JP6111823B2 - インジェクタ駆動装置 - Google Patents

Description

本発明は、インダクタを用いた昇圧回路を使用しチャージ電流を制御し、内燃機関の気筒内に燃料を噴射するインジェクタを駆動するインジェクタ駆動装置に関する。

内燃機関の各気筒に対する燃料噴射を制御する燃料噴射制御装置は、インジェクタの電磁コイルを駆動するためのインジェクタ駆動装置を備えている（例えば、特許文献１参照）。インジェクタ駆動装置は、電源電圧を昇圧する昇圧回路を備えており、インジェクタの電磁コイルに昇圧回路からインジェクタ電流を供給する。この昇圧回路は例えばＤＣ−ＤＣコンバータにより構成され、チャージ用トランジスタをスイッチング制御することでインダクタに生じる逆起電力によりチャージコンデンサを充電して昇圧する。

特開２００５−３３０９３４号公報

しかし、チャージコンデンサは温度特性を備えるため、低温環境下ではチャージコンデンサの温度特性により容量値が低下し、噴射処理時にチャージコンデンサの充電電圧の低下度が大きくなる。また、このような低温環境下ではＥＳＲ(Equivalent Series Resistance)が大きくなるため平均チャージ電流が小さくなり、次回の噴射処理までに十分に充電できなくなる虞がある。

また、高温時に、チャージ用トランジスタが最大定格温度以上となることを防止するため、チャージ用トランジスタを例えば複数設けるか、絶対最大定格温度が高く体格の大きなトランジスタを使用しなければならなくなる。チャージ用トランジスタが複数設けられると体格が大きくなるため、できる限り少量のチャージ用トランジスタで構成することが望まれている。

本発明の目的は、小容量のチャージコンデンサを用いたとしても低温時における充電時間を極力短くしつつ次回の噴射処理までに十分に充電完了できるようにしたインジェクタ駆動装置を提供することにある。

請求項１記載の発明によれば、第１判定部は温度検出部によるインジェクタ駆動装置の検出温度が所定の閾値温度より低いか否かを判定し、低いと判定されることに応じて、チャージ電流制御部が昇圧電源部のチャージコンデンサに充電する充電電流を増加制御し、駆動制御部はこの昇圧電源部の昇圧電圧をインジェクタの電磁コイルに供給して駆動する。このため、次回の噴射までに充電処理を十分間に合わせることができる。これにより、小容量のチャージコンデンサを用いたとしても低温環境における充電時間を極力短くしつつ次回の噴射処理までに十分に充電完了できる。また、第２判定部は温度検出部の検出温度が所定の第２閾値温度より高いか否かを判定し、高いと判定されることに応じて、チャージ電流制御部が昇圧電源部のチャージコンデンサに充電する充電電流を下降制御する。このため、所定の第２閾値温度より高いときには昇圧電源部の充電能力を保持または低下制御することになる。しかも、チャージ電流制御部が充電電流を下降制御するときには、チャージ用トランジスタのオン・オフ周期を長期化しているため、高温時にはチャージ用トランジスタの発熱を抑制できる。

請求項４記載の発明によれば、電圧変化検出部は、昇圧電源部の昇圧電圧がインジェクタの電磁コイルに通電されるときにチャージコンデンサの充電電圧の時間的変化を検出する。判定部は充電電圧の時間的変化が所定の電圧変化度より急であるか否かを判定するが、チャージ電流制御部は所定の電圧変化度より急であると判定されることに応じて昇圧電源部のチャージコンデンサに充電する充電電流を増加制御し、判定部により所定の電圧変化度より緩やかであると判定されることに応じて昇圧電源部のチャージコンデンサに充電する充電電流を下降制御する。駆動制御部はこの昇圧電源部の昇圧電圧をインジェクタの電磁コイルに供給して駆動する。これにより、小容量のチャージコンデンサを用いたとしても低温時に平均チャージ電流が低くなったとしても、次回の噴射までに充電処理を十分間に合わせることができる。しかも、チャージ電流制御部が充電電流を下降制御するときにはチャージ用トランジスタのオン・オフ周期を長期化しているため、高温時にはチャージ用トランジスタの発熱を抑制できる。

本発明の第１実施形態に係る燃料噴射装置の電気的構成を概略的に示すブロック図 チャージ電流下限閾値制御回路の電気的構成の詳細を示す回路図 温度変化に応じたチャージ電流変化及びチャージ電圧変化を概略的に示すタイミングチャート 本発明の第２実施形態について示す図１相当図 図２相当図 図３相当図 本発明の第３実施形態について示す図２相当図 図３相当図 本発明の第４実施形態について示す図１相当図 チャージ電流下限値の設定の流れを概略的に示すフローチャート 本発明の第５実施形態について示す図１相当図 チャージ電流下限値の設定の流れを概略的に示すフローチャート 本発明の第６実施形態についてチャージ電流下限値の設定の流れを概略的に示すフローチャート

以下、燃料噴射装置に適用した幾つかの実施形態について図面を参照しながら説明する。各実施形態で同一又は類似の構成については同一符号又は類似の符号を付して必要に応じて説明を省略したり異なる部分を中心に説明する。以下では、各実施形態の特徴部分を中心に説明する。

（第１実施形態）
図１〜図３は第１実施形態を示す。図１に示すように、インジェクタ駆動装置１１は、外部の電子制御装置（ＥＣＵ：図１には図示せず）からの噴射指令または噴射停止指令に応じてエンジンの各気筒（本実施形態では６気筒）のインジェクタ１〜６を駆動する。

噴射信号ＩＪＴ１〜ＩＪＴ６は、燃料の噴射指令を示すＨレベルと噴射停止指令を示すＬレベルとを備える２値信号であり、ＥＣＵからインジェクタ駆動装置１１の入力端子Ｔａ１〜Ｔａ６に入力されている。なお、インジェクタ駆動装置１１は応答信号をＥＣＵに出力する。

インジェクタ１〜６は、それぞれ電磁コイルＬ１〜Ｌ６を備えた電磁式であり、電磁コイルＬ１〜Ｌ６通断電に応じて弁を開弁、閉弁する。電磁コイルＬ１〜Ｌ６は、それぞれ、ハイサイド側の出力端子Ｔｂ１〜Ｔｂ６と、ロウサイド側の出力端子Ｔｃ１〜Ｔｃ６との間に接続されている。各気筒のインジェクタ１〜６は同時に駆動されることがないインジェクタ同士が対になり２ずつの制御グループ（例えばインジェクタ１と４、インジェクタ２と５、インジェクタ３と６）に分けられている。

同一グループに属するハイサイド側の出力端子Ｔｂ１とＴｂ４、出力端子Ｔｂ２とＴｂ５、出力端子Ｔｂ３とＴｂ６は、それぞれインジェクタ駆動装置１１内で接続されている。

インジェクタ駆動装置１１は、モノリシックＩＣとして形成された駆動制御回路１２、電源端子Ｔｄ１に入力されるバッテリ電圧＋Ｂを昇圧する昇圧電源部１３、この昇圧電源部１３と出力端子Ｔｂ１〜Ｔｂ６との間にグループ毎に設けられた放電スイッチ部１４、開弁状態を保持するため定電流を出力するグループごとに設けられた定電流電源部１５、および、出力端子Ｔｃ１〜Ｔｃ６とグランドとの間に設けられた気筒選択スイッチ部１６、を備える。これらの昇圧電源部１３、放電スイッチ部１４、定電流電源部１５、気筒選択スイッチ部１６は駆動回路を構成する。

昇圧電源部１３は、例えばインダクタ１７、ＭＯＳトランジスタ（チャージ用トランジスタ相当）１８、抵抗１９、ダイオード２０、電解コンデンサ（チャージコンデンサ相当）２１、抵抗２２を図示形態に備える。

例えば、電源端子Ｔｄ１とグランドとの間には、インダクタ１７、Ｎチャネル型のＭＯＳトランジスタ１８、抵抗１９が直列接続されている。また、インダクタ１７及びＭＯＳトランジスタ１８の共通接続ノードとグランドとの間には、ダイオード２０、電解コンデンサ２１、及び抵抗２２が直列接続されている。これにより、昇圧電源部１３はＤＣ−ＤＣコンバータにより構成されている。

駆動制御回路１２は、ＭＯＳトランジスタ１８の制御端子に昇圧パルスを与え、ダイオード２０のカソードおよび電解コンデンサ２１の正側端子の共通接続ノードＮ１に昇圧電圧を生成する。この共通接続ノードＮ１が、放電スイッチ部１４への昇圧電圧出力ノードとなっている。この昇圧電源部１３は、チャージ用のＭＯＳトランジスタ１８にオンオフ制御信号を印加することでＭＯＳトランジスタ１８をオンオフし、インダクタ１７に高圧の逆起電力を発生させ、この逆起電力に応じて電解コンデンサ２１にエネルギーを順次蓄積させバッテリ電圧＋Ｂを昇圧する。

これらの昇圧用のインダクタ１７、ＭＯＳトランジスタ１８、抵抗１９、ダイオード２０、電解コンデンサ２１、抵抗２２は、インジェクタ１〜６の全グループで１つ設けられている。この昇圧電源部１３は、その体格がインジェクタ駆動装置１１の中でも大きな割合を占めており、本実施形態では、インジェクタ駆動装置１１の体格を極力縮小化するため、それぞれの素子１７〜２２が１つ用いて構成されている。すなわち、昇圧電源部１３は、全てのインジェクタ１〜６、ポンプ、減圧弁（図示せず）に対し１系統のみ備える。

放電スイッチ部１４は、グループ毎に１ずつのメインＭＯＳトランジスタ２３ａ、２３ｂ、２３ｃを備え、駆動制御回路１２が放電スイッチ部１４の各ＭＯＳトランジスタ２３ａ、２３ｂ、２３ｃに放電制御信号を印加すると、各ＭＯＳトランジスタ２３ａ、２３ｂ、２３ｃはオンオフする。

定電流電源部１５は、グループごとに１ずつのＰチャネル型のＭＯＳトランジスタ２４ａ、２４ｂ、２４ｃを備える。これらのＭＯＳトランジスタ２４ａ、２４ｂ、２４ｃのドレインと、各グループの出力端子Ｔｂ１及びＴｂ４、Ｔｂ２及びＴｂ５、Ｔｂ３及びＴｂ６の共通接続ノードＮａ、Ｎｂ、Ｎｃとのそれぞれの間には、逆流防止用のダイオード２５ａ、２５ｂ、２５ｃがそれぞれ接続されている。また、各ノードＮａ、Ｎｂ、Ｎｃとグランドとの間には、還流ダイオード２６ａ、２６ｂ、２６ｃが逆方向接続されている。

気筒選択スイッチ部１６は、出力端子Ｔｃ１〜Ｔｃ６とグランドとの間にそれぞれＮチャネル型のＭＯＳトランジスタ２７ａ〜２７ｆを設けており、駆動制御回路１２がＭＯＳトランジスタ２７ａ〜２７ｆに気筒選択信号を与えることでＭＯＳトランジスタ２７ａ〜２７ｆはオンオフ駆動する。

同一グループに属するＭＯＳトランジスタ２７ａ及び２７ｄの共通ソースとグランドとの間には電流検出用の抵抗２８が接続されている。また、同一グループに属するＭＯＳトランジスタ２７ｂ及び２７ｅの共通ソースとグランドとの間には電流検出用の抵抗２９が接続されている。さらに、同一グループに属するＭＯＳトランジスタ２７ｃ及び２７ｆの共通ソースとグランドとの間には電流検出用の抵抗３０が接続されている。駆動制御回路１２はこれらの抵抗２８〜３０の端子電圧を検出することで電磁コイルＬ１〜Ｌ６の駆動電流を検出する。

駆動制御回路１２は、機能的にはチャージ電流の上限閾値制御回路３１、及び、チャージ電流の下限閾値制御回路３２を備えると共に、外部に温度センサ３３を接続して構成されている。温度センサ３３は例えばサーミスタを含んで構成されインジェクタ駆動装置１１の温度を検出する。

上限閾値制御回路３１は、抵抗１９の端子電圧を入力する入力回路３１ａを備え、インダクタ１７の充電中におけるチャージ電流を検出する。また、下限閾値制御回路３２は、抵抗２２の端子電圧を入力する入力回路３２ａを備え、入力回路３２ａがインダクタ１７の逆起電力により電解コンデンサ２１の充電途中のチャージ電流を検出する。また、下限閾値制御回路３２は、判定部３２ｃを備える。この判定部３２ｃは、温度センサ３３の検出温度が所定の閾値温度より例えば高いか低いか判定する機能であり、下限閾値制御回路３２は、この判定部３２ｃの判定結果に応じてチャージ電流の下限値を制御するが、この一例は後述する。

駆動制御回路１２は、これらの上限閾値制御回路３１の入力回路３１ａ及び下限閾値制御回路３２の入力回路３２ａに入力される抵抗１９、２２の端子電圧に応じて、ＭＯＳトランジスタ１８の制御端子に印加する駆動制御信号のオンオフ期間をフィードバック制御する。

このとき、抵抗１９の端子電圧（インダクタ１７のチャージ電流）が上限閾値に達すると、駆動制御回路１２はＭＯＳトランジスタ１８をオフすることで通電経路を遮断しインダクタ１７に逆起電力を発生させる。この後、インダクタ１７の逆起電圧はダイオード２０を通じて電解コンデンサ２１に充電される。電解コンデンサ２１が充電され、抵抗２２の端子電圧（電解コンデンサ２１のチャージ電流）が徐々に減少し下限閾値に達するとＭＯＳトランジスタ１８をオン制御し、インダクタ１７に再度充電する。昇圧電源部１３の昇圧動作時にはこれらのことが繰り返される。

図２は下限閾値制御回路３２の構成例を示す。下限閾値制御回路３２は、コンパレータＣＰ１〜ＣＰ３と、抵抗Ｒ１〜Ｒ７と、制御スイッチＴｒ１〜Ｔｒ２とを備える。制御スイッチＴｒ１、Ｔｒ２は共にＰＮＰトランジスタにより構成されている。本実施形態において、コンパレータＣＰ２、ＣＰ３は判定部３２ｃを構成する。

コンパレータＣＰ１の非反転入力端子には、電解コンデンサ２１の負側端子と抵抗２２の共通接続ノードが接続されている。電源電圧Ｖｃｃの供給端子とグランドとの間には、抵抗Ｒ１及びＲ２が直列接続され、コンパレータＣＰ１の反転入力端子には抵抗Ｒ１及びＲ２の共通接続ノードが接続されている。電源電圧Ｖｃｃはマイコンなどに与えられる直流電源電圧（例えば５Ｖ）であり、昇圧電源電圧などとは別に別途バッテリ電圧＋Ｂから生成される。

このコンパレータＣＰ１の反転入力端子とグランドとの間には、抵抗Ｒ３及び制御スイッチＴｒ１の直列回路が接続されている。さらに、このコンパレータＣＰ１の反転入力端子とグランドとの間には、抵抗Ｒ４及び制御スイッチＴｒ２の直列回路が接続されている。これにより、コンパレータＣＰ１の反転入力端子の比較対象電圧は複数段階に切換可能になっている。

制御スイッチＴｒ１のベース（制御端子）には、コンパレータＣＰ２の出力が与えられる。制御スイッチＴｒ２のベース（制御端子）には、コンパレータＣＰ３の出力が与えられる。これらのコンパレータＣＰ２及びＣＰ３の非反転入力端子は共通接続され、この共通接続ノードには温度センサ３３が接続されている。

電源電圧Ｖｃｃの供給端子とグランドとの間には、抵抗Ｒ５〜Ｒ７が直列接続されている。抵抗Ｒ５及びＲ６の共通接続ノードはコンパレータＣＰ３の反転入力端子に接続されている。抵抗Ｒ６及びＲ７の共通接続ノードはコンパレータＣＰ２の反転入力端子に接続されている。

上記構成の作用を説明する。図３は前述構成の動作をタイミングチャートにより示す。噴射信号ＩＪＴ１〜ＩＪＴ６として噴射指令「Ｈ」が与えられると、インジェクタ駆動装置１１の駆動制御回路１２が駆動制御動作を開始し、噴射指令「Ｈ」が与えられた気筒を選択するための気筒選択ＭＯＳトランジスタ２７ａ〜２７ｆ、放電用のＭＯＳトランジスタ２３ａ、２３ｂ、２３ｃ、定電流制御用のＭＯＳトランジスタ２４ａ、２４ｂ、２４ｃをオンすることで、インジェクタ１〜６の何れかを駆動する。この噴射処理によりノードＮ１のチャージ電圧が低下する。駆動制御回路１２は、チャージ電圧が低下すると昇圧電源部１３の出力チャージ電圧を元の電圧に戻すように制御する。

特に周囲温度が低温のときには、チャージ用の電解コンデンサ２１の容量値が低下する。このため電解コンデンサ２１の充電電圧は低下しやすくなる。また、低温時には電解コンデンサ２１のＥＳＲが大きくなり平均チャージ電流も小さくなりやすく、チャージ電圧の回復が遅くなりやすい。そこで、本実施形態では図１及び図２に示した回路構成を採用することで低温環境下でも充電動作を素早く完了できるようにしている。

充電時には、駆動制御回路１２は、ＭＯＳトランジスタ１８をオンしインダクタ１７のチャージ電流を上昇させる。そして、上限閾値制御回路３１は入力回路３１ａにより抵抗１９の端子電圧を検出する。するとチャージ電流を検出できる。上限閾値制御回路３１は、このチャージ電流が上限閾値に達したことを検出するとＭＯＳトランジスタ１８をオフ制御し、インダクタ１７に逆起電力を発生させる。インダクタ１７に生じた逆起電力はダイオード２０を通じて電解コンデンサ２１に充電される。

下限閾値制御回路３２は、入力回路３２ａにより抵抗２２の端子電圧を検出することで、インダクタ１７の逆起電力が電解コンデンサ２１に充電される途中のチャージ電流を検出するが、インダクタ１７の蓄積エネルギーが減少すると、これに伴い電解コンデンサ２１のチャージ電流も少なくなる。

このとき、コンパレータＣＰ１の非反転入力端子の電圧が下降し、コンパレータＣＰ１の反転入力端子の下限閾値電圧を下回る。するとコンパレータＣＰ１は「Ｈ」→「Ｌ」を出力する。すると駆動制御回路１２はＭＯＳトランジスタ１８をオン制御し、インダクタ１７への充電を再開する。充電時にはこのような動作が繰り返されるが、この間、下限閾値制御回路３２は、温度センサ３３の出力電圧に応じて制御スイッチＴｒ１又は／及びＴｒ２をオンオフする。温度センサ３３は、周囲温度が低温のときには比較的高い電圧を出力し、周囲温度が高温のときには比較的低い電圧を出力する。

図３のＴ１期間に示すように、周囲温度が比較的低温（例えば−Ｘ℃未満）のときには、コンパレータＣＰ２及びＣＰ３の非反転入力端子には高電圧が印加される。このとき、コンパレータＣＰ２及びＣＰ３は共に「Ｈ」を出力し、制御スイッチＴｒ１及びＴｒ２は共にオフする。

したがって、抵抗Ｒ１及びＲ２の分圧電圧がコンパレータＣＰ１の反転入力端子に印加される。このとき、抵抗Ｒ３、Ｒ４は開放されるため、コンパレータＣＰ１の反転入力端子には比較的高い電圧が与えられる。

電解コンデンサ２１がインダクタ１７の逆起電力により充電されると、比較的高いチャージ電流下限閾値（図３のＩｃ参照）まで低下した時点で、再度ＭＯＳトランジスタ１８がオンすることでチャージ電流が再び上昇する。このような動作が昇圧動作時に繰り返される。

昇圧動作時のチャージ電流の平均電流は、図３のＩｃ以上の電流値となるため、比較的素早く充電されることになり、ノードＮ１のチャージ電圧の上昇度も高い（図３に示す電圧上昇勾配Ｘ１参照）。

また、図３のＴ２期間に示すように、周囲温度が高温と低温との間の温度（例えば−Ｘ℃以上Ｙ℃以下）のときには、コンパレータＣＰ３は「Ｌ」を出力すると共にコンパレータＣＰ２が「Ｈ」を出力する。すると、制御スイッチＴｒ１はオフし制御スイッチＴｒ２はオンする。したがって、抵抗Ｒ１とＲ２及びＲ４の並列抵抗との分圧電圧がコンパレータＣＰ１の反転入力端子に印加される。抵抗Ｒ３は開放されるため、コンパレータＣＰ１の反転入力端子には比較的中程度の電圧が与えられる。

電解コンデンサ２１がインダクタ１７の逆起電力により充電されると、比較的中程度のチャージ電流閾値（図３のＩｄ参照）まで低下した時点で電解コンデンサ２１の充電がストップする。そして再度ＭＯＳトランジスタ１８がオンすることでチャージ電流が再び上昇する。このような動作が昇圧動作時に繰り返される。

昇圧動作時のチャージ電流の平均電流は、図３のＩｄ（＜Ｉｃ）以上の電流値となるものの前述の低温時の電流値より低くなるため、比較的中程度の速度で充電されることになり、ノードＮ１のチャージ電圧の上昇度も中程度となる（図３に示す電圧上昇勾配Ｘ２参照）。

さらに図３のＴ３期間に示すように、環境温度が高温（例えばＹ℃超）のときには、コンパレータＣＰ２及びＣＰ３は「Ｌ」を共に出力する。すると、制御スイッチＴｒ１及びＴｒ２は共にオンする。したがって、抵抗Ｒ１とＲ２〜Ｒ４の並列抵抗との分圧電圧がコンパレータＣＰ１の反転入力端子に印加される。前述の比較対象電圧に比較して最も低い電圧が反転入力端子に印加される。

電解コンデンサ２１がインダクタ１７の逆起電力により充電されるときには、比較的低いチャージ電流閾値（図３のＩｅ参照）まで低下した時点で電解コンデンサ２１の充電がストップする。そして再度ＭＯＳトランジスタ１８がオンすることでチャージ電流が再び上昇する。このような動作が昇圧動作時に繰り返される。

昇圧動作時のチャージ電流の平均電流は、図３のＩｅ（＜Ｉｄ）以上の電流値となるものの、前述の低温及び中程度の温度の電流値より低くなるため、比較的低速度で充電されることになり、ノードＮ１のチャージ電圧の上昇度も低くなる（図３に示す電圧上昇勾配Ｘ３参照）。

したがって、このインジェクタ駆動装置１１は、低温時には比較的素早くノードＮ１のチャージ電圧を上昇させることができ、高温時には比較的緩やかにノードＮ１のチャージ電圧を上昇させることができる。

以上説明したように、本実施形態によれば、温度センサ３３の検出温度が所定の閾値温度より低いと判定されることに応じて昇圧電源部１３の電解コンデンサ２１に充電する充電電流を増加制御するため、低温環境下において昇圧電源部１３の充電能力を上げることができる。また、温度センサ３３の検出温度が所定の閾値温度より高いと判定されることに応じて昇圧電源部１３の充電能力を下げているため、ＭＯＳトランジスタ１８の発熱を抑制できる。

これにより、低温環境下においては、下限閾値制御回路３２が昇圧電源部１３の充電能力を上昇制御することで次回の噴射までに充電処理を十分間に合わせることができる。また、高温環境下においては、下限閾値制御回路３２が昇圧電源部１３の充電能力を下げることでＭＯＳトランジスタ１８の発熱を抑制できる。

また、判定部３２ｃが温度センサ３３の検出温度を複数段階の温度−Ｘ℃、Ｙ℃と比較し検出温度が段階的に低くなることに応じて、下限閾値制御回路３２がチャージ電流の下限閾値を段階的に制御することで昇圧電源部１３の電解コンデンサ２１に充電する充電電流を段階的に増加制御する。逆に、温度センサ３３の検出温度が段階的に高くなることに応じて、下限閾値制御回路３２が昇圧電源部１３の電解コンデンサ２１に充電する充電電流を段階的に下降制御する。これにより、電解コンデンサ２１又はＭＯＳトランジスタ１８の選定の自由度を高くでき設計の自由度を高くできる。

従来、低温環境の不具合を見越して、複数のコンデンサを用いるか、容量値の大きなコンデンサを設けていたが、本実施形態ではコンデンサを削減できると共にコンデンサの容量値を低減でき、電解コンデンサ２１を小型化できる。

従来、高温環境の不具合を見越して、複数のＭＯＳトランジスタを設けるか、絶対定格温度の高いＭＯＳトランジスタを設けていたが、本実施形態では使用するＭＯＳトランジスタの個数を少なくできると共に絶対最大定格の小さなＭＯＳトランジスタ１８を使用できるようになる。

（第２実施形態）
図４〜図６は第２実施形態を示すもので、前述実施形態と異なるところは、温度センサに代えてチャージ電圧をモニタする機能を備えたところにある。
図４に示すように、下限閾値制御回路３２はノードＮ１の電圧を入力する入力回路３２ｂを備える。また、下限閾値制御回路３２は、入力回路３２ｂの入力電圧が所定電圧より高いか低いか判定する判定部３２ｄを備える。

図５に下限閾値制御回路３２の具体例を示すように、コンパレータＣＰ１の反転入力端子には、前述実施形態の抵抗Ｒ１〜Ｒ３及び制御スイッチＴｒ１を備えた電圧切換回路が接続されており、当該反転入力端子に与えられる電圧が複数段階に切換可能になっている。

下限閾値制御回路３２は、制御スイッチＴｒ１のベース（制御端子）に、ノードＮ１の電圧に応じて制御スイッチＴｒ１をオンオフ切換する切換回路３５が接続されている。この切換回路３５は、ノードＮ１の電圧のノイズを除去する入力回路３２ｂと、この入力回路３２ｂのノイズを除去した電圧を所定電圧と比較しその結果を出力するヒステリシス型の比較回路３４を備える。この比較回路３４は判定部３２ｄとして機能する。

入力回路３２ｂは、抵抗Ｒ８を通じてコンデンサＣ１によりノードＮ１の電圧のノイズを除去する。比較回路３４は、抵抗Ｒ９〜Ｒ１２及びコンパレータＣＰ４をヒステリシスコンパレータ回路の形態に組んで構成されている。

図６は動作をタイミングチャートにより示す。低温環境下では、チャージ用の電解コンデンサ２１の容量値が低下しやすくなり電解コンデンサ２１のＥＳＲが大きくなりやすくチャージ電流の平均値も低下しやすい。このような場合、図６に示すように、ノードＮ１の電圧の低下度が激しくなり、ノードＮ１の電圧は閾値電圧Ｖａより下回りやすい。

図４及び図５に示す回路構成を採用すると、ノードＮ１の電圧が閾値電圧Ｖａより下回ったときにヒステリシスコンパレータＣＰ４が「Ｈ」を出力し、この後、ノードＮ１の電圧が閾値電圧Ｖｂ（＞Ｖａ）を上回るまで「Ｈ」を出力し続ける。

この間、制御スイッチＴｒ１はオフするため、抵抗Ｒ１及びＲ２の分圧電圧がコンパレータＣＰ１の反転入力端子に与えられる。前述実施形態と同様の作用により、チャージ電流の下限閾値はＩｃ（＞Ｉｄ）となり比較的高い電流値で電解コンデンサ２１がチャージされる。すると、噴射処理が終了した後、ノードＮ１のチャージ電圧は比較的速い速度で元の電圧に回復する（図６の電圧上昇勾配Ｘ４参照）。

この後、ノードＮ１の電圧がある程度回復し電圧Ｖｂを超えると、抵抗Ｒ１と抵抗Ｒ２及びＲ３の合成抵抗とによりチャージ電流の下限が決定されるため、電圧の回復度は緩やかになる。このような動作は、チャージ電圧が噴射処理後に電圧Ｖａを少しでも下回る限り行われ、瞬時でも電圧Ｖａを下回るとその直後におけるチャージ電圧回復時のチャージ電流平均値は比較的高い電流値となる。

逆に、高温環境下では、チャージ用の電解コンデンサ２１の容量値が低下しにくいためチャージ電圧は低下しにくく、また、チャージ用の電解コンデンサ２１のＥＳＲは小さい。このため、ノードＮ１のチャージ電圧の回復度は比較的速いものとなりやすい。

本実施形態に示す図４及び図５の回路構成では、噴射処理後でもノードＮ１の電圧が閾値電圧Ｖａ以上となっている限り、コンパレータＣＰ４は「Ｌ」を出力し続けるため、制御スイッチＴｒ１はオンし続ける。すると、抵抗Ｒ１と抵抗Ｒ２及びＲ３の合成抵抗とによりチャージ電流の下限が決定され続ける。チャージ電流の下限値がＩｄ（＜Ｉｃ）に設定されると、電圧回復時のチャージ電流の平均値は比較的低い電流値となる。すなわち、噴射処理が終了した後、ノードＮ１のチャージ電圧は比較的遅い速度で元の電圧に回復する（図６の電圧上昇勾配Ｘ５参照）。

本実施形態によれば、ノードＮ１のチャージ電圧が閾値電圧Ｖａより低く入力されることに応じて、下限閾値制御回路３２が下限閾値を上昇制御してチャージ電流の平均値を上昇制御している。このため、低温環境下ではチャージ電圧の回復度を上昇でき、次回の噴射までに充電を十分間に合わせることができる。また、高温環境下では、下限閾値制御回路３２が昇圧電源部１３の充電能力を下げることでチャージ電圧の回復度を低くできＭＯＳトランジスタ１８の発熱を抑制できる。

（第３実施形態）
図７〜図９は第３実施形態を示す。この第３実施形態では、温度変化に伴うＥＳＲの変化に着目し、ノードＮ１の電圧変化が所定より大きいときにチャージ電流の平均電流を増加させるように制御する形態を示す。

図７は図５に代わる下限閾値制御回路１３２の構成例を示す。下限閾値制御回路１３２は、前述のコンパレータＣＰ１、抵抗Ｒ１〜Ｒ３及び制御スイッチＴｒ１に加え、ノードＮ１のチャージ電圧を入力しこの電圧変化分を検出する微分回路（電圧変化検出部相当）１３２ａを備える。微分回路１３２ａは、コンデンサＣ２、オペアンプＯＰ１、抵抗Ｒ１３、基準電圧源Ｖ１を備え、ノードＮ１の電圧の負方向の変化が大きければ高い値を出力し、ノードＮ１の電圧の負方向変化が小さいとき又は正方向に変化するときには低い値を出力する。

この微分回路１３２ａの出力は、コンパレータＣＰ５の非反転入力端子に与えられる。このコンパレータＣＰ５は、電源電圧Ｖｃｃを抵抗Ｒ１４及びＲ１５により分圧した比較対象電圧Ｖｍと微分回路１３２ａの出力電圧とを比較し、この比較結果をＳＲフリップフロップＧ３のセット端子及びＮＯＴゲートＧ１に出力する。このＮＯＴゲートＧ１の出力はＡＮＤゲートＧ２に与えられる。

他方、ノードＮ１は抵抗Ｒ１６を通じてコンデンサＣ３に接続されており、これらの抵抗Ｒ１６及びコンデンサＣ３によりノードＮ１の電圧のノイズを除去し、このノイズを除去した電圧はコンパレータＣＰ６の非反転入力端子に与えられる。コンパレータＣＰ６は、電源電圧Ｖｃｃを抵抗Ｒ１７及びＲ１８により分圧した閾値電圧Ｖｎとノイズが除去された電圧とを比較し、この比較結果をＡＮＤゲートＧ２に出力する。

ＡＮＤゲートＧ２は、ＮＯＴゲートＧ１の出力とコンパレータＣＰ６の出力との論理積をＳＲフリップフロップＧ３のリセット端子に出力する。ＳＲフリップフロップＧ３のＱ出力は制御スイッチＴｒ１のベース（制御端子）に与えられている。

図８はタイミングチャートを示す。この図８のＴ１１期間に示すように、環境温度が低温のときには、噴射処理が行われるとノードＮ１のチャージ電圧が急激に低下する。このときコンパレータＣＰ６は、このチャージ電圧が閾値電圧Ｖｎを下回ると「Ｌ」を出力する。

微分回路１３２ａはこの急激な電圧変化を検出し高い値を出力する。すると、コンパレータＣＰ５は、この微分回路１３２ａの出力電圧が所定の閾値電圧Ｖｍを上回るときに「Ｈ」を出力する。この出力「Ｈ」はＳＲフリップフロップＧ３のセット端子に与えられるため、ＳＲフリップフロップＧ３は制御スイッチＴｒ１にＱ出力「Ｈ」を出力する。

すると、コンパレータＣＰ１の比較対象電圧は、抵抗Ｒ１及び抵抗Ｒ２の分圧電圧となり、比較的高い電圧がコンパレータＣＰ１の反転入力端子に与えられる。このとき、前述実施形態と同様に、電解コンデンサ２１はそのチャージ電流の下限値が高い状態（図８のＩｃ参照）でチャージされることになる。すなわちチャージ電流の平均電流は比較的高くなりチャージ電圧の上昇度は高くなる。

ピーク噴射が終了するとオペアンプＯＰ１の出力が低下し、ノードＮ１の電圧はチャージ電流により上昇する。このため、コンパレータＣＰ５は「Ｌ」を出力しＮＯＴゲートＧ１は「Ｈ」を出力する。しかし、このタイミングでは、コンパレータＣＰ６の出力は「Ｌ」であり、ＳＲフリップフロップＧ３のセット端子、リセット端子には共に「Ｌ」（＝０）が与えられるため、ＳＲフリップフロップＧ３はＱ出力として「Ｈ」を保持する。したがって、チャージ電流の下限値は高い値Ｉｃのまま保持される。

ノードＮ１のチャージ電圧がある程度上昇し噴射前の元の電圧に近づくと、コンデンサＣ３のノイズを除去した電圧が抵抗Ｒ１７及びＲ１８の分圧電圧Ｖｎより上昇しコンパレータＣＰ６は「Ｈ」を出力する。コンパレータＣＰ６が「Ｈ」を出力すると、ＡＮＤゲートＧ２はリセット信号をＳＲフリップフロップＧ３のリセット端子に出力する。

すると、ＳＲフリップフロップＧ３はＱ出力「Ｌ」を制御スイッチＴｒ１に出力するため、制御スイッチＴｒ１はオンする。すると、コンパレータＣＰ１の比較対象電圧は、抵抗Ｒ１と抵抗Ｒ２及びＲ３との分圧電圧になるため、比較的低い電圧がコンパレータＣＰ１の反転入力端子に与えられ、前述実施形態と同様に、電解コンデンサ２１はそのチャージ電流の下限値が低い状態（図８のＩｄ参照）でチャージされることになる。

さて、図８のＴ１２期間に示すように、周囲の環境温度が高温のときには、チャージ用の電解コンデンサ２１のＥＳＲが小さく噴射電流による電圧降下が小さい。したがって、噴射処理が行われるとノードＮ１のチャージ電圧は比較的緩やかに低下する。このときコンパレータＣＰ６はチャージ電圧が閾値電圧Ｖｎを下回ると「Ｌ」を出力する。

微分回路１３２ａは、この電圧変化を検出してもその変化が緩やかであるため低い値を出力する。コンパレータＣＰ５はこの微分回路１３２ａの出力電圧が所定閾値電圧Ｖｍ以下となるため「Ｌ」を出力する。この出力「Ｌ」はＳＲフリップフロップＧ３のセット端子に与えられる。このため、ＳＲフリップフロップＧ３は制御スイッチＴｒ１にＱ出力「Ｌ」を保持出力する。

すると制御スイッチＴｒ１はオン状態となる。コンパレータＣＰ１の比較対象電圧は抵抗Ｒ１と抵抗Ｒ２及びＲ３との分圧電圧となり、比較的低い電圧がコンパレータＣＰ１の反転入力端子に与えられる。このとき、前述実施形態と同様に電解コンデンサ２１はそのチャージ電流の下限値が低い状態（図８のＩｄ参照）でチャージされることになる。すなわち、チャージ電流の平均電流は比較的低くなりチャージ電圧の上昇度も低くなる。

ノードＮ１のチャージ電圧がある程度上昇し噴射前の元の電圧に近づくと、コンデンサＣ３のノイズを除去した電圧が抵抗Ｒ１７及びＲ１８の分圧電圧Ｖｎより上昇しコンパレータＣＰ６は「Ｈ」を出力する。コンパレータＣＰ６が「Ｈ」を出力すると、ＡＮＤゲートＧ２はリセット信号をＳＲフリップフロップＧ３のリセット端子に出力する。

すると、ＳＲフリップフロップＧ３はＱ出力「Ｌ」を制御スイッチＴｒ１に出力し続けることで制御スイッチＴｒ１がオン状態を保持し、チャージ電流の平均電流は比較的低く保持され、チャージ電圧の上昇度も低い状態が保持される。このようにして、前述実施形態とほぼ同様の作用効果が得られる。

本実施形態によれば、微分回路１３２ａがノードＮ１のチャージ電圧の低下度を検出し、この低下度が所定値を上回ることを条件として下限閾値制御回路３２はチャージ電流の下限閾値を上昇制御する。逆に微分回路１３２ａがノードＮ１のチャージ電圧の低下度を検出し、この低下度が所定値以下となることを条件として下限閾値制御回路３２はチャージ電流の下限閾値を下降制御する。このため、前述実施形態とほぼ同様の作用効果が得られる。

（第４実施形態）
図９及び図１０は第４実施形態を示す。この第４実施形態では、マイコン４１を用いて温度センサ３３の温度を検出し、駆動制御回路１２がこの温度センサ３３の温度情報を利用して制御する形態を示す。

図９に示すように、駆動制御回路１２にはマイクロコンピュータ（以下マイコン）４１が接続されている。このマイコン４１はＡＤコンバータ４０及び判定部４１ａとしての機能を内蔵する。ＡＤコンバータ４０は温度センサ３３の温度情報を所定周期でＡＤ変換しマイコン４１の記憶部（図示せず）に温度情報を記憶し、判定部４１ａによりこの検出温度が所定温度（例えば−Ｘ℃、Ｙ℃）より高いか又はそれ以下か判定する。ＡＤ変換周期は、温度情報の変化を取得可能となる周期に予め設定されている。

マイコン４１と駆動制御回路１２とは通信線４２が接続されており、マイコン４１は温度センサ３３により温度情報を取得すると、当該温度情報に応じたチャージ電流の下限値を算出し、駆動制御回路１２にチャージ電流の下限値を通信線４２を通じて送信する。

図１０はチャージ電流の下限値制御処理をフローチャートにより概略的に示している。この下限値制御処理は図３に示すタイミングチャートに対応して示している。図１０に示すように、マイコン４１は温度センサ３３から温度情報を取得すると（Ｓ１）、この温度が−Ｘ℃より高いか否かＹ℃（＞−Ｘ℃）より高いか否かを判定する（Ｓ２、Ｓ３）。

そして、マイコン４１は、取得した温度情報が−Ｘ℃、Ｙ℃より高いときにはチャージ電流の下限値をＩｅに設定し（Ｓ４）、この情報を駆動制御回路１２に送信する（Ｓ５）。また、マイコン４１は、取得した温度情報が−Ｘ℃より高く、温度Ｙ℃以下となるときにはチャージ電流の下限値をＩｄに設定し（Ｓ５）、このチャージ電流下限値Ｉｄを駆動制御回路１２へ送信する。

また、マイコン４１は、取得した温度情報が−Ｘ℃以下のときにはチャージ電流の下限値をＩｃに設定し（Ｓ７）、チャージ電流下限値Ｉｃを駆動制御回路１２へ送信する。駆動制御回路１２は、マイコン４１から送信されたチャージ電流の下限値を用いてチャージ電流を制御する。すると、図３に示す流れと同様の制御を行うことができ、前述実施形態と同様の作用効果が得られる。

（第５実施形態）
図１１及び図１２は第５実施形態を示す。この第５実施形態では、マイコン４１を用いてノードＮ１の電圧を検出し、このノードＮ１の電圧に応じてチャージ電流の下限値を制御する形態を示す。

図１１に示すように、マイコン４１にはＡＤコンバータ４０ｂ及び判定部４１ｂが内蔵されている。ＡＤコンバータ４０ｂにはノードＮ１の電圧が入力されている。ＡＤコンバータ４０ｂはノードＮ１の電圧を所定周期でＡＤ変換し、マイコン４１は記憶部（図示せず）にノードＮ１の電圧を記憶する。ＡＤ変換周期は、チャージ電圧の変化を細かく取得可能となる周期に予め設定されている。

マイコン４１と駆動制御回路１２との間は通信線４２が接続されており、マイコン４１はノードＮ１のチャージ電圧の情報を取得すると、駆動制御回路１２に当該チャージ電圧に応じたチャージ電流下限値について通信線４２を通じて送信する。

図１２は、チャージ電流の下限値制御処理をフローチャートにより概略的に示している。この下限値制御処理は図６のタイミングチャートに対応して示している。図１２に示すように、マイコン４１はノードＮ１のチャージ電圧の情報を取得すると（Ｔ１）、このチャージ電圧がＶａ以上であるか否か（Ｔ２）、チャージ電圧がＶｂ以上であるか否か（Ｔ３）、チャージ電流下限値がＩｃに設定されているか否か（Ｔ４）を判定し、これらの条件に応じてチャージ電流下限値をＩｃ又はＩｄに設定し（Ｔ５、Ｔ６）、設定されたチャージ電流下限値を駆動制御回路１２へ送信する（Ｔ７）。

具体的には、マイコン４１はノードＮ１のチャージ電圧がＶａ以上Ｖｂ未満となるときには（Ｔ２：ＹＥＳ、Ｔ３：ＮＯ）、チャージ電流の下限値がＩｃに設定されているか判定しＩｃに設定されていなければ（Ｔ４：ＮＯ）、チャージ電流下限値をＩｄに設定する（Ｔ６）。

また、マイコン４１はノードＮ１のチャージ電圧がＶａ未満となるときには（Ｔ２：ＮＯ）、チャージ電流の下限値をＩｃに設定し（Ｔ５）、駆動制御回路１２がチャージ電流の平均値を高く保持する。この処理は、図６に示す低温環境下において、ピーク噴射時にチャージ電圧が最低電圧に達する付近の処理を示し、ステップＴ２の条件を満たすまでこの処理が繰り返される。

また、マイコン４１はチャージ電圧がＶｂ未満であり且つチャージ電流下限値がＩｃに設定されているときには（Ｔ３：ＮＯ、Ｔ４：ＹＥＳ）、チャージ電流下限値をＩｃのまま設定を保持し（Ｔ５）、駆動制御回路１２はチャージ電流の平均値を高く保持する。この処理は、図６に示す低温環境下において、チャージ電圧を充電している最中の処理に相当するもので、チャージ電圧がＶｂ以上（Ｔ３：ＹＥＳ）となるまでこの処理が繰り返される。

また、マイコン４１はチャージ電圧がＶｂ以上となるときに（Ｔ２：ＹＥＳ、Ｔ３：ＹＥＳ）、チャージ電流下限値をＩｄに設定し（Ｔ６）、駆動制御回路１２はチャージ電流の平均値を低く保持する。この処理は、図６の高温環境下の処理に相当するもので、チャージ電圧がＶｂ以上となっている限り、この処理が繰り返される。

駆動制御回路１２は、マイコン４１から送信されたチャージ電流下限値を用いてチャージ電流を制御する。すると、図６に示す流れと同様の制御を行うことができ、前述実施形態と同様の作用効果が得られる。

（第６実施形態）
図１３は第６実施形態を示す。この第６実施形態では、マイコン４１を用いてノードＮ１の電圧を検出し、このノードＮ１の電圧に応じてチャージ電流の下限値を制御する形態を示す。

図１３はチャージ電流の下限値制御処理をフローチャートにより概略的に示している。この下限値制御処理は図８のタイミングチャートに対応して示している。図１３に示すように、マイコン４１はノードＮ１のチャージ電圧を入力すると（Ｕ１）、この今回のチャージ電圧のＡＤ変換値と前回のチャージ電圧のＡＤ変換値との差を算出し、この差が所定値Ｖｚ以上下回ったか否か判定する（Ｕ２）。すなわち、この処理は、ノードＮ１のチャージ電圧の低下勾配が大きいか否かを判定する処理を示す。

マイコン４１は、このステップＵ２の条件を満たしたときにチャージ電流下限値をＩｃに設定し（Ｕ５）、設定されたチャージ電流下限値を駆動制御回路１２へ送信し（Ｕ７）、駆動制御回路１２はこのチャージ電流下限値に応じてチャージ電流を制御する。

マイコン４１は、チャージ電流下限値が一旦Ｉｃに設定されると、ノードＮ１のチャージ電圧がＶｎ以上に達するまで（Ｕ３：ＹＥＳ）、チャージ電流下限値をＩｃに保持する（Ｕ４：ＹＥＳ、Ｕ５）。この処理は、図８に示す低温環境下においてノードＮ１のチャージ電圧がＶｎを超えて復帰するまでチャージ電流下限値をＩｃに設定することに相当し、このＵ３の条件を満たすまでこの処理が繰り返される。

また、マイコン４１はチャージ電圧がＶｎ以上となるときに（Ｕ２：ＮＯ、Ｕ３：ＹＥＳ）、チャージ電流下限値をＩｄに設定し（Ｕ６）、駆動制御回路１２はチャージ電流の平均値を低く保持する。この処理は、図８の高温環境下の処理に相当するもので、チャージ電圧がＶｎ以上となっている限り、この処理が繰り返される。

駆動制御回路１２は、マイコン４１から送信されたチャージ電流下限値を用いてチャージ電流を制御する。すると、図８に示す流れと同様の制御を行うことができ、前述実施形態と同様の作用効果が得られる。

（他の実施形態）
前述実施形態に限定されるものではなく、例えば、以下に示す変形又は拡張が可能である。
前述実施形態では、下限閾値制御回路３２がチャージ電流の下限閾値を制御することでチャージ電流の平均電流を制御する形態を示したが、上限閾値制御回路３１がチャージ電流の上限閾値を制御することでチャージ電流の平均電流を制御するようにしても良い。このとき、上限閾値制御回路３１は、入力回路３１ａによりＭＯＳトランジスタ１８と抵抗１９の共通接続ノードの電圧を入力し、この入力電圧に応じてチャージ電流の上限閾値を制御することでチャージ電流の平均電流を制御する。

図面中、１〜６はインジェクタ、１１はインジェクタ駆動装置、１２は駆動制御回路（駆動制御部）、１３は昇圧電源部、１７はインダクタ、１８はＭＯＳトランジスタ（チャージ用トランジスタ）、２１は電解コンデンサ（チャージコンデンサ）、３１はチャージ電流の上限閾値制御回路（チャージ電流制御部）、３２はチャージ電流の下限閾値制御回路（チャージ電流制御部）、３２ｂは入力回路（電圧入力部）、３２ｃ、３２ｄは判定部、３３は温度センサ（温度検出部）、４０ｂはＡＤＣ（電圧入力部）、４１ａ、４１ｂは判定部、１３２ａは微分回路（電圧変化検出部）、ＣＰ５はコンパレータ（判定部）、Ｌ１〜Ｌ６は電磁コイル、を示す。

Claims (10)

1. チャージ用トランジスタ（１８）を通じて電源電圧をインダクタ（１７）に通電し前記インダクタ（１７）の逆起電圧をチャージコンデンサ（２１）に充電して昇圧する昇圧電源部（１３）と、
   温度検出部（３３）によるインジェクタ駆動装置の検出温度が所定の第１閾値温度より低いか否かを判定する第１判定部（３２ｃ、４１ａ）と、
   前記温度検出部によるインジェクタ駆動装置の検出温度が所定の第２閾値温度より高いか否かを判定する第２判定部（３２ｃ、４１ａ）と、
   前記第１判定部（３２ｃ、４１ａ）により所定の第１閾値温度より低いと判定されることに応じて前記昇圧電源部（１３）のチャージコンデンサ（２１）に充電する充電電流を増加制御し、前記第２判定部により所定の第２閾値温度より高いと判定されることに応じて前記昇圧電源部のチャージコンデンサに充電する充電電流を下降制御するチャージ電流制御部（３１、３２）と、を備え、
   前記チャージ電流制御部は、前記チャージ用トランジスタをオン・オフすることにより前記充電電流を制御するものであり、
   前記充電電流を下降制御するときには前記チャージ用トランジスタのオン・オフ周期を長期化するように構成され、
   前記インジェクタ（１〜６）の電磁コイル（Ｌ１〜Ｌ６）に前記昇圧電源部（１３）の昇圧電圧を供給して前記インジェクタ（１〜６）を駆動する駆動制御部（１２）と、を備えることを特徴とするインジェクタ駆動装置。
2. 請求項１記載のインジェクタ駆動装置において、
   前記第１判定部（３２ｃ、４１ａ）は、複数段階以上に分けられた前記所定の閾値温度と前記温度検出部（３３）の検出温度を比較し、
   前記チャージ電流制御部（３１、３２）は、前記第１判定部（３２ｃ、４１ａ）により段階的に低いと判定されることに応じて前記昇圧電源部（１３）のチャージコンデンサ（２１）に充電する充電電流を段階的に増加制御することを特徴とするインジェクタ駆動装置。
3. 請求項１または２記載のインジェクタ駆動装置において、
   前記第２判定部（３２ｃ、４１ａ）は、複数段階以上に分けられた前記所定の閾値温度と前記温度検出部（３３）の検出温度を比較し、
   前記チャージ電流制御部（３１、３２）は、前記第２判定部（３２ｃ、４１ａ）により段階的に高いと判定されることに応じて前記昇圧電源部（１３）のチャージコンデンサ（２１）に充電する充電電流を段階的に下降制御することを特徴とするインジェクタ駆動装置。
4. チャージ用トランジスタ（１８）を通じて電源電圧をインダクタ（１７）に通電し前記インダクタ（１７）の逆起電圧をチャージコンデンサ（２１）に充電して昇圧する昇圧電源部（１３）と、
   前記昇圧電源部（１３）の昇圧電圧がインジェクタ（１〜６）の電磁コイル（Ｌ１〜Ｌ６）に通電されるときに前記チャージコンデンサ（２１）の充電電圧の時間的変化を検出する電圧変化検出部（１３２ａ、Ｕ２）と、
   前記電圧変化検出部（１３２ａ、Ｕ２）により検出される充電電圧の時間的変化が所定の電圧変化度より急であるか否かを判定する判定部（ＣＰ５、４１ｂ、Ｕ２）と、
   前記判定部（ＣＰ５、４１ｂ、Ｕ２）により所定の電圧変化度より急であると判定されることに応じて前記昇圧電源部（１３）のチャージコンデンサ（２１）に充電する充電電流を増加制御し、前記判定部により所定の電圧変化度より緩やかであると判定されることに応じて前記昇圧電源部のチャージコンデンサに充電する充電電流を下降制御するチャージ電流制御部（３１、３２）と、を備え、
   前記チャージ電流制御部は、前記チャージ用トランジスタをオン・オフすることにより前記充電電流を制御するものであり、
   前記充電電流を下降制御するときには前記チャージ用トランジスタのオン・オフ周期を長期化するように構成され、
   前記昇圧電源部（１３）の充電電圧に応じて前記インジェクタ（１〜６）の電磁コイル（Ｌ１〜Ｌ６）に通電し前記インジェクタ（１〜６）を駆動する駆動制御部（１２）と、を備えることを特徴とするインジェクタ駆動装置。
5. 請求項４記載のインジェクタ駆動装置において、
   前記判定部（ＣＰ５、４１ｂ、Ｕ２）は、複数段階以上に分けられた前記所定の電圧変化度と前記電圧変化検出部（１３２ａ、Ｕ２）の充電電圧の時間的変化とを比較し、
   前記チャージ電流制御部（３１、３２）は、前記判定部（ＣＰ５、４１ｂ、Ｕ２）により前記電圧変化検出部（１３２ａ）の時間的変化が前記所定の電圧変化度より急であると判定されることに応じて前記昇圧電源部（１３）のチャージコンデンサ（２１）に充電する充電電流を増加制御することを特徴とするインジェクタ駆動装置。
6. 請求項４または５記載のインジェクタ駆動装置において、
   前記判定部（ＣＰ５、４１ｂ、Ｕ２）は、複数段階以上に分けられた前記所定の電圧変化度と前記電圧変化検出部（１３２ａ、Ｕ２）の充電電圧の時間的変化とを比較し、
   前記チャージ電流制御部（３１、３２）は、前記判定部（ＣＰ５、４１ｂ、Ｕ２）により前記電圧変化検出部（１３２ａ）の時間的変化が前記所定の電圧変化度より緩やかであると判定されることに応じて前記昇圧電源部（１３）のチャージコンデンサ（２１）に充電する充電電流を下降制御することを特徴とするインジェクタ駆動装置。
7. 請求項１から６の何れか一項に記載のインジェクタ駆動装置において、
   前記チャージ電流制御部は、前記チャージコンデンサの充電電流の上限閾値と下限閾値の幅を広くすることで前記チャージ用トランジスタのオン・オフ周期を長期化することを特徴とするインジェクタ駆動装置。
8. 請求項７記載のインジェクタ駆動装置において、
   前記チャージ電流制御部は、前記チャージコンデンサの充電電流の上限閾値と下限閾値の何れか少なくとも一方を変化させることを特徴とするインジェクタ駆動装置。
9. 請求項８記載のインジェクタ駆動装置において、
   前記チャージ電流制御部は、前記チャージコンデンサの充電電流の上限閾値を固定値として下限閾値を制御することを特徴とするインジェクタ駆動装置。
10. 請求項８記載のインジェクタ駆動装置において、
    前記チャージ電流制御部は、前記チャージコンデンサの充電電流の下限閾値を固定値として上限閾値を制御することを特徴とするインジェクタ駆動装置。

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