JP6101282B2 - タッチパネル及びその製造方法 - Google Patents
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Description
【技術分野】
【０００１】
本開示は、入力インターフェースに関する。より具体的には、本開示は、タッチパネル及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
タッチパネルは、通常、基板と、基板上の第１軸に沿って途切れ途切れに配置された検出電極ユニットと、基板上の第２軸に沿って配置された検出アレイとを備える。検出電極ユニットは、ブリッジラインを介して電気的に接続されて実現され、検出アレイと電気的に絶縁されている。ブリッジラインの表面は、通常、高反射性で不透明な材料（アルミニウム、モリブデンなどの金属）からなるが、ブリッジラインは光を反射し、タッチパネル上に輝点エリアを形成する。タッチパネルが操作されたとき、ブリッジングエリアとブリッジングではないエリアの見た目の違いがタッチパネル上で視認され、タッチパネルの外観の視覚効果に影響を及ぼす。
【先行技術文献】
【特許文献】
【特許文献１】台湾実用新案公告第Ｍ３７４６１８号公報
【特許文献２】台湾特許出願公開第２０１０３５８４０号公報
【発明の概要】
【課題を解決するための手段】
【０００３】
本開示は、光の反射を抑制するために、ブリッジラインを金属層と導電酸化層との積層構造で改良し、タッチパネル上の閃光や、輝点を減らし、タッチパネルの外観を改良する。
【０００４】
上述及び他の目的を達成するために、本開示は、第１軸に沿った、それぞれ接触していない複数の第１検出電極ユニットを有する検出パターン層と、前記第１軸に沿った、隣接する前記第１検出電極ユニットと電気的に接続されたブリッジラインとを備え、前記ブリッジラインは少なくとも金属層と導電酸化層とからなるタッチパネルを提供する。
【０００５】
本開示はまた、検出パターン層を形成し、前記検出パターン層は、第１軸に沿った、互いに接触していない複数の第１検出電極ユニットを有し、隣接する前記第１検出電極ユニットと電気的に接続するようにブリッジラインを形成し、前記ブリッジラインは、少なくとも金属層と導電酸化層とからなるタッチパネルの製造方法を提供する。
【０００６】
本開示のアプローチは、金属層と導電酸化層の積層構造でブリッジラインを改良することである。ブリッジラインの層はそれぞれ光干渉効果を生成し、ブリッジラインの外観を黒又は暗色にして、ブリッジラインの視認性を低下させる。本開示のタッチパネルのブリッジラインは、効果的に反射を抑制し、タッチパネルの外観上の閃光又は輝点を取り除くことができる。これにより、本開示のタッチパネルのブリッジラインは、従来の構造と比較してより好ましい視覚効果が得られる。
【０００７】
本開示の特徴や技術内容についてより理解するために、以下の詳細な説明及び本開示に付属する添付図面を参照されたい。しかしながら、含まれる図は参考及び説明のためにのみ用いられ、本開示の限定のために用いられるものではない。
【図面の簡単な説明】
【０００８】
当業者にとって、以下に説明される多くの実施形態及び図面は説明目的のみのためであり、いかなる場合も本開示の範囲を制限するものではない。
【図１Ａ】本開示の第１実施形態にかかるタッチパネルの上面模式図である。
【図１Ｂ】図１Ａに示される断面線Ｉ−Ｉに沿った断面模式図である。
【図１Ｃ】本開示の第１実施形態にかかるタッチパネルの製造方法のフローチャートである。
【図２Ａ】本開示の第２実施形態にかかるタッチパネルの上面模式図である。
【図２Ｂ】図２Ａに示される断面線Ｉ−Ｉに沿った断面模式図である。
【図２Ｃ】本開示の第２実施形態にかかるタッチパネルの製造方法のフローチャートである。
【発明を実施するための形態】
【０００９】
図１Ａは、本開示の第１実施形態にかかるタッチパネルの上面模式図であり、図１Ｂは、図１Ａに示される断面線Ｉ−Ｉに沿った断面模式図である。図１Ｃは、本開示の第１実施形態にかかるタッチパネルの製造方法のフローチャートである。図１Ａ、図１Ｂを参照すると、本実施形態のタッチパネル１００は、基板１１０、複数のブリッジライン１２０、検出パターン層１３０を含む。検出パターン層１３０は、基板１１０上に配置されている。基板１１０は、ガラス板又は透明プラスチックシートでありうる。
【００１０】
検出パターン層１３０は、第１軸に沿って配置された複数の第１検出電極ユニット１３１、第２軸に沿って配置された複数の第２検出電極ユニット１３２、複数の相互接続部１３３を備える。第１検出電極ユニット１３１、第２検出電極ユニット１３２、相互接続部１３３は、基板１１０上に配置されている。ブリッジライン１２０は、２つの隣接した第１検出電極ユニット１３１間に接続され、それぞれ平行な複数の第１検出アレイＬ１を形成しているのに対して、個々の相互接続部１３３は、２つの隣接した第２検出電極ユニット１３２間に接続され、それぞれ平行な複数の第２検出アレイＬ２を形成している。第１検出アレイＬ１と第２検出アレイＬ２は、互いに電気的に絶縁されている。タッチパネル１００は、絶縁ブロック１４０をさらに備えうる。絶縁ブロック１４０は、互いに電気的に絶縁する目的を達成するため、相互接続部１３３とブリッジライン１２０との間の空間に配置される。第１検出アレイＬ１と第２検出アレイＬ２とは、インターレース式になっており、個々の相互接続部１３３は、ブリッジライン１２０のいずれか一つの真下に配置される。したがって、相互接続部１３３はそれぞれブリッジライン１２０とインターレース式になっている。さらに、検出パターン層１３０は、インジウムスズ酸化物（ＩＴＯ）又はインジウム亜鉛酸化物（ＩＺＯ）のような透明導電膜からなりうる。第１検出電極ユニット１３１、第２検出電極ユニット１３２、相互接続部１３３は、フォトグラフィー及びエッチングを経た前述の透明導電膜により形成されうる。
【００１１】
複数のブリッジライン１２０は、順次互いに重なり、インターレース式に配置される金属層と導電酸化膜により形成されている。人間の目から離れている金属層は、隣接する第１検出電極ユニット１３１と電気的に接続された第１金属層１２０Ａである。第１導電酸化層１２０Ｂは、第１金属層１２０Ａを覆っている。また、第２金属層１２０Ｃは、第１導電酸化層１２０Ｂを覆っている。同様に、第２導電酸化層１２０Ｄは、第２金属層１２０Ｃを覆っている。第１金属層１２０Ａと第２金属層１２０Ｃとは、金、銀、銅、ニッケル、タングステン、アルミニウム、モリブデン、クロミウム又はそれらの合金及びニトロ化合物、又はそれらの酸化化合物の少なくとも一種からなるが、これに限定されない。第１導電酸化層１２０Ｂと第２導電酸化層１２０Ｄとは、インジウムスズ酸化物（ＩＴＯ）、アンチモンスズ酸化物（ＡＴＯ）、ＺｎＯ、ＺｎＯ２、ＳｎＯ２又はＩｎ２Ｏ２の少なくとも一種からなるが、これに限定されない。ブリッジライン１２０は、フォトグラフィープロセスを実行し、その後、エッチングプロセスを実行することにより形成されうる。
【００１２】
第１金属層１２０Ａの厚さは、１００ｎｍ±２０％である。好ましい実施形態において、第１金属層１２０Ａ、第１導電酸化層１２０Ｂ、第２金属層１２０Ｃ、第２導電酸化層１２０Ｄの厚さは、それぞれ１００ｎｍ、１７ｎｍ、１０ｎｍ、２０ｎｍである。第１金属層１２０Ａの厚さは、他の層の厚さよりも厚い。金属層の透過率を低下させ、金属層がブリッジラインの下部から入射する光のほとんどを吸収できるようにし、不可欠なブリッジラインが非視認性の効果を発現するように、黒又はダークグレーの暗色金属材料が第１金属層１２０Ａとして選択されうる。
【００１３】
本開示は、さらに、透明基板（不図示）を備えている。透明基板は、基板１１０の上に配置され、基板１１０上の検出パターン層１３０を覆う。透明基板は、検出パターン層１３０を保護することができ、タッチ面を供給する。透明基板は、ガラス板又は透明プラスチックシートでありうる。透明基板は、光学接着剤やその他の方法で基板１１０に接着されうる。
【００１４】
さらに、図１Ｃを参照する。本開示の第１実施形態にかかるタッチパネルの製造方法は、Ｓ１：基板１１０上に透明導電膜を形成する、Ｓ２：透明導電膜をパターニングし、第１軸に沿って配置された複数の第１検出電極ユニット１３１を形成する、Ｓ３：複数の絶縁ブロック１４０を形成する、Ｓ４：隣接する第１検出電極ユニット１３１に電気的に接続されるブリッジライン１２０を形成する。ブリッジライン１２０は、少なくとも金属層と導電酸化層とからなる。
【００１５】
検出パターン層は、第２軸に沿った複数の第２検出電極ユニットと複数の相互接続部とをさらに備える。第１検出電極ユニットは、ブリッジラインを介して互いに電気的に接続され、第１検出アレイを形成する。第２検出電極ユニットは、相互接続部を介して互いに接続され、第２検出アレイを形成する。第１検出アレイと第２検出アレイとは互いに絶縁されている。
【００１６】
ステップＳ４は、特に、Ｓ４１：隣接する第１検出電極ユニット１３１に電気的に接続された第１金属層１２０Ａの形成、Ｓ４２：第１金属層１２０Ａを覆う第１導電酸化層１２０Ｂの形成、Ｓ４３：第１導電酸化層１２０Ｂを覆う第２金属層１２０Ｃの形成、Ｓ４４：第２金属層１２０Ｃを覆う第２導電酸化層１２０Ｄの形成を含む。
【００１７】
先の明細書では、他の関連する構成の材料や構造の詳細な開示がなされているので、ここでは説明しない。
【００１８】
従来のＭｏ−Ａｌ−Ｍｏ構造は中止し、本開示のタッチパネルのブリッジライン１２０としては金属層と導電酸化層の積層構造に変更する。タッチパネルの外観上の閃光や輝点を低減させ、その外見を改良するために、本開示は、個々の層の間の光に干渉の効果を発生させ、互いに相殺させて、非視認性の効果を提示する不可欠なブリッジラインを人の目の下に提供する。
【００１９】
図２Ａは、本開示の第２実施形態にかかるタッチパネルの上面模式図である。図２Ｂは、図２Ａに示される断面線Ｉ−Ｉに沿った断面模式図である。図２Ａ、図２Ｂを参照すると、構造は前述の実施形態のものと類似しており、同一の構成要素には同一の符号が付されている。両実施の形態における差異は、基板１１０の上面１１０Ａがタッチパネルとしての役割を果たしており、下面１１０Ｂが検出パターン層１３０の支持基板としての役割を果たしている。
【００２０】
第２実施形態では、検出パターン層１３０は第１実施形態と類似している。本実施形態のブリッジライン１２０は同様に４つの層に分かれている。人の目から離れている金属層である第１金属層１２０Ａ、第１金属層１２０Ａを覆う第１導電酸化層１２０Ｂ、第１導電酸化層１２０Ｂを覆う第２金属層１２０Ｃ、第２金属層１２０Ｃを覆う、隣接する第１検出電極ユニット１３１に電気的に接続された第２導電酸化層１２０Ｄである。第１金属層１２０Ａと第２金属層１２０Ｃとは、金、銀、銅、ニッケル、タングステン、アルミニウム、モリブデン、クロミウム又はそれらの合金及びニトロ化合物、又はそれらの酸化化合物の少なくとも一種からなるが、これに限定されない。第１導電酸化層１２０Ｂと第２導電酸化層１２０Ｄとは、インジウムスズ酸化物、アンチモンスズ酸化物、ＺｎＯ、ＺｎＯ２、ＳｎＯ２又はＩｎ２Ｏ２の少なくとも一種からなるが、これに限定されない。
【００２１】
図２Ｃは、本開示の他の実施形態にかかるタッチパネルの製造方法のフローチャートである。製造方法は、基本的に本開示の第１実施形態と同一である。両実施形態における差異は、本実施形態のステップＳ４にある。ステップＳ４は、Ｓ４１：隣接する第１検出電極ユニット１３１に電気的に接続される第２導電酸化層１２０Ｄの形成、Ｓ４２：第２導電酸化層１２０Ｄを覆う第２金属層１２０Ｃの形成、Ｓ４３：第２金属層１２０Ｃを覆う第１導電酸化層１２０Ｂの形成、Ｓ４４：第１導電酸化層１２０Ｂを覆う第１金属層１２０Ａの形成、を含む。
【００２２】
第１金属層１２０Ａの厚さは、他の層の厚さよりも厚い。ブリッジラインの下部から入射する光のほとんどを吸収できるようにし、不可欠なブリッジラインが非視認性の効果を発現するように、黒又はダークグレーの暗色金属材料が第１金属層１２０Ａとして選択されうる。
【００２３】
実施の形態では、ブリッジライン１２０は、上から下、下から上のいずれから見ても黒の不透明な効果を示す。このブリッジライン１２０をタッチパネルに用いることによって、外観上の閃光や輝点を除去でき、外観を改善することができる。したがって、本開示は、従来のＭｏ−Ａｌ−Ｍｏ構造と比較してより好ましい光学効果を有する。続いて、本開示のブリッジライン１２０は、積層構造によって、不可欠な非視認性の効果がもたらされうる。
【００２４】
いくつかの実施形態が示され、説明されたが、開示の精神及び範囲を離れることなく種々の変更及び置換を行ってもよい。したがって、本開示は限定ではなく例として説明されたことが理解される。
【０００１】
本開示は、入力インターフェースに関する。より具体的には、本開示は、タッチパネル及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
タッチパネルは、通常、基板と、基板上の第１軸に沿って途切れ途切れに配置された検出電極ユニットと、基板上の第２軸に沿って配置された検出アレイとを備える。検出電極ユニットは、ブリッジラインを介して電気的に接続されて実現され、検出アレイと電気的に絶縁されている。ブリッジラインの表面は、通常、高反射性で不透明な材料（アルミニウム、モリブデンなどの金属）からなるが、ブリッジラインは光を反射し、タッチパネル上に輝点エリアを形成する。タッチパネルが操作されたとき、ブリッジングエリアとブリッジングではないエリアの見た目の違いがタッチパネル上で視認され、タッチパネルの外観の視覚効果に影響を及ぼす。
【先行技術文献】
【特許文献】
【特許文献１】台湾実用新案公告第Ｍ３７４６１８号公報
【特許文献２】台湾特許出願公開第２０１０３５８４０号公報
【発明の概要】
【課題を解決するための手段】
【０００３】
本開示は、光の反射を抑制するために、ブリッジラインを金属層と導電酸化層との積層構造で改良し、タッチパネル上の閃光や、輝点を減らし、タッチパネルの外観を改良する。
【０００４】
上述及び他の目的を達成するために、本開示は、第１軸に沿った、それぞれ接触していない複数の第１検出電極ユニットを有する検出パターン層と、前記第１軸に沿った、隣接する前記第１検出電極ユニットと電気的に接続されたブリッジラインとを備え、前記ブリッジラインは少なくとも金属層と導電酸化層とからなるタッチパネルを提供する。
【０００５】
本開示はまた、検出パターン層を形成し、前記検出パターン層は、第１軸に沿った、互いに接触していない複数の第１検出電極ユニットを有し、隣接する前記第１検出電極ユニットと電気的に接続するようにブリッジラインを形成し、前記ブリッジラインは、少なくとも金属層と導電酸化層とからなるタッチパネルの製造方法を提供する。
【０００６】
本開示のアプローチは、金属層と導電酸化層の積層構造でブリッジラインを改良することである。ブリッジラインの層はそれぞれ光干渉効果を生成し、ブリッジラインの外観を黒又は暗色にして、ブリッジラインの視認性を低下させる。本開示のタッチパネルのブリッジラインは、効果的に反射を抑制し、タッチパネルの外観上の閃光又は輝点を取り除くことができる。これにより、本開示のタッチパネルのブリッジラインは、従来の構造と比較してより好ましい視覚効果が得られる。
【０００７】
本開示の特徴や技術内容についてより理解するために、以下の詳細な説明及び本開示に付属する添付図面を参照されたい。しかしながら、含まれる図は参考及び説明のためにのみ用いられ、本開示の限定のために用いられるものではない。
【図面の簡単な説明】
【０００８】
当業者にとって、以下に説明される多くの実施形態及び図面は説明目的のみのためであり、いかなる場合も本開示の範囲を制限するものではない。
【図１Ａ】本開示の第１実施形態にかかるタッチパネルの上面模式図である。
【図１Ｂ】図１Ａに示される断面線Ｉ−Ｉに沿った断面模式図である。
【図１Ｃ】本開示の第１実施形態にかかるタッチパネルの製造方法のフローチャートである。
【図２Ａ】本開示の第２実施形態にかかるタッチパネルの上面模式図である。
【図２Ｂ】図２Ａに示される断面線Ｉ−Ｉに沿った断面模式図である。
【図２Ｃ】本開示の第２実施形態にかかるタッチパネルの製造方法のフローチャートである。
【発明を実施するための形態】
【０００９】
図１Ａは、本開示の第１実施形態にかかるタッチパネルの上面模式図であり、図１Ｂは、図１Ａに示される断面線Ｉ−Ｉに沿った断面模式図である。図１Ｃは、本開示の第１実施形態にかかるタッチパネルの製造方法のフローチャートである。図１Ａ、図１Ｂを参照すると、本実施形態のタッチパネル１００は、基板１１０、複数のブリッジライン１２０、検出パターン層１３０を含む。検出パターン層１３０は、基板１１０上に配置されている。基板１１０は、ガラス板又は透明プラスチックシートでありうる。
【００１０】
検出パターン層１３０は、第１軸に沿って配置された複数の第１検出電極ユニット１３１、第２軸に沿って配置された複数の第２検出電極ユニット１３２、複数の相互接続部１３３を備える。第１検出電極ユニット１３１、第２検出電極ユニット１３２、相互接続部１３３は、基板１１０上に配置されている。ブリッジライン１２０は、２つの隣接した第１検出電極ユニット１３１間に接続され、それぞれ平行な複数の第１検出アレイＬ１を形成しているのに対して、個々の相互接続部１３３は、２つの隣接した第２検出電極ユニット１３２間に接続され、それぞれ平行な複数の第２検出アレイＬ２を形成している。第１検出アレイＬ１と第２検出アレイＬ２は、互いに電気的に絶縁されている。タッチパネル１００は、絶縁ブロック１４０をさらに備えうる。絶縁ブロック１４０は、互いに電気的に絶縁する目的を達成するため、相互接続部１３３とブリッジライン１２０との間の空間に配置される。第１検出アレイＬ１と第２検出アレイＬ２とは、インターレース式になっており、個々の相互接続部１３３は、ブリッジライン１２０のいずれか一つの真下に配置される。したがって、相互接続部１３３はそれぞれブリッジライン１２０とインターレース式になっている。さらに、検出パターン層１３０は、インジウムスズ酸化物（ＩＴＯ）又はインジウム亜鉛酸化物（ＩＺＯ）のような透明導電膜からなりうる。第１検出電極ユニット１３１、第２検出電極ユニット１３２、相互接続部１３３は、フォトグラフィー及びエッチングを経た前述の透明導電膜により形成されうる。
【００１１】
複数のブリッジライン１２０は、順次互いに重なり、インターレース式に配置される金属層と導電酸化膜により形成されている。人間の目から離れている金属層は、隣接する第１検出電極ユニット１３１と電気的に接続された第１金属層１２０Ａである。第１導電酸化層１２０Ｂは、第１金属層１２０Ａを覆っている。また、第２金属層１２０Ｃは、第１導電酸化層１２０Ｂを覆っている。同様に、第２導電酸化層１２０Ｄは、第２金属層１２０Ｃを覆っている。第１金属層１２０Ａと第２金属層１２０Ｃとは、金、銀、銅、ニッケル、タングステン、アルミニウム、モリブデン、クロミウム又はそれらの合金及びニトロ化合物、又はそれらの酸化化合物の少なくとも一種からなるが、これに限定されない。第１導電酸化層１２０Ｂと第２導電酸化層１２０Ｄとは、インジウムスズ酸化物（ＩＴＯ）、アンチモンスズ酸化物（ＡＴＯ）、ＺｎＯ、ＺｎＯ２、ＳｎＯ２又はＩｎ２Ｏ２の少なくとも一種からなるが、これに限定されない。ブリッジライン１２０は、フォトグラフィープロセスを実行し、その後、エッチングプロセスを実行することにより形成されうる。
【００１２】
第１金属層１２０Ａの厚さは、１００ｎｍ±２０％である。好ましい実施形態において、第１金属層１２０Ａ、第１導電酸化層１２０Ｂ、第２金属層１２０Ｃ、第２導電酸化層１２０Ｄの厚さは、それぞれ１００ｎｍ、１７ｎｍ、１０ｎｍ、２０ｎｍである。第１金属層１２０Ａの厚さは、他の層の厚さよりも厚い。金属層の透過率を低下させ、金属層がブリッジラインの下部から入射する光のほとんどを吸収できるようにし、不可欠なブリッジラインが非視認性の効果を発現するように、黒又はダークグレーの暗色金属材料が第１金属層１２０Ａとして選択されうる。
【００１３】
本開示は、さらに、透明基板（不図示）を備えている。透明基板は、基板１１０の上に配置され、基板１１０上の検出パターン層１３０を覆う。透明基板は、検出パターン層１３０を保護することができ、タッチ面を供給する。透明基板は、ガラス板又は透明プラスチックシートでありうる。透明基板は、光学接着剤やその他の方法で基板１１０に接着されうる。
【００１４】
さらに、図１Ｃを参照する。本開示の第１実施形態にかかるタッチパネルの製造方法は、Ｓ１：基板１１０上に透明導電膜を形成する、Ｓ２：透明導電膜をパターニングし、第１軸に沿って配置された複数の第１検出電極ユニット１３１を形成する、Ｓ３：複数の絶縁ブロック１４０を形成する、Ｓ４：隣接する第１検出電極ユニット１３１に電気的に接続されるブリッジライン１２０を形成する。ブリッジライン１２０は、少なくとも金属層と導電酸化層とからなる。
【００１５】
検出パターン層は、第２軸に沿った複数の第２検出電極ユニットと複数の相互接続部とをさらに備える。第１検出電極ユニットは、ブリッジラインを介して互いに電気的に接続され、第１検出アレイを形成する。第２検出電極ユニットは、相互接続部を介して互いに接続され、第２検出アレイを形成する。第１検出アレイと第２検出アレイとは互いに絶縁されている。
【００１６】
ステップＳ４は、特に、Ｓ４１：隣接する第１検出電極ユニット１３１に電気的に接続された第１金属層１２０Ａの形成、Ｓ４２：第１金属層１２０Ａを覆う第１導電酸化層１２０Ｂの形成、Ｓ４３：第１導電酸化層１２０Ｂを覆う第２金属層１２０Ｃの形成、Ｓ４４：第２金属層１２０Ｃを覆う第２導電酸化層１２０Ｄの形成を含む。
【００１７】
先の明細書では、他の関連する構成の材料や構造の詳細な開示がなされているので、ここでは説明しない。
【００１８】
従来のＭｏ−Ａｌ−Ｍｏ構造は中止し、本開示のタッチパネルのブリッジライン１２０としては金属層と導電酸化層の積層構造に変更する。タッチパネルの外観上の閃光や輝点を低減させ、その外見を改良するために、本開示は、個々の層の間の光に干渉の効果を発生させ、互いに相殺させて、非視認性の効果を提示する不可欠なブリッジラインを人の目の下に提供する。
【００１９】
図２Ａは、本開示の第２実施形態にかかるタッチパネルの上面模式図である。図２Ｂは、図２Ａに示される断面線Ｉ−Ｉに沿った断面模式図である。図２Ａ、図２Ｂを参照すると、構造は前述の実施形態のものと類似しており、同一の構成要素には同一の符号が付されている。両実施の形態における差異は、基板１１０の上面１１０Ａがタッチパネルとしての役割を果たしており、下面１１０Ｂが検出パターン層１３０の支持基板としての役割を果たしている。
【００２０】
第２実施形態では、検出パターン層１３０は第１実施形態と類似している。本実施形態のブリッジライン１２０は同様に４つの層に分かれている。人の目から離れている金属層である第１金属層１２０Ａ、第１金属層１２０Ａを覆う第１導電酸化層１２０Ｂ、第１導電酸化層１２０Ｂを覆う第２金属層１２０Ｃ、第２金属層１２０Ｃを覆う、隣接する第１検出電極ユニット１３１に電気的に接続された第２導電酸化層１２０Ｄである。第１金属層１２０Ａと第２金属層１２０Ｃとは、金、銀、銅、ニッケル、タングステン、アルミニウム、モリブデン、クロミウム又はそれらの合金及びニトロ化合物、又はそれらの酸化化合物の少なくとも一種からなるが、これに限定されない。第１導電酸化層１２０Ｂと第２導電酸化層１２０Ｄとは、インジウムスズ酸化物、アンチモンスズ酸化物、ＺｎＯ、ＺｎＯ２、ＳｎＯ２又はＩｎ２Ｏ２の少なくとも一種からなるが、これに限定されない。
【００２１】
図２Ｃは、本開示の他の実施形態にかかるタッチパネルの製造方法のフローチャートである。製造方法は、基本的に本開示の第１実施形態と同一である。両実施形態における差異は、本実施形態のステップＳ４にある。ステップＳ４は、Ｓ４１：隣接する第１検出電極ユニット１３１に電気的に接続される第２導電酸化層１２０Ｄの形成、Ｓ４２：第２導電酸化層１２０Ｄを覆う第２金属層１２０Ｃの形成、Ｓ４３：第２金属層１２０Ｃを覆う第１導電酸化層１２０Ｂの形成、Ｓ４４：第１導電酸化層１２０Ｂを覆う第１金属層１２０Ａの形成、を含む。
【００２２】
第１金属層１２０Ａの厚さは、他の層の厚さよりも厚い。ブリッジラインの下部から入射する光のほとんどを吸収できるようにし、不可欠なブリッジラインが非視認性の効果を発現するように、黒又はダークグレーの暗色金属材料が第１金属層１２０Ａとして選択されうる。
【００２３】
実施の形態では、ブリッジライン１２０は、上から下、下から上のいずれから見ても黒の不透明な効果を示す。このブリッジライン１２０をタッチパネルに用いることによって、外観上の閃光や輝点を除去でき、外観を改善することができる。したがって、本開示は、従来のＭｏ−Ａｌ−Ｍｏ構造と比較してより好ましい光学効果を有する。続いて、本開示のブリッジライン１２０は、積層構造によって、不可欠な非視認性の効果がもたらされうる。
【００２４】
いくつかの実施形態が示され、説明されたが、開示の精神及び範囲を離れることなく種々の変更及び置換を行ってもよい。したがって、本開示は限定ではなく例として説明されたことが理解される。
Claims (11)
- 第１軸に沿った、それぞれ接触していない複数の第１検出電極ユニットを有する検出パターン層と、
前記第１軸に沿った、隣接する前記第１検出電極ユニットと電気的に接続されたブリッジラインと、
を備え、
前記ブリッジラインは、
第１金属層と、
前記第１金属層を覆う第１導電酸化層と、
前記第１導電酸化層を覆う第２金属層と、
前記第２金属層を覆う第２導電酸化層と、
を備え、
前記ブリッジラインにおいて、前記第１金属層は前記第１導電酸化層の反視認側に形成されており、
前記第１金属層の厚さは、前記第１、第２導電酸化層及び前記第２金属層の厚さよりも厚く、
前記第１金属層は、前記ブリッジラインの下部から入射する光を吸収するために、黒又はダークグレーの暗色金属材料から成る、
タッチパネル。 - 前記ブリッジラインの前記第１金属層は、隣接する前記第１検出電極ユニットに接続される、請求項１に記載のタッチパネル。
- 前記ブリッジラインの前記第２導電酸化層は、隣接する前記第１検出電極ユニットに接続される、請求項１記載のタッチパネル。
- 第２軸に沿って配置された複数の第２検出電極ユニットをさらに有し、
前記第１検出電極ユニットは、前記ブリッジラインを介して互いに電気的に接続され、第１検出アレイを形成し、
前記第２検出電極ユニットは、相互接続部を介して互いに接続され、第２検出アレイを形成し、
前記第１検出アレイと前記第２検出アレイは、互いに絶縁されている、
請求項１〜３のいずれか１項に記載のタッチパネル。 - 前記相互接続部と前記ブリッジラインとの間に配置され、前記第１検出アレイと前記第２検出アレイとを絶縁する絶縁ブロックをさらに備える、請求項４に記載のタッチパネル。
- 前記第１金属層の厚さは１００ｎｍ±２０％である、請求項１〜５のいずれか１項に記載のタッチパネル。
- 検出パターン層を形成し、
前記検出パターン層は、第１軸に沿った、互いに接触していない複数の第１検出電極ユニットを有し、
隣接する前記第１検出電極ユニットと電気的に接続するようにブリッジラインを形成し、
前記ブリッジラインは、
第１金属層と、
前記第１金属層を覆う第１導電酸化層と、
前記第１導電酸化層を覆う第２金属層と、
前記第２金属層を覆う第２導電酸化層と、
を備え、
前記ブリッジラインにおいて、前記第１金属層が前記第１導電酸化層の反視認側に形成されており、
前記第１金属層の厚さは、前記第１、第２導電酸化層及び前記第２金属層の厚さよりも厚く、
前記第１金属層は、前記ブリッジラインの下部から入射する光を吸収するために、黒又はダークグレーの暗色金属材料から成る、
タッチパネルの製造方法。 - 前記検出パターン層は、第２軸に沿った複数の第２検出電極ユニットと複数の相互接続部とをさらに備え、
前記第１検出電極ユニットは、前記ブリッジラインを介して互いに電気的に接続され、第１検出アレイを形成し、
前記第２検出電極ユニットは、前記相互接続部を介して互いに接続され、第２検出アレイを形成し、
前記第１検出アレイと前記第２検出アレイは、それぞれ絶縁されている、
請求項７に記載のタッチパネルの製造方法。 - 前記ブリッジラインを形成するステップの前のステップでは、
前記第１検出アレイと前記第２検出アレイとを絶縁するために、前記ブリッジラインと前記相互接続部の間に複数の絶縁ブロックを形成する、
請求項８に記載のタッチパネルの製造方法。 - 前記ブリッジラインを形成するステップでは、
前記第１金属層を形成し、隣接する前記第１検出電極ユニットに電気的に接続し、
前記第１導電酸化層を形成して、前記第１金属層を覆い、
前記第２金属層を形成して、前記第１導電酸化層を覆い、
前記第２導電酸化層を形成して、前記第２金属層を覆う、
請求項７に記載のタッチパネルの製造方法。 - 前記ブリッジラインを形成するステップでは、
前記第２導電酸化層を形成し、隣接する前記第１検出電極ユニットに電気的に接続し、
前記第２金属層を形成して、前記第２導電酸化層を覆い、
前記第１導電酸化層を形成して、前記第２金属層を覆い、
前記第１金属層を形成して、前記第１導電酸化層を覆う、
請求項７に記載のタッチパネルの製造方法。
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