JP6119739B2 - 光変換用セラミック複合体およびそれを用いた発光装置 - Google Patents

光変換用セラミック複合体およびそれを用いた発光装置 Download PDF

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Description

本発明は、ディスプレイ、照明、およびバックライト光源等に利用できる発光ダイオード等の発光装置に用いられる光変換用セラミック複合体に関する。
近年、青色発光素子を発光源とする白色発光装置の開発研究が盛んに行われている。特に、青色発光ダイオード素子を用いた白色発光ダイオードは、軽量で、水銀を使用せず、長寿命であることから、今後、需要が急速に拡大することが予測されている。なお、発光素子として発光ダイオード素子を用いた発光装置を発光ダイオード(LED)という。青色発光ダイオード素子の青色光を白色光に変換する方法として最も一般的に行われている方法は、青色と補色関係にある黄色を混色することにより擬似的に白色を得るものである。例えば特許文献1に記載されているように、青色を発光するダイオード素子の全面に、青色光の一部を吸収して黄色光を発する蛍光体を含有するコーティング層を設け、その先に光源の青色光と蛍光体からの黄色光を混色するモールド層等を設けることで、白色発光ダイオードを構成することができる。蛍光体としては、セリウムで付活されたYAG(YAl12)(以下、YAG:Ceという場合がある。)粉末等が用いられる。
青色発光ダイオード素子とYAG:Ce蛍光体を用いた白色発光装置において、現在一般的に使用されている青色発光ダイオード素子の光は、ピーク波長が460nm付近の青色(例えばCIE1391色度座標(以下、単に色度という場合がある。)Cx=0.135、Cy=0.08)である。これは、YAG:Ce蛍光体の発光効率がこの波長域で高くなるためである。一方、発光波長の調整がされていないYAG:Ce(以下、無調整YAG:Ceという場合がある。)蛍光体の色は、ピーク波長を530〜545nm付近に持つ黄色(例えば色度Cx=0.41、Cy=0.56)である。このため460nm付近の青色発光ダイオード素子からの光と無調整YAG:Ce蛍光体からの光を混色した場合、白色(例えば6000K:色度Cx=0.32、Cy=0.34)より緑色側に外れてしまう。従って、この構成により白色を得るためには、蛍光のピーク波長がより赤色側(長波長側)にあるYAG:Ce蛍光体を用いる必要がある。
また、白色発光ダイオードは、ディスプレイ、照明、およびバックライト光源等の用途で要求される色度範囲(色温度)が異なるため、用いる蛍光体も用途に合わせて選択する必要がある。そして、LEDの色度を安定させるためには、複数の蛍光体を同時に用いるよりも、一種の蛍光体を使用することが望ましい。そのため、ブロードな蛍光スペクトルを有するYAG:Ce蛍光体では、発光波長の基準として蛍光の主波長を要求範囲内に設定することが必須である。通常は、蛍光体材料のピーク波長を長波長側あるいは短波長側に移動させることで発光波長の調整が行われている。
蛍光体材料のピーク波長を移動させる方法として、例えば、YAG:Ce蛍光体は、付活剤であるCeの量を増減させることで、蛍光波長のピークを10nm程度、長波長側に移動させることができることが公知技術として知られている(非特許文献1)。また、Y元素をGd元素で一部置換することで、蛍光波長のピークを長波長側へシフトさせることが、公知技術として知られている(非特許文献2,3)。こうして蛍光波長を長波長側へ調整したYAG:Ce蛍光体と青色発光ダイオード素子とを組み合わせて白色発光ダイオードを構成し、白色(色度Cx=0.33、Cy=0.33)を得る方法が特許文献1で提案されている。
一方、本発明者らは、YAG:Ce蛍光体相とAl相とを含む複数の酸化物相が連続的にかつ三次元的に相互に絡み合って形成されている凝固体からなる光変換用セラミック複合体、および青色発光素子と前記光変換用セラミック複合体とを用いて構成される白色発光装置を提案している(特許文献2)。前記光変換用セラミック複合体は、YAG:Ce蛍光体相が均一に分布するため、均質な黄色蛍光を安定して得ることができ、かつセラミックであるため耐熱性に優れる。さらに、Al相が酸化物の主構成相であるため、樹脂分散系より熱伝導が良く、かつ耐紫外線性を有しているといった優れた点を有している。また、それ自身がバルク体であるため、特許文献1のように、白色発光装置の構成に樹脂を必要としない。このため、光変換用セラミック複合体を用いた白色発光装置は、バラツキが小さく、また高出力化に極めて好適である。
特許文献2に記載の光変換用セラミック複合体においても、本発明者らは、特許文献3に記載のように凝固体全体の組成を調整することにより、蛍光波長のピークを550〜560nm、または540〜580nmの範囲で調整できることを示している。ただし、特許文献3に記載の一方向凝固法により得られる光変換用セラミック複合体は、GdやCeの割合を多くして、蛍光波長を長波側に調整すると、YAG:Ce蛍光体相およびYAG:(Gd,Ce)蛍光体相、並びにAl相以外の相が生成し、得られる白色光のスペクトルの積分値(全放射束)が小さくなることがあることがわかった。
この問題に対応するため、特許文献4では、YAG:Ce蛍光体相およびYAG:(Gd,Ce)蛍光体相、並びにAl相以外の相の生成を抑制することにより、光変換用セラミック複合体の蛍光波長のピークを長波長側に調整しても高い放射側を維持する光変換用セラミック複合体を得ることが可能になっている。
特開2000−208815号公報 国際公開第2004/065324号 国際公開第2007/083828号 国際公開第2011/125422号
J.Physics and Chemistry of Solids,vol.65 (2004) p845−850 マテリアルインテグレーション、vol.16, No.7, (2003) p41−46 応用物理 第71巻 第12号 (2002) p1518−1522
しかしながら、特許文献4記載の方法により得られた光変換用セラミック複合体は、GdやCeの割合を多くして、例えば570nm以上に蛍光波長を調整して高い放射束を維持しても、光変換用セラミック複合体の光出射面内で光のムラが生じてしまうという問題があることが判明した。このため、光変換用セラミック複合体を用いた白色発光装置においても、これらの発光ムラが大きくなってしまう問題がある。
そこで、本発明の目的は、蛍光主波長を580nmまで長波長化することができ、また570〜580nmの範囲内で任意に調整することができ、長波長化しても蛍光強度が低下せず、発光ムラを抑制した光変換用セラミック複合体を提供することにある。
さらに、本発明の他の目的は、耐熱性に優れ、白色発光装置の高出力化に好適な光変換用セラミック複合体を提供することにある。
また、本発明の他の目的は、上記光変換用セラミック複合体を用いた発光装置を提供することにある。
以上の目的を達成するために、本発明者らは鋭意研究を重ねた結果、特定の組成範囲の蛍光を発するCeで付活された(Tb、Y)Al12相とAl相とが連続的にかつ三次元的に相互に絡み合った組織を有する光変換用セラミック複合体が、蛍光主波長の長波長化が可能で、570〜580nmの範囲内で任意に調整することができ、また蛍光主波長を長波長化しても蛍光強度が低下せず、かつ発光ムラを抑制でき、耐熱性に優れ、白色発光装置の高出力化に好適であることを見出し、本発明に至った。
すなわち、本発明の第1の態様によると、少なくとも第1相及び第2相の2つの酸化物相が連続的にかつ三次元的に相互に絡み合った組織を有する下記式(1)で表される組成物からなる凝固体であって、前記第1相は、蛍光を発するCeで付活された(Tb、Y)Al12相であり、前記第2相は、Al相であることを特徴とする光変換用セラミック複合体が提供される。
前記光変換用セラミック複合体において、前記式(1)中のcを、0.002≦c≦0.02に、前記光変換用セラミック複合体を、光出射方向の厚みが80μm以上400μm以下の平板形状とすることができる。
また、前記光変換用セラミック複合体において、波長420〜500nmにピークを有する光を吸収することによって、570〜580nmに主波長を有する蛍光を発するものとすることができる。
また、前記光変換用セラミック複合体において、波長420〜500nmにピークを有する光を受光して、前記光の一部を励起光として蛍光を発し、前記光の一部を透過して透過光を発する光変換用セラミック複合体であって、前記蛍光と前記透過光とが混合された白色光を発するものとすることができる。
また、前記光変換用セラミック複合体において、前記白色光の色度を、CIE色度座標(Cx、Cy)において、(0.30、0.32)、(0.34、0.30)、(0.42、0.41)、(0.38、0.45)で囲まれる領域とすることができる。
本発明の第2の態様によると、発光素子と前記光変換用セラミック複合体とを備えることを特徴とする発光装置が提供される。
また、本発明の第3の態様によると、波長420〜500nmにピークを有する発光素子と、前記光変換用セラミック複合体とを備えることを特徴とする発光装置が提供される。
前記発光装置において、前記発光素子を発光ダイオード素子とすることができる。
以上のように、本発明によれば、蛍光主波長を580nmまで長波長化することができ、また570〜580nmの範囲内で任意に調整することができ、長波長化しても蛍光強度が低下せず、発光ムラを抑制し、耐熱性に優れ、白色発光装置の高出力化に好適な光変換用セラミック複合体およびそれを用いた発光装置を提供することができる。
実施例1に係る光変換用セラミック複合体の断面の光学顕微鏡写真である。 本発明の発光装置の一実施形態を示す模式的断面図である。 実施例1に係る光変換用セラミック複合体のX線回折図である。 実施例1および比較例1に係る光変換用セラミック複合体の蛍光スペクトル図である。 本発明の光変換用セラミック複合体を用いた発光装置から発する全光束のCIE色度Cx、およびCyを説明するCIE色度図である。 実施例3および比較例3に係る発光装置の発光時の発光面内の輝度ライン分析図である。
以下、本発明に係る光変換用セラミック複合体およびそれを用いた発光装置について、好適な一実施形態を詳細に説明する。
(光変換用セラミック複合体)
本実施形態の光変換用セラミック複合体は、少なくとも第1相及び第2相の2つの酸化物相が連続的にかつ三次元的に相互に絡み合った組織を有する下記式(1)で表される組成物からなる凝固体であって、前記第1相は、蛍光を発するCeで付活された(Tb、Y)Al12相であり、前記第2相は、Al相である。
本実施形態において、「2つの酸化物相が連続的にかつ三次元的に相互に絡み合った組織」とは、2種の酸化物粒子同士が結合した組織ではなく、その断面は図1に示すような組織を呈している。各相間に、アモルファス等の境界相が存在せず、酸化物相同士が直接接している組織である。
式(1)中のx、a、b、およびcは、次の方法により求めることができる。まず、本実施形態に係る光変換用セラミック複合体の粉砕物を炭酸ナトリウムとホウ酸で加熱融解させた後、塩酸、および硫酸を加えて加熱溶解させる。得られた溶解物について、誘導結合プラズマ発光分光分析(ICP−AES)を行って、Al、Tb、Y、およびCeの相対重量を求め、その結果から、x、a、b、およびcを算出することができる。
式(1)中のxは、0.23<x<0.30であり、0.238≦x≦0.294が好ましい。式(1)中のxが、0.23以下、または0.30以上の場合は、第1相、または第2相が粗大化する領域が凝固体の広範囲に生じ、凝固体にクラックが発生しやすくなる。また、クラックが発生しない場合でも、粗大化した第1相、または第2相により、蛍光主波長のバラツキが大きくなったり、発光ムラが抑制されない試料が存在したりするので、本実施形態の光変換用セラミック複合体を備えた白色発光装置が白色発光装置として適当でなくなるため好ましくない。
式(1)中のb/aは、0≦b/a≦4である。式(1)中のb/aが、4を超える場合は、蛍光主波長が570nm未満となり、長波長化の効果が得られないため好ましくない。
式(1)中のcは、0<c≦0.025であり、0.002≦c≦0.02が好ましい。式(1)中のcが0の場合は、蛍光を発現する付活元素が存在しないため、セラミック複合体の第1相が蛍光体相として機能しない。また、cが0.025より大きい場合は、光変換用セラミック複合体を白色発光装置に適用する際に、対象とする白色領域の色度の範囲によっては白色発光を得るための光変換用セラミック複合体の厚みをかなり薄く、例えば50μm未満の厚みまで薄くする必要があり、その場合、わずかな試料の厚みの違いによって適切な白色を得ることが困難になる。そのため、後述するような平板形状を有する本実施形態の光変換用セラミック複合体を備えた白色発光装置の発光を一定の色度に保つのに、平板形状を有する光変換用セラミック複合体の厚みを高い精度で揃える必要が生じ、品質の安定性の観点から好ましくない。なお、上記適切な白色とは、青色光と黄色光とが適切な割合で混合された、黄色または青色の色目が強すぎない白色のことである。
本実施形態に係る光変換用セラミック複合体の構成相は、該光変換用セラミック複合体を粉砕した粉末のX線回折図のピークを同定することで確認することができる。また、第1相にYおよびCe元素が含有されていることは、鏡面状態の断面を電界放出型走査電子顕微鏡によって元素分析することで確認することができる。元素分析の際に撮影した反射電子像は第1相((Tb、Y)Al12相)、および第2相(Al相)を、白黒の明るさの違いで明確に識別可能である。前記反射電子像と同視野の構成元素マッピング図から、YおよびCe元素の分布領域が、反射電子像での第1相と同定した領域およびTb元素分布領域と一致することを判断することができる。これらは、YまたはCeが(Tb、Y)Al12相に存在していることを示すものである。
本実施形態においては、第1相および第2相以外の酸化物相は極めて少ないが、蛍光特性に影響を与えない範囲で存在することがある。第1相および第2相以外の酸化物相としては、一般的に、CeAlO相、CeAl1118相、および(Y、Ce)AlO相などの複合酸化物相が挙げられる。
本実施形態の光変換用セラミック複合体は、波長420〜500nmにピークを有する光(励起光)を吸収することによって、570〜580nmに主波長を有する蛍光を効率良く発することができる。これにより、黄色蛍光を効率良く得ることができる。本実施形態に係る光変換用セラミック複合体は、励起光が、波長400〜419nm、もしくは501〜530nmでも、効率が低下するものの、蛍光を発することができる。さらに、励起光が、波長300〜360nmの近紫外光でも、蛍光を発することができる。
本実施形態において、主波長とは、CIE色度図における、白色点の座標:Cx=0.33,Cy=0.33と試料(光変換用セラミック複合体)の発光スペクトルの座標の二つの点を通る直線と、単色軌跡との交点から求められる波長であり、その光を代表する波長である。蛍光の主波長は、日本分光社製FP6500に積分球を組み合わせた固体量子効率測定装置により測定することができる。本実施形態の光変換用セラミック複合体が発する蛍光主波長は、CeOの割合、すなわち式(1)中のcによってはほとんど変化せず、式(1)中のxおよびb/aによって、570〜580nmの範囲内で任意に調整することができる。
また、本実施形態の光変換用セラミック複合体は、波長420〜500nmにピークを有する光を受光して、その光の一部を励起光として蛍光を発し、さらに、他の一部を透過して透過光を発することで、前記蛍光と前記透過光とが混合された白色光を発することができる。
白色の色度の範囲は、色の見え方に個人差があるため、一般に厳密には規定できないが、本実施形態では、以下の色度範囲内にある光を白色とする。色度図上で、黒体の色温度が2500〜15000Kの範囲でプロットした黒体軌跡の上下に位置する領域であって、該黒体軌跡からの偏差(Δuv)が約0.02以内に存在する領域である。ここで、Δuvとは、uv色度図上で描いた該黒体軌跡と光のxy色度値から変換したuv色度との距離である。すなわち、相関色温度で2500〜15000Kに相当する光を白色とする。
本実施形態の光変換用セラミック複合体が発する白色光の色度は、CIE色度座標(Cx、Cy)において、(0.30、0.32)、(0.34、0.30)、(0.42、0.41)、(0.38、0.45)で囲まれる領域、すなわち暖色系の白色領域であることが好ましい。本実施形態の光変換用セラミック複合体は、波長420〜500nmにピークを有する光を受光することによって前記領域の白色を発することができるので、発光ムラが少ない暖色系の白色を発光する白色発光装置を構成することができる。
本実施形態の光変換用セラミック複合体は、受光する光の一部を他の波長の光に変換して受光面以外の発光面から放射し、変換されない光をそのまま透過して受光面以外の発光面から放射することができるので、それを加工するのみで発光装置の光変換部材とすることができる。発光装置からの発光は、変換された蛍光と透過した透過光とが混合された色度を示す。該色度は、前記白色領域の範囲内の色度にすることができる。
本実施形態の光変換用セラミック複合体は、平板形状とすることで、面状に構成される発光素子の出射面と光変換用セラミック複合体の主面とが略平行になるように容易に位置あわせできるため好ましい。加えて、平板形状の光変換用セラミック複合体の厚みを略一定とすることで、通過する光の波長変換量を略均一として混色の割合を安定させ、発光面での発光ムラを抑制できる。平板形状の光変換用セラミック複合体の厚みを増大させることで、発光素子が発する励起光を光変換用セラミック複合体が受光することにより光変換用セラミック複合体の第1相が発する蛍光を増加させることができるので、励起光と蛍光とを合成した光の色度を、白色領域の範囲内で目的の色度値に調整することができる。
本実施形態の光変換用セラミック複合体が平板形状の場合、光変換用セラミック複合体の光出射方向の厚みは、80μm以上400μm以下であることが好ましい。光出射方向の厚みが80μm未満では、励起光と当該光変換用セラミック複合体が発光する光とを合成した光を白色領域の範囲内の色度に調整することが難しくなる上に、光路長が短いために十分な混色が得られず色ムラが生じやすくなるため、好ましくない。光出射方向の厚みが400μmを超えると、光変換用セラミック複合体側面の表面状態によっては、その側面で反射された光が出射光に混合することで、発光面で輝度ムラあるいは色ムラ(発光ムラ)が生じてしまうことがあるため、好ましくない。また、発光装置の構成によっては、蛍光の割合が相対的に高い(青色光に対して黄色光の割合が相対的に高い)、白色でない光が光変換用セラミック複合体の側方に漏れることで側方からの光でムラが生じてしまうことがあるため、好ましくない。
本実施形態においては、特に式(1)中のcが0.002≦c≦0.02であり、光出射方向の厚みが80μm以上400μm以下の平板形状を有する光変換用セラミック複合体を、白色発光装置に適用すると、青色光と黄色光とが適切な割合で混合された適切な白色の発光を得ることができるので、式(1)中のcが0.002≦c≦0.02であり、光出射方向の厚みが80μm以上400μm以下の平板形状を有する光変換用セラミック複合体は特に好ましい。
本実施形態においては、光変換用セラミック複合体を用いた白色発光装置の発光時の光出射面(発光面)内で、輝度分布と色度分布にムラが生じている状態を発光ムラと称する。発光ムラが大きいとは、発光している発光装置の発光面に2次元輝度計などの光学測定機器の焦点を当てて測光し、その結果を輝度分布あるいは色度分布として色表示した場合、スポット状あるいはライン状に輝度あるいは色度が大きく異なる領域が複数観察される状態のことである。この状態の場合、発光面をライン分析すると、輝度あるいは色度は、これらのライン上の平均値との差が大きくなる。逆に、発光ムラが小さいとは、スポット状あるいはライン状の領域の輝度あるいは色度が分析ライン上の平均値との違いが小さいか、これらの領域が明瞭に判別できない状態のことである。この状態の場合、発光面をライン分析すると、輝度あるいは色度は、ライン上のこれらの平均値との差が小さい。
光変換用セラミック複合体の発光ムラは、蛍光体相である第1相の置換元素、特にCeの第1相内における偏析が原因であると考えられる。偏析とは、対象の元素が該結晶相中に均一に分布せず、一部の領域に偏って存在することである。付活元素のCeが第1相内で偏析している領域があると、その領域では必要以上の強い蛍光を発することになる。この蛍光成分が、発光素子を形成したときの発光面での高輝度、高色度を示す領域となり、輝度ムラ、色度ムラとなって観察される。
したがって、本実施形態の光変換用セラミック複合体で発光ムラが抑制されるのは、Tbが存在することにより、従来の光変換用セラミック複合体に比べて、その製造時にCeが第1相の(Tb、Y)Al12相に取り込まれやすくなることで、第1相内の元素分布の均一性が高まり、上記の偏析の発生が減少したことによると推察される。
従来の光変換用セラミック複合体において、蛍光主波長を長波長化する目的でYよりイオン半径が大きいGdを添加すると、後述する比較例3、4のように発光ムラが大きくなる。イオン半径の小さなYと大きなCeとの間のサイズのイオン半径を有するGdでYを置換する従来の光変換用セラミック複合体においては、蛍光主波長の長波長化と引き換えに、第1相におけるCeの分布の均一性が悪くなり発光ムラが大きくなる。
Tbは、Gdと同様にイオン半径の小さなYと大きなCeとの間のサイズのイオン半径を有しており、TbとGdとのイオン半径の差は、YとGdとの差に比べればわずかであるので、置換元素の分配(融液から結晶相への取り込まれ方)に対して、TbがGdとは全く異なる、むしろ反対の影響を与えることは、一般的な単結晶(単一の結晶相からなる材料)の凝固に関する技術常識からは想定しにくい。本実施形態において、融液中あるいは第1相中にTbが存在することが、Gdが存在することでは発現しない第1相におけるCeの分布の均一性を高める作用を示した理由は不明であるが、本実施形態の光変換用セラミック複合体の凝固が、一般的な単結晶の凝固とは異なり、1つの液相(融液)と2つの固相(第1相および第2相)とが平衡状態にある反応であり、付活元素が分配されない第2相が存在していることと関係していると推察される。さらに、本実施形態の凝固のような特殊な反応系では、1つの液相と1つの固相とが平衡状態にある一般的な単結晶の凝固の反応系よりも、構成元素の液相から固相への分配に対する、イオン半径以外の何らかの因子の影響が大きくなった可能性があると推察される。
したがって、本実施形態の光変換用セラミック複合体が、付活元素を一様に含む単一の溶解物を凝固して、付活元素が分配される酸化物相(第1相)と付活元素が分配されない酸化物相(第2相)とを形成する特徴的な製造方法により製造されるセラミック複合体であるからこそ、本実施形態の光変換用セラミック複合体の製造において、Ceが特定の割合のTbと共存した状態の溶解物が凝固することで、Ceが第1相である(Tb、Y)Al12相に取り込まれやすくなるものと思われる。それによって、Ceの第1相内での偏析が抑制されて、発光ムラが抑制されるものと考えられる。
(光変換用セラミック複合体の製造方法)
次に、本実施形態の光変換用セラミック複合体の製造方法について説明する。
本実施形態に係る光変換用セラミック複合体は、式(1)の組成と同一の組成の原料酸化物を融解させて、所定の条件の一方向凝固法により融解物を凝固させることで作製することができる。例えば、融解温度(約1800℃)以上の所定温度に保持した坩堝に仕込んだ原料酸化物の融解物を、冷却速度を制御しながら冷却凝結(凝固)させる簡単な方法で凝固体を得ることができる。一方向凝固法は、固相/液相界面に最適な温度勾配を与え、結晶成長を一方向にコントロールして凝固を行う方法である。一方向凝固法においては、含まれる結晶相は単結晶状態で連続的に成長する。
原料酸化物は、少なくとも1つの酸化物相が蛍光体相であり、かつ式(1)で表わされる組成物を作製できるものであれば、本出願人が先に開示したセラミック複合材料(特開平7−149597号公報、特開平7−187893号公報、特開平8−81257号公報、特開平8−253389号公報、特開平8−253390号公報、および特開平9−67194号公報、並びにこれらに対応する米国出願(米国特許第5,569,547号、同第5,484,752号、および同第5,902,963号))を用いることができる。これらの出願および特許の開示内容はここに参照して、本出願に含めるものである。
一方向凝固法は、凝固方向に付与される温度低下勾配、および凝固方向への移動速度を制御する。温度低下勾配とは、例えば、一方向凝固法を、融解物が収容された坩堝の移動、または融解物の引上げ、引下げにより行う場合においては、凝固方向に対して平行な方向に一定間隔で設けられた熱電対等で測定された加熱手段の1cm毎の温度差である。温度低下勾配は、20℃/cm以上が好ましく、25℃/cm以上がより好ましい。これにより、第1相及び第2相以外の酸化物相の生成を抑制させることに有効である。温度勾配が20℃/cmより低いと、CeAlO相、CeAl1119相等の複合酸化物相が高い体積割合で生成し、青色発光素子と本発明に係る光変換用セラミック複合体とから白色発光装置を構成した場合に、白色発光装置から得られる全放射束が小さくなる場合がある。また、前記の複合酸化物相にはCeが含まれているため、第1相に含有するCeの量が減少してしまう場合がある。
また、移動速度とは、例えば、一方向凝固法を坩堝の移動、または融解物の引上げ、引下げにより行う場合においては、凝固方向に対して平行な方向に坩堝等が移動する速度である。移動速度は、25mm/時間以下が好ましく、1〜15mm/時間がより好ましい。これにより、第1相及び第2相以外の酸化物相の生成を抑制させることに有効である。移動速度が25mm/時間を越えると、前記と同様に、CeAlO相やCeAl1119相等の複合酸化物相が高い体積割合で生成し、青色発光素子と本実施形態に係る光変換用セラミック複合体とから白色発光装置を構成した場合に、白色発光装置から得られる全放射束が小さくなる場合がある。また、前記のCeを含む複合酸化物相が高い体積割合で生成するため、第1相に含有するCeの量が減少してしまう場合がある。
以上のような条件での一方向凝固法が、本実施形態に係る光変換用セラミック複合体となる凝固体の製造に好適である。しかしながら、前記の条件以外でも、第1相及び第2相が共存して凝固すれば、本実施形態に係る光変換用セラミック複合体となる凝固体を製造することができる。
(発光装置)
次に、本実施形態に係る発光装置について説明する。
本実施形態に係る発光装置は、発光素子から発する光を光変換用セラミック複合体に照射し、光変換用セラミック複合体を透過した光および光変換用セラミック複合体により波長変換された蛍光を利用する発光装置である。
本実施形態に係る発光装置としては、例えば、図2に示される発光装置1を挙げることができる。発光装置1は、波長570〜580nmに蛍光主波長を有する光変換用セラミック複合体3と、420〜500nmにピークを有する光を発する発光素子4とを備える。光変換用セラミック複合体3は、平板形状に形成されている。単結晶基板2は、光変換用セラミック複合体3の下に、光変換用セラミック複合体3と平行になるように配置されている。発光素子4は、単結晶基板2に形成されており、基板側と異なる面で電極5、6を介してパッケージ7に接続されている。発光素子4は、紫色〜青色の光を発する素子であり、その波長に合わせて白色が得られるように、発光素子4から発する紫色〜青色光を、単結晶基板2を透過後に、蛍光ピーク波長の調整を行った光変換用セラミック複合体3に入射する。それによって励起された第1相(蛍光体相)からの黄色の蛍光と、第2相(非蛍光体相)からの紫色〜青色の透過光が、第1相と第2相とが連続的にかつ三次元的に相互に絡み合い均一に分布した構造の凝固体中を通過することで、光が均質に混合され、色ムラが小さい白色を得ることができる。
以上のように、本実施形態の光変換用セラミック複合体は、蛍光体相を含む各酸化物相が、連続的にかつ三次元的に相互に絡み合って存在する。そのため、本実施形態に係る光変換用セラミック複合体からは、570〜580nmの任意の蛍光主波長に調整された均質な黄色蛍光を効率良く安定して得ることができる。また、酸化物セラミックで構成されているため耐熱性・耐久性に優れている。
また、本実施形態の発光装置は、本実施形態に係る光変換用セラミック複合体を備えているので、波長調整された均質な黄色蛍光により、青色発光素子と組み合わせて、任意の色調の白色発光が可能であり、また、均質で色ムラが小さい高輝度な白色発光が可能である。また、本実施形態の発光装置は、本実施形態の光変換用セラミック複合体を備えているので、光変換用セラミック複合体自身がバルク体であり封入樹脂が必要ないことから熱や光による劣化がなく、高出力化、高効率化が可能である。
また、本実施形態の発光装置は、その発光素子が発光ダイオード素子であることが好ましい。本実施形態に係る光変換用セラミック複合体と青色発光ダイオード素子とを組み合わせて、高効率な発光装置を構成することができる。
以下、実施例によって、本発明を更に詳しく説明する。まず、光変換用セラミック複合体の蛍光主波長および蛍光強度の測定方法、光変換用セラミック複合体の構成相の同定方法、並びに発光装置とその発光面内での発光ムラの判定方法について説明する。
(蛍光主波長、蛍光強度の測定方法)
光変換用セラミック複合体から採取したφ16mm×0.2mmの円盤状試料について、日本分光社製固体量子効率測定装置を用い、励起光の波長は460nmとして蛍光特性評価を行い、蛍光主波長を測定した。また、蛍光強度は、後述する比較例1の最大蛍光強度を100とした相対値である相対蛍光強度とした。
(光変換用セラミック複合体の構成相の同定方法)
光変換用セラミック複合体の構成相は、光変換用セラミック複合体を粉砕した粉末のX線回折図のピークを同定することで確認した。また、第1相にYおよびCe元素が含有されていることは、鏡面状態の断面を電界放出型走査電子顕微鏡によって元素分析することで確認した。また、反射電子像と同視野の構成元素マッピング図から、YおよびCe元素の分布領域が、反射電子像で第1相と同定した領域およびTb元素分布領域と一致することを確認することで、YまたはCeが(Tb、Y)Al12相に存在していることを確認した。
(発光装置の発光色度の測定方法)
図2に示すような発光装置1を作製した。光変換用セラミック複合体3は、凝固体から採取した1mm×1mm×0.08〜0.5mmの平板形状試料とした。発光素子4は、波長463nmの青色光が発せられるLEDとした。LEDを発光させて青色光を平板形状試料の底面に照射し、底面の反対の面から放射された放射束を、積分球を用いた市販のLED測定システムで測定した。測定された放射束が光変換用セラミック複合体の蛍光特性を反映した値を示すことを確認した。前記発光装置を発光させて、積分球にとりこんだその発光の全光束から色度を測定した。測定した色度から、複数の厚みの平板形状の光変換用セラミック複合体を備えた発光装置で白色光が得られることを確認した。
(発光ムラの評価方法)
光変換用セラミック複合体の発光ムラの評価を以下の方法により行った。発光ムラは、当該光変換用セラミック複合体が発光する光の色度で変化するため、白色領域内で評価する色度Cyを定め、その色度の光を発光する厚みの平板形状の光変換用セラミック複合体を備えた発光装置で発光ムラを評価した。
光変換用セラミック複合体の厚みの増大とともに、発光装置の発光の、色度CxおよびCyの値は大きくなるため、CxおよびCyを変数にした二軸グラフと、光変換用セラミック複合体の厚みとCyを変数にした二軸グラフを作成し、その近似線から色度Cyが0.35となるときの平板形状の光変換用セラミック複合体の厚みを求めた。
発光装置の発光の全光束の色度Cyが0.35±0.005の範囲に入るように選択した厚みの1mm×1mmサイズの平板形状の光変換用セラミック複合体を備えた発光装置1の発光面の発光面内の輝度分布、色度分布を、サイバネット社製輝度・照度・色度測定システムにより測定した。測定した発光面内の輝度分布、色度分布について、0.1mm間隔で縦横方向に各9本のライン分析(計18本)を行い、ライン上の輝度あるいは色度と、面内の輝度あるいは色度の平均値との差(変動量)を測定して最大変動量(最も大きい変動量)を求めた。図6はライン分析の例である。図中の横軸は発光素子の中心からの距離、縦軸は面内の輝度の平均値を基準値(0)とした時の輝度の変動量(%)を表す。ライン上の輝度または色度の平均値からの最大変動量が±10%以内であることを基準内として、最大変動量が±10%を超える基準外となるラインの数が複数無ければ、発光ムラが抑制されていると判定した。本発明の光変換用セラミック複合体を備えた発光装置では、輝度分布の最大値が色度分布の最大値よりも大きくなったため、本発明の全ての実施例および比較例においては、発光ムラの判定には輝度ライン分布の測定結果を用いた。
(実施例1)
α−Al粉末(純度99.99%)をAlO3/2換算で0.773モル、Tb粉末(純度99.9%)をTbO7/4換算で0.227×0.997モル、CeO粉末(純度99.9%)を0.227×0.003モルとなるよう秤量した。これらの粉末をエタノール中、ボールミルによって16時間湿式混合した後、エバポレーターを用いてエタノールを脱媒して原料粉末を得た。原料粉末は、真空炉中で予備融解し一方向凝固の原料とした。
次に、この原料をそのままモリブデンルツボに仕込み、上部に融解保持ゾーンが、下部に上下方向(凝固方向)に50℃/cmの温度勾配が設定された冷却ゾーンが設けられた一方向凝固装置の融解保持ゾーンにセットし、1.33×10−3Pa(10−5Torr)の圧力下で原料を融解した。次に同一の雰囲気において、モリブデンルツボを5mm/時間の速度で下降させて、モリブデンルツボを下部から冷却することで、TbAl12相:Ce相、およびAl相からなる実施例1に係る光変換用セラミック複合体を得た。得られた光変換用セラミック複合体の蛍光主波長および相対蛍光強度を表1に示す。
また、図3に実施例1の光変換用セラミック複合体を粉砕した粉末のX線回折図を示す。実施例1の光変換用セラミック複合体は、TbAl12およびAlのピークを有していることが確認された。また、凝固方向に垂直な断面を電界放出型走査電子顕微鏡により元素分析することで、TbAl12相にCeが存在することが確認されたので、実施例1の光変換用セラミック複合体が、Ceで付活されたTbAl12相およびAl相からなることが確認された。実施例1の光変換用セラミック複合体の凝固方向に垂直な断面組織写真を図1に示す。図1のAの黒い部分が第2相(Al相)、Bの白い部分が第1相(Ceで付活されたTbAl12相)である。
次に、実施例1の光変換用セラミック複合体から、厚みの異なる1mm×1mmサイズの平板形状の光変換用セラミック複合体を採取して、これら平板形状の光変換用セラミック複合体と、463nmにピークを有する光を発する発光素子とを備える発光装置を、光変換用セラミック複合体の厚みごとに作製した。次いで、発光装置を発光させたときの積分球にとりこんだ全光束から色度を測定した。図5にプロットした色度は、色度値の小さい方から、それぞれ平板形状の光変換用セラミック複合体の厚みを0.15、0.20、0.24mmとしたときの発光装置の発光の色度例である。平板形状の光変換用セラミック複合体の厚みが少なくとも0.15〜0.24mmの範囲の間である場合は、それを備えた発光装置が白色領域の色度に入ることを確認した。すなわち、実施例1の光変換用セラミック複合体を用いた発光装置で白色光が得られることを色度で確認することができた。また、厚みによる色度変化量から、発光装置に用いた光変換用セラミック複合体の厚みを調節することにより、発光装置の発光の色度Cyを図5に示す0.30〜0.41の色度範囲に調整することができることがわかった。
次に、測定した発光装置の発光の色度CxおよびCyと、平板形状の光変換用セラミック複合体の厚みより、色度CxおよびCyを変数にした二軸グラフ(グラフ1)と、試料厚みおよびCyを変数にした二軸グラフ(グラフ2)とを描画した。色度Cy=0.35となるときの平板形状の光変換用セラミック複合体の厚みおよび色度Cxを、グラフ1の近似線およびグラフ2から求めたところ、それぞれ、0.22mm、および0.37であった。
次いで、実施例1の光変換用セラミック複合体から、発光装置の発光の色度Cyが0.35となる厚み、すなわち0.22mmの厚みの1mm×1mmサイズの平板形状の光変換用セラミック複合体を採取し、この平板形状の光変換用セラミック複合体と、463nmにピークを有する光を発する発光素子とを備える発光装置を作製した。次に、この発光装置を発光させて、発光面の輝度分布、色度分布を測定し、発光ムラを評価した。結果を表1に示す。
(実施例2)
原料を、α−Al粉末(純度99.99%)をAlO3/2換算で0.773モル、Tb粉末(純度99.9%)をTbO7/4換算で0.227×0.994モル、CeO粉末(純度99.9%)を0.227×0.006モルとなるよう秤量した。その他は、モリブデンルツボの移動速度を10mm/時間とした以外は、実施例1と同様の方法により、実施例2に係る光変換用セラミック複合体を得た。実施例1と同様の方法により、実施例2の光変換用セラミック複合体が、Ceで付活されたTbAl12相およびAl相からなることを確認した。得られた光変換用セラミック複合体の蛍光主波長および相対蛍光強度を表1に示す。
また、平板形状の光変換用セラミック複合体の厚みを0.14、0.19、0.24mmとしたこと以外は実施例1と同様の方法で、光変換用セラミック複合体の厚みごとに発光装置を作製し、実施例1と同様の方法で、それら発光装置の発光の色度CxおよびCyを測定した。色度Cy=0.35のときの平板形状の光変換用セラミック複合体の厚み、および色度Cxを、実施例1と同様の方法によって求め、また、発光ムラを実施例1と同様の方法で判定した。色度Cy=0.35のときの平板形状の光変換用セラミック複合体の厚み、および色度Cxと、発光ムラの判定結果を表1に示す。
(実施例3)
α−Al粉末(純度99.99%)をAlO3/2換算で0.773モル、Tb粉末(純度99.9%)をTbO7/4換算で0.227×0.99モル、CeO粉末(純度99.9%)を0.227×0.01モルとなるよう秤量した。その他は、モリブデンルツボの移動速度を10mm/時間としたこと以外は、実施例1と同様の方法により、光変換用セラミック複合体を得た。実施例1と同様の方法により、実施例3の光変換用セラミック複合体が、Ceで付活されたTbAl12相およびAl相からなることを確認した。得られた光変換用セラミック複合体の蛍光主波長および相対蛍光強度を表1に示す。
また、平板形状の光変換用セラミック複合体の厚みを0.10、0.15、0.19mmとして発光装置を作製したこと以外は実施例1と同様の方法で、色度Cy=0.35のときの平板形状の光変換用セラミック複合体の厚み、および色度Cxと、発光ムラを判定した。結果を表1に示す。
(実施例4)
α−Al粉末(純度99.99%)をAlO3/2換算で0.773モル、Tb粉末(純度99.9%)をTbO7/4換算で0.227×0.99×0.4モル、Y粉末(純度99.9%)をYO3/2換算で0.227×0.99×0.6モル、CeO粉末(純度99.9%)を0.227×0.01モルとなるよう秤量した。その他は、モリブデンルツボの移動速度を10mm/時間としたこと以外は、実施例1と同様の方法により、光変換用セラミック複合体を得た。実施例1と同様の方法によって、実施例4の光変換用セラミック複合体が、Ceで付活された(Tb、Y)Al12相、およびAl相からなることを確認した。得られた光変換用セラミック複合体の蛍光主波長および相対蛍光強度を表1に示す。
また、実施例3と同様の方法で、色度Cy=0.35のときの平板形状の光変換用セラミック複合体の厚み、および色度Cxと、発光ムラを判定した。結果を表1に示す。
(実施例5)
α−Al粉末(純度99.99%)をAlO3/2換算で0.808モル、Tb粉末(純度99.9%)をTbO7/4換算で0.192×0.998×0.3モル、Y粉末(純度99.9%)をYO3/2換算で0.192×0.998×0.7モル、CeO粉末(純度99.9%)を0.192×0.002モルとなるよう秤量したこと以外は、実施例1と同様の方法により、光変換用セラミック複合体を得た。実施例1と同様の方法により、実施例5の光変換用セラミック複合体が、Ceで付活された(Tb、Y)Al12相、およびAl相からなることを確認した。得られた光変換用セラミック複合体の蛍光主波長および相対蛍光強度を表1に示す。
また、平板形状の光変換用セラミック複合体の厚みを0.20、0.35、0.50mmとして発光装置を作製したこと以外は実施例1と同様の方法で、色度Cy=0.35のときの平板形状の光変換用セラミック複合体の厚み、および色度Cxと、発光ムラを判定した。結果を表1に示す。
(実施例6)
原料を、α−Al粉末(純度99.99%)をAlO3/2換算で0.800モル、Tb粉末(純度99.9%)をTbO7/4換算で0.200×0.998×0.225モル、Y粉末(純度99.9%)をYO3/2換算で0.200×0.998×0.775モル、CeO粉末(純度99.9%)を0.200×0.002モルとなるよう秤量したこと以外は、実施例1と同様の方法により、光変換用セラミック複合体を得た。実施例1と同様の方法により、実施例6の光変換用セラミック複合体が、Ceで付活された(Tb、Y)Al12相、およびAl相からなることを確認した。得られた光変換用セラミック複合体の蛍光主波長および相対蛍光強度を表1に示す。
また、実施例5と同様の方法で、色度Cy=0.35のときの平板形状の光変換用セラミック複合体の厚み、および色度Cxと、発光ムラを判定した。結果を表1に示す。
(実施例7)
原料を、α−Al粉末(純度99.99%)をAlO3/2換算で0.788モル、Tb粉末(純度99.9%)をTbO7/4換算で0.212×0.982×0.4モル、Y粉末(純度99.9%)をYO3/2換算で0.212×0.982×0.6モル、CeO粉末(純度99.9%)を0.212×0.018モルとなるよう秤量したこと以外は、実施例1と同様の方法により、光変換用セラミック複合体を得た。実施例1と同様の方法により、実施例7の光変換用セラミック複合体が、Ceで付活された(Tb、Y)Al12相、およびAl相からなることを確認した。得られた光変換用セラミック複合体の蛍光主波長および相対蛍光強度を表1に示す。
また、平板形状の光変換用セラミック複合体の厚みを0.08、0.14、0.18mmとして発光装置を作製したこと以外は実施例1と同様の方法で、色度Cy=0.35のときの平板形状の光変換用セラミック複合体の厚み、および色度Cxと、発光ムラを判定した。結果を表1に示す。
(実施例8)
原料を、α−Al粉末(純度99.99%)をAlO3/2換算で0.808モル、Tb粉末(純度99.9%)をTbO7/4換算で0.192×0.985モル、CeO粉末(純度99.9%)を0.192×0.015モルとなるよう秤量したこと以外は、実施例1と同様の方法により、光変換用セラミック複合体を得た。実施例1と同様の方法により、実施例8の光変換用セラミック複合体が、Ceで付活されたTbAl12相およびAl相からなることを確認した。得られた光変換用セラミック複合体の蛍光主波長および相対蛍光強度を表1に示す。
また、実施例7と同様の方法で、色度Cy=0.35のときの平板形状の光変換用セラミック複合体の厚み、および色度Cxと、発光ムラを判定した。結果を表1に示す。
(実施例9)
原料を、α−Al粉末(純度99.99%)をAlO3/2換算で0.773モル、Tb粉末(純度99.9%)をTbO7/4換算で0.227×0.977×0.4モル、CeO粉末(純度99.9%)を0.227×0.023モルとなるよう秤量したこと以外は、実施例1と同様の方法により、光変換用セラミック複合体を得た。実施例1と同様の方法により、実施例9の光変換用セラミック複合体が、Ceで付活されたTbAl12相およびAl相からなることを確認した。得られた光変換用セラミック複合体の蛍光主波長および相対蛍光強度を表1に示す。
また、実施例7と同様の方法で、色度Cy=0.35のときの平板形状の光変換用セラミック複合体の厚み、および色度Cxと、発光ムラを判定した。結果を表1に示す。
(実施例10)
原料を、α−Al粉末(純度99.99%)をAlO3/2換算で0.808モル、Tb粉末(純度99.9%)をTbO7/4換算で0.192×0.98×0.225モル、Y粉末(純度99.9%)をYO3/2換算で0.192×0.98×0.775モル、CeO粉末(純度99.9%)を0.192×0.02モルとなるよう秤量したこと以外は、実施例1と同様の方法により、光変換用セラミック複合体を得た。実施例1と同様の方法により、実施例10の光変換用セラミック複合体が、Ceで付活された(Tb、Y)Al12相、およびAl相からなることを確認した。得られた光変換用セラミック複合体の蛍光主波長および相対蛍光強度を表1に示す。
また、平板形状の光変換用セラミック複合体の厚みを0.08、0.10、0.13mmとして発光装置を作製したこと以外は実施例1と同様の方法で、色度Cy=0.35のときの平板形状の光変換用セラミック複合体の厚み、および色度Cxと、発光ムラを判定した。結果を表1に示す。また、図5にプロットした色度は、色度値の小さい順から、それぞれ試料厚みを0.08、0.10、0.13mmとしたときの発光装置の色度の例である。
(実施例11)
原料を、α−Al粉末(純度99.99%)をAlO3/2換算で0.800モル、Tb粉末(純度99.9%)をTbO7/4換算で0.200×0.997×0.2モル、Y粉末(純度99.9%)をYO3/2換算で0.200×0.997×0.8モル、CeO粉末(純度99.9%)を0.200×0.003モルとなるよう秤量したこと以外は、実施例1と同様の方法により、光変換用セラミック複合体を得た。実施例1と同様の方法により、実施例11の光変換用セラミック複合体が、Ceで付活された(Tb、Y)Al12相、およびAl相からなることを確認した。得られた光変換用セラミック複合体の蛍光主波長および相対蛍光強度を表1に示す。得られた蛍光主波長は570nmであった。
また、実施例5と同様の方法で、色度Cy=0.35のときの平板形状の光変換用セラミック複合体の厚み、および色度Cxと、発光ムラを判定した。結果を表1に示す。
(実施例12)
α−Al粉末(純度99.99%)をAlO3/2換算で0.773モル、Tb粉末(純度99.9%)をTbO7/4換算で0.227×0.975モル、CeO粉末(純度99.9%)を0.227×0.025モルとなるよう秤量した。その他は、モリブデンルツボの移動速度を10mm/時間としたこと以外は、実施例1と同様の方法により、光変換用セラミック複合体を得た。実施例1と同様の方法により、実施例12の光変換用セラミック複合体が、Ceで付活されたTbAl12相およびAl相からなることを確認した。得られた光変換用セラミック複合体の蛍光主波長および相対蛍光強度を表1に示す。
また、実施例7と同様の方法で、色度Cy=0.35のときの平板形状の光変換用セラミック複合体の厚み、および色度Cxと、発光ムラを判定した。結果を表1に示す。80μm未満の厚みになると、わずかな試料厚みのズレで色度の違いが生じるので、白色発光装置の発光を一定の色度に保つには、板状の光変換用セラミック複合体の厚みを高い精度で揃えることが必要になり、板状の光変換用セラミック複合体の厚みを調節する加工を高い精度で管理することが必要になった。
(比較例1)
原料を、α−Al粉末(純度99.99%)をAlO3/2換算で0.813モル、Y粉末(純度99.9%)をYO3/2換算で0.187×0.997モル、CeO粉末(純度99.9%)を0.187×0.003モルとなるよう秤量したこと以外は、実施例1と同様の方法により、光変換用セラミック複合体を得た。凝固方向に垂直な断面を電界放出型走査電子顕微鏡により元素分析することで、YAl12相にCeが存在することが確認されたので、比較例1の光変換用セラミック複合体が、Ceで付活されたYAl12相、およびAl相からなることを確認した。得られた光変換用セラミック複合体の蛍光主波長、相対蛍光強度、LED時色度Cy=0.35の光変換用セラミック複合体の厚み、色度Cx、発光ムラ判定結果を表1に示す。得られた光変換用セラミック複合体の発光ムラは小さいものの、蛍光主波長は568nmであった。
(比較例2)
原料を、α−Al粉末(純度99.99%)をAlO3/2換算で0.808モル、Y粉末(純度99.9%)をYO3/2換算で0.192×0.99モル、CeO粉末(純度99.9%)を0.192×0.01モルとなるよう秤量したこと以外は、実施例1と同様の方法により、光変換用セラミック複合体を得た。比較例1と同様の方法により、比較例2の光変換用セラミック複合体が、Ceで付活されたYAl12相、およびAl相からなることを確認した。得られた光変換用セラミック複合体の蛍光主波長、相対蛍光強度、LED時色度Cy=0.35の光変換用セラミック複合体の厚み、色度Cx、発光ムラ判定結果を表1に示す。得られた光変換用セラミック複合体の蛍光主波長は571nmであった。Ceの割合が大きい影響で蛍光主波長は570nm以上であったが、発光ムラは大きかった。
(比較例3)
原料を、α−Al粉末(純度99.99%)をAlO3/2換算で0.808モル、Y粉末(純度99.9%)をYO3/2換算で0.192×0.89モル、Gd粉末(純度99.9%)GdO3/2換算で0.192×0.10モル、CeO粉末(純度99.9%)を0.187×0.01モルとなるよう秤量したこと以外は、実施例1と同様の方法により、光変換用セラミック複合体を得た。凝固方向に垂直な断面を電界放出型走査電子顕微鏡により元素分析することで、(Y、Gd)Al12相にCeが存在することが確認されたので、比較例3の光変換用セラミック複合体が、Ceで付活された(Y、Gd)Al12相、およびAl相からなることを確認した。
なお、Gdを含有する光変換用セラミック複合体に係る比較例3および4の組成については、下記式(2)で表すこととし、GdO3/2とYO3/2との比は、表1にa’/b’として示した。
得られた光変換用セラミック複合体の蛍光主波長、相対蛍光強度、LED時色度Cy=0.35の光変換用セラミック複合体の厚み、色度Cx、発光ムラ判定結果を表1に示す。得られた光変換用セラミック複合体の蛍光主波長はGdの影響で長波長化され574nmであったが、比較例2よりも発光ムラが大きくなった。
(比較例4)
原料を、α−Al粉末(純度99.99%)をAlO3/2換算で0.808モル、Y粉末(純度99.9%)をYO3/2換算で0.192×0.86モル、Gd粉末(純度99.9%)GdO3/2換算で0.192×0.10モル、CeO粉末(純度99.9%)を0.192×0.04モルとなるよう秤量したこと以外は、実施例1と同様の方法により、光変換用セラミック複合体を得た。比較例3と同様の方法により、比較例4の光変換用セラミック複合体が、Ceで付活された(Y、Gd)Al12相、およびAl相からなることを確認した。得られた光変換用セラミック複合体の蛍光主波長、相対蛍光強度、LED時色度Cy=0.35の光変換用セラミック複合体の厚み、色度Cx、発光ムラ判定結果を表1に示す。得られた光変換用セラミック複合体の蛍光主波長はGdの影響で長波長化され575nmであったが、Gdの割合が比較例4より少ない比較例3よりさらに発光ムラが大きくなった。
(比較例5)
原料を、α−Al粉末(純度99.99%)をAlO3/2換算で0.813モル、Tb粉末(純度99.9%)をTbO7/4換算で0.187×0.99モル、CeO粉末(純度99.9%)を0.187×0.01モルとなるよう秤量したこと以外は、実施例1と同様の方法により、光変換用セラミック複合体を得た。得られた光変換用セラミック複合体の蛍光主波長、相対蛍光強度、LED時色度Cy=0.35の光変換用セラミック複合体の厚み、色度Cx、発光ムラ判定結果を表1に示す。得られた光変換用セラミック複合体は、粗大なAlの初晶が広範囲に生じた不均一な組織を有しており、試料ごとに色度のバラツキが大きく、白色発光装置用の光変換用セラミック複合体として適当でなかった。
(比較例6)
原料を、α−Al粉末(純度99.99%)をAlO3/2換算で0.769モル、Tb粉末(純度99.9%)をTbO7/4換算で0.231×0.99×0.25モル、Y粉末(純度99.9%)をYO3/2換算で0.231×0.99×0.75モル、CeO粉末(純度99.9%)を0.231×0.01モルとなるよう秤量したこと以外は、実施例1と同様の方法により、光変換用セラミック複合体を得た。得られた凝固体は複数のクラックを有し、表1に示すようにφ16mm×0.2mmの円盤状試料を採取することができなかった。
(比較例7)
原料を、α−Al粉末(純度99.99%)をAlO3/2換算で0.76モル、Tb粉末(純度99.9%)をTbO7/4換算で0.24×0.98モル、CeO粉末(純度99.9%)を0.24×0.02モルとなるよう秤量したこと以外は、実施例1と同様の方法により、光変換用セラミック複合体を得た。得られた光変換用セラミック複合体の蛍光主波長、相対蛍光強度、LED時色度Cy=0.35の光変換用セラミック複合体の厚み、色度Cx、発光ムラ判定結果を表1に示す。基準外となるラインが複数存在し、発光ムラの抑制が十分でないと判定した。
(比較例8)
原料を、α−Al粉末(純度99.99%)をAlO3/2換算で0.808モル、Tb粉末(純度99.9%)をTbO7/4換算で0.192×0.97×0.5モル、Y粉末(純度99.9%)をYO3/2換算で0.192×0.97×0.5モル、CeO粉末(純度99.9%)を0.192×0.03モルとなるよう秤量したこと以外は、実施例1と同様の方法により、光変換用セラミック複合体を得た。採取した円盤状試料について、蛍光主波長、相対蛍光強度を測定することができたが、平板形状試料全てにおいて発光装置から発した全光束の色度CxおよびCyが大きく、表1に示すように白色領域に入らなかった。このため、LED時色度Cy=0.35の光変換用セラミック複合体の厚み、色度Cxを算出することができなかった。
以上より、本発明の光変換用セラミック複合体を用いた発光装置では、実施例の光変換用セラミック複合体の厚みを調節することによって、白色発光が得られた範囲は、図5に示すCIE色度(Cx、Cy)において、(0.30、0.32)、(0.34、0.30)、(0.42、0.41)、(0.38、0.45)で囲まれる領域であることがわかる。
また、図4に、実施例1の光変換用セラミック複合体の蛍光スペクトルを、蛍光主波長が568nmである比較例1の光変換用セラミック複合体の蛍光スペクトルと併せて示す。蛍光主波長が長波長である実施例1の光変換用セラミック複合体の蛍光スペクトルが、蛍光主波長が短波長である比較例1の光変換用セラミック複合体の蛍光スペクトルに対して、長波長側にシフトしていることがわかる。
また、図6は、実施例3の光変換用セラミック複合体を備えた発光装置の発光面内の輝度ライン分析の一例を、比較例3の一例と併せて示した図である。実施例3が比較例3に比べ、場所による変動が小さく、また最大変動量が基準内に入っていることがわかる。このように、実施例3では、18本全てのライン分析において最大変動量が基準内であり、発光ムラが抑制されていることが確認できた。
従って、本発明の光変換用セラミック複合体は、式(1)中のx、および/またはb/aによって、任意に蛍光主波長を調整でき、その蛍光主波長が長波長でも相対蛍光強度が高いうえに、発光ムラが抑制された、白色発光装置に好適に用いられる光変換用セラミック複合体であることがわかる。
1 発光装置
2 単結晶基板
3 光変換用セラミックス複合体
4 発光素子(発光ダイオード素子)
5、6 電極
7 パッケージ

Claims (8)

  1. 少なくとも第1相及び第2相の2つの酸化物相が連続的にかつ三次元的に相互に絡み合った組織を有する下記式(1)で表される組成物からなる凝固体であって、
    前記第1相は、蛍光を発するCeで付活された(Tb、Y)Al12相であり、
    前記第2相は、Al相であることを特徴とする光変換用セラミック複合体。
  2. 前記式(1)中のcが、0.002≦c≦0.02であり、前記光変換用セラミック複合体が、光出射方向の厚みが80μm以上400μm以下の平板形状を有することを特徴とする請求項1記載の光変換用セラミック複合体。
  3. 波長420〜500nmにピークを有する光を吸収することによって、570〜580nmに主波長を有する蛍光を発することを特徴とする請求項1または2記載の光変換用セラミック複合体。
  4. 波長420〜500nmにピークを有する光を受光して、前記光の一部を励起光として蛍光を発し、前記光の一部を透過して透過光を発する光変換用セラミック複合体であって、前記蛍光と前記透過光とが混合された白色光を発することを特徴とする請求項3記載の光変換用セラミック複合体。
  5. 前記白色光の色度が、CIE色度座標(Cx、Cy)において、(0.30、0.32)、(0.34、0.30)、(0.42、0.41)、(0.38、0.45)で囲まれる領域であることを特徴とする請求項4記載の光変換用セラミック複合体。
  6. 発光素子と請求項1〜5いずれか記載の光変換用セラミック複合体とを備えることを特徴とする発光装置。
  7. 波長420〜500nmにピークを有する発光素子と、570〜580nmに主波長を有する蛍光を発する請求項1〜5いずれか記載の光変換用セラミック複合体とを備えることを特徴とする発光装置。
  8. 前記発光素子が発光ダイオード素子であることを特徴とする請求項6または7記載の発光装置。
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Families Citing this family (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP3121246A4 (en) * 2014-03-18 2017-11-22 UBE Industries, Ltd. Ceramic composite material for optical conversion, production method therefor, and light-emitting device provided with same
EP3100992A1 (en) * 2015-06-02 2016-12-07 Eoswiss Engineering Sarl Method of producing a light conversion object
JP6800221B2 (ja) * 2016-05-13 2020-12-16 ヌヴォトンテクノロジージャパン株式会社 光源装置及び照明装置
US10727378B2 (en) 2016-10-28 2020-07-28 Ngk Spark Plug Co., Ltd. Optical wavelength conversion member and light-emitting device
CN109896851B (zh) * 2017-12-07 2023-02-10 上海航空电器有限公司 具有浓度梯度的陶瓷复合体、制备方法及光源装置
JPWO2019150747A1 (ja) * 2018-01-30 2021-02-04 パナソニックIpマネジメント株式会社 蛍光体およびその製造方法
JP7135920B2 (ja) * 2018-03-09 2022-09-13 信越化学工業株式会社 透明複合酸化物焼結体の製造方法、透明複合酸化物焼結体並びに磁気光学デバイス
KR102500926B1 (ko) * 2018-07-11 2023-02-17 니뽄 도쿠슈 도교 가부시키가이샤 광파장 변환 부재 및 발광 장치
CN113024242A (zh) * 2019-12-09 2021-06-25 上海航空电器有限公司 获得高流明激光照明的超细陶瓷荧光体及其制备方法
CN111875370B (zh) * 2020-07-07 2023-05-09 中国科学院上海光学精密机械研究所 一种用于蓝光led或ld激发的复合晶相荧光陶瓷及其制备方法
CN114316980A (zh) * 2021-12-06 2022-04-12 衡阳华灏新材料科技有限公司 一种可转换光的陶瓷复合材料

Family Cites Families (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3216683B2 (ja) 1993-10-08 2001-10-09 宇部興産株式会社 セラミックス複合材料
JP3128044B2 (ja) 1993-11-12 2001-01-29 宇部興産株式会社 セラミックス複合材料
US5484752A (en) 1993-11-12 1996-01-16 Ube Industries, Ltd. Ceramic composite material
JP3264106B2 (ja) 1993-11-12 2002-03-11 宇部興産株式会社 セラミックス複合材料
JP3412381B2 (ja) 1995-01-19 2003-06-03 宇部興産株式会社 セラミックス複合材料
JP3412379B2 (ja) 1995-01-19 2003-06-03 宇部興産株式会社 セラミックス複合材料
JP3412378B2 (ja) 1995-01-19 2003-06-03 宇部興産株式会社 セラミックス複合材料
TW383508B (en) 1996-07-29 2000-03-01 Nichia Kagaku Kogyo Kk Light emitting device and display
US5902963A (en) 1996-09-18 1999-05-11 Schneider Electric High voltage insulator
CN100334746C (zh) 1999-07-23 2007-08-29 奥斯兰姆奥普托半导体股份有限两合公司 荧光材料混合物、波长转换的浇注料和光源装置
CN101555128A (zh) 2003-01-20 2009-10-14 宇部兴产株式会社 用于光转化的陶瓷复合材料及其应用
JP4420021B2 (ja) 2004-06-24 2010-02-24 宇部興産株式会社 白色発光ダイオード装置
WO2006064930A1 (ja) 2004-12-17 2006-06-22 Ube Industries, Ltd. 光変換構造体およびそれを利用した発光装置
CN101370908B (zh) * 2006-01-19 2012-04-18 宇部兴产株式会社 陶瓷复合体光转换构件和用其的发光装置
KR101425183B1 (ko) * 2010-03-31 2014-07-31 우베 고산 가부시키가이샤 광변환용 세라믹 복합체, 그 제조방법, 및 그것을 구비한 발광 장치
JP5088977B2 (ja) 2010-08-18 2012-12-05 コバレントマテリアル株式会社 セラミックス複合体
TWI486254B (zh) * 2010-09-20 2015-06-01 Nitto Denko Corp 發光陶瓷層板及其製造方法

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