JP6132652B2 - 液体吐出ヘッドの製造方法 - Google Patents
液体吐出ヘッドの製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP6132652B2 JP6132652B2 JP2013096855A JP2013096855A JP6132652B2 JP 6132652 B2 JP6132652 B2 JP 6132652B2 JP 2013096855 A JP2013096855 A JP 2013096855A JP 2013096855 A JP2013096855 A JP 2013096855A JP 6132652 B2 JP6132652 B2 JP 6132652B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- photosensitive resin
- gas barrier
- barrier layer
- resin layer
- manufacturing
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 34
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 32
- 239000007788 liquid Substances 0.000 title claims description 30
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims description 103
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims description 103
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 claims description 64
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 46
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 45
- 238000011161 development Methods 0.000 claims description 14
- -1 polysiloxane Polymers 0.000 claims description 9
- 238000002835 absorbance Methods 0.000 claims description 8
- CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N O-Xylene Chemical compound CC1=CC=CC=C1C CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims description 6
- 239000008096 xylene Substances 0.000 claims description 6
- 238000007599 discharging Methods 0.000 claims description 4
- 229920000548 poly(silane) polymer Polymers 0.000 claims description 4
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 claims description 4
- WQMWHMMJVJNCAL-UHFFFAOYSA-N 2,4-dimethylpenta-1,4-dien-3-one Chemical compound CC(=C)C(=O)C(C)=C WQMWHMMJVJNCAL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 238000001035 drying Methods 0.000 claims description 2
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 124
- 239000000047 product Substances 0.000 description 18
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 17
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 17
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 17
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 description 15
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 15
- KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N isopropyl alcohol Natural products CC(C)O KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 7
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 7
- 230000008569 process Effects 0.000 description 6
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 5
- 239000011247 coating layer Substances 0.000 description 4
- 150000002576 ketones Chemical class 0.000 description 4
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 4
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 description 4
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 4
- 229920002125 Sokalan® Polymers 0.000 description 3
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 3
- 239000004205 dimethyl polysiloxane Substances 0.000 description 3
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 3
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 3
- 229920000435 poly(dimethylsiloxane) Polymers 0.000 description 3
- 239000004584 polyacrylic acid Substances 0.000 description 3
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 3
- 229920003169 water-soluble polymer Polymers 0.000 description 3
- NTIZESTWPVYFNL-UHFFFAOYSA-N Methyl isobutyl ketone Chemical compound CC(C)CC(C)=O NTIZESTWPVYFNL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- UIHCLUNTQKBZGK-UHFFFAOYSA-N Methyl isobutyl ketone Natural products CCC(C)C(C)=O UIHCLUNTQKBZGK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910008807 WSiN Inorganic materials 0.000 description 2
- MTHSVFCYNBDYFN-UHFFFAOYSA-N anhydrous diethylene glycol Natural products OCCOCCO MTHSVFCYNBDYFN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 2
- UCUUFSAXZMGPGH-UHFFFAOYSA-N penta-1,4-dien-3-one Chemical compound C=CC(=O)C=C UCUUFSAXZMGPGH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 2
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 2
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 2
- 239000011342 resin composition Substances 0.000 description 2
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 2
- 238000011282 treatment Methods 0.000 description 2
- LPEKGGXMPWTOCB-UHFFFAOYSA-N 8beta-(2,3-epoxy-2-methylbutyryloxy)-14-acetoxytithifolin Natural products COC(=O)C(C)O LPEKGGXMPWTOCB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 1
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 1
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 239000013065 commercial product Substances 0.000 description 1
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 1
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 1
- ODQWQRRAPPTVAG-GZTJUZNOSA-N doxepin Chemical compound C1OC2=CC=CC=C2C(=C/CCN(C)C)/C2=CC=CC=C21 ODQWQRRAPPTVAG-GZTJUZNOSA-N 0.000 description 1
- 239000000428 dust Substances 0.000 description 1
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 1
- 239000000835 fiber Substances 0.000 description 1
- 238000005227 gel permeation chromatography Methods 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 230000001771 impaired effect Effects 0.000 description 1
- 238000005304 joining Methods 0.000 description 1
- 239000010985 leather Substances 0.000 description 1
- 230000031700 light absorption Effects 0.000 description 1
- XIXADJRWDQXREU-UHFFFAOYSA-M lithium acetate Chemical compound [Li+].CC([O-])=O XIXADJRWDQXREU-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 238000000691 measurement method Methods 0.000 description 1
- 229940057867 methyl lactate Drugs 0.000 description 1
- 230000035699 permeability Effects 0.000 description 1
- 239000012466 permeate Substances 0.000 description 1
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 1
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 1
- 229920003229 poly(methyl methacrylate) Polymers 0.000 description 1
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 1
- 239000004926 polymethyl methacrylate Substances 0.000 description 1
- 238000005488 sandblasting Methods 0.000 description 1
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002023 wood Substances 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
- G03F7/09—Photosensitive materials characterised by structural details, e.g. supports, auxiliary layers
- G03F7/092—Photosensitive materials characterised by structural details, e.g. supports, auxiliary layers characterised by backside coating or layers, by lubricating-slip layers or means, by oxygen barrier layers or by stripping-release layers or means
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B41—PRINTING; LINING MACHINES; TYPEWRITERS; STAMPS
- B41J—TYPEWRITERS; SELECTIVE PRINTING MECHANISMS, i.e. MECHANISMS PRINTING OTHERWISE THAN FROM A FORME; CORRECTION OF TYPOGRAPHICAL ERRORS
- B41J2/00—Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed
- B41J2/005—Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed characterised by bringing liquid or particles selectively into contact with a printing material
- B41J2/01—Ink jet
- B41J2/135—Nozzles
- B41J2/16—Production of nozzles
- B41J2/1601—Production of bubble jet print heads
- B41J2/1603—Production of bubble jet print heads of the front shooter type
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B41—PRINTING; LINING MACHINES; TYPEWRITERS; STAMPS
- B41J—TYPEWRITERS; SELECTIVE PRINTING MECHANISMS, i.e. MECHANISMS PRINTING OTHERWISE THAN FROM A FORME; CORRECTION OF TYPOGRAPHICAL ERRORS
- B41J2/00—Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed
- B41J2/005—Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed characterised by bringing liquid or particles selectively into contact with a printing material
- B41J2/01—Ink jet
- B41J2/135—Nozzles
- B41J2/16—Production of nozzles
- B41J2/1621—Manufacturing processes
- B41J2/1631—Manufacturing processes photolithography
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B41—PRINTING; LINING MACHINES; TYPEWRITERS; STAMPS
- B41J—TYPEWRITERS; SELECTIVE PRINTING MECHANISMS, i.e. MECHANISMS PRINTING OTHERWISE THAN FROM A FORME; CORRECTION OF TYPOGRAPHICAL ERRORS
- B41J2/00—Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed
- B41J2/005—Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed characterised by bringing liquid or particles selectively into contact with a printing material
- B41J2/01—Ink jet
- B41J2/135—Nozzles
- B41J2/16—Production of nozzles
- B41J2/1621—Manufacturing processes
- B41J2/1635—Manufacturing processes dividing the wafer into individual chips
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B41—PRINTING; LINING MACHINES; TYPEWRITERS; STAMPS
- B41J—TYPEWRITERS; SELECTIVE PRINTING MECHANISMS, i.e. MECHANISMS PRINTING OTHERWISE THAN FROM A FORME; CORRECTION OF TYPOGRAPHICAL ERRORS
- B41J2/00—Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed
- B41J2/005—Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed characterised by bringing liquid or particles selectively into contact with a printing material
- B41J2/01—Ink jet
- B41J2/135—Nozzles
- B41J2/16—Production of nozzles
- B41J2/1621—Manufacturing processes
- B41J2/164—Manufacturing processes thin film formation
- B41J2/1645—Manufacturing processes thin film formation thin film formation by spincoating
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/0035—Multiple processes, e.g. applying a further resist layer on an already in a previously step, processed pattern or textured surface
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
- G03F7/038—Macromolecular compounds which are rendered insoluble or differentially wettable
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
- G03F7/039—Macromolecular compounds which are photodegradable, e.g. positive electron resists
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
- G03F7/075—Silicon-containing compounds
- G03F7/0752—Silicon-containing compounds in non photosensitive layers or as additives, e.g. for dry lithography
Description
まず、エネルギー発生素子2と供給口3とが形成された基板1上に、第1の感光性樹脂層4を形成する(図3(a))。基板1としては、シリコン基板を用いることができる。エネルギー発生素子2としては、例えばWSiNを含むヒーターを用いることができる。基板1の表面には、エネルギー発生素子2の保護膜として、シリコンの窒化物膜、シリコンの酸化物膜、シリコンの炭化物膜、Ta等の金属膜等が設けられていてもよい。なお、供給口3はこの段階で形成されていなくてもよい。
次に、第1の感光性樹脂層4上にガスバリア層5を形成する(図3(b))。本発明においては、第1の感光性樹脂層4上にガスバリア層5を形成することで、後述する第1の感光性樹脂層4のパターン露光の際に発生する第1の感光性樹脂層4の分解物を、第1の感光性樹脂層4とガスバリア層5との界面でブロックする。これにより、該分解物による露光機内の汚染を防ぎ、特に該分解物のマスク6への付着を抑制できる。
次に、第1の感光性樹脂層4及びガスバリア層5に対してパターン露光した後(図3(c))、現像することで流路の型材7aを形成する。また、該現像前又は該現像と同時にガスバリア層5を除去する(図3(d))。第1の感光性樹脂層4をパターニングする方法としては、第1の感光性樹脂層4とガスバリア層5に対して、第1の感光性樹脂層4を感光可能な活性エネルギー線を、マスク6を介して照射してパターン露光する。活性エネルギー線としては、第1の感光性樹脂層4に含まれるポジ型感光性樹脂にもよるが、例えばDeepUV光を用いることができる。また、露光量としては、例えば15〜30J/cm2とすることができる。なお、ガスバリア層5が前記活性エネルギー線で分解し得る場合には、その分解の程度にもよるが、適宜その分解し得る波長領域をカットできるフィルター等を用いて露光することができる。その後、第1の感光性樹脂層4の露光部を溶解可能な溶媒等を用いて現像し、リンス処理を行うことで、型材7aを形成することができる。ガスバリア層5を該現像前に除去する場合には、ガスバリア層5を溶解可能な溶媒を用いて除去することができる。また、ガスバリア層5を該現像と同時に除去する場合には、第1の感光性樹脂層4の露光部を溶解可能な溶媒により、第1の感光性樹脂層4の露光部とガスバリア層5を同時に除去することができる。ガスバリア層5の除去は、該現像と同時に行うことが製造工程を簡略化できる観点から好ましい。
次に、型材7a及び基板1上に、吐出口形成部材となる第2の感光性樹脂層8aを形成する(図3(e))。第2の感光性樹脂層8aはネガ型感光性樹脂を含むことがインク耐久性等の観点から好ましい。ネガ型感光性樹脂としては、例えばエポキシ樹脂等を用いることができる。市販品では、例えば「EHPE−3150」(商品名、(株)ダイセル製)等を用いることができる。これらは一種を用いてもよく、二種以上を併用してもよい。第2の感光性樹脂層8aは、例えば、第2の感光性樹脂層8aの材料を適宜溶媒に溶解した溶液を、スピンコート法にて型材7a及び基板1上に塗布することで形成することができる。なお、溶媒を使用する場合には、型材7aを溶解しない溶媒を選択して使用する。第2の感光性樹脂層8aの厚さは、吐出口部の現像性が損なわれない範囲であれば特に制限されないが、例えば型材7a上における第2の感光性樹脂層8aの厚さを10〜50μmとすることができる。
次に、第2の感光性樹脂層8aに対してマスク9を介してパターン露光した後(図3(f))、現像することで吐出口10を形成する(図3(g))。光には、第2の感光性樹脂層8aの感光波長の活性エネルギー線を用いることができ、例えば紫外線を用いることができる。紫外線としては、例えばi線を用いることができる。露光量は第2の感光性樹脂層8aの材料、膜厚等にもよるが、例えば3000〜5000mJ/cm2とすることができる。露光後には、露光後ベーク(PEB)を行ってもよい。
次に、型材7aを除去することにより流路7bを形成する。さらにベーク処理により、第2の感光性樹脂層8aを完全硬化させて吐出口形成部材8bを形成する(図3(h))。型材7aは、例えば、型材7aを溶解可能な溶媒に基板1を浸漬することで除去することができる。また、必要に応じて、型材7aを感光可能な活性エネルギー線を用いて型材7aを露光し、予め型材7aの溶解性を高めてもよい。また、基板1の浸漬時に溶媒に超音波を付与してもよい。
本実施例の方法によりシリコン基板50枚を連続処理し、全てのシリコン基板からインクジェット記録ヘッドを作製した。該インクジェット記録ヘッドを記録装置に装着した。評価は、純水/ジエチレングリコール/イソプロピルアルコール/酢酸リチウム/黒色染料フードブラック2=79.4/15/3/0.1/2.5(質量比)からなるインクを用いて、罫線印字及びドット印字を行った。また、作製したインクジェット記録ヘッドを図1に示すA−A’断面で切断し、SEM(走査型電子顕微鏡)により図2に示す流路7bの形状を観察した。さらに、インクジェット記録ヘッドの作製において、第1の感光性樹脂層及びガスバリア層をパターン露光した後のマスクを観察し、マスク曇りの有無を確認した。表1に、シリコン基板の連続処理において、印字に乱れが見られるようになったシリコン基板の処理枚数、流路形状に乱れが見られるようになったシリコン基板の処理枚数、及びマスク曇りが見られるようになったシリコン基板の処理枚数を示す。
まず、エネルギー発生素子2としてWSiNを含むヒーターが配置されたシリコン基板1上にブラストマスクを設置し、サンドブラスト加工により供給口3を形成した。なお、エネルギー発生素子2上には絶縁膜が設けられ、該絶縁膜上にはTaの保護膜が設けられている。次いで、ポジ型感光性樹脂として、ポリメチルイソプロペニルケトン(商品名:「ODUR−1010」、東京応化工業(株)製)をPET上に塗布し、乾燥してドライフィルムを作製し、該ドライフィルムをシリコン基板1上にラミネート法により転写した。その後、120℃にて6分間プリベークを行い、第1の感光性樹脂層4を形成した(図3(a))。次いで、ガスバリア層の材料としてのジメチルポリシラン(和光純薬工業(株)製、重量平均分子量:150,000)をキシレンに2.5質量%溶解させた溶液を、第1の感光性樹脂層4上にスピンコート法により塗布した。その後、110℃にて3分間プリベークを行い、ガスバリア層5を形成した(図3(b))。なお、ガスバリア層5の膜密度は1.5g/cm3であった。また、波長280nm以上、320nm以下の光に対するガスバリア層5の平均吸光度は0.03であった。
「EHPE−3150」(商品名、(株)ダイセル製) 100質量部
「A−187」(商品名、東レ・ダウコーニング(株)製) 5質量部
「SP−172」(商品名、(株)ADEKA製) 1.5質量部
この溶液をスピンコート法にて型材7a及びシリコン基板1上に塗布し、第2の感光性樹脂層8aを形成した(図3(e))。なお、型材7a上における第2の感光性樹脂層8aの膜厚は20μmであった。
ガスバリア層5の形成において、ガスバリア層の材料としてのポリジメチルシロキサン(和光純薬工業(株)製、重量平均分子量:139,000)をキシレンに2.5質量%溶解させた溶液を用いた。それ以外は実施例1と同様にインクジェット記録ヘッドを作製し、評価した。結果を表1に示す。
ガスバリア層5を形成しなかったこと以外は、実施例1と同様にインクジェット記録ヘッドを作製し、評価した。結果を表1に示す。
ガスバリア層5の形成において、ガスバリア層の材料としてのポリアクリル酸(和光純薬工業(株)製)をキシレンに2.5質量%溶解させた溶液を用いた以外は実施例1と同様にインクジェット記録ヘッドを作製し、評価した。結果を表1に示す。
2 エネルギー発生素子
3 供給口
4 第1の感光性樹脂層
5 ガスバリア層
6 マスク
7a 型材
7b 流路
8a 第2の感光性樹脂層
8b 吐出口形成部材
9 マスク
10 吐出口
11 供給部材
Claims (11)
- 基板と、該基板との間に液体の流路を形成し、該流路と連通する液体を吐出する吐出口を有する吐出口形成部材とを備える液体吐出ヘッドの製造方法であって、
基板上に、光崩壊性のポジ型感光性樹脂を含み、流路の型材となる第1の感光性樹脂層を設ける工程と、
前記第1の感光性樹脂層上に、膜密度が1g/cm3以上であるガスバリア層を設ける工程と、
前記第1の感光性樹脂層及び前記ガスバリア層に対してパターン露光した後、現像することで流路の型材を形成し、かつ、前記現像前又は前記現像と同時に該ガスバリア層を除去する工程と、
前記流路の型材及び前記基板上に、吐出口形成部材となる第2の感光性樹脂層を設ける工程と、
前記第2の感光性樹脂層に対してパターン露光した後、現像することで吐出口を形成する工程と、
前記流路の型材を除去して流路を形成する工程と、
を含む液体吐出ヘッドの製造方法。 - 前記ガスバリア層が無機骨格を有する化合物を含む請求項1に記載の液体吐出ヘッドの製造方法。
- 前記無機骨格を有する化合物がポリシランである請求項2に記載の液体吐出ヘッドの製造方法。
- 前記無機骨格を有する化合物がポリシロキサンである請求項2に記載の液体吐出ヘッドの製造方法。
- 前記ポジ型感光性樹脂がポリメチルイソプロペニルケトンである請求項1から4のいずれか1項に記載の液体吐出ヘッドの製造方法。
- 波長280nm以上、320nm以下の光に対する前記ガスバリア層の平均吸光度が0.05以下である請求項5に記載の液体吐出ヘッドの製造方法。
- 前記ガスバリア層が、ガスバリア層の材料をキシレンに溶解した溶液を前記第1の感光性樹脂層上に塗布し、乾燥することで形成された層である請求項5又は6に記載の液体吐出ヘッドの製造方法。
- 前記ガスバリア層を除去する工程において、前記ガスバリア層の除去を前記現像と同時に行う請求項1から7のいずれか1項に記載の液体吐出ヘッドの製造方法。
- 前記第2の感光性樹脂層がネガ型感光性樹脂を含む請求項1から8のいずれか1項に記載の液体吐出ヘッドの製造方法。
- 前記ガスバリア層の膜密度が1.2g/cm3以上である請求項1から9のいずれか1項に記載の液体吐出ヘッドの製造方法。
- 前記第1の感光性樹脂層の膜厚が15μmを超える請求項1から10のいずれか1項に記載の液体吐出ヘッドの製造方法。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2013096855A JP6132652B2 (ja) | 2013-05-02 | 2013-05-02 | 液体吐出ヘッドの製造方法 |
US14/266,483 US8945818B2 (en) | 2013-05-02 | 2014-04-30 | Method of manufacturing liquid ejection head |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2013096855A JP6132652B2 (ja) | 2013-05-02 | 2013-05-02 | 液体吐出ヘッドの製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2014217965A JP2014217965A (ja) | 2014-11-20 |
JP6132652B2 true JP6132652B2 (ja) | 2017-05-24 |
Family
ID=51841573
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2013096855A Active JP6132652B2 (ja) | 2013-05-02 | 2013-05-02 | 液体吐出ヘッドの製造方法 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US8945818B2 (ja) |
JP (1) | JP6132652B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
TW201924950A (zh) * | 2017-11-27 | 2019-07-01 | 愛爾蘭商滿捷特科技公司 | 形成噴墨噴嘴腔室的方法 |
Family Cites Families (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3143307B2 (ja) * | 1993-02-03 | 2001-03-07 | キヤノン株式会社 | インクジェット記録ヘッドの製造方法 |
JPH08276591A (ja) * | 1995-04-05 | 1996-10-22 | Canon Inc | 液体噴射記録ヘッド、その製造方法、及び記録装置 |
JPH0911483A (ja) * | 1995-06-30 | 1997-01-14 | Canon Inc | 液体噴射記録ヘッドの製造方法 |
JP2003218011A (ja) * | 2002-01-23 | 2003-07-31 | Nikon Corp | 露光転写方法及び半導体デバイスの製造方法 |
JP2005242318A (ja) | 2004-01-26 | 2005-09-08 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 化学増幅型レジスト及びパターン形成方法 |
EP1957282B1 (en) * | 2005-12-02 | 2013-04-10 | Canon Kabushiki Kaisha | Liquid discharge head producing method |
JP5932250B2 (ja) * | 2010-06-28 | 2016-06-08 | キヤノン株式会社 | 構造体の製造方法および液体吐出ヘッドの製造方法 |
US8728715B2 (en) * | 2012-01-13 | 2014-05-20 | Funai Electric Co., Ltd. | Non-photosensitive siloxane coating for processing hydrophobic photoimageable nozzle plate |
-
2013
- 2013-05-02 JP JP2013096855A patent/JP6132652B2/ja active Active
-
2014
- 2014-04-30 US US14/266,483 patent/US8945818B2/en active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20140329181A1 (en) | 2014-11-06 |
US8945818B2 (en) | 2015-02-03 |
JP2014217965A (ja) | 2014-11-20 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4834426B2 (ja) | インクジェット記録ヘッドの製造方法 | |
CN104669795B (zh) | 液体排出头的制造方法 | |
JP5153951B2 (ja) | インクジェット記録ヘッドの製造方法 | |
JP2003025595A (ja) | 微細構造体の製造方法、液体吐出ヘッドの製造方法、および液体吐出ヘッド | |
JP5279686B2 (ja) | 液体吐出ヘッドの製造方法 | |
JP2009166492A (ja) | 液体吐出ヘッドの製造方法 | |
KR20080081944A (ko) | 액체 토출 헤드 제조 방법 | |
JP5111544B2 (ja) | 液体吐出ヘッドの製造方法 | |
JP2009023342A (ja) | 液体吐出ヘッドおよびその製造方法、構造体およびその製造方法 | |
JP6000715B2 (ja) | 液体吐出ヘッドの製造方法 | |
JP6008598B2 (ja) | 吐出口形成部材及び液体吐出ヘッドの製造方法 | |
JP5153276B2 (ja) | インクジェット記録ヘッドの製造方法 | |
JP5783854B2 (ja) | 液体吐出ヘッドの製造方法、および液体吐出ヘッド | |
JP6132652B2 (ja) | 液体吐出ヘッドの製造方法 | |
JP2008290413A (ja) | 液体吐出ヘッドの製造方法 | |
US8323519B2 (en) | Method for manufacturing liquid discharge head | |
JP4845692B2 (ja) | 液体吐出ヘッドの製造方法 | |
JP5743637B2 (ja) | 液体吐出ヘッドの製造方法 | |
US10894410B2 (en) | Method of manufacturing liquid ejection head and method of forming resist | |
JP5328606B2 (ja) | 液体吐出ヘッドの製造方法 | |
JP6545077B2 (ja) | 液体吐出ヘッドの製造方法 | |
JP2012121168A (ja) | 液体吐出ヘッド及びその製造方法 | |
JP5553538B2 (ja) | 液体吐出ヘッドの製造方法 | |
JP2009166493A (ja) | 液体吐出ヘッドの製造方法 | |
JP2004262241A (ja) | 基板の加工方法およびインクジェット記録ヘッド用基板の作製方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20160418 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20170321 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20170322 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20170418 |
|
R151 | Written notification of patent or utility model registration |
Ref document number: 6132652 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R151 |