JP6088663B2 - レチクルステージ環境におけるガス流れ最適化 - Google Patents

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Description

関連出願の相互参照
本出願は、２０１３年２月２０日に出願された米国特許仮出願第６１／７６７，１８４号及び２０１３年１２月１３日に出願された米国特許仮出願第６１／９１６，０３１号の利益を主張し、それらの全体が本明細書に援用される。
本発明は、レチクルステージ環境のような可動ステージ環境におけるカオス的非定常ガス流れを低減しオーバレイ誤差を低減するよう例えば設計された、可動ステージ環境における要素の種々の形状及び構成に関する。
リソグラフィ装置は、所望のパターンを基板に、通例は基板の目標部分に与える機械である。リソグラフィ装置は、例えば集積回路（ＩＣ）の製造において使用することができる。この場合、パターニングデバイスが、これはマスクまたはレチクルと呼ばれることもあるが、ＩＣの個別の層に形成されるべき回路パターンを生成するために使用されてもよい。このパターンは基板（例えばシリコンウェーハ）の（例えばダイの一部、１つのダイ、またはいくつかのダイを含む）目標部分に転写可能である。パターンの転写は通常、基板に設けられた放射感応性材料（レジスト）層に結像されることによって行われる。一般に一枚の基板には網状に隣接する複数の目標部分が含まれており、これらに連続的にパターンが付与される。公知のリソグラフィ装置には、パターン全体を目標部分に一度に露光することによって目標部分のそれぞれが照射されるいわゆるステッパと、所与の方向（「走査」方向）に放射ビームでパターンを走査すると同時に基板をこの方向と平行または逆平行に走査することによって目標部分のそれぞれが照射されるいわゆるスキャナとが含まれる。
レチクルステージ環境を清浄に維持することには、超清浄ガス環境を提供することによってレチクルステージ近傍の投影系のレンズトップ側での光学素子の寿命を保証することが含まれる。この清浄環境は、光学素子上の（クリーニング可能なもの及びクリーニング不能なもの両方の）汚染を軽減する。汚染を減らすことによって、光学的な均一性が改善され迷光劣化が低減される。しかしながら、レチクルステージ下方のレンズトップ周囲でパージガス流れを与えることによって、レチクルステージの底面の幾何学的形状により生成される乱流及び淀みガスのポケットに起因するアライメント歪みが生じうる。
したがって、レチクルステージ下方のガス流れによって生じる歪み及び誤差に対処するための改善されたシステム及び方法が必要である。
ある実施の形態においては、リソグラフィ装置は、放射ビームを調整するよう構成可能である照明系を含む。リソグラフィ装置は、パターニングデバイスを支持するよう構成されうる支持構造を備える可動ステージをさらに含む。パターニングデバイスは、放射ビームの断面にパターンを付与してパターン付き放射ビームを形成するよう構成されていてもよい。リソグラフィ装置は、基板を保持するよう構成されている基板テーブルと、パターン付き放射ビームを基板の目標部分に投影するよう構成されている投影系と、をさらに含む。加えて、リソグラフィ装置は、可動ステージと投影系との間に位置するプレートを備える。プレートは、第１表面及び第２表面を含み、第２表面は、第１表面と実質的に平行であり第１表面と反対にある。プレートは、第１表面から第２表面へと延在し第１側壁及び第２側壁を備える開口部をさらに含む。プレートは、可動ステージと投影系との間の領域内にガス流れパターンを提供するよう構成されていてもよい。ガス流れパターンは、照明系の光軸と実質的に垂直であってもよい。
他のある実施の形態においては、リソグラフィ装置は、放射ビームを調整するよう構成可能である照明系を含む。リソグラフィ装置は、パターニングデバイスを支持するよう構成されうる支持構造を備える可動ステージをさらに含む。パターニングデバイスは、放射ビームの断面にパターンを付与してパターン付き放射ビームを形成するよう構成されていてもよい。リソグラフィ装置は、基板を保持するよう構成されている基板テーブルと、パターン付き放射ビームを基板の目標部分に投影するよう構成されている投影系と、をさらに含む。加えて、リソグラフィ装置は、可動ステージと投影系との間に位置するプレートを備える。プレートは、照明系と投影系との間に光学経路を提供するよう構成されている開口部を含む。プレートは、照明系の光軸と実質的に垂直であるガス流れパターンを提供するよう構成されていてもよい。
更なる他のある実施の形態においては、リソグラフィ装置は、放射ビームを調整するよう構成可能である照明系を含む。リソグラフィ装置は、パターニングデバイスを支持するよう構成されうる支持構造を備える可動ステージをさらに含む。パターニングデバイスは、放射ビームの断面にパターンを付与してパターン付き放射ビームを形成するよう構成されていてもよい。リソグラフィ装置は、基板を保持するよう構成されている基板テーブルと、パターン付き放射ビームを基板の目標部分に投影するよう構成されている投影系と、をさらに含む。加えて、リソグラフィ装置は、可動ステージと投影系との間に位置するプレートを備える。プレートは、プレートと可動ステージとの間の領域に外部ガスが入るのを防止するために前記領域へと導入されるガスを供給する経路を提供するよう構成されていてもよい。プレートは、照明系と投影系との間に光学経路を提供するよう構成されている開口部を含む。
本発明の更なる特徴及び利点は、本発明の種々の実施の形態の構造及び動作とともに、付属の図面を参照しつつ、以下に詳しく説明される。本発明は本明細書に述べる特定の実施の形態には限定されないものと留意されたい。こうした実施の形態は例示の目的のために提示されるにすぎない。更なる実施の形態は、本明細書に含まれる教示に基づいて関連技術分野の当業者には明らかであろう。
付属の図面はここに組み込まれて本明細書の一部をなし、本発明を図示し、発明の詳細な説明とともに本発明の原理を説明し本発明を当業者が製造し使用可能とするために供される。
本発明のある実施の形態に係る反射型のリソグラフィ装置を概略的に示す。
本発明のある実施の形態に係る透過型のリソグラフィ装置を概略的に示す。
リソグラフィ装置の一部分の断面図を概略的に示す。
図３Ａないし図３Ｃは、種々の位置での可動ステージの断面図を概略的に示す。
本発明のある実施の形態に係るリソグラフィ装置の一部分の断面図を概略的に示す。
本発明のある実施の形態に係るレンズトップ環境（ＬＴＥ）プレートの上面図を概略的に示す。
本発明のある実施の形態に係るリソグラフィ装置の一部分の断面図を概略的に示す。
本発明のある実施の形態に係るリソグラフィ装置の一部分の断面図を概略的に示す。
本発明のある実施の形態に係るリソグラフィ装置の一部分の断面図を概略的に示す。
本発明のある実施の形態に係るリソグラフィ装置の一部分の断面図を概略的に示す。
本発明のある実施の形態に係るＬＴＥプレートの上面図を概略的に示す。
本発明の特徴及び利点は本図面に関連付けて後述される発明の詳細な説明によって、より明らかとなろう。図面において同様の参照番号は大概、同一の要素、機能的に類似の要素、及び／または、構造的に類似の要素を指し示す。概して、ある要素が最初に現れる図面は典型的に、対応する参照番号の最も左側の桁によって表されている。
この明細書は本発明の特徴を組み入れた１つ又は複数の実施の形態を開示する。開示された実施の形態は単に本発明を例示するにすぎない。本発明の範囲は開示された実施の形態には限定されない。本発明は添付の請求項により定義される。
説明される実施の形態、および「一つの実施の形態」、「ある実施の形態」、「例示的な実施の形態」等への明細書内での言及は、説明する実施形態が特定の特徴、構造または特性を備えてもよいが、必ずしもあらゆる実施形態がその特定の特徴、構造または特性を備える必要はないことを示している。また、このような表現は同一の実施形態を必ずしも指し示すものではない。さらに、ある実施の形態に関連してある特定の特徴、構造または特性が説明される場合、明示的に述べたか否かに関わらず、そのような特徴、構造または特性を他の実施の形態に関連して実現することは当業者の知識内であると理解されたい。
しかしながら、こうした実施の形態をより詳細に説明する前に、本発明の実施の形態を実装しうる例示的な環境を提示することは有益である。
反射型リソグラフィシステム及び透過型リソグラフィシステムの例示
図１Ａ及び図１Ｂはそれぞれ、リソグラフィ装置１００及びリソグラフィ装置１００’の概略を示し、それぞれに本発明の実施の形態が実装されうる。リソグラフィ装置１００及びリソグラフィ装置１００’はそれぞれ以下を含み、それは、放射ビームＢ（例えば深紫外放射または極紫外放射）を調整するよう構成されている照明系（イルミネータ）ＩＬと、パターニングデバイス（例えばマスク、レチクル、または動的パターニングデバイス）ＭＡを支持するよう構成されており、パターニングデバイスＭＡを正確に位置決めするよう構成された第１位置決め装置ＰＭに接続されている支持構造（例えばマスクテーブル）ＭＴと、基板（例えば、レジストで被覆されたウェーハ）Ｗを保持するよう構成されており、基板Ｗを正確に位置決めするよう構成された第２位置決め装置ＰＷに接続されている基板テーブル（例えばウェーハテーブル）ＷＴと、を含む。また、リソグラフィ装置１００、１００’は、パターニングデバイスＭＡにより放射ビームＢに付与されたパターンを基板Ｗの（例えば１つまたは複数のダイを含む）目標部分Ｃに投影するよう構成されている投影系ＰＳを有する。リソグラフィ装置１００ではパターニングデバイスＭＡ及び投影系ＰＳが反射性であり、リソグラフィ装置１００’ではパターニングデバイスＭＡ及び投影系ＰＳが透過性である。
照明系ＩＬは、屈折光学部品、反射光学部品、反射屈折光学部品、磁気的光学部品、電磁気的光学部品、静電的光学部品、あるいは他の種類の光学部品などの各種の光学部品、またはこれらの組合せを含み得るものであり、放射ビームＢの向き又は形状を整え、あるいは放射ビームＢを制御するためのものである。
支持構造ＭＴは、基準フレームに対するパターニングデバイスＭＡの向き、リソグラフィ装置１００、１００’の少なくとも１つの設計、及びパターニングデバイスＭＡが真空環境で保持されるか否か等のその他の条件に応じた方式でパターニングデバイスＭＡを保持する。支持構造ＭＡは、機械的固定、真空固定、静電固定、またはパターニングデバイスＭＡを保持するその他の固定技術を用いてもよい。支持構造ＭＴは、例えばフレームまたはテーブルであってもよく、これらは固定されていてもよいし必要に応じて移動可能であってもよい。センサを使うことによって、支持構造ＭＴは、パターニングデバイスＭＡが例えば投影系ＰＳに対して所望の位置にあることを保証することができる。
用語「パターニングデバイス」ＭＡは、基板Ｗの目標部分Ｃにパターンを生成する等のために放射ビームＢの断面にパターンを与えるのに使用可能である何らかのデバイスを表すと広義に解釈すべきである。放射ビームＢに付与されたパターンは、集積回路を形成するよう目標部分Ｃに生成されるデバイスにおける特定の機能層に対応してもよい。
パターニングデバイスＭＡは、（図１Ｂのリソグラフィ装置１００’のように）透過型であってもよいし、（図１Ａのリソグラフィ装置１００のように）反射型であってもよい。パターニングデバイスＭＡには例えば、レチクルやマスク、プログラム可能ミラーアレイ、プログラム可能ＬＣＤパネルがある。マスクはリソグラフィにおいて周知であり、バイナリマスク、レベンソン型位相シフトマスク、減衰型位相シフトマスク、さらには各種のハイブリッド型マスクなどの種類のマスクが含まれる。プログラム可能ミラーアレイは例えば、小型ミラーのマトリックス配列で構成される。各ミラーは、入射する放射ビームを異なる方向に反射するよう個別的に傾斜可能である。小型ミラーのマトリックスにより反射された放射ビームＢには、傾斜されたミラーによってパターンが付与されている。
用語「投影系」ＰＳは、使用される露光放射に応じて、あるいは基板Ｗへの液浸液の使用または真空の使用等のその他の要因に応じて適切とされる、屈折光学系、反射光学系、反射屈折光学系、磁気的光学系、電磁気的光学系、静電的光学系、またはこれらの組合せを含む何らかの投影系を包含することができる。ＥＵＶ放射または電子ビーム放射に真空環境が使用され得るのは、ガスが放射または電子を過度に吸収しうるからである。よって、真空壁及び真空ポンプの利用によってビーム経路の全体に真空環境を提供してもよい。
リソグラフィ装置１００及び／またはリソグラフィ装置１００’は２つ以上（２つの場合にはデュアルステージと呼ばれる）の基板テーブルＷＴ（及び／または２つ以上のマスクテーブル）を備えてもよい。こうした多重ステージ型の装置においては、複数の基板テーブルＷＴは並行して使用されるか、あるいは１以上の基板テーブルＷＴが露光のために使用されている間に１以上の他の基板テーブルＷＴで準備工程が実行されるようにしてもよい。ある状況においては、追加のテーブルが基板テーブルＷＴではなくてもよい。
図１Ａ及び図１Ｂを参照するにイルミネータＩＬは放射源ＳＯから放射ビームを受け取る。放射源ＳＯとリソグラフィ装置１００、１００’とは、例えば放射源ＳＯがエキシマレーザであるとき、分離された物理的実体であってもよい。この場合、放射源ＳＯはリソグラフィ装置１００、１００’の一部を構成するとはみなされなく、放射ビームＢは放射源ＳＯからイルミネータＩＬへと（図１Ｂにおける）ビーム搬送系ＢＤを介して到達する。ビーム搬送系ＢＤは例えば適当な方向変更用ミラー及び／またはビームエキスパンダを備える。他の場合においては、放射源ＳＯはリソグラフィ装置１００、１００’に一体の部分であってもよい（例えば、放射源ＳＯが水銀ランプの場合）。放射源ＳＯ及びイルミネータＩＬは、必要とされる場合にはビーム搬送系ＢＤも併せて、放射システムと呼ばれることもある。
イルミネータＩＬは放射ビームの角強度分布を調整する（図１Ｂにおける）アジャスタＡＤを備えてもよい。一般には、イルミネータの瞳面における照度分布の少なくとも外径及び／または内径（通常それぞれσアウタ、σインナとも呼ばれる）が調整される。加えてイルミネータＩＬは、インテグレータＩＮやコンデンサＣＯなどの（図１Ｂにおける）種々の他の要素を備えてもよい。イルミネータＩＬはビーム断面における所望の均一性及び照度分布を得るべく放射ビームＢを調整するために用いられる。
図１Ａを参照するに、放射ビームＢは、支持構造（例えばマスクテーブル）ＭＴに保持されているパターニングデバイス（例えばマスク）ＭＡに入射して、パターニングデバイスＭＡによりパターンが付与される。リソグラフィ装置１００では放射ビームＢはパターニングデバイス（例えばマスク）ＭＡで反射される。パターニングデバイス（例えばマスク）ＭＡで反射された放射ビームＢは投影系ＰＳに通過する。投影系ＰＳは放射ビームＢを基板Ｗの目標部分Ｃに集束させる。第２位置決め装置ＰＷと位置センサＩＦ２（例えば、干渉計、リニアエンコーダ、または静電容量センサ）により基板テーブルＷＴは正確に（例えば放射ビームＢの経路に異なる複数の目標部分Ｃを位置決めするように）移動されることができる。同様に、放射ビームＢの経路に対してパターニングデバイス（例えばマスク）ＭＡを正確に位置決めするために第１位置決め装置ＰＭと別の位置センサＩＦ１が使用されてもよい。パターニングデバイス（例えばマスク）ＭＡと基板Ｗとは、マスクアライメントマークＭ１、Ｍ２、及び基板アライメントマークＰ１、Ｐ２を使用して位置合わせされてもよい。
図１Ｂを参照するに、放射ビームＢは、支持構造（例えばマスクテーブルＭＴ）に保持されているパターニングデバイス（例えばマスクＭＡ）に入射して、当該パターニングデバイスによりパターンが付与される。マスクＭＡを透過した放射ビームＢは投影系ＰＳを通過する。投影系ＰＳはビームを基板Ｗの目標部分Ｃに集束させる。投影系は、照明系瞳ＩＰＵと共役の瞳ＰＰＵを有する。放射の複数の部分は、照明系瞳ＩＰＵでの照度分布から発して、マスクパターンでの回折によって影響されることなくマスクパターンを通り、照明系瞳ＩＰＵでの照度分布の像を生成する。
第２位置決め装置ＰＷと位置センサＩＦ（例えば、干渉計、リニアエンコーダ、または静電容量センサ）により基板テーブルＷＴは正確に（例えば放射ビームＢの経路に異なる複数の目標部分Ｃを位置決めするように）移動されることができる。同様に、放射ビームＢの経路に対してマスクＭＡを正確に位置決めするために第１位置決め装置ＰＭと別の位置センサ（図１Ｂに示さず）が使用されてもよい。この位置決めは例えば走査中やマスクライブラリからのマスクの機械的回収後に行われる。
一般にマスクテーブルＭＴの移動は、第１位置決め装置ＰＭの一部を構成するロングストロークモジュール（粗い位置決め用）及びショートストロークモジュール（精細な位置決め用）により実現される。同様に基板テーブルＷＴの移動は、第２位置決め装置ＰＷの一部を構成するロングストロークモジュール及びショートストロークモジュールにより実現される。ステッパでは（スキャナとは逆に）、マスクテーブルＭＴはショートストロークのアクチュエータにのみ接続されているか、あるいは固定されていてもよい。マスクＭＡと基板Ｗとは、マスクアライメントマークＭ１、Ｍ２及び基板アライメントマークＰ１、Ｐ２を用いてアライメントされてもよい。基板アライメントマークが（図示されるように）専用の目標部分を占拠しているが、アライメントマークは目標部分間のスペースに配置されてもよい（これはスクライブライン・アライメントマークとして公知である）。同様に、マスクＭＡに複数のダイが設けられた場合にはマスクアライメントマークをダイ間に配置してもよい。
マスクテーブルＭＴ及びパターニングデバイスＭＡは真空容器内にあってもよい。ここで、真空内ロボットＩＶＲがマスク等のパターニングデバイスを真空容器の内外に移動させるために使用されてもよい。あるいは、マスクテーブルＭＴ及びパターニングデバイスＭＡが真空容器の外にある場合には、真空内ロボットＩＶＲと同様に、真空外ロボットが各種の搬送動作のために使用されてもよい。真空内及び真空外のロボットはともに、任意の運搬物（例えばマスク）の円滑な移送のために移送ステーションの固定キネマティックマウントに対し校正される必要がある。
リソグラフィ装置１００、１００’は以下のモードのうち少なくとも１つで使用することができる。
１．ステップモードにおいては、放射ビームＢに付与されたパターンの全体が１回の照射で１つの目標部分Ｃに投影される間、支持構造（例えばマスクテーブル）ＭＴ及び基板テーブルＷＴは実質的に静止状態とされる（すなわち１回の静的な露光）。そして基板テーブルＷＴがＸ方向及び／またはＹ方向に移動されて、異なる目標部分Ｃが露光される。
２．スキャンモードにおいては、放射ビームＢに付与されたパターンが目標部分Ｃに投影される間、支持構造（例えばマスクテーブル）ＭＴ及び基板テーブルＷＴは同期して走査される（すなわち１回の動的な露光）。支持構造（例えばマスクテーブル）ＭＴに対する基板テーブルＷＴの速度及び方向は、投影系ＰＳの拡大（縮小）特性及び像反転特性により定められる。
３．別のモードにおいては、放射ビームＢに付与されたパターンが目標部分Ｃに投影される間、支持構造（例えばマスクテーブル）ＭＴはプログラム可能パターニングデバイスを保持して実質的に静止状態とされ、基板テーブルＷＴは移動または走査される。パルス放射源ＳＯが用いられ、プログラム可能パターニングデバイスは基板テーブルＷＴが移動するたびに、または１回の走査中において連続するパルスとパルスの間に、必要に応じて更新される。この動作モードは、プログラム可能ミラーアレイ等のプログラム可能パターニングデバイスを使用するマスクレスリソグラフィに直ちに適用可能である。
上記の使用モードを組み合わせて動作させてもよいし、使用モードに変更を加えて動作させてもよく、さらに全く別の使用モードを用いてもよい。
本書ではＩＣの製造におけるリソグラフィ装置の使用に具体的言及がなされているが、ここに説明したリソグラフィ装置は、集積光学システム、磁区メモリ用案内パターンおよび検出パターン、フラットパネルディスプレイ、液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）、薄膜磁気ヘッドなど他の用途も有しうるものと理解されたい。当業者であればこうした代替の用途の文脈において、本明細書における「ウェーハ」あるいは「ダイ」という用語の使用はそれぞれ「基板」あるいは「目標部分」という、より一般的な用語と同義であるとみなされると理解することができるであろう。本書に言及された基板は露光前または露光後において例えばトラック（典型的にはレジスト層を基板に塗布し、露光後のレジストを現像するツール）、メトロロジツール、及び／またはインスペクションツールにより処理されてもよい。適用可能であれば、本明細書の開示はこれらのまたは他の基板処理ツールにも適用され得る。また、基板は例えば多層ＩＣを生成するために複数回処理されてもよく、その場合には本明細書における基板という用語は既に処理された一つのまたは多数の処理層を含む基板をも意味する。
更なる実施の形態においては、リソグラフィ装置１００は、ＥＵＶリソグラフィのためのＥＵＶ放射ビームを生成するよう構成されている極紫外（ＥＵＶ）源を含む。一般に、ＥＵＶ源は放射システム内に構成されており、対応する照明系はＥＵＶ源のＥＵＶ放射ビームを調整するよう構成されている。
本明細書に記載の実施例において、「レンズ」及び「レンズ素子」なる用語は文脈が許す限り、屈折光学部品、反射光学部品、磁気的光学部品、電磁的光学部品、及び静電的光学部品を含む各種の光学部品のいずれかまたは任意の組合せを称してもよい。
また、本明細書における「放射」及び「ビーム」なる用語は、（例えば３６５ｎｍ、２４８ｎｍ、１９３ｎｍ、１５７ｎｍ、または１２６ｎｍの波長λを有する）紫外（ＵＶ）放射、（例えば５乃至２０ｎｍの範囲内の波長（例えば１３．５ｎｍ）を有する）極紫外（ＥＵＶまたは軟Ｘ線）放射、又は５ｎｍ未満で作動する硬Ｘ線を含むあらゆる電磁放射、及びイオンビームまたは電子ビーム等の粒子ビームを含む。一般に、約７８０乃至３０００ｎｍ（またはそれ以上）の間の波長を有する放射は赤外放射とみなされる。ＵＶとはおよそ１００乃至４００ｎｍの波長を有する放射をいう。リソグラフィにおいて用語「ＵＶ」は水銀放電ランプにより生成される波長、つまり４３６ｎｍのＧ線、４０５ｎｍのＨ線、３６５ｎｍのＩ線にも用いられる。真空ＵＶまたはＶＵＶ（つまりガスに吸収されるＵＶ）とはおよそ１００乃至２００ｎｍの波長を有する放射をいう。深紫外（ＤＵＶ）とは一般に約１２６ｎｍから約４２８ｎｍの波長を有する放射をいう。ある実施の形態においては、エキシマレーザが、リソグラフィ装置内で使用されるＤＵＶ放射を生成可能である。なお、例えば５乃至２０ｎｍの範囲内の波長を有する放射とは５乃至２０ｎｍの範囲の少なくとも一部のある波長域を有する放射を言うものと理解されたい。
図２は、リソグラフィ装置２００の一部分の断面図を示す。一例においては、リソグラフィ装置２００は、上述のリソグラフィ装置１００、１００’と構造及び機能において同様であってもよい。リソグラフィ装置２００は、可動ステージ２０１、レンズトップ２０８、ＬＴＥプレート２１０、及び照明系２１２を含んでもよい。ここでＬＴＥは可動ステージ２０１とレンズトップ２０８との間の空間容積を指してもよい。
可動ステージ２０１は、例えばレチクルまたはマスクであるパターニングデバイス２０２を支持する支持構造２０３を含んでもよい。支持構造２０３は、例えばショートストロークアクチュエータ、ロングストロークアクチュエータ、またはその組み合わせである作動装置２０６に連結されていてもよい。
レンズトップ２１４は、図１Ａ及び図１Ｂに関して説明したようなある投影系内の光学素子を代表してもよい。
ＬＴＥプレート２１０は、傾斜側壁２１１ａ、２１１ｂを有する開口部２１１を備えてもよい。開口部２１１は、照明系２１２とレンズトップ２０８との間の光学経路を提供してもよい。一例においては、ＬＴＥプレート２１０は、パージプレートとして構成されるとともに、可動ステージ２０１とレンズトップ２０８との間にパージされた容積を提供するように位置してもよい。このパージされた容積は、開口部２１１内の領域を備え、かつ、ある調整されたガス環境を提供してもよく、一例によると、このガス環境は結像する放射が照明系２１２からレンズトップ２０８へと進む途中にある。ガス環境の調整は、そのガスにおける乱流を防止し又は低減することを意図する。乱流はガス環境において、例えば温度勾配、及び／またはリソグラフィ装置の部分を移動させることにより誘起される圧力波によって、生じうる。
パージされた容積は、側壁２１１ａ上の複数の開口からガスを供給するとともに供給されたパージガスを側壁２１１ｂ上の複数の開口を通じて抽出することによって生成されうる連続的なガス流れを有してもよい。側壁２１１ａ、２１１ｂの傾斜した幾何学的形状のために、照明系２１２の光軸に平行な垂直流れ成分がこの連続的ガス流れに存在しうる。垂直流れ成分があることで、照明系２１２の光軸に実質的に垂直ではないガス流れパターンがパージされた容積において生成されうる。可動ステージ２０１下方のパージされた容積におけるこうしたガス流れパターンは、可動ステージ２０１の走査中におけるカオス的非定常ガス流れに寄与しうるが、それは例えば非移動平均オーバレイ誤差などのオーバレイ誤差を生み出しうる。非移動平均オーバレイ誤差とは、ときにスキャナフィルタ残差として定義されるオーバレイ成分であるが、要するに、行ベースのフィルタ処理後に残るノイズである。それは局所的なオーバレイ効果またはフィールド内オーバレイ性能に関連付けられてもよい。一例においては、非移動平均オーバレイ誤差は、複数の露光フィールドまたは露光行における変動に起因する。それとともに又はそれに代えて、誤差はアライメントノイズによって生じうる。
それとともに又はそれに代えて、可動ステージ２０１の底面の非平坦幾何形状もまた、非移動平均オーバレイ誤差に寄与しうる。図２及び図３ＡないしＣに図示されるように、可動ステージ２０１の非平坦底面は、空洞２０５ａ〜ｄを有しうるのであり、これらは非移動平均オーバレイ誤差に寄与しうる。空洞２０５ａ〜ｄは、図３ＡないしＣに図示されるようにＸ軸に沿う可動ステージ２０１の走査中に、無調整のガスを外部環境から運びＬＴＥへと輸送しうる。本開示に図示されていないが、可動ステージ２０１はＹ軸に沿っても走査しうることに留意すべきである。図３Ｂは、可動ステージ２０１が位置ＡからＢに走査するとき可動ステージ２０１が無調整のガスを外部環境から空洞２０５ａ、２０５ｂに取り入れうることを示す。この無調整ガスはそれから、可動ステージ２０１が位置ＢからＣに走査するとき（図３Ｃに示されるように）ＬＴＥへと輸送されうる。この無調整ガスは可動ステージ２０１とレンズトップ２０８との間に提供される調整されたガスと異なる屈折率を有するので、結像する放射ビームは、照明系２１２からレンズトップ２０８に向けて横切る間に光路長が変動しうる。これは非移動平均オーバレイ誤差をもたらしうる。また、外部からの無調整ガスは、ＬＴＥを汚染させうる。加えて、空洞２０５ａ〜ｄ内に運ばれた外部ガスは、パージされた容積におけるガス流れにおける乱流と、その結果としての非定常流れ及びＬＴＥにおける不均一温度分布の原因となりうる。こうした温度分布は、ＬＴＥにおけるガス温度を、調整されたガス環境のそれから乖離させうる。
レンズトップ環境プレートの設計及び構成の例示的な実施の形態
以下の実施の形態は、上述のような可動ステージ２０１によるガス流れ問題によって生じる非移動平均オーバレイ誤差を実質的に除去しうる。
図４Ａは、ある実施の形態に係るリソグラフィ装置４００の一部分の断面図を示す。この実施の形態の一例においては、リソグラフィ装置４００は、（図２及び図３Ａ〜３Ｃに関して説明した）リソグラフィ装置２００と構造及び機能において同様であってもよい。そこで、リソグラフィ装置２００と４００の相違点のみが説明される。リソグラフィ装置４００は、可動ステージ４０１及びＬＴＥプレート４１０を含んでもよい。可動ステージ４０１は、図２及び図３Ａ〜３Ｃに関して説明したように、構造及び機能において可動ステージ２０１と同様であってもよい。簡単のため図４Ａにおいては可動ステージ４０１の平坦底面が図示されているが、可動ステージ４０１は非平坦の底面を、可動ステージ２０１と同様に有してもよいことに留意すべきである。
この実施の形態の一例によると、ＬＴＥプレート４１０は、互いに実質的に平行でありかつ可動ステージ４０１の走査方向（例えばＸ方向）に実質的に垂直な側壁４１１ａ、４１１ｂを有する開口部４１１を含んでもよい。ＬＴＥプレート４１０は、側壁４１１ａ、４１１ｂ上の開口にて終端するガス流路４２５、４２７をさらに含んでもよい。
側壁４１１ａ、４１１ｂの幾何形状は、光軸に実質的に垂直でありかつ可動ステージ４０１の走査方向に実質的に平行であるガス流れパターン４２４を生成するのに役立っていてもよい。開口部４１１を横断するガス流れパターン４２４を形成することは、側壁４１１ａ上の複数の開口を通じてガス（例えばパージガス）を供給することを含んでもよく、任意選択として、供給されたガス及び／またはＬＴＥにおける無調整ガスを側壁４１１ｂ上の複数の開口を通じて抽出することを含んでもよい。供給され抽出されるガスはそれぞれガス流路４２５、４２７によってＬＴＥを通るよう方向付けられてもよい。ガス流れパターン４２４は、上述の垂直流れ成分をもつガス流れに例えば関連する諸問題を緩和するのに役立ちうる。
ガス流れパターン４２４はＸ軸走査方向に沿うよう示されているが、ガス流れパターンは、側壁４１１ａ、４１１ｂに実質的に垂直である開口部４１１の別の一対の対向する対面側壁間でＹ軸走査方向に沿って生成されてもよいことに留意すべきであり、これは本開示の精神及び範囲から逸脱することなく当業者に理解される。
他の一例においては、ＬＴＥプレート４１０は、ガス抽出路４２９、４３３を含んでもよく、ここを通じて、（図３Ａ〜Ｃに関して説明したように）ＬＴＥに輸送された無調整ガスが矢印４２０により示される方向に抽出されてもよい。
さらに他の一例においては、ＬＴＥプレート４１０は、ＬＴＥプレート上面４１０ａ上の開口にて終端するガス供給路４３１、４３５を含んでもよい。ガス供給路４３１、４３５は、１つ又は複数のガスナイフシステム（図示せず）によって提供されたガスを可動ステージ４０１とＬＴＥプレート４１０との間の領域へと方向付けるよう構成されていてもよい。ガスナイフシステムは、ＬＴＥプレート４１０に連結されていてもよい。矢印４２２は、図３Ａ〜Ｃに関して説明したように可動ステージ４０１の走査中に無調整ガスがＬＴＥに入るのを妨げるように及び／またはＬＴＥに入ったかもしれない無調整ガスを偏向するようにガスナイフシステムによって供給されるガスの方向を代表する。ガスナイフシステムによって提供されるガスは、側壁４１１ａ上の開口を出るガスより速い出口速度で方向４２２に沿ってガス供給路（例えばガス供給路４３１、４３５）を出てもよいことに留意すべきである。
当業者に理解されるのは、ＬＴＥプレート４１０は、ガス供給路またはガス抽出路、またはその組み合わせを含んでもよいことである。加えて、ガス流路４２５、４２７、ガス抽出路４２９、４３３、及びガス供給路４３１、４３５は図４Ａに図示される幾何形状を有するのみには限定されず、ＬＴＥプレート４１０は任意の数のガス流路及びガス経路を含んでもよいことを理解すべきである。
ＬＴＥプレート４１０は、一例によると、図４Ａに示されるようにＹ方向にＬＴＥプレート４１０を貫通する複数の流体流路４５４をさらに含んでもよい。流体流路４５４は、ＬＴＥプレート４１０の温度を所望の温度に調節するよう役立つ、熱的に調整された流体（例えば液体又は気体）を運ぶよう構成されていてもよい。ＬＴＥプレート４１０の温度調節は、熱的に調整された流体によってＬＴＥプレート４１０から過剰な熱を吸収することを含んでもよい。過剰な熱はＬＴＥプレート４１０に、例えば可動ステージ４０１、投影系ＰＳ、及び／またはリソグラフィ装置４００の他のシステムからそれらの動作中に例えば対流または放射によって運ばれたかもしれない。ＬＴＥプレート４１０における過剰な熱の存在によって、ガス流路（例えば流路４２５、４２７）及びガス経路（例えば、供給路４３１、４３５、抽出路４２９、４３３）を流通する調整されたガスが加熱され、ＬＴＥにおけるガスの温度が、調整されたガス環境のそれから局所的に乖離されうる。このような乖離は、図３Ａ〜Ｃに関して説明したオーバレイ誤差をもたらしうる。複数の流体流路４５４はＹ方向に沿って図示されているが、複数の流体流路がＬＴＥプレート４１０において他の方向に沿って配置されていてもよいことは当業者に理解される。
リソグラフィ装置４００は、ある実施の形態によると、ＬＴＥプレート４１０に連結されているガスシステム４５０及び流体調整システム４５５をさらに含んでもよい。ガスシステム４５０は、ＬＴＥ４１０を通じた例えば上述の流路４２５及び供給路４３１、４３５によるガス供給を提供するよう構成されていてもよい。それとともに又はそれに代えて、ガスシステム４５０は、例えば上述の流路４２７及び抽出路４２９、４３３によるガス抽出を提供するよう構成されていてもよい。上述のガスナイフシステムは、この実施の形態の一例によると、ガスシステム４５０のサブシステムであってもよい。
流体調整システム４５５は、一例によると、ＬＴＥプレート４１０の温度を調節するＬＴＥプレート４１０の流体流路４５４を通じた熱的に調整された流体の、一定の、または制御された変動する流れを提供するよう構成されていてもよい。流体は、ＬＴＥプレート４１０に入る前に流体調整システム４５５によって所望の温度に調整されている。
この実施の形態の他の一例においては、ＬＴＥプレート４１０は、開口部４１１内で、パージされた容積の高さのおよそ中間に位置するスリットレジューサ４１４を含んでもよい。開口部４１１を通過する放射ビームは、スリットレジューサ４１４を使用して整形されトリミングされてもよい。
図４Ｂは、ある実施の形態に係るリソグラフィ装置１００、１００’、２００、または４００の一部として実装可能であるＬＴＥプレート４６０の上面図を示す。一例においては、ＬＴＥプレート４６０は、（図４に関して説明した）ＬＴＥプレート４１０と構造及び機能において同様であってもよい。そこで、ＬＴＥプレート４１０とＬＴＥプレート４６０の相違点のみを説明する。この実施の形態の一例においては、ＬＴＥプレート４６０は、可動ステージ（例えば可動ステージ４０１）の底面に対面する上面４６０ａ上に複数の開口４５６を含む。開口４５６は、一例によると、ＬＴＥプレート４６０を貫通するガス供給路（図示せず）の出口として構成されていてもよい。ＬＴＥプレート４６０のガス供給路は、ＬＴＥプレート４１０のガス供給路４３１、４３５と構造及び機能において同様であってもよく、図４Ａに関して説明した１つ又は複数のガスナイフシステムに連結されていてもよい。
種々の例によると、複数の開口４５６は、種々のアレイ構成に配列されていてもよい。１つの例においては、開口４５６は、（図４Ｂに示すように）実質的にＶ形状アレイ４５７、４５８に配列され、これらＶ形状アレイがＬＴＥプレート４６０の開口部４１１の両側に配置されていてもよい。Ｖ形状アレイ４５７、４５８のそれぞれが対称軸を有する。Ｖ形状アレイ４５７、４５８のそれぞれは、その対称軸が可動ステージ（例えば可動ステージ４０１）の走査方向（例えばＸ方向）に沿うとともに、開口部４１１の対称軸と実質的に平行でありかつそれと整列されるように、位置してもよい。加えて、Ｖ形状アレイ４５７、４５８のそれぞれの頂点は、開口部４１１から離れるほうを向く。こうしたＶ形状アレイ４５７、４５８は、無調整ガスが可動ステージのある走査動作中にＬＴＥに入るのを防止させ、及び／または、ＬＴＥに入った無調整ガスを走査方向から偏向させうる。それとともに又はそれに代えて、ＬＴＥプレート４６０は、複数のガス抽出路入口の同様のＶ形状アレイ（図示せず）を上面４６０ａ上に含んでもよい。ガス抽出路は、図４Ａに関して説明したＬＴＥプレート４１０のガス抽出路４２９、４３３と構造及び機能において同様であってもよい。ＬＴＥプレート４６０は、開口４５６からなる任意の数のＶ形状アレイを含んでもよいことに留意すべきである。また、開口部４１１は、図４Ｂに図示される幾何形状に限定されず、当業者に理解されるように任意の形式の幾何学的な形状であってもよい。
他の一例においては、複数の開口４５６は、実質的に線形のアレイ４６３、４６４に配列され、線形アレイの特定の１つが開口部４１１の特定の一方側に配置されていてもよい。線形アレイ４６３、４６４は、可動ステージの走査方向（例えばＸ方向）に沿って配置され、無調整ガスがＬＴＥに入るのを防止させ、及び／または、ＬＴＥに入った無調整ガスを可動ステージの非走査方向（例えばＹ方向）から偏向させうる。
図５は、ある実施の形態に係るリソグラフィ装置５００の一部分を示す。この実施の形態の一例においては、リソグラフィ装置５００は、（図４Ａに関して説明した）リソグラフィ装置４００と構造及び機能において同様であってもよい。そこで、リソグラフィ装置４００と５００の相違点のみを説明する。この実施の形態の一例においては、リソグラフィ装置は、（図４Ａに示す）ＬＴＥ４１０の横寸法と比べて小さい横寸法を有するＬＴＥプレート５１０を含んでもよい。ＬＴＥ５１０の低減された横寸法は、可動ステージ４０１とＬＴＥプレート４１０との間に比べて、可動ステージ４０１とＬＴＥプレート５１０との間に低減された面積を提供しうる。この低減された面積は、可動ステージ４０１によってＬＴＥへと引き込まれる無調整ガスの容積を低減するのに役立ちうるので、その結果、上述のようにＬＴＥにおける無調整ガスに例えば関連する諸問題を緩和するのに役立ちうる。この実施の形態の一例においては、ＬＴＥプレート５１０を囲む無調整ガスの抽出は、矢印５２６により図示される方向にガスシステム４５０によって提供されてもよい。
図６は、ある実施の形態に係るリソグラフィ装置６００の一部分を示す。この実施の形態の一例においては、リソグラフィ装置６００は、（図４Ａに関して説明した）リソグラフィ装置４００と構造及び機能において同様であってもよい。そこで、リソグラフィ装置４００と６００の相違点のみを説明する。リソグラフィ装置６００は、この実施の形態の一例においては、光学素子６１８及びスリットレジューサ６１４を含んでもよい。光学素子６１８は、ＬＴＥで開口部４１１内に位置し、ＬＴＥプレート４１０の開口部４１１を実質的に塞ぐように側壁４１１ａ、４１１ｂと実質的に接触してもよい。光学素子６１８は、ＬＴＥプレート４１０に連結され、または、図１Ａ及び図１Ｂに関して説明したような投影系に連結されていてもよい。開口部４１１内に光学素子６１８を配置することは、ＬＴＥにおいてパージされるべき容積を低減しうるので、その結果、上述のようにＬＴＥのパージされた容積におけるガス流れに例えば関連する諸問題を緩和するのに役立ちうる。開口部４１１内に光学素子６１８が存在することによって、光軸に実質的に垂直なガス流れが、矢印６２８で示されるように、可動ステージ４０１と光学素子６１８との間に生成される必要があるだけである。光学素子６１８は、一例によると、図１Ａ、図１Ｂ、及び図２に関して説明したような照明系からの放射を透過可能であるよう構成されている。ある実施の形態においては、スリットレジューサ６１４は、ＬＴＥプレート４１０に連結され、開口部４１１内で光学素子６１８の上方に位置してもよい。
図７は、ある実施の形態に係るリソグラフィ装置７００の一部分を示す。この実施の形態の一例においては、リソグラフィ装置７００は、（図５及び図６に関して説明した）リソグラフィ装置５００、６００と構造及び機能において同様であってもよい。リソグラフィ装置７００のＬＴＥにおける構成要素の構成は、図５及び図６に関して説明したように、可動ステージ４０１とＬＴＥプレート５１０との間の低減された面積、及び、光学素子６１８によって低減されたパージされた容積の両方を提供する。
図６及び図７に示される可動ステージ４０１とレンズトップ２０８との間の構成要素の構成は、非移動平均オーバレイ誤差を低減することにおいて、図４及び図５に示されるものよりも大きな寄与を有してもよい。これは主として、リソグラフィ装置４００、５００に比べてリソグラフィ装置６００、７００はガス環境における光路長が短いためでありうる。
図８Ａは、ある実施の形態に係るリソグラフィ装置８００の一部分を示す。この実施の形態の一例においては、リソグラフィ装置８００は、（図４Ａに関して説明した）リソグラフィ装置４００と構造及び機能において同様であってもよい。そこで、リソグラフィ装置４００と８００の相違点のみを説明する。リソグラフィ装置８００は、この実施の形態の一例においては、ＬＴＥプレート８１０、光学素子８１８、及び、光学素子８１８への支持を提供するよう構成されている支持システム８７５を含んでもよい。
一例においては、ＬＴＥプレート８１０は、構造及び機能においてＬＴＥプレート４１０と同様であってもよく、そのためＬＴＥプレート８１０とＬＴＥプレート４１０の相違点のみを説明する。ＬＴＥプレート８１０は、一例によると、Ｚ軸に対して傾斜した側壁８１１ａ、８１１ｂを有する開口部８１１を備える。完全を期すため、Ｚ軸は、上で導入したＸ軸及びＹ軸に実質的に垂直である。他の一例によると、側壁８１１ａ、８１１ｂは、平行かつ互いに対向していてもよい（図示せず）。さらに他の一例においては側壁８１１ａ、８１１ｂは、湾曲した幾何形状を有してもよい。
ＬＴＥプレート８１０は、一例によると、側壁８１１ａ、８１１ｂ上の開口（図８Ｂに関連して後述する）にて終端する１つ又は複数のガス流路をさらに含む。側壁８１１ａ、８１１ｂ上の開口を通じたパージガスの供給及び抽出は、図４Ａに関して説明したガス流れパターン４２４と同様でありうるガス流れパターン８２４を生成しうる。加えて、ＬＴＥプレート８１０は、方向８７０に沿ってガスシステム４５０から供給される調整されたガスを方向付ける１つ又は複数のガス供給路（図示せず）を含んでもよい。方向８７０に沿う調整されたガスの流れは、ＬＴＥプレート８１０の底面と支持システム８７５との間の開放領域に無調整ガスが入るのを防止しうる。矢印４２２、８７０はガス流れの方向を示すが、ＬＴＥプレート８１０を貫通するガス供給路の数を表すのではないことに留意すべきである。
この実施の形態の一例によると、光学素子８１８は、図６に関して説明した光学素子６１８と機能において同様であってもよい。光学素子８１８は、図１Ａ、図１Ｂ、及び図２に関して説明したような照明系とレンズトップ２０８との間の光学経路に沿って、ＬＴＥで開口部８１１内に位置してもよい。ＬＴＥにおける光学素子８１８の支持及び位置決めは、可動ステージ４０１とレンズトップ２０８との間に位置しうる支持システム８７５によって提供されてもよい。光学素子８１８は、照明系からの放射を透過可能であるよう構成され、かつ、この実施の形態の一例によると、照明系からの放射が光学素子８１８を通じてレンズトップ２０８に伝達可能であるように支持システム８７５に装着されている。
図８Ｂは、ある実施の形態に係るＬＴＥプレート８１０の上面図を示す。上述のように、ＬＴＥプレート８１０は、側壁８１１ａ、８１１ｂ上に複数の開口を含んでもよい。これらの開口は、側壁８１１ａ、８１１ｂ上で実質的に線形のアレイ８７７、８８８にそれぞれ配列されていてもよい。この実施の形態の一例においては、線形アレイ８７７の開口は、調整されたガスをＬＴＥへと導入するためのガス出口として構成されていてもよく、線形アレイ８８８の開口は、調整され又は無調整のガスをＬＴＥから抽出するためのガス入口として構成されていてもよい。
上述の説明は例示であり、限定を意図しない。よって、以下に述べる請求項の範囲から逸脱することなく既述の本発明に変更を加えることができるということは、当業者には明らかなことである。
「発明の概要」および「要約」の欄ではなく、「詳細な説明」の欄が特許請求の範囲の解釈に使用されるよう意図されていることを認識されたい。「発明の概要」および「要約」の欄は、発明者によって考案された本発明の実施形態のうち一つまたは複数について述べているが、全ての例示的な実施形態について述べているわけではない。したがって、本発明および添付の特許請求の範囲をいかなる方法によっても限定する意図はない。
特定の機能およびその関係の実現を示す機能形成ブロックの助けを用いて本発明を説明してきた。これらの機能形成ブロック間の境界は、説明の便宜上、随意に定義されている。それらの特別な機能および関係が適切に実行される限り、別の境界も定義することができる。
特定の実施形態についての上記説明は本発明の一般的性質を完全に公開しており、したがって、当分野の能力に含まれる知識を適用することによって、過度の実験をすることなく、および本発明の一般概念から逸脱することなく、種々の応用に対してそのような特定の実施形態を直ちに修正しおよび／または適応させることができる。したがって、そのような修正および適応は、本書に提示された教示および助言に基づき、開示された実施形態の意義および等価物の範囲内であると意図されている。本書の言葉遣いおよび専門用語は説明を目的としており限定のためではなく、本明細書の言葉遣いおよび専門用語は上記教示および助言を考慮して当業者によって解釈されるべきものである。
本発明の広がりおよび範囲は、上述した例示的な実施形態のいずれによっても限定されるべきではなく、特許請求の範囲およびそれらの等価物にしたがってのみ規定されるべきである。
実施形態をいくつか挙げる。
１．放射ビームを調整するよう構成されている照明系と、
前記放射ビームの断面にパターンを付与してパターン付き放射ビームを形成するよう構成されているパターニングデバイスを支持するよう構成されている支持構造を備える可動ステージと、
基板を保持するよう構成されている基板テーブルと、
前記パターン付き放射ビームを前記基板の目標部分に投影するよう構成されている投影系と、
前記可動ステージと前記投影系との間に位置するとともに、
第１表面、及び、前記第１表面と実質的に平行であり前記第１表面と反対にある第２表面と、
前記第１表面から前記第２表面へと延在し第１側壁及び第２側壁を備える開口部と、を備えるプレートと、を備え、
前記プレートは、前記可動ステージと前記投影系との間の領域内にガス流れパターンを提供するよう構成され、前記ガス流れパターンは、前記照明系の光軸と実質的に垂直であるリソグラフィ装置。
２．前記プレートは、前記開口部の前記第１側壁と前記第２側壁との間に前記ガス流れパターンを提供するよう構成されている、実施形態１に記載のリソグラフィ装置。
３．前記第１側壁と前記第２側壁の幾何形状は、前記ガス流れパターンを前記照明系の前記光軸に実質的に垂直とするよう構成されている、実施形態２に記載のリソグラフィ装置。
４．前記第１側壁は、前記第２側壁と実質的に平行であり前記第２側壁と反対にある、実施形態３に記載のリソグラフィ装置。
５．前記第１側壁及び前記第２側壁は、互いに反対にあり、垂直軸に対し傾斜している、実施形態１に記載のリソグラフィ装置。
６．前記プレートの前記開口部は、前記照明系と前記投影系との間に光学経路を提供する、実施形態１に記載のリソグラフィ装置。
７．前記プレートはさらに、前記プレートと前記可動ステージとの間の領域へと導入されるガスを供給するための経路を提供するよう構成されている、実施形態１に記載のリソグラフィ装置。
８．前記プレートはさらに、前記プレートと支持システムとの間の領域へと導入されるガスを供給するための経路を提供するよう構成され、前記支持システムは、前記プレートの前記開口部内に光学素子を保持するよう構成されている、実施形態１に記載のリソグラフィ装置。
９．前記プレートはさらに、前記プレートと前記可動ステージとの間の領域から抽出される無調整ガスのための経路を提供するよう構成されている、実施形態１に記載のリソグラフィ装置。
１０．前記プレートは、前記プレートを貫通する複数の流路を備え、
前記流路の少なくとも１つは、前記第１側壁に沿う第１オリフィスにて終端するよう構成され、前記流路の他の少なくとも１つは、前記第２側壁に沿う第２オリフィスにて終端するよう構成されている、実施形態１に記載のリソグラフィ装置。
１１．前記プレートは、ガス入口開口のアレイまたはガス出口開口のアレイを前記プレートの前記第１表面上に備える、実施形態１に記載のリソグラフィ装置。
１２．前記プレートは、前記プレートを貫通する供給経路を通じてガスナイフシステムに連結されたガス出口のアレイを前記プレートの前記第１表面上に備える、実施形態１に記載のリソグラフィ装置。
１３．前記プレートは、ガス入口開口のＶ形状アレイまたはガス出口開口のＶ形状アレイを前記プレートの前記第１表面上に備え、
前記Ｖ形状アレイの頂点は、前記開口部から離れるほうに向けられており、
前記Ｖ形状アレイの対称軸は、前記開口部の対称軸及び前記可動ステージの走査方向と実質的に整列されている、実施形態１に記載のリソグラフィ装置。
１４．前記プレートは、ガス入口開口の線形アレイまたはガス出口開口の線形アレイを、前記プレートの前記第１表面上で前記開口部の一方側に沿って備え、
前記線形アレイは、前記可動ステージの走査方向と実質的に整列されている、実施形態１に記載のリソグラフィ装置。
１５．前記プレートは、
前記第１側壁上のガス出口開口の第１線形アレイと、
前記第２側壁上のガス入口開口の第２線形アレイと、を備え、
前記第１線形アレイと前記第２線形アレイとは、前記可動ステージの非走査方向と実質的に整列されている、実施形態１に記載のリソグラフィ装置。
１６．前記非走査方向は、前記可動ステージの走査方向と垂直な方向である、実施形態１５に記載のリソグラフィ装置。
１７．前記プレートは、前記プレートを貫通する流体流路を備え、前記流体流路は、前記プレートの温度調節のために熱的に調整された流体を運ぶよう構成されている、実施形態１に記載のリソグラフィ装置。
１８．前記プレートの横寸法は、前記支持構造の横寸法より小さい、実施形態１に記載のリソグラフィ装置。
１９．前記プレートの前記開口部内に位置する光学素子をさらに備える、実施形態１に記載のリソグラフィ装置。
２０．前記光学素子の複数の側壁は、前記プレートの前記開口部の複数の側壁と実質的に接触する、実施形態１９に記載のリソグラフィ装置。
２１．前記光学素子は、前記投影系に連結されている、実施形態１９に記載のリソグラフィ装置。
２２．前記プレートの前記開口部内に光学素子を保持するとともに位置決めするよう構成されている支持システムをさらに備える、実施形態１に記載のリソグラフィ装置。
２３．前記プレートの前記開口部内に位置するとともに前記開口部を少なくとも部分的に塞ぐよう構成されている光学素子をさらに備え、前記光学素子は、前記パターン付き放射ビームを透過可能である、実施形態１に記載のリソグラフィ装置。
２４．前記プレートの前記開口部内に位置するスリットレジューサをさらに備える、実施形態１に記載のリソグラフィ装置。
２５．放射ビームを調整するよう構成されている照明系と、
前記放射ビームの断面にパターンを付与してパターン付き放射ビームを形成するよう構成されているパターニングデバイスを支持するよう構成されている支持構造を備える可動ステージと、
基板を保持するよう構成されている基板テーブルと、
前記パターン付き放射ビームを前記基板の目標部分に投影するよう構成されている投影系と、
前記可動ステージと前記投影系との間に位置するとともに、開口部を備え、前記開口部は前記照明系と前記投影系との間に光学経路を提供するよう構成されているプレートと、を備え、
前記プレートは、前記照明系の光軸と実質的に垂直であるガス流れパターンを提供するよう構成されているリソグラフィ装置。
２６．前記開口部は、第１側壁及び第２側壁を備え、前記第２側壁は、前記第１側壁と実質的に平行であり前記第１側壁と反対にある、実施形態２５に記載のリソグラフィ装置。
２７．前記プレートは、前記第１側壁と前記第２側壁との間に前記ガス流れパターンを提供するよう構成されている、実施形態２６に記載のリソグラフィ装置。
２８．前記可動ステージは、第１平面に沿って前記支持構造を移動させるよう構成され、
前記プレートは、第２平面に配置され、前記第２平面は、前記第１平面と実質的に平行である、実施形態２５に記載のリソグラフィ装置。
２９．前記プレートはさらに、前記プレートと前記可動ステージとの間の領域へと導入されるガスを供給するための経路を提供するよう構成されている、実施形態２５に記載のリソグラフィ装置。
３０．前記プレートはさらに、前記プレートと前記可動ステージとの間の領域から抽出される無調整ガスのための経路を提供するよう構成されている、実施形態２５に記載のリソグラフィ装置。
３１．前記プレートの前記開口部内に位置する光学素子をさらに備える、実施形態２５に記載のリソグラフィ装置。
３２．前記光学素子の複数の側壁は、前記プレートの前記開口部の複数の側壁と実質的に接触する、実施形態３１に記載のリソグラフィ装置。
３３．前記光学素子は、前記投影系に連結されている、実施形態３１に記載のリソグラフィ装置。
３４．前記プレートの前記開口部内に位置するとともに前記開口部を少なくとも部分的に塞ぐよう構成されている光学素子をさらに備え、前記光学素子は、前記パターン付き放射ビームを透過可能である、実施形態２５に記載のリソグラフィ装置。
３５．放射ビームを調整するよう構成されている照明系と、
前記放射ビームの断面にパターンを付与してパターン付き放射ビームを形成するよう構成されているパターニングデバイスを支持するよう構成されている支持構造を備える可動ステージと、
基板を保持するよう構成されている基板テーブルと、
前記パターン付き放射ビームを前記基板の目標部分に投影するよう構成されている投影系と、
前記可動ステージと前記投影系との間に位置するプレートであって、前記プレートと前記可動ステージとの間の領域に外部ガスが入るのを防止するために前記領域へと導入されるガスを供給する経路を提供するよう構成されているプレートと、を備えるリソグラフィ装置。
３６．前記プレートはさらに、前記可動ステージと前記投影系との間の領域にガス流れパターンを生成するよう構成され、前記ガス流れパターンは、前記照明系の光軸と実質的に垂直である、実施形態３５に記載のリソグラフィ装置。
３７．前記プレートは、開口部を備え、前記開口部は、第１側壁及び第２側壁を備え、前記第２側壁は、前記第１側壁と実質的に平行であり前記第１側壁と反対にある、実施形態３５に記載のリソグラフィ装置。
３８．前記プレートはさらに、前記第１側壁と前記第２側壁との間にガス流れパターンを生成するよう構成され、前記ガス流れパターンは、前記照明系の光軸と実質的に垂直である、実施形態３７に記載のリソグラフィ装置。
３９．前記プレートの前記開口部内に位置するとともに前記開口部を少なくとも部分的に塞ぐよう構成されている光学素子をさらに備え、前記光学素子は、前記パターン付き放射ビームを透過可能である、実施形態３５に記載のリソグラフィ装置。

Claims (21)

  1. 放射ビームを調整するよう構成されている照明系と、
    前記放射ビームの断面にパターンを付与してパターン付き放射ビームを形成するよう構成されているパターニングデバイスを支持するよう構成されている支持構造を備える可動ステージと、
    基板を保持するよう構成されている基板テーブルと、
    前記パターン付き放射ビームを前記基板の目標部分に投影するよう構成されている投影系と、
    前記可動ステージと前記投影系との間に位置するとともに、
    第１表面、及び、前記第１表面と実質的に平行であり前記第１表面と反対にある第２表面と、
    前記第１表面から前記第２表面へと延在し第１側壁及び第２側壁を備える開口部と、を備えるプレートと、を備え、
    前記プレートは、前記可動ステージと前記投影系との間の領域内にガス流れパターンを提供するよう構成され、前記ガス流れパターンは、前記照明系の光軸と実質的に垂直であり、
    前記プレートは、ガス入口開口のＶ形状アレイまたはガス出口開口のＶ形状アレイを前記プレートの前記第１表面上に備え、
    前記Ｖ形状アレイの頂点は、前記開口部から離れるほうに向けられており、
    前記Ｖ形状アレイの対称軸は、前記開口部の対称軸及び前記可動ステージの走査方向と実質的に整列されているリソグラフィ装置。
  2. 放射ビームを調整するよう構成されている照明系と、
    前記放射ビームの断面にパターンを付与してパターン付き放射ビームを形成するよう構成されているパターニングデバイスを支持するよう構成されている支持構造を備える可動ステージと、
    基板を保持するよう構成されている基板テーブルと、
    前記パターン付き放射ビームを前記基板の目標部分に投影するよう構成されている投影系と、
    前記可動ステージと前記投影系との間に位置するとともに、
    第１表面、及び、前記第１表面と実質的に平行であり前記第１表面と反対にある第２表面と、
    前記第１表面から前記第２表面へと延在し第１側壁及び第２側壁を備える開口部と、を備えるプレートと、を備え、
    前記プレートは、前記可動ステージと前記投影系との間の領域内にガス流れパターンを提供するよう構成され、前記ガス流れパターンは、前記照明系の光軸と実質的に垂直であり、
    前記プレートは、ガス入口開口の線形アレイまたはガス出口開口の線形アレイを、前記プレートの前記第１表面上で前記開口部の一方側に沿って備え、
    前記線形アレイは、前記可動ステージの走査方向と実質的に整列されているリソグラフィ装置。
  3. 放射ビームを調整するよう構成されている照明系と、
    前記放射ビームの断面にパターンを付与してパターン付き放射ビームを形成するよう構成されているパターニングデバイスを支持するよう構成されている支持構造を備える可動ステージと、
    基板を保持するよう構成されている基板テーブルと、
    前記パターン付き放射ビームを前記基板の目標部分に投影するよう構成されている投影系と、
    前記可動ステージと前記投影系との間に位置するとともに、
    第１表面、及び、前記第１表面と実質的に平行であり前記第１表面と反対にある第２表面と、
    前記第１表面から前記第２表面へと延在し第１側壁及び第２側壁を備える開口部と、を備えるプレートと、を備え、
    前記プレートは、前記可動ステージと前記投影系との間の領域内にガス流れパターンを提供するよう構成され、前記ガス流れパターンは、前記照明系の光軸と実質的に垂直であり、
    前記プレートは、
    前記第１側壁上のガス出口開口の第１線形アレイと、
    前記第２側壁上のガス入口開口の第２線形アレイと、を備え、
    前記第１線形アレイと前記第２線形アレイとは、前記可動ステージの非走査方向と実質的に整列されているリソグラフィ装置。
  4. 前記非走査方向は、前記可動ステージの走査方向と垂直な方向である、請求項３に記載のリソグラフィ装置。
  5. 放射ビームを調整するよう構成されている照明系と、
    前記放射ビームの断面にパターンを付与してパターン付き放射ビームを形成するよう構成されているパターニングデバイスを支持するよう構成されている支持構造を備える可動ステージと、
    基板を保持するよう構成されている基板テーブルと、
    前記パターン付き放射ビームを前記基板の目標部分に投影するよう構成されている投影系と、
    前記可動ステージと前記投影系との間に位置するとともに、
    第１表面、及び、前記第１表面と実質的に平行であり前記第１表面と反対にある第２表面と、
    前記第１表面から前記第２表面へと延在し第１側壁及び第２側壁を備える開口部と、を備えるプレートと、を備え、
    前記プレートは、前記可動ステージと前記投影系との間の領域内にガス流れパターンを提供するよう構成され、前記ガス流れパターンは、前記照明系の光軸と実質的に垂直であり、
    前記プレートは、前記プレートを貫通する流体流路を備え、前記流体流路は、前記プレートの温度調節のために熱的に調整された流体を運ぶよう構成されているリソグラフィ装置。
  6. 前記プレートは、前記開口部の前記第１側壁と前記第２側壁との間に前記ガス流れパターンを提供するよう構成されている、請求項１から５のいずれかに記載のリソグラフィ装置。
  7. 前記第１側壁と前記第２側壁の幾何形状は、前記ガス流れパターンを前記照明系の前記光軸に実質的に垂直とするよう構成されている、請求項６に記載のリソグラフィ装置。
  8. 前記第１側壁は、前記第２側壁と実質的に平行であり前記第２側壁と反対にある、請求項７に記載のリソグラフィ装置。
  9. 前記第１側壁及び前記第２側壁は、互いに反対にあり、垂直軸に対し傾斜している、請求項１から５のいずれかに記載のリソグラフィ装置。
  10. 前記プレートの前記開口部は、前記照明系と前記投影系との間に光学経路を提供する、請求項１から５のいずれかに記載のリソグラフィ装置。
  11. 前記プレートはさらに、前記プレートと前記可動ステージとの間の領域へと導入されるガスを供給するための経路を提供するよう構成されている、請求項１から５のいずれかに記載のリソグラフィ装置。
  12. 前記プレートはさらに、前記プレートと支持システムとの間の領域へと導入されるガスを供給するための経路を提供するよう構成され、前記支持システムは、前記プレートの前記開口部内に光学素子を保持するよう構成されている、請求項１から５のいずれかに記載のリソグラフィ装置。
  13. 前記プレートはさらに、前記プレートと前記可動ステージとの間の領域から抽出される無調整ガスのための経路を提供するよう構成されている、請求項１から５のいずれかに記載のリソグラフィ装置。
  14. 前記プレートは、前記プレートを貫通する複数の流路を備え、
    前記流路の少なくとも１つは、前記第１側壁に沿う第１オリフィスにて終端するよう構成され、前記流路の他の少なくとも１つは、前記第２側壁に沿う第２オリフィスにて終端するよう構成されている、請求項１から５のいずれかに記載のリソグラフィ装置。
  15. 前記プレートは、ガス入口開口のアレイまたはガス出口開口のアレイを前記プレートの前記第１表面上に備える、請求項１から５のいずれかに記載のリソグラフィ装置。
  16. 前記プレートは、前記プレートを貫通する供給経路を通じてガスナイフシステムに連結されたガス出口のアレイを前記プレートの前記第１表面上に備える、請求項１から５のいずれかに記載のリソグラフィ装置。
  17. 前記プレートの横寸法は、前記支持構造の横寸法より小さい、請求項１から５のいずれかに記載のリソグラフィ装置。
  18. 前記プレートの前記開口部内に位置する光学素子をさらに備える、請求項１から５のいずれかに記載のリソグラフィ装置。
  19. 前記光学素子の複数の側壁は、前記プレートの前記開口部の複数の側壁と実質的に接触する、請求項１８に記載のリソグラフィ装置。
  20. 前記プレートの前記開口部内に位置するとともに前記開口部を少なくとも部分的に塞ぐよう構成されている光学素子をさらに備え、前記光学素子は、前記パターン付き放射ビームを透過可能である、請求項１から５のいずれかに記載のリソグラフィ装置。
  21. 前記プレートの前記開口部内に位置するスリットレジューサをさらに備える、請求項１から５のいずれかに記載のリソグラフィ装置。
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