KR102084269B1 - Laser machining apparatus and method for coating protection film - Google Patents

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Abstract

폐기하는 보호막액의 양을 억제한 경제적인 보호막 피복 장치, 보호막 피복 장치를 구비한 레이저 가공 장치 및 보호막 피복 방법을 제공하는 것이다.
피가공물을 유지하는 가공 테이블과, 상기 가공 테이블에 유지된 피가공물에 레이저 가공을 실시하는 레이저 가공 수단과, 복수의 피가공물을 수용할 수 있는 카세트가 배치되는 카세트 배치대와, 상기 카세트 배치대에 배치된 카세트로부터 피가공물을 적어도 상기 가공 테이블까지 반송하는 반송 수단을 구비한 레이저 가공 장치로서, 피가공물을 유지하는 유지면을 갖는 유지 테이블과, 상기 유지 테이블에 유지된 피가공물의 표면에 보호막을 형성하는 수용성 수지로 이루어지는 보호막액을 토출하는 슬릿형의 토출구를 갖는 보호막액 토출 헤드와, 상기 보호막액 토출 헤드를 상기 유지 테이블의 상기 유지면에 대하여 접근 이격 가능하게 상대적으로 이동시키는 제1 이동 수단과, 상기 보호막액 토출 헤드를 상기 유지 테이블의 상기 유지면과 평행한 방향으로 상대적으로 이동시키는 제2 이동 수단을 구비한 것을 특징으로 한다.
An economical protective film coating apparatus which suppressed the amount of the protective film liquid discarded, the laser processing apparatus provided with the protective film coating apparatus, and a protective film coating method are provided.
A cassette placing table on which a processing table holding a workpiece, laser processing means for performing laser processing on the workpiece held on the processing table, a cassette capable of accommodating a plurality of workpieces, and the cassette placing table A laser processing apparatus comprising a conveying means for conveying a workpiece from at least one cassette to a processing table, the holding table having a holding surface for holding the workpiece and a protective film on the surface of the workpiece held by the holding table. A protective film liquid discharge head having a slit-shaped discharge port for discharging a protective film liquid made of a water-soluble resin for forming a film; Means, and said protective film liquid discharge head is flush with said holding surface of said holding table. And in that it includes a second moving means for relatively moving in one direction, it characterized in.

Description

레이저 가공 장치 및 보호막 피복 방법{LASER MACHINING APPARATUS AND METHOD FOR COATING PROTECTION FILM}LASER MACHINING APPARATUS AND METHOD FOR COATING PROTECTION FILM}

본 발명은, 레이저 가공 장치 및 상기 레이저 가공 장치를 이용한 보호막 피복 방법에 관한 것이다.The present invention relates to a laser processing apparatus and a protective film coating method using the laser processing apparatus.

IC, LSI, LED 등의 복수의 디바이스가 분할 예정 라인에 의해 구획되어 표면에 형성된 실리콘 웨이퍼, 사파이어 웨이퍼 등의 웨이퍼는, 가공 장치에 의해 개개의 디바이스로 분할되고, 분할된 디바이스는 휴대 전화, 퍼스널 컴퓨터 등의 각종 전자 기기에 널리 이용되고 있다.A wafer such as a silicon wafer, a sapphire wafer, and the like formed on the surface by dividing a plurality of devices such as an IC, an LSI, an LED, and the like by dividing lines, is divided into individual devices by a processing apparatus. It is widely used for various electronic devices such as a computer.

웨이퍼의 분할에는, 다이서라고 불리는 절삭 장치를 이용한 다이싱 방법이 널리 채용되고 있다. 다이싱 방법에서는, 다이아몬드 등의 지립을 금속이나 수지로 굳혀 두께 30 ㎛ 정도로 한 절삭 블레이드를, 30000 rpm 정도의 고속으로 회전시키면서 웨이퍼에 절입시킴으로써 웨이퍼를 절삭하여, 개개의 디바이스로 분할한다.The dicing method using the cutting device called a dicer is widely employ | adopted for dividing a wafer. In the dicing method, a wafer is cut and divided into individual devices by cutting a cutting blade in which abrasive grains such as diamond are hardened with a metal or a resin and having a thickness of about 30 µm, into the wafer while rotating at a high speed of about 30000 rpm.

한편, 최근에는, 웨이퍼에 대하여 흡수성을 갖는 파장의 펄스 레이저 빔을 웨이퍼에 조사함으로써 레이저 가공홈을 형성하고, 이 레이저 가공홈을 따라 브레이킹 장치로 웨이퍼를 할단하여 개개의 디바이스로 분할하는 방법이 제안되어 있다(예컨대, 일본 특허 공개 평성10-305420호 공보 참조).On the other hand, in recent years, a method of forming a laser processing groove by irradiating a wafer with a pulsed laser beam having an absorbing wavelength to the wafer, and dividing the wafer into individual devices by breaking the wafer with a breaking device along the laser processing groove is proposed. (See, for example, Japanese Patent Application Laid-Open No. 10-305420).

레이저 가공 장치에 의한 레이저 가공홈의 형성은, 다이서에 의한 다이싱 방법에 비해서 가공 속도를 빠르게 할 수 있으며, 사파이어나 SiC 등의 경도가 높은 소재로 이루어지는 웨이퍼여도 비교적 용이하게 가공할 수 있다. 또한, 가공홈을, 예컨대 10 ㎛ 이하 등의 좁은 폭으로 할 수 있기 때문에, 다이싱 방법으로 가공하는 경우에 대하여 웨이퍼 1장당의 디바이스 취득량을 늘릴 수 있다.Formation of the laser processing groove by the laser processing apparatus can speed up the processing speed as compared with the dicing method by the dicer, and even a wafer made of a material having a high hardness such as sapphire or SiC can be processed relatively easily. In addition, since the processing groove can be made narrow, for example, 10 µm or less, the device acquisition amount per wafer can be increased in the case of processing by the dicing method.

그런데, 웨이퍼에 펄스 레이저 빔을 조사하면, 펄스 레이저 빔이 조사된 영역에 열 에너지가 집중하여 데브리(debris)가 발생한다. 이 데브리가 디바이스 표면에 부착되면, 디바이스의 품질을 저하시킨다고 하는 문제가 생긴다.However, when the pulsed laser beam is irradiated onto the wafer, thermal energy is concentrated in the region to which the pulsed laser beam is irradiated to generate debris. If this debris adheres to the surface of the device, a problem arises that the quality of the device is degraded.

그래서, 예컨대 일본 특허 공개 제2007-201178호 공보에는, 이러한 데브리에 의한 문제를 해소하기 위해, 웨이퍼의 가공면에 PVA(폴리비닐알콜), PEG(폴리에틸렌글리콜) 등의 수용성 수지를 도포하여 보호막을 피복하고, 이 보호막을 통해 웨이퍼에 펄스 레이저 빔을 조사하도록 한 레이저 가공 장치가 제안되어 있다.For example, Japanese Patent Laid-Open Publication No. 2007-201178 discloses a protective film by applying a water-soluble resin such as PVA (polyvinyl alcohol) or PEG (polyethylene glycol) to the processed surface of the wafer in order to solve the problem caused by the debris. The laser processing apparatus which coat | covered and irradiated a pulse laser beam to a wafer through this protective film is proposed.

특허문헌 1: 일본 특허 공개 평성10-305420호 공보Patent Document 1: Japanese Patent Application Laid-Open No. Hei 10-305420 특허문헌 2: 일본 특허 공개 제2007-201178호 공보Patent Document 2: Japanese Patent Application Laid-Open No. 2007-201178 특허문헌 3: 일본 특허 공개 제2006-140311호 공보Patent Document 3: Japanese Patent Laid-Open No. 2006-140311

종래의 보호막 피복 장치에서는, 피가공물을 유지한 유지 테이블을 회전시키면서 보호막액을 피가공물 상에 공급하고, 원심력에 의해 보호막액을 확장시켜 피가공물 전체면에 보호막액을 코팅하는 스핀 코트법이 일반적이다. 그러나, 종래의 스핀 코트법에서는, 대략 90% 이상의 보호막액이 폐기되고 있어, 비경제적이라고 하는 문제가 있다.In the conventional protective film coating apparatus, the spin coating method which supplies a protective film liquid on a to-be-processed object while rotating the holding table which hold | maintains a to-be-processed object, expands a protective film liquid by centrifugal force, and coats a protective film liquid on the whole surface of a workpiece is common. to be. However, in the conventional spin coat method, about 90% or more of protective film liquid is discarded, and there exists a problem of being uneconomical.

또한, 종래의 스핀 코트법을 채용한 보호막 피복 장치에서는, 스핀 코트에서 비산된 대량의 보호막액이 매우 가는 실형의 부스러기가 되어, 보호막 피복 장치 내부에 퇴적하여, 청소에 시간이 걸리고 완전하게 실형의 부스러기를 제거하는 것이 어려웠다.Moreover, in the protective film coating apparatus which employ | adopted the conventional spin coat method, the large amount of protective film liquid scattered by the spin coat becomes a very thin debris, accumulates inside the protective film coating apparatus, takes time to clean, and is completely solid. It was difficult to get rid of debris.

또한, 실형의 부스러기는 대기 중에서 용이하게 부유하기 쉬워, 청소 중에 비산하여 피가공물 상에 부착되어 피가공물을 오염시키거나, 보호막 피복 장치 내외를 오염시킬 우려가 있다고 하는 문제가 있었다.In addition, there is a problem that the yarn-like debris easily floats in the air, scatters during cleaning, adheres to the workpiece, and contaminates the workpiece or contaminates the inside and outside of the protective film coating apparatus.

본 발명은 이러한 점을 감안하여 이루어진 것으로, 그 목적으로 하는 바는, 폐기하는 보호막액의 양을 억제한 경제적인 보호막 피복 장치를 구비한 레이저 가공 장치 및 보호막 피복 방법을 제공하는 것이다.This invention is made | formed in view of this point, Comprising: It aims at providing the laser processing apparatus and protective film coating method provided with the economical protective film coating apparatus which suppressed the quantity of the protective film liquid to discard.

청구항 1에 기재된 발명에 따르면, 피가공물을 유지하는 가공 테이블과, 상기 가공 테이블에 유지된 피가공물에 레이저 가공을 실시하는 레이저 가공 수단과, 복수의 피가공물을 수용할 수 있는 카세트가 배치되는 카세트 배치대와, 상기 카세트 배치대에 배치된 카세트로부터 피가공물을 적어도 상기 가공 테이블까지 반송하는 반송 수단을 구비한 레이저 가공 장치로서, 피가공물을 유지하는 유지면을 갖는 유지 테이블과, 상기 유지 테이블에 유지된 피가공물의 표면에 보호막을 형성하는 수용성 수지로 이루어지는 보호막액을 토출하는 슬릿형의 토출구를 갖는 보호막액 토출 헤드와, 상기 보호막액 토출 헤드를 상기 유지 테이블의 상기 유지면에 대하여 접근 이격 가능하게 상대적으로 이동시키는 제1 이동 수단과, 상기 보호막액 토출 헤드를 상기 유지 테이블의 상기 유지면과 평행한 방향으로 상대적으로 이동시키는 제2 이동 수단을 구비한 것을 특징으로 하는 레이저 가공 장치가 제공된다.According to the invention as set forth in claim 1, a cassette is provided with a processing table for holding the workpiece, laser processing means for performing laser processing on the workpiece held on the processing table, and a cassette for accommodating a plurality of workpieces. A laser processing apparatus having a mounting table and a conveying means for conveying a workpiece from at least the cassette placed on the cassette placing table to the processing table, comprising: a holding table having a holding surface for holding the workpiece and the holding table; A protective film liquid discharge head having a slit discharge port for discharging a protective film liquid made of a water-soluble resin that forms a protective film on the surface of the workpiece to be held, and the protective film liquid discharge head can be spaced apart from the holding surface of the holding table. The first moving means for moving relatively and the protective film liquid discharge head The laser processing apparatus provided with the 2nd moving means which moves relatively in the direction parallel to the said holding surface of the holding table.

바람직하게는, 레이저 가공 장치는 또한, 유지면의 중심을 지나 유지면에 직교하는 회전축으로 유지 테이블을 회전시키는 구동원을 구비하고 있다. 바람직하게는, 보호막액 토출 헤드는 반송 수단에 부설되고, 제1 이동 수단과 제2 이동 수단은 반송 수단으로 겸용된다.Preferably, the laser processing apparatus further includes a drive source for rotating the holding table with a rotation axis orthogonal to the holding surface passing through the center of the holding surface. Preferably, a protective film liquid discharge head is attached to a conveying means, and a 1st moving means and a 2nd moving means serve as a conveying means.

청구항 4에 기재된 발명에 따르면, 청구항 2 또는 청구항 3에 기재된 레이저 가공 장치를 이용한 보호막의 피복 방법으로서, 상기 유지 테이블에서 피가공물을 유지하는 유지 단계와, 상기 유지 테이블에 유지된 피가공물의 상면으로부터 정해진 높이에 상기 보호막액 토출 헤드를 위치시키는 위치 부여 단계와, 상기 위치 부여 단계를 실시한 후, 상기 유지 테이블을 회전시키면서 상기 보호막액 토출 헤드를 상기 유지 테이블 상에서 이동시키면서 상기 보호막액 토출 헤드로부터 보호막액을 피가공물 상에 토출하여, 피가공물의 상면을 정해진 두께의 보호막액으로 나선형으로 피복하는 피복 단계와, 상기 피복 단계를 실시한 후, 상기 유지 테이블을 회전시켜 상기 보호막액을 평탄화하고 건조시켜 보호막을 형성하는 유지 테이블 회전 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 보호막 피복 방법이 제공된다.According to the invention according to claim 4, the coating method of the protective film using the laser processing apparatus according to claim 2 or 3, comprising: a holding step of holding a workpiece on the holding table, and an upper surface of the workpiece held on the holding table. A positioning step of positioning the protective film liquid discharge head at a predetermined height, and after performing the positioning step, the protective film liquid from the protective film liquid discharge head while moving the protective film liquid discharge head on the holding table while rotating the holding table. Is discharged onto the workpiece, the coating step of spirally covering the upper surface of the workpiece with a protective film liquid having a predetermined thickness, and after the coating step is carried out, the holding table is rotated to flatten and dry the protective film liquid to form a protective film. Including maintaining table rolling step forming The protective film coating method, comprising a step is provided.

청구항 1에 기재된 레이저 가공 장치에 따르면, 슬릿형의 보호막액 토출구를 갖는 보호막액 토출 헤드로부터 보호막액을 토출하여, 피가공물에 보호막을 피복하는 것이 가능해지기 때문에, 폐기하는 보호막액의 양을 억제하는 것이 가능해진다.According to the laser processing apparatus according to claim 1, since the protective film liquid can be discharged from the protective film liquid discharge head having the slit protective film liquid discharge port, and the protective film can be coated on the workpiece, the amount of the protective film liquid to be discarded can be suppressed. It becomes possible.

청구항 4에 기재된 발명에 따르면, 피가공물을 유지한 유지 테이블을 회전시키고 보호막액 토출 헤드를 이동시키면서 슬릿형의 보호막액 토출구로부터 보호막액을 토출하여 피가공물의 상면에 공급하기 때문에, 피가공물 상에 나선형으로 보호막액을 도포할 수 있어, 폐기하는 보호막액의 양을 억제하는 것이 가능해진다.According to the invention as set forth in claim 4, the protective film liquid is discharged from the slit protective film liquid discharge port while being supplied to the upper surface of the workpiece while rotating the holding table holding the workpiece and moving the protective film liquid discharge head. A protective film liquid can be apply | coated helically, and it becomes possible to suppress the quantity of the protective film liquid discarded.

도 1은 본 발명 실시형태에 따른 레이저 가공 장치의 사시도이다.
도 2는 본 발명 실시형태에 따른 레이저 가공 장치의 각 기구부의 배치를 설명하는 모식도이다.
도 3은 다이싱 테이프를 통해 웨이퍼가 환형 프레임에 지지된 웨이퍼 유닛의 사시도이다.
도 4는 레이저 빔 조사 유닛의 사시도이다.
도 5는 레이저 빔 발생 유닛의 블록도이다.
도 6은 보호막액 토출 헤드의 종단면도이다.
도 7은 보호막액 피복 방법의 설명도이다.
1 is a perspective view of a laser processing apparatus according to an embodiment of the present invention.
It is a schematic diagram explaining arrangement | positioning of each mechanism part of the laser processing apparatus which concerns on embodiment of this invention.
3 is a perspective view of a wafer unit in which a wafer is supported in an annular frame through a dicing tape;
4 is a perspective view of the laser beam irradiation unit.
5 is a block diagram of a laser beam generating unit.
6 is a longitudinal sectional view of the protective film liquid discharge head.
7 is an explanatory diagram of a protective film liquid coating method.

이하, 본 발명의 실시형태를 도면을 참조하여 상세하게 설명한다. 도 1을 참조하면, 본 발명의 실시형태에 따른 레이저 가공 장치(2)의 사시도가 도시되어 있다. 도면 부호 4는 레이저 가공 장치(2)의 외장 커버이며, 이 외장 커버(4) 내에 도 2에 나타내는 가공 영역(14)이 배치되어 있다.EMBODIMENT OF THE INVENTION Hereinafter, embodiment of this invention is described in detail with reference to drawings. 1, a perspective view of a laser machining apparatus 2 according to an embodiment of the invention is shown. Reference numeral 4 is an exterior cover of the laser processing apparatus 2, and the processing region 14 shown in FIG. 2 is disposed in the exterior cover 4.

외장 커버(4)의 전면(前面)(4a)에는 터치 패널식의 표시 모니터(6)가 배치되어 있다. 이 표시 모니터(6)에 의해, 오퍼레이터가 장치의 조작 지령을 입력하며, 장치의 가동 상황이 표시 모니터(6) 상에 표시된다.A touch panel display monitor 6 is disposed on the front surface 4a of the exterior cover 4. By this display monitor 6, an operator inputs the operation instruction of an apparatus, and the operation state of an apparatus is displayed on the display monitor 6.

도면 부호 8은 내부에 복수매의 웨이퍼를 수용한 카세트를 배치하는 카세트 배치대이며, 상하 방향(Z축 방향)으로 이동 가능하게 구성되어 있다. 도 3에 나타내는 바와 같이, 반도체 웨이퍼 또는 광 디바이스 웨이퍼 등의 웨이퍼(11)는, 그 표면에 격자형으로 형성된 복수의 분할 예정 라인(13)에 의해 복수개 영역이 구획되어 있고, 구획된 각 영역에 디바이스(15)가 형성되어 있다.Reference numeral 8 denotes a cassette placing table for arranging cassettes containing a plurality of wafers inside, and is configured to be movable in the vertical direction (Z-axis direction). As shown in FIG. 3, in the wafer 11 such as a semiconductor wafer or an optical device wafer, a plurality of regions are partitioned by a plurality of division scheduled lines 13 formed in a lattice shape on the surface thereof, and in each divided region. The device 15 is formed.

웨이퍼(11)는 점착 테이프인 다이싱 테이프(T)에 점착되고, 다이싱 테이프(T)의 외주연부가 환형 프레임(F)에 점착되어 웨이퍼 유닛(17)이 구성된다. 이에 의해, 웨이퍼(11)는 다이싱 테이프(T)를 개재하여 환형 프레임(F)에 지지된 상태가 되며, 이 상태로 카세트 내에 수용된다.The wafer 11 adheres to the dicing tape T, which is an adhesive tape, and the outer periphery of the dicing tape T is adhered to the annular frame F to constitute the wafer unit 17. Thereby, the wafer 11 is in the state supported by the annular frame F via the dicing tape T, and is accommodated in a cassette in this state.

카세트 배치대(8)에 인접하여, 카세트(8) 내로부터 취출한 웨이퍼 유닛(17)을 가배치하는 가배치 영역(10)이 마련되어 있다. 도 2의 배치도에 가장 잘 도시되는 바와 같이, 카세트 배치대(8)의 Y축 방향의 반대측에는, 가배치 영역(10)에 인접하여 보호막 피복 영역(12)이 배치되어 있다. 또한, 가공 영역(14)이 가배치 영역(10)의 X축 방향의 연장선 상에 배치되어 있다. 보호막 피복 영역(12)에서는, 레이저 가공 후의 웨이퍼(11)를 세정하는 세정 공정도 실시한다.Adjacent to the cassette placing table 8, a provisional placement region 10 for temporarily placing the wafer unit 17 taken out from the cassette 8 is provided. As best shown in the arrangement diagram of FIG. 2, on the opposite side of the cassette mounting table 8 in the Y-axis direction, the protective film coating region 12 is disposed adjacent to the temporary placement region 10. Moreover, the process area | region 14 is arrange | positioned on the extension line of the provisional arrangement area 10 in the X-axis direction. In the protective film coating area | region 12, the washing | cleaning process of washing the wafer 11 after laser processing is also implemented.

카세트 배치대(8)에 인접하여, 카세트 배치대(8) 상에 배치된 카세트에 대하여 웨이퍼 유닛(17)을 출납하는 반출반입 유닛(반출반입 수단)(16)이 배치되어 있다.Adjacent to the cassette mounting table 8, a carrying in / outing unit (carrying-in / out means) 16 for discharging the wafer unit 17 with respect to the cassette placed on the cassette mounting table 8 is disposed.

반출반입 유닛(16)은, 지지 부재(18)의 선단에 부착된 클램프(17)를 갖고 있다. 이 클램프(17)로 도 3에 나타내는 환형 프레임(F)을 클램프하여 웨이퍼 유닛(17)을 카세트로부터 반출하거나 카세트에 반입하거나 한다.The carry-in / out unit 16 has the clamp 17 attached to the front-end | tip of the support member 18. As shown in FIG. The annular frame F shown in FIG. 3 is clamped by this clamp 17 to carry out the wafer unit 17 from the cassette or to carry it into the cassette.

지지 부재(18)는 블록(20)에 고정되어 있고, 블록(20) 내에는 볼 나사(24)에 나사 결합하는 너트가 내장되어 있다. 볼 나사(24)의 일단은 펄스 모터(26)에 연결되어 있고, 볼 나사(24)와 펄스 모터(26)로 반출반입 유닛(16)을 Y축 방향으로 이동시키는 반출반입 유닛 이동 기구(28)를 구성한다.The support member 18 is fixed to the block 20, and the nut 20 which screws to the ball screw 24 is built in the block 20. As shown in FIG. One end of the ball screw 24 is connected to the pulse motor 26, and the carry-in / out unit moving mechanism 28 which moves the carry-in / out unit 16 to a Y-axis direction by the ball screw 24 and the pulse motor 26. ).

반출반입 유닛 이동 기구(28)의 펄스 모터(26)를 구동시키면, 볼 나사(24)가 회전되고, 이에 따라 블록(20)이 Y축 방향으로 이동하며, 블록(20)에 지지 부재(18)를 통해 연결된 클램프(17)가 Y축 방향으로 이동한다.When the pulse motor 26 of the carrying-in / out unit movement mechanism 28 is driven, the ball screw 24 will rotate, and the block 20 will move to a Y-axis direction, and the support member 18 will be attached to the block 20 here. The clamp 17 connected through) moves in the Y-axis direction.

클램프(17)에 환형 프레임(F)이 클램프되어 카세트 내로부터 인출된 웨이퍼 유닛(17)은 가배치 영역(10)에 배치된 한쌍의 센터링 가이드(30) 상에 배치되며, 센터링 가이드(30)가 서로 근접하는 방향으로 이동함으로써, 웨이퍼 유닛(17)의 센터링이 실시된다.The wafer unit 17 with which the annular frame F is clamped to the clamp 17 and drawn out from the cassette is disposed on the pair of centering guides 30 arranged in the provisional deployment area 10, and the centering guide 30 Is moved in a direction close to each other, so that the centering of the wafer unit 17 is performed.

가배치 영역(10)의 하방에는 홈 포지션에 위치된 가공 테이블(32)이 배치되어 있다. 가공 테이블(32)에는 환형 프레임(F)을 클램프하는 복수의 클램프(34)가 배치되어 있다.The processing table 32 located in the home position is arrange | positioned below the provisional placement area | region 10. As shown in FIG. A plurality of clamps 34 for clamping the annular frame F are arranged on the machining table 32.

도 1에 도시된 가공 테이블(32)은 홈 포지션에 위치된 상태이며, 가공 테이블(32)은, 도 2에 나타내는 바와 같이, X축 방향으로 이동되어 가공 영역(14)에 위치되며, 가공 영역(14)에 있어서 레이저 가공 중인 웨이퍼(11)를 인덱싱 이송하기 위해, Y축 방향으로도 이동 가능하다.The machining table 32 shown in FIG. 1 is in a state positioned at the home position, and the machining table 32 is moved in the X-axis direction and positioned in the machining region 14 as shown in FIG. 2. In 14, in order to index and convey the wafer 11 currently laser-processed, it can also move to a Y-axis direction.

외장 커버(4)의 측면(4b)의 하부에는 개구(36)가 형성되어 있어, 가공 테이블(32)에 유지된 웨이퍼(11)는 이 개구(36)를 통해 도 1에 나타낸 홈 포지션과 가공 영역(14) 사이에서 이동된다.An opening 36 is formed in the lower part of the side surface 4b of the exterior cover 4, and the wafer 11 held by the processing table 32 is processed through the groove position shown in FIG. It is moved between regions 14.

도면 부호 38은 Y축 방향 및 Z축 방향으로 이동 가능한 상부 아암이며, 상부 아암(38)의 하단에는 H 형상의 플레이트 부재(40)가 고정되어 있고, 플레이트 부재(40)에는 진공 흡인에 의해 환형 프레임(F)을 흡인 유지하는 4개의 흡착 패드(42)가 부착되어 있다.Reference numeral 38 denotes an upper arm movable in the Y-axis direction and the Z-axis direction. An H-shaped plate member 40 is fixed to the lower end of the upper arm 38, and the plate member 40 is annular by vacuum suction. Four suction pads 42 which suck and hold the frame F are attached.

보호막 피복 영역(12)에는 회전 가능한 유지 테이블(스피너 테이블)(44)이 배치되어 있다. 특별히 도시하지 않지만, 유지 테이블(44)의 주위에는 환형 프레임(F)을 클램프하는 복수의 클램프가 부착되어 있다.A rotatable holding table (spinner table) 44 is disposed in the protective film covering region 12. Although not shown in particular, the some clamp which clamps the annular frame F is attached to the circumference | surroundings of the holding table 44. As shown in FIG.

상부 아암(38)의 하단부 측면에는 보호막액 토출 헤드(46)가 배치되어 있다. 보호막액 토출 헤드(46)는 Z축 이동 부재(48)에 고정되어 있고, 볼 나사(52)와 펄스 모터(54)를 포함하는 보호막액 토출 헤드 이동 기구(56)에 의해, 보호막액 토출 헤드(46)는 상부 아암(38)에 고정된 한쌍의 가이드(50)를 따라 상하 방향(Z축 방향)으로 이동 가능하다.The protective film liquid discharge head 46 is disposed on the lower end side surface of the upper arm 38. The protective film liquid discharge head 46 is fixed to the Z-axis moving member 48, and is formed by the protective film liquid discharge head moving mechanism 56 including the ball screw 52 and the pulse motor 54. 46 is movable up and down (Z-axis direction) along a pair of guides 50 fixed to the upper arm 38.

상부 아암(38)은 도시하지 않는 이동 기구에 의해 Z축 방향으로 이동 가능하게 Y축 이동 부재(58)에 부착되어 있다. 이동 기구로서는, 예컨대 볼 나사와 펄스 모터의 조합이나 에어 실린더 등이 채용 가능하다.The upper arm 38 is attached to the Y-axis moving member 58 so as to be movable in the Z-axis direction by a moving mechanism not shown. As the moving mechanism, for example, a combination of a ball screw and a pulse motor, an air cylinder, and the like can be employed.

Y축 이동 부재(58)는 너트를 내장하고 있어, 이 너트가 Y축 방향으로 연장하는 볼 나사(60)에 나사 결합하고 있다. 볼 나사(60)의 일단에는 펄스 모터(62)가 연결되어 있고, 볼 나사(60)와 펄스 모터(62)로 상부 아암(38)의 Y축 이동 기구(64)를 구성한다. 펄스 모터(62)를 구동시키면 볼 나사(60)가 회전하며, Y축 이동 부재(58)가 외장 커버(4)의 측면(4b)에 고정된 한쌍의 가이드(66)를 따라 Y축 방향으로 이동된다.The Y-axis moving member 58 incorporates a nut, and the nut is screwed to the ball screw 60 extending in the Y-axis direction. A pulse motor 62 is connected to one end of the ball screw 60, and the ball screw 60 and the pulse motor 62 constitute the Y-axis moving mechanism 64 of the upper arm 38. Driving the pulse motor 62 causes the ball screw 60 to rotate, and the Y-axis moving member 58 along the pair of guides 66 fixed to the side surface 4b of the outer cover 4 in the Y-axis direction. Is moved.

도면 부호 68은 하부 아암이며, 하부 아암(68)의 하단에는 H 형상의 플레이트 부재(70)가 고정되어 있고, H 형상의 플레이트 부재(70)에는 진공 흡인에 의해 환형 프레임(F)을 흡인 유지하는 4개의 흡착 패드(72)가 배치되어 있다.Reference numeral 68 denotes a lower arm, an H-shaped plate member 70 is fixed to the lower end of the lower arm 68, and the H-shaped plate member 70 is sucked and held by the annular frame F by vacuum suction. Four suction pads 72 are arranged.

하부 아암(68)은 도시하지 않는 이동 기구에 의해 Y축 이동 부재(74)에 상하 방향(Z축 방향)으로 이동 가능하게 부착되어 있다. 이동 기구로서는, 볼 나사와 펄스 모터의 조합이나 에어 실린더 등이 채용 가능하다.The lower arm 68 is attached to the Y-axis moving member 74 so as to be movable in the vertical direction (Z-axis direction) by a moving mechanism not shown. As a moving mechanism, the combination of a ball screw and a pulse motor, an air cylinder, etc. are employable.

Y축 이동 부재(74)에는 도시하지 않는 너트가 내장되고 있고, 이 너트는 Y축 방향으로 연장하는 볼 나사(76)에 나사 결합하고 있다. 볼 나사(76)의 일단에는 펄스 모터(78)가 연결되어 있고, 볼 나사(76)와 펄스 모터(78)로 하부 아암(68)의 Y축 이동 기구(80)를 구성한다.A nut (not shown) is built in the Y-axis moving member 74, and the nut is screwed to a ball screw 76 extending in the Y-axis direction. A pulse motor 78 is connected to one end of the ball screw 76, and the ball screw 76 and the pulse motor 78 constitute the Y-axis moving mechanism 80 of the lower arm 68.

Y축 이동 기구(80)의 펄스 모터(78)를 구동시키면 볼 나사(76)가 회전하며, Y축 이동 부재(74)에 연결된 하부 아암(68)이 외장 커버(4)의 측면(4b)에 부착된 한쌍의 가이드(82)를 따라 Y축 방향으로 이동된다.When the pulse motor 78 of the Y-axis moving mechanism 80 is driven, the ball screw 76 rotates, and the lower arm 68 connected to the Y-axis moving member 74 has the side surface 4b of the outer cover 4. It is moved in the Y-axis direction along a pair of guides 82 attached to it.

외장 커버(4)로 덮힌 가공 영역(14)에는, 도 4에 나타내는 바와 같이, 베이스(84)에 칼럼(86)이 세워서 설치되어 있고, 칼럼(86)에 레이저 빔 조사 유닛(90)이 부착되어 있다. 레이저 빔 조사 유닛(90)은 케이싱(88) 내에 수용된, 도 5에 나타내는 레이저 빔 발생 유닛(92)과, 케이싱(88)의 선단에 부착된 집광기(가공 헤드)(94)로 구성된다. 집광기(94)에 인접하여 케이싱(88)의 선단에는 촬상 유닛(96)이 부착되어 있다.As shown in FIG. 4, in the processing region 14 covered by the exterior cover 4, a column 86 is placed upright on the base 84, and the laser beam irradiation unit 90 is attached to the column 86. It is. The laser beam irradiation unit 90 is composed of a laser beam generating unit 92 shown in FIG. 5 housed in a casing 88 and a condenser (processing head) 94 attached to the tip of the casing 88. An imaging unit 96 is attached to the tip of the casing 88 adjacent to the light collector 94.

도 5에 나타내는 바와 같이, 레이저 빔 발생 유닛(92)은, YAG 레이저 발진기 또는 YVO4 레이저 발진기 등의 레이저 발진기(98)와, 반복 주파수 설정 수단(100)과, 펄스폭 조정 수단(102)과, 파워 조정 수단(104)을 포함하고 있다. 특별히 도시하지 않지만 레이저 발진기(98)는 브루스터 창을 갖고 있고, 레이저 발진기(98)로부터 출사하는 레이저 빔은 직선 편광의 레이저 빔이다.As shown in FIG. 5, the laser beam generating unit 92 includes a laser oscillator 98 such as a YAG laser oscillator or a YVO4 laser oscillator, a repetition frequency setting means 100, a pulse width adjusting means 102, It includes a power adjusting means 104. Although not specifically shown, the laser oscillator 98 has a Brewster window, and the laser beam emitted from the laser oscillator 98 is a linearly polarized laser beam.

도 6에 나타내는 바와 같이, 보호막액 토출 헤드(46)에는 보호막액을 토출하는 슬릿형의 토출구(106)가 형성되어 있다. 슬릿형의 토출구(106)는 도 6에 있어서 지면에 수직 방향으로 연장하고 있다. 토출구(106)는 보호막액 공급원(110)에 접속되어 있다. 보호막액으로서는, PVA(폴리비닐알콜), PEG(폴리에틸렌글리콜) 등의 수용성 수지를 채용 가능하다.As shown in FIG. 6, the protective film liquid discharge head 46 is provided with the slit-type discharge port 106 which discharges a protective film liquid. The slit-shaped discharge port 106 extends in the direction perpendicular to the ground in FIG. The discharge port 106 is connected to the protective film liquid supply source 110. As a protective film liquid, water-soluble resin, such as PVA (polyvinyl alcohol) and PEG (polyethylene glycol), can be employ | adopted.

보호막액 토출 헤드(46)는 또한, 화살표(Y1)로 나타낸 보호막액 도포 방향의 선두측에서 슬릿형 토출구(106)에 인접하여 형성된, 흡인원(112)에 접속된 흡인구(108)를 갖고 있다. 흡인구(108)도 지면에 수직 방향으로 연장하는 슬릿형으로 형성되어 있다.The protective film liquid discharge head 46 also has a suction port 108 connected to the suction source 112 formed adjacent to the slit-type discharge port 106 at the head side of the protective film liquid application direction indicated by the arrow Y1. have. The suction port 108 is also formed in a slit shape extending in the direction perpendicular to the ground.

흡인구(108)로부터 에어를 흡인함으로써, 웨이퍼(11) 상에 피복되는 보호막액(114)에 기체가 혼입되는 것을 방지한다. 화살표(Y2)는 보호막액 도포 시의 웨이퍼(11)의 이동 방향이다.By sucking air from the suction port 108, gas is prevented from entering the protective film liquid 114 coated on the wafer 11. Arrow Y2 is a moving direction of the wafer 11 at the time of applying the protective film liquid.

본 명세서에서는, 클램프(17)를 갖는 반출반입 유닛(16), 상부 아암(38) 및 그 이동 기구(64), 하부 아암(68) 및 그 이동 기구(80)를 합쳐서 반송 수단이라고 칭하는 것으로 한다. 따라서, 전술한 실시형태에서는, 반송 수단에 보호막액 토출 헤드(46)가 부설되어 있다.In this specification, the carrying-in / out unit 16 which has the clamp 17, the upper arm 38, its moving mechanism 64, the lower arm 68, and its moving mechanism 80 are collectively called a conveyance means. . Therefore, in the above-mentioned embodiment, the protective film liquid discharge head 46 is attached to the conveying means.

따라서, 본 발명에서는, 보호막액 토출 헤드(46)는 상부 아암(38)에 부설되는 형태뿐만 아니라, 보호막액 토출 헤드(48)가 하부 아암(68) 또는 반출반입 유닛(16)에 부설되는 형태여도 좋다.Therefore, in the present invention, the protective film liquid discharge head 46 is not only attached to the upper arm 38 but also the protective film liquid discharge head 48 is attached to the lower arm 68 or the carry-in / out unit 16. You may.

이하, 전술한 레이저 가공 장치(2)의 작용에 대해서 설명한다. 우선, 클램프(17)가 카세트 내로부터 1장째의 웨이퍼 유닛(17)을 가배치 영역(10)까지 인출하고, 센터링 가이드(30)로 웨이퍼 유닛(17)을 센터링한다.Hereinafter, the effect | action of the laser processing apparatus 2 mentioned above is demonstrated. First, the clamp 17 pulls out the first wafer unit 17 from the cassette to the provisional placement area 10, and centers the wafer unit 17 with the centering guide 30.

계속해서, 상부 아암(38)이 웨이퍼 유닛(17)을 흡착하고, Y축 방향으로 이동시켜 보호막 피복 영역(12)에 배치된 유지 테이블(44)에 웨이퍼 유닛(17)을 반송한다. 유지 테이블(44)에서 다이싱 테이프(T)를 통해 웨이퍼(11)를 흡인 유지하며, 도시하지 않는 클램프로 환형 프레임(F)을 클램프하여 고정한다.Subsequently, the upper arm 38 sucks the wafer unit 17, moves in the Y-axis direction, and conveys the wafer unit 17 to the holding table 44 disposed in the protective film covering region 12. The holding table 44 sucks and holds the wafer 11 through the dicing tape T, and clamps and fixes the annular frame F with a clamp (not shown).

계속해서, 도 7에 나타내는 바와 같이, 보호막액 토출 헤드(46)를 웨이퍼(11)의 외주측으로부터 중심을 향하여 이동시키며, 유지 테이블(44)을 회전시키면서, 슬릿형 토출구(106)로부터 보호막액을 공급하여 웨이퍼(11) 표면에 보호막액(114)을 나선형으로 도포한다.Subsequently, as shown in FIG. 7, the protective film liquid discharge head 46 is moved from the outer peripheral side of the wafer 11 toward the center, and the protective film liquid is discharged from the slit-shaped discharge port 106 while rotating the holding table 44. Is supplied, and the protective film liquid 114 is spirally applied to the surface of the wafer 11.

보호막액 도포 시에 유지 테이블(44)의 회전 속도를, 예컨대 보호막액 토출 헤드(46)가 외주측에 위치할 때의 2 rpm으로부터 내주측에 위치할 때의 25 rpm까지 상승시킴으로써, 보호막액 도포점에 있어서의 도포 속도를 일정하게 하는 것이 바람직하다.Protective film liquid application | coating by raising the rotational speed of the holding table 44 at the time of protective film liquid application, for example from 2 rpm when the protective film liquid discharge head 46 is located in the outer peripheral side to 25 rpm when it is located in the inner peripheral side. It is preferable to make the application | coating speed in a point constant.

보호막액(114)의 도포 종료 후, 유지 테이블(44)을, 예컨대 3000 rpm으로 약 30초간 회전시켜 보호막액(114)을 평탄화하며 건조시켜 웨이퍼(11)의 표면에 보호막을 피복한다.After application of the protective film liquid 114, the holding table 44 is rotated at, for example, 3000 rpm for about 30 seconds to flatten and dry the protective film liquid 114 to coat the protective film on the surface of the wafer 11.

웨이퍼(11) 표면에 보호막을 피복한 후, 상부 아암(38)이 웨이퍼 유닛(17)을 흡착하여 홈 포지션에 위치되어 있는 가공 테이블(32)까지 웨이퍼 유닛(17)을 반송한다. 가공 테이블(32)에서 다이싱 테이프(T)를 개재하여 웨이퍼(11)를 흡인 유지하며, 클램프(34)로 환형 프레임(F)을 클램프하여 고정한다.After coating the protective film on the wafer 11 surface, the upper arm 38 sucks the wafer unit 17 and conveys the wafer unit 17 to the processing table 32 located at the home position. The wafer 11 is suction-held through the dicing tape T in the processing table 32, and the annular frame F is clamped and fixed by the clamp 34. As shown in FIG.

계속해서, 가공 테이블(10)을 X축 방향으로 이동시켜 가공 영역(14)에 위치하고, 촬상 유닛(96)에 의한 얼라인먼트를 실시한 후, 집광기(94)로부터 웨이퍼(11)에 대하여 흡수성을 갖는 파장(예컨대 355 ㎚) 레이저 빔을 분할 예정 라인(13)을 따라서 조사하여, 어브레이전(abrasion)에 의해 레이저 가공홈을 형성한다.Subsequently, the processing table 10 is moved in the X-axis direction, positioned in the processing region 14, and aligned by the imaging unit 96, and then the wavelength having absorbency to the wafer 11 from the light collector 94. A laser beam (for example, 355 nm) is irradiated along the division scheduled line 13 to form a laser processing groove by abrasion.

1장째의 웨이퍼(11)에 레이저 가공 중, 클램프(17)가 2장째의 웨이퍼 유닛(17)을 카세트로부터 가배치 영역(10)까지 인출하여, 센터링 가이드(30)로 센터링을 실시한다.During the laser processing on the first wafer 11, the clamp 17 pulls the second wafer unit 17 from the cassette to the provisional disposition region 10 and centers the centering guide 30.

센터링 실시 후, 상부 아암(38)이 2장째의 웨이퍼 유닛(17)을 유지 테이블(44)까지 반송하여, 2장째의 웨이퍼(11)에 보호막을 피복한다. 보호막 피복 후, 상부 아암(38)이 2장째의 웨이퍼 유닛(17)을 흡착하여, 웨이퍼 유닛(17)이 유지 테이블(44)로부터 이격된 상태로 1장째의 웨이퍼(11)의 가공 종료까지 유지해 둔다.After centering, the upper arm 38 conveys the second wafer unit 17 to the holding table 44 to coat the protective film on the second wafer 11. After coating the protective film, the upper arm 38 adsorbs the second wafer unit 17 and holds the wafer unit 17 until the end of processing of the first wafer 11 in a state spaced apart from the holding table 44. Put it.

1장째의 웨이퍼(11)의 가공이 종료하면, 가공 테이블(10)을 X축 방향으로 이동시켜 도 1에 도시되어 있는 홈 포지션에 위치한다. 하부 아암(68)이 가공 테이블(32) 상의 1장째의 웨이퍼 유닛(17)을 흡착하여, Y축 방향으로 이동시켜 유지 테이블(44)까지 가공이 종료한 1장째의 웨이퍼 유닛(17)을 반송하여, 가공 종료 후의 웨이퍼(11)의 세정을 실시한다.When the machining of the first wafer 11 is finished, the machining table 10 is moved in the X-axis direction and positioned at the home position shown in FIG. 1. The lower arm 68 sucks the first wafer unit 17 on the work table 32, moves it in the Y-axis direction, and conveys the first wafer unit 17 on which the processing is completed up to the holding table 44. Thus, the wafer 11 after the end of processing is washed.

상부 아암(38)에서 유지하고 있던 2장째의 웨이퍼 유닛(17)을 가공 테이블(32)까지 반송하여, 가공 테이블(32) 상에 배치한다. 계속해서, 가공 테이블(32)을 X축 방향으로 가공 영역(14)까지 반송하여, 2장째의 웨이퍼(11)에 레이저 가공을 실시한다.The 2nd wafer unit 17 hold | maintained by the upper arm 38 is conveyed to the process table 32, and is arrange | positioned on the process table 32. FIG. Subsequently, the processing table 32 is conveyed to the processing region 14 in the X-axis direction, and laser processing is performed on the second wafer 11.

1장째의 웨이퍼(11)를 세정하는 중에, 또한 2장째의 웨이퍼(11)를 가공하는 중에 클램프(17)가 3장째의 웨이퍼 유닛(17)을 카세트로부터 가배치 영역(10)까지 인출하여, 센터링 가이드(30)로 센터링을 실시한다. 센터링 실시 후, 상부 아암(38)이 3장째의 웨이퍼 유닛(17)을 흡인 유지한다.During the cleaning of the first wafer 11 and during the processing of the second wafer 11, the clamp 17 draws the third wafer unit 17 from the cassette to the provisional placement region 10. Centering is performed with the centering guide 30. After centering, the upper arm 38 sucks and holds the third wafer unit 17.

세정이 종료한 1장째의 웨이퍼 유닛(17)을 하부 아암(68)이 유지 테이블(44)로부터 센터링 가이드(30) 상에 반송하고, 반출반입 유닛(16)의 클램프(17)가 가공이 종료한 1장째의 웨이퍼 유닛(17)을 카세트 내에 수용한다.The lower arm 68 transfers the first wafer unit 17 on which cleaning is completed from the holding table 44 onto the centering guide 30, and the clamp 17 of the carry-in / out unit 16 finishes processing. The first wafer unit 17 is housed in a cassette.

이하 이러한 시퀀스로 반출반입 유닛(16), 상부 아암(38) 및 하부 아암(68)이 작동하여, 웨이퍼(11) 상에 보호막을 형성한 후, 레이저 빔의 어브레이전 가공에 의해 웨이퍼(11)에 레이저 가공홈을 형성한다.The carrying-in / out unit 16, the upper arm 38, and the lower arm 68 operate in this sequence hereinafter to form a protective film on the wafer 11, and then wafer 11 by abrasion processing of the laser beam. To form a laser processing groove.

본 실시형태에서는, 반송 수단을 반출반입 유닛(16), 상부 아암(38) 및 하부 아암(68)으로 구성하고 있기 때문에, 가공 대기 시간을 거의 들이지 않고, 카세트 내로부터 차례차례로 웨이퍼 유닛(17)을 인출하여, 웨이퍼(11) 상에 보호막을 피복한 후 레이저 가공을 실시할 수 있다.In this embodiment, since the conveying means is comprised by the carry-out / out unit 16, the upper arm 38, and the lower arm 68, the wafer unit 17 is in turn from within a cassette without incurring processing waiting time. After the extraction, the protective film is coated on the wafer 11, and then laser processing can be performed.

본 실시형태에 따르면, 보호막 토출 헤드(46)의 슬릿형의 토출구(106)로부터 보호막액을 토출하여 웨이퍼(11) 상에 나선형으로 보호막액을 도포하는 것이 가능해지기 때문에, 폐기하는 보호막액의 양을 억제하는 것이 가능해진다.According to this embodiment, since the protective film liquid can be discharged from the slit-shaped discharge port 106 of the protective film discharge head 46 and the protective film liquid can be applied spirally on the wafer 11, the amount of the protective film liquid to be discarded. Can be suppressed.

또한, 반송 수단을 반출반입 유닛(16), 상부 아암(38) 및 하부 아암(68)으로 구성하였기 때문에, 대기 시간을 들이는 일없이 효율적으로 복수매의 웨이퍼(11)에 레이저 가공을 실시할 수 있다.Moreover, since the conveying means was comprised by the carry-out / out unit 16, the upper arm 38, and the lower arm 68, it can perform laser processing on several wafer 11 efficiently without having to wait time. Can be.

전술한 실시형태에서는, 피가공물로서 반도체 웨이퍼 또는 광 디바이스 웨이퍼 등의 웨이퍼를 채용한 예에 대해서 설명하였지만, 피가공물은 이것에 한정되는 것이 아니며, 표면에 패턴 또는 미세 구조물을 갖는 다른 판형 피가공물에도 본 발명은 적용 가능하다.In the above-described embodiment, an example in which a wafer such as a semiconductor wafer or an optical device wafer is employed as the workpiece is described. However, the workpiece is not limited to this, and other workpieces having patterns or microstructures on the surface thereof may also be used. The present invention is applicable.

8: 카세트 배치대 10: 가배치 영역
12: 보호막 피복 영역 14: 가공 영역
16: 반출반입 유닛 17: 클램프
30: 센터링 가이드 32: 가공 테이블
38: 상부 아암 44: 유지 테이블
46: 보호막액 토출 헤드 68: 하부 아암
90: 레이저 빔 조사 유닛 94: 집광기(레이저 헤드)
106: 슬릿형 토출구 108: 흡인구
8: cassette holder 10: batch area
12: protective film coating area 14: processing area
16: Carry-out unit 17: Clamp
30: centering guide 32: machining table
38: upper arm 44: holding table
46: protective film liquid discharge head 68: lower arm
90: laser beam irradiation unit 94: light collector (laser head)
106: slit-type discharge port 108: suction port

Claims (4)

피가공물을 유지하는 가공 테이블과, 상기 가공 테이블에 유지된 피가공물에 레이저 가공을 실시하는 레이저 가공 수단과, 복수의 피가공물을 수용할 수 있는 카세트가 배치되는 카세트 배치대와, 상기 카세트 배치대에 배치된 카세트로부터 피가공물을 적어도 상기 가공 테이블까지 반송하는 반송 수단을 구비한 레이저 가공 장치로서,
피가공물을 유지하는 유지면을 갖는 유지 테이블과,
상기 유지 테이블에 유지된 피가공물의 표면에 보호막을 형성하는 수용성 수지로 이루어지는 보호막액을 토출하는 슬릿형의 토출구를 갖는 보호막액 토출 헤드와,
상기 보호막액 토출 헤드를 상기 유지 테이블의 상기 유지면에 대하여 접근 이격 가능하게 상대적으로 이동시키는 제1 이동 수단과,
상기 보호막액 토출 헤드를 상기 유지 테이블의 상기 유지면과 평행한 방향으로 직선 이동시키는 제2 이동 수단과,
상기 유지면의 중심을 지나 상기 유지면에 직교하는 회전축으로 상기 유지 테이블을 회전시키는 구동 수단을 구비하고,
상기 보호막액 토출 헤드는 상기 반송 수단에 부설되며,
상기 제1 이동 수단과 상기 제2 이동 수단은 상기 반송 수단으로 겸용되는 것을 특징으로 하는 레이저 가공 장치.
A cassette placing table on which a processing table for holding a workpiece, laser processing means for performing laser processing on a workpiece held on the processing table, a cassette for accommodating a plurality of workpieces, and the cassette placing table A laser processing apparatus provided with a conveying means for conveying a workpiece to at least the said processing table from the cassette arrange | positioned at
A holding table having a holding surface for holding the workpiece,
A protective film liquid discharge head having a slit discharge port for discharging a protective film liquid made of a water-soluble resin that forms a protective film on the surface of the workpiece held by the holding table;
First moving means for moving said protective film liquid discharge head relatively relatively to said holding surface of said holding table so as to be spaced apart from each other;
Second moving means for linearly moving the protective film liquid discharge head in a direction parallel to the holding surface of the holding table;
A driving means for rotating the holding table through a rotation axis orthogonal to the holding surface passing through the center of the holding surface;
The protective film liquid discharge head is attached to the conveying means,
The said 1st moving means and the said 2nd moving means are combined with the said conveying means, The laser processing apparatus characterized by the above-mentioned.
제1항에 있어서, 상기 보호막액 토출 헤드는, 보호막액 도포 방향의 선두측에서 상기 슬릿형의 토출구에 인접하여 형성된 흡인구를 갖는 것인 레이저 가공 장치.The laser processing apparatus according to claim 1, wherein the protective film liquid discharge head has a suction port formed adjacent to the slit-shaped discharge port at the head side in the protective film liquid application direction. 제1항 또는 제2항에 기재된 레이저 가공 장치를 이용한 보호막의 피복 방법으로서,
상기 유지 테이블에서 피가공물을 유지하는 유지 단계와,
상기 유지 테이블에 유지된 피가공물의 상면으로부터 정해진 높이에 상기 보호막액 토출 헤드를 위치시키는 위치 부여 단계와,
상기 위치 부여 단계를 실시한 후, 상기 유지 테이블을 제1 속도로 회전시키면서 상기 보호막액 토출 헤드를 상기 유지 테이블 상에서 직선 이동시키면서 상기 보호막액 토출 헤드로부터 보호막액을 피가공물 상에 토출하여, 피가공물의 상면을 정해진 두께의 보호막액으로 나선형으로 피복하는 피복 단계와,
상기 피복 단계를 실시한 후, 상기 유지 테이블을 상기 제1 속도보다 빠른 제2 속도로 회전시켜 상기 보호막액을 평탄화하며 건조시켜 보호막을 형성하는 보호막 형성 단계
를 포함하는 것을 특징으로 하는 보호막 피복 방법.
As a coating method of a protective film using the laser processing apparatus of Claim 1 or 2,
A holding step of holding the workpiece in the holding table;
A positioning step of positioning the protective film liquid ejecting head at a predetermined height from an upper surface of the workpiece held by the holding table;
After performing the positioning step, the protective film liquid is discharged from the protective film liquid discharge head onto the workpiece while the protective film liquid discharge head is linearly moved on the holding table while rotating the holding table at a first speed. A coating step of spirally covering the upper surface with a protective film liquid having a predetermined thickness;
After the coating step, the protective film forming step of forming a protective film by rotating the holding table at a second speed faster than the first speed to planarize and dry the protective film liquid
Protective film coating method comprising a.
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