JP6097649B2 - 半導体製造プロセス用レジスト組成物、それを用いたレジスト膜、レジスト塗布マスクブランクス、及びレジストパターン形成方法、並びに、電子デバイスの製造方法 - Google Patents

Description

本発明は、超ＬＳＩや高容量マイクロチップの製造などの超マイクロリソグラフィプロセスやその他のファブリケーションプロセスに好適に用いられる、電子線、極紫外線等を使用して高精細化したパターンを形成しうる半導体製造プロセス用レジスト組成物、それを用いたレジスト膜、レジスト塗布マスクブランクス、フォトマスク及びレジストパターン形成方法、並びに、電子デバイスの製造方法及び電子デバイスに関するものである。

レジスト組成物を用いた微細加工では、集積回路の高集積化に伴って、超微細パターンの形成が要求されている。それゆえ、露光波長にもｇ線からｉ線に、更にエキシマレーザー光にというように短波長化の傾向が見られ、現在では例えば、電子線を用いたリソグラフィー技術の開発が進んでいる。

エキシマレーザー光や電子線の露光に供されるレジスト膜は、通常、化学増幅型レジスト組成物から形成されるものであり、化学増幅型レジスト組成物の主要構成成分である光酸発生剤について種々の化合物が開発されており、例えば、特許文献１には、酸発生剤としてヘテロ環構造と電子求引性基を有するオキシムスルホン酸エステル化合物が記載されている。

しかしながら、レジストとしての総合性能の観点から、使用される樹脂、光酸発生剤、塩基性化合物、添加剤、溶剤等の適切な組み合わせを見い出すことは極めて困難であり、特に、極微細（例えば、線幅５０ｎｍ以下）のパターンを高性能で形成するという昨今の要請を鑑みると、未だ十分とはいえないのが実情である。
特に、電子線やＥＵＶによるリソグラフィーでは、露光量が十分ではなく、高い生産性を得るため高感度化が重要であり、しかも高い経時安定性が求められている。
また、電子線やＸ線、ＥＵＶの光源などを用いた場合には真空下で露光を行うため、溶剤などの低沸点化合物や高いエネルギーにより分解したレジスト材料が揮発し、露光装置を汚染するという、アウトガスの問題が深刻となってきている。近年、アウトガスの低減に関しては様々な研究が進められて来ており、酸発生剤に関してもアウトガス低減の工夫が望まれている。

また、シリコンウエハー上の被覆膜（ＳｉＯ_２、ＴｉＮ、Ｓｉ_３Ｎ_３等）やマスクブランクス上の酸化クロムなど、基板によっては現像後のレジスト形状に影響を与えるものもあり、高解像性やエッチング後の形状を保つためには基板の種類に依存せずレジストのパターンプロファイルを矩形に保つことも重要な性能の一つとなっている。
また、レジスト組成物による微細加工は、直接的な集積回路の製造に用いられるだけでなく、近年ではいわゆるインプリント用モールド構造体の作製等にも適用されている（例えば、特許文献２）。そのため、これらの用途に十分に対応すべく、極微細（例えば、線幅５０ｎｍ以下）のパターンを、感度及び解像力が高く、ラインエッジラフネス（ＬＥＲ）が小さく、パターン形状及び経時安定性に優れ、アウトガス発生も少ない状態で形成できることが重要な課題となってきている。

特開２０１２−４２８３６号公報 特開２００８−１６２１０１号公報

例えば、特許文献１に酸発生剤として記載のオキシムスルホン酸エステル化合物は、感度が低かったり、保存安定性が劣っていることなどを本発明者らは見出している。
本発明の目的は、上記従来技術の課題に鑑み、極微細（例えば、線幅５０ｎｍ以下）のパターン形成において、感度及び解像力が高く、ラインエッジラフネス（ＬＥＲ）が小さく、パターン形状及び経時安定性に優れ、アウトガス発生も少ない半導体製造プロセス用レジスト組成物を提供することにある。
本発明の別の目的は、上記半導体製造プロセス用レジスト組成物を用いたレジスト膜、レジスト塗布マスクブランクス、フォトマスク及びレジストパターン形成方法、並びに、電子デバイスの製造方法及び電子デバイスを提供することにある。

本発明者らは、鋭意検討した結果、特定構造の酸発生剤を含有する半導体製造プロセス用レジスト組成物によって上記目的が達成されることを見出し、この知見に基づき本発明をなすに至ったものである。
即ち、本発明は以下の通りである。
＜１＞
（Ａ）下記一般式（Ｉ）で表される化合物を含有する半導体製造プロセス用レジスト組成物。

上記一般式（Ｉ）中、
Ｒ ^１ は、アルキル基、シクロアルキル基又はアリール基を表し、Ｒ ^２ は、１価の有機基を表す。Ｒ ^３ 〜Ｒ ^６ は、それぞれ、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基又はハロゲン原子を表す。但し、Ｒ ^３ とＲ ^４ 、Ｒ ^４ とＲ ^５ 、又はＲ ^５ とＲ ^６ が結合して脂環又は芳香環を形成してもよい。Ｘは、酸素原子又は硫黄原子を表す。
＜２＞
Ｒ ^１ が、炭素数３〜１０のアルキル基、炭素数３〜１０のシクロアルキル基又は炭素数６〜１２のアリール基である、＜１＞に記載の半導体製造プロセス用レジスト組成物。
＜３＞
Ｒ ^１ が、分岐構造を有するアルキル基、シクロアルキル基又はフェニル基である、＜１＞又は＜２＞に記載の半導体製造プロセス用レジスト組成物。
＜４＞
更に、（Ｐ）フェノール性水酸基を有する化合物を含有する＜１＞〜＜３＞のいずれか１項に記載の半導体製造プロセス用レジスト組成物。
＜５＞
前記化合物（Ｐ）が、下記一般式（１）で表される繰り返し単位を有する樹脂である＜４＞に記載の用レジスト組成物。

上記一般式（１）中、Ｒ _１１ は水素原子、メチル基、又はハロゲン原子を表す。
Ｂ _１ は、単結合又は２価の連結基を表す。
Ａｒは、芳香族環を表す。
ｍ１は、１以上の整数を表す。
＜６＞
更に（Ｃ）酸架橋性化合物を含有する＜１＞〜＜５＞のいずれか１項に記載の半導体製造プロセス用レジスト組成物。
＜７＞
前記化合物（Ｃ）が、ヒドロキシメチル基又はアルコキシメチル基を分子内に２個以上有する化合物である＜６＞に記載の半導体製造プロセス用レジスト組成物。
＜８＞
電子線又は極紫外線露光用である、＜１＞〜＜７＞のいずれか１項に記載の半導体製造プロセス用レジスト組成物。
＜９＞
＜１＞〜＜８＞のいずれか１項に記載の半導体製造プロセス用レジスト組成物により形成されたレジスト膜。
＜１０＞
＜９＞に記載のレジスト膜を塗布したレジスト塗布マスクブランクス。
＜１１＞
＜９＞に記載のレジスト膜を露光する工程、及び、前記露光された膜を現像する工程を有するレジストパターン形成方法。
＜１２＞
＜１０＞に記載のレジスト塗布マスクブランクスを露光する工程、及び前記露光されたマスクブランクスを現像する工程を有するレジストパターン形成方法。
＜１３＞
＜１１＞又は＜１２＞に記載のレジストパターン形成方法を含む、電子デバイスの製造方法。
本発明は上記の＜１＞〜＜１３＞に関するものであるが、以下、その他の事項についても記載した。

〔１〕
（Ａ）下記一般式（Ｉ）で表される化合物を含有する半導体製造プロセス用レジスト組成物。

上記一般式（Ｉ）中、
Ｒ^１は、アルキル基、シクロアルキル基又はアリール基を表し、Ｒ^２は、１価の有機基を表す。Ｒ^３〜Ｒ^６は、それぞれ、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基又はハロゲン原子を表す。但し、Ｒ^３とＲ^４、Ｒ^４とＲ^５、又はＲ^５とＲ^６が結合して脂環又は芳香環を形成してもよい。Ｘは、酸素原子（−Ｏ−）又は硫黄原子（−Ｓ−）を表す。
〔２〕
Ｒ^１が、炭素数３〜１０のアルキル基、炭素数３〜１０のシクロアルキル基又は炭素数６〜１２のアリール基である、〔１〕に記載の半導体製造プロセス用レジスト組成物。
〔３〕
Ｒ^１が、分岐構造を有するアルキル基、シクロアルキル基又はフェニル基である、〔１〕又は〔２〕に記載の半導体製造プロセス用レジスト組成物。
〔４〕
更に、（Ｐ）フェノール性水酸基を有する化合物を含有する〔１〕〜〔３〕のいずれか１項に記載の半導体製造プロセス用レジスト組成物。
〔５〕
前記化合物（Ｐ）が、下記一般式（１）で表される繰り返し単位を有する樹脂である〔１〕〜〔４〕のいずれか１項に記載の半導体製造プロセス用レジスト組成物。

上記一般式（１）中、Ｒ_１１は水素原子、メチル基、又はハロゲン原子を表す。
Ｂ_１は、単結合又は２価の連結基を表す。
Ａｒは、芳香族環を表す。
ｍ１は、１以上の整数を表す。
〔６〕
更に（Ｃ）酸架橋性化合物を含有する〔１〕〜〔５〕のいずれか１項に記載の半導体製造プロセス用レジスト組成物。
〔７〕
前記化合物（Ｃ）が、ヒドロキシメチル基又はアルコキシメチル基を分子内に２個以上有する化合物である〔６〕に記載の半導体製造プロセス用レジスト組成物。
〔８〕
電子線又は極紫外線露光用である、〔１〕〜〔７〕のいずれか１項に記載の半導体製造プロセス用レジスト組成物。
〔９〕
〔１〕〜〔８〕のいずれか１項に記載の半導体製造プロセス用レジスト組成物により形成されたレジスト膜。
〔１０〕
〔９〕に記載のレジスト膜を塗布したレジスト塗布マスクブランクス。
〔１１〕
〔１０〕に記載のレジスト塗布マスクブランクスを、露光及び現像して得られるフォトマスク。
〔１２〕
〔９〕に記載のレジスト膜を露光する工程、及び、前記露光された膜を現像する工程を有するレジストパターン形成方法。
〔１３〕
〔１０〕に記載のレジスト塗布マスクブランクスを露光する工程、及び前記露光されたマスクブランクスを現像する工程を有するレジストパターン形成方法。
〔１４〕
〔１２〕又は〔１３〕に記載のパターン形成方法を含む、電子デバイスの製造方法。
〔１５〕
〔１４〕に記載の電子デバイスの製造方法により製造された電子デバイス。

本発明は、更に、下記の構成であることが好ましい。
〔１６〕
前記一般式（Ｉ）で表される化合物（Ａ）が、活性光線又は放射線の照射により、体積２４０Å^３以上の大きさの酸を発生する化合物である〔１〕〜〔８〕のいずれか１項に記載の半導体製造プロセス用レジスト組成物。
〔１７〕
前記一般式（Ｉ）で表される化合物（Ａ）が、活性光線又は放射線の照射により、下記一般式（ＳＡ１）又は（ＳＡ２）により表されるスルホン酸を発生する化合物である、〔１〕〜〔８〕のいずれか１項に記載の半導体製造プロセス用レジスト組成物。

上記一般式（ＳＡ１）中、
Ａｒは、（ｎ＋１）価の芳香族環を表し、上記一般式中のスルホン酸基及びｎ個の−（Ｄ−Ｂ）基以外の置換基を更に有していてもよい。
ｎは、０以上の整数を表す。
Ｄは、単結合又は２価の連結基を表す。Ｄが複数存在するとき、複数のＤは同一であっても異なっていてもよい。
Ｂは、炭化水素基を表す。Ｂが複数存在するとき、複数のＢは同一であっても異なっていてもよい。

上記一般式（ＳＡ２）中、
Ｘｆは、各々独立に、フッ素原子、又は少なくとも１つのフッ素原子で置換されたアルキル基を表す。
Ｒ_１及びＲ_２は、各々独立に、水素原子、フッ素原子、又は、アルキル基を表し、複数存在する場合のＲ_１及びＲ_２の各々は、互いに同一であってもよく、互いに異なっていてもよい。
Ｌは、２価の連結基を表し、複数存在する場合のＬは、互いに同一であってもよく、互いに異なっていてもよい。
Ｅは、環状の有機基を表す。
ｘは１〜２０の整数を表し、ｙは０〜１０の整数を表し、ｚは０〜１０の整数を表す。
〔１８〕
上記化合物（Ｐ）が、下記一般式（Ａ）で表される繰り返し単位を有する樹脂である〔５〕に記載の半導体製造プロセス用レジスト組成物。

式中、Ｒ_０１、Ｒ_０２及びＲ_０３は、各々独立に水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、ハロゲン原子、シアノ基又はアルコキシカルボニル基を表す。Ａｒ_１は芳香環基を表す。Ｒ_０３とＡｒ_１とがアルキレン基であり、両者が互いに結合することにより、−Ｃ−Ｃ−鎖と共に、５員又は６員環を形成していてもよい。
Ｙは、各々独立に、下記一般式（Ｂ）で表される構造を表す。
ｎは、１〜４の整数を表す。

式中、Ｌ_１及びＬ_２は、各々独立に、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基又はアラルキル基を表す。
Ｍは、単結合又は２価の連結基を表す。
Ｑは、アルキル基、シクロアルキル基、環状脂肪族基、芳香環基、アミノ基、アンモニウム基、メルカプト基、シアノ基又はアルデヒド基を表す。なお、これら環状脂肪族基及び芳香環基は、ヘテロ原子を含んでいてもよい。
なお、Ｑ、Ｍ、Ｌ_１の少なくとも２つが互いに結合して、５員又は６員環を形成していてもよい。

本発明によれば、極微細（例えば、線幅５０ｎｍ以下）のパターン形成において、感度及び解像力が高く、ＬＥＲが小さく、パターン形状及び経時安定性に優れ、アウトガス発生も少ない半導体製造プロセス用レジスト組成物を提供することができる。
また本発明によれば、上記半導体製造プロセス用レジスト組成物を用いたレジスト膜、レジスト塗布マスクブランクス、フォトマスク及びレジストパターン形成方法、並びに、電子デバイスの製造方法及び電子デバイスを提供することができる。

以下、本発明を実施するための形態について詳細に説明する。
なお、本明細書に於ける基（原子団）の表記において、置換又は無置換を記していない表記は、置換基を有していないものと共に置換基を有するものをも包含するものである。例えば、「アルキル基」とは、置換基を有さないアルキル基（無置換アルキル基）のみならず、置換基を有するアルキル基（置換アルキル基）をも包含するものである。
本発明において「活性光線」又は「放射線」とは、例えば、水銀灯の輝線スペクトル、エキシマレーザーに代表される遠紫外線、極紫外線（ＥＵＶ光）、Ｘ線、電子線（ＥＢ）等を意味する。また、本発明において「光」とは、活性光線又は放射線を意味する。本明細書中における「露光」とは、特に断らない限り、水銀灯、エキシマレーザーに代表される遠紫外線、Ｘ線、ＥＵＶ光等による露光のみならず、電子線及びイオンビーム等の粒子線による描画も露光に含める。

本発明の半導体製造プロセス用レジスト組成物は、（Ａ）下記一般式（Ｉ）で表される化合物を含有する。

上記一般式（Ｉ）中、
Ｒ^１は、アルキル基、シクロアルキル基又はアリール基を表し、Ｒ^２は、１価の有機基を表す。Ｒ^３〜Ｒ^６は、それぞれ、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基又はハロゲン原子を表す。但し、Ｒ^３とＲ^４、Ｒ^４とＲ^５、又はＲ^５とＲ^６が結合して脂環又は芳香環を形成してもよい。Ｘは、酸素原子（−Ｏ−）又は硫黄原子（−Ｓ−）を表す。

本発明において、半導体製造プロセス用レジスト組成物とは、半導体デバイスの製造プロセスに使用される感活性光線性又は感放射線性のレジスト組成物をいう。
本発明の半導体製造プロセス用レジスト組成物は、上記構成により極微細（例えば、線幅５０ｎｍ以下）のパターン形成において、感度及び解像力が高く、ＬＥＲが小さく、パターン形状及び経時安定性に優れ、アウトガス発生も少ない理由は定かではないが、以下のように推定される。
一般式（Ｉ）で表されるオキシムスルホン酸エステル化合物は、Ｘを含む特定の縮合ヘテロ環構造と、電子求引性基としてＣ（＝Ｏ）Ｒ^１とを有する構造により、分解効率（酸発生効率）が高く、感度及び解像力に寄与するものと考えられる。また、前記オキシムスルホン酸エステル化合物は上記構造により経時安定性にも優れ、また、酸発生時のアウトガス発生も少ないものと推定される。
また、従来のイオン性の酸発生剤は、そのイオン性によりレジスト組成物中の樹脂のイオン性部位と吸着し得、均一な分散ないし分布が損なわれ得るのに対し、前記一般式（Ｉ）で表されるオキシムスルホン酸エステル化合物は、高分解効率（高酸発生効率）に加え、非イオン性（ノニオン性）であることからレジスト組成物（レジスト膜）中に均一に分散ないし分布することができ、ＬＥＲ低減及びパターン形状の矩形化に寄与するものと推定される。

本発明の半導体製造プロセス用レジスト組成物は、電子線又は極紫外線露光用であることが好ましい。
本発明の半導体製造プロセス用レジスト組成物は、ポジ型レジスト組成物として使用してもよく、ネガ型レジスト組成物として使用してもよい。
以下、本発明の半導体製造プロセス用レジスト組成物の各成分について詳細に説明する。

〔１〕一般式（Ｉ）で表される化合物（Ａ）
本発明の半導体製造プロセス用レジスト組成物に含有される（Ａ）一般式（Ｉ）で表される化合物（以下、単に化合物（Ａ）ともいう）は、光酸発生剤として機能し得る。

上記一般式（Ｉ）中、
Ｒ¹は、アルキル基、シクロアルキル基又はアリール基を表し、Ｒ^２は、１価の有機基を表す。Ｒ^３〜Ｒ^６は、それぞれ、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基又はハロゲン原子を表す。但し、Ｒ^３とＲ^４、Ｒ^４とＲ^５、又はＲ^５とＲ^６が結合して脂環又は芳香環を形成してもよい。Ｘは、酸素原子又は硫黄原子を表す。）

Ｒ¹は、アルキル基、シクロアルキル基又はアリール基を表す。アルキル基は、分岐構造を有するアルキル基が好ましい。
アルキル基の炭素数は、好ましくは３〜１０である。特にアルキル基が分岐構造を有する場合、炭素数３〜６のアルキル基が好ましい。
アルキル基としては、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、ｓ−ブチル基、イソブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ペンチル基、イソペンチル基、ネオペンチル基、１，１−ジメチルプロピル基、ヘキシル基、１−エチルペンチル基、２−エチルヘキシル基、オクチル基などが挙げられ、好ましくは、イソプロピル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ネオペンチル基である。
シクロアルキル基の炭素数は、３〜１０であることが好ましく、５〜７であることがより好ましい。シクロアルキル基としては、シクロペンチル基、シクロヘキシル基等が挙げられ、シクロヘキシル基であることが好ましい。
アリール基の炭素数は、好ましくは６〜１２であり、より好ましくは６〜８であり、更に好ましくは６〜７である。前記アリール基としては、フェニル基、ナフチル基などが挙げられ、好ましくは、フェニル基である。
Ｒ^１が表すアルキル基、シクロアルキル基、及びアリール基は、置換基を有していてもよい。置換基としては、例えばハロゲン原子（フッ素原子、クロロ原子、臭素原子、ヨウ素原子）、直鎖又は分岐状のアルキル基（例えばメチル基、エチル基、プロピル基など）、シクロアルキル基（シクロヘキシル基など）、アルケニル基、アルキニル基、アリール基、アシル基、アルコキシカルボニル基、アリールオキシカルボニル基、カルバモイル基、シアノ基、カルボキシル基、水酸基、アルコキシ基、アリールオキシ基、アルキルチオ基、アリールチオ基、ヘテロ環オキシ基、アシルオキシ基、アミノ基、ニトロ基、ヒドラジノ基、ヘテロ環基などが挙げられる。また、これらの基によって更に置換されていてもよい。好ましくは、ハロゲン原子、メチル基である。

本発明の半導体製造プロセス用レジスト組成物は、感度と経時安定性とを両立させる観点から、Ｒ^１は、炭素数３〜１０のアルキル基、炭素数３〜１０のシクロアルキル基又は炭素数６〜１２のアリール基であることが好ましく、炭素数３〜６の分岐構造を有するアルキル基、炭素数５〜７のシクロアルキル基又はフェニル基がより好ましく、炭素数３〜６の分岐構造を有するアルキル基又は炭素数５〜７のシクロアルキル基が更に好ましい。このようなかさ高い基（特に、かさ高いアルキル基又はシクロアルキル基）をＲ^１として採用することにより、透明性をより向上させることが可能になる。
かさ高い基の中でも、イソプロピル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ネオペンチル基、シクロヘキシル基が好ましく、ｔｅｒｔ−ブチル基、シクロヘキシル基がより好ましい。

Ｒ^２についての１価の有機基としては、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基、ヘテロアリール基等が挙げられる。
１価の有機基Ｒ^２が表すアルキル基としては、炭素数１〜１０の直鎖又は分岐状のアルキル基が好ましい。前記アルキル基としては、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ペンチル基、ネオペンチル基、ヘキシル基、シクロヘキシル基などが挙げられる。
１価の有機基Ｒ^２についてのシクロアルキル基としては環員としてカルボニル基を有していてもよく、シクロアルキル基の炭素数は、３〜２０であることが好ましく、５〜１５であることがより好ましい。シクロアルキル基としては、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、アダマンチル基、ノルボルニル基、７，７‐ジメチルビシクロ［２．２．１］ヘプタノン基等が挙げられる。
１価の有機基Ｒ^２についてのアリール基としては、炭素数６〜１０のアリール基が好ましい。前記アリール基としては、フェニル基、ナフチル基、ｐ−トルイル基（ｐ−メチルフェニル基）などが挙げられ、好ましくは、フェニル基、ｐ−トルイル基である。
１価の有機基Ｒ^２についてのヘテロアリール基としては、例えば、ピロール基、インドール基、カルバゾール基、フラン基、チオフェン基などが挙げられる。
１価の有機基Ｒ^２が表すアルキル基、シクロアルキル基、アリール基、及びヘテロアリール基は、置換基を有していてもよい。置換基としては、例えばハロゲン原子（フッ素原子、クロロ原子、臭素原子、ヨウ素原子）、直鎖又は分岐状のアルキル基（例えばメチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、イソプロピル基、ｔ−ブチル基など）、シクロアルキル基（シクロヘキシル基、アダマンチル基など）、シクロアルキルカルボニルオキシ基、シクロアルキルオキシカルボニル基、シクロアルキルアルキルオキシカルボニル基（アダマンチルメチルオキシカルボニル基など）、７，７‐ジメチルビシクロ［２．２．１］ヘプタノン基、デカヒドロイソキノリンスルホニル基、アルケニル基、アルキニル基、アリール基、アシル基、アルコキシカルボニル基、アリールオキシカルボニル基、カルバモイル基、シアノ基、カルボキシル基、水酸基、アルコキシ基、アリールオキシ基、アルキルチオ基、アリールチオ基、ヘテロ環オキシ基、アシルオキシ基、アミノ基、ニトロ基、ヒドラジノ基、ヘテロ環基などが挙げられる。また、これらの基によって更に置換されていてもよい。特に、分岐状アルキル基、シクロアルキル基、シクロアルキルカルボニルオキシ基、シクロアルキルオキシカルボニル基、シクロアルキルアルキルオキシカルボニル基、７，７‐ジメチルビシクロ［２．２．１］ヘプタノン基、デカヒドロイソキノリンスルホニル基等のかさ高い基であることが好ましい。このような置換基を有することで、発生酸の拡散を制御し、解像力を向上し、ＬＥＲを低減し、パターン形状を良好にすることができる。また、感度向上の観点からフッ素原子であることも好ましい。
Ｒ^２は、アルキル基、シクロアルキル基又はアリール基がより好ましく、アリール基が更に好ましく、フェニル基が特に好ましい。
前記一般式（Ｉ）で表される化合物（Ａ）は、活性光線又は放射線の照射により、下記一般式（ｓ）で表される酸（スルホン酸）を発生し得る。

上記一般式（ｓ）中、Ｒ^２は前記一般式（Ｉ）におけるＲ^２と同義である。
本発明においては、前記一般式（Ｉ）で表される化合物（Ａ）は、露光で発生した酸の非露光部への拡散を抑制し解像性（解像力、ＬＥＲ、パターン形状）を良好にする観点から、活性光線又は放射線の照射により、体積２４０Å^３以上の大きさの酸を発生する化合物であることが好ましく、体積３００Å^３以上の大きさの酸を発生する化合物であることがより好ましく、体積３５０Å^３以上の大きさの酸を発生する化合物であることが更に好ましく、体積４００Å^３以上の大きさの酸を発生する化合物であることが特に好ましい。ただし、感度や塗布溶剤溶解性の観点から、上記体積は、２０００Å^３以下であることが好ましく、１５００Å^３以下であることが更に好ましい。上記体積の値は、富士通株式会社製の「ＷｉｎＭＯＰＡＣ」を用いて求めることができる。すなわち、まず、各例に係る酸の化学構造を入力し、次に、この構造を初期構造としてＭＭ３法を用いた分子力場計算により、各酸の最安定立体配座を決定し、その後、これら最安定立体配座についてＰＭ３法を用いた分子軌道計算を行うことにより、各酸の「ａｃｃｅｓｓｉｂｌｅ ｖｏｌｕｍｅ」を計算することができる。

また、前記化合物（Ａ）が発生し得る一般式（ｓ）で表されるスルホン酸としては、下記一般式（ＳＡ１）又は（ＳＡ２）により表されるスルホン酸であることが好ましい。

上記一般式（ＳＡ１）中、
Ａｒは、（ｎ＋１）価の芳香族環を表し、上記一般式中のスルホン酸基及びｎ個の−（Ｄ−Ｂ）基以外の置換基を更に有していてもよい。
ｎは、０以上の整数を表す。
Ｄは、単結合又は２価の連結基を表す。Ｄが複数存在するとき、複数のＤは同一であっても異なっていてもよい。
Ｂは、炭化水素基を表す。Ｂが複数存在するとき、複数のＢは同一であっても異なっていてもよい。

上記一般式（ＳＡ２）中、
Ｘｆは、各々独立に、フッ素原子、又は少なくとも１つのフッ素原子で置換されたアルキル基を表す。
Ｒ_１及びＲ_２は、各々独立に、水素原子、フッ素原子、又は、アルキル基を表し、複数存在する場合のＲ_１及びＲ_２の各々は、互いに同一であってもよく、互いに異なっていてもよい。
Ｌは、２価の連結基を表し、複数存在する場合のＬは、互いに同一であってもよく、互いに異なっていてもよい。
Ｅは、環状の有機基を表す。
ｘは１〜２０の整数を表し、ｙは０〜１０の整数を表し、ｚは０〜１０の整数を表す。

まず、式（ＳＡ１）により表されるスルホン酸について、詳しく説明する。
上記一般式（ＳＡ１）中、Ａｒは、好ましくは、炭素数６〜３０の芳香族環である。具体的には、Ａｒは、例えば、ベンゼン環、ナフタレン環、ペンタレン環、インデン環、アズレン環、ヘプタレン環、インデセン環、ペリレン環、ペンタセン環、アセタフタレン環、フェナントレン環、アントラセン環、ナフタセン環、クリセン環、トリフェニレン環、フルオレン環、ビフェニル環、ピロール環、フラン環、チオフェン環、イミダゾール環、オキサゾール環、チアゾール環、ピリジン環、ピラジン環、ピリミジン環、ピリダジン環、インドリジン環、インドール環、ベンゾフラン環、ベンゾチオフェン環、イソベンゾフラン環、キノリジン環、キノリン環、フタラジン環、ナフチリジン環、キノキサリン環、キノキサゾリン環、イソキノリン環、カルバゾール環、フェナントリジン環、アクリジン環、フェナントロリン環、チアントレン環、クロメン環、キサンテン環、フェノキサチイン環、フェノチアジン環又はフェナジン環である。中でも、ラフネス（ＬＥＲ）改良と高感度化との両立の観点から、ベンゼン環、ナフタレン環又はアントラセン環が好ましく、ベンゼン環がより好ましい。

Ａｒが上記一般式中のスルホン酸基及びｎ個の−（Ｄ−Ｂ）基以外の置換基を更に有している場合、この置換基としては、例えば、フッ素原子、塩素原子、臭素原子及びヨウ素原子等のハロゲン原子；ヒドロキシ基；カルボキシ基；並びにスルホン酸基が挙げられる。

上記一般式（ＳＡ１）中、ｎは、好ましくは１〜４であり、より好ましくは２〜３であり、最も好ましくは３である。
上記一般式（ＳＡ１）中、Ｄについての２価の連結基としては、アルキレン基、エーテル結合、チオエーテル結合、カルボニル基、スルホキシド基、スルホニル基、スルホン酸エステル結合、エステル結合、及び、これらの２種以上の組み合わせからなる基等を挙げることができる。
上記一般式（ＳＡ１）中、Ｄは、好ましくは、単結合であるか、又は、エーテル結合若しくはエステル結合である。より好ましくは、Ｄは、単結合である。

上記一般式（ＳＡ１）中、
炭化水素基Ｂとしては、例えば、アルキル基（好ましくは炭素数１〜２０のアルキル基）、シクロアルキル基（好ましくは炭素数３〜２０のシクロアルキル基）、アルケニル基（好ましくは炭素数２〜２０のアルケニル基）、アルキニル基（好ましくは炭素数２〜２０のアルキニル基）、アリール基（好ましくは炭素数６〜３０のアリール基）等が挙げられる。
炭化水素基Ｂは、脂肪族炭化水素基であることが好ましく、アルキル基又はシクロアルキル基であることがより好ましく、シクロアルキル基であることが更に好ましい。

炭化水素基Ｂとしてのアルキル基は、好ましくは、分岐アルキル基である。この分岐アルキル基としては、例えば、イソプロピル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ペンチル基、ネオペンチル基、ｓｅｃ−ブチル基、イソブチル基、イソヘキシル基、３，３−ジメチルペンチル基及び２−エチルヘキシル基が挙げられる。

炭化水素基Ｂとしてのシクロアルキル基は、単環のシクロアルキル基であってもよく、多環のシクロアルキル基であってもよい。単環のシクロアルキル基としては、例えば、シクロプロピル基、シクロブチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、シクロヘプチル基及びシクロオクチル基が挙げられる。多環のシクロアルキル基としては、例えば、アダマンチル基、ノルボルニル基、ボルニル基、カンフェニル基、デカヒドロナフチル基、トリシクロデカニル基、テトラシクロデカニル基、カンホロイル基、ジシクロヘキシル基及びピネニル基が挙げられる。

炭化水素基Ｂとしてのアルケニル基としては、例えば、ビニル基、プロペニル基、ヘキセニル基が挙げられる。

炭化水素基Ｂとしてのアルキニル基としては、例えば、プロピニル基、ヘキシニル基等が挙げられる。

炭化水素基Ｂとしてのアリール基としては、例えば、フェニル基、ｐ−トリル基が挙げられる。

炭化水素基Ｂとしてのアルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アリール基又はシクロアルキル基は、置換基を有していてもよい。この置換基としては、例えば、以下のものが挙げられる。即ち、この置換基として、フッ素原子、塩素原子、臭素原子及びヨウ素原子等のハロゲン原子；メトキシ基、エトキシ基及びｔｅｒｔ−ブトキシ基等のアルコキシ基；フェノキシ基及びｐ−トリルオキシ基等のアリールオキシ基；メチルチオキシ基、エチルチオキシ基及びｔｅｒｔ−ブチルチオキシ基等のアルキルチオキシ基；フェニルチオキシ基及びｐ−トリルチオキシ基等のアリールチオキシ基；メトキシカルボニル基、ブトキシカルボニル基及びフェノキシカルボニル基等のアルコキシカルボニル基；アセトキシ基；メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ヘプチル基、ヘキシル基、ドデシル基及び２―エチルヘキシル基等の直鎖アルキル基；分岐アルキル基；シクロヘキシル基等のシクロアルキル基；ビニル基、プロペニル基及びヘキセニル基等のアルケニル基；アセチレン基；プロピニル基及びヘキシニル基等のアルキニル基；フェニル基及びトリル基等のアリール基；ヒドロキシ基；カルボキシ基；スルホン酸基；並びにカルボニル基等が挙げられる。中でも、ラフネス改良と高感度化との両立の観点から、直鎖アルキル基及び分岐アルキル基が好ましい。

次に、上記一般式（ＳＡ２）により表されるスルホン酸について、詳しく説明する。
上記一般式（ＳＡ２）中、Ｘｆは、フッ素原子であるか、又は、少なくとも１つのフッ素原子で置換されたアルキル基である。このアルキル基としては、炭素数が１〜１０のものが好ましく、炭素数が１〜４のものがより好ましい。また、フッ素原子で置換されたアルキル基は、パーフルオロアルキル基であることが好ましい。

Ｘｆは、好ましくは、フッ素原子又は炭素数１〜４のパーフルオロアルキル基である。具体的には、Ｘｆは、好ましくは、フッ素原子、ＣＦ_３、Ｃ_２Ｆ_５、Ｃ_３Ｆ_７、Ｃ_４Ｆ_９、Ｃ_５Ｆ_１１、Ｃ_６Ｆ_１３、Ｃ_７Ｆ_１５、Ｃ_８Ｆ_１７、ＣＨ_２ＣＦ_３、ＣＨ_２ＣＨ_２ＣＦ_３、ＣＨ_２Ｃ_２Ｆ_５、ＣＨ_２ＣＨ_２Ｃ_２Ｆ_５、ＣＨ_２Ｃ_３Ｆ_７、ＣＨ_２ＣＨ_２Ｃ_３Ｆ_７、ＣＨ_２Ｃ_４Ｆ_９又はＣＨ_２ＣＨ_２Ｃ_４Ｆ_９である。中でも、フッ素原子又はＣＦ_３が好ましく、フッ素原子が最も好ましい。

上記一般式（ＳＡ２）中、Ｒ_１及びＲ_２は、各々独立に、水素原子、フッ素原子、又はアルキル基である。アルキル基は、置換基（好ましくはフッ素原子）を有していてもよく、炭素数１〜４のものが好ましい。Ｒ_１及びＲ_２の置換基を有していてもよいアルキル基としては、炭素数１〜４のパーフルオロアルキル基が特に好ましい。具体的には、Ｒ_１、Ｒ_２の置換基を有するアルキル基は、ＣＦ_３、Ｃ_２Ｆ_５、Ｃ_３Ｆ_７、Ｃ_４Ｆ_９、Ｃ_５Ｆ_１１、Ｃ_６Ｆ_１３、Ｃ_７Ｆ_１５、Ｃ_８Ｆ_１７、ＣＨ_２ＣＦ_３、ＣＨ_２ＣＨ_２ＣＦ_３、ＣＨ_２Ｃ_２Ｆ_５、ＣＨ_２ＣＨ_２Ｃ_２Ｆ_５、ＣＨ_２Ｃ_３Ｆ_７、ＣＨ_２ＣＨ_２Ｃ_３Ｆ_７、ＣＨ_２Ｃ_４Ｆ_９及びＣＨ_２ＣＨ_２Ｃ_４Ｆ_９が挙げられ、中でもＣＦ_３が好ましい。

上記一般式（ＳＡ２）中、ｘは１〜８が好ましく、１〜４がより好ましい。ｙは０〜４が好ましく、０がより好ましい。ｚは０〜８が好ましく、０〜４がより好ましい。

上記一般式（ＳＡ２）中、Ｌは、単結合又は２価の連結基を表す。２価の連結基としては、例えば、−ＣＯＯ−、−ＯＣＯ−、−ＣＯ−、−Ｏ−、−Ｓ−、−ＳＯ−、−ＳＯ_２−、アルキレン基、シクロアルキレン基、アルケニレン基又はこれらの２種以上の組み合わせが挙げられ、総炭素数が２０以下のものが好ましい。中でも、−ＣＯＯ−、−ＯＣＯ−、−ＣＯ−、−Ｏ−、−Ｓ−、−ＳＯ−又は−ＳＯ_２−が好ましく、−ＣＯＯ−、−ＯＣＯ−又は−ＳＯ_２−がより好ましい。

上記一般式（ＳＡ２）中、Ｅは、環状の有機基を表す。Ｅとしては、例えば、環状脂肪族基、アリール基及び複素環基が挙げられる。
Ｅとしての環状脂肪族基は総炭素数２０以下のものが好ましく、単環構造を有していてもよく、多環構造を有していてもよい。単環構造を有した環状脂肪族基としては、シクロペンチル基、シクロヘキシル基及びシクロオクチル基等の単環のシクロアルキル基が好ましい。多環構造を有した環状脂肪族基としては、ノルボルニル基、トリシクロデカニル基、テトラシクロデカニル基、テトラシクロドデカニル基及びアダマンチル基等の多環のシクロアルキル基が好ましい。特には、Ｅとして６員環以上のかさ高い構造を有する環状脂肪族基を採用した場合、ＰＥＢ（露光後加熱）工程での膜中拡散性が抑制され、解像力を更に向上させ、ＬＥＲを更に良好にすることができる。

Ｅとしてのアリール基は、総炭素数２０以下のものが好ましく、例えば、ベンゼン環、ナフタレン環、フェナンスレン環又はアントラセン環である。

Ｅとしての複素環基は、総炭素数２０以下のものが好ましく、芳香族性を有していてもよく、芳香族性を有していなくてもよい。この基に含まれているヘテロ原子としては、窒素原子又は酸素原子が好ましい。複素環構造の具体例としては、フラン環、チオフェン環、ベンゾフラン環、ベンゾチオフェン環、ジベンゾフラン環、ジベンゾチオフェン環、ピリジン環、ピペリジン環及びモルホリン環等が挙げられる。中でも、フラン環、チオフェン環、ピリジン環、ピペリジン環及びモルホリン環が好ましい。

Ｅは、置換基を有していてもよい。この置換基としては、例えば、アルキル基（直鎖、分岐、環状のいずれであってもよく、炭素数１〜１２が好ましい）、アリール基（炭素数６〜１４が好ましい）、ヒドロキシ基、アルコキシ基、エステル基、アミド基、ウレタン基、ウレイド基、チオエーテル基、スルホンアミド基及びスルホン酸エステル基が挙げられる。

以下、活性光線又は放射線の照射により化合物（Ａ）が発生する酸の具体例及び体積値を示すが、本発明はこれらに限定されるものではない。

Ｒ^３〜Ｒ^６は、それぞれ、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基又はハロゲン原子（例えば、フッ素原子、クロロ原子、臭素原子、ヨウ素原子）を表す。Ｒ^３〜Ｒ^６が表すアルキル基及びシクロアルキル基としては、それぞれ、Ｒ^２が表すアルキル基及びシクロアルキル基と同義であり、好ましい範囲も同様である。また、Ｒ^３〜Ｒ^６が表すアリール基としては、Ｒ^１が表すアリール基と同義であり、好ましい範囲も同様である。
Ｒ^３〜Ｒ^６のうち、Ｒ^３とＲ^４、Ｒ^４とＲ^５、又はＲ^５とＲ^６が結合して環を形成してもよく、環としては、脂環又は芳香環を形成していることが好ましく、ベンゼン環がより好ましい。
Ｒ^３〜Ｒ^６は、水素原子、アルキル基、ハロゲン原子（フッ素原子、クロロ原子、臭素原子）、又は、Ｒ^３とＲ^４、Ｒ^４とＲ^５、又はＲ^５とＲ^６が結合してベンゼン環を構成していることが好ましく、水素原子、メチル基、フッ素原子、クロロ原子、臭素原子又はＲ^３とＲ^４、Ｒ^４とＲ^５、又はＲ^５とＲ^６が結合してベンゼン環を構成していることがより好ましい。
Ｒ^３〜Ｒ^６の好ましい態様は以下の通りである。
（態様１）Ｒ^３〜Ｒ^６の少なくとも２つが水素原子である。
（態様２）アルキル基、シクロアルキル基、アリール基及びハロゲン原子の数は、合計で３つ以下である。好ましくは１つ以下である。
（態様３）Ｒ^３とＲ^４、Ｒ^４とＲ^５、又はＲ^５とＲ^６が結合してベンゼン環を構成している。
（態様４）上記態様１と２を満たす態様、及び／又は上記態様１と３を満たす態様。

なお、上記一般式（Ｉ）で表される化合物（Ａ）は下記一般式（Ｉ−１）又は（Ｉ−２）で表される立体異性体が存在し得るが、いずれの立体異性体であってもよい。また、１種の立体異性体を単独で用いても、複数の立体異性体を混合して用いてもよい。

上記式中、Ｒ^１〜Ｒ^６及びＸは、一般式（Ｉ）におけるＲ^１〜Ｒ^６及びＸと同義である。
上記一般式（Ｉ）で表される化合物（Ａ）の具体例としては、以下のような化合物が挙げられるが、本発明では特にこれらに限定されない。なお、例示化合物中、Ｔｓはトシル基（ｐ−トルエンスルホニル基）を表し、Ｍｅはメチル基を表し、Ｂｕはｎ−ブチル基を表し、Ｐｈはフェニル基を表す。

前記一般式（Ｉ）で表される化合物（Ａ）の含有量は、半導体製造プロセス用レジスト組成物の全固形分を基準として、好ましくは１〜４０質量％であり、より好ましくは２〜３０質量％であり、更に好ましくは３〜２５質量％である。
前記一般式（Ｉ）で表される化合物（Ａ）は、１種単独で又は２種以上を組合せて使用することができる。

〔１’〕併用酸発生剤（Ａ’）
本発明の半導体製造プロセス用レジスト組成物は、化合物（Ａ）の以外に、更に、活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物（Ａ’）（以下、「併用酸発生剤（Ａ’）」ともいう）を含有してもよい。
以下に、化合物（Ａ）以外の併用酸発生剤（Ａ’）について説明する。
併用酸発生剤（Ａ’）としては、光カチオン重合の光開始剤、光ラジカル重合の光開始剤、色素類の光消色剤、光変色剤、あるいはマイクロレジスト等に使用されている、活性光線又は放射線の照射により酸を発生する公知の化合物及びそれらの混合物を適宜に選択して使用することができる。

たとえば、ジアゾニウム塩、ホスホニウム塩、スルホニウム塩、ヨードニウム塩、イミドスルホネート、オキシムスルホネート、ジアゾジスルホン、ジスルホン、ｏ−ニトロベンジルスルホネートを挙げることができる。
併用酸発生剤の内で好ましい化合物として、公知のものであれば特に限定されないが、好ましくは下記一般式（ＺＩ’）、（ＺＩＩ’）又は（ＺＩＩＩ’）で表される化合物を挙げることができる。

上記一般式（ＺＩ’）において、Ｒ_２０１、Ｒ_２０２及びＲ_２０３は、各々独立に、有機基を表す。
Ｒ_２０１、Ｒ_２０２及びＲ_２０３としての有機基の炭素数は、一般的に１〜３０、好ましくは１〜２０である。
また、Ｒ_２０１〜Ｒ_２０３のうち２つが結合して環構造を形成してもよく、環内に酸素原子、硫黄原子、エステル結合、アミド結合、カルボニル基を含んでいてもよい。Ｒ_２０１〜Ｒ_２０３の内の２つが結合して形成する基としては、アルキレン基（例えば、ブチレン基、ペンチレン基）を挙げることができる。
Ｒ_２０１、Ｒ_２０２及びＲ_２０３により表される有機基としては、例えば、後述する化合物（ＺＩ’−１）における対応する基を挙げることができる。

なお、一般式（ＺＩ’）で表される構造を複数有する化合物であってもよい。例えば、一般式（ＺＩ’）で表される化合物のＲ_２０１〜Ｒ_２０３の少なくとも１つが、一般式（ＺＩ’）で表されるもうひとつの化合物のＲ_２０１〜Ｒ_２０３の少なくとも一つと、単結合又は連結基を介して結合した構造を有する化合物であってもよい。
Ｚ⁻は、非求核性アニオン（求核反応を起こす能力が著しく低いアニオン）を表す。
Ｚ⁻としては、例えば、スルホン酸アニオン（脂肪族スルホン酸アニオン、芳香族スルホン酸アニオン、カンファースルホン酸アニオンなど）、カルボン酸アニオン（脂肪族カルボン酸アニオン、芳香族カルボン酸アニオン、アラルキルカルボン酸アニオンなど）、スルホニルイミドアニオン、ビス（アルキルスルホニル）イミドアニオン、トリス（アルキルスルホニル）メチドアニオン等を挙げられる。
脂肪族スルホン酸アニオン及び脂肪族カルボン酸アニオンにおける脂肪族部位は、アルキル基であってもシクロアルキル基であってもよく、好ましくは炭素数１〜３０の直鎖又は分岐のアルキル基及び炭素数３〜３０のシクロアルキル基が挙げられる。
芳香族スルホン酸アニオン及び芳香族カルボン酸アニオンにおける芳香族基としては、好ましくは炭素数６〜１４のアリール基、例えば、フェニル基、トリル基、ナフチル基等を挙げることができる。
上記で挙げたアルキル基、シクロアルキル基及びアリール基は、置換基を有していてもよい。この具体例としては、ニトロ基、フッ素原子などのハロゲン原子、カルボキシル基、水酸基、アミノ基、シアノ基、アルコキシ基（好ましくは炭素数１〜１５）、シクロアルキル基（好ましくは炭素数３〜１５）、アリール基（好ましくは炭素数６〜１４）、アルコキシカルボニル基（好ましくは炭素数２〜７）、アシル基（好ましくは炭素数２〜１２）、アルコキシカルボニルオキシ基（好ましくは炭素数２〜７）、アルキルチオ基（好ましくは炭素数１〜１５）、アルキルスルホニル基（好ましくは炭素数１〜１５）、アルキルイミノスルホニル基（好ましくは炭素数２〜１５）、アリールオキシスルホニル基（好ましくは炭素数６〜２０）、アルキルアリールオキシスルホニル基（好ましくは炭素数７〜２０）、シクロアルキルアリールオキシスルホニル基（好ましくは炭素数１０〜２０）、アルキルオキシアルキルオキシ基（好ましくは炭素数５〜２０）、シクロアルキルアルキルオキシアルキルオキシ基（好ましくは炭素数８〜２０）等を挙げることができる。各基が有するアリール基及び環構造については、置換基として更にアルキル基（好ましくは炭素数１〜１５）を挙げることができる。

アラルキルカルボン酸アニオンにおけるアラルキル基としては、好ましくは炭素数７〜１２のアラルキル基、例えば、ベンジル基、フェネチル基、ナフチルメチル基、ナフチルエチル基、ナフチルブチル基等を挙げることができる。
スルホニルイミドアニオンとしては、例えば、サッカリンアニオンを挙げることができる。
ビス（アルキルスルホニル）イミドアニオン、トリス（アルキルスルホニル）メチドアニオンにおけるアルキル基は、炭素数１〜５のアルキル基が好ましい。
ビス（アルキルスルホニル）イミドアニオンにおける２つのアルキル基が互いに連結してアルキレン基（好ましくは炭素数２〜４）を成し、イミド基及び２つのスルホニル基とともに環を形成していてもよい。
これらのアルキル基及びビス（アルキルスルホニル）イミドアニオンにおける２つのアルキル基が互いに連結して成すアルキレン基が有し得る置換基としてはハロゲン原子、ハロゲン原子で置換されているアルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アルキルオキシスルホニル基、アリールオキシスルホニル基、シクロアルキルアリールオキシスルホニル基等を挙げることができ、フッ素原子又はフッ素原子で置換されているアルキル基が好ましい。

その他のＺ⁻としては、例えば、弗素化燐（例えば、ＰＦ_６ ⁻）、弗素化硼素（例えば、ＢＦ_４ ⁻）、弗素化アンチモン（例えば、ＳｂＦ_６ ⁻）等を挙げることができる。
Ｚ⁻としては、スルホン酸の少なくともα位がフッ素原子で置換されている脂肪族スルホン酸アニオン、フッ素原子又はフッ素原子を有する基で置換されている芳香族スルホン酸アニオン、アルキル基がフッ素原子で置換されているビス（アルキルスルホニル）イミドアニオン、アルキル基がフッ素原子で置換されているトリス（アルキルスルホニル）メチドアニオンが好ましい。非求核性アニオンとして、より好ましくはパーフロロ脂肪族スルホン酸アニオン（更に好ましくは炭素数４〜８）、フッ素原子を有するベンゼンスルホン酸アニオン、更により好ましくはノナフロロブタンスルホン酸アニオン、パーフロロオクタンスルホン酸アニオン、ペンタフロロベンゼンスルホン酸アニオン、３，５−ビス（トリフロロメチル）ベンゼンスルホン酸アニオンである。
酸強度の観点からは、発生酸のｐＫａが−１以下であることが、感度向上のために好ましい。
更に好ましい（ＺＩ’）成分として、以下に説明する化合物（ＺＩ’−１）を挙げることができる。
化合物（ＺＩ’−１）は、上記一般式（ＺＩ’）のＲ_２０１〜Ｒ_２０３の少なくとも１つがアリール基である、アリールスルホニウム化合物、即ち、アリールスルホニウムをカチオンとする化合物である。
アリールスルホニウム化合物は、Ｒ_２０１〜Ｒ_２０３の全てがアリール基でもよいし、Ｒ_２０１〜Ｒ_２０３の一部がアリール基で、残りがアルキル基又はシクロアルキル基でもよいが、Ｒ_２０１〜Ｒ_２０３の全てがアリール基であることが好ましい。

アリールスルホニウム化合物としては、例えば、トリアリールスルホニウム化合物、ジアリールアルキルスルホニウム化合物、アリールジアルキルスルホニウム化合物、ジアリールシクロアルキルスルホニウム化合物、アリールジシクロアルキルスルホニウム化合物を挙げることができ、トリアリールスルホニウム化合物であることが好ましい。

アリールスルホニウム化合物のアリール基としてはフェニル基、ナフチル基が好ましく、更に好ましくはフェニル基である。アリール基は、酸素原子、窒素原子、硫黄原子等を有する複素環構造を有するアリール基であってもよい。複素環構造としては、ピロール残基、フラン残基、チオフェン残基、インドール残基、ベンゾフラン残基、ベンゾチオフェン残基等が挙げられる。アリールスルホニウム化合物が２つ以上のアリール基を有する場合に、２つ以上あるアリール基は同一であっても異なっていてもよい。

アリールスルホニウム化合物が必要に応じて有しているアルキル基又はシクロアルキル基は、炭素数１〜１５の直鎖又は分岐アルキル基及び炭素数３〜１５のシクロアルキル基が好ましく、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、ｎ−ブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔ−ブチル基、シクロプロピル基、シクロブチル基、シクロヘキシル基等を挙げることができる。

Ｒ_２０１〜Ｒ_２０３のアリール基、アルキル基、シクロアルキル基は、アルキル基（例えば炭素数１〜１５）、シクロアルキル基（例えば炭素数３〜１５）、アリール基（例えば炭素数６〜１４）、アルコキシ基（例えば炭素数１〜１５）、ハロゲン原子、水酸基、フェニルチオ基を置換基として有してもよい。好ましい置換基としては炭素数１〜１２の直鎖又は分岐アルキル基、炭素数３〜１２のシクロアルキル基、炭素数１〜１２の直鎖、分岐又は環状のアルコキシ基であり、より好ましくは炭素数１〜４のアルキル基、炭素数１〜４のアルコキシ基である。置換基は、３つのＲ_２０１〜Ｒ_２０３のうちのいずれか１つに置換していてもよいし、３つ全てに置換していてもよい。また、Ｒ_２０１〜Ｒ_２０３がアリール基の場合に、置換基はアリール基のｐ−位に置換していることが好ましい。

次に一般式（ＺＩＩ’）、（ＺＩＩＩ’）について説明する。
一般式（ＺＩＩ’）、（ＺＩＩＩ’）中、
Ｒ_２０４〜Ｒ_２０７は、各々独立に、アリール基、アルキル基又はシクロアルキル基を表す。
Ｒ_２０４〜Ｒ_２０７のアリール基、アルキル基、シクロアルキル基としては、前述の化合物（ＺＩ’−１）におけるＲ_２０１〜Ｒ_２０３のアリール基、アルキル基、シクロアルキル基として説明したアリール基と同様である。
Ｒ_２０４〜Ｒ_２０７のアリール基、アルキル基、シクロアルキル基は、置換基を有していてもよい。この置換基としても、前述の化合物（ＺＩ’−１）におけるＲ_２０１〜Ｒ_２０３のアリール基、アルキル基、シクロアルキル基が有していてもよいものが挙げられる。
Ｚ⁻は、非求核性アニオンを表し、一般式（ＺＩ’）に於けるＺ⁻の非求核性アニオンと同様のものを挙げることができる。
本発明における化合物（Ａ）と併用し得る酸発生剤（Ａ’）として、更に、下記一般式（ＺＩＶ’）、（ＺＶ’）、（ＺＶＩ’）で表される化合物も挙げられる。

一般式（ＺＩＶ’）〜（ＺＶＩ’）中、
Ａｒ_３及びＡｒ_４は、各々独立に、アリール基を表す。
Ｒ_２０８、Ｒ_２０９及びＲ_２１０は、各々独立に、アルキル基、シクロアルキル基又はアリール基を表す。
Ａは、アルキレン基、アルケニレン基又はアリーレン基を表す。
Ａｒ_３、Ａｒ_４、Ｒ_２０８、Ｒ_２０９及びＲ_２１０のアリール基の具体例としては、上記一般式（ＺＩ’−１）におけるＲ_２０１、Ｒ_２０２及びＲ_２０３としてのアリール基の具体例と同様のものを挙げることができる。
Ｒ_２０８、Ｒ_２０９及びＲ_２１０のアルキル基及びシクロアルキル基の具体例としては、それぞれ、上記一般式（ＺＩ’−１）におけるＲ_２０１、Ｒ_２０２及びＲ_２０３としてのアルキル基及びシクロアルキル基の具体例と同様のものを挙げることができる。
Ａのアルキレン基としては、炭素数１〜１２のアルキレン（例えば、メチレン基、エチレン基、プロピレン基、イソプロピレン基、ブチレン基、イソブチレン基など）を、Ａのアルケニレン基としては、炭素数２〜１２のアルケニレン基（例えば、エテニレン基、プロペニレン基、ブテニレン基など）を、Ａのアリーレン基としては、炭素数６〜１０のアリーレン基（例えば、フェニレン基、トリレン基、ナフチレン基など）を、それぞれ挙げることができる。
本発明の化合物（Ａ）と併用し得る併用酸発生剤（Ａ’）の中で、特に好ましい例を以下に挙げる。

併用酸発生剤（Ａ’）は、公知の方法で合成することができ、例えば、特開２００７−１６１７０７号公報に記載の方法に準じて合成することができる。
併用酸発生剤（Ａ’）は、１種類又は２種類以上を組み合わせて使用することができる。
本発明の半導体製造プロセス用レジスト組成物は、併用酸発生剤（Ａ’）を含有しても、含有しなくてもよいが、含有する場合、併用酸発生剤（Ａ’）の組成物中の含有量は、半導体製造プロセス用レジスト組成物の全固形分を基準として、０．０５〜１５質量％が好ましく、より好ましくは０．１〜１０質量％、更に好ましくは１〜６質量％である。

〔２〕（Ｐ）フェノール性水酸基を有する化合物
本発明の半導体製造プロセス用レジスト組成物は、フェノール性水酸基を有する化合物（Ｐ）（以下、化合物（Ｐ）ともいう）を含有することが好ましい。
本願におけるフェノール性水酸基とは、芳香環基の水素原子をヒドロキシ基で置換してなる基をいう。該芳香環基の芳香環は単環又は多環の芳香環であり、ベンゼン環、ナフタレン環等が挙げられる。

フェノール性水酸基を有する化合物（Ｐ）は、フェノール性水酸基を有する限り特に限定されず、分子レジストのような比較的低分子の化合物であってもよいし、樹脂であってもよい。なお分子レジストとしては、例えば特開２００９−１７３６２３号公報及び特開２００９−１７３６２５号公報に記載の低分子量環状ポリフェノール化合物等が使用できる。
フェノール性水酸基を有する化合物（Ｐ）は、反応性及び感度の観点から、樹脂であることが好ましい。

本発明のフェノール性水酸基を有する化合物（Ｐ）が樹脂である場合、該樹脂は、少なくとも一種のフェノール性水酸基を有する繰り返し単位を含有することが好ましい。フェノール性水酸基を有する繰り返し単位としては特に限定されないが、下記一般式（１）で表される繰り返し単位であることが好ましい。

一般式（１）中、Ｒ_１１は水素原子、メチル基、又はハロゲン原子を表す。
Ｂ_１は、単結合又は２価の連結基を表す。
Ａｒは、芳香族環を表す。
ｍ１は、１以上の整数を表す。

Ｒ_１１におけるメチル基としては、置換基を有していてもよく、トリフルオロメチル基、ヒドロキシメチル基等を挙げることができる。
Ｒ_１１は、水素原子又はメチル基であることが好ましく、水素原子であることが現像性の観点から好ましい。

Ｂ_１の２価の連結基としては、カルボニル基、アルキレン基（好ましくは炭素数１〜１０、より好ましくは炭素数１〜５）、スルホニル基（−Ｓ（＝Ｏ）_２−）、−Ｏ−、−ＮＨ−又はこれらを組合せた２価の連結基が好ましい。
Ｂ_１は、単結合、エステル結合（−Ｃ（＝Ｏ）−Ｏ−）又はアミド結合（−Ｃ（＝Ｏ）−ＮＨ−）を表すことが好ましく、単結合又はエステル結合（−Ｃ（＝Ｏ）−Ｏ−）を表すことがより好ましく、単結合であることがドライエッチング耐性向上の観点から特に好ましい。

Ａｒの芳香族環は、単環又は多環の芳香族環であり、ベンゼン環、ナフタレン環、アントラセン環、フルオレン環、フェナントレン環などの炭素数６〜１８の置換基を有していてもよい芳香族炭化水素環、又は、例えば、チオフェン環、フラン環、ピロール環、ベンゾチオフェン環、ベンゾフラン環、ベンゾピロール環、トリアジン環、イミダゾール環、ベンゾイミダゾール環、トリアゾール環、チアジアゾール環、チアゾール環等のヘテロ環を含む芳香環ヘテロ環を挙げることができる。中でも、ベンゼン環、ナフタレン環が解像力の観点から好ましく、ベンゼン環が感度の観点から最も好ましい。
ｍ１は１〜５の整数であることが好ましく、１が最も好ましい。ｍ１が１でＡｒがベンゼン環の時、―ＯＨの置換位置はベンゼン環のＢ_１（Ｂ_１が単結合である場合にはポリマー主鎖）との結合位置に対して、パラ位でもメタ位でもオルト位でもよいが、架橋反応性の観点から、パラ位、メタ位が好ましく、パラ位がより好ましい。

Ａｒの芳香族環は、上記−ＯＨで表される基以外にも置換基を有していてもよく、置換基としては例えば、アルキル基、シクロアルキル基、ハロゲン原子、水酸基、アルコキシ基、カルボキシル基、アルコキシカルボニル基、アルキルカルボニル基、アルキルカルボニルオキシ基、アルキルスルホニルオキシ基、アリールカルボニル基が挙げられる。

フェノール性水酸基を有する繰り返し単位は、下記一般式（２）で表される繰り返し単位であることが架橋反応性、現像性、ドライエッチング耐性の観点からより好ましい。

一般式（２）中、Ｒ_３は、水素原子又はメチル基を表す。
Ａｒは、芳香族環を表す。

Ｒ_３は、水素原子又はメチル基を表し、水素原子であることが現像性の観点から好ましい。
一般式（２）におけるＡｒは、一般式（１）におけるＡｒと同義であり、好ましい範囲も同様である。一般式（２）で表される繰り返し単位は、ヒドロキシスチレンから誘導される繰り返し単位（すなわち、一般式（２）においてＲ_３が水素原子であり、Ａｒがベンゼン環である繰り返し単位）であることが感度の観点から好ましい。

樹脂としての化合物（Ｐ）は、上記のようなフェノール性水酸基を有する繰り返し単位のみから構成されていてもよい。樹脂としての化合物（Ｐ）は、上記のようなフェノール性水酸基を有する繰り返し単位以外にも後述するような繰り返し単位を有していてもよい。その場合、フェノール性水酸基を有する繰り返し単位の含有量は、樹脂としての化合物（Ｐ）の全繰り返し単位に対して、１０〜９８モル％であることが好ましく、３０〜９７モル％であることがより好ましく、４０〜９５モル％であることが更に好ましい。これにより、特に、レジスト膜が薄膜である場合（例えば、レジスト膜の厚みが、１０〜１５０ｎｍである場合）、化合物（Ｐ）を用いて形成された本発明のレジスト膜における露光部のアルカリ現像液に対する溶解速度をより確実に低減できる（即ち、化合物（Ｐ）を用いたレジスト膜の溶解速度を、より確実に最適なものに制御できる）。その結果、感度をより確実に向上させることができる。

以下、フェノール性水酸基を有する繰り返し単位の例を記載するが、これに限定されるものではない。

（２−１）酸分解性樹脂としてのフェノール性水酸基を有する化合物（Ｐ）
本発明で用いられる（Ｐ）フェノール性水酸基を有する化合物は、少なくとも一種のフェノール性水酸基を有する繰り返し単位を有する樹脂であり、且つ上記一般式（１）で表される繰り返し単位以外の繰り返し単位として、更に、下記のような繰り返し単位を有する樹脂であることも好ましい。
具体的には、（Ｐ）フェノール性水酸基を有する化合物は、少なくとも一種のフェノール性水酸基を有する繰り返し単位を有する樹脂であり、更に、酸の作用により分解し、極性基を生じる基（以下、「酸分解性基」とも言う。）を有する繰り返し単位を含むことが本発明の好ましい実施態様の１つとして挙げられる（以下、この場合の化合物（Ｐ）を、「酸の作用により分解し、現像液に対する溶解度が変化する樹脂」、又は「酸分解性樹脂」と称することがある。）。
本発明のレジスト組成物をアルカリ現像に適用する場合、前記極性基は、アルカリ可溶性基として機能することが好ましい。

酸分解性基としては、−ＣＯＯＨ基及び−ＯＨ基等の極性基（アルカリ現像の場合はアルカリ可溶性基）の水素原子を、酸の作用により脱離する基で置換した基が好ましい。酸の作用により脱離する基としては、アセタール基又は３級エステル基が特に好ましい。

これら酸分解性基が側鎖として結合する場合の母体樹脂は、例えば、側鎖に−ＯＨ又は−ＣＯＯＨ基を有するアルカリ可溶性樹脂が挙げられる。このようなアルカリ可溶性樹脂の例としては、後述するものが挙げられる。

これらアルカリ可溶性樹脂のアルカリ溶解速度は、２．３８質量％テトラメチルアンモニウムハイドロオキサイド（ＴＭＡＨ）で測定（２３℃）して、１７ｎｍ／秒以上が好ましい。この速度は、特に好ましくは、３３ｎｍ／秒以上である。

このような観点から、特に好ましいアルカリ可溶性樹脂としては、ｏ−、ｍ−及びｐ−ポリ（ヒドロキシスチレン）並びにこれらの共重合体、水素化ポリ（ヒドロキシスチレン）、ハロゲン又はアルキル置換ポリ（ヒドロキシスチレン）、ポリ（ヒドロキシスチレン）の一部Ｏ−アルキル化物又はＯ−アシル化物、スチレン−ヒドロキシスチレン共重合体、α−メチルスチレン−ヒドロキシスチレン共重合体及び水素化ノボラック樹脂等のヒドロキシスチレン構造単位を含んだ樹脂；並びに、（メタ）アクリル酸及びノルボルネンカルボン酸等のカルボキシル基を有する繰り返し単位を含んだ樹脂が挙げられる。

好ましい酸分解性基を有する繰り返し単位としては、例えば、ｔ−ブトキシカルボニルオキシスチレン、１−アルコキシエトキシスチレン及び（メタ）アクリル酸３級アルキルエステルが挙げられる。この繰り返し単位としては、２−アルキル−２−アダマンチル（メタ）アクリレート又はジアルキル（１−アダマンチル）メチル（メタ）アクリレートがより好ましい。

酸分解性樹脂は、欧州特許２５４８５３号明細書、特開平２−２５８５０号公報、同３−２２３８６０号公報及び同４−２５１２５９号公報等に開示されているように、例えば、樹脂に酸の作用により脱離する基の前駆体を反応させるか、又は、酸の作用により脱離する基の結合したアルカリ可溶性樹脂モノマーを種々のモノマーと共重合させることにより得られる。

本発明の組成物に、ＫｒＦエキシマレーザー光、電子線、Ｘ線又は波長５０ｎｍ以下の高エネルギー光線（例えば、ＥＵＶ）を照射する場合には、酸分解性樹脂は、ヒドロキシスチレン繰り返し単位を有することが好ましい。更に好ましくは、酸分解性樹脂は、ヒドロキシスチレンと酸の作用により脱離する基で保護されたヒドロキシスチレンとの共重合体、又は、ヒドロキシスチレンと（メタ）アクリル酸３級アルキルエステルとの共重合体である。

このような酸分解性樹脂としては、具体的には、酸分解性基を有する繰り返し単位として、下記一般式（Ａ）で表される繰り返し単位を有する樹脂が挙げられる。上記繰り返し単位を有する樹脂を使用することにより、形成されたパターンのドライエッチング耐性が向上し得る。

式中、Ｒ_０１、Ｒ_０２及びＲ_０３は、各々独立に、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、ハロゲン原子、シアノ基又はアルコキシカルボニル基を表す。Ａｒ_１は、芳香環基を表す。なお、Ｒ_０３とＡｒ_１とがアルキレン基であり、両者が互いに結合することにより、一般式（Ａ）で表される繰り返し単位の主鎖と共に、５員又は６員環を形成していてもよい。

ｎ個のＹは、各々独立に、水素原子又は酸の作用により脱離する基を表す。但し、Ｙの少なくとも１つは、酸の作用により脱離する基を表す。
ｎは、１〜４の整数を表し、１又は２が好ましく、１がより好ましい。

Ｒ_０１〜Ｒ_０３としてのアルキル基は、例えば、炭素数２０以下のアルキル基であり、好ましくは、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ヘキシル基、２−エチルヘキシル基、オクチル基又はドデシル基である。より好ましくは、これらアルキル基は、炭素数８以下のアルキル基である。なお、これらアルキル基は、置換基を有していてもよい。

アルコキシカルボニル基に含まれるアルキル基としては、上記Ｒ_０１〜Ｒ_０３におけるアルキル基と同様のものが好ましい。

シクロアルキル基は、単環のシクロアルキル基であってもよく、多環のシクロアルキル基であってもよい。好ましくは、シクロプロピル基、シクロペンチル基及びシクロヘキシル基等の炭素数３〜８の単環のシクロアルキル基が挙げられる。なお、これらシクロアルキル基は、置換基を有していてもよい。

ハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子及びヨウ素原子が挙げられ、フッ素原子がより好ましい。

Ｒ_０３がアルキレン基を表す場合、このアルキレン基としては、好ましくは、メチレン基、エチレン基、プロピレン基、ブチレン基、ヘキシレン基及びオクチレン基等の炭素数１〜８のものが挙げられる。

Ａｒ_１としての芳香環基は、炭素数６〜１４のものが好ましく、例えば、ベンゼン環、トルエン環及びナフタレン環が挙げられる。なお、これら芳香環基は、置換基を有していてもよい。

酸の作用により脱離する基Ｙとしては、例えば、−Ｃ（Ｒ^３６）（Ｒ^３７）（Ｒ^３８）、−Ｃ（＝Ｏ）−Ｏ−Ｃ（Ｒ^３６）（Ｒ^３７）（Ｒ^３８）、−Ｃ（Ｒ^０１）（Ｒ^０２）（ＯＲ^３９）、−Ｃ（Ｒ^０１）（Ｒ^０２）−Ｃ（＝Ｏ）−Ｏ−Ｃ（Ｒ^３６）（Ｒ^３７）（Ｒ^３８）及び−ＣＨ（Ｒ^３６）（Ａｒ）により表される基が挙げられる。

式中、Ｒ^３６〜Ｒ^３９は、各々独立に、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基、アラルキル基又はアルケニル基を表す。Ｒ^３６とＲ^３７とは、互いに結合して、環構造を形成していてもよい。
Ｒ^０１及びＲ^０２は、各々独立に、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基、アラルキル基又はアルケニル基を表す。
Ａｒは、アリール基を表す。

Ｒ^３６〜Ｒ^３９、Ｒ^０１、又はＲ^０２としてのアルキル基は、炭素数１〜８のアルキル基であることが好ましく、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、ｎ−ブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、へキシル基及びオクチル基が挙げられる。

Ｒ^３６〜Ｒ^３９、Ｒ^０１、又はＲ^０２としてのシクロアルキル基は、単環のシクロアルキル基であってもよく、多環のシクロアルキル基であってもよい。単環のシクロアルキル基としては、炭素数３〜８のシクロアルキル基が好ましく、例えば、シクロプロピル基、シクロブチル基、シクロペンチル基、シクロへキシル基及びシクロオクチルが挙げられる。多環のシクロアルキル基としては、炭素数６〜２０のシクロアルキル基が好ましく、例えば、アダマンチル基、ノルボルニル基、イソボロニル基、カンファニル基、ジシクロペンチル基、α−ピネル基、トリシクロデカニル基、テトラシクロドデシル基及びアンドロスタニル基が挙げられる。なお、シクロアルキル基中の炭素原子の一部は、酸素原子等のヘテロ原子によって置換されていてもよい。

Ｒ^３６〜Ｒ^３９、Ｒ^０１、Ｒ^０２、又はＡｒとしてのアリール基は、炭素数６〜１０のアリール基であることが好ましく、例えば、フェニル基、ナフチル基及びアントリル基が挙げられる。

Ｒ^３６〜Ｒ^３９、Ｒ^０１、又はＲ^０２としてのアラルキル基は、炭素数７〜１２のアラルキル基であることが好ましく、例えば、ベンジル基、フェネチル基及びナフチルメチル基が好ましい。

Ｒ^３６〜Ｒ^３９、Ｒ^０１、又はＲ^０２としてのアルケニル基は、炭素数２〜８のアルケニル基であることが好ましく、例えば、ビニル基、アリル基、ブテニル基及びシクロへキセニル基が挙げられる。

Ｒ^３６とＲ^３７とが互いに結合して形成し得る環は、単環型であってもよく、多環型であってもよい。単環型としては、炭素数３〜８のシクロアルカン構造が好ましく、例えば、シクロプロパン構造、シクロブタン構造、シクロペンタン構造、シクロへキサン構造、シクロヘプタン構造及びシクロオクタン構造が挙げられる。多環型としては、炭素数６〜２０のシクロアルカン構造が好ましく、例えば、アダマンタン構造、ノルボルナン構造、ジシクロペンタン構造、トリシクロデカン構造及びテトラシクロドデカン構造が挙げられる。なお、環構造中の炭素原子の一部は、酸素原子等のヘテロ原子によって置換されていてもよい。

上記各基は、置換基を有していてもよい。この置換基としては、例えば、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基、アミノ基、アミド基、ウレイド基、ウレタン基、ヒドロキシル基、カルボキシル基、ハロゲン原子、アルコキシ基、チオエーテル基、アシル基、アシロキシ基、アルコキシカルボニル基、シアノ基及びニトロ基が挙げられる。これら置換基は、炭素数が８以下であることが好ましい。

酸の作用により脱離する基Ｙとしては、下記一般式（Ｂ）で表される構造がより好ましい。

式中、Ｌ_１及びＬ_２は、各々独立に、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基又はアラルキル基を表す。
Ｍは、単結合又は２価の連結基を表す。
Ｑは、アルキル基、シクロアルキル基、環状脂肪族基、芳香環基、アミノ基、アンモニウム基、メルカプト基、シアノ基又はアルデヒド基を表す。なお、これら環状脂肪族基及び芳香環基は、ヘテロ原子を含んでいてもよい。
なお、Ｑ、Ｍ、Ｌ_１の少なくとも２つが互いに結合して、５員又は６員環を形成していてもよい。

Ｌ_１及びＬ_２としてのアルキル基は、例えば炭素数１〜８のアルキル基であり、具体的には、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔ−ブチル基、ヘキシル基及びオクチル基が挙げられる。

Ｌ_１及びＬ_２としてのシクロアルキル基は、例えば炭素数３〜１５のシクロアルキル基であり、具体的には、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、ノルボルニル基及びアダマンチル基が挙げられる。

Ｌ_１及びＬ_２としてのアリール基は、例えば炭素数６〜１５のアリール基であり、具体的には、フェニル基、トリル基、ナフチル基及びアントリル基が挙げられる。

Ｌ_１及びＬ_２としてのアラルキル基は、例えば炭素数６〜２０のアラルキル基であり、具体的には、ベンジル基及びフェネチル基が挙げられる。

Ｍとしての２価の連結基は、例えば、アルキレン基（例えば、メチレン基、エチレン基、プロピレン基、ブチレン基、ヘキシレン基又はオクチレン基）、シクロアルキレン基（例えば、シクロペンチレン基又はシクロヘキシレン基）、アルケニレン基（例えば、エテニレン基、プロペニレン基又はブテニレン基）、アリーレン基（例えば、フェニレン基、トリレン基又はナフチレン基）、−Ｓ−、−Ｏ−、−ＣＯ−、−ＳＯ_２−、−Ｎ（Ｒ_０）−、又は、これらの２以上の組み合わせである。ここで、Ｒ_０は、水素原子又はアルキル基である。Ｒ_０としてのアルキル基は、例えば炭素数１〜８のアルキル基であり、具体的には、メチル基、エチル基、プロピル基、ｎ−ブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ヘキシル基及びオクチル基が挙げられる。

Ｑとしてのアルキル基及びシクロアルキル基は、上述したＬ_１及びＬ_２としての各基と同様である。

Ｑとしての環状脂肪族基又は芳香環基としては、例えば、上述したＬ_１及びＬ_２としてのシクロアルキル基及びアリール基が挙げられる。これらシクロアルキル基及びアリール基は、好ましくは、炭素数３〜１５の基である。

Ｑとしてのヘテロ原子を含んだ環状脂肪族基又は芳香環基としては、例えば、チイラン、シクロチオラン、チオフェン、フラン、ピロール、ベンゾチオフェン、ベンゾフラン、ベンゾピロール、トリアジン、イミダゾール、ベンゾイミダゾール、トリアゾール、チアジアゾール、チアゾール及びピロリドン等の複素環構造を有した基が挙げられる。但し、炭素とヘテロ原子とで形成される環、又は、ヘテロ原子のみによって形成される環であれば、これらに限定されない。

Ｑ、Ｍ及びＬ_１の少なくとも２つが互いに結合して形成し得る環構造としては、例えば、これらがプロピレン基又はブチレン基を形成してなる５員又は６員環構造が挙げられる。なお、この５員又は６員環構造は、酸素原子を含有している。

一般式（２）におけるＬ_１、Ｌ_２、Ｍ及びＱで表される各基は、置換基を有していてもよい。この置換基としては、例えば、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基、アミノ基、アミド基、ウレイド基、ウレタン基、ヒドロキシル基、カルボキシル基、ハロゲン原子、アルコキシ基、チオエーテル基、アシル基、アシロキシ基、アルコキシカルボニル基、シアノ基及びニトロ基が挙げられる。これら置換基は、炭素数が８以下であることが好ましい。

−（Ｍ−Ｑ）で表される基としては、炭素数１〜３０の基が好ましく、炭素数５〜２０の基がより好ましい。特に、アウトガス抑制の観点からは、炭素数が６以上の基が好ましい。

酸分解性樹脂は、酸分解性基を有する繰り返し単位として、下記一般式（Ｘ）で表される繰り返し単位を有する樹脂であっても良い。

一般式（Ｘ）中、
Ｘａ_１は、水素原子、メチル基、トリフルオロメチル基又はヒドロキシメチル基を表す。
Ｔは、単結合又は２価の連結基を表す。
Ｒｘ_１〜Ｒｘ_３は、各々独立に、直鎖若しくは分岐のアルキル基、又は、単環若しくは多環のシクロアルキル基が挙げられる。なお、Ｒｘ_１〜Ｒｘ_３の２つが互いに結合して、単環又は多環のシクロアルキル基を形成していてもよい。

Ｔとしての２価の連結基としては、例えば、アルキレン基、−（ＣＯＯ−Ｒｔ）−基、及び−（Ｏ−Ｒｔ）−基が挙げられる。ここで、Ｒｔは、アルキレン基又はシクロアルキレン基を表す。

Ｔは、単結合又は−（ＣＯＯ−Ｒｔ）−基であることが好ましい。ここで、Ｒｔは、炭素数１〜５のアルキレン基が好ましく、−ＣＨ_２−基、−（ＣＨ_２）_２−基又は−（ＣＨ_２）_３−基がより好ましい。

Ｒｘ_１〜Ｒｘ_３としてのアルキル基は、好ましくは、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、イソブチル基及びｔ−ブチル基等の炭素数１〜４のアルキル基である。

Ｒｘ_１〜Ｒｘ_３としてのシクロアルキル基は、好ましくは、シクロペンチル基及びシクロヘキシル基等の単環のシクロアルキル基、又は、ノルボルニル基、テトラシクロデカニル基、テトラシクロドデカニル基及びアダマンチル基等の多環のシクロアルキル基である。

Ｒｘ_１〜Ｒｘ_３の２つが互いに結合して形成し得るシクロアルキル基としては、シクロペンチル基及びシクロヘキシル基等の単環のシクロアルキル基、又は、ノルボルニル基、テトラシクロデカニル基、テトラシクロドデカニル基及びアダマンチル基等の多環のシクロアルキル基が好ましい。

特には、Ｒｘ_１がメチル基又はエチル基であり、Ｒｘ_２とＲｘ_３とが互いに結合して、上述のシクロアルキル基を形成している態様が好ましい。

酸分解性を有する繰り返し単位の具体例を以下に示すが、本発明は、これに限定されるものではない。

酸分解性樹脂中における酸分解性基を有する繰り返し単位の含有量（複数種有するときはその合計）は、酸分解性樹脂の全繰り返し単位に対して、好ましくは３〜９０モル％の範囲内であり、より好ましくは５〜８０モル％の範囲内であり、特に好ましくは７〜７０モル％の範囲内である。

酸分解性樹脂としての化合物（Ｐ）は、ラクトン基及びスルトン基から選ばれる少なくとも１種を含んだ繰り返し単位を有していてもよい。特に本発明の組成物にＡｒＦエキシマレーザー光を照射する場合には、ラクトン基及びスルトン基から選ばれる少なくとも１種を含んだ繰り返し単位を有することが好ましい。ラクトン基としては、好ましくは５〜７員環ラクトン構造を有する基であり、特には、５〜７員環ラクトン構造にビシクロ構造又はスピロ構造を形成する形で他の環構造が縮環しているものが好ましい。

なお、ラクトン構造を有する繰り返し単位には、通常、光学異性体が存在するが、いずれの光学異性体を用いてもよい。また、１種の光学異性体を単独で用いても、複数の光学異性体を混合して用いてもよい。１種の光学異性体を主に用いる場合、その光学純度が９０％ｅｅ以上のものが好ましく、９５％ｅｅ以上のものがより好ましい。
酸分解性樹脂としての化合物（Ｐ）はラクトン構造を有する繰り返し単位を含有しても含有しなくてもよいが、ラクトン構造を有する繰り返し単位を含有する場合、酸分解性樹脂としての化合物（Ｐ）中の前記繰り返し単位の含有量は、全繰り返し単位に対して、１〜７０モル％の範囲が好ましく、より好ましくは３〜６５モル％の範囲であり、更に好ましくは５〜６０モル％の範囲である。

特に好ましいラクトン基を有する繰り返し単位としては、下記の繰り返し単位が挙げられる。最適なラクトン基を選択することにより、パターンプロファイル、疎密依存性が良好となる。式中、Ｒｘ及びＲは、Ｈ、ＣＨ_３、ＣＨ_２ＯＨ又はＣＦ_３を表す。

酸分解性樹脂としての化合物（Ｐ）が有する繰り返し単位として、上述したラクトン基を有する繰り返し単位において、ラクトン基をスルトン基に置換した繰り返し単位も好ましく挙げられる。

酸分解性樹脂としての化合物（Ｐ）は、単環又は多環の脂環炭化水素構造を有していてもよい。
酸分解性樹脂としての化合物（Ｐ）は、水酸基又はシアノ基を有する繰り返し単位を有していてもよい。
水酸基又はシアノ基を有する繰り返し単位としては、特開２０１３−１１３９４４号公報段落００８０〜００８９の記載を参酌でき、これらの内容は本願明細書に組み込まれる。
また、酸分解性樹脂としての化合物（Ｐ）は、極性基を持たない脂環炭化水素構造を有し、酸分解性を示さない繰り返し単位を有していてもよい。
極性基を持たない脂環炭化水素構造を有し、酸分解性を示さない繰り返し単位としては、特開２０１３−１１３９４４号公報段落００９２〜００９８の記載を参酌でき、これらの内容は本願明細書に組み込まれる。

本発明の化合物（Ｐ）は、活性光線又は放射線の照射により分解して樹脂の側鎖に酸を発生するイオン性構造部位を備えた繰り返し単位を有していてもよい。そのような繰り返し単位としては例えば下記一般式（ＰＳ）により表される繰り返し単位が挙げられる。

Ｒ^４１は、水素原子又はメチル基を表す。Ｌ^４１は、単結合又は２価の連結基を表す。Ｌ^４２は、２価の連結基を表す。Ｓは、活性光線又は放射線の照射により分解して側鎖に酸を発生させる構造部位を表す。
酸分解性樹脂としての化合物（Ｐ）における一般式（ＰＳ）で表される繰り返し単位の含有量は、酸分解性樹脂としての化合物（Ｐ）の全繰り返し単位に対して、１〜４０モル％の範囲が好ましく、２〜３０モル％の範囲がより好ましく、５〜２５モル％の範囲が特に好ましい。

以上において説明した、酸分解性樹脂としてのフェノール性水酸基を有する化合物（Ｐ）の具体例を以下に示すが、本発明はこれらに限定されるものではない。

上記具体例において、ｔＢｕはｔ−ブチル基を表す。
酸で分解し得る基の含有率は、樹脂中の酸で分解し得る基の数（Ｂ）と酸で脱離する基で保護されていない極性基（アルカリ現像のときは、アルカリ可溶性基）の数（Ｓ）とにより、式Ｂ／（Ｂ＋Ｓ）によって計算される。この含有率は、好ましくは０．０１〜０．７であり、より好ましくは０．０５〜０．５０であり、更に好ましくは０．０５〜０．４０である。

（２−２）架橋ネガ型の化学増幅型レジスト組成物に用いられるフェノール性水酸基を有する化合物（Ｐ）
本発明の半導体製造プロセス用レジスト組成物が後述の（Ｃ）酸架橋性化合物を含有し、本発明の半導体製造プロセス用レジスト組成物をネガ型の化学増幅型レジスト組成物として用いる実施態様も本発明の好ましい実施態様の１つとして挙げられる。このような実施態様において、フェノール性水酸基を有する化合物（Ｐ）は、非酸分解性の多環脂環炭化水素構造を有する基で、フェノール性水酸基の水素原子が置換された構造を更に有することが、高いガラス転移温度（Ｔｇ）が得られること、ドライエッチング耐性が良好となることから好ましい。
化合物（Ｐ）が、前述の特定の構造を有することで、化合物（Ｐ）のガラス転移温度（Ｔｇ）が高くなり、より硬いレジスト膜を形成することができ、酸の拡散性を制御し、またドライエッチング耐性を向上させることができる。従って、電子線や極紫外線等の活性光線又は放射線の露光部における酸の拡散性がより抑制されるため、微細なパターンでの解像力、パターン形状及びＬＥＲが更に優れる。また、化合物（Ｐ）が非酸分解性の多環脂環炭化水素構造を有することが、ドライエッチング耐性の更なる向上に寄与するものと考えられる。
更に、詳細は不明だが、多環脂環炭化水素構造は水素ラジカルの供与性が高く、光酸発生剤の分解時の水素源となり、光酸発生剤の分解効率が更に向上し、酸発生効率が更に高くなっていると推定され、これがより優れた感度に寄与するものと考えられる。
本発明に係る化合物（Ｐ）が有していてもよい前述の特定の構造は、ベンゼン環等の芳香族環と、非酸分解性の多環脂環炭化水素構造を有する基とが、フェノール性水酸基に由来する酸素原子を介して連結している。前述のように、該構造は高いドライエッチング耐性に寄与するだけでなく、化合物（Ｐ）のガラス転移温度（Ｔｇ）を上げることができ、これらの組み合わせの効果によりより高い解像力が提供されるものと推定される。

本発明において、非酸分解性とは、酸発生剤が発生する酸により、分解反応が起こらない性質を意味する。
より具体的には、非酸分解性の多環脂環炭化水素構造を有する基は、酸及びアルカリに安定な基であることが好ましい。酸及びアルカリに安定な基とは、酸分解性及びアルカリ分解性を示さない基を意味する。ここで酸分解性とは、酸発生剤が発生する酸の作用により分解反応を起こす性質を意味し、酸分解性を示す基としては前述の「酸分解性基を有する繰り返し単位」において説明する酸分解性基が挙げられる。
またアルカリ分解性とは、アルカリ現像液の作用により分解反応を起こす性質を意味し、アルカリ分解性を示す基としては半導体製造プロセス用レジスト組成物（特に、ポジ型の化学増幅型レジスト組成物）において好適に使用される樹脂中に含まれる、従来公知のアルカリ現像液の作用で分解しアルカリ現像液中への溶解速度が増大する基（例えばラクトン構造を有する基など）が挙げられる。

多環脂環炭化水素構造を有する基とは、多環脂環炭化水素構造を有する一価の基である限り特に限定されないが、総炭素数が５〜４０であることが好ましく、７〜３０であることがより好ましい。多環脂環炭化水素構造は、環内に不飽和結合を有していてもよい。
多環脂環炭化水素構造を有する基における多環脂環炭化水素構造は、単環型の脂環炭化水素基を複数有する構造、若しくは、多環型の脂環炭化水素構造を意味し、有橋式であってもよい。単環型の脂環炭化水素基としては、炭素数３〜８のシクロアルキル基が好ましく、例えば、シクロプロピル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、シクロブチル基、シクロオクチル基等を挙げることができ、単環型の脂環炭化水素基を複数有する構造はこれらの基を複数有する。単環型の脂環炭化水素基を複数有する構造は、単環型の脂環炭化水素基を２〜４個有することが好ましく、２個有することが特に好ましい。
多環型の脂環炭化水素構造としては、炭素数５以上のビシクロ、トリシクロ、テトラシクロ構造等を挙げることができ、炭素数６〜３０の多環シクロ構造が好ましく、例えば、アダマンタン構造、デカリン構造、ノルボルナン構造、ノルボルネン構造、セドロール構造、イソボルナン構造、ボルナン構造、ジシクロペンタン構造、α−ピネン構造、トリシクロデカン構造、テトラシクロドデカン構造、あるいはアンドロスタン構造を挙げることができる。なお、単環若しくは多環のシクロアルキル基中の炭素原子の一部が、酸素原子等のヘテロ原子によって置換されていてもよい。

上記の多環脂環炭化水素構造の好ましいものとしては、アダマンタン構造、デカリン構造、ノルボルナン構造、ノルボルネン構造、セドロール構造、シクロヘキシル基を複数有する構造、シクロヘプチル基を複数有する構造、シクロオクチル基を複数有する構造、シクロデカニル基を複数有する構造、シクロドデカニル基を複数有する構造、トリシクロデカン構造があげられ、アダマンタン構造がドライエッチング耐性の観点で最も好ましい（すなわち、前記非酸分解性の多環脂環炭化水素構造を有する基が、非酸分解性のアダマンタン構造を有する基であることが最も好ましい）。
これらの多環脂環炭化水素構造（単環型の脂環炭化水素基を複数有する構造については、該単環型の脂環炭化水素基に対応する単環型の脂環炭化水素構造（具体的には以下の式（４７）〜（５０）の構造））の化学式を以下に表示する。

更に上記多環脂環炭化水素構造は置換基を有してもよく、置換基としては例えば、アルキル基（好ましくは炭素数１〜６）、シクロアルキル基（好ましくは炭素数３〜１０）、アリール基（好ましくは炭素数６〜１５）、ハロゲン原子、水酸基、アルコキシ基（好ましくは炭素数１〜６）、カルボキシル基、カルボニル基、チオカルボニル基、アルコキシカルボニル基（好ましくは炭素数２〜７）、及びこれら基を組み合わせてなる基（好ましくは総炭素数１〜３０、より好ましくは総炭素数１〜１５）が挙げられる。

上記多環脂環炭化水素構造としては、上記式（７）、（２３）、（４０）、（４１）及び（５１）のいずれかで表される構造、上記式（４８）の構造における任意の一つの水素原子を結合手とした一価の基を２個有する構造が好ましく、上記式（２３）、（４０）及び（５１）のいずれかで表される構造、上記式（４８）の構造における任意の一つの水素原子を結合手とした一価の基を２個有する構造がより好ましく、上記式（４０）で表される構造が最も好ましい。
多環脂環炭化水素構造を有する基としては、上記の多環脂環炭化水素構造の任意の一つの水素原子を結合手とした一価の基であることが好ましい。

前述の非酸分解性の多環脂環炭化水素構造を有する基で、フェノール性水酸基の水素原子が置換された構造は、前述の非酸分解性の多環脂環炭化水素構造を有する基で、フェノール性水酸基の水素原子が置換された構造を有する繰り返し単位として樹脂としての化合物（Ｐ）に含有されることが好ましく、下記一般式（３）で表される繰り返し単位として化合物（Ｐ）に含有されることがより好ましい。

一般式（３）中、Ｒ_１３は水素原子又はメチル基を表す。
Ｘは非酸分解性の多環脂環炭化水素構造を有する基を表す。
Ａｒ_１は芳香族環を表す。
ｍ２は１以上の整数である。

一般式（３）におけるＲ_１３は水素原子又はメチル基を表すが、水素原子が特に好ましい。
一般式（３）のＡｒ_１の芳香族環としては、例えば、ベンゼン環、ナフタレン環、アントラセン環、フルオレン環、フェナントレン環などの炭素数６〜１８の置換基を有していてもよい芳香族炭化水素環、又は、例えば、チオフェン環、フラン環、ピロール環、ベンゾチオフェン環、ベンゾフラン環、ベンゾピロール環、トリアジン環、イミダゾール環、ベンゾイミダゾール環、トリアゾール環、チアジアゾール環、チアゾール環等のヘテロ環を含む芳香環ヘテロ環を挙げることができる。中でも、ベンゼン環、ナフタレン環が解像性の観点で好ましく、ベンゼン環が最も好ましい。
Ａｒ_１の芳香族環は、上記−ＯＸで表される基以外にも置換基を有していてもよく、置換基としては例えば、アルキル基（好ましくは炭素数１〜６）、シクロアルキル基（好ましくは炭素数３〜１０）、アリール基（好ましくは炭素数６〜１５）、ハロゲン原子、水酸基、アルコキシ基（好ましくは炭素数１〜６）、カルボキシル基、アルコキシカルボニル基（好ましくは炭素数２〜７）が挙げられ、アルキル基、アルコキシ基、アルコキシカルボニル基が好ましく、アルコキシ基がより好ましい。

Ｘは非酸分解性の多環脂環炭化水素構造を有する基を表す。Ｘで表される非酸分解性の多環脂環炭化水素構造を有する基の具体例及び好ましい範囲は上述のものと同様である。Ｘは、後述の一般式（４）における−Ｙ−Ｘ_２で表される基であることがより好ましい。
ｍ２は１〜５の整数であることが好ましく、１が最も好ましい。ｍ２が１でＡｒ_１がベンゼン環の時、―ＯＸの置換位置はベンゼン環のポリマー主鎖との結合位置に対して、パラ位でもメタ位でもオルト位でもよいが、パラ位又はメタ位が好ましく、パラ位がより好ましい。

本発明において、前記一般式（３）で表される繰り返し単位が、下記一般式（４）で表される繰り返し単位であることが好ましい。
一般式（４）で表される繰り返し単位を有する樹脂（Ｐ）を使用すると、樹脂（Ｐ）のＴｇが高くなり、より硬いレジスト膜を形成するため、酸の拡散性を制御し、またドライエッチング耐性をより確実に向上させることができる。

一般式（４）中、Ｒ_１３は水素原子又はメチル基を表す。
Ｙは単結合又は２価の連結基を表す。
Ｘ_２は非酸分解性の多環脂環炭化水素基を表す。

前記一般式（４）で表される繰り返し単位で、本発明に用いられる好ましい例を以下に記述する。
一般式（４）におけるＲ_１３は水素原子又はメチル基を表すが、水素原子が特に好ましい。
一般式（４）において、Ｙは２価の連結基であることが好ましい。Ｙの２価連結基として好ましい基は、カルボニル基、チオカルボニル基、アルキレン基（好ましくは炭素数１〜１０、より好ましくは炭素数１〜５）、スルホニル基、−ＣＯＣＨ_２−、−ＮＨ−又はこれらを組合せた２価の連結基（好ましくは総炭素数１〜２０、より好ましくは総炭素数１〜１０）であり、より好ましくはカルボニル基、−ＣＯＣＨ_２−、スルホニル基、−ＣＯＮＨ−、−ＣＳＮＨ−であり、更に好ましくはカルボニル基、−ＣＯＣＨ_２−であり、特に好ましくはカルボニル基である。

Ｘ_２は多環脂環炭化水素基を表し、非酸分解性である。多環脂環炭化水素基の総炭素数は５〜４０であることが好ましく、７〜３０であることがより好ましい。多環脂環炭化水素基は、環内に不飽和結合を有していてもよい。
このような多環脂環炭化水素基は、単環型の脂環炭化水素基を複数有する基、若しくは、多環型の脂環炭化水素基であり、有橋式であってもよい。単環型の脂環炭化水素基としては、炭素数３〜８のシクロアルキル基が好ましく、例えば、シクロプロピル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、シクロブチル基、シクロオクチル基等を挙げることができ、これらの基を複数有する。単環型の脂環炭化水素基を複数有する基は、単環型の脂環炭化水素基を２〜４個有することが好ましく、２個有することが特に好ましい。
多環型の脂環炭化水素基としては、炭素数５以上のビシクロ、トリシクロ、テトラシクロ構造等を有する基を挙げることができ、炭素数６〜３０の多環シクロ構造を有する基が好ましく、例えば、アダマンチル基、ノルボルニル基、ノルボルネニル基、イソボロニル基、カンファニル基、ジシクロペンチル基、α−ピネル基、トリシクロデカニル基、テトシクロドデシル基、あるいはアンドロスタニル基を挙げることができる。なお、単環若しくは多環のシクロアルキル基中の炭素原子の一部が、酸素原子等のヘテロ原子によって置換されていてもよい。

上記Ｘ_２の多環脂環炭化水素基としては、好ましくはアダマンチル基、デカリン基、ノルボルニル基、ノルボルネニル基、セドロール基、シクロヘキシル基を複数有する基、シクロヘプチル基を複数有する基、シクロオクチル基を複数有する基、シクロデカニル基を複数有する基、シクロドデカニル基を複数有する基、トリシクロデカニル基であり、アダマンチル基がドライエッチング耐性の観点で最も好ましい。Ｘ_２の多環脂環炭化水素基における多環脂環炭化水素構造の化学式としては、前述の多環脂環炭化水素構造を有する基における多環脂環炭化水素構造の化学式と同様のものが挙げられ、好ましい範囲も同様である。Ｘ_２の多環脂環炭化水素基は、前述の多環脂環炭化水素構造における任意の一つの水素原子を結合手とした一価の基が挙げられる。
更に上記脂環炭化水素基は置換基を有してもよく、置換基としては多環脂環炭化水素構造が有してもよい置換基として上述したものと同様のものが挙げられる。
一般式（４）における―Ｏ―Ｙ―Ｘ_２の置換位置はベンゼン環のポリマー主鎖との結合位置に対して、パラ位でもメタ位でもオルト位でもよいが、パラ位が好ましい。

本発明において、前記一般式（３）で表される繰り返し単位が、下記一般式（４’）で表される繰り返し単位であることが最も好ましい。

一般式（４’）中、Ｒ_１３は水素原子又はメチル基を表す。

一般式（４’）におけるＲ_１３は水素原子又はメチル基を表すが、水素原子が特に好ましい。
一般式（４’）におけるアダマンチルエステル基の置換位置はベンゼン環のポリマー主鎖との結合位置に対して、パラ位でもメタ位でもオルト位でもよいが、パラ位が好ましい。

一般式（３）で示される繰り返し単位の具体例としては、以下のものが挙げられる。

化合物（Ｐ）が樹脂であり、更に前述の非酸分解性の多環脂環炭化水素構造を有する基で、フェノール性水酸基の水素原子が置換された構造を有する繰り返し単位を含有する場合、該繰り返し単位の含有量は、樹脂としての化合物（Ｐ）の全繰り返し単位に対して、１〜４０モル％であることが好ましく、より好ましくは２〜３０モル％である。

本発明で用いられる樹脂としての化合物（Ｐ）は、上記繰り返し単位以外の繰り返し単位として、下記のような繰り返し単位（以下、「他の繰り返し単位」ともいう）を更に有することも好ましい。

これら他の繰り返し単位を形成するための重合性モノマーの例としてはスチレン、アルキル置換スチレン、アルコキシ置換スチレン、ハロゲン置換スチレン、Ｏ−アルキル化スチレン、Ｏ−アシル化スチレン、水素化ヒドロキシスチレン、無水マレイン酸、アクリル酸誘導体（アクリル酸、アクリル酸エステル等）、メタクリル酸誘導体（メタクリル酸、メタクリル酸エステル等）、Ｎ−置換マレイミド、アクリロニトリル、メタクリロニトリル、ビニルナフタレン、ビニルアントラセン、置換基を有しても良いインデン等を挙げることができる。
樹脂としての化合物（Ｐ）は、これら他の繰り返し単位を含有してもしなくても良いが、含有する場合、これら他の繰り返し単位の樹脂としての化合物（Ｐ）中の含有量は、樹脂としての化合物（Ｐ）を構成する全繰り返し単位に対して、一般的に１〜３０モル％、好ましくは１〜２０モル％、より好ましくは２〜１０モル％である。

樹脂としての化合物（Ｐ）は、公知のラジカル重合法やアニオン重合法やリビングラジカル重合法（イニファーター法等）により合成することができる。例えば、アニオン重合法では、ビニルモノマーを適当な有機溶媒に溶解し、金属化合物（ブチルリチウム等）を開始剤として、通常、冷却条件化で反応させて重合体を得ることができる。
樹脂としての化合物（Ｐ）としては、芳香族ケトン又は芳香族アルデヒド、及び１〜３個のフェノール性水酸基を含有する化合物の縮合反応により製造されたポリフェノール化合物（例えば、特開２００８−１４５５３９）、カリックスアレーン誘導体（例えば特開２００４−１８４２１）、Ｎｏｒｉａ誘導体（例えば特開２００９−２２２９２０）、ポリフェノール誘導体（例えば特開２００８−９４７８２）も適用でき、高分子反応で修飾して合成しても良い。

架橋ネガ型の化学増幅型レジスト組成物に用いられる場合のフェノール性水酸基を有する化合物（Ｐ）の具体例を以下に示すが、本発明はこれらに限定されるものではない。

樹脂としての化合物（Ｐ）の重量平均分子量は、ＧＰＣ法によって求めたポリスチレン換算値として、好ましくは、２，０００〜２００，０００の範囲内である。重量平均分子量を２，０００以上とすることにより、耐熱性及びドライエッチング耐性を特に向上させ得る。重量平均分子量を２００，０００以下とすることにより、現像性を特に向上させ得ると共に、組成物の粘度の低下に起因して、その製膜性をも向上させ得る。

重量平均分子量として、更に好ましくは、２０００〜５００００の範囲内であり、特に好ましくは２０００〜２００００である。また、電子線、Ｘ線、波長５０ｎｍ以下の高エネルギー線（例えば、ＥＵＶ）を利用した微細パターン形成では、重量平均分子量を３，０００〜１５，０００の範囲内とすることが最も好ましい。分子量を調整することにより、組成物の耐熱性及び解像力の向上並びに現像欠陥の低減等を達成し得る。

低分子化合物などによりレジスト膜を形成する分子レジストに使用され得る低分子化合物としての化合物（Ｐ）の分子量は、３０００以下であることが好ましく、３００〜２０００であることが好ましく、５００〜１５００であることがより好ましい。

樹脂としての化合物（Ｐ）の分散度（Ｍｗ／Ｍｎ）は、１．０〜３．０が好ましく、１．０〜２．５がより好ましく、１．０〜１．７が更に好ましい。この分散度を調整することにより、例えば、ラインエッジラフネス性能を向上させ得る。

本発明に係る組成物に占める化合物（Ｐ）の含有量は、全固形分中を基準として、３０〜９９．９質量％が好ましく、５０〜９９質量％がより好ましく、６０〜９９質量％がより好ましい。
本発明の半導体製造プロセス用レジスト組成物はフェノール性水酸基を有する化合物（Ｐ）とは異なる樹脂を含有していてもよい。特に、本発明の半導体製造プロセス用レジスト組成物をＡｒＦエキシマレーザーで露光する場合、本発明の半導体製造プロセス用レジスト組成物は芳香環を含まない樹脂を含有することが好ましい。
化合物（Ｐ）とは異なる樹脂の重量平均分子量、分散度（Ｍｗ／Ｍｎ）、組成物に占める含有量の好ましい範囲としては、樹脂としての化合物（Ｐ）の重量平均分子量、分散度（Ｍｗ／Ｍｎ）、組成物に占める含有量の好ましい範囲として前述した範囲と同様のものが挙げられる。

〔３〕（Ｃ）酸架橋性化合物
本発明の半導体製造プロセス用レジスト組成物は、（Ｃ）酸架橋性化合物を含有しても良い。特に、本発明の半導体製造プロセス用レジスト組成物をネガ型の化学増幅型レジスト組成物として用いる場合、（Ｃ）酸架橋性化合物を含有することが好ましい。（Ｃ）酸架橋性化合物として、ヒドロキシメチル基又はアルコキシメチル基を分子内に２個以上有する化合物（以下、適宜、酸架橋剤又は単に架橋剤と称する）を含有することが好ましい。

好ましい架橋剤としては、ヒドロキシメチル化又はアルコキシメチル化系フェノール化合物、アルコキシメチル化メラミン系化合物、アルコキシメチルグリコールウリル系化合物類及びアルコキシメチル化ウレア系化合物が挙げられ、その中でもヒドロキシメチル化又はアルコキシメチル化系フェノール化合物が、良好なパターン形状が得られることからより好ましい。特に好ましい架橋剤としての化合物（Ｃ）としては、分子内にベンゼン環を３〜５個含み、更にヒドロキシメチル基又はアルコキシメチル基を合わせて２個以上有し、分子量が１２００以下のフェノール誘導体や、少なくとも２個の遊離Ｎ−アルコキシメチル基を有するメラミン−ホルムアルデヒド誘導体やアルコキシメチルグリコールウリル誘導体が挙げられる。
本発明の半導体製造プロセス用レジスト組成物は、パターン形状の観点から、酸架橋性化合物（Ｃ）として、アルコキシメチル基を分子内に２個以上有する化合物を少なくとも２種含有することがより好ましく、アルコキシメチル基を分子内に２個以上有するフェノール化合物を少なくとも２種含有することが更に好ましく、該少なくとも２種のフェノール化合物の内の少なくとも１種が、分子内にベンゼン環を３〜５個含み、更にアルコキシメチル基を合わせて２個以上有し、分子量が１２００以下のフェノール誘導体であることが特に好ましい。
アルコキシメチル基としては、メトキシメチル基、エトキシメチル基が好ましい。

上記架橋剤のうち、ヒドロキシメチル基を有するフェノール誘導体は、対応するヒドロキシメチル基を有さないフェノール化合物とホルムアルデヒドを塩基触媒下で反応させることによって得ることができる。また、アルコキシメチル基を有するフェノール誘導体は、対応するヒドロキシメチル基を有するフェノール誘導体とアルコールを酸触媒下で反応させることによって得ることができる。
このようにして合成されたフェノール誘導体のうち、アルコキシメチル基を有するフェノール誘導体が感度、保存安定性の点から特に好ましい。

別の好ましい架橋剤の例として、更にアルコキシメチル化メラミン系化合物、アルコキシメチルグリコールウリル系化合物類及びアルコキシメチル化ウレア系化合物のようなＮ−ヒドロキシメチル基又はＮ−アルコキシメチル基を有する化合物を挙げることができる。

このような化合物としては、ヘキサメトキシメチルメラミン、ヘキサエトキシメチルメラミン、テトラメトキシメチルグリコールウリル、１，３−ビスメトキシメチル−４，５−ビスメトキシエチレンウレア、ビスメトキシメチルウレア等が挙げられ、ＥＰ０，１３３，２１６Ａ、西独特許第３，６３４，６７１号、同第３，７１１，２６４号、ＥＰ０，２１２，４８２Ａ号に開示されている。
これら架橋剤の中で特に好ましいものを以下に挙げる。

式中、Ｌ_１〜Ｌ_８は、各々独立に、水素原子、ヒドロキシメチル基、メトキシメチル基、エトキシメチル基又は炭素数１〜６のアルキル基を示す。

本発明において架橋剤は、半導体製造プロセス用レジスト組成物の固形分中、好ましくは３〜６５質量％、より好ましくは５〜５０質量％の添加量で用いられる。架橋剤の添加量を３〜６５質量％とすることにより、残膜率及び解像力が低下することを防止するとともに、レジスト液の保存時の安定性を良好に保つことができる。

本発明において、架橋剤は単独で用いてもよいし、２種以上組み合わせて用いてもよく、パターン形状の観点から２種以上組み合わせて用いることが好ましい。
例えば、上記のフェノール誘導体に加え、他の架橋剤、例えば上述のＮ−アルコキシメチル基を有する化合物等を併用する場合、上記のフェノール誘導体と他の架橋剤の比率は、モル比で１００／０〜２０／８０、好ましくは９０／１０〜４０／６０、更に好ましくは８０／２０〜５０／５０である。

酸架橋性化合物（Ｃ）は、酸架橋性基を有する繰り返し単位を有する樹脂（以下、樹脂（Ｃ’’）とも称する。）であってもよい。前述の化合物（Ｐ）が、酸架橋性基を有する繰り返し単位を更に有する樹脂（Ｃ’’）であることも好ましい。酸架橋性化合物（Ｃ）が、上記樹脂（Ｃ’’）である場合、上記樹脂（Ｃ’’）における繰り返し単位が酸架橋性基を有しているため、酸架橋性基を有する繰り返し単位を有さない樹脂を含有する半導体製造プロセス用レジスト組成物と比べて、架橋反応性が高く、硬い膜を形成することができる。結果としてドライエッチング耐性が向上するものと考えられる。また、活性光線又は放射線の露光部における酸の拡散が抑制されるため、結果として微細パターンを形成する場合に解像力が向上し、パターン形状が良化し、更にラインエッジラフネス（ＬＥＲ）が低減されるものと考えられる。また、下記一般式（Ｃ１）で表される繰り返し単位のように、樹脂の反応点と架橋基の反応点が近接している場合、半導体製造プロセス用レジスト組成物の感度が向上するものと考えられる。

樹脂（Ｃ’’）としては、例えば、下記一般式（Ｃ１）で表される繰り返し単位を有する樹脂が挙げられる。一般式（Ｃ１）で表される繰り返し単位は、置換基を有していてもよいメチロール基を少なくとも１つ含む構造である。
ここで、「メチロール基」とは、下記一般式（Ｍ）で表される基であり、本発明の一形態において、ヒドロキシメチル基又はアルコキシメチル基であることが好ましい。

Ｒ_２及びＲ_３は、水素原子、アルキル基又はシクロアルキル基を表す。
Ｚは、水素原子又は置換基を表す。

以下、一般式（Ｃ１）について説明する。

一般式（Ｃ１）において、
Ｒ_２、Ｒ_３及びＺは、前述した一般式（Ｍ）において定義する通りである。
Ｒ_１は、水素原子、メチル基、又はハロゲン原子を表す。
Ｌは、２価の連結基もしくは単結合を表す。
Ｙは、メチロール基を除く置換基を表す。
ｍは、０〜４の整数を表す。
ｎは、１〜５の整数を表す。
ｍ＋ｎは５以下である。
ｍが２以上である場合、複数のＹは互いに同一であっても異なっていてもよい。
ｎが２以上である場合、複数のＲ_２、Ｒ_３及びＺは互いに同一であっても異なっていてもよい。
また、Ｙ、Ｒ_２、Ｒ_３及びＺの２つ以上が互いに結合して環構造を形成していてもよい。
Ｒ_１、Ｒ_２、Ｒ_３、Ｌ及びＹは、それぞれ置換基を有していてもよい。

樹脂（Ｃ’’）における酸架橋性基を有する繰り返し単位の含有量は、樹脂（Ｃ’’）の全繰り返し単位に対して、３〜４０モル％であることが好ましく、５〜３０モル％であることがより好ましい。
樹脂（Ｃ’’）の含有量は、ネガ型レジスト組成物の全固形分中、好ましくは５〜５０質量％であり、より好ましくは１０〜４０質量％である。
また、前述の化合物（Ｐ）が、酸架橋性基を有する繰り返し単位を更に有する樹脂（Ｃ’’）であるときの樹脂（Ｃ’’）の含有量としては、化合物（Ｐ）の含有量の好ましい範囲と同様である。
樹脂（Ｃ’’）は、酸架橋性基を有する繰り返し単位を２種以上含んでいてもよく、あるいは、２種以上の樹脂（Ｃ’’）を組み合わせて使用してもよい。また、化合物（Ｃ）と樹脂（Ｃ’’）とを組み合わせて使用することもできる。

樹脂（Ｃ’’）に含まれる酸架橋性基を有する繰り返し単位の具体例としては、下記構造が挙げられる。

〔４〕塩基性化合物
本発明の半導体製造プロセス用レジスト組成物には、前記成分の他に、塩基性化合物を酸捕捉剤として含有することが好ましい。塩基性化合物を用いることにより、露光から後加熱までの経時による性能変化を小さくすることできる。このような塩基性化合物としては、有機塩基性化合物であることが好ましく、より具体的には、脂肪族アミン類、芳香族アミン類、複素環アミン類、カルボキシル基を有する含窒素化合物、スルホニル基を有する含窒素化合物、ヒドロキシ基を有する含窒素化合物、ヒドロキシフェニル基を有する含窒素化合物、アルコール性含窒素化合物、アミド誘導体、イミド誘導体等が挙げられる。アミンオキサイド化合物（メチレンオキシ単位及び／又はエチレンオキシ単位を有するものが好ましく、例えば特開２００８−１０２３８３に記載の化合物が挙げられる。）、アンモニウム塩（好ましくはヒドロキシド又はカルボキシレートである。より具体的にはテトラブチルアンモニウムヒドロキシドに代表されるテトラアルキルアンモニウムヒドロキシドがＬＥＲの観点で好ましい。）も適宜用いられる。
更に、酸の作用により塩基性が増大する化合物も、塩基性化合物の１種として用いることができる。
アミン類の具体例としては、トリ−ｎ−ブチルアミン、トリ−ｎ−ペンチルアミン、トリ−ｎ−オクチルアミン、トリ−ｎ−デシルアミン、トリイソデシルアミン、ジシクロヘキシルメチルアミン、テトラデシルアミン、ペンタデシルアミン、ヘキサデシルアミン、オクタデシルアミン、ジデシルアミン、メチルオクタデシルアミン、ジメチルウンデシルアミン、Ｎ，Ｎ−ジメチルドデシルアミン、メチルジオクタデシルアミン、Ｎ，Ｎ−ジブチルアニリン、Ｎ，Ｎ−ジヘキシルアニリン、２，６−ジイソプロピルアニリン、２，４，６−トリ（ｔ−ブチル）アニリン、トリエタノールアミン、Ｎ，Ｎ−ジヒドロキシエチルアニリン、トリス（メトキシエトキシエチル）アミンや、米国特許第６０４０１１２号明細書のカラム３、６０行目以降に例示の化合物、２−［２−｛２―（２，２―ジメトキシ−フェノキシエトキシ）エチル｝−ビス−（２−メトキシエチル）］−アミンや、米国特許出願公開第２００７／０２２４５３９Ａ１号明細書の段落［００６６］に例示されている化合物（Ｃ１−１）〜（Ｃ３−３）などが挙げられる。含窒素複素環構造を有する化合物としては、２−フェニルベンゾイミダゾール、２，４，５−トリフェニルイミダゾール、Ｎ−ヒドロキシエチルピペリジン、ビス（１，２，２，６，６−ペンタメチル−４−ピペリジル）セバケート、４−ジメチルアミノピリジン、アンチピリン、ヒドロキシアンチピリン、１，５−ジアザビシクロ［４．３．０］ノナ−５−エン、１，８−ジアザビシクロ〔５．４．０〕−ウンデカ−７−エン、テトラブチルアンモニウムヒドロキシドなどが挙げられる。
また、光分解性塩基性化合物（当初は塩基性窒素原子が塩基として作用して塩基性を示すが、活性光線あるいは放射線の照射により分解されて、塩基性窒素原子と有機酸部位とを有する両性イオン化合物を発生し、これらが分子内で中和することによって、塩基性が減少又は消失する化合物。例えば、特登３５７７７４３、特開２００１−２１５６８９号、特開２００１−１６６４７６、特開２００８−１０２３８３に記載のオニウム塩）、光塩基発生剤（例えば、特開２０１０−２４３７７３に記載の化合物）も適宜用いられる。
これら塩基性化合物の中でも良好なＬＥＲが得られることから、アンモニウム塩又は光分解性塩基性化合物が好ましい。
本発明において、塩基性化合物は単独で用いてもよいし、２種以上組み合わせて用いてもよい。
本発明で使用される塩基性化合物の含有量は、半導体製造プロセス用レジスト組成物の全固形分に対して、０．０１〜１０質量％が好ましく、０．０３〜５質量％がより好ましく、０．０５〜３質量％が特に好ましい。

〔５〕界面活性剤
本発明の半導体製造プロセス用レジスト組成物は、更に、塗布性を向上させるため界面活性剤を含有してもよい。界面活性剤の例としては、特に限定されるものではないが、ポリオキシエチレンアルキルエーテル類、ポリオキシエチレンアルキルアリルエーテル類、ポリオキシエチレンポリオキシプロピレンブロックコポリマー類、ソルビタン脂肪酸エステル類、ポリオキシエチレンソルビタン脂肪酸エステルなどのノニオン系界面活性剤、メガファックＦ１７１、Ｆ１７６（大日本インキ化学工業製）やフロラードＦＣ４３０（住友スリーエム製）やサーフィノールＥ１００４（旭硝子製）、ＯＭＮＯＶＡ社製のＰＦ６５６及びＰＦ６３２０、等のフッ素系界面活性剤、ポリシロキサンポリマーＫＰ−３４１（信越化学工業（株）製）等のオルガノシロキサンポリマーが挙げられる。
半導体製造プロセス用レジスト組成物が界面活性剤を含有する場合、界面活性剤の使用量は、半導体製造プロセス用レジスト組成物の全量（溶剤を除く）に対して、好ましくは０．０００１〜２質量％、より好ましくは０．０００５〜１質量％である。

〔６〕有機カルボン酸
本発明の半導体製造プロセス用レジスト組成物には、前記成分の他に、有機カルボン酸を含有することがスカム特性の観点から好ましい。このような有機カルボン酸化合物として、脂肪族カルボン酸、脂環式カルボン酸、不飽和脂肪族カルボン酸、オキシカルボン酸、アルコキシカルボン酸、ケトカルボン酸、安息香酸、安息香酸誘導体、フタル酸、テレフタル酸、イソフタル酸、２−ナフトエ酸、１−ヒドロキシ−２−ナフトエ酸、２−ヒドロキシ−３−ナフトエ酸などを挙げることができるが、電子線露光を真空化で行なう際にはレジスト膜表面より揮発して描画チャンバー内を汚染してしまう恐れがあるので、好ましい化合物としては、芳香族有機カルボン酸、その中でも例えば安息香酸、１−ヒドロキシ−２−ナフトエ酸、２−ヒドロキシ−３−ナフトエ酸が好適である。
有機カルボン酸の配合量としては、フェノール性水酸基を有する化合物（Ｐ）１００質量部に対し、０．０１〜１０質量部の範囲内が好ましく、より好ましくは０．０１〜５質量部、更により好ましくは０．０１〜３質量部である。

本発明の半導体製造プロセス用レジスト組成物は、必要に応じて、更に、染料、可塑剤、酸増殖剤（国際公開第９５／２９９６８号公報、国際公開第９８／２４０００号公報、特開平８−３０５２６２号公報、特開平９−３４１０６号公報、特開平８−２４８５６１号公報、特表平８−５０３０８２号公報、米国特許第５，４４５，９１７号明細書、特表平８−５０３０８１号公報、米国特許第５，５３４，３９３号明細書、米国特許第５，３９５，７３６号明細書、米国特許第５，７４１，６３０号明細書、米国特許第５，３３４，４８９号明細書、米国特許第５，５８２，９５６号明細書、米国特許第５，５７８，４２４号明細書、米国特許第５，４５３，３４５号明細書、米国特許第５，４４５，９１７号明細書、欧州特許第６６５，９６０号明細書、欧州特許第７５７，６２８号明細書、欧州特許第６６５，９６１号明細書、米国特許第５，６６７，９４３号明細書、特開平１０−１５０８号公報、特開平１０−２８２６４２号公報、特開平９−５１２４９８号公報、特開２０００−６２３３７号公報、特開２００５−１７７３０号公報、特開２００８−２０９８８９号公報等に記載）等を含有してもよい。これらの化合物については、いずれも特開２００８−２６８９３５号に記載のそれぞれの化合物を挙げることができる。
〔カルボン酸オニウム塩〕
本発明の半導体製造プロセス用レジスト組成物は、カルボン酸オニウム塩を含有してもよい。カルボン酸オニウム塩としては、カルボン酸スルホニウム塩、カルボン酸ヨードニウム塩、カルボン酸アンモニウム塩などを挙げることができる。特に、カルボン酸オニウム塩としては、カルボン酸ヨードニウム塩、カルボン酸スルホニウム塩が好ましい。更に、本発明においては、カルボン酸オニウム塩のカルボキシレート残基が芳香族基、炭素−炭素２重結合を含有しないことが好ましい。特に好ましいアニオン部としては、炭素数１〜３０の直鎖、分岐、単環若しくは多環環状アルキルカルボン酸アニオンが好ましい。更に好ましくはこれらのアルキル基の一部又は全てがフッ素置換されたカルボン酸のアニオンが好ましい。またアルキル鎖中に酸素原子を含んでいても良い。これにより２２０ｎｍ以下の光に対する透明性が確保され、感度、解像力が向上し、疎密依存性、露光マージンが改良される。

〔７〕酸の作用により分解して酸を発生する化合物
本発明の半導体製造プロセス用レジスト組成物は、更に、酸の作用により分解して酸を発生する化合物を１種又は２種以上含んでいてもよい。上記酸の作用により分解して酸を発生する化合物が発生する酸は、スルホン酸、メチド酸又はイミド酸であることが好ましい。

以下に本発明に用いることができる化合物の例を示すが、これらに限定されるものではない。

〔８〕疎水性樹脂（ＨＲ）
本発明の半導体製造プロセス用レジスト組成物は、上記フェノール性水酸基を有する化合物（Ｐ）とは別に疎水性樹脂（ＨＲ）を有していてもよい。このような樹脂を添加することにより、パターンを矩形に近づける効果や、アウトガスを抑止する効果が期待できる。また、感光性膜（レジスト膜）とレンズとの間に空気よりも屈折率の高い液体（純水など）を満たして露光を行う場合、即ち、液浸露光を行う場合にも好ましく用いられる。
上記疎水性樹脂（ＨＲ）は、膜表面に偏在するために、フッ素原子を有する基、珪素原子を有する基、又は炭素数５以上の炭化水素基を含有することが好ましい。これらの基は樹脂の主鎖中に有していても、側鎖に置換していてもよい。
上記疎水性樹脂（ＨＲ）の具体例としては、例えば特開２０１０−１７５８５８号公報段落０２４０〜０２４７に記載されている樹脂、特開２０１３−８０００６号公報０３４９〜０３５４に記載されている樹脂が挙げられる。

本発明の半導体製造プロセス用レジスト組成物に使用される溶剤としては、例えば、エチレングリコールモノエチルエーテルアセテート、シクロヘキサノン、２−ヘプタノン、プロピレングリコールモノメチルエーテル（ＰＧＭＥ、別名１−メトキシ−２−プロパノール）、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート（ＰＧＭＥＡ、別名１−メトキシ−２−アセトキシプロパン）、プロピレングリコールモノメチルエーテルプロピオネート、プロピレングリコールモノエチルエーテルアセテート、３−メトキシプロピオン酸メチル、３−エトキシプロピオン酸エチル、β−メトキシイソ酪酸メチル、酪酸エチル、酪酸プロピル、メチルイソブチルケトン、酢酸エチル、酢酸イソアミル、乳酸エチル、トルエン、キシレン、酢酸シクロヘキシル、ジアセトンアルコール、Ｎ−メチルピロリドン、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、γ−ブチロラクトン、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド、プロピレンカーボネート、エチレンカーボネートなどが好ましい。これらの溶剤は単独若しくは組合せて用いられる。
半導体製造プロセス用レジスト組成物の固形分は、固形分濃度として、１〜４０質量％であることが好ましくより好ましくは１〜３０質量％、更に好ましくは３〜２０質量％である。

本発明は、本発明の半導体製造プロセス用レジスト組成物により形成されたレジスト膜にも関し、このようなレジスト膜は、例えば、該半導体製造プロセス用レジスト組成物が基板等の支持体上に塗布されることにより形成される。このレジスト膜の厚みは、０．０２〜０．１μｍが好ましい。基板上に塗布する方法としては、スピンコート、ロールコート、フローコート、ディップコート、スプレーコート、ドクターコート等の適当な塗布方法により基板上に塗布されるが、スピン塗布が好ましく、その回転数は１０００〜３０００ｒｐｍが好ましい。塗布膜は６０〜１５０℃で１〜２０分間、好ましくは８０〜１２０℃で１〜１０分間プリベークして薄膜を形成する。

被加工基板及びその最表層を構成する材料は、例えば半導体用ウエハの場合、シリコンウエハを用いることができ、最表層となる材料の例としては、Ｓｉ，ＳｉＯ_２，ＳｉＮ，ＳｉＯＮ，ＴｉＮ，ＷＳｉ，ＢＰＳＧ，ＳＯＧ，有機反射防止膜等が挙げられる。

また、本発明は、上記のようにして得られるレジスト膜を塗布した、レジスト塗布マスクブランクスにも関する。このようなレジスト塗布マスクブランクスを得るために、フォトマスク作製用のフォトマスクブランクス上にレジストパターンを形成する場合、使用される透明基板としては、石英、フッ化カルシウム等の透明基板を挙げることができる。一般には、該基板上に、遮光膜、反射防止膜、更に位相シフト膜、追加的にはエッチングストッパー膜、エッチングマスク膜といった機能性膜の必要なものを積層する。機能性膜の材料としては、ケイ素、又はクロム、モリブデン、ジルコニウム、タンタル、タングステン、チタン、ニオブ等の遷移金属を含有する膜が積層される。また、最表層に用いられる材料としては、ケイ素又はケイ素に酸素及び／又は窒素を含有する材料を主構成材料とするもの、更にそれらに遷移金属を含有する材料を主構成材料とするケイ素化合物材料や、遷移金属、特にクロム、モリブデン、ジルコニウム、タンタル、タングステン、チタン、ニオブ等より選ばれる１種以上、又は更にそれらに酸素、窒素、炭素より選ばれる元素を１以上含む材料を主構成材料とする遷移金属化合物材料が例示される。
遮光膜は単層でも良いが、複数の材料を塗り重ねた複層構造であることがより好ましい。複層構造の場合、１層当たりの膜の厚みは、特に限定されないが、５ｎｍ〜１００ｎｍであることが好ましく、１０ｎｍ〜８０ｎｍであることがより好ましい。遮光膜全体の厚みとしては、特に限定されないが、５ｎｍ〜２００ｎｍであることが好ましく、１０ｎｍ〜１５０ｎｍであることがより好ましい。

これらの材料のうち、一般にクロムに酸素や窒素を含有する材料を最表層に持つフォトマスクブランク上で半導体製造プロセス用レジスト組成物を用いてパターン形成を行った場合、基板付近でくびれ形状が形成される、いわゆるアンダーカット形状となりやすいが、本発明を用いた場合、従来のものに比べてアンダーカット問題を改善することができる。
次いで、このレジスト膜には活性光線又は放射線（電子線、ＥＵＶ光等）を照射し、好ましくはベーク（通常８０〜１５０℃、より好ましくは９０〜１３０℃で、通常１〜２０分間、好ましくは１〜１０分間）を行った後、現像する。これにより良好なパターンを得ることができる。そして、このパターンをマスクとして用いて、適宜エッチング処理及びイオン注入などを行い、半導体微細回路及びインプリント用モールド構造体やフォトマスク等を作成する。
なお、本発明の組成物を用いてインプリント用モールドを作成する場合のプロセスについては、例えば、特許第４１０９０８５号公報、特開２００８−１６２１０１号公報、及び「ナノインプリントの基礎と技術開発・応用展開―ナノインプリントの基板技術と最新の技術展開―編集：平井義彦（フロンティア出版）」に記載されている。

本発明の半導体製造プロセス用レジスト組成物の使用形態及びレジストパターン形成方法を次に説明する。
本発明は、上記レジスト膜又はレジスト塗布マスクブランクスを露光する工程、及び、該露光されたレジスト膜又はレジスト塗布マスクブランクスを現像する工程を含む、レジストパターン形成方法にも関する。本発明において、前記露光がＡｒＦ光、ＫｒＦ光、電子線又は極紫外線を用いて行われることが好ましい。
精密集積回路素子の製造などにおいてレジスト膜上への露光（パターン形成工程）は、まず本発明のレジスト膜にパターン状に電子線又は極紫外線（ＥＵＶ）照射を行うことが好ましい。露光量は電子線の場合０．１〜２０μＣ／ｃｍ^２程度、好ましくは３〜１５μＣ／ｃｍ^２程度、極紫外線の場合０．１〜２０ｍＪ／ｃｍ^２程度、好ましくは３〜１５ｍＪ／ｃｍ^２程度となるように露光する。次いで、ホットプレート上で６０〜１５０℃で１〜２０分間、好ましくは８０〜１２０℃で１〜１０分間、露光後加熱（ポストエクスポージャベーク）を行い、ついで現像、リンス、乾燥することによりレジストパターンを形成する。例えば、アルカリ現像の場合、現像液は、テトラメチルアンモニウムヒドロキシド（ＴＭＡＨ）、テトラブチルアンモニウムヒドロキシド（ＴＢＡＨ）等の好ましくは０．１〜５質量％、より好ましくは２〜３質量％アルカリ水溶液で、好ましくは０．１〜３分間、より好ましくは０．５〜２分間、浸漬（ｄｉｐ）法、パドル（ｐｕｄｄｌｅ）法、スプレー（ｓｐｒａｙ）法等の常法により現像する。アルカリ現像液には、アルコール類及び／又は界面活性剤を、適当量添加してもよい。アルカリ現像液のｐＨは、通常１０．０〜１５．０である。特に、テトラメチルアンモニウムヒドロキシドの２．３８％質量の水溶液が望ましい。

現像工程では、通常、アルカリ現像液、又は、有機溶剤を含有する現像液（以下、有機系現像液とも言う）を用いることができる。アルカリ現像液としては、例えば、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、炭酸ナトリウム、ケイ酸ナトリウム、メタケイ酸ナトリウム、アンモニア水等の無機アルカリ類、エチルアミン、ｎ−プロピルアミン等の第一アミン類、ジエチルアミン、ジ−ｎ−ブチルアミン等の第二アミン類、トリエチルアミン、メチルジエチルアミン等の第三アミン類、ジメチルエタノールアミン、トリエタノールアミン等のアルコールアミン類、テトラメチルアンモニウムヒドロキシド、テトラエチルアンモニウムヒドロキシド、テトラプロピルアンモニウムヒドドキシド、テトラブチルアンモニウムヒドロキシド、テトラペンチルアンモニウムヒドロキシド、テトラヘキシルアンモニウムヒドロキシド、テトラオクチルアンモニウムヒドロキシド、エチルトリメチルアンモニウムヒドロキシド、ブチルトリメチルアンモニウムヒドロキシド、メチルトリアミルアンモニウムヒドロキシド、ジブチルジペンチルアンモニウムヒドロキシド等のテトラアルキルアンモニウムヒドロキシド、トリメチルフェニルアンモニウムヒドロキシド、トリメチルベンジルアンモニウムヒドロキシド、トリエチルベンジルアンモニウムヒドロキシド等の第四級アンモニウム塩、ピロール、ピヘリジン等の環状アミン類等のアルカリ性水溶液が挙げられる。

アルカリ現像液には、適当量のアルコール類及び／又は界面活性剤を添加してもよい。
アルカリ現像液の濃度は、通常は０．１〜２０質量％である。アルカリ現像液のｐＨは、通常は１０．０〜１５．０である。アルカリ現像液のアルカリ濃度及びｐＨは、適宜調製して用いることができる。アルカリ現像液は、界面活性剤や有機溶剤を添加して用いてもよい。
現像液がアルカリ現像液である場合、リンス液としては、純水を使用し、界面活性剤を適当量添加して使用することもできる。

有機系現像液は、酸の作用によりアルカリ現像液に対する溶解性が増大する樹脂（換言すれば酸の作用により極性が増大する基を有する樹脂）を含む組成物を用いて、ネガ型パターンを得る際に特に好ましく用いられる。有機系現像液としては、エステル系溶剤（酢酸ブチル、プロピレングリコールモノメチルエーテルなど）、ケトン系溶剤（２−ヘプタノン、シクロヘキサノンなど）、アルコール系溶剤、アミド系溶剤、エーテル系溶剤等の極性溶剤及び炭化水素系溶剤を用いることができる。有機系現像液全体としての含水率は１０質量％未満であることが好ましく、実質的に水分を含有しないことがより好ましい。
すなわち、有機系現像液に対する有機溶剤の使用量は、現像液の全量に対して、９０質量％以上１００質量％以下であることが好ましく、９５質量％以上１００質量％以下であることが好ましい。

現像液には、必要に応じてアルコール類及び／又は界面活性剤を適当量添加することができる。
界面活性剤としては特に限定されないが、例えば、イオン性や非イオン性のフッ素系及び／又はシリコン系界面活性剤等を用いることができる。これらのフッ素及び／又はシリコン系界面活性剤として、例えば特開昭６２−３６６６３号公報、特開昭６１−２２６７４６号公報、特開昭６１−２２６７４５号公報、特開昭６２−１７０９５０号公報、特開昭６３−３４５４０号公報、特開平７−２３０１６５号公報、特開平８−６２８３４号公報、特開平９−５４４３２号公報、特開平９−５９８８号公報、米国特許第５４０５７２０号明細書、同５３６０６９２号明細書、同５５２９８８１号明細書、同５２９６３３０号明細書、同５４３６０９８号明細書、同５５７６１４３号明細書、同５２９４５１１号明細書、同５８２４４５１号明細書記載の界面活性剤を挙げることができ、好ましくは、非イオン性の界面活性剤である。非イオン性の界面活性剤としては特に限定されないが、フッ素系界面活性剤又はシリコン系界面活性剤を用いることが更に好ましい。
界面活性剤の使用量は現像液の全量に対して、通常０．００１〜５質量％、好ましくは０．００５〜２質量％、更に好ましくは０．０１〜０．５質量％である。

本発明で用いられる現像液は、塩基性化合物を含んでいてもよい。本発明で用いられる現像液が含みうる塩基性化合物の具体例及び好ましい例としては、前述した、半導体製造プロセス用レジスト組成物が含みうる塩基性化合物として例示した化合物が挙げられる。

現像方法としては、たとえば、現像液が満たされた槽中に基板を一定時間浸漬する方法（ディップ法）、基板表面に現像液を表面張力によって盛り上げて一定時間静止することで現像する方法（パドル法）、基板表面に現像液を噴霧する方法（スプレー法）、一定速度で回転している基板上に一定速度で現像液吐出ノズルをスキャンしながら現像液を吐出しつづける方法（ダイナミックディスペンス法）などを適用することができる。
上記各種の現像方法が、現像装置の現像ノズルから現像液をレジスト膜に向けて吐出する工程を含む場合、吐出される現像液の吐出圧（吐出される現像液の単位面積あたりの流速）は好ましくは２ｍＬ／ｓｅｃ／ｍｍ^２以下、より好ましくは１．５ｍＬ／ｓｅｃ／ｍｍ^２以下、更に好ましくは１ｍＬ／ｓｅｃ／ｍｍ^２以下である。流速の下限は特に無いが、スループットを考慮すると０．２ｍＬ／ｓｅｃ／ｍｍ^２以上が好ましい。
吐出される現像液の吐出圧を上記の範囲とすることにより、現像後のレジスト残渣に由来するパターンの欠陥を著しく低減することができる。
このメカニズムの詳細は定かではないが、恐らくは、吐出圧を上記範囲とすることで、現像液がレジスト膜に与える圧力が小さくなり、レジスト膜・レジストパターンが不用意に削られたり崩れたりすることが抑制されるためと考えられる。
なお、現像液の吐出圧（ｍＬ／ｓｅｃ／ｍｍ^２）は、現像装置中の現像ノズル出口における値である。

現像液の吐出圧を調整する方法としては、例えば、ポンプなどで吐出圧を調整する方法や、加圧タンクからの供給で圧力を調整することで変える方法などを挙げることができる。

また、現像液を用いて現像する工程の後に、他の溶媒に置換しながら、現像を停止する工程を実施してもよい。

アルカリ現像の後に行うリンス処理におけるリンス液としては、純水を使用し、界面活性剤を適当量添加して使用することもできる。

現像液が有機系現像液である場合、リンス液としては、ケトン系溶剤、エステル系溶剤、アルコール系溶剤、アミド系溶剤からなる群より選択される少なくとも１種類の有機溶剤を含有するリンス液を使用することが好ましい。

本発明のレジストパターン形成方法においては、有機溶剤を含む現像液を用いて現像する工程（有機溶剤現像工程）と、アルカリ水溶液を用いて現像を行い、レジストパターンを形成する工程（アルカリ現像工程）とを組み合わせて行うことができる。これにより、より微細なパターンを形成することができる。
本発明において、有機溶剤現像工程によって露光強度の弱い部分が除去されるが、更にアルカリ現像工程を行うことによって露光強度の強い部分も除去される。このように現像を複数回行う多重現像プロセスにより、中間的な露光強度の領域のみを溶解させずにパターン形成が行えるので、通常より微細なパターンを形成できる（特開２００８−２９２９７５号公報［００７７］と同様のメカニズム）。
本発明のパターン形成方法においては、アルカリ現像工程及び有機溶剤現像工程の順序は特に限定されないが、アルカリ現像を、有機溶剤現像工程の前に行うことがより好ましい。

こうして、本発明の半導体製造プロセス用レジスト組成物から形成されるレジスト膜について、例えば、架橋ネガ型の場合は、未露光部分のレジスト膜は現像液に溶解し、露光された部分はフェノール性水酸基を有する化合物が架橋しているので現像液に溶解され難く、基板上に目的のパターンが形成される。

また本発明は、レジスト塗布マスクブランクスを、露光及び現像して得られるフォトマスクにも関する。露光及び現像としては、上記に記載の工程が適用される。該フォトマスクは半導体製造用として好適に使用される。
本発明におけるフォトマスクは、ＡｒＦエキシマレーザー等で用いられる光透過型マスクであっても、ＥＵＶ光を光源とする反射系リソグラフィーで用いられる光反射型マスクであっても良い。

また、本発明は、上記した本発明のレジストパターン形成方法を含む、電子デバイスの製造方法、及び、この製造方法により製造された電子デバイスにも関する。
本発明の電子デバイスは、電気電子機器（家電、ＯＡ・メディア関連機器、光学用機器及び通信機器等）に、好適に、搭載されるものである。

以下、本発明を実施例により更に詳細に説明するが、本発明の内容がこれにより限定されるものではない。

［化合物（Ａ）の合成］
＜化合物（Ａ９）の合成＞
ｏ−アミノチオフェノール（和光純薬製）５．０ｇとピバロイルアセトニトリル（東京化成製）５．０ｇを混合し、１２０℃で２時間攪拌した。放冷後、粗生成物をシリカゲルカラムクロマトグラフィー精製して、中間体Ａ９−Ａを５．７ｇ得た。
ＴＨＦ（テトラヒドロフラン）３ｍＬと中間体Ａ９−Ａ（５．６ｇ）を混合し、氷冷下２Ｍ塩酸／ＴＨＦ溶液２４ｍＬ、次いで亜硝酸イソペンチル（和光純薬製）（３．４ｇ）を滴下し、室温（２５℃）まで昇温後２時間攪拌した。得られた反応混合物に水、酢酸エチルを添加して分液し、有機相を水で洗浄後、硫酸マグネシウムで乾燥し、ろ過、濃縮して粗中間体Ａ９−Ｂを得た。
粗中間体Ａ９−Ｂをアセトン（２０ｍＬ）と混合し、氷冷下でトリエチルアミン（和光純薬製）（４．９ｇ）、ｐ−トルエンスルホニルクロリド（東京化成製）（５．９ｇ）を添加後、室温まで昇温して１時間攪拌した。得られた反応混合液に水、酢酸エチルを添加して分液し、有機相を硫酸マグネシウムで乾燥後、ろ過、濃縮して粗化合物（Ａ９）を得た。粗化合物（Ａ９）をメタノールでリスラリー後、ろ過、乾燥して化合物（Ａ９）（６．０ｇ）を得た。

なお、化合物（Ａ９）の^１Ｈ−ＮＭＲスペクトル（３００ＭＨｚ、ＣＤＣｌ_３）は、δ＝８．１−８．０（ｍ，１Ｈ），７．９（ｄ，２Ｈ），７．９−７．８（ｍ，１Ｈ），７．６−７．５（ｍ，２Ｈ），７．４（ｄ．２Ｈ），２．４（ｓ，３Ｈ），１．４（ｓ，９Ｈ）であった。
同様にして、化合物（Ａ１）〜（Ａ８）、（Ａ１０）〜（Ａ１４）を合成した。

〔実施例１Ｐ〕（電子線露光；ポジ型）
（１）支持体の準備
酸化Ｃｒ蒸着した６インチウェハー（通常のフォトマスクブランクスに使用する遮蔽膜処理を施した物）を準備した。

（２）レジスト塗布液の準備
（ポジ型レジスト組成物１Ｄの塗布液組成）
化合物（Ｐ−４） ０．６０ｇ
化合物（Ａ１）（構造式は上記） ０．１２ｇ
テトラブチルアンモニウムヒドロキシド（塩基性化合物） ０．０２ｇ
界面活性剤ＰＦ６３２０（ＯＭＮＯＶＡ（株）製） ０．００１ｇ
プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート（溶剤） １８．０ｇ

上記組成物溶液を０．０４μｍの孔径を有するポリテトラフルオロエチレンフィルターで精密ろ過して、レジスト塗布溶液を得た。

（３）レジスト膜の作成
上記６インチウェハー上に東京エレクトロン製スピンコーターＭａｒｋ８を用いてレジスト塗布溶液を塗布し、１１０℃、９０秒間ホットプレート上で乾燥して、膜厚５０ｎｍのレジスト膜を得た。すなわち、レジスト塗布マスクブランクスを得た。

（４）ポジ型レジストパターンの作製
このレジスト膜に、電子線描画装置（（株）エリオニクス社製；ＥＬＳ−７５００、加速電圧５０ＫｅＶ）を用いて、パターン照射を行った。照射後に、１２０℃、９０秒ホットプレート上で加熱し、２．３８質量％テトラメチルアンモニウムハイドロオキサイド（ＴＭＡＨ）水溶液を用いて６０秒間浸漬した後、３０秒間、水でリンスして乾燥した。

（５）レジストパタ−ンの評価
得られたパターンを下記の方法で、感度、解像力、パタ−ン形状、ＬＥＲ、アウトガス及び経時安定性について評価した。

〔感度〕
得られたパターンの断面形状を走査型電子顕微鏡（（株）日立製作所製Ｓ−４３００）を用いて観察した。線幅５０ｎｍ（ライン：スペース＝１：１）のレジストパターンを解像するときの露光量（電子線照射量）を感度とした。この値が小さいほど、感度が高い。

〔解像力評価（ＬＳ）〕
上記の感度を示す露光量（電子線照射量）における限界解像力（ラインとスペースが分離解像する最小の線幅）を解像力とした。

〔パタ−ン形状〕
上記の感度を示す露光量（電子線照射量）における線幅５０ｎｍのラインパターン（Ｌ／Ｓ＝１／１）の断面形状を走査型電子顕微鏡（（株）日立製作所製Ｓ−４３００）を用いて観察した。ラインパターンの断面形状において、［ラインパターンのボトム部（底部）における線幅／ラインパターンの中部（ラインパターンの高さの半分の高さ位置）における線幅］で表される比率が１．２以上のものを「順テーパー」とし、該比率が１．０５以上１．２未満のものを「やや順テーパー」とし、該比率が１．０５未満のものを「矩形」として、評価を行った。

〔ラインエッジラフネス（ＬＥＲ）〕
上記の感度を示す照射量（電子線照射量）で、線幅５０ｎｍのラインパターン（Ｌ／Ｓ＝１／１）を形成した。そして、その長さ方向１０μｍに含まれる任意の３０点について、走査型電子顕微鏡（（株）日立製作所製Ｓ−９２２０）を用いて、エッジがあるべき基準線からの距離を測定した。そして、この距離の標準偏差を求め、３σを算出した。値が小さいほど良好な性能であることを示す。

〔アウトガス性能：露光後の膜厚変動率〕
上記感度を示す照射量（μＣ／ｃｍ^２）で、線幅５０ｎｍのラインパターン（Ｌ／Ｓ＝１／１）を形成し、露光後（後加熱前）の膜厚を測定し、以下の式から、未露光時の膜厚からの変動率を求めた。
膜厚変動率（％）＝［（未露光時の膜厚−露光後の膜厚）／未露光時の膜厚］×１００
（判定基準）
Ａ：膜厚変動率が５％未満。
Ｂ：膜厚変動率が５％以上１０％以下。
Ｃ：膜厚変動率が１０％より大きい。

〔経時安定性〕
レジスト組成物を室温で１ケ月保存した後、感度変動の度合いを下記判定基準に従って目視により評価した。
（判定基準）
Ａ：観察される感度変動が１μＣ／ｃｍ^２未満。
Ｂ：観察される感度変動が１μＣ／ｃｍ^２以上３μＣ／ｃｍ^２以下。
Ｃ：観察される感度変動が３μＣ／ｃｍ^２より大きい。

〔実施例２Ｐ〕〜〔実施例２４Ｐ〕、及び〔比較例１Ｐ〕〜〔比較例３Ｐ〕（電子線露光；ポジ型）
レジスト液処方で、下表１に記載の成分以外は実施例１Ｐと同様にしてレジスト溶液（ポジ型レジスト組成物２Ｄ〜２４Ｄ、ポジ型レジスト比較組成物１Ｄ〜３Ｄ）の調製、ポジ型パターン形成及びその評価を行った。

〔化合物（Ｐ）〕
使用した化合物（Ｐ）の構造、組成比（モル比）、重量平均分子量（Ｍｗ）及び分散度（Ｍｗ／Ｍｎ）を以下に示す。

〔塩基性化合物〕
Ｂ１：テトラブチルアンモニウムヒドロキシド
Ｂ２：トリ（ｎ−オクチル）アミン
Ｂ３：２，４，５−トリフェニルイミダゾール

〔界面活性剤〕
Ｗ−１：ＰＦ６３２０（ＯＭＮＯＶＡ（株）製）
Ｗ−２：メガファックＦ１７６（大日本インキ化学工業（株）製；フッ素系）
Ｗ−３：ポリシロキサンポリマーＫＰ−３４１（信越化学工業（株）製；シリコン系）

〔溶剤〕
Ｓ１：プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート（１−メトキシ−２−アセトキシプロパン）
Ｓ２：プロピレングリコールモノメチルエーテル（１−メトキシ−２−プロパノール）
Ｓ３：２−ヘプタノン
Ｓ４：乳酸エチル
Ｓ５：シクロヘキサノン
Ｓ６：γ−ブチロラクトン
Ｓ７：プロピレンカーボネート
評価結果を下記表に示す。

上記表に示した結果から明らかなように、一般式（Ｉ）を満たさない酸発生剤を使用した比較例１Ｐ〜３Ｐは、感度、解像力に劣り、パターンも順テーパーであり、ＬＥＲも大きく、アウトガスの発生も多く、比較例１Ｐ及び２Ｐについては経時安定性にも劣ることがわかる。
一方、酸発生剤として一般式（Ｉ）で表される化合物を使用した実施例１Ｐ〜２４Ｐは、感度、解像力に優れ、パターンも矩形であり、ＬＥＲも小さく、アウトガスの発生も少なく、経時安定性にも優れることがわかる。

〔実施例１Ｑ〜９Ｑ及び比較例１Ｑ〜３Ｑ〕（ＥＵＶ露光；ポジ型）
（レジスト溶液の調製）
下記表に示したポジ型レジスト組成物をポアサイズ０．０４μｍのポリテトラフルオロエチレンフィルターによりろ過して、ポジ型レジスト溶液を調製した。

（レジスト評価）
調製したポジ型レジスト溶液を、スピンコーターを用いて、ヘキサメチルジシラザン処理を施したシリコン基板上に均一に塗布し、１００℃で６０秒間ホットプレート上で加熱乾燥を行って、５０ｎｍの膜厚を有したレジスト膜を形成させた。
得られたレジスト膜に関し、下記の方法で、感度、解像力、パタ−ン形状、ＬＥＲ、アウトガス及び経時安定性について評価した。

〔感度〕
得られたレジスト膜に、ＥＵＶ露光装置（Ｅｘｉｔｅｃｈ社製 Ｍｉｃｒｏ Ｅｘｐｏｓｕｒｅ Ｔｏｏｌ、ＮＡ０．３、Ｑｕａｄｒｕｐｏｌｅ、アウターシグマ０．６８、インナーシグマ０．３６）を用いて、露光量を０〜２０．０ｍＪ／ｃｍ^２の範囲で０．１ｍＪ／ｃｍ^２ずつ変えながら、線幅５０ｎｍの１：１ラインアンドスペースパターンの反射型マスクを介して、露光を行った後、１１０℃で９０秒間ベークした。その後、２．３８質量％テトラメチルアンモニウムハイドロオキサイド（ＴＭＡＨ）水溶液を用いて現像した。
線幅５０ｎｍのラインアンドスペース（Ｌ／Ｓ＝１／１）のマスクパターンを再現する露光量を感度とした。この値が小さいほど、感度が高い。

〔解像力〕
上記の感度を示す露光量における限界解像力（ラインとスペースとが分離解像する最小の線幅）を解像力（ｎｍ）とした。

〔パターン形状〕
上記の感度を示す露光量における線幅５０ｎｍのラインパターン（Ｌ／Ｓ＝１／１）の断面形状を走査型電子顕微鏡（（株）日立製作所製Ｓ−４３００）を用いて観察した。ラインパターンの断面形状において、［ラインパターンのボトム部（底部）における線幅／ラインパターンの中部（ラインパターンの高さの半分の高さ位置）における線幅］で表される比率が１．２以上のものを「順テーパー」とし、該比率が１．０５以上１．２未満のものを「やや順テーパー」とし、該比率が１．０５未満のものを「矩形」として、評価を行った。

〔ＬＥＲ〕
上記の感度を示す露光量で、線幅５０ｎｍのラインパターン（Ｌ／Ｓ＝１／１）を形成した。そして、その長さ方向１０μｍにおける任意の３０点について、走査型電子顕微鏡（（株）日立製作所製Ｓ−９２２０）を用いて、エッジがあるべき基準線からの距離を測定した。そして、この距離の標準偏差を求め、３σを算出した。値が小さいほど良好な性能であることを示す。

〔アウトガス性能：露光後の膜厚変動率〕
上記感度を示す露光量（ｍＪ／ｃｍ^２）で、線幅５０ｎｍのラインパターン（Ｌ／Ｓ＝１／１）を形成し、露光後（後加熱前）の膜厚を測定し、以下の式から、未露光時の膜厚からの変動率を求めた。
膜厚変動率（％）＝[（未露光時の膜厚−露光後の膜厚）／未露光時の膜厚]×１００
（判定基準）
Ａ：膜厚変動率が５％未満。
Ｂ：膜厚変動率が５％以上１０％以下。
Ｃ：膜厚変動率が１０％より大きい。

〔経時安定性〕
レジスト組成物を室温で１ケ月保存した後、感度変動の度合いを下記判定基準に従って目視により評価した。
（判定基準）
Ａ：観察される感度変動が１ｍＪ／ｃｍ^２未満。
Ｂ：観察される感度変動が１ｍＪ／ｃｍ^２以上３ｍＪ／ｃｍ^２以下。
Ｃ：観察される感度変動が３ｍＪ／ｃｍ^２より大きい。

以上の評価結果を下記表に示す。

上記表に示した結果から明らかなように、一般式（Ｉ）を満たさない酸発生剤を使用した比較例１Ｑ〜３Ｑは、感度、解像力に劣り、パターンも逆テーパーであり、ＬＥＲも大きく、アウトガスの発生も多く、比較例１Ｑ及び２Ｑについては経時安定性にも劣ることがわかる。
一方、酸発生剤として一般式（Ｉ）で表される化合物を使用した実施例１Ｑ〜９Ｑは、感度、解像力に優れ、パターンも矩形であり、ＬＥＲも小さく、アウトガスの発生も少なく、経時安定性にも優れることがわかる。

〔実施例１Ｅ〜２９Ｅ、及び比較例１Ｅ〜３Ｅ〕（電子線露光；架橋ネガ型）
（１）支持体の準備
酸化Ｃｒ蒸着した６インチウェハー（通常のフォトマスクブランクスに使用する遮蔽膜処理を施した物）を準備した。

（２）レジスト塗布液の準備
（ネガ型レジスト組成物Ｎ１の塗布液組成）
化合物（Ｐ−２４） ４．２１ｇ
化合物（Ａ１）（構造式は上記） ０．４７ｇ
架橋剤ＣＬ−１（構造式は下記） ０．５９ｇ
架橋剤ＣＬ−４（構造式は下記） ０．３０ｇ
テトラブチルアンモニウムヒドロキシド（塩基性化合物） ０．０４ｇ
２−ヒドロキシ−３−ナフトエ酸（有機カルボン酸） ０．１１ｇ
界面活性剤ＰＦ６３２０（ＯＭＮＯＶＡ（株）製） ０．００５ｇ
プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート（溶剤） １８．８ｇ
プロピレングリコールモノメチルエーテル（溶剤） ７５．０ｇ

〔化合物（Ｐ）〕
使用した化合物（Ｐ）の構造、組成比（モル比）、重量平均分子量（Ｍｗ）及び分散度（Ｍｗ／Ｍｎ）を以下に示す。

〔架橋剤〕

〔塩基性化合物〕
塩基性化合物のＢ１〜Ｂ６については前掲の通りである。
〔有機カルボン酸〕
Ｄ１：２−ヒドロキシ−３−ナフトエ酸
Ｄ２：２−ナフトエ酸
Ｄ３：安息香酸
〔界面活性剤〕
界面活性剤のＷ１〜Ｗ３については前掲の通りである。
〔溶剤〕
溶剤のＳ１〜Ｓ７については前掲の通りである。

上記組成物溶液を０．０４μｍの孔径を有するポリテトラフルオロエチレンフィルターで精密ろ過して、レジスト塗布溶液を得た。

（３）レジスト膜の作成
上記６インチウェハー上に、東京エレクトロン製スピンコーターＭａｒｋ８を用いてレジスト塗布溶液を塗布し、１１０℃、９０秒間ホットプレート上で乾燥して、膜厚５０ｎｍのレジスト膜を得た。すなわち、レジスト塗布マスクブランクスを得た。

（４）ネガ型レジストパターンの作製
このレジスト膜に、電子線描画装置（（株）エリオニクス社製；ＥＬＳ−７５００、加速電圧５０ＫｅＶ）を用いて、パターン照射を行った。照射後に、１２０℃、９０秒間ホットプレート上で加熱し、２．３８質量％テトラメチルアンモニウムハイドロオキサイド（ＴＭＡＨ）水溶液を用いて６０秒間浸漬した後、３０秒間、水でリンスして乾燥した。

（５）レジストパタ−ンの評価
得られたパターンを下記の方法で、感度、解像力、パタ−ン形状、ＬＥＲ、アウトガス及び経時安定性について評価した。

〔感度〕
得られたパターンの断面形状を走査型電子顕微鏡（（株）日立製作所製Ｓ−４３００）を用いて観察した。線幅５０ｎｍ（ライン：スペース＝１：１）のレジストパターンを解像するときの露光量（電子線照射量）を感度とした。この値が小さいほど、感度が高い。

〔解像力〕
上記の感度を示す露光量（電子線照射量）における限界解像力（ラインとスペースが分離解像する最小の線幅）を解像力（ｎｍ）とした。

〔パタ−ン形状〕
上記の感度を示す露光量（電子線照射量）における線幅５０ｎｍのラインパターン（Ｌ／Ｓ＝１／１）の断面形状を走査型電子顕微鏡（（株）日立製作所製Ｓ−４３００）を用いて観察した。ラインパターンの断面形状において、［ラインパターンのトップ部（表面部）における線幅／ラインパターンの中部（ラインパターンの高さの半分の高さ位置）における線幅］で表される比率が１．５以上のものを「逆テーパー」とし、該比率が１．２以上１．５未満のものを「やや逆テーパー」とし、該比率が１．２未満のものを「矩形」として、評価を行った。

〔ＬＥＲ〕
上記の感度を示す照射量（電子線照射量）で、線幅５０ｎｍのラインパターン（Ｌ／Ｓ＝１／１）を形成した。そして、その長さ方向５０μｍに含まれる任意の３０点について、走査型電子顕微鏡（（株）日立製作所製Ｓ−９２２０）を用いて、エッジがあるべき基準線からの距離を測定した。そして、この距離の標準偏差を求め、３σを算出した。値が小さいほど良好な性能であることを示す。

〔アウトガス性能：露光後の膜厚変動率〕
上記感度を示す照射量（μＣ／ｃｍ^２）で、線幅５０ｎｍのラインパターン（Ｌ／Ｓ＝１／１）を形成し、露光後（後加熱前）の膜厚を測定し、以下の式から、未露光時の膜厚からの変動率を求めた。
膜厚変動率（％）＝［（未露光時の膜厚−露光後の膜厚）／未露光時の膜厚］×１００
（判定基準）
Ａ：膜厚変動率が５％未満。
Ｂ：膜厚変動率が５％以上１０％以下。
Ｃ：膜厚変動率が１０％より大きい。

〔経時安定性〕
レジスト組成物を室温で１ケ月保存した後、感度変動の度合いを下記判定基準に従って目視により評価した。
（判定基準）
Ａ：観察される感度変動が１μＣ／ｃｍ^２未満。
Ｂ：観察される感度変動が１μＣ／ｃｍ^２以上３μＣ／ｃｍ^２以下。
Ｃ：観察される感度変動が３μＣ／ｃｍ^２より大きい。

上記表に示した結果から明らかなように、一般式（Ｉ）を満たさない酸発生剤を使用した比較例１Ｅ〜３Ｅは、感度、解像力に劣り、パターンも順テーパーであり、ＬＥＲも大きく、アウトガスの発生も多く、比較例１Ｅ及び２Ｅについては経時安定性にも劣ることがわかる。
一方、酸発生剤として一般式（Ｉ）で表される化合物を使用した実施例１Ｅ〜２９Ｅは、感度、解像力に優れ、パターンも矩形であり、ＬＥＲも小さく、アウトガスの発生も少なく、経時安定性にも優れることがわかる。

〔実施例１Ｆ〜６Ｆ及び比較例１Ｆ〜３Ｆ〕（ＥＵＶ露光；架橋ネガ型）
（レジスト溶液の調製）
下表に示したネガ型レジスト組成物をポアサイズ０．０４μｍのポリテトラフルオロエチレンフィルターによりろ過して、ネガ型レジスト溶液を調製した。

（レジスト評価）
調製したネガ型レジスト溶液を、スピンコーターを用いて、ヘキサメチルジシラザン処理を施したシリコン基板上に均一に塗布し、１００℃で６０秒間ホットプレート上で加熱乾燥を行って、５０ｎｍの膜厚を有したレジスト膜を形成させた。
得られたレジスト膜に関し、下記の方法で、感度、解像力、パタ−ン形状、ＬＥＲ、アウトガス及び経時安定性について評価した。

〔感度〕
得られたレジスト膜に、ＥＵＶ露光装置（Ｅｘｉｔｅｃｈ社製 Ｍｉｃｒｏ Ｅｘｐｏｓｕｒｅ Ｔｏｏｌ、ＮＡ０．３、Ｑｕａｄｒｕｐｏｌｅ、アウターシグマ０．６８、インナーシグマ０．３６）を用いて、露光量を０〜２０．０ｍＪ／ｃｍ^２の範囲で０．１ｍＪ／ｃｍ^２ずつ変えながら、線幅５０ｎｍの１：１ラインアンドスペースパターンの反射型マスクを介して、露光を行った後、１１０℃で９０秒間ベークした。その後、２．３８質量％テトラメチルアンモニウムハイドロオキサイド（ＴＭＡＨ）水溶液を用いて現像した。
線幅５０ｎｍのラインアンドスペース（Ｌ／Ｓ＝１／１）のマスクパターンを再現する露光量を感度とした。この値が小さいほど、感度が高い。

〔解像力〕
上記の感度を示す露光量における限界解像力（ラインとスペースとが分離解像する最小の線幅）を解像力（ｎｍ）とした。

〔パターン形状〕
上記の感度を示す露光量における線幅５０ｎｍのラインパターン（Ｌ／Ｓ＝１／１）の断面形状を走査型電子顕微鏡（（株）日立製作所製Ｓ−４３００）を用いて観察した。ラインパターンの断面形状において、［ラインパターンのトップ部（表面部）における線幅／ラインパターンの中部（ラインパターンの高さの半分の高さ位置）における線幅］で表される比率が１．５以上のものを「逆テーパー」とし、該比率が１．２以上１．５未満のものを「やや逆テーパー」とし、該比率が１．２未満のものを「矩形」として、評価を行った。

〔ＬＥＲ〕
上記の感度を示す露光量で、線幅５０ｎｍのラインパターン（Ｌ／Ｓ＝１／１）を形成した。そして、その長さ方向１０μｍにおける任意の３０点について、走査型電子顕微鏡（（株）日立製作所製Ｓ−９２２０）を用いて、エッジがあるべき基準線からの距離を測定した。そして、この距離の標準偏差を求め、３σを算出した。値が小さいほど良好な性能であることを示す。

〔アウトガス性能：露光後の膜厚変動率〕
上記感度を示す露光量（ｍＪ／ｃｍ^２）で、線幅５０ｎｍのラインパターン（Ｌ／Ｓ＝１／１）を形成し、露光後（後加熱前）の膜厚を測定し、以下の式から、未露光時の膜厚からの変動率を求めた。
膜厚変動率（％）＝[（未露光時の膜厚−露光後の膜厚）／未露光時の膜厚]×１００
（判定基準）
Ａ：膜厚変動率が５％未満。
Ｂ：膜厚変動率が５％以上１０％以下。
Ｃ：膜厚変動率が１０％より大きい。

〔経時安定性〕
レジスト組成物を室温で１ケ月保存した後、感度変動の度合いを下記判定基準に従って目視により評価した。
（判定基準）
Ａ：観察される感度変動が１ｍＪ／ｃｍ^２未満。
Ｂ：観察される感度変動が１ｍＪ／ｃｍ^２以上３ｍＪ／ｃｍ^２以下。
Ｃ：観察される感度変動が３ｍＪ／ｃｍ^２より大きい。

以上の評価結果を下記表に示す。

上記表に示した結果から明らかなように、一般式（Ｉ）を満たさない酸発生剤を使用した比較例１Ｆ〜３Ｆは、感度、解像力に劣り、パターンも順テーパーであり、ＬＥＲも大きく、アウトガスの発生も多く、比較例１Ｆ及び２Ｆについては経時安定性にも劣ることがわかる。
一方、酸発生剤として一般式（Ｉ）で表される化合物を使用した実施例１Ｆ〜６Ｆは、感度、解像力に優れ、パターンも矩形であり、ＬＥＲも小さく、アウトガスの発生も少なく、経時安定性にも優れることがわかる。

〔実施例１Ｇ〕（ＥＵＶ露光；有機溶剤現像型（ネガ型））
レジスト塗布液の準備
（有機溶剤現像用ネガ型レジスト組成物１Ｒの塗布液組成）
化合物（Ｐ−３１） ０．６０ｇ
化合物（Ａ２）（構造式は上記） ０．１２ｇ
テトラブチルアンモニウムヒドロキシド（塩基性化合物） ０．０２ｇ
界面活性剤ＰＦ６３２０（ＯＭＮＯＶＡ（株）製） ０．００１ｇ
プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート（溶剤） ５．４ｇ
プロピレングリコールモノメチルエーテル（溶剤） ３．６ｇ
（レジスト溶液の調製）
上記組成のレジスト組成物をポアサイズ０．０４μｍのポリテトラフルオロエチレンフィルターによりろ過して、レジスト溶液を調製した。

（レジスト評価）
調製したレジスト溶液を、スピンコーターを用いて、ヘキサメチルジシラザン処理を施したシリコン基板上に均一に塗布し、１００℃で６０秒間ホットプレート上で加熱乾燥を行って、５０ｎｍの膜厚を有したレジスト膜を形成させた。
得られたレジスト膜に関し、下記の方法で、感度、解像力、パタ−ン形状、ＬＥＲ、アウトガス及び経時安定性について評価した。

〔感度〕
得られたレジスト膜に、ＥＵＶ露光装置（Ｅｘｉｔｅｃｈ社製 Ｍｉｃｒｏ Ｅｘｐｏｓｕｒｅ Ｔｏｏｌ、ＮＡ０．３、Ｑｕａｄｒｕｐｏｌｅ、アウターシグマ０．６８、インナーシグマ０．３６）を用いて、露光量を０〜２０．０ｍＪ／ｃｍ^２の範囲で０．１ｍＪ／ｃｍ^２ずつ変えながら、線幅５０ｎｍの１：１ラインアンドスペースパターンの反射型マスクを介して、露光を行った後、１１０℃で９０秒間ベークした。その後、下表に記載の有機系現像液をパドルして３０秒間現像し、下表に記載のリンス液を用いてリンスした後、４０００ｒｐｍの回転数で３０秒間ウェハを回転させた後、９０℃で６０秒間ベークを行うことによりパターンを形成した。
線幅５０ｎｍの１：１ラインアンドスペースのマスクパターンを再現する露光量を感度とした。この値が小さいほど、感度が高い。

〔解像力〕
上記の感度を示す露光量における限界解像力（ラインとスペースとが分離解像する最小の線幅）を解像力（ｎｍ）とした。

〔パターン形状〕
上記の感度を示す露光量における線幅５０ｎｍの１：１ラインアンドスペースのレジストパターンの断面形状を走査型電子顕微鏡（（株）日立製作所製Ｓ−４３００）を用いて観察した。ラインパターンの断面形状において、［ラインパターンのトップ部（表面部）における線幅／ラインパターンの中部（ラインパターンの高さの半分の高さ位置）における線幅］で表される比率が１．５以上のものを「逆テーパー」とし、該比率が１．２以上１．５未満のものを「やや逆テーパー」とし、該比率が１．２未満のものを「矩形」として、評価を行った。

〔ＬＥＲ〕
上記の感度を示す露光量で、線幅５０ｎｍの１：１ラインアンドスペースのレジストパターンを形成した。そして、その長さ方向１０μｍにおける任意の３０点について、走査型電子顕微鏡（（株）日立製作所製Ｓ−９２２０）を用いて、エッジがあるべき基準線からの距離を測定した。そして、この距離の標準偏差を求め、３σを算出した。値が小さいほど良好な性能であることを示す。

〔アウトガス性能：露光後の膜厚変動率〕
上記感度を示す露光量（ｍＪ／ｃｍ^２）で、線幅５０ｎｍのラインパターン（Ｌ／Ｓ＝１／１）を形成し、露光後（後加熱前）の膜厚を測定し、以下の式から、未露光時の膜厚からの変動率を求めた。
膜厚変動率（％）＝[（未露光時の膜厚−露光後の膜厚）／未露光時の膜厚]×１００
（判定基準）
Ａ：膜厚変動率が５％未満。
Ｂ：膜厚変動率が５％以上１０％以下。
Ｃ：膜厚変動率が１０％より大きい。
〔経時安定性〕
レジスト組成物を室温で１ケ月保存した後、感度変動の度合いを下記判定基準に従って目視により評価した。
（判定基準）
Ａ：観察される感度変動が１ｍＪ／ｃｍ^２未満。
Ｂ：観察される感度変動が１ｍＪ／ｃｍ^２以上３ｍＪ／ｃｍ^２以下。
Ｃ：観察される感度変動が３ｍＪ／ｃｍ^２より大きい。

〔実施例２Ｇ〕〜〔実施例１２Ｇ〕、及び〔比較例１Ｇ〕〜〔比較例３Ｇ〕（ＥＵＶ露光；有機溶剤現像型（ネガ型））
レジスト液処方で、下表に記載の成分以外は実施例１Ｇと同様にしてレジスト溶液（有機溶剤現像用ネガ型レジスト組成物２Ｒ〜１２Ｒ、比較組成物１Ｒ〜３Ｒ）の調製、ネガ型パターン形成及びその評価を行った。

上記実施例／比較例で用いた前掲以外の成分（化合物）を以下に記載する。
〔化合物（Ｐ）〕
使用した化合物（Ｐ）の構造、組成比（モル比）、重量平均分子量（Ｍｗ）及び分散度（Ｍｗ／Ｍｎ）を以下に示す。
なお、Ｐ−１、Ｐ−６の構造、組成比（モル比）、重量平均分子量（Ｍｗ）及び分散度（Ｍｗ／Ｍｎ）については前掲の通りである。

評価結果を下記表に示す。

上記実施例／比較例で用いた前掲以外の成分（化合物）を以下に記載する。
〔現像液〕
現像液としては、以下のものを用いた。
ＳＧ−１：２−ノナノン
ＳＧ−２：メチルアミルケトン（２−ヘプタノン）
ＳＧ−３：酢酸ブチル

〔リンス液〕
リンス液として、以下のものを用いた。
ＳＲ−１：４−メチル−２−ペンタノール
ＳＲ−２：１−ヘキサノール
ＳＲ−３：メチルイソブチルカルビノール

上記表に示した結果から明らかなように、一般式（Ｉ）を満たさない酸発生剤を使用した比較例１Ｇ〜３Ｇは、感度、解像力に劣り、パターンも逆テーパーであり、ＬＥＲも大きく、アウトガスの発生も多く、比較例１Ｇ及び２Ｇについては経時安定性にも劣ることがわかる。
一方、酸発生剤として一般式（Ｉ）で表される化合物を使用した実施例１Ｇ〜１２Ｇは、感度、解像力に優れ、パターンも矩形であり、ＬＥＲも小さく、アウトガスの発生も少なく、経時安定性にも優れることがわかる。

Claims (13)

1. （Ａ）下記一般式（Ｉ）で表される化合物を含有する半導体製造プロセス用レジスト組成物。
   
   上記一般式（Ｉ）中、
   Ｒ^１は、アルキル基、シクロアルキル基又はアリール基を表し、Ｒ^２は、１価の有機基を表す。Ｒ^３〜Ｒ^６は、それぞれ、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基又はハロゲン原子を表す。但し、Ｒ^３とＲ^４、Ｒ^４とＲ^５、又はＲ^５とＲ^６が結合して脂環又は芳香環を形成してもよい。Ｘは、酸素原子又は硫黄原子を表す。
2. Ｒ^１が、炭素数３〜１０のアルキル基、炭素数３〜１０のシクロアルキル基又は炭素数６〜１２のアリール基である、請求項１に記載の半導体製造プロセス用レジスト組成物。
3. Ｒ^１が、分岐構造を有するアルキル基、シクロアルキル基又はフェニル基である、請求項１又は２に記載の半導体製造プロセス用レジスト組成物。
4. 更に、（Ｐ）フェノール性水酸基を有する化合物を含有する請求項１〜３のいずれか１項に記載の半導体製造プロセス用レジスト組成物。
5. 前記化合物（Ｐ）が、下記一般式（１）で表される繰り返し単位を有する樹脂である請求項４に記載の用レジスト組成物。
   
   上記一般式（１）中、Ｒ_１１は水素原子、メチル基、又はハロゲン原子を表す。
   Ｂ_１は、単結合又は２価の連結基を表す。
   Ａｒは、芳香族環を表す。
   ｍ１は、１以上の整数を表す。
6. 更に（Ｃ）酸架橋性化合物を含有する請求項１〜５のいずれか１項に記載の半導体製造プロセス用レジスト組成物。
7. 前記化合物（Ｃ）が、ヒドロキシメチル基又はアルコキシメチル基を分子内に２個以上有する化合物である請求項６に記載の半導体製造プロセス用レジスト組成物。
8. 電子線又は極紫外線露光用である、請求項１〜７のいずれか１項に記載の半導体製造プロセス用レジスト組成物。
9. 請求項１〜８のいずれか１項に記載の半導体製造プロセス用レジスト組成物により形成されたレジスト膜。
10. 請求項９に記載のレジスト膜を塗布したレジスト塗布マスクブランクス。
11. 請求項９に記載のレジスト膜を露光する工程、及び、前記露光された膜を現像する工程を有するレジストパターン形成方法。
12. 請求項１０に記載のレジスト塗布マスクブランクスを露光する工程、及び前記露光されたマスクブランクスを現像する工程を有するレジストパターン形成方法。
13. 請求項１１又は１２に記載のレジストパターン形成方法を含む、電子デバイスの製造方法。