JP6128911B2 - 半導体装置及びパワーダウン制御方法 - Google Patents
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Description
当該信号を特定端子に入力する方法である。
一方、他の方法は、特定端子と電源との間に抵抗を設け、当該抵抗によりHレベル又はLレベルを維持させて特定端子に入力するプルアップ、又はプルダウンによる方法である。
特に、半導体装置として構成されたリチウムイオン電池等の電池監視用IC(Integrated Circuit)に搭載されるパワーダウン制御回路では、電池パックを電源電圧(1セル4.2Vとして、10セルの例では42V)としていることから、低消費電力化(低消費電流化)に対する要求がさらに厳しくなっている。
従って、半導体装置に搭載されるプルアップ回路又はプルダウン回路においても消費電力を削減することが課題となっている。
以下、図1及び図2を参照して、本実施の形態に係る半導体装置としてのパワーダウン制御回路10について詳細に説明する。本パワーダウン制御回路10は、例えば、電池監視用IC等の特定の機能を有する半導体装置(以下、「内部回路」と称する。)の特定端子に接続され、本パワーダウン制御回路10の出力であるパワーダウン制御信号を内部回路の特定端子に入力する回路である。ここで、パワーダウン制御信号とは、上述したように、内部回路が、通常の消費電力状態とその消費電力が削減された低消費電力状態との間で遷移するように制御するための信号である。以下、内部回路が通常の消費電力状態となる制御信号を生成する場合のパワーダウン制御回路10の状態を「通常状態」と表記し、
また、内部回路が低消費電力状態となる制御信号を生成する場合のパワーダウン制御回路10の状態を「パワーダウン状態」と表記する。
なお、同図中の符号ND0ないしND6はノード(節点)を表している。
なお、抵抗R1及びR2は、縦続接続されたPMOSトランジスタMP4とNMOSトランジスタMN0との間に流れる貫通電流を抑制するための抵抗である。
ここで、NMOSトランジスタMN1は、定電流源CSの接続、非接続を切り替える機能を有し、また、PMOSトランジスタMP0とPMOSトランジスタMP1とでカレントミラー回路30を構成している。
通常状態からパワーダウン状態へ遷移する場合のパワーダウン制御回路10の各部の波形を示している。すなわち、図2(a)は入力端子PDの電圧波形、図2(b)は節点ND4の電圧波形、図2(c)は出力端子PDNの電圧波形、図2(d)はPMOSトランジスタMP0の出力電流I1の波形、図2(e)は節点ND5の電圧波形、そして図2(f)は端子PUPの電圧波形を示している。
さらに、端子PUPが電位HであることによりPMOSトランジスタMP3がオフ状態となっているので、抵抗R0は電源VDDから切り離されている。
一方、節点ND5が電位Hに遷移することにより、RS型フリップフロップRS0のQN出力は電位Lに遷移するので、図2(f)に示すように端子PUPは電位Lに遷移する。
この際、RS型フリップフロップRS0のリセット端子Rに接続されたRT端子には電位Hが入力される。PMOSトランジスタMP4及びNMOSトランジスタMN0のゲートには電位Lが入力されるので、節点ND4は電位Hに遷移する(図2(b))。
また、節点ND5が電位Lに遷移したことにより、RS型フリップフロップRS0に設けられた端子PUPからは電位Hが出力される(図2(f))。
一方、出力端子PDNが電位Hに遷移したことによりNMOSトランジスタMN1がオン状態、PMOSトランジスタMP2がオフ状態となるので、節点ND0が電位Lとなりカレントミラー回路30は電流I1の供給を開始する(図2(d))。
リセット端子Rに接続されたRT端子には、パワーダウン状態時には電位L、パワーダウン状態が解除され、内部回路が正常に動作し始めた時に電位Hとなるリセット信号が入力される。
図3ないし図5を参照して本実施の形態に係るパワーダウン制御回路20について説明する。パワーダウン制御回路20は、第1の実施の形態に係るパワーダウン制御回路10において、第1の実施の形態で説明した動作とは異なる他の動作が発生することを回避するようにしたものである。
図3において、パワーダウン制御回路20は、パワーダウン制御回路20の内部における制御信号と後段に接続される内部回路に向けて出力するパワーダウン制御信号を生成する信号生成回路28、通常時のプルアップ回路22、及びパワーダウン時のプルアップ回路24を含んで構成されている。
図4は、上記他の動作が発生する場合の、パワーダウン制御回路10の各部の波形を示すタイムチャートである。
図5は、パワーダウン制御回路20の動作例を説明するためのタイムチャートである。
図3において、入力端子PDをオープンにした場合に、カレントミラー回路30の電流I1により入力端子PDが電源VDDに向かって上昇すると(図5(a))、節点ND4−Aがまず電位Lとなり(図5(b))、遅れて節点ND4−Bが電位Lとなる(図5(c))。これは、NMOSトランジスタMN0を介して接地側から電位が決まっていくことによる。
そのため、端子PUPがまず電位Lとなって(図5(e))パワーダウン時のプルアップ回路24が起動し、その後出力端子PDNが電位Lとなって(図5(f))通常時のプルアップ回路22が停止する(図5(g))。
両者の制御において競合が発生することがない。従って、通常時のプルアップ回路22からパワーダウン時のプルアップ回路24へ安定して遷移させることができ、パワーダウン制御回路10で発生する場合がある上記他の動作の発生を回避させることができる。さらに、パワーダウン制御回路20の内部の電位が中間電位で安定することによる貫通電流の発生も防止することができる。
これに限られず、他の種々のトランジスタ、例えば接合型FET、バイポーラトランジスタ等を使用してもよい。
12、14、22、24 プルアップ回路
16、26 入力ドライバ
18、28 信号生成回路
30 カレントミラー回路
CS 定電流源
Claims (7)
- 入力部と、
抵抗体を備え、前記抵抗体を介して前記入力部と電源とを接続する接続状態、及び前記入力部と前記電源との接続を遮断した非接続状態に切り替え可能な抵抗体回路と、
前記入力部に電流を供給する供給状態、及び前記入力部への前記電流の供給を遮断する非供給状態に切り替え可能な電流供給部と、
前記入力部のインピーダンスがハイインピーダンス状態に設定された場合に、前記電流供給部を前記非供給状態、かつ前記抵抗体回路を前記接続状態に各々切り替え、前記入力部のインピーダンスに応じた電位の第1の信号を出力すると共に、前記入力部の電位が所定電位に設定された場合に、前記電流供給部を前記供給状態、かつ前記抵抗体回路を前記非接続状態に各々切り替え、前記入力部の電位に応じた電位の第2の信号を出力する信号生成部と、を含み、
前記信号生成部は、前記電流供給部の切り替えと前記抵抗体回路の切り替えとの間に時間差を設けて各々の切り換えを実行する
半導体装置。 - 前記信号生成部は、前記入力部にドライバを介して接続されると共に、前記入力部のインピーダンスがハイインピーダンス状態に設定された場合に前記電流供給部を前記非供給状態に切り替え、前記入力部の電位が前記所定電位に設定された場合に前記電流供給部を前記供給状態に切り替える制御信号を出力するインバータ回路、及び前記入力部に前記ドライバを介して接続されると共に、前記入力部のインピーダンスがハイインピーダンス状態に設定された場合に前記抵抗体回路を前記接続状態に切り替え、前記入力部の電位が前記所定電位に設定された場合に前記抵抗体回路を非接続状態に切り替える制御信号を出力するRS型フリップフロップを具備する
請求項1に記載の半導体装置。 - 前記RS型フリップフロップは、前記所定電位に設定されていた前記入力部のインピーダンスがハイインピーダンス状態に設定された場合にリセット端子に第1の電位の信号が入力され、ハイインピーダンス状態に設定されていた前記入力部が前記所定電位に設定された場合に前記リセット端子に前記第1の電位より高電位である第2の電位の信号が入力される
請求項2に記載の半導体装置。 - 前記ドライバの出力信号は前記入力部の設定に応じた出力信号及び該出力信号を遅延回路を介して遅延させた遅延出力信号に分岐され、前記出力信号及び前記遅延出力信号の各々が前記インバータ回路及び前記RS型フリップフロップのいずれか一方に入力され、
前記信号生成部は、前記インバータ回路の出力と前記RS型フリップフロップの出力との時間差に基づき前記電流供給部の切り替えと前記抵抗体回路の切り替えとの間に時間差を設けて各々の切り換えを実行する
請求項2又は請求項3に記載の半導体装置。 - 前記電流供給部は定電流源を備え、前記定電流源の電流に比例した電流を流すカレントミラー回路を含んで構成された
請求項1ないし請求項4のいずれか1項に記載の半導体装置。 - 入力部のインピーダンスがハイインピーダンス状態に設定された場合に、前記入力部に電流を供給する供給状態、及び前記入力部への前記電流の供給を遮断する非供給状態に切り替え可能な電流供給部を前記非供給状態、かつ抵抗体を備え、前記抵抗体を介して前記入力部と電源とを接続する接続状態、及び前記入力部と前記電源との接続を遮断した非接続状態に切り替え可能な抵抗体回路を前記接続状態に、前記電流供給部の切り替えと前記抵抗体回路の切り替えとの間に時間差を設けて各々切り替え、前記入力部のインピーダンスに応じた電位の第1の信号を出力すると共に、前記入力部の電位が所定電位に設定された場合に、前記電流供給部を前記供給状態、かつ前記抵抗体回路を前記非接続状態に、前記電流供給部の切り替えと前記抵抗体回路の切り替えとの間に時間差を設けて各々切り替え、前記入力部の電位に応じた電位の第2の信号を出力し、前記第1の信号及び前記第2の信号に基づいて通常の消費電力状態と該消費電力が低減された状態とを切り替えるパワーダウン制御方法。
- 前記入力部にドライバを介して接続されたRS型フリップフロップから、前記入力部のインピーダンスがハイインピーダンス状態に設定された場合に前記抵抗体回路を前記接続状態に切り替え、前記入力部の電位が前記所定電位に設定された場合に前記抵抗体回路を非接続状態に切り替える制御信号を出力する
請求項6に記載のパワーダウン制御方法。
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