JP6121836B2 - Ｎｉめっき材の接合方法 - Google Patents
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Description
本発明は、Ｎｉめっき材の接合方法に関し、特に、Ｎｉめっき材をＡｇ部材に接合する方法に関する。
従来、複数の太陽電池セルを電気的に接続して太陽電池モジュールを製造するために、各々の太陽電池セルのＳｉ基板に形成された（Ａｇを主成分とする）Ａｇ電極が半田接合によりインターコネクタ（接続配線）に電気的に接続されている（例えば、特許文献１参照）。
このような太陽電池モジュールのインターコネクタは、銅または銅合金の条材に半田めっき（Ｓｎ−Ｐｂ合金めっき）を施した半田めっき材から形成されている。このような半田めっき材からなるインターコネクタとＡｇ電極との間の接合には、一般にＳｎ−Ｐｂ半田が使用されているが、加熱による接合時のＳｉ基板との熱膨張係数の差による熱ストレスを緩和するために、低融点のＳｎ−Ｂｉ半田を含有する接合材（以下、「Ｓｎ−Ｂｉ半田含有接合材」という）を使用することが望まれている。
しかし、半田めっき材からなるインターコネクタとＡｇ電極との間の接合に、Ｓｎ−Ｂｉ半田含有接合材を使用すると、Ａｇ電極側にＳｎ−Ｂｉ半田含有接合材の引けが生じて、インターコネクタとＡｇ電極を良好に接合することができなくなることがわかった。
そのため、Ｓｎ−Ｂｉ半田に対する濡れ性に着目し、Ｓｎ−Ｂｉ半田に対するＡｇ電極との濡れ性に近い濡れ性のめっき材としてＮｉめっき材を半田めっき材の代わりに使用して、Ｓｎ−Ｂｉ半田含有接合材によりＮｉめっき材とＡｇ電極との接合を試みたところ、Ｓｎ−Ｂｉ半田に対して、Ｎｉめっき材との濡れ性とＡｇ電極との濡れ性はいずれも良く、Ｓｎ−Ｂｉ半田含有接合材によりＮｉめっき材とＡｇ電極を良好に接合することができることがわかった。
しかし、Ｎｉめっき材を大気中において長期間保管すると、Ｓｎ−Ｂｉ半田に対する濡れ性が悪くなり、Ｓｎ−Ｂｉ半田含有接合材によりＮｉめっき材とＡｇ電極を良好に接合することができなくなることがわかった。
したがって、本発明は、このような従来の問題点に鑑み、Ｎｉめっき材を大気中において長期間保管した後でも、Ｎｉめっき材の半田濡れ性の劣化を防止して、Ｎｉめっき材とＡｇ部材を良好に接合することができる、Ｎｉめっき材の接合方法を提供することを目的とする。
本発明者らは、上記課題を解決するために鋭意研究した結果、基材の表面にＮｉめっきが施されたＮｉめっき材の表面に遊離シアン含有溶液を塗布した後、このＮｉめっき材にＡｇ部材を半田含有接合材（半田を含有する接合材）で接合することにより、Ｎｉめっき材を大気中において長期間保管した後でも、Ｎｉめっき材とＡｇ部材を良好に接合することができることを見出し、本発明を完成するに至った。
すなわち、本発明によるＮｉめっき材の接合方法は、基材の表面にＮｉめっきが施されたＮｉめっき材の表面に遊離シアン含有溶液を塗布した後、このＮｉめっき材にＡｇ部材を半田含有接合材で接合することを特徴とする。
このＮｉめっき材の接合方法において、Ｎｉめっき材の表面への遊離シアン含有溶液の塗布は、Ｎｉめっき材を遊離シアン含有溶液に浸漬することによって行われるのが好ましく、遊離シアン含有溶液がＫＣＮまたはＮａＣＮの水溶液であるのが好ましい。また、基材が導電性基材であるのが好ましく、導電性基材が銅または銅合金からなる基材であるのが好ましい。また、Ｎｉめっきが光沢Ｎｉめっきであるのが好ましい。また、半田含有接合材は、Ｓｎ−Ｂｉ半田またはＳｎ−Ｐｂ半田を含む接合材であるのが好ましく、Ｓｎ−Ｂｉ半田を主成分とする接合材であるのがさらに好ましい。また、Ａｇ部材は、Ａｇを含む部材であるのが好ましく、Ｓｉ基板上に形成されたＡｇ電極でもよい。
本発明によれば、Ｎｉめっき材を大気中において長期間保管した後でも、Ｎｉめっき材の半田濡れ性の劣化を防止して、Ｎｉめっき材とＡｇ部材を良好に接合することができる。そのため、真空梱包などの酸化防止手段を講ずることなく、Ｎｉめっき材を大気中において長期間保管した後でも、Ａｇ部材と良好に接合可能なＮｉめっき材を提供することができる。
本発明によるＮｉめっき材の接合方法の実施の形態では、基材の表面にＮｉめっきが施されたＮｉめっき材の表面に遊離シアン含有溶液を塗布した後、このＮｉめっき材にＡｇ部材を半田含有接合材で接合する。
基材として、Ｎｉめっきが可能なＣｕ系、Ｆｅ系、Ａｌ系などの金属母材を使用することができるが、導電性基材を使用するのが好ましく、導電性基材が（無酸素銅などの）銅または銅合金からなる基材であるのが好ましい。
Ｎｉめっきとして、ワット浴、スルファミン酸浴、ホウフッ化浴などのＮｉめっき浴を使用する一般的な電気Ｎｉめっきを使用することができるが、無電解Ｎｉめっきを使用してもよい。また、Ｎｉめっきは、無光沢Ｎｉめっきと光沢Ｎｉめっきのいずれでもよいが、光沢Ｎｉめっきであるのが好ましい。このＮｉめっきにより、厚さ０．１μｍ以上のＮｉめっき皮膜を基材上に形成すればよい。
遊離シアン含有溶液は、ＫＣＮまたはＮａＣＮの水溶液などのように、遊離シアンを含有する水溶液であるのが好ましい。なお、シアノ基を含む化合物の溶液でも、ＫＡｇ(ＣＮ)２溶液は、ＣＮがＡｇと錯体を形成して、遊離シアンにならないので、遊離シアン含有溶液ではない。
Ｎｉめっき材の表面への遊離シアン含有溶液の塗布は、遊離シアン含有溶液をＮｉめっき材に噴霧することによって行ってもよいし、遊離シアン含有溶液をしみ込ませたスポンジなどによってＮｉめっき材に塗布することによって行ってもよいが、Ｎｉめっき材を遊離シアン含有溶液に浸漬することによって行うのが好ましい。このようにＮｉめっき材の表面に遊離シアン含有溶液を塗布（Ｎｉめっき材の表面をシアン洗浄）することによって、Ｎｉめっき材の表面にＣＮ基を含む皮膜とＮｉ(ＯＨ)２の皮膜を形成して、ＮｉＯやＮｉ２Ｏ３などの酸化皮膜のような緻密で強固な不動態皮膜を除去するとともに、表面酸化による不動態皮膜の形成を防止することができる。そのため、Ｎｉめっき材の半田濡れ性を向上させることができるとともに、Ｎｉめっき材を大気中において長期間保管した後でも、Ｎｉめっき材の半田濡れ性の劣化を防止して、Ｎｉめっき材とＡｇ部材を良好に接合することができる。なお、Ｎｉめっき材の表面に遊離シアン含有溶液を塗布した後に、水洗し、乾燥するのが好ましい。
半田含有接合材は、Ｓｎ−Ｂｉ半田またはＳｎ−Ｐｂ半田を含む接合材であるのが好ましく、Ｓｎ−Ｂｉ半田を主成分とする接合材であるのがさらに好ましい。また、Ａｇ部材は、Ａｇを含む部材であるのが好ましく、Ｓｉ基板上に形成されたＡｇ電極でもよい。
本発明によるＮｉめっき材の接合方法の一実施の形態として、太陽電池モジュールの太陽電池セルのＳｉ基板１０上に形成されたＡｇ電極１２と、Ｎｉめっき材からなるインターコネクタ１４とを半田含有接合材１６で接合した状態を図１に示す。
以下、本発明によるＮｉめっき材の接合方法の実施例について詳細に説明する。
［実施例１］
（Ｎｉめっき材の作製）
まず、前処理として、５０ｍｍ×４５ｍｍ×０．２ｍｍの大きさの純銅（Ｃ１０２０）からなる銅板の基材（被めっき材）を液温５０℃に調整した５０ｇ／Ｌのアルカリ系界面活性剤（ユケン工業株式会社製のパクナＣｕ３５）に１２秒間浸漬して電解脱脂を行った後、液温３０℃に調整した３０ｍＬ／Ｌの硫酸に１２秒間浸漬して酸活性処理を行った。
（Ｎｉめっき材の作製）
まず、前処理として、５０ｍｍ×４５ｍｍ×０．２ｍｍの大きさの純銅（Ｃ１０２０）からなる銅板の基材（被めっき材）を液温５０℃に調整した５０ｇ／Ｌのアルカリ系界面活性剤（ユケン工業株式会社製のパクナＣｕ３５）に１２秒間浸漬して電解脱脂を行った後、液温３０℃に調整した３０ｍＬ／Ｌの硫酸に１２秒間浸漬して酸活性処理を行った。
次に、９０ｇ／Ｌのスルファミン酸ニッケルと３５ｇ／Ｌのホウ酸と２０ｇ／Ｌの塩化ニッケルを含む液温５０℃のＮｉめっき液（スルファミン酸Ｎｉめっき浴）中において、前処理後の基材を陰極とし、Ｎｉ電極板を陽極として、電流密度５Ａ／ｄｍ２で１２０秒間電気めっきを行って、（無光沢Ｎｉめっきにより）基材上に厚さ１．２μｍのＮｉめっき皮膜を形成した後、得られたＮｉめっき材を水洗してめっき液を十分に洗い流した。
次に、後処理として、Ｎｉめっき材を４０℃に調整した２０ｇ／ＬのＫＣＮ水溶液に１２秒間浸漬した後、水洗および湯洗を行い、その後、素早くブロワーで乾燥させた。
このように後処理したＮｉめっき材のＮｉめっき皮膜について、Ｘ線光電子分光（ＥＳＣＡ）により表面分析を行ったところ、最表面に厚さ１．６ｎｍのＣＮ基を含む皮膜とＮｉ(ＯＨ)２の皮膜が形成されているのが確認された。
（Ｓｎ−５８Ｂｉ共晶半田に対する半田濡れ性試験）
後処理したＮｉめっき材の（後述する耐熱試験および加速試験前の）初期の半田濡れ性試験として、Ｎｉめっき材をロジン系フラックス（ＲＭＡタイプ）に浸漬した後、２３５℃のＳｎ−５８Ｂｉ共晶半田浴（４２質量％のＳｎと５８質量％のＢｉの共晶半田浴）に浸漬深さ４ｍｍで１０秒間浸漬し、メニスコグラフによりゼロクロスタイム（浸漬後に濡れ力が浮力と等しくなるまでの時間）を求めた。この半田濡れ性試験を３回行ったところ、ゼロクロスタイムはそれぞれ１．２秒、１．２秒、１．３秒であり、ゼロクロスタイムがいずれも５秒以内と非常に短く（濡れる速さが非常に速く）、Ｓｎ−５８Ｂｉ共晶半田に対する濡れ性は非常に良好であった。
後処理したＮｉめっき材の（後述する耐熱試験および加速試験前の）初期の半田濡れ性試験として、Ｎｉめっき材をロジン系フラックス（ＲＭＡタイプ）に浸漬した後、２３５℃のＳｎ−５８Ｂｉ共晶半田浴（４２質量％のＳｎと５８質量％のＢｉの共晶半田浴）に浸漬深さ４ｍｍで１０秒間浸漬し、メニスコグラフによりゼロクロスタイム（浸漬後に濡れ力が浮力と等しくなるまでの時間）を求めた。この半田濡れ性試験を３回行ったところ、ゼロクロスタイムはそれぞれ１．２秒、１．２秒、１．３秒であり、ゼロクロスタイムがいずれも５秒以内と非常に短く（濡れる速さが非常に速く）、Ｓｎ−５８Ｂｉ共晶半田に対する濡れ性は非常に良好であった。
また、後処理したＮｉめっき材の耐熱試験後の半田濡れ性試験として、Ｎｉめっき材を１５５℃の乾燥炉内に１６時間保持する耐熱試験を行った後に乾燥炉から取り出し、Ｎｉめっき材をロジン系フラックス（ＲＭＡタイプ）に浸漬した後、２７０℃のＳｎ−５８Ｂｉ共晶半田浴（４２質量％のＳｎと５８質量％のＢｉの共晶半田浴）に浸漬深さ４ｍｍで１０秒間浸漬し、メニスコグラフによりゼロクロスタイム（浸漬後に濡れ力が浮力と等しくなるまでの時間）を求めた。この耐熱試験後のＮｉめっき材の半田濡れ性試験を３回行ったところ、ゼロクロスタイムはそれぞれ１．６秒、２．０秒、２．３秒であり、いずれもゼロクロスタイムが５秒以内と非常に短く（濡れる速さが非常に速く）、耐熱試験後のＮｉめっき材のＳｎ−５８Ｂｉ共晶半田に対する濡れ性は非常に良好であった。
また、後処理したＮｉめっき材の加速試験後の半田濡れ性試験として、Ｎｉめっき材を８５℃、８５％ＲＨの恒温恒湿槽内に２時間保持する加速試験を行った後に恒温恒湿槽から取り出し、Ｎｉめっき材をロジン系フラックス（ＲＭＡタイプ）に浸漬した後、２３５℃のＳｎ−５８Ｂｉ共晶半田浴（４２質量％のＳｎと５８質量％のＢｉの共晶半田浴）に浸漬深さ４ｍｍで１０秒間浸漬し、メニスコグラフによりゼロクロスタイム（浸漬後に濡れ力が浮力と等しくなるまでの時間）を求めた。この加速試験後のＮｉめっき材の半田濡れ性試験を３回行ったところ、ゼロクロスタイムはそれぞれ８．１秒、８．４秒、８．１秒であり、いずれもゼロクロスタイムが１０秒以内と短く（濡れる速さが速く）、加速試験後のＮｉめっき材のＳｎ−５８Ｂｉ共晶半田に対する濡れ性は良好であった。
（６−４半田に対する半田濡れ性試験）
Ｓｎ−５８Ｂｉ共晶半田浴に代えて２３５℃の６−４半田浴（６０質量％のＳｎと４０質量％のＰｂのＳｎ−Ｐｂ半田浴）を使用した以外は、上記と同様の方法により、初期のＮｉめっき材の半田濡れ性試験を３回行ったところ、ゼロクロスタイムはそれぞれ３．１秒、２．７秒、２．８秒であり、ゼロクロスタイムがいずれも５秒以内と非常に短く（濡れる速さが非常に速く）、６−４半田に対する濡れ性は非常に良好であった。
Ｓｎ−５８Ｂｉ共晶半田浴に代えて２３５℃の６−４半田浴（６０質量％のＳｎと４０質量％のＰｂのＳｎ−Ｐｂ半田浴）を使用した以外は、上記と同様の方法により、初期のＮｉめっき材の半田濡れ性試験を３回行ったところ、ゼロクロスタイムはそれぞれ３．１秒、２．７秒、２．８秒であり、ゼロクロスタイムがいずれも５秒以内と非常に短く（濡れる速さが非常に速く）、６−４半田に対する濡れ性は非常に良好であった。
また、Ｓｎ−５８Ｂｉ共晶半田浴に代えて２３５℃の６−４半田浴（６０質量％のＳｎと４０質量％のＰｂのＳｎ−Ｐｂ半田浴）を使用した以外は、上記と同様の方法により、耐熱試験後のＮｉめっき材の半田濡れ性試験を３回行ったところ、ゼロクロスタイムはそれぞれ７．４秒、６．６秒、６．１秒であり、ゼロクロスタイムがいずれも１０秒以内と短く（濡れる速さが速く）、耐熱試験後のＮｉめっき材の６−４半田に対する濡れ性は良好であった。
また、Ｓｎ−５８Ｂｉ共晶半田浴に代えて２３５℃の６−４半田浴（６０質量％のＳｎと４０質量％のＰｂのＳｎ−Ｐｂ半田浴）を使用した以外は、上記と同様の方法により、加速試験後のＮｉめっき材の半田濡れ性試験を３回行ったところ、ゼロクロスタイムはそれぞれ９．３秒、８．１秒、８．３秒であり、ゼロクロスタイムがいずれも１０秒以内と短く（濡れる速さが速く）、加速試験後のＮｉめっき材の６−４半田に対する濡れ性は良好であった。
（Ｓｎ−５８Ｂｉ共晶半田によるＡｇ電極との接合）
純銅板の代わりに純銅（Ｃ１０２０）からなる銅条材の基材（被めっき材）を使用した以外は、上記と同様に前処理、Ｎｉめっきおよび後処理を行って、２００ｍｍ×２０００ｍｍ×０．２ｍｍの大きさのＮｉめっき条材を得た後、スリット加工により３００ｍｍ×４ｍｍ×０．２ｍｍに切断して、太陽電池モジュールのインターコネクタ用の平角銅線を作製した。また、太陽電池セルのＳｉ基板に（Ａｇを主成分とする）Ａｇペーストを焼成させてＡｇ電極を形成した。これらの平角銅線とＡｇ電極との間に、Ｓｎ−Ｂｉ半田を主成分とする接合材（フラックス混合品）を介在させ、大気中において１７０℃に加熱して半田接合した後に切断して、走査電子顕微鏡（ＳＥＭ）により半田の引けの有無を確認したところ、平角銅線側とＡｇ電極側のいずれも半田の引けがなく、接合形状も良好であり、平角銅線とＡｇ電極が良好に半田接合されていた。
純銅板の代わりに純銅（Ｃ１０２０）からなる銅条材の基材（被めっき材）を使用した以外は、上記と同様に前処理、Ｎｉめっきおよび後処理を行って、２００ｍｍ×２０００ｍｍ×０．２ｍｍの大きさのＮｉめっき条材を得た後、スリット加工により３００ｍｍ×４ｍｍ×０．２ｍｍに切断して、太陽電池モジュールのインターコネクタ用の平角銅線を作製した。また、太陽電池セルのＳｉ基板に（Ａｇを主成分とする）Ａｇペーストを焼成させてＡｇ電極を形成した。これらの平角銅線とＡｇ電極との間に、Ｓｎ−Ｂｉ半田を主成分とする接合材（フラックス混合品）を介在させ、大気中において１７０℃に加熱して半田接合した後に切断して、走査電子顕微鏡（ＳＥＭ）により半田の引けの有無を確認したところ、平角銅線側とＡｇ電極側のいずれも半田の引けがなく、接合形状も良好であり、平角銅線とＡｇ電極が良好に半田接合されていた。
また、上記の平角銅線を１５５℃の乾燥炉内に１６時間保持する耐熱試験を行った後に、上記と同様の方法により、平角銅線とＡｇ電極とを半田接合し、半田の引けの有無を確認したところ、平角銅線側とＡｇ電極側のいずれも半田の引けがなく、接合形状も良好であり、平角銅線とＡｇ電極が良好に半田接合されていた。
また、上記の平角銅線を８５℃、８５％ＲＨの恒温恒湿槽内に２時間保持して加速試験を行った後に、上記と同様の方法により、平角銅線とＡｇ電極とを半田接合し、半田の引けの有無を確認したところ、平角銅線側とＡｇ電極側のいずれも半田の引けがなく、接合形状も良好であり、平角銅線とＡｇ電極が良好に半田接合されていた。
（６−４半田によるＡｇ電極との接合）
Ｓｎ−Ｂｉ半田とエポキシ樹脂を含有する接合材に代えて６−４半田を使用して、その融点の１８３℃に加熱した以外は、上記と同様の方法により、平角銅線とＡｇ電極とを半田接合し、半田の引けの有無を確認したところ、平角銅線側とＡｇ電極側のいずれも半田の引けがなく、接合形状も良好であり、平角銅線とＡｇ電極が良好に半田接合されていた。
Ｓｎ−Ｂｉ半田とエポキシ樹脂を含有する接合材に代えて６−４半田を使用して、その融点の１８３℃に加熱した以外は、上記と同様の方法により、平角銅線とＡｇ電極とを半田接合し、半田の引けの有無を確認したところ、平角銅線側とＡｇ電極側のいずれも半田の引けがなく、接合形状も良好であり、平角銅線とＡｇ電極が良好に半田接合されていた。
また、上記の平角銅線を１５５℃の乾燥炉内に１６時間保持する耐熱試験を行った後に、上記と同様の方法により、平角銅線とＡｇ電極とを半田接合し、半田の引けの有無を確認したところ、平角銅線側とＡｇ電極側のいずれも半田の引けがなく、接合形状も良好であり、平角銅線とＡｇ電極が良好に半田接合されていた。
また、上記の平角銅線を８５℃、８５％ＲＨの恒温恒湿槽内に２時間保持して加速試験を行った後に、上記と同様の方法により、平角銅線とＡｇ電極とを半田接合し、半田の引けの有無を確認したところ、平角銅線側とＡｇ電極側のいずれも半田の引けがなく、接合形状も良好であり、平角銅線とＡｇ電極が良好に半田接合されていた。
［実施例２］
後処理においてＫＣＮ水溶液の代わりにＮａＣＮ水溶液を使用した以外は、実施例１と同様の方法により、Ｎｉめっきにより基材上に厚さ１．２μｍのＮｉめっき皮膜を形成し、得られたＮｉめっき材を水洗した後に後処理を行った。
後処理においてＫＣＮ水溶液の代わりにＮａＣＮ水溶液を使用した以外は、実施例１と同様の方法により、Ｎｉめっきにより基材上に厚さ１．２μｍのＮｉめっき皮膜を形成し、得られたＮｉめっき材を水洗した後に後処理を行った。
このようにして後処理したＮｉめっき材のＮｉめっき皮膜について、実施例１と同様の方法により、初期および加速試験後のＮｉめっき材のＳｎ−５８Ｂｉ共晶半田に対する濡れ性試験と、初期、耐熱試験後および加速試験後のＮｉめっき材の６−４半田に対する濡れ性試験を行った。
その結果、初期のＮｉめっき材のＳｎ−５８Ｂｉ共晶半田に対する３回の濡れ性試験では、ゼロクロスタイムはそれぞれ３．２秒、３．２秒、３．７秒であり、ゼロクロスタイムがいずれも５秒以内と非常に短く（濡れる速さが非常に速く）、初期のＮｉめっき材のＳｎ−５８Ｂｉ共晶半田に対する濡れ性は非常に良好であった。加速試験後のＮｉめっき材のＳｎ−５８Ｂｉ共晶半田に対する３回の濡れ性試験では、ゼロクロスタイムはそれぞれ７．６秒、７．２秒、６．９秒であり、ゼロクロスタイムがいずれも１０秒以内と短く（濡れる速さが速く）、加速試験後のＮｉめっき材のＳｎ−５８Ｂｉ共晶半田に対する濡れ性は良好であった。
また、初期のＮｉめっき材の６−４半田に対する３回の濡れ性試験では、ゼロクロスタイムはそれぞれ２．３秒、２．６秒、２．５秒であり、ゼロクロスタイムがいずれも５秒以内と非常に短く（濡れる速さが非常に速く）、初期のＮｉめっき材の６−４半田に対する濡れ性は非常に良好であった。耐熱試験後のＮｉめっき材の６−４半田に対する３回の濡れ性試験では、ゼロクロスタイムはそれぞれ６．９秒、６．８秒、５．６秒であり、ゼロクロスタイムがいずれも１０秒以内と短く（濡れる速さが速く）、耐熱試験後のＮｉめっき材の６−４半田に対する濡れ性は良好であった。加速試験後のＮｉめっき材の６−４半田に対する３回の濡れ性試験では、ゼロクロスタイムはそれぞれ７．６秒、６．６秒、８．０秒であり、ゼロクロスタイムがいずれも１０秒以内と短く（濡れる速さが速く）、加速試験後のＮｉめっき材の６−４半田に対する濡れ性は良好であった。
また、実施例１と同様の方法により、平角銅線とＡｇ電極を半田接合し、初期および加速試験後の平角銅線に対するＳｎ−５８Ｂｉ共晶半田の引けの有無と、初期、耐熱試験後および加速試験後の平角銅線に対する６−４半田の引けの有無を確認した。
その結果、初期および加速試験後の平角銅線に対するＳｎ−５８Ｂｉ共晶半田のいずれの場合も、平角銅線側とＡｇ電極側のいずれも半田の引けがなく、接合形状も良好であり、平角銅線とＡｇ電極が良好に半田接合されていた。また、初期、耐熱試験後および加速試験後の平角銅線に対する６−４半田のいずれの場合も、平角銅線側とＡｇ電極側のいずれも半田の引けがなく、接合形状も良好であり、平角銅線とＡｇ電極が良好に半田接合されていた。
［実施例３］
実施例１で使用したＮｉめっき液（スルファミン酸Ｎｉめっき浴）にさらに２０ｍＬ／Ｌのサッカリン系光沢剤（株式会社ムラタ製のＳＮ−１０００）と２ｍＬ／Ｌのアセチルアルコール系２次光沢剤（株式会社ムラタ製のＳＮ−２０００）を添加した光沢Ｎｉめっき液（スルファミン酸光沢Ｎｉめっき浴）を使用した以外は、実施例１と同様の方法により、光沢Ｎｉめっきにより基材上に厚さ１．２μｍの光沢Ｎｉめっき皮膜を形成し、得られた光沢Ｎｉめっき材を水洗した後に後処理を行った。
実施例１で使用したＮｉめっき液（スルファミン酸Ｎｉめっき浴）にさらに２０ｍＬ／Ｌのサッカリン系光沢剤（株式会社ムラタ製のＳＮ−１０００）と２ｍＬ／Ｌのアセチルアルコール系２次光沢剤（株式会社ムラタ製のＳＮ−２０００）を添加した光沢Ｎｉめっき液（スルファミン酸光沢Ｎｉめっき浴）を使用した以外は、実施例１と同様の方法により、光沢Ｎｉめっきにより基材上に厚さ１．２μｍの光沢Ｎｉめっき皮膜を形成し、得られた光沢Ｎｉめっき材を水洗した後に後処理を行った。
このようにして後処理した光沢Ｎｉめっき材の光沢Ｎｉめっき皮膜について、実施例１と同様の方法により、初期、耐熱試験後および加速試験後のＮｉめっき材のＳｎ−５８Ｂｉ共晶半田および６−４半田に対する濡れ性試験を行った。
その結果、初期のＮｉめっき材のＳｎ−５８Ｂｉ共晶半田に対する３回の濡れ性試験では、ゼロクロスタイムはそれぞれ０．８秒、０．９秒、０．８秒であり、ゼロクロスタイムがいずれも５秒以内と非常に短く（濡れる速さが非常に速く）、初期のＮｉめっき材のＳｎ−５８Ｂｉ共晶半田に対する濡れ性は非常に良好であった。耐熱試験後のＮｉめっき材のＳｎ−５８Ｂｉ共晶半田に対する３回の濡れ性試験では、ゼロクロスタイムはそれぞれ１．８秒、１．３秒、１．６秒であり、ゼロクロスタイムがいずれも５秒以内と非常に短く（濡れる速さが非常に速く）、耐熱試験後のＮｉめっき材のＳｎ−５８Ｂｉ共晶半田に対する濡れ性は非常に良好であった。加速試験後のＮｉめっき材のＳｎ−５８Ｂｉ共晶半田に対する３回の濡れ性試験では、ゼロクロスタイムはそれぞれ６．０秒、４．８秒、５．４秒であり、ゼロクロスタイムがいずれも１０秒以内と短く（濡れる速さが速く）、加速試験後のＮｉめっき材のＳｎ−５８Ｂｉ共晶半田に対する濡れ性は良好であった。
また、初期のＮｉめっき材の６−４半田に対する３回の濡れ性試験では、ゼロクロスタイムはそれぞれ１．４秒、１．４秒、１．４秒であり、ゼロクロスタイムがいずれも５秒以内と非常に短く（濡れる速さが非常に速く）、初期のＮｉめっき材の６−４半田に対する濡れ性は非常に良好であった。耐熱試験後のＮｉめっき材の６−４半田に対する３回の濡れ性試験では、ゼロクロスタイムはそれぞれ６．３秒、５．７秒、６．０秒であり、ゼロクロスタイムがいずれも１０秒以内と短く（濡れる速さが速く）、耐熱試験後のＮｉめっき材の６−４半田に対する濡れ性は良好であった。加速試験後のＮｉめっき材の６−４半田に対する３回の濡れ性試験では、ゼロクロスタイムはそれぞれ５．１秒、４．８秒、５．０秒であり、ゼロクロスタイムがいずれも１０秒以内と短く（濡れる速さが速く）、加速試験後のＮｉめっき材の６−４半田に対する濡れ性は良好であった。
また、実施例１と同様の方法により、平角銅線とＡｇ電極を半田接合し、初期、耐熱試験後および加速試験後の平角銅線に対するＳｎ−５８Ｂｉ共晶半田および６−４半田の引けの有無を確認した。
その結果、初期、耐熱試験後および加速試験後の平角銅線に対するＳｎ−５８Ｂｉ共晶半田のいずれの場合も、平角銅線側とＡｇ電極側のいずれも半田の引けがなく、接合形状も良好であり、平角銅線とＡｇ電極が良好に半田接合されていた。また、初期、耐熱試験後および加速試験後の平角銅線に対する６−４半田のいずれの場合も、平角銅線側とＡｇ電極側のいずれも半田の引けがなく、接合形状も良好であり、平角銅線とＡｇ電極が良好に半田接合されていた。
［実施例４］
実施例２で使用したＮｉめっき液（スルファミン酸Ｎｉめっき浴）にさらに２０ｍＬ／Ｌのサッカリン系光沢剤（株式会社ムラタ製のＳＮ−１０００）と２ｍＬ／Ｌのアセチルアルコール系２次光沢剤（株式会社ムラタ製のＳＮ−２０００）を添加した光沢Ｎｉめっき液（スルファミン酸光沢Ｎｉめっき浴）を使用した以外は、実施例２と同様の方法により、光沢Ｎｉめっきにより基材上に厚さ１．２μｍの光沢Ｎｉめっき皮膜を形成し、得られた光沢Ｎｉめっき材を水洗した後に後処理を行った。
実施例２で使用したＮｉめっき液（スルファミン酸Ｎｉめっき浴）にさらに２０ｍＬ／Ｌのサッカリン系光沢剤（株式会社ムラタ製のＳＮ−１０００）と２ｍＬ／Ｌのアセチルアルコール系２次光沢剤（株式会社ムラタ製のＳＮ−２０００）を添加した光沢Ｎｉめっき液（スルファミン酸光沢Ｎｉめっき浴）を使用した以外は、実施例２と同様の方法により、光沢Ｎｉめっきにより基材上に厚さ１．２μｍの光沢Ｎｉめっき皮膜を形成し、得られた光沢Ｎｉめっき材を水洗した後に後処理を行った。
このようにして後処理した光沢Ｎｉめっき材の光沢Ｎｉめっき皮膜について、実施例１と同様の方法により、初期および加速試験後のＮｉめっき材のＳｎ−５８Ｂｉ共晶半田に対する濡れ性試験と、初期、耐熱試験後および加速試験後のＮｉめっき材の６−４半田に対する濡れ性試験を行った。
その結果、初期のＮｉめっき材のＳｎ−５８Ｂｉ共晶半田に対する３回の濡れ性試験では、ゼロクロスタイムはそれぞれ１．５秒、１．５秒、１．４秒であり、ゼロクロスタイムがいずれも５秒以内と非常に短く（濡れる速さが非常に速く）、初期のＮｉめっき材のＳｎ−５８Ｂｉ共晶半田に対する濡れ性は非常に良好であった。加速試験後のＮｉめっき材のＳｎ−５８Ｂｉ共晶半田に対する３回の濡れ性試験では、ゼロクロスタイムはそれぞれ４．６秒、４．４秒、４．４秒であり、ゼロクロスタイムがいずれも５秒以内と非常に短く（濡れる速さが非常に速く）、加速試験後のＮｉめっき材のＳｎ−５８Ｂｉ共晶半田に対する濡れ性は非常に良好であった。
また、初期のＮｉめっき材の６−４半田に対する３回の濡れ性試験では、ゼロクロスタイムはそれぞれ１．３秒、１．３秒、１．３秒であり、ゼロクロスタイムがいずれも５秒以内と非常に短く（濡れる速さが非常に速く）、初期のＮｉめっき材の６−４半田に対する濡れ性は非常に良好であった。耐熱試験後のＮｉめっき材の６−４半田に対する３回の濡れ性試験では、ゼロクロスタイムはそれぞれ７．２秒、６．２秒、７．９秒であり、ゼロクロスタイムがいずれも１０秒以内と短く（濡れる速さが速く）、加速試験後のＮｉめっき材の６−４半田に対する濡れ性は良好であった。加速試験後のＮｉめっき材の６−４半田に対する３回の濡れ性試験では、ゼロクロスタイムはそれぞれ４．９秒、４．６秒、４．５秒であり、ゼロクロスタイムがいずれも５秒以内と非常に短く（濡れる速さが非常に速く）、加速試験後のＮｉめっき材の６−４半田に対する濡れ性は非常に良好であった。
また、実施例１と同様の方法により、平角銅線とＡｇ電極を半田接合し、初期および加速試験後の平角銅線に対するＳｎ−５８Ｂｉ共晶半田の引けの有無と、初期、耐熱試験後および加速試験後の平角銅線に対する６−４半田の引けの有無を確認した。
その結果、初期および加速試験後の平角銅線に対するＳｎ−５８Ｂｉ共晶半田のいずれの場合も、平角銅線側とＡｇ電極側のいずれも半田の引けがなく、接合形状も良好であり、平角銅線とＡｇ電極が良好に半田接合されていた。また、初期、耐熱試験後および加速試験後の平角銅線に対する６−４半田のいずれの場合も、平角銅線側とＡｇ電極側のいずれも半田の引けがなく、接合形状も良好であり、平角銅線とＡｇ電極が良好に半田接合されていた。
［比較例１］
後処理において、ＫＣＮ水溶液の代わりに、Ｎｉめっき皮膜の表面に有機皮膜を形成して撥水性を付与する表面処理剤（奥野製薬工業株式会社製のサフスルー）を使用し、この表面処理剤２０ｍＬ／Ｌ含む水溶液を５０℃に調整して、この水溶液に１２秒間浸漬した以外は、実施例１と同様の方法により、Ｎｉめっきにより基材上に厚さ１．２μｍのＮｉめっき皮膜を形成し、得られたＮｉめっき材を水洗した後に後処理を行った。
後処理において、ＫＣＮ水溶液の代わりに、Ｎｉめっき皮膜の表面に有機皮膜を形成して撥水性を付与する表面処理剤（奥野製薬工業株式会社製のサフスルー）を使用し、この表面処理剤２０ｍＬ／Ｌ含む水溶液を５０℃に調整して、この水溶液に１２秒間浸漬した以外は、実施例１と同様の方法により、Ｎｉめっきにより基材上に厚さ１．２μｍのＮｉめっき皮膜を形成し、得られたＮｉめっき材を水洗した後に後処理を行った。
このように後処理したＮｉめっき材のＮｉめっき皮膜について、実施例１と同様の方法により、初期および加速試験後のＮｉめっき材のＳｎ−５８Ｂｉ共晶半田に対する濡れ性試験と、初期、耐熱試験後および加速試験後のＮｉめっき材の６−４半田に対する濡れ性試験を行った。
その結果、初期のＮｉめっき材のＳｎ−５８Ｂｉ共晶半田に対する３回の濡れ性試験では、ゼロクロスタイムはそれぞれ４．４秒、２．６秒、３．２秒であり、ゼロクロスタイムがいずれも５秒以内と非常に短く（濡れる速さが非常に速く）、初期のＮｉめっき材のＳｎ−５８Ｂｉ共晶半田に対する濡れ性は非常に良好であったが、加速試験後のＮｉめっき材のＳｎ−５８Ｂｉ共晶半田に対する３回の濡れ性試験では、いずれも（ゼロクロスタイムが１０秒より長いため）ゼロクロスタイムを求めることができず、加速試験後のＮｉめっき材のＳｎ−５８Ｂｉ共晶半田に対する濡れ性は非常に悪かった。
また、初期のＮｉめっき材の６−４半田に対する３回の濡れ性試験では、ゼロクロスタイムはそれぞれ１．８秒、２．０秒、１．８秒であり、ゼロクロスタイムがいずれも５秒以内と非常に短く（濡れる速さが非常に速く）、初期のＮｉめっき材の６−４半田に対する濡れ性は非常に良好であった。しかし、耐熱試験後のＮｉめっき材の６−４半田に対する３回の濡れ性試験では、いずれもゼロクロスタイムを求めることができず、耐熱試験後のＮｉめっき材の６−４半田に対する濡れ性は悪かった。また、加速試験後のＮｉめっき材の６−４半田に対する３回の濡れ性試験の２回の濡れ性試験では、ゼロクロスタイムを求めることができず、他の１回の濡れ性試験では、ゼロクロスタイムは８．３秒であり、加速試験後のＮｉめっき材の６−４半田に対する濡れ性は悪かった。
また、実施例１と同様の方法により、平角銅線とＡｇ電極を半田接合し、初期および加速試験後の平角銅線に対するＳｎ−５８Ｂｉ共晶半田の引けの有無と、初期、耐熱試験後および加速試験後の平角銅線に対する６−４半田の引けの有無を確認した。
その結果、初期の平角銅線に対するＳｎ−５８Ｂｉ共晶半田では、平角銅線側とＡｇ電極側のいずれも半田の引けがなく、接合形状も良好であり、平角銅線とＡｇ電極が良好に半田接合されていたが、加速試験後の平角銅線に対するＳｎ−５８Ｂｉ共晶半田では、平角銅線側に半田の引けがあり、平角銅線とＡｇ電極が良好に半田接合されていなかった。また、初期の平角銅線に対する６−４半田では、平角銅線側とＡｇ電極側のいずれも半田の引けがなく、接合形状も良好であり、平角銅線とＡｇ電極が良好に半田接合されていたが、耐熱試験後の平角銅線に対する６−４半田では、平角銅線側に半田の引けがあり、平角銅線とＡｇ電極が良好に半田接合されておらず、加速試験後の平角銅線に対する６−４半田では、平角銅線側とＡｇ電極側のいずれも半田の引けがないが接合形状が悪かった。
［比較例２］
後処理において、ＫＣＮ水溶液の代わりに、Ｎｉめっき皮膜の表面に無機皮膜を形成するシランカップリング剤（メルテックス社製のコンディショナー１１０１）を使用し、このシランカップリング剤５ｍＬ／Ｌ含む水溶液を２５℃に調整して、この水溶液に１２秒間浸漬した以外は、実施例１と同様の方法により、Ｎｉめっきにより基材上に厚さ１．２μｍのＮｉめっき皮膜を形成し、得られたＮｉめっき材を水洗した後に後処理を行った。
後処理において、ＫＣＮ水溶液の代わりに、Ｎｉめっき皮膜の表面に無機皮膜を形成するシランカップリング剤（メルテックス社製のコンディショナー１１０１）を使用し、このシランカップリング剤５ｍＬ／Ｌ含む水溶液を２５℃に調整して、この水溶液に１２秒間浸漬した以外は、実施例１と同様の方法により、Ｎｉめっきにより基材上に厚さ１．２μｍのＮｉめっき皮膜を形成し、得られたＮｉめっき材を水洗した後に後処理を行った。
このように後処理したＮｉめっき材のＮｉめっき皮膜について、実施例１と同様の方法により、初期および加速試験後のＮｉめっき材のＳｎ−５８Ｂｉ共晶半田に対する濡れ性試験と、初期、耐熱試験後および加速試験後のＮｉめっき材の６−４半田に対する濡れ性試験を行った。
その結果、初期のＮｉめっき材のＳｎ−５８Ｂｉ共晶半田に対する３回の濡れ性試験では、ゼロクロスタイムはそれぞれ６．８秒、４．７秒、３．８秒であり、ゼロクロスタイムがいずれも１０秒以内と短く（濡れる速さが速く）、初期のＮｉめっき材のＳｎ−５８Ｂｉ共晶半田に対する濡れ性は良好であったが、加速試験後のＮｉめっき材のＳｎ−５８Ｂｉ共晶半田に対する３回の濡れ性試験では、いずれもゼロクロスタイムを求めることができず、加速試験後のＮｉめっき材のＳｎ−５８Ｂｉ共晶半田に対する濡れ性は非常に悪かった。
また、初期のＮｉめっき材の６−４半田に対する３回の濡れ性試験では、ゼロクロスタイムはそれぞれ２．５秒、２．０秒、２．３秒であり、ゼロクロスタイムがいずれも５秒以内と非常に短く（濡れる速さが非常に速く）、初期のＮｉめっき材の６−４半田に対する濡れ性は非常に良好であったが、耐熱試験後および加速試験後のＮｉめっき材の６−４半田に対する３回の濡れ性試験では、いずれもゼロクロスタイムを求めることができず、耐熱試験後および加速試験後のＮｉめっき材の６−４半田に対する濡れ性は非常に悪かった。
また、実施例１と同様の方法により、平角銅線とＡｇ電極を半田接合し、初期および加速試験後の平角銅線に対するＳｎ−５８Ｂｉ共晶半田の引けの有無と、初期、耐熱試験後および加速試験後の平角銅線に対する６−４半田の引けの有無を確認した。
その結果、初期の平角銅線に対するＳｎ−５８Ｂｉ共晶半田では、平角銅線側とＡｇ電極側のいずれも半田の引けがなく、接合形状も良好であり、平角銅線とＡｇ電極が良好に半田接合されていたが、加速試験後の平角銅線に対するＳｎ−５８Ｂｉ共晶半田では、平角銅線側に半田の引けがあり、平角銅線とＡｇ電極が良好に半田接合されていなかった。また、初期の平角銅線に対する６−４半田では、平角銅線側とＡｇ電極側のいずれも半田の引けがなく、接合形状も良好であり、平角銅線とＡｇ電極が良好に半田接合されていたが、耐熱試験後および加速試験後の平角銅線に対する６−４半田では、平角銅線側に半田の引けがあり、平角銅線とＡｇ電極が良好に半田接合されていなかった。
［比較例３］
後処理においてＫＣＮ水溶液の代わりに１０質量％のＨ２ＳＯ４Ｈ水溶液を使用した以外は、実施例１と同様の方法により、Ｎｉめっきにより基材上に厚さ１．２μｍのＮｉめっき皮膜を形成し、得られたＮｉめっき材を水洗した後に後処理を行った。
後処理においてＫＣＮ水溶液の代わりに１０質量％のＨ２ＳＯ４Ｈ水溶液を使用した以外は、実施例１と同様の方法により、Ｎｉめっきにより基材上に厚さ１．２μｍのＮｉめっき皮膜を形成し、得られたＮｉめっき材を水洗した後に後処理を行った。
このように後処理したＮｉめっき材のＮｉめっき皮膜について、実施例１と同様の方法により、初期および加速試験後のＮｉめっき材のＳｎ−５８Ｂｉ共晶半田に対する濡れ性試験と、初期、耐熱試験後および加速試験後のＮｉめっき材の６−４半田に対する濡れ性試験を行った。
その結果、初期のＮｉめっき材のＳｎ−５８Ｂｉ共晶半田に対する３回の濡れ性試験の２回の濡れ性試験では、ゼロクロスタイムを求めることができず、他の１回の濡れ性試験では、ゼロクロスタイムは９．６秒であり、初期Ｓｎ−５８Ｂｉ共晶半田に対する濡れ性は悪かった。また、加速試験後のＮｉめっき材のＳｎ−５８Ｂｉ共晶半田に対する３回の濡れ性試験では、いずれもゼロクロスタイムを求めることができず、加速試験後のＮｉめっき材のＳｎ−５８Ｂｉ共晶半田に対する濡れ性は非常に悪かった。
また、初期のＮｉめっき材の６−４半田に対する３回の濡れ性試験では、ゼロクロスタイムはそれぞれ４．３秒、５．３秒、５．０秒であり、ゼロクロスタイムがいずれも１０秒以内と短く（濡れる速さが速く）、初期のＮｉめっき材の６−４半田に対する濡れ性は良好であったが、耐熱試験後および加速試験後のＮｉめっき材の６−４半田に対する３回の濡れ性試験では、いずれもゼロクロスタイムを求めることができず、耐熱試験後および加速試験後のＮｉめっき材の６−４半田に対する濡れ性は非常に悪かった。
また、実施例１と同様の方法により、平角銅線とＡｇ電極を半田接合し、初期および加速試験後の平角銅線に対するＳｎ−５８Ｂｉ共晶半田の引けの有無と、初期、耐熱試験後および加速試験後の平角銅線に対する６−４半田の引けの有無を確認した。
その結果、初期の平角銅線に対するＳｎ−５８Ｂｉ共晶半田では、平角銅線側とＡｇ電極側のいずれも半田の引けがないが接合形状が悪く、加速試験後の平角銅線に対するＳｎ−５８Ｂｉ共晶半田では、平角銅線側に半田の引けがあり、平角銅線とＡｇ電極が良好に半田接合されていなかった。また、初期の平角銅線に対する６−４半田では、平角銅線側とＡｇ電極側のいずれも半田の引けがなく、接合形状も良好であり、平角銅線とＡｇ電極が良好に半田接合されていたが、耐熱試験後および加速試験後の平角銅線に対する６−４半田では、平角銅線側に半田の引けがあり、平角銅線とＡｇ電極が良好に半田接合されていなかった。
［比較例４］
後処理においてＫＣＮ水溶液の代わりに２０ｇ／ＬのＮａＯＨ水溶液を使用した以外は、実施例１と同様の方法により、Ｎｉめっきにより基材上に厚さ１．２μｍのＮｉめっき皮膜を形成し、得られたＮｉめっき材を水洗した後に後処理を行った。
後処理においてＫＣＮ水溶液の代わりに２０ｇ／ＬのＮａＯＨ水溶液を使用した以外は、実施例１と同様の方法により、Ｎｉめっきにより基材上に厚さ１．２μｍのＮｉめっき皮膜を形成し、得られたＮｉめっき材を水洗した後に後処理を行った。
このように後処理したＮｉめっき材のＮｉめっき皮膜について、実施例１と同様の方法により、初期および加速試験後のＮｉめっき材のＳｎ−５８Ｂｉ共晶半田に対する濡れ性試験と、初期、耐熱試験後および加速試験後のＮｉめっき材の６−４半田に対する濡れ性試験を行った。
その結果、初期および加速試験後のＮｉめっき材のＳｎ−５８Ｂｉ共晶半田に対する３回の濡れ性試験では、いずれもゼロクロスタイムを求めることができず、初期および加速試験後のＮｉめっき材のＳｎ−５８Ｂｉ共晶半田に対する濡れ性は非常に悪かった。
また、初期のＮｉめっき材の６−４半田に対する３回の濡れ性試験では、ゼロクロスタイムはそれぞれ４．２秒、３．７秒、３．５秒であり、ゼロクロスタイムがいずれも５秒以内と非常に短く（濡れる速さが非常に速く）、初期のＮｉめっき材の６−４半田に対する濡れ性は非常に良好であったが、耐熱試験後および加速試験後のＮｉめっき材の６−４半田に対する３回の濡れ性試験では、いずれもゼロクロスタイムを求めることができず、耐熱試験後および加速試験後のＮｉめっき材の６−４半田に対する濡れ性は非常に悪かった。
また、実施例１と同様の方法により、平角銅線とＡｇ電極を半田接合し、初期および加速試験後の平角銅線に対するＳｎ−５８Ｂｉ共晶半田の引けの有無と、初期、耐熱試験後および加速試験後の平角銅線に対する６−４半田の引けの有無を確認した。
その結果、初期および加速試験後の平角銅線に対するＳｎ−５８Ｂｉ共晶半田のいずれの場合も、平角銅線側に半田の引けがあり、平角銅線とＡｇ電極が良好に半田接合されていなかった。また、初期の平角銅線に対する６−４半田では、平角銅線側とＡｇ電極側のいずれも半田の引けがなく、接合形状も良好であり、平角銅線とＡｇ電極が良好に半田接合されていたが、耐熱試験後および加速試験後の平角銅線に対する６−４半田では、平角銅線側に半田の引けがあり、平角銅線とＡｇ電極が良好に半田接合されていなかった。
［比較例５］
後処理を行わなかった以外は、実施例１と同様の方法により、Ｎｉめっきにより基材上に厚さ１．２μｍのＮｉめっき皮膜を形成してＮｉめっき材を得た。
後処理を行わなかった以外は、実施例１と同様の方法により、Ｎｉめっきにより基材上に厚さ１．２μｍのＮｉめっき皮膜を形成してＮｉめっき材を得た。
このようにして得られたＮｉめっき材のＮｉめっき皮膜について、Ｘ線光電子分光（ＥＳＣＡ）により表面分析を行ったところ、最表面にＣＮ基を含む皮膜は形成されておらず、厚さ１．６ｎｍのＮｉＯとＮｉ２Ｏ３の酸化皮膜が形成されているのが確認された。
また、得られたＮｉめっき材のＮｉめっき皮膜について、実施例１と同様の方法により、初期、耐熱試験後および加速試験後のＮｉめっき材のＳｎ−５８Ｂｉ共晶半田および６−４半田に対する濡れ性試験を行った。
その結果、初期のＮｉめっき材のＳｎ−５８Ｂｉ共晶半田に対する３回の濡れ性試験の２回の濡れ性試験では、ゼロクロスタイムを求めることができず、他の１回の濡れ性試験では、ゼロクロスタイムは９．５秒であり、初期のＮｉめっき材のＳｎ−５８Ｂｉ共晶半田に対する濡れ性は悪かった。また、耐熱試験後および加速試験後のＮｉめっき材のＳｎ−５８Ｂｉ共晶半田に対する３回の濡れ性試験では、いずれもゼロクロスタイムを求めることができず、耐熱試験後および加速試験後のＮｉめっき材のＳｎ−５８Ｂｉ共晶半田に対する濡れ性は非常に悪かった。
また、初期のＮｉめっき材の６−４半田に対する３回の濡れ性試験では、ゼロクロスタイムはそれぞれ２．９秒、３．４秒、４．０秒であり、ゼロクロスタイムがいずれも５秒以内と非常に短く（濡れる速さが非常に速く）、初期のＮｉめっき材の６−４半田に対する濡れ性は非常に良好であったが、耐熱試験後および加速試験後のＮｉめっき材の６−４半田に対する３回の濡れ性試験では、いずれもゼロクロスタイムを求めることができず、耐熱試験後および加速試験後のＮｉめっき材の６−４半田に対する濡れ性は非常に悪かった。
また、実施例１と同様の方法により、平角銅線とＡｇ電極を半田接合し、初期、耐熱試験後および加速試験後の平角銅線に対するＳｎ−５８Ｂｉ共晶半田および６−４半田の引けの有無を確認した。
その結果、初期の平角銅線に対するＳｎ−５８Ｂｉ共晶半田では、平角銅線側とＡｇ電極側のいずれも半田の引けがないが接合形状が悪く、耐熱試験後および加速試験後の平角銅線に対するＳｎ−５８Ｂｉ共晶半田では、平角銅線側に半田の引けがあり、平角銅線とＡｇ電極が良好に半田接合されていなかった。また、初期の平角銅線に対する６−４半田では、平角銅線側とＡｇ電極側のいずれも半田の引けがなく、接合形状も良好であり、平角銅線とＡｇ電極が良好に半田接合されていたが、耐熱試験後および加速試験後の平角銅線に対する６−４半田では、平角銅線側に半田の引けがあり、平角銅線とＡｇ電極が良好に半田接合されていなかった。
［比較例６］
比較例１で使用したＮｉめっき液（スルファミン酸Ｎｉめっき浴）にさらに２０ｍＬ／Ｌのサッカリン系光沢剤（株式会社ムラタ製のＳＮ−１０００）と２ｍＬ／Ｌのアセチルアルコール系２次光沢剤（株式会社ムラタ製のＳＮ−２０００）を添加した光沢Ｎｉめっき液（スルファミン酸光沢Ｎｉめっき浴）を使用した以外は、比較例１と同様の方法により、光沢Ｎｉめっきにより基材上に厚さ１．２μｍの光沢Ｎｉめっき皮膜を形成し、得られた光沢Ｎｉめっき材を水洗した後に後処理を行った。
比較例１で使用したＮｉめっき液（スルファミン酸Ｎｉめっき浴）にさらに２０ｍＬ／Ｌのサッカリン系光沢剤（株式会社ムラタ製のＳＮ−１０００）と２ｍＬ／Ｌのアセチルアルコール系２次光沢剤（株式会社ムラタ製のＳＮ−２０００）を添加した光沢Ｎｉめっき液（スルファミン酸光沢Ｎｉめっき浴）を使用した以外は、比較例１と同様の方法により、光沢Ｎｉめっきにより基材上に厚さ１．２μｍの光沢Ｎｉめっき皮膜を形成し、得られた光沢Ｎｉめっき材を水洗した後に後処理を行った。
このようにして後処理した光沢Ｎｉめっき材の光沢Ｎｉめっき皮膜について、実施例１と同様の方法により、初期および加速試験後のＮｉめっき材のＳｎ−５８Ｂｉ共晶半田に対する濡れ性試験と、初期、耐熱試験後および加速試験後のＮｉめっき材の６−４半田に対する濡れ性試験を行った。
その結果、初期のＮｉめっき材のＳｎ−５８Ｂｉ共晶半田に対する３回の濡れ性試験では、ゼロクロスタイムはそれぞれ１．３秒、１．３秒、１．４秒であり、ゼロクロスタイムがいずれも５秒以内と非常に短く（濡れる速さが非常に速く）、初期のＮｉめっき材のＳｎ−５８Ｂｉ共晶半田に対する濡れ性は非常に良好であった。また、加速試験後のＮｉめっき材のＳｎ−５８Ｂｉ共晶半田に対する３回の濡れ性試験では、ゼロクロスタイムはそれぞれ５．５秒、４．８秒、４．０秒であり、ゼロクロスタイムがいずれも１０秒以内と短く（濡れる速さが速く）、加速試験後のＮｉめっき材のＳｎ−５８Ｂｉ共晶半田に対する濡れ性は良好であった。
また、初期のＮｉめっき材の６−４半田に対する３回の濡れ性試験では、ゼロクロスタイムはそれぞれ１．１秒、１．２秒、１．１秒であり、ゼロクロスタイムがいずれも５秒以内と非常に短く（濡れる速さが非常に速く）、初期のＮｉめっき材の６−４半田に対する濡れ性は非常に良好であった。また、加速試験後のＮｉめっき材の６−４半田に対する３回の濡れ性試験では、ゼロクロスタイムはそれぞれ３．２秒、３．３秒、４．３秒であり、ゼロクロスタイムがいずれも５秒以内と非常に短く（濡れる速さが非常に速く）、加速試験後のＮｉめっき材の６−４半田に対する濡れ性は非常に良好であった。しかし、耐熱試験後のＮｉめっき材の６−４半田に対する３回の濡れ性試験では、いずれもゼロクロスタイムを求めることができず、耐熱試験後のＮｉめっき材の６−４半田に対する濡れ性は非常に悪かった。
また、実施例１と同様の方法により、平角銅線とＡｇ電極を半田接合し、初期および加速試験後の平角銅線に対するＳｎ−５８Ｂｉ共晶半田の引けの有無と、初期、耐熱試験後および加速試験後の平角銅線に対する６−４半田の引けの有無を確認した。
その結果、初期および加速試験後の平角銅線に対するＳｎ−５８Ｂｉ共晶半田のいずれの場合も、平角銅線側とＡｇ電極側のいずれも半田の引けがなく、接合形状も良好であり、平角銅線とＡｇ電極が良好に半田接合されていた。また、初期および加速試験後の平角銅線に対する６−４半田のいずれの場合も、平角銅線側とＡｇ電極側のいずれも半田の引けがなく、接合形状も良好であり、平角銅線とＡｇ電極が良好に半田接合されていたが、耐熱試験後の平角銅線に対する６−４半田では、平角銅線側に半田の引けがあり、平角銅線とＡｇ電極が良好に半田接合されていなかった。
［比較例７］
比較例２で使用したＮｉめっき液（スルファミン酸Ｎｉめっき浴）にさらに２０ｍＬ／Ｌのサッカリン系光沢剤（株式会社ムラタ製のＳＮ−１０００）と２ｍＬ／Ｌのアセチルアルコール系２次光沢剤（株式会社ムラタ製のＳＮ−２０００）を添加した光沢Ｎｉめっき液（スルファミン酸光沢Ｎｉめっき浴）を使用した以外は、比較例２と同様の方法により、光沢Ｎｉめっきにより基材上に厚さ１．２μｍの光沢Ｎｉめっき皮膜を形成し、得られた光沢Ｎｉめっき材を水洗した後に後処理を行った。
比較例２で使用したＮｉめっき液（スルファミン酸Ｎｉめっき浴）にさらに２０ｍＬ／Ｌのサッカリン系光沢剤（株式会社ムラタ製のＳＮ−１０００）と２ｍＬ／Ｌのアセチルアルコール系２次光沢剤（株式会社ムラタ製のＳＮ−２０００）を添加した光沢Ｎｉめっき液（スルファミン酸光沢Ｎｉめっき浴）を使用した以外は、比較例２と同様の方法により、光沢Ｎｉめっきにより基材上に厚さ１．２μｍの光沢Ｎｉめっき皮膜を形成し、得られた光沢Ｎｉめっき材を水洗した後に後処理を行った。
このようにして後処理した光沢Ｎｉめっき材の光沢Ｎｉめっき皮膜について、実施例１と同様の方法により、初期および加速試験後のＮｉめっき材のＳｎ−５８Ｂｉ共晶半田に対する濡れ性試験と、初期、耐熱試験後および加速試験後のＮｉめっき材の６−４半田に対する濡れ性試験を行った。
その結果、初期のＮｉめっき材のＳｎ−５８Ｂｉ共晶半田に対する３回の濡れ性試験では、ゼロクロスタイムはそれぞれ１．３秒、１．４秒、１．３秒であり、ゼロクロスタイムがいずれも５秒以内と非常に短く（濡れる速さが非常に速く）、初期のＮｉめっき材のＳｎ−５８Ｂｉ共晶半田に対する濡れ性は非常に良好であったが、加速試験後のＮｉめっき材のＳｎ−５８Ｂｉ共晶半田に対する３回の濡れ性試験では、いずれもゼロクロスタイムを求めることができず、加速試験後のＮｉめっき材のＳｎ−５８Ｂｉ共晶半田に対する濡れ性は非常に悪かった。
また、初期のＮｉめっき材の６−４半田に対する３回の濡れ性試験では、ゼロクロスタイムはそれぞれ１．１秒、１．１秒、１．１秒であり、ゼロクロスタイムがいずれも５秒以内と非常に短く（濡れる速さが非常に速く）、初期のＮｉめっき材の６−４半田に対する濡れ性は非常に良好であった。また、加速試験後のＮｉめっき材の６−４半田に対する３回の濡れ性試験では、ゼロクロスタイムはそれぞれ６．３秒、５．９秒、６．０秒であり、ゼロクロスタイムがいずれも１０秒以内と短く（濡れる速さが速く）、加速試験後のＮｉめっき材の６−４半田に対する濡れ性は良好であった。しかし、耐熱試験後のＮｉめっき材の６−４半田に対する３回の濡れ性試験では、いずれもゼロクロスタイムを求めることができず、耐熱試験後のＮｉめっき材のＳｎ−５８Ｂｉ共晶半田に対する濡れ性は非常に悪かった。
また、実施例１と同様の方法により、平角銅線とＡｇ電極を半田接合し、初期および加速試験後の平角銅線に対するＳｎ−５８Ｂｉ共晶半田の引けの有無と、初期、耐熱試験後および加速試験後の平角銅線に対する６−４半田の引けの有無を確認した。
その結果、初期の平角銅線に対するＳｎ−５８Ｂｉ共晶半田では、平角銅線側とＡｇ電極側のいずれも半田の引けがなく、接合形状も良好であり、平角銅線とＡｇ電極が良好に接合されていたが、加速試験後の平角銅線に対するＳｎ−５８Ｂｉ共晶半田では、平角銅線側に半田の引けがあり、平角銅線とＡｇ電極が良好に半田接合されていなかった。また、初期の平角銅線に対する６−４半田と加速試験後の平角銅線に対する６−４半田のいずれの場合も、平角銅線側とＡｇ電極側のいずれも半田の引けがなく、接合形状も良好であり、平角銅線とＡｇ電極が良好に半田接合されていたが、耐熱試験後の平角銅線に対する６−４半田では、平角銅線側に半田の引けがあり、平角銅線とＡｇ電極が良好に半田接合されていなかった。
［比較例８］
比較例３で使用したＮｉめっき液（スルファミン酸Ｎｉめっき浴）にさらに２０ｍＬ／Ｌのサッカリン系光沢剤（株式会社ムラタ製のＳＮ−１０００）と２ｍＬ／Ｌのアセチルアルコール系２次光沢剤（株式会社ムラタ製のＳＮ−２０００）を添加した光沢Ｎｉめっき液（スルファミン酸光沢Ｎｉめっき浴）を使用した以外は、比較例３と同様の方法により、光沢Ｎｉめっきにより基材上に厚さ１．２μｍの光沢Ｎｉめっき皮膜を形成し、得られた光沢Ｎｉめっき材を水洗した後に後処理を行った。
比較例３で使用したＮｉめっき液（スルファミン酸Ｎｉめっき浴）にさらに２０ｍＬ／Ｌのサッカリン系光沢剤（株式会社ムラタ製のＳＮ−１０００）と２ｍＬ／Ｌのアセチルアルコール系２次光沢剤（株式会社ムラタ製のＳＮ−２０００）を添加した光沢Ｎｉめっき液（スルファミン酸光沢Ｎｉめっき浴）を使用した以外は、比較例３と同様の方法により、光沢Ｎｉめっきにより基材上に厚さ１．２μｍの光沢Ｎｉめっき皮膜を形成し、得られた光沢Ｎｉめっき材を水洗した後に後処理を行った。
このようにして後処理した光沢Ｎｉめっき材の光沢Ｎｉめっき皮膜について、実施例１と同様の方法により、初期および加速試験後のＮｉめっき材のＳｎ−５８Ｂｉ共晶半田に対する濡れ性試験と、初期、耐熱試験後および加速試験後のＮｉめっき材の６−４半田に対する濡れ性試験を行った。
その結果、初期のＮｉめっき材のＳｎ−５８Ｂｉ共晶半田に対する３回の濡れ性試験では、ゼロクロスタイムはそれぞれ１．４秒、１．３秒、１．５秒であり、ゼロクロスタイムがいずれも５秒以内と非常に短く（濡れる速さが非常に速く）、初期のＮｉめっき材のＳｎ−５８Ｂｉ共晶半田に対する濡れ性は非常に良好であった。しかし、加速試験後のＮｉめっき材のＳｎ−５８Ｂｉ共晶半田に対する３回の濡れ性試験の２回の濡れ性試験では、ゼロクロスタイムを求めることができず、他の１回の濡れ性試験では、ゼロクロスタイムは７．１秒であり、加速試験後のＮｉめっき材のＳｎ−５８Ｂｉ共晶半田に対する濡れ性は悪かった。
また、初期のＮｉめっき材の６−４半田に対する３回の濡れ性試験では、ゼロクロスタイムはそれぞれ１．４秒、１．１秒、１．３秒であり、ゼロクロスタイムがいずれも５秒以内と非常に短く（濡れる速さが非常に速く）、初期のＮｉめっき材の６−４半田に対する濡れ性は非常に良好であった。また、加速試験後のＮｉめっき材の６−４半田に対する３回の濡れ性試験では、ゼロクロスタイムはそれぞれ５．１秒、５．８秒、５．１秒であり、ゼロクロスタイムがいずれも１０秒以内と短く（濡れる速さが速く）、加速試験後のＮｉめっき材の６−４半田に対する濡れ性は良好であった。しかし、耐熱試験後のＮｉめっき材の６−４半田に対する３回の濡れ性試験の１回の濡れ性試験では、ゼロクロスタイムを求めることができず、他の２回の濡れ性試験では、ゼロクロスタイムはそれぞれ８．５秒、７．９秒であり、耐熱試験後のＮｉめっき材の６−４半田に対する濡れ性は悪かった。
また、実施例１と同様の方法により、平角銅線とＡｇ電極を半田接合し、初期および加速試験後の平角銅線に対するＳｎ−５８Ｂｉ共晶半田の引けの有無と、初期、耐熱試験後および加速試験後の平角銅線に対する６−４半田の引けの有無を確認した。
その結果、初期の平角銅線に対するＳｎ−５８Ｂｉ共晶半田では、平角銅線側とＡｇ電極側のいずれも半田の引けがなく、接合形状も良好であり、平角銅線とＡｇ電極が良好に半田接合されていたが、加速試験後の平角銅線に対するＳｎ−５８Ｂｉ共晶半田では、平角銅線側とＡｇ電極側のいずれも半田の引けがなかったが接合状態が悪かった。また、初期および加速試験後の平角銅線に対する６−４半田のいずれの場合も、平角銅線側とＡｇ電極側のいずれも半田の引けがなく、接合形状も良好であり、平角銅線とＡｇ電極が良好に半田接合されていたが、耐熱試験後の平角銅線に対する６−４半田では、平角銅線側とＡｇ電極側のいずれも半田の引けがなかったが接合状態が悪かった。
［比較例９］
比較例４で使用したＮｉめっき液（スルファミン酸Ｎｉめっき浴）にさらに２０ｍＬ／Ｌのサッカリン系光沢剤（株式会社ムラタ製のＳＮ−１０００）と２ｍＬ／Ｌのアセチルアルコール系２次光沢剤（株式会社ムラタ製のＳＮ−２０００）を添加した光沢Ｎｉめっき液（スルファミン酸光沢Ｎｉめっき浴）を使用した以外は、比較例４と同様の方法により、光沢Ｎｉめっきにより基材上に厚さ１．２μｍの光沢Ｎｉめっき皮膜を形成し、得られた光沢Ｎｉめっき材を水洗した後に後処理を行った。
比較例４で使用したＮｉめっき液（スルファミン酸Ｎｉめっき浴）にさらに２０ｍＬ／Ｌのサッカリン系光沢剤（株式会社ムラタ製のＳＮ−１０００）と２ｍＬ／Ｌのアセチルアルコール系２次光沢剤（株式会社ムラタ製のＳＮ−２０００）を添加した光沢Ｎｉめっき液（スルファミン酸光沢Ｎｉめっき浴）を使用した以外は、比較例４と同様の方法により、光沢Ｎｉめっきにより基材上に厚さ１．２μｍの光沢Ｎｉめっき皮膜を形成し、得られた光沢Ｎｉめっき材を水洗した後に後処理を行った。
このようにして後処理した光沢Ｎｉめっき材の光沢Ｎｉめっき皮膜について、実施例１と同様の方法により、初期および加速試験後のＮｉめっき材のＳｎ−５８Ｂｉ共晶半田に対する濡れ性試験と、初期、耐熱試験後および加速試験後のＮｉめっき材の６−４半田に対する濡れ性試験を行った。
その結果、初期のＮｉめっき材のＳｎ−５８Ｂｉ共晶半田に対する３回の濡れ性試験では、ゼロクロスタイムはそれぞれ２．１秒、２．３秒、２．０秒であり、ゼロクロスタイムがいずれも５秒以内と非常に短く（濡れる速さが非常に速く）、初期のＮｉめっき材のＳｎ−５８Ｂｉ共晶半田に対する濡れ性は非常に良好であったが、加速試験後のＮｉめっき材のＳｎ−５８Ｂｉ共晶半田に対する３回の濡れ性試験では、いずれもゼロクロスタイムを求めることができず、加速試験後のＮｉめっき材のＳｎ−５８Ｂｉ共晶半田に対する濡れ性は非常に悪かった。
また、初期のＮｉめっき材の６−４半田に対する３回の濡れ性試験では、ゼロクロスタイムはそれぞれ１．８秒、１．８秒、１．８秒であり、ゼロクロスタイムがいずれも５秒以内と非常に短く（濡れる速さが非常に速く）、初期のＮｉめっき材の６−４半田に対する濡れ性は非常に良好であった。しかし、耐熱試験後のＮｉめっき材の６−４半田に対する３回の濡れ性試験では、いずれもゼロクロスタイムを求めることができず耐熱試験後のＮｉめっき材の６−４半田に対する濡れ性は非常に悪かった。また、加速試験後のＮｉめっき材の６−４半田に対する３回の濡れ性試験の１回の濡れ性試験では、ゼロクロスタイムを求めることができず、他の２回の濡れ性試験では、ゼロクロスタイムはそれぞれ８．８秒、９．２秒であり、加速試験後のＮｉめっき材の６−４半田に対する濡れ性は悪かった。
また、実施例１と同様の方法により、平角銅線とＡｇ電極を半田接合し、初期および加速試験後の平角銅線に対するＳｎ−５８Ｂｉ共晶半田の引けの有無と、初期、耐熱試験後および加速試験後の平角銅線に対する６−４半田の引けの有無を確認した。
その結果、初期の平角銅線に対するＳｎ−５８Ｂｉ共晶半田では、平角銅線側とＡｇ電極側のいずれも半田の引けがなく、接合形状も良好であり、平角銅線とＡｇ電極が良好に半田接合されていたが、加速試験後の平角銅線に対するＳｎ−５８Ｂｉ共晶半田では、平角銅線側に半田の引けがあり、平角銅線とＡｇ電極が良好に半田接合されていなかった。また、初期の平角銅線に対する６−４半田では、平角銅線側とＡｇ電極側のいずれも半田の引けがなく、接合形状も良好であり、平角銅線とＡｇ電極が良好に半田接合されていたが、耐熱試験後の平角銅線に対する６−４半田では、平角銅線側に半田の引けがあり、平角銅線とＡｇ電極が良好に半田接合されておらず、加速試験後の平角銅線に対する６−４半田では、平角銅線側とＡｇ電極側のいずれも半田の引けがなかったが接合形状が悪かった。
［比較例１０］
比較例５で使用したＮｉめっき液（スルファミン酸Ｎｉめっき浴）にさらに２０ｍＬ／Ｌのサッカリン系光沢剤（株式会社ムラタ製のＳＮ−１０００）と２ｍＬ／Ｌのアセチルアルコール系２次光沢剤（株式会社ムラタ製のＳＮ−２０００）を添加した光沢Ｎｉめっき液（スルファミン酸光沢Ｎｉめっき浴）を使用した以外は、比較例５と同様の方法により、光沢Ｎｉめっきにより基材上に厚さ１．２μｍの光沢Ｎｉめっき皮膜を形成して光沢Ｎｉめっき材を得た。
比較例５で使用したＮｉめっき液（スルファミン酸Ｎｉめっき浴）にさらに２０ｍＬ／Ｌのサッカリン系光沢剤（株式会社ムラタ製のＳＮ−１０００）と２ｍＬ／Ｌのアセチルアルコール系２次光沢剤（株式会社ムラタ製のＳＮ−２０００）を添加した光沢Ｎｉめっき液（スルファミン酸光沢Ｎｉめっき浴）を使用した以外は、比較例５と同様の方法により、光沢Ｎｉめっきにより基材上に厚さ１．２μｍの光沢Ｎｉめっき皮膜を形成して光沢Ｎｉめっき材を得た。
このようにして得られた光沢Ｎｉめっき材の光沢Ｎｉめっき皮膜について、実施例１と同様の方法により、初期、耐熱試験後および加速試験後のＮｉめっき材のＳｎ−５８Ｂｉ共晶半田および６−４半田に対する濡れ性試験を行った。
その結果、初期のＮｉめっき材のＳｎ−５８Ｂｉ共晶半田に対する３回の濡れ性試験では、ゼロクロスタイムはそれぞれ１．７秒、１．６秒、１．６秒であり、ゼロクロスタイムがいずれも５秒以内と非常に短く（濡れる速さが非常に速く）、初期のＮｉめっき材のＳｎ−５８Ｂｉ共晶半田に対する濡れ性は非常に良好であった。しかし、耐熱試験後のＮｉめっき材のＳｎ−５８Ｂｉ共晶半田に対する３回の濡れ性試験では、いずれもゼロクロスタイムを求めることができず、耐熱試験後のＮｉめっき材のＳｎ−５８Ｂｉ共晶半田に対する濡れ性は非常に悪かった。また、加速試験後のＮｉめっき材のＳｎ−５８Ｂｉ共晶半田に対する３回の濡れ性試験の１回の濡れ性試験では、ゼロクロスタイムを求めることができず、他の２回の濡れ性試験では、ゼロクロスタイムはそれぞれ７．３秒、７．０秒であり、加速試験後のＮｉめっき材のＳｎ−５８Ｂｉ共晶半田に対する濡れ性は悪かった。
また、初期のＮｉめっき材の６−４半田に対する３回の濡れ性試験では、ゼロクロスタイムはそれぞれ１．４秒、１．５秒、１．５秒であり、ゼロクロスタイムがいずれも５秒以内と非常に短く（濡れる速さが非常に速く）、初期のＮｉめっき材の６−４半田に対する濡れ性は非常に良好であった。また、加速試験後のＮｉめっき材の６−４半田に対する３回の濡れ性試験では、ゼロクロスタイムはそれぞれ５．８秒、６．２秒、５．９秒であり、ゼロクロスタイムがいずれも１０秒以内と短く（濡れる速さがに速く）、加速試験後のＮｉめっき材の６−４半田に対する濡れ性は良好であった。しかし、耐熱試験後のＮｉめっき材の６−４半田に対する３回の濡れ性試験では、いずれもゼロクロスタイムを求めることができず、耐熱試験後のＮｉめっき材の６−４半田に対する濡れ性は非常に悪かった。
また、実施例１と同様の方法により、平角銅線とＡｇ電極を半田接合し、初期、耐熱試験後および加速試験後の平角銅線に対するＳｎ−５８Ｂｉ共晶半田および６−４半田の引けの有無を確認した。
その結果、初期の平角銅線に対するＳｎ−５８Ｂｉ共晶半田では、平角銅線側とＡｇ電極側のいずれも半田の引けがなく、接合形状も良好であり、平角銅線とＡｇ電極が良好に半田接合されていたが、耐熱試験後の平角銅線に対するＳｎ−５８Ｂｉ共晶半田では、平角銅線側に半田の引けがあり、平角銅線とＡｇ電極が良好に半田接合されておらず、加速試験後の平角銅線に対するＳｎ−５８Ｂｉ共晶半田では、平角銅線側とＡｇ電極側のいずれも半田の引けがなかったが接合形状が悪かった。また、初期および加速試験後の平角銅線に対する６−４半田のいずれの場合も、平角銅線側とＡｇ電極側のいずれも半田の引けがなく、接合形状も良好であり、平角銅線とＡｇ電極が良好に半田接合されていたが、耐熱試験後の平角銅線に対する６−４半田では、平角銅線側に半田の引けがあり、平角銅線とＡｇ電極が良好に半田接合されていなかった。
これらの実施例および比較例のＮｉめっき材の製造条件および特性を表１〜表４に示す。なお、表４において、半田の引けがなく接合形状が良好な場合を「○」、半田の引けがないが接合形状が悪い場合を「△」、半田の引けが生じた場合を「×」で示している。
表１〜表４からわかるように、実施例１〜４のＮｉめっき材では、初期、耐熱試験後および加速試験後のいずれのＮｉめっき材でも、Ｓｎ−５８Ｂｉ共晶半田と６−４半田のいずれに対しても濡れ性が良好であるが、実施例３〜４の光沢Ｎｉめっき材の方が実施例１〜２の無光沢Ｎｉめっき材よりも半田濡れ性が良好である。また、実施例１〜４のＮｉめっき材では、初期、耐熱試験後および加速試験後のいずれのＮｉめっき材をＡｇ電極などのＡｇ部材に半田接合しても、半田の引けがなく、接合形状も良好であり、良好に接合することができるが、実施例３〜４の光沢Ｎｉめっき材の方が実施例１〜２の無光沢Ｎｉめっき材よりも接合形状が良好である。
［比較例１１］
Ｎｉめっきの代わりに半田めっきを行い、後処理を行わなかった以外は、実施例１と同様の方法により得られた半田めっき材について、実施例１と同様の方法により、平角銅線とＡｇ電極をＳｎ−５８Ｂｉ共晶半田で接合し、初期および加速試験後の平角銅線に対する半田の引けの有無を確認した。その結果、初期および加速試験後ではいずれも、Ａｇ電極側に半田の引けがあり、平角銅線とＡｇ電極が良好に半田接合されていなかった。
Ｎｉめっきの代わりに半田めっきを行い、後処理を行わなかった以外は、実施例１と同様の方法により得られた半田めっき材について、実施例１と同様の方法により、平角銅線とＡｇ電極をＳｎ−５８Ｂｉ共晶半田で接合し、初期および加速試験後の平角銅線に対する半田の引けの有無を確認した。その結果、初期および加速試験後ではいずれも、Ａｇ電極側に半田の引けがあり、平角銅線とＡｇ電極が良好に半田接合されていなかった。
本発明によるＮｉめっき材の接合方により、太陽電池セルのＳｉ基板上に形成されたＡｇ電極とＮｉめっき材からなるインターコネクタとを半田含有接合材で接合して太陽電池モジュールを作製することができる。
１０ Ｓｉ基板
１２ Ａｇ電極
１４ インターコネクタ
１６ 半田含有接合材
１２ Ａｇ電極
１４ インターコネクタ
１６ 半田含有接合材
Claims (10)
- 基材の表面にＮｉめっきが施されたＮｉめっき材の表面に遊離シアン含有溶液を塗布した後、このＮｉめっき材にＡｇ部材を半田含有接合材で接合することを特徴とする、Ｎｉめっき材の接合方法。
- 前記Ｎｉめっき材の表面への前記遊離シアン含有溶液の塗布が、前記Ｎｉめっき材を前記遊離シアン含有溶液に浸漬することによって行われることを特徴とする、請求項１に記載のＮｉめっき材の接合方法。
- 前記遊離シアン含有溶液が、ＫＣＮまたはＮａＣＮの水溶液であることを特徴とする、請求項１または２に記載のＮｉめっき材の接合方法。
- 前記基材が、導電性基材であることを特徴とする、請求項１乃至３のいずれかに記載のＮｉめっき材の接合方法。
- 前記導電性基材が、銅または銅合金からなる基材であることを特徴とする、請求項４に記載のＮｉめっき材の接合方法。
- 前記Ｎｉめっきが、光沢Ｎｉめっきであることを特徴とする、請求項１乃至５のいずれかに記載のＮｉめっき材の接合方法。
- 前記半田含有接合材が、Ｓｎ−Ｂｉ半田またはＳｎ−Ｐｂ半田を含む接合材であることを特徴とする、請求項１乃至６のいずれかに記載のＮｉめっき材の接合方法。
- 前記半田含有接合材が、Ｓｎ−Ｂｉ半田を主成分とする接合材であることを特徴とする、請求項１乃至６のいずれかに記載のＮｉめっき材の接合方法。
- 前記Ａｇ部材が、Ａｇを含む部材であることを特徴とする、請求項１乃至８のいずれかに記載のＮｉめっき材の接合方法。
- 前記Ａｇ部材が、Ｓｉ基板上に形成されたＡｇ電極であることを特徴とする、請求項１乃至８に記載のＮｉめっき材の接合方法。
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