice shape, a required optical film is formed on each surface of the optical component piece region 102 surrounded by the dicing line 101, and then cut along the dicing line 101 by the dicing blade 10. An optical component piece can be obtained by dividing. Alternatively, the material exists without using a special film for forming the dicing line 101 and using a highly visible material such as a metal film that forms a boundary line between each optical component individual region as a mark. It is also possible to recognize the wafer surface not to be processed as a dicing line.
In other words, the dicing line 101 is formed on the surface of the large-area glass substrate wafer 100 in order to partition and form a plurality of small-area optical component piece regions 102 and serves as a guide when cutting with the dicing blade 10. This is a boundary line that defines between the optical component individual regions 102 that are visible.

ウェハ100は、(c)に示すようにダイシングテープ1の基材1aの片面に形成した接着剤面1bの中央部に接着固定される。
ウェハ100を保持したダイシングテープ1は、図6の場合と同様に内外のリング部材110、111によって挟み込まれて固定されるため、ウェハ100はリング部材の上面に固定された状態となる。
The wafer 100 is bonded and fixed to the central portion of the adhesive surface 1b formed on one surface of the base material 1a of the dicing tape 1 as shown in FIG.
Since the dicing tape 1 holding the wafer 100 is sandwiched and fixed between the inner and outer ring members 110 and 111 as in the case of FIG. 6, the wafer 100 is fixed to the upper surface of the ring member.

図2に示したダイシング装置は、ステージ120上に、図1(d)に示したウェハ100を保持した内外のリング部材110、111を固定した状態で、ウェハ100を、水冷式のスピンドルモータ121によって回転駆動される円盤状のダイシングブレード10によって、ダイシングライン101に沿って切断する。縦方向のダイシングラインの切断が終了した後で、ステージ120を90度回転させ、横方向のダイシングラインの切断を実施する。切断に際しては、純水等からなる切削水を切削箇所に供給しながら、ダイシングラインに沿ってダイシングブレード10の刃先が移動するようにスピンドルモータ121を所定の送り速度にて移動させつつ切断を実施する。ダイシングブレード10による切断深さは、ウェハ100をフルカットする一方で、その直下に位置するダイシングテープ1についてはハーフカットする程度に設定する。   The dicing apparatus shown in FIG. 2 is a water-cooled spindle motor 121 in which the inner and outer ring members 110 and 111 holding the wafer 100 shown in FIG. Is cut along the dicing line 101 by the disc-shaped dicing blade 10 that is rotationally driven by After the cutting of the vertical dicing line is completed, the stage 120 is rotated by 90 degrees to cut the horizontal dicing line. During cutting, cutting water is supplied while moving the spindle motor 121 at a predetermined feed speed so that the cutting edge of the dicing blade 10 moves along the dicing line while supplying cutting water made of pure water or the like to the cutting location. To do. The cutting depth by the dicing blade 10 is set to such an extent that the wafer 100 is fully cut while the dicing tape 1 positioned immediately below the wafer 100 is half-cut.

スピンドルモータ121は、図示しない冷却水循環経路を備え、発熱部を適宜冷却するように構成されている。
なお、ウェハをステージ120上に保持する方法は上記の例に限らず、種々の固定方法を採用できることは勿論である。
ダイシングブレード122は樹脂バインダー中にダイヤモンド粒を分散配置した構成を備えており、樹脂バインダー中におけるダイヤ粒の分散密度をブレードの集中度と称する。また、図3に示すようにダイシングブレード10はブレード本体10aの両面中心部から所定の範囲を円盤状の支持板10bにより支持した構成を備えており、支持板10bの外周縁からブレード本体10aの先端までの長さLを歯出し量と称する。
The spindle motor 121 includes a cooling water circulation path (not shown) and is configured to cool the heat generating portion as appropriate.
Of course, the method of holding the wafer on the stage 120 is not limited to the above example, and various fixing methods can be adopted.
The dicing blade 122 has a configuration in which diamond grains are dispersed in a resin binder, and the dispersion density of diamond grains in the resin binder is referred to as the degree of concentration of the blade. Further, as shown in FIG. 3, the dicing blade 10 has a configuration in which a predetermined range from the center of both surfaces of the blade body 10a is supported by a disk-like support plate 10b, and the blade body 10a has an outer peripheral edge. The length L to the tip is referred to as the amount of tooth protrusion.

本発明者がダイシング装置により回転駆動されるダイシングブレード10によってウェハを切断する際の切断条件を種々研究したところ、以下の切断条件によって行われる切断方法が最も切断不良箇所の発生率が少なくなることを見出すに至った。
その結果、ダイシング装置の構成(スピンドルモータ冷却水の温度を含む)、ブレードの歯出し量L、切削水の種類と言った各項目では、図7に示した従来例と同等の切断条件であるが、ダイシングブレードの集中度、ダイシングテープの構成の各項目といった他の切断条件を以下のように変更することによって、ダイシングブレードの送り速度を高速化しながらも(或いは、回転速度を低速化しながらも)、切断不良箇所の少ない(歩留まり99%)生産性の高い作業を実施できることが判明した。
When the present inventor has studied various cutting conditions when the wafer is cut by the dicing blade 10 that is rotationally driven by the dicing apparatus, the cutting method performed under the following cutting conditions has the lowest occurrence rate of defective cutting portions. I came to find.
As a result, in each item such as the configuration of the dicing device (including the temperature of the spindle motor cooling water), the amount L of the blade teeth, and the type of the cutting water, the cutting conditions are the same as those in the conventional example shown in FIG. However, by changing other cutting conditions such as the concentration of the dicing blade and each item of the dicing tape configuration as follows, the feed speed of the dicing blade is increased (or the rotation speed is reduced) ), It has been found that it is possible to carry out highly productive work with few cutting defects (yield 99%).

なお、図4(a)乃至(f)は、ブレード集中度、テープ基材厚み、接着剤厚み、UV照射前粘着力、ブレード回転数、及びブレード送り速度に関する実験の結果を示す図である。
最適の切断条件
(a)ダイシングブレード
製品名:SDC400GEBNR(ノリタケ社製)
ブレードの集中度:50〜60(特に、55が好適)
歯出し量:1.2〜2.4mm
(b)ダイシングテープ
製品名:NBD1200X(日東電工社製)
基材材質:PVC、基材厚み:150〜190μm(特に、175μmが好適)
接着剤材質;アクリル系UV硬化型、接着剤厚み;5〜8μm(特に、5μmが好適)、
UV照射前粘着力:4〜7N/20mm(特に、5.3N/20mmが好適)、UV照射後粘着力:0.37N/20mm
(c)ダイシング装置
製品名:NBD−5170K(日東電工社製)
ダイシングブレードの回転数:27000〜30000rpm(特に、30000rpmが好適)
ダイシングブレードの送り速度:10〜14mm/sec(特に、13mm/secが好適)
(d)切削水:純水
FIGS. 4A to 4F are diagrams showing the results of experiments on the blade concentration, the tape base material thickness, the adhesive thickness, the adhesive strength before UV irradiation, the blade rotation speed, and the blade feed speed.
Optimal cutting conditions (a) Dicing blade Product name: SDC400GEBNR (manufactured by Noritake)
Blade concentration: 50-60 (55 is particularly preferred)
Denture amount: 1.2 to 2.4 mm
(B) Dicing tape Product name: NBD1200X (manufactured by Nitto Denko Corporation)
Substrate material: PVC, substrate thickness: 150-190 μm (especially 175 μm is preferred)
Adhesive material: acrylic UV curable, adhesive thickness: 5-8 μm (especially 5 μm is preferred),
Adhesive strength before UV irradiation: 4 to 7 N / 20 mm (particularly 5.3 N / 20 mm is preferable), Adhesive strength after UV irradiation: 0.37 N / 20 mm
(C) Dicing machine Product name: NBD-5170K (manufactured by Nitto Denko Corporation)
Number of rotations of dicing blade: 27000-30000 rpm (particularly 30000 rpm is preferable)
Feeding speed of dicing blade: 10 to 14 mm / sec (especially 13 mm / sec is preferable)
(D) Cutting water: pure water

本発明による切断条件によって切断不良箇所が発生しにくくなった理由は以下の通りである。
まず、ダイシングブレードの集中度を従来の75から50〜60の範囲(特に、55)に低下させたことによって、切削抵抗を低下させることができ、切れ味の良い刃の状態(自生発刃)を得やすいようにした。
次に、ダイシングテープ1を構成する接着剤1bとして従来よりも硬い材質を使用し、且つ接着剤厚みを薄くしたため、ダイシングブレードからの圧力によってテープ基材1a上においてウェハが振動、揺動しにくくなり、その結果切断不良箇所が発生しにくくなった。ダイシングテープについても軟質材料よりは硬質の材料の方がよいことが判った。但し、基材材質がポリオレフィンで、基材厚みが150〜190μmであるダイシングテープを用いた場合であっても、テープ上に積層した接着剤厚みを5〜8μm(特に、5μm)程度に薄くした場合には十分な切断不良防止効果が得られることが判った。
The reason why the defective cutting portion is less likely to occur due to the cutting conditions according to the present invention is as follows.
First, the cutting resistance can be reduced by reducing the concentration level of the dicing blade from the conventional 75 to the range of 50 to 60 (especially 55). Easy to get.
Next, since a harder material is used as the adhesive 1b constituting the dicing tape 1 and the thickness of the adhesive is reduced, the wafer is less likely to vibrate and swing on the tape substrate 1a due to the pressure from the dicing blade. As a result, it becomes difficult to generate defective cutting portions. It has been found that a dicing tape is preferably a hard material rather than a soft material. However, even when a dicing tape having a base material of polyolefin and a base material thickness of 150 to 190 μm is used, the thickness of the adhesive laminated on the tape is reduced to about 5 to 8 μm (particularly 5 μm). In some cases, it was found that a sufficient cutting failure prevention effect was obtained.

上記のような条件設定により切断不良箇所が発生しにくくなったため、ダイシング用ブレードの回転数が同じであるにも拘わらず、送り速度をより高速化して、不良品率の低下、及び生産性の向上を図ることが可能となった。   Due to the above-mentioned condition setting, it has become difficult for defective cutting parts to occur, so even though the dicing blade rotation speed is the same, the feeding speed is further increased, the defective product rate is reduced, and the productivity is reduced. It became possible to improve.

(a)(b)(c)及び(d)は本発明の一実施形態に係るダイシングラインを備えた光学基板ウェハの平面図、このウェハをダイシングテープ上に接着した状態を示す平面図、正面図、及びリング部材によりウェハを固定した状態を示す図である。(A) (b) (c) and (d) is a plan view of an optical substrate wafer provided with a dicing line according to an embodiment of the present invention, a plan view showing a state in which this wafer is bonded onto a dicing tape, and a front view. It is a figure which shows the state which fixed the wafer with the figure and the ring member. ダイシング装置によりウェハを切断している状態を示す図である。It is a figure which shows the state which has cut | disconnected the wafer with the dicing apparatus. (a)及び(b)はダイシングブレードの構成説明図である。(A) And (b) is a structure explanatory drawing of a dicing blade. (a)乃至(f)は、ブレード集中度、テープ基材厚み、接着剤厚み、UV照射前粘着力、ブレード回転数、及びブレード送り速度に関する実験の結果を示す図である。(A) thru | or (f) is a figure which shows the result of the experiment regarding a blade concentration degree, tape base material thickness, adhesive agent thickness, adhesive force before UV irradiation, a blade rotation speed, and a blade feed speed. (a)及び(b)はガラス基板ウェハをダイシングテープの上面中央部に接着した状態を示す平面図、及び正面図である。(A) And (b) is the top view which shows the state which adhere | attached the glass substrate wafer to the upper surface center part of the dicing tape, and a front view. (a)及び(b)は内外のリング部材によってダイシングテープを固定する手順を示す図である。(A) And (b) is a figure which shows the procedure which fixes a dicing tape by the inner and outer ring members. (a)は従来のダイシング装置により光学基板ウェハを切断する状態を示す略図であり、(b)はダイシングブレードの構成説明図であり、(c)は切断部の拡大図である。(A) is the schematic which shows the state which cut | disconnects an optical substrate wafer with the conventional dicing apparatus, (b) is a structure explanatory drawing of a dicing blade, (c) is an enlarged view of a cutting part.

符号の説明Explanation of symbols

1…ダイシングテープ、1a…基材、1b…接着剤面、10…ダイシングブレード、10a…ブレード本体、10b…支持板、100…ガラス基板ウェハ、100a…切断不良箇所、101…ダイシングライン、102…光学部品個片領域、103…ダイシングテープ、110、111…リング部材、120…ステージ、121…スピンドルモータ、122…ダイシングブレード、122a…ブレード本体、122b…支持板。   DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Dicing tape, 1a ... Base material, 1b ... Adhesive surface, 10 ... Dicing blade, 10a ... Blade main body, 10b ... Support plate, 100 ... Glass substrate wafer, 100a ... Cutting defect location, 101 ... Dicing line, 102 ... Optical component individual region 103: Dicing tape 110, 111 ... Ring member 120 ... Stage 121 ... Spindle motor 122 ... Dicing blade 122a ... Blade body 122b ... Support plate

Claims (2)

光学基板ウェハの面上に、複数の小面積の光学部品個片領域を区画形成するために形成されたダイシングラインに沿って、ダイシング装置によって回転駆動されるダイシングブレードにより切断する方法であって、
以下の切断条件
(a)ダイシングブレード
ブレードの集中度:50〜60
歯出し量:1.2〜2.4mm
(b)ダイシングテープ
基材材質:PVC、基材厚み:150〜190μm、
接着剤材質;アクリル系UV硬化型、接着剤厚み;5〜8μm、
UV照射前粘着力:4〜7N/20mm、UV照射後粘着力:0.37N/20mm
(c)ダイシング装置
ダイシングブレードの回転数:27000〜30000rpm
ダイシングブレードの送り速度:10〜14mm/sec
に基づいてダイシングを実施することを特徴とするダイシングブレードによる切断方法。
A method of cutting with a dicing blade that is rotationally driven by a dicing device along a dicing line formed for partitioning a plurality of small-area optical component individual regions on the surface of the optical substrate wafer,
The following cutting conditions (a) Dicing blade Concentration of blade: 50-60
Denture amount: 1.2 to 2.4 mm
(B) Dicing tape Substrate material: PVC, substrate thickness: 150-190 μm,
Adhesive material: acrylic UV curable, adhesive thickness: 5-8 μm,
Adhesive strength before UV irradiation: 4 to 7 N / 20 mm, Adhesive strength after UV irradiation: 0.37 N / 20 mm
(C) Dicing device Number of rotations of dicing blade: 27000-30000 rpm
Feeding speed of dicing blade: 10-14mm / sec
A cutting method using a dicing blade, characterized in that dicing is performed based on the above.
光学基板ウェハの面上に、複数の小面積の光学部品個片領域を区画形成するために形成されたダイシングラインに沿って、ダイシング装置によって回転駆動されるダイシングブレードにより切断する方法であって、
以下の切断条件
(a)ダイシングブレード
ブレードの集中度:50〜60
歯出し量:1.2〜2.4mm
(b)ダイシングテープ
基材材質:ポリオレフィン、基材厚み:150〜190μm、
接着剤材質;アクリル系UV硬化型、接着剤厚み;5〜8μm
UV照射前粘着力:4〜7N/20mm、UV照射後粘着力:0.37N/20mm
(c)ダイシング装置
ダイシングブレードの回転数:27000〜30000rpm
ダイシングブレードの送り速度:10〜14mm/sec
に基づいてダイシングを実施することを特徴とするダイシングブレードによる切断方法。
A method of cutting with a dicing blade that is rotationally driven by a dicing device along a dicing line formed for partitioning a plurality of small-area optical component individual regions on the surface of the optical substrate wafer,
The following cutting conditions (a) Dicing blade Concentration of blade: 50-60
Denture amount: 1.2 to 2.4 mm
(B) Dicing tape Substrate material: polyolefin, substrate thickness: 150-190 μm,
Adhesive material: acrylic UV curable, adhesive thickness: 5-8 μm
Adhesive strength before UV irradiation: 4 to 7 N / 20 mm, Adhesive strength after UV irradiation: 0.37 N / 20 mm
(C) Dicing device Number of rotations of dicing blade: 27000-30000 rpm
Feeding speed of dicing blade: 10-14mm / sec
A cutting method using a dicing blade, characterized in that dicing is performed based on the above.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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CN109920752A (en) * 2019-02-28 2019-06-21 厦门信达光电物联科技研究院有限公司 A kind of cutting technique
CN110948717A (en) * 2018-09-27 2020-04-03 天津众晶半导体材料有限公司 Thimble device for cutting high-precision monocrystalline silicon

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