JP6104540B2 - 磁気共鳴イメージング装置及び磁気共鳴イメージング方法 - Google Patents

Description

本発明の実施形態は、磁気共鳴イメージング装置及び磁気共鳴イメージング方法に関する。

磁気共鳴イメージングでは、診断等に用いられる断面像の撮像範囲を位置決めするための位置決め画像が、低分解能且つ短時間で予め収集され、この位置決め画像に対して、断面像の撮像範囲が設定される。撮像範囲の設定には、手動による手法と自動による手法とがある。手動による手法の場合、例えば、操作者は、表示部に表示された位置決め画像に対して、手動で撮像範囲を設定する。一方、自動による手法の場合、位置決め画像として収集された３次元データに対して、解剖学的な特徴点を用いた処理が行われ、自動で撮像範囲が設定される。後者の場合、操作者の手間は省かれ、また操作者間の設定のばらつきも抑えられる。

ところで、磁気共鳴イメージングの撮像法のひとつに、ＥＰＩ（Echo Planar Imaging）撮像がある。ＥＰＩ撮像は、１回の励起でｋ空間全体のデータを収集する高速撮像法である。ＥＰＩ撮像では、エコー間隔を短くして磁場の不均一性の影響を少なくするため、読み出し傾斜磁場を高速に立ち上げる必要があり、傾斜磁場の単位時間あたりの変化量も大きい。このため、読み出しのリード軸がＸ、Ｙ、及びＺのうちの２ｃｈ以上にまたがるようなダブルオブリークの場合、ｄＢ／ｄｔによる磁気刺激の制限によって、撮像できるオブリーク角度は制限される。例えば、寝台に被検体が仰向けに横臥した場合、装置座標系のＹ軸方向（寝台表面に対して垂直な方向）に、磁気刺激の影響が及び易い。

ここで、撮像範囲が自動で設定される場合、被検体の解剖情報に基づき、例えば、正中断面像、あるいは正中断面像に直交する断面像が撮像範囲として自動で設定されるため、ダブルオブリークになる場合が多い。この場合、Ｔ１強調画像や、Ｔ２強調画像、ＦＬＡＩＲ（fluid-attenuated inversion recovery）画像等は撮像できたとしても、ＥＰＩ撮像による拡散強調（Diffusion）画像や、ＥＰＩ撮像による灌流（Perfusion）画像は撮像できない場合がある。臨床検査では、Ｔ１強調画像やＴ２強調画像等と同じ断面のＥＰＩ撮像による画像が必要な場合がある。このような場合、ＥＰＩ撮像できるように、被検体を再度セッティングし直す等の手間が生じるおそれがある。

特開２０１０−８８８７２号公報

本発明が解決しようとする課題は、所望の断面像を容易に得ることができる磁気共鳴イメージング装置及び磁気共鳴イメージング方法を提供することである。

実施形態に係る磁気共鳴イメージング装置は、判定部と、変更部と、撮像部と、生成部とを備える。前記判定部は、所望の断面像を含む撮像範囲が、撮像の制限範囲内か否かを判定する。前記変更部は、前記判定の結果、制限範囲を超えると判定されると、前記撮像範囲の設定を制限範囲内に変更する。前記撮像部は、前記変更後の設定に基づき、撮像を実行する。前記生成部は、前記撮像により得られたデータから、前記所望の断面像を生成する。

図１は、本実施形態に係るＭＲＩ（Magnetic Resonance Imaging）装置の構成を示す図。 図２は、本実施形態における処理手順を示すフローチャート。 図３は、本実施形態における特徴点を説明するための図。 図４は、本実施形態において自動で設定された撮像範囲を示す図。 図５は、本実施形態におけるオブリーク角度の制限範囲を説明するための図。 図６は、本実施形態における変更後の撮像範囲を説明するための図。 図７は、本実施形態における断面像の生成を説明するための図。 図８は、本実施形態に係る撮像範囲変更部による処理手順を示すフローチャート。 図９は、本実施形態に係る撮像範囲変更部による処理手順を示すフローチャート。

以下、図面を参照しながら、実施形態に係る磁気共鳴イメージング装置（以下、適宜「ＭＲＩ装置」）及び磁気共鳴イメージング方法を説明する。

図１は、本実施形態に係るＭＲＩ装置１００の構成を示す図である。なお、被検体ＰはＭＲＩ装置１００に含まれない。静磁場磁石１は、中空の円筒形状に形成され、内部の空間に一様な静磁場を発生する。静磁場磁石１は、例えば、永久磁石、超伝導磁石等である。傾斜磁場コイル２は、中空の円筒形状に形成され、内部の空間に傾斜磁場を発生する。具体的には、傾斜磁場コイル２は、静磁場磁石１の内側に配置され、傾斜磁場アンプ３から電力の供給を受けて、傾斜磁場を発生する。傾斜磁場アンプ３は、シーケンス制御部１０から送信される制御信号に従って、傾斜磁場コイル２に電力を供給する。

寝台４は、被検体Ｐが載置される天板４ａを備え、天板４ａを、被検体Ｐが載置された状態で、撮像口である傾斜磁場コイル２の空洞内へ挿入する。通常、寝台４は、長手方向が静磁場磁石１の中心軸と平行になるように設置される。寝台制御部５は、寝台４を駆動して、天板４ａを長手方向及び上下方向へ移動する。

送信コイル６は、高周波磁場を発生する。具体的には、送信コイル６は、傾斜磁場コイル２の内側に配置され、送信部７からＲＦ（Radio Frequency）パルスの供給を受けて高周波磁場を発生する。送信部７は、シーケンス制御部１０から送信される制御信号に従って、ラーモア周波数に対応するＲＦパルスを送信コイル６に送信する。

受信コイル８は、磁気共鳴信号（以下、適宜「ＭＲ（Magnetic Resonance）信号」）を受信する。具体的には、受信コイル８は、傾斜磁場コイル２の内側に配置され、高周波磁場の影響によって被検体Ｐから放射されるＭＲ信号を受信する。また、受信コイル８は、受信したＭＲ信号を受信部９に出力する。

受信部９は、シーケンス制御部１０から送られる制御信号に従って、受信コイル８から出力されたＭＲ信号に基づきＭＲ信号データを生成する。具体的には、受信部９は、受信コイル８から出力されたＭＲ信号をデジタル変換することによってＭＲ信号データを生成し、生成したＭＲ信号データを、シーケンス制御部１０を介して計算機システム２０に送信する。なお、受信部９は、静磁場磁石１や傾斜磁場コイル２等を備える架台装置側に備えられていてもよい。

シーケンス制御部１０は、傾斜磁場アンプ３、送信部７、及び受信部９を制御する。具体的には、シーケンス制御部１０は、計算機システム２０から送信されたパルスシーケンス実行データに基づく制御信号を、傾斜磁場アンプ３、送信部７、及び受信部９に送信する。

計算機システム２０は、インタフェース部２１と、画像再構成部２２と、記憶部２３と、入力部２４と、表示部２５と、制御部２６とを備える。インタフェース部２１は、シーケンス制御部１０に接続され、シーケンス制御部１０と計算機システム２０との間で送受信されるデータの入出力を制御する。画像再構成部２２は、シーケンス制御部１０から送信されたＭＲ信号データから画像データを再構成し、再構成した画像データを記憶部２３に格納する。

記憶部２３は、撮像条件に含まれるパラメータに設定されたパラメータ値、画像再構成部２２によって格納された画像データや、ＭＲＩ装置１００において用いられるその他のデータを記憶する。例えば、記憶部２３は、ＲＡＭ（Random Access Memory）、フラッシュメモリ（flash memory）等の半導体メモリ素子、ハードディスク、光ディスク等である。

入力部２４は、撮像条件を編集するための各種指示や撮像指示等を操作者から受け付ける。例えば、入力部２４は、撮像条件に含まれるパラメータに対するパラメータ値の設定指示等を受け付ける。例えば、入力部２４は、マウス、キーボード等である。表示部２５は、撮像条件の編集画面や画像等を表示する。

制御部２６は、上述した各部を制御することによってＭＲＩ装置１００を総括的に制御する。例えば、制御部２６は、撮像条件の編集を操作者から受け付けると、受け付けた撮像条件に基づいてパルスシーケンス実行データを生成し、生成したパルスシーケンス実行データをシーケンス制御部１０に送信する。例えば、制御部２６は、ＡＳＩＣ（Application Specific Integrated Circuit）、ＦＰＧＡ（Field Programmable Gate Array）等の集積回路、ＣＰＵ（Central Processing Unit）、ＭＰＵ（Micro Processing Unit）等の電子回路である。なお、本実施形態に係る制御部２６は、図１に示すように、位置決め画像収集部２６ａと、撮像範囲設定部２６ｂと、判定部２６ｃと、撮像範囲変更部２６ｄと、ＥＰＩ撮像部２６ｅと、断面像生成部２６ｆとを備える。これらの各部による処理については後に詳述する。

図２は、本実施形態における処理手順を示すフローチャートである。本実施形態においては、所望の断面像として、頭部のある断面像をＥＰＩ撮像する例を説明する。なお、「所望の断面像」とは、撮像範囲の設定に用いられる位置決め画像とは異なり、診断等に用いられる画像のことである。

まず、位置決め画像収集部２６ａが、位置決め画像を収集する（ステップＳ０１）。例えば、位置決め画像収集部２６ａは、位置決め画像として３次元データを収集する。

次に、撮像範囲設定部２６ｂが、ステップＳ０１で収集された位置決め画像に対して、所望の断面像を含む撮像範囲を設定する（ステップＳ０２）。具体的には、本実施形態に係る撮像範囲設定部２６ｂは、自動位置決めの機能により、撮像範囲を自動で設定する。例えば、撮像範囲設定部２６ｂは、ステップＳ０１で収集された３次元データから、頭部の傾きを３次元で検出し、後続のＥＰＩ撮像において所望の断面像（例えば、ＡＣ−ＰＣスライス断面像）を撮像できるように、スライス位置を自動で回転・移動させ、撮像範囲を設定する。なお、本実施形態において、撮像範囲は、スライス位置を含む範囲（例えば、スライス位置を中心スライスとして、ある一定のスライス厚を有する範囲）で設定される。

自動位置決めの典型的な手法としては、まず、所望の断面像と、その断面像に含まれる解剖学的に重要な特徴点（ランドマーク（Landmark））の情報とが予め登録される。撮像範囲設定部２６ｂは、位置決め画像として収集された３次元データから、左右の脳半球を分ける中心サジタル面を識別し、リフォーマットにより中心サジタル断面像を生成する。続いて、撮像範囲設定部２６ｂは、この中心サジタル断面像において、予め登録されている特徴点の位置を見つけ出す。図３は、本実施形態における特徴点を説明するための図であり、黒丸印が特徴点に対応する。そして、撮像範囲設定部２６ｂは、中心サジタル断面像から見つけ出した特徴点の位置を評価することで、予め登録されている所望の断面像を得るスライス位置を設定するための回転量及び移動量を求める。

図４は、本実施形態において自動で設定された撮像範囲を示す図である。なお、図４においては、位置決め画像がサジタル断面像及びコロナル断面像の２断面像で表現され、これらの断面像に対して、撮像範囲ＲＯＩ（Region Of Interest）ａが傾いた状態で設定されている。なお、図４に示すように、撮像範囲は、所望の断面像を含むように、ある一定のスライス厚を有する範囲で設定される。

なお、撮像範囲を自動で設定する手法を説明したが、実施形態はこれに限られるものではなく、手動で設定してもよい。この場合、例えば、位置決め画像として、サジタル断面像及びコロナル断面像の２断面像が収集され、図４に示すように表示されたこれらの断面像に対して、操作者が、手動で、撮像範囲ＲＯＩａを設定してもよい。また、この場合にも、位置決め画像として３次元データを収集してもよい。

続いて、判定部２６ｃが、ステップＳ０２で設定された撮像範囲が、ＥＰＩ撮像の制限範囲内か否かを判定する（ステップＳ０３）。具体的には、判定部２６ｃは、ステップＳ０２で設定された撮像範囲が、ＥＰＩ撮像のオブリーク角度の制限範囲内か否かを判定する。

図５は、本実施形態におけるオブリーク角度の制限範囲を説明するための図である。図５の（Ａ）は、４つのベクトル（Slice Offset Vector、Slice Orient Vector、Phase Orient Vector、Read Orient Vector）で表現される断面像を示す。また、図５の（Ｂ）は、各ベクトルのＸＹＺ成分を示す。

Slice Orient VectorのＸＹＺ成分を（Ｓx，Ｓy，Ｓz）、Phase Orient VectorのＸＹＺ成分を（Ｐx，Ｐy，Ｐz）とすると、これらの成分は、Tilt角θ、Slew角φで、以下のように表現できる。
(Sx,Sy,Sz) = (cosθsinφ, sinθ, cosθcosφ)
(Px,Py,Pz) = (cosφ, 0, -sinφ) or (-sinθsinφ, cosθ, -sinθcosφ)
なお、Read Orient VectorのＸＹＺ成分については、両者の外積から求めることができる。

ＥＰＩ撮像ではオブリーク角度が制限されるため、ＥＰＩ撮像用には、θ、φの値が取る範囲も制限されることになる。本実施形態において、ＥＰＩ撮像が可能なオブリーク角度の制限範囲を、以下の通りとする。
θ： 0±θlimit[deg] OR 90±θlimit[deg] OR 180±θlimit[deg] OR 270±θlimit[deg]
φ： 0±φlimit[deg] OR 90±φlimit[deg] OR 180±φlimit[deg] OR 270±φlimit[deg]

判定部２６ｃは、一定のスライス厚を有する撮像範囲に複数の断面像が含まれる場合に、撮像範囲全体について、あるいは、各断面像について、オブリーク角度の制限範囲内であるか否かを判定する。

そして、ステップＳ０３での判定の結果、制限範囲を超えると判定されると（ステップＳ０３，Ｎｏ）、撮像範囲変更部２６ｄが、撮像範囲の設定を制限範囲内に変更する（ステップＳ０４）。一方、ステップＳ０３での判定の結果、制限範囲内であると判定されると（ステップＳ０３，Ｙｅｓ）、撮像範囲変更部２６ｄによる処理は行われずに、ステップＳ０５の処理に移行する。

図６は、本実施形態における変更後の撮像範囲を説明するための図である。図６と図４とを比較するとわかるように、サジタル断面像及びコロナル断面像の２断面像に対して、変更後の撮像範囲ＲＯＩｂは、図４の撮像範囲ＲＯＩａよりも傾きが小さくなっている。なお、撮像範囲変更部２６ｄによる設定の変更の詳細については、後述する。

次に、ＥＰＩ撮像部２６ｅが、ステップＳ０４で変更された変更後の設定に基づき、ＥＰＩ撮像を実行し（ステップＳ０５）、ＥＰＩ撮像により得られた３次元データの再構成を実行して、画像を生成する（ステップＳ０６）。このステップＳ０６で生成された画像は、歪み補正が施されていない画像である。なお、ＥＰＩ撮像により得られた３次元データを再構成して生成される画像のことを、適宜「ＥＰＩ画像」と称する。

続いて、断面像生成部２６ｆが、ステップＳ０６で生成されたＥＰＩ画像から、ＭＰＲ（Multi Planar Reconstruction）の断面変換により、所望の断面像を生成する（ステップＳ０７）。そして、断面像生成部２６ｆは、ステップＳ０７でＭＰＲにより生成された所望の断面像に対して歪み補正を実行する（ステップＳ０８）。すなわち、断面像生成部２６ｆは、所望の断面像を生成した後に、この断面像に対して歪み補正を実行し、歪み補正が施された所望の断面像を得る。

ここで、歪み補正とは、傾斜磁場強度の非線形性に起因する画像上のアーチファクトを補正することである。例えば、歪み補正の技術は、「非線形性を有する実際の傾斜磁場強度の分布」を「線形性を有する仮想の傾斜磁場強度の分布」に変換する位置座標の補正テーブルを予め有し、その補正テーブルを用いて再構成された画像を補正する。すなわち、どの程度の歪みが発生するかという情報（例えば、「位置座標の補正テーブル」）は既知であるとともに、本実施形態においてはステップＳ０５で３次元データを収集しており、歪んだ先のデータの位置座標も既知であることから、計算により、歪みのない画像への補正を実行できる。

図７は、本実施形態における断面像の生成を説明するための図である。図７の（Ａ）に示すように、本実施形態において、断面像生成部２６ｆは、変更後の撮像範囲で撮像され、生成されたＥＰＩ画像の中から、所望の断面像を断面変換で取り出すものである。もっとも、実際には、ステップＳ０６で生成されたＥＰＩ画像は、図７の（Ｂ）に示すように、歪んだ断面の画像である。なお、図７の（Ｂ）においてはスライス方向の歪みのみを表現するが、断面内の歪みも同様に生じる場合がある。

仮に、このＥＰＩ画像に対して歪み補正を施した後に、所望の断面像を断面変換で取り出そうとすると、歪み補正によって画像データが変更されて、断面変換により得たい断面像のデータが存在しない、あるいは０データに置き換えられてしまい、正しく断面変換が行われずに、所望の断面像を得られないおそれがある。このため、本実施形態においては、まず、歪み補正を施さない状態でＥＰＩ画像から所望の断面像を取り出した後に、取り出した断面像に対して歪み補正を実行する、という順序を採る。

図８及び図９は、本実施形態に係る撮像範囲変更部２６ｄによる処理手順を示すフローチャートである。図８は、解剖学的な特徴点が含まれる個数に基づいて撮像範囲の設定を変更する手法を示し、図９は、この特徴点との距離に基づいて撮像範囲の設定を変更する手法を示す。なお、上述したように、断面像は、４つのベクトル（Slice Offset Vector、Slice Orient Vector、Phase Orient Vector、Read Orient Vector）で表現される。図８及び図９において、「オフセットベクトル」は、Slice Offset Vectorに対応し、「スライスベクトル」は、Slice Orient Vectorに対応する。

撮像範囲変更部２６ｄは、断面像を示すベクトルについて、Tilt角を制限範囲内で１度ずつ変更する（ステップＳ１０１）。また、撮像範囲変更部２６ｄは、断面像を示すベクトルについて、Slew角を制限範囲内で１度ずつ変更する（ステップＳ１０２）。更に、撮像範囲変更部２６ｄは、断面像の磁場中心からのオフセットベクトルについて、自動位置決めされたオフセットベクトルに対して、スライスベクトルの方向に１ｍｍずつ変化させる（ステップＳ１０３）。

このように、撮像範囲変更部２６ｄは、オブリーク角度の制限範囲内において、断面像を示す４つのベクトルを少しずつ変化させる。そして、撮像範囲変更部２６ｄは、その都度、図２のステップＳ０２における撮像範囲の自動位置決めで用いられた特徴点（ランドマーク）が、このステップＳ１０１〜Ｓ１０３で撮像計画された断面像に含まれている個数を調べる（ステップＳ１０４）。

続いて、撮像範囲変更部２６ｄは、ステップＳ１０４で調べた個数が、これまでに調べた個数の中で最大か否かを判定する（ステップＳ１０５）。そして、最大の場合には（ステップＳ１０５，Ｙｅｓ）、撮像範囲変更部２６ｄは、その時点での最大の個数と、このときのステップＳ１０１〜Ｓ１０３で撮像計画された断面像の断面情報（Tilt角、Slew角、オフセットベクトル）とを記録する（ステップＳ１０６）。

次に、撮像範囲変更部２６ｄは、スライスベクトル方向の変化量が、撮像範囲として設定されたスライス厚まで達したか否かを判定し（ステップＳ１０７）、達していない場合には（ステップＳ１０７，Ｎｏ）、再びステップＳ１０３の処理に戻り、オフセットベクトルを１ｍｍ変化させ、新たな断面像について、ステップＳ１０４〜Ｓ１０６の処理を行う。

一方、スライスベクトル方向の変化量が、撮像範囲として設定されたスライス厚まで達した場合には（ステップＳ１０７，Ｙｅｓ）、撮像範囲変更部２６ｄは、Slew角について制限範囲内の全ての値を取ったか否かを判定し（ステップＳ１０８）、全ての値を取っていない場合には（ステップＳ１０８，Ｎｏ）、再びステップＳ１０２の処理に戻り、Slew角を１度変更し、新たな断面像について、ステップＳ１０３〜Ｓ１０７の処理を行う。

一方、全ての値を取った場合には（ステップＳ１０８，Ｙｅｓ）、撮像範囲変更部２６ｄは、Tilt角について制限範囲内の全ての値を取ったか否かを判定し（ステップＳ１０９）、全ての値を取っていない場合には（ステップＳ１０９，Ｎｏ）、再びステップＳ１０１の処理に戻り、Tilt角を１度変更し、新たな断面像について、ステップＳ１０２〜Ｓ１０８の処理を行う。

こうして、撮像範囲変更部２６ｄは、オブリーク角度の制限範囲内において、断面像を示す４つのベクトルを少しずつ変化させながら、特徴点の個数が最大となる断面情報を記録する。そして、撮像範囲変更部２６ｄは、Tilt角について制限範囲内の全ての値を取った場合に（ステップＳ１０９，Ｙｅｓ）、ステップＳ１０６で記録されていた断面情報を、所望の断面像を示す断面情報として取り扱う（ステップＳ１１０）。すなわち、例えば、撮像範囲変更部２６ｄは、この断面情報で示されるスライス位置を中心スライスとして、一定のスライス厚を有する撮像範囲を、変更後の撮像範囲として設定する。

なお、図９の手法は、ステップＳ２０４〜Ｓ２０６の処理のみが図８の手法と異なる。すなわち、図９の手法の場合、撮像範囲変更部２６ｄは、図２のステップＳ０２における撮像範囲の自動位置決めで用いられた特徴点（ランドマーク）と、ステップＳ２０１〜Ｓ２０３で撮像計画された断面像との距離の総和を調べる（ステップＳ２０４）。

続いて、撮像範囲変更部２６ｄは、ステップＳ２０４で調べた距離の総和が、これまでに調べた距離の総和の中で最少か否かを判定する（ステップＳ２０５）。そして、最小の場合には（ステップＳ２０５，Ｙｅｓ）、撮像範囲変更部２６ｄは、その時点での距離の最小値と、このときのステップＳ２０１〜Ｓ２０３で撮像計画された断面像の断面情報（Tilt角、Slew角、オフセットベクトル）とを記録する（ステップＳ２０６）。

上述したように、本実施形態によれば、ＥＰＩ撮像の撮像範囲を適切な撮像範囲に変更した上で、変更後の撮像範囲で収集されたＥＰＩ画像から所望の断面像を得ることができるので、所望の断面像を容易に得ることができる。撮像範囲が自動位置決めにより設定され、ダブルオブリークとなる場合であっても、被検体を再度セッティングし直す必要もないので、検査にかかる手間を減らすこともできる。

（その他の実施形態）
なお、実施形態は、上述した実施形態に限られるものではない。

例えば、上述した実施形態においては、診断用の所望の断面像として、頭部の断面像をＥＰＩ撮像により撮像する例を説明したが、実施形態はこれに限られるものではない。頭部以外の他の部位の場合であっても、また、ＥＰＩ撮像以外の他の撮像を実行する場合であっても、例えば、撮像範囲に何らかの制限範囲が存在する場合であれば、同様に適用することができる。

また、撮像範囲の設定の変更の具体的な手法として、図８及び図９の例を示したが、実施形態はこれに限られるものではない。例えば、制限範囲内であって、且つ、図２のステップＳ０２で設定された撮像範囲に最も近い（Tilt角やSlew角の変更分が小さい）撮像範囲を、変更後の撮像範囲として設定してもよい。その他、変更前の撮像範囲と変更後の撮像範囲とを比較した場合に、必ずしもそのサイズが完全に一致している必要もない。例えば、後に所望の断面像を断面変換により取り出すことに鑑みて、変更前のスライス厚よりも、変更後のスライス厚を厚くする等、適宜変更してもよい。

以上述べた少なくとも一つの実施形態の磁気共鳴イメージング装置及び磁気共鳴イメージング方法によれば、所望の断面像を容易に得ることができる。

本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれると同様に、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれるものである。

１００ ＭＲＩ装置
２６ 制御部
２６ａ 位置決め画像収集部
２６ｂ 撮像範囲設定部
２６ｃ 判定部
２６ｄ 撮像範囲変更部
２６ｅ ＥＰＩ撮像部
２６ｆ 断面像生成部

Claims (5)

1. 所望の断面像を含む撮像範囲が、撮像の制限範囲内か否かを判定する判定部と、
   前記判定の結果、制限範囲を超えると判定されると、前記撮像範囲の設定を制限範囲内に変更する変更部と、
   前記変更後の設定に基づき、撮像を実行する撮像部と、
   前記撮像により得られたデータから、前記所望の断面像を生成する生成部と
   を備えたことを特徴とする磁気共鳴イメージング装置。
2. 前記判定部は、前記撮像範囲が、オブリーク角度の制限範囲内であるか否かを判定し、
   前記変更部は、制限範囲を超えると判定されると、オブリーク角度が制限範囲内に収まるように、前記撮像範囲の設定を変更し、
   前記生成部は、前記撮像により得られた３次元データから、前記所望の断面像を生成することを特徴とする請求項１に記載の磁気共鳴イメージング装置。
3. 前記生成部は、前記撮像により得られた歪み補正が施されていないデータから前記所望の断面像を生成した後に、該断面像に対して歪み補正を実行し、歪み補正が施された所望の断面像を得ることを特徴とする請求項１又は２に記載の磁気共鳴イメージング装置。
4. 前記所望の断面像を含む撮像範囲の位置決めに用いられる位置決め画像を収集する収集部と、
   前記位置決め画像に対して、解剖学的な特徴点を用いて、前記所望の断面像を含む撮像範囲を自動設定する設定部とを更に備え、
   前記変更部は、前記特徴点が含まれる個数又は前記特徴点との距離に基づいて、前記撮像範囲の設定を制限範囲内に変更することを特徴とする請求項１〜３のいずれかひとつに記載の磁気共鳴イメージング装置。
5. 磁気共鳴イメージング装置で実行される磁気共鳴イメージング方法であって、
   所望の断面像を含む撮像範囲の位置決めに用いられる位置決め画像を収集する収集工程と、
   前記位置決め画像に対して、前記所望の断面像を含む撮像範囲を設定する設定工程と、
   設定された撮像範囲が、ＥＰＩ（Echo Planar Imaging）撮像のオブリーク角度の制限範囲内か否かを判定する判定工程と、
   前記判定の結果、制限範囲を超えると判定されると、オブリーク角度が制限範囲内に収まるように、前記撮像範囲の設定を変更する変更工程と、
   変更後の設定に基づき、ＥＰＩ撮像を実行するＥＰＩ撮像工程と、
   ＥＰＩ撮像により得られた３次元データから、ＭＰＲ（Multi Planar Reconstruction）により、前記所望の断面像を生成する生成工程と、
   ＭＰＲにより生成された所望の断面像に対して歪み補正を実行する歪み補正工程と
   を含んだことを特徴とする磁気共鳴イメージング方法。

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