KR20150120486A - 레티클 스테이지 환경에서의 가스 유동 최적화 - Google Patents

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Abstract

리소그래피 장치의 패터닝 디바이스 주위의 가스 유동을 제어함으로써 오버레이 오차들을 감소시키는 시스템이 개시된다. 리소그래피 장치는 방사선 빔을 컨디셔닝하도록 구성된 조명 시스템을 포함한다. 또한, 리소그래피 장치는 패터닝 디바이스를 지지하도록 구성될 수 있는 지지 구조체를 포함하는 이동가능한 스테이지를 포함한다. 패터닝 디바이스는 패터닝된 방사선 빔을 형성하기 위해 방사선 빔의 단면에 패턴을 부여하도록 구성될 수 있다. 또한, 리소그래피 장치는 이동가능한 스테이지(401)와 투영 시스템(208) 사이에 위치된 플레이트(410)를 포함한다. 플레이트는 제 1 측벽(411a) 및 제 2 측벽(411b)을 포함하는 개구부(411)를 포함한다. 플레이트는, 조명 시스템의 광축에 대해 실질적으로 수직인, 이동가능한 스테이지와 투영 시스템 사이의 영역에 가스 유동 패턴(424)을 제공하도록 구성될 수 있다.

Description

레티클 스테이지 환경에서의 가스 유동 최적화{GAS FLOW OPTIMIZATION IN RETICLE STAGE ENVIRONMENT}
본 출원은 2013년 2월 20일에 출원된 미국 가출원 61/767,184 그리고 2013년 12월 13일에 출원된 미국 가출원 61/916,031의 이익을 주장하며, 이들은 본 명세서에서 전문이 인용 참조된다.
본 발명은, 예를 들어 이동가능한 스테이지 환경에서의 무질서하고 불안정한 가스 유동을 감소시키고 오버레이 오차를 감소시키도록 설계된 레티클 스테이지 환경과 같은 이동가능한 스테이지 환경에 놓인 요소들의 다양한 형상들 및 구성들에 관한 것이다.
리소그래피 장치는 기판 상으로, 통상적으로는 기판의 타겟부 상으로 원하는 패턴을 적용시키는 기계이다. 리소그래피 장치는, 예를 들어 집적 회로(IC)의 제조에 사용될 수 있다. 그 경우, 대안적으로 마스크 또는 레티클이라 칭하는 패터닝 디바이스가 IC의 개별층에 형성될 회로 패턴을 생성하기 위해 사용될 수 있다. 이 패턴은 기판(예컨대, 실리콘 웨이퍼)의 (예를 들어, 다이의 일부분, 한 개 또는 수 개의 다이 부분을 포함하는) 타겟부 상으로 전사(transfer)될 수 있다. 패턴의 전사는, 통상적으로 기판에 제공된 방사선-감응재(레지스트)층 상으로의 이미징(imaging)을 통해 수행된다. 일반적으로, 단일 기판은 연속하여 패터닝되는 인접한 타겟부들의 네트워크를 포함할 것이다. 알려진 리소그래피 장치는, 한번에 타겟부 상으로 전체 패턴을 노광함으로써 각각의 타겟부가 조사(irradiate)되는, 소위 스테퍼들, 및 방사선 빔을 통해 주어진 방향("스캐닝"- 방향)으로 패턴을 스캐닝하는 한편, 이 방향과 평행한 방향(같은 방향으로 평행한 방향) 또는 역-평행 방향(반대 방향으로 평행한 방향)으로 기판을 동기적으로 스캐닝함으로써 각각의 타겟부가 조사되는, 소위 스캐너를 포함한다.
레티클 스테이지 환경의 청정도를 유지하는 것은, 초-청정 가스 환경을 제공함으로써 레티클 스테이지 부근에 있는 투영 시스템의 렌즈 최상부 측(lens top side)의 광학 요소들의 수명을 보장하는 것을 포함한다. 이러한 청정한 환경은 광학 요소들 상의 (세정가능한 그리고 세정가능하지 않은) 오염을 감소시킨다. 오염을 감소시키면, 광학 균일성이 개선되고, 미광 저하(straylight degradation)가 감소된다. 하지만, 레티클 스테이지 밑의 렌즈 최상부 주위에 퍼지 가스(purge gas)의 유동을 제공하면, 레티클 스테이지의 최하부면의 지오메트리에 의해 생성된 정체된 가스의 포켓들(pockets of stagnant gas) 및 난류(turbulent flow)로 인해 정렬 왜곡이 생성될 수 있다.
따라서, 레티클 스테이지 밑의 가스 유동에 의해 야기된 왜곡들 및 오차들을 해결하는 개선된 시스템들 및 방법들이 요구된다.
일 실시예에서, 리소그래피 장치는 방사선 빔을 컨디셔닝하도록 구성될 수 있는 조명 시스템을 포함한다. 또한, 리소그래피 장치는 패터닝 디바이스를 지지하도록 구성될 수 있는 지지 구조체를 포함하는 이동가능한 스테이지를 포함한다. 패터닝 디바이스는 패터닝된 방사선 빔을 형성하기 위해 방사선 빔의 단면에 패턴을 부여하도록 구성될 수 있다. 또한, 리소그래피 장치는 기판을 유지하도록 구성된 기판 테이블, 및 기판의 타겟부 상으로 패터닝된 방사선 빔을 투영하도록 구성된 투영 시스템을 포함한다. 또한, 리소그래피 장치는 이동가능한 스테이지와 투영 시스템 사이에 위치된 플레이트를 포함한다. 플레이트는 제 1 표면 및 제 2 표면을 포함하고, 제 2 표면은 제 1 표면에 대해 실질적으로 평행하며 이와 대향해 있다. 또한, 플레이트는, 제 1 표면으로부터 제 2 표면으로 연장되고 제 1 측벽 및 제 2 측벽을 포함하는 개구부를 포함한다. 플레이트는 이동가능한 스테이지와 투영 시스템 사이의 영역 내에 가스 유동 패턴을 제공하도록 구성될 수 있다. 가스 유동 패턴은 조명 시스템의 광축에 대해 실질적으로 수직일 수 있다.
또 다른 실시예에 따르면, 리소그래피 장치는 방사선 빔을 컨디셔닝하도록 구성될 수 있는 조명 시스템을 포함한다. 또한, 리소그래피 장치는 패터닝 디바이스를 지지하도록 구성될 수 있는 지지 구조체를 포함하는 이동가능한 스테이지를 포함한다. 패터닝 디바이스는 패터닝된 방사선 빔을 형성하기 위해 방사선 빔의 단면에 패턴을 부여하도록 구성될 수 있다. 또한, 리소그래피 장치는 기판을 유지하도록 구성된 기판 테이블, 및 기판의 타겟부 상으로 패터닝된 방사선 빔을 투영하도록 구성된 투영 시스템을 포함한다. 또한, 리소그래피 장치는 이동가능한 스테이지와 투영 시스템 사이에 위치된 플레이트를 포함한다. 플레이트는 조명 시스템과 투영 시스템 사이에 광학 경로를 제공하도록 구성된 개구부를 포함한다. 플레이트는 조명 시스템의 광축에 대해 실질적으로 수직인 가스 유동 패턴을 제공하도록 구성될 수 있다.
또 다른 실시예에서, 리소그래피 장치는 방사선 빔을 컨디셔닝하도록 구성될 수 있는 조명 시스템을 포함한다. 또한, 리소그래피 장치는 패터닝 디바이스를 지지하도록 구성될 수 있는 지지 구조체를 포함하는 이동가능한 스테이지를 포함한다. 패터닝 디바이스는 패터닝된 방사선 빔을 형성하기 위해 방사선 빔의 단면에 패턴을 부여하도록 구성될 수 있다. 또한, 리소그래피 장치는 기판을 유지하도록 구성된 기판 테이블, 및 기판의 타겟부 상으로 패터닝된 방사선 빔을 투영하도록 구성된 투영 시스템을 포함한다. 또한, 리소그래피 장치는 이동가능한 스테이지와 투영 시스템 사이에 위치된 플레이트를 포함한다. 플레이트는 공급 가스가 플레이트와 이동가능한 스테이지 사이의 영역 내로 도입되는 경로를 제공하도록 구성될 수 있어, 외부 가스가 상기 영역에 들어가는 것을 방지한다. 플레이트는 조명 시스템과 투영 시스템 사이에 광학 경로를 제공하도록 구성된 개구부를 포함한다.
첨부한 도면들을 참조하여, 본 발명의 다양한 실시예들의 구조 및 작동뿐만 아니라, 본 발명의 또 다른 특징들 및 장점들이 아래에 자세히 설명된다. 본 발명은 여기에 설명된 특정 실시예들로 제한되지 않음을 유의한다. 이러한 실시예들은 본 명세서에서 단지 예시의 목적으로만 제시된다. 관련 기술(들)의 당업자라면, 본 명세서에 담긴 기술적 내용에 기초하여 추가 실시예들이 행해질 수 있음을 알 수 있을 것이다.
본 명세서에 포함되며 명세서의 일부분을 형성하는 첨부된 도면들은 본 발명을 예시하며, 또한 설명과 함께 본 발명의 원리들을 설명하고, 관련 기술(들)의 당업자가 본 발명을 실시 및 이용할 수 있게 하는 역할을 한다.
도 1a는 본 발명의 일 실시예에 따른 반사 리소그래피 장치의 개략도;
도 1b는 본 발명의 일 실시예에 따른 투과 리소그래피 장치의 개략도;
도 2는 리소그래피 장치의 일부분의 개략적 단면도;
도 3a 내지 도 3c는 다양한 위치들에서의 이동가능한 스테이지의 개략적 단면도;
도 4a는 본 발명의 일 실시예에 따른 리소그래피 장치의 일부분의 개략적 단면도;
도 4b는 본 발명의 일 실시예에 따른 렌즈 최상부 환경(lens top environment: LTE) 플레이트의 개략적 평면도;
도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 리소그래피 장치의 일부분의 개략적 단면도;
도 6은 본 발명의 일 실시예에 따른 리소그래피 장치의 일부분의 개략적 단면도;
도 7은 본 발명의 일 실시예에 따른 리소그래피 장치의 일부분의 개략적 단면도;
도 8a는 본 발명의 일 실시예에 따른 리소그래피 장치의 일부분의 개략적 단면도; 및
도 8b는 본 발명의 일 실시예에 따른 LTE 플레이트의 개략적 평면도이다.
본 발명의 특징들 및 장점들은 도면들과 연계될 때 아래에 설명된 상세한 설명으로부터 더 잘 이해할 수 있을 것이다. 도면들에서, 동일한 참조 번호들은 일반적으로 동일한, 기능적으로 유사한, 및/또는 구조적으로 유사한 요소들을 나타낸다. 일반적으로, 요소가 가장 먼저 나타난 도면은 대응하는 참조 번호의 맨 앞자리 수(들)에 의해 나타내어진다.
본 명세서는 본 발명의 특징들을 포함하는 1 이상의 실시예들을 개시한다. 개시된 실시예(들)는 단지 본 발명을 예시한다. 본 발명의 범위는 개시된 실시예(들)로 제한되지 않는다. 본 발명은 본 명세서에 첨부된 청구항들에 의해 정의된다.
본 명세서에서, "하나의 실시예", "일 실시예", "예시적인 실시예" 등으로 설명된 실시예(들) 및 이러한 언급들은, 설명된 실시예(들)가 특정한 특징, 구조 또는 특성을 포함할 수 있지만, 모든 실시예가 특정한 특징, 구조 또는 특성을 반드시 포함하는 것은 아닐 수 있음을 나타낸다. 또한, 이러한 어구들이 반드시 동일한 실시예를 칭하는 것은 아니다. 또한, 특정한 특징, 구조 또는 특성이 일 실시예와 연계하여 설명되는 경우, 이러한 특징, 구조 또는 특성의 다른 실시예들에 대한 연계성은 명시적으로 설명되든지 그렇지 않든지 간에 당업자의 지식 내에 있음을 이해한다.
하지만, 이러한 실시예들을 더 상세히 설명하기 전에, 본 발명의 실시예들이 구현될 수 있는 예시적인 환경을 제시하는 것이 유익하다.
예시적인 반사 및 투과 리소그래피 시스템들
도 1a 및 도 1b는 각각 본 발명의 실시예들이 구현될 수 있는 리소그래피 장치(100) 및 리소그래피 장치(100')의 개략도이다. 리소그래피 장치(100) 및 리소그래피 장치(100')는 각각, 방사선 빔(B)[예를 들어, DUV(deep ultra violet) 또는 극자외(extreme ultra violet) 방사선]을 컨디셔닝하도록 구성된 조명 시스템(일루미네이터)(IL); 패터닝 디바이스[예를 들어, 마스크, 레티클, 또는 동적 패터닝 디바이스(dynamic patterning device)](MA)를 지지하도록 구성되고, 패터닝 디바이스(MA)를 정확히 위치시키도록 구성된 제 1 위치설정기(PM)에 연결된 지지 구조체(예를 들어, 마스크 테이블)(MT); 및 기판(예를 들어, 레지스트 코팅된 웨이퍼)(W)을 유지하도록 구성되고, 기판(W)을 정확히 위치시키도록 구성된 제 2 위치설정기(PW)에 연결된 기판 테이블(예를 들어, 웨이퍼 테이블)(WT)을 포함한다. 또한, 리소그래피 장치(100 및 100')는 기판(W)의 타겟부(1 이상의 다이를 포함)(C) 상으로 패터닝 디바이스(MA)에 의하여 방사선 빔(B)에 부여된 패턴을 투영하도록 구성된 투영 시스템(PS)을 갖는다. 리소그래피 장치(100)에서, 패터닝 디바이스(MA) 및 투영 시스템(PS)은 반사형이다. 리소그래피 장치(100')에서, 패터닝 디바이스(MA) 및 투영 시스템(PS)은 투과형이다.
조명 시스템(IL)은 방사선 빔(B)을 지향, 성형 또는 제어하기 위하여, 굴절, 반사, 카타디옵트릭(catadioptric), 자기, 전자기, 정전기 또는 여타의 타입의 광학 구성요소들, 또는 이들의 여하한의 조합과 같은 다양한 타입의 광학 구성요소를 포함할 수 있다.
지지 구조체(MT)는, 기준 프레임에 대한 패터닝 디바이스(MA)의 방위, 리소그래피 장치(100 및 100') 중 적어도 하나의 디자인, 및 예를 들어 패터닝 디바이스(MA)가 진공 환경에서 유지되는지의 여부와 같은 다른 조건들에 의존하는 방식으로 패터닝 디바이스(MA)를 유지한다. 지지 구조체(MT)는 패터닝 디바이스(MA)를 유지하기 위해 기계적, 진공, 정전기, 또는 다른 클램핑 기술들을 이용할 수 있다. 지지 구조체(MT)는, 예를 들어 필요에 따라 고정되거나 이동가능할 수 있는 프레임 또는 테이블일 수 있다. 센서들을 이용함으로써, 지지 구조체(MT)는 패터닝 디바이스(MA)가 예를 들어 투영 시스템(PS)에 대해 원하는 위치에 있을 것을 보장할 수 있다.
"패터닝 디바이스(MA)"라는 용어는, 기판(W)의 타겟부(C)에 패턴을 생성하기 위해서, 방사선 빔(B)의 단면에 패턴을 부여하는데 사용될 수 있는 여하한의 디바이스를 언급하는 것으로 폭넓게 해석되어야 한다. 방사선 빔(B)에 부여된 패턴은 집적 회로를 형성하기 위해 타겟부(C)에 생성될 디바이스의 특정 기능 층에 대응할 수 있다.
패터닝 디바이스(MA)는 [도 1b의 리소그래피 장치(100')에서와 같이] 투과형 또는 [도 1a의 리소그래피 장치(100)에서와 같이] 반사형일 수 있다. 패터닝 디바이스(MA)의 예로는 레티클, 마스크, 프로그램가능한 거울 어레이 및 프로그램가능한 LCD 패널들을 포함한다. 마스크는 리소그래피 분야에서 잘 알려져 있으며, 바이너리(binary)형, 교번 위상-시프트형 및 감쇠 위상-시프트형과 같은 마스크 타입뿐만 아니라, 다양한 하이브리드(hybrid) 마스크 타입들을 포함한다. 프로그램가능한 거울 어레이의 일 예시는 작은 거울들의 매트릭스 구성을 이용하며, 그 각각은 입사하는 방사선 빔을 상이한 방향으로 반사시키도록 개별적으로 기울어질 수 있다. 기울어진 거울들은 작은 거울들의 매트릭스에 의해 반사되는 방사선 빔(B)에 패턴을 부여한다.
"투영 시스템(PS)"이라는 용어는, 사용되는 노광 방사선에 대하여, 또는 기판(W) 상에 침지 액체의 사용 또는 진공의 사용과 같은 다른 인자들에 대하여 적절하다면, 굴절, 반사, 카타디옵트릭, 자기, 전자기 및 정전기 광학 시스템, 또는 그 여하한의 조합을 포함하는 여하한의 타입의 투영 시스템을 포괄할 수 있다. 다른 가스들은 너무 많은 방사선 또는 전자들을 흡수할 수 있기 때문에, EUV 또는 전자 빔 방사선에 대해 진공 환경이 사용될 수 있다. 그러므로, 진공 벽 및 진공 펌프들의 도움으로 전체 빔 경로에 대해 진공 환경이 제공될 수 있다.
리소그래피 장치(100) 및/또는 리소그래피 장치(100')는 2 개(듀얼 스테이지) 이상의 기판 테이블(및/또는 2 이상의 마스크 테이블)(WT)을 갖는 형태로 구성될 수 있다. 이러한 "다수 스테이지" 기계에서는 추가 기판 테이블들(WT)이 병행하여 사용될 수 있으며, 또는 1 이상의 테이블들 상에서 준비작업 단계들이 수행되는 동안에, 1 이상의 다른 기판 테이블들(WT)이 노광에 사용될 수 있다. 몇몇 상황들에서, 추가 테이블은 기판 테이블(WT)이 아닐 수 있다.
도 1a 및 도 1b를 참조하면, 일루미네이터(IL)는 방사선 소스(SO)로부터 방사선 빔을 수용한다. 예를 들어, 소스(SO)가 엑시머 레이저인 경우, 소스(SO) 및 리소그래피 장치(100, 100')는 별도의 물리적인 개체일 수 있다. 이러한 경우, 소스(SO)는 리소그래피 장치(100 또는 100')의 일부분을 형성하는 것으로 간주되지 않으며, 방사선 빔(B)은 예를 들어 적절한 지향 거울 및/또는 빔 익스팬더(beam expander)를 포함하는 빔 전달 시스템(BD)(도 1b)의 도움으로, 소스(SO)로부터 일루미네이터(IL)로 통과된다. 다른 경우, 예를 들어 소스(SO)가 수은 램프인 경우, 소스(SO)는 리소그래피 장치들(100 및 100')의 통합부일 수 있다. 소스(SO) 및 일루미네이터(IL)는, 필요에 따라 빔 전달 시스템(BD)과 함께 방사선 시스템이라고 칭해질 수 있다.
일루미네이터(IL)는 방사선 빔의 각도 세기 분포를 조정하는 조정기(AD)(도 1b)를 포함할 수 있다. 일반적으로, 일루미네이터의 퓨필 평면의 세기 분포의 적어도 외반경 및/또는 내반경 크기(통상적으로, 각각 "외측-σ" 및 "내측-σ"라 함)가 조정될 수 있다. 또한, 일루미네이터(IL)는 인티그레이터(IN) 및 콘덴서(CO)와 같이, 다양한 다른 구성요소들(도 1b)을 포함할 수 있다. 일루미네이터(IL)는 단면이 원하는 균일성(uniformity) 및 세기 분포를 갖도록 방사선 빔(B)을 컨디셔닝하는데 사용될 수 있다.
도 1a를 참조하면, 방사선 빔(B)은 지지 구조체(예를 들어, 마스크 테이블)(MT)에 유지되어 있는 패터닝 디바이스(예를 들어, 마스크)(MA) 상에 입사되며, 패터닝 디바이스(MA)에 의해 패터닝된다. 리소그래피 장치(100)에서, 방사선 빔(B)은 패터닝 디바이스(예를 들어, 마스크)(MA)로부터 반사된다. 패터닝 디바이스(예를 들어, 마스크)(MA)로부터 반사된 후, 방사선 빔(B)은 투영 시스템(PS)을 통과하여 기판(W)의 타겟부(C) 상으로 방사선 빔(B)을 포커스한다. 제 2 위치설정기(PW) 및 위치 센서(IF2)[예를 들어, 간섭계 디바이스(interferometric device), 리니어 인코더(linear encoder), 또는 용량성 센서(capacitive sensor)]의 도움으로, 기판 테이블(WT)은 [예를 들어, 방사선 빔(B)의 경로에 상이한 타겟부(C)들을 위치시키도록] 정확하게 이동될 수 있다. 이와 유사하게, 제 1 위치설정기(PM) 및 또 다른 위치 센서(IF1)는 방사선 빔(B)의 경로에 대해 패터닝 디바이스(예를 들어, 마스크)(MA)를 정확히 위치시키는데 사용될 수 있다. 패터닝 디바이스(예를 들어, 마스크)(MA) 및 기판(W)은 마스크 정렬 마크들(M1, M2) 및 기판 정렬 마크들(P1, P2)을 이용하여 정렬될 수 있다.
도 1b를 참조하면, 방사선 빔(B)은 지지 구조체(예를 들어, 마스크 테이블)(MT)에 유지되어 있는 패터닝 디바이스(예를 들어, 마스크)(MA)에 입사되며, 패터닝 디바이스(MA)에 의해 패터닝된다. 마스크(MA)를 가로질렀으면, 방사선 빔(B)은 투영 시스템(PS)을 통과하여 기판(W)의 타겟부(C) 상으로 상기 빔을 포커스한다. 투영 시스템은 조명 시스템 퓨필(IPU)에 켤레인(conjugate) 퓨필(PPU)을 갖는다. 방사선의 일부는 조명 시스템 퓨필(IPU)에서 세기 분포로부터 나오고, 마스크 패턴에서의 회절에 영향을 받지 않고 마스크 패턴을 가로지르며, 조명 시스템 퓨필(IPU)에서 세기 분포의 이미지를 생성한다.
제 2 위치설정기(PW) 및 위치 센서(IF)(예를 들어, 간섭계 디바이스, 리니어 인코더, 또는 용량성 센서)의 도움으로, 기판 테이블(WT)은 [예를 들어, 방사선 빔(B)의 경로에 상이한 타겟부(C)들을 위치시키도록] 정확하게 이동될 수 있다. 이와 유사하게, 제 1 위치설정기(PM) 및 또 다른 위치 센서(도 1b에 명확히 도시되지 않음)는 [예를 들어, 마스크 라이브러리(mask library)로부터의 기계적인 회수 후에, 또는 스캔하는 동안] 방사선 빔(B)의 경로에 대해 마스크(MA)를 정확히 위치시키는데 사용될 수 있다.
일반적으로, 마스크 테이블(MT)의 이동은 장-행정 모듈(long-stroke module: 개략 위치설정) 및 단-행정 모듈(short-stroke module: 미세 위치설정)의 도움으로 실현될 수 있으며, 이는 제 1 위치설정기(PM)의 일부분을 형성한다. 이와 유사하게, 기판 테이블(WT)의 이동은 장-행정 모듈 및 단-행정 모듈을 이용하여 실현될 수 있으며, 이는 제 2 위치설정기(PW)의 일부분을 형성한다. (스캐너와는 달리) 스테퍼의 경우, 마스크 테이블(MT)은 단-행정 액추에이터에만 연결되거나 고정될 수 있다. 마스크(MA) 및 기판(W)은 마스크 정렬 마크들(M1, M2) 및 기판 정렬 마크들(P1, P2)을 이용하여 정렬될 수 있다. 비록, (예시된 바와 같은) 기판 정렬 마크들은 지정된(dedicated) 타겟부들을 차지하고 있지만, 이들은 타겟부들 사이의 공간들에 위치될 수도 있다[스크라이브-레인 정렬 마크(scribe-lane alignment mark)들로 알려져 있다]. 이와 유사하게, 마스크(MA)에 1 이상의 다이가 제공되는 상황들에서, 마스크 정렬 마크들은 다이들 사이에 위치될 수 있다.
마스크 테이블(MT) 및 패터닝 디바이스(MA)는 진공 챔버 내에 있을 수 있으며, 마스크와 같은 패터닝 디바이스들을 진공 챔버 안과 밖으로 이동시키기 위해 진공-내 로봇(in-vacuum robot: IVR)이 사용될 수 있다. 대안적으로, 마스크 테이블(MT) 및 패터닝 디바이스(MA)가 진공 챔버의 외부에 있을 때, 다양한 운송 작업들을 위해 진공-내 로봇(IVR)과 유사하게 진공-외 로봇(out-of-vacuum)이 사용될 수 있다. 진공-내 로봇과 진공-외 로봇 둘 모두는 이송 스테이션의 고정된 운동학적 마운트(fixed kinematic mount)로의 여하한의 페이로드(payload)(예를 들어, 마스크)의 순조로운 이송(smooth transfer)을 위하여 캘리브레이션될 필요가 있다.
리소그래피 장치(100 및 100')는 다음의 모드들 중 적어도 하나에 사용될 수 있다:
1. 스텝 모드에서, 지지 구조체(예를 들어, 마스크 테이블)(MT) 및 기판 테이블(WT)은 본질적으로 정지 상태로 유지되는 한편, 방사선 빔(B)에 부여되는 전체 패턴은 한번에 타겟부(C) 상으로 투영된다[즉, 단일 정적 노광(single static exposure)]. 그 후, 기판 테이블(WT)은 상이한 타겟부(C)가 노광될 수 있도록 X 및/또는 Y 방향으로 시프트된다.
2. 스캔 모드에서, 지지 구조체(예를 들어, 마스크 테이블)(MT) 및 기판 테이블(WT)은 방사선 빔(B)에 부여된 패턴이 타겟부(C) 상으로 투영되는 동안에 동기적으로 스캐닝된다[즉, 단일 동적 노광(single dynamic exposure)]. 지지 구조체(예를 들어, 마스크 테이블)(MT)에 대한 기판 테이블(WT)의 속도 및 방향은 투영 시스템(PS)의 확대(축소) 및 이미지 반전 특성에 의하여 결정될 수 있다.
3. 또 다른 모드에서, 지지 구조체(예를 들어, 마스크 테이블)(MT)는 프로그램가능한 패터닝 디바이스를 유지하여 본질적으로 정지된 상태로 유지되며, 방사선 빔(B)에 부여된 패턴이 타겟부(C) 상으로 투영되는 동안, 기판 테이블(WT)이 이동되거나 스캐닝된다. 펄스화된 방사선 소스(pulsed radiation source: SO)가 이용될 수 있으며, 프로그램가능한 패터닝 디바이스는 기판 테이블(WT)의 매 이동 후, 또는 스캔 중에 계속되는 방사선 펄스 사이사이에 필요에 따라 업데이트된다. 이 작동 모드는 프로그램가능한 거울 어레이와 같은 프로그램가능한 패터닝 디바이스를 이용하는 마스크없는 리소그래피(maskless lithography)에 용이하게 적용될 수 있다.
또한, 설명된 사용 모드들의 조합 및/또는 변형, 또는 완전히 다른 사용 모드들이 이용될 수도 있다.
본 명세서에서는, IC 제조에 있어서 리소그래피 장치의 특정 사용예에 대하여 언급되지만, 본 명세서에 서술된 리소그래피 장치는 집적 광학 시스템, 자기 도메인 메모리용 안내 및 검출 패턴, 평판 디스플레이(flat-panel display), 액정 디스플레이(LCD), 박막 자기 헤드 등의 제조와 같이 다른 적용예들을 가질 수도 있음을 이해하여야 한다. 당업자라면, 이러한 대안적인 적용예와 관련하여, 본 명세서의 "웨이퍼" 또는 "다이"라는 용어의 어떠한 사용도 각각 "기판" 또는 "타겟부"라는 좀 더 일반적인 용어와 동의어로 간주될 수도 있음을 이해할 것이다. 본 명세서에서 언급되는 기판은 노광 전후에, 예를 들어 트랙(전형적으로, 기판에 레지스트 층을 도포하고 노광된 레지스트를 현상하는 툴), 메트롤로지 툴 및/또는 검사 툴에서 처리될 수 있다. 적용가능하다면, 이러한 기판 처리 툴과 다른 기판 처리 툴에 본 명세서의 기재 내용이 적용될 수 있다. 또한, 예를 들어 다층 IC를 생성하기 위하여 기판이 한번 이상 처리될 수 있으므로, 본 명세서에 사용되는 기판이라는 용어는 이미 여러번 처리된 층들을 포함한 기판을 칭할 수도 있다.
또 다른 실시예에서, 리소그래피 장치(100)는 EUV 리소그래피에 대해 EUV 방사선 빔을 생성하도록 구성된 극자외(EUV) 소스를 포함한다. 일반적으로, EUV 소스는 방사선 시스템에 구성되며, 대응하는 조명 시스템은 EUV 소스의 EUV 방사선 빔을 컨디셔닝하도록 구성된다.
본 명세서에 설명된 실시예들에서, "렌즈" 및 "렌즈 요소"라는 용어는, 본 명세서가 허용한다면, 굴절, 반사, 자기, 전자기 및 정전기 광학 구성요소들을 포함하는 다양한 타입의 광학 구성요소들 중 어느 하나 또는 이의 조합을 지칭할 수 있다.
또한, 본 명세서에서 사용되는 "방사선" 및 "빔"이라는 용어는 이온 빔 또는 전자 빔과 같은 입자 빔뿐만 아니라, [예를 들어, 365, 248, 193, 157 또는 126 nm의 파장(λ)을 갖는] 자외(UV) 방사선, (예를 들어, 5 내지 20 nm 범위의 파장, 예컨대 13.5 nm를 갖는) 극자외[EUV 또는 연질 X-선(soft X-ray)] 방사선, 또는 5 nm 미만에서 작동하는 경질 X-선(hard X-ray)을 포함하는 모든 형태의 전자기 방사선을 포괄한다. 일반적으로, 약 780 내지 3000 nm(또는 이상)의 파장을 갖는 방사선은 IR 방사선으로 간주된다. UV는 약 100 내지 400 nm의 파장을 갖는 방사선을 지칭한다. 리소그래피 내에서, "UV"라는 용어는 수은 방전 램프에 의해 생성될 수 있는 파장들: G-라인 436 nm; H-라인 405 nm; 및/또는 I-라인 365 nm에도 적용된다. 진공(Vacuum) UV, 또는 VUV(즉, 가스에 의해 흡수되는 UV)는 약 100 내지 200 nm의 파장을 갖는 방사선을 지칭한다. 딥(Deep) UV(DUV)는 일반적으로 126 nm 내지 428 nm 범위의 파장을 갖는 방사선을 지칭하며, 일 실시예에서 엑시머 레이저는 리소그래피 내에서 사용되는 DUV 방사선을 생성할 수 있다. 예를 들어, 5 내지 20 nm 범위의 파장을 갖는 방사선은 정해진(certain) 파장 대역을 갖는 방사선과 관련되며, 이의 적어도 일부분은 5 내지 20 nm 범위 내에 있음을 이해하여야 한다.
도 2는 리소그래피 장치(200)의 일부분의 단면도를 예시한다. 일 예시에서, 리소그래피 장치(200)는 구조 및 기능 면에서 앞서 설명된 바와 같은 리소그래피 장치(100 및 100')와 유사할 수 있다. 리소그래피 장치(200)는 이동가능한 스테이지(201), 렌즈 최상부(208), LTE 플레이트(210) 및 조명 시스템(212)을 포함할 수 있다. LTE는 본 명세서에서 이동가능한 스테이지(201)와 렌즈 최상부(208) 사이의 공간 부피(volume of space)로서 지칭될 수 있다.
이동가능한 스테이지(201)는 패터닝 디바이스(202), 예를 들어 레티클 또는 마스크를 지지하는 지지 구조체(203)를 포함할 수 있다. 지지 구조체(203)는 액추에이팅 디바이스(206), 예를 들어 단-행정 액추에이터, 장-행정 액추에이터 또는 이의 조합에 커플링될 수 있다.
렌즈 최상부(208)는 도 1a 및 도 1b에 대하여 설명된 것과 같이 투영 시스템 내의 광학 요소를 나타낼 수 있다.
LTE 플레이트(210)는 경사진 측벽들(211a 및 211b)을 갖는 개구부(211)를 포함할 수 있다. 개구부(211)는 조명 시스템(212)과 렌즈 최상부(208) 사이에 광학 경로를 제공할 수 있다. 일 예시에서, LTE 플레이트(210)는 퍼지 플레이트로서 구성될 수 있으며, 이동가능한 스테이지(201)와 렌즈 최상부(208) 사이에 퍼지 부피(purged volume)를 제공하도록 위치될 수 있다. 일 예시에 따르면, 퍼지 부피는 개구부(211) 내의 영역을 포함할 수 있고, 컨디셔닝된 가스-환경을 제공할 수 있으며, 이를 통해 이미징 방사선이 조명 시스템(212)으로부터 렌즈 최상부(208)로 이동할 수 있다. 가스-환경의 컨디셔닝은 가스의 난류를 없애거나 감소시키도록 의도된다. 예를 들어, 리소그래피 장치의 이동 부분들에 의해 유도된 압력 파(pressure waves) 및/또는 온도 구배에 의해, 가스-환경에 난류가 유도될 수 있다.
퍼지 부피는, 측벽(211a)의 개구부들로부터 가스를 공급하고, 공급된 퍼지 가스를 측벽(211b)의 개구부들을 통해 추출함으로써 생성될 수 있는 연속적인 가스 유동을 가질 수 있다. 측벽들(211a 및 211b)의 경사진 지오메트리로 인해, 조명 시스템(212)의 광축에 평행한 수직 유동 성분들이 연속적인 가스 유동에 존재할 수 있다. 수직 유동 성분들의 존재는 조명 시스템(212)의 광축에 실질적으로 수직이 아닌 퍼지 부피의 가스 유동 패턴을 생성할 수 있다. 이동가능한 스테이지(201) 밑의 퍼지 부피에서의 이러한 가스 유동 패턴들은 이동가능한 스테이지(201)의 스캐닝 시 무질서하고 불안정한 가스 유동에 기여할 수 있어, 오버레이 오차들, 예를 들어 비-이동 평균 오버레이 오차들(non-moving average overlay errors)을 생성할 수 있다. 비-이동 평균 오버레이 오차는 때때로 스캐너-필터 잔재(scanner-filter residual)로서 정의되는 오버레이 성분이며; 본질적으로 로우-기반 필터링(row-based filtering) 후 남아 있는 잡음이다. 이는 국부적 오버레이 효과들 또는 필드-내 오버레이 성능(intra-field overlay performance)과 연계될 수 있다. 일 예시에서, 비-이동 평균 오버레이 오차들은 노광 필드들 또는 노광 로우들의 변동에 기인할 수 있다. 추가적으로 또는 대안적으로, 이러한 오차들은 정렬 잡음에 의해 유도될 수 있다.
추가적으로 또는 대안적으로, 이동가능한 스테이지(201)의 최하부면의 비-평탄한 지오메트리 또한 비-이동 평균 오버레이 오차들에 기여할 수 있다. 도 2 및 도 3a 내지 도 3c에 예시된 바와 같이, 이동가능한 스테이지(201)의 비-평탄한 최하부면은 캐비티들(cavities: 205a 내지 205d)을 가질 수 있으며, 이들은 비-이동 평균 오버레이 오차들에 기여할 수 있다. 도 3a 내지 도 3c에 예시된 바와 같이, 캐비티들(205a 내지 205d)은 외부 환경으로부터 비-컨디셔닝 가스를 수송할 수 있으며, X-축을 따른 이동가능한 스테이지(201)의 스캐닝 시 LTE 내로 운송할 수 있다. 또한, 본 명세서에 예시되지는 않았지만, 이동가능한 스테이지(201)는 Y-축을 따라 스캐닝할 수 있음을 유의해야 한다. 도 3b는, 이동가능한 스테이지(201)가 위치 A로부터 위치 B로 스캐닝할 때, 이동가능한 스테이지(201)가 외부 환경으로부터 캐비티들(205a 내지 205d) 내로 비-컨디셔닝 가스를 취입할 수 있음을 예시한다. 이후, 이동가능한 스테이지(201)가 위치 B로부터 위치 C로 스캐닝할 때, 이 비-컨디셔닝 가스는 (도 3c에 도시된 바와 같이) LTE 내로 운송될 수 있다. 이 비-컨디셔닝 가스가 이동가능한 스테이지(201)와 렌즈 최상부(208) 사이에 제공되는 컨디셔닝 가스와 상이한 굴절률을 가짐에 따라, 이미징 방사선 빔은 조명 시스템(212)으로부터 렌즈 최상부(208)로 가로지르는 동안 가변적 광학 경로 길이를 겪을 수 있으며, 이는 비-이동 평균 오버레이 오차들을 야기할 수 있다. 또한, 외부로부터의 비-컨디셔닝 가스는 LTE를 오염시킬 수 있다. 추가적으로, 캐비티들(205a 내지 205d) 내로 수송된 외부 가스는 퍼지 부피에 가스 유동의 난류를 유도할 수 있어, LTE에서의 불안정한 가스 유동 및 비-균일한 온도 분포를 가져올 수 있다. 이러한 온도 분포는 LTE에서의 가스의 온도가 컨디셔닝된 가스 환경의 온도를 벗어나게 할 수 있다.
렌즈 최상부 환경 플레이트 설계 및 구성의 예시적인 실시예들
다음의 실시예들은, 앞서 설명된 바와 같은 이동가능한 스테이지(201)가 갖는 가스 유동 문제점들에 의해 야기되는 비-이동 평균 오버레이 오차들을 실질적으로 제거할 수 있다.
도 4a는 일 실시예에 따른 리소그래피 장치(400)의 일부분의 단면도를 예시한다. 이 실시예의 일 예시에서, 리소그래피 장치(400)는 구조 및 기능 면에서 (도 2 및 도 3a 내지 도 3c에 대해 설명된 바와 같은) 리소그래피 장치(200)와 유사할 수 있다. 그러므로, 리소그래피 장치들(200 및 400) 간의 차이점만을 설명하기로 한다. 리소그래피 장치(400)는 이동가능한 스테이지(401)와 LTE 플레이트(410)를 포함할 수 있다. 이동가능한 스테이지(401)는, 도 2 및 도 3a 내지 도 3c에 대해 앞서 설명된 바와 같이, 구조 및 기능 면에서 이동가능한 스테이지(201)와 유사할 수 있다. 간명함을 위해 도 4a에는 이동가능한 스테이지(401)의 평탄한 최하부면이 예시되어 있지만, 이동가능한 스테이지(401)는 이동 스테이지(201)의 비-평탄 최하부면과 유사한 비-평탄 최하부면을 가질 수 있음을 유의해야 한다.
이 실시예의 예시에 따르면, LTE 플레이트(410)는, 서로 실질적으로 평행하고 이동가능한 스테이지(401)의 스캐닝 방향(예를 들어, X-방향)에 실질적으로 수직인 측벽들(411a 및 411b)을 갖는 개구부(411)를 포함할 수 있다. 또한, LTE 플레이트(410)는 측벽들(411a 및 411b)의 개구부들에서 종결되는 가스 채널들(425 및 427)을 포함할 수 있다.
측벽들(411a 및 411b)의 지오메트리는, 광축에 실질적으로 수직이고 이동가능한 스테이지(401)의 스캐닝 방향에 실질적으로 평행한 가스 유동 패턴(424)을 생성하는데 도움을 줄 수 있다. 개구부(411)에 걸친 가스 유동 패턴(424)의 형성은 측벽(411a)의 개구부들을 통한 가스(예를 들어, 퍼지 가스)의 공급을 포함할 수 있고, 선택적으로는 측벽(411b)의 개구부들을 통한 LTE에서의 비-컨디셔닝 가스 및 공급 가스의 추출을 포함할 수 있다. 공급 및 추출 가스는 각각 가스 채널들(425 및 427)에 의하여 LTE를 통해 지향될 수 있다. 가스 유동 패턴(424)은, 예를 들어 앞서 설명된 바와 같은 수직 유동 성분들을 갖는 가스 유동에 관한 문제들을 경감시키는데 도움을 줄 수 있다.
가스 유동 패턴(424)이 X-축 스캐닝 방향을 따르는 것으로 도시되어 있지만, 당업자라면 이해하는 바와 같이, 본 발명의 기술적 사상 및 범위를 벗어나지 않고, 가스 유동 패턴들이 측벽들(411a 및 411b)에 대해 실질적으로 수직인 개구부(411)의 또 다른 쌍의 대향 측벽들을 사이에서 Y-축 스캐닝 방향을 따라 생성될 수도 있음을 유의해야 한다.
또 다른 예시에서, LTE 플레이트(410)는 가스 추출 경로들(429 및 433)을 포함할 수 있으며, 이를 통해 (도 3a 내지 도 3c에 대해 앞서 설명된 바와 같이) LTE 내로 운송된 비-컨디셔닝 가스가 화살표들(420)로 나타낸 방향으로 추출될 수 있다.
또 다른 예시에서, LTE 플레이트(410)는 LTE 플레이트 최상부면(410a)의 개구부들에서 종결되는 가스 공급 경로들(431 및 435)을 포함할 수 있다. 가스 공급 경로들(431 및 435)은 이동가능한 스테이지(401)와 LTE 플레이트(410) 사이의 영역들 내로 1 이상의 가스 나이프 시스템들(gas knife systems: 도시되지 않음)에 의해 제공된 가스를 지향시키도록 구성될 수 있다. 가스 나이프 시스템들은 LTE 플레이트(410)에 커플링될 수 있다. 화살표들(422)은, 비-컨디셔닝 가스가 LTE에 들어가는 것을 막고 및/또는 도 3a 내지 도 3c에 대해 앞서 설명된 바와 같이 이동가능한 스테이지(401)의 스캐닝 시 LTE 내로 들어갈 수 있는 비-컨디셔닝 가스를 전향시키는 가스 나이프 시스템들에 의해 공급된 가스의 방향을 나타낸다. 가스 나이프 시스템에 의해 제공된 가스는 측벽(411a)의 가스 유출 개구부들보다 더 높은 유출 속도로 방향(422)을 따라 가스 공급 경로들[예를 들어, 가스 공급 경로들(431 및 435)]을 빠져나갈 수 있음을 유의해야 한다.
당업자라면, LTE 플레이트(410)가 가스 공급 경로들 또는 가스 추출 경로들 또는 이의 조합을 포함할 수 있음을 이해할 것이다. 추가적으로, 가스 채널들(425 및 427), 가스 추출 경로들(429 및 433), 및 가스 공급 경로들(431 및 435)은 도 4a에 예시된 바와 같은 지오메트리만을 갖는 것으로 제한되지 않으며, LTE 플레이트(410)는 여하한의 수의 가스 채널들 및 가스 경로들을 포함할 수 있다.
또한, 일 예시에 따르면, LTE 플레이트(410)는 도 4a에 예시된 바와 같이 LTE 플레이트(410)를 통해 Y-방향으로 나 있는 유체 채널들(454)을 포함할 수 있다. 유체 채널들(454)은 LTE 플레이트(410)의 온도를 원하는 온도로 조절하도록 돕기 위해 열 컨디셔닝 유체(예를 들어, 액체 또는 가스)를 수송하도록 구성될 수 있다. LTE 플레이트(410)의 온도 조절은 LTE 플레이트(410)로부터 열 컨디셔닝 유체에 의해 과도한 열을 흡수하는 것을 포함할 수 있다. 과도한 열은 작동 시, 예를 들어 이동가능한 스테이지(401), 투영 시스템(PS), 및/또는 리소그래피 장치(400)의 다른 시스템들로부터, 예를 들어 대류에 의해 또는 방사선에 의해 LTE 플레이트(410)로 전달되었을 수 있다. LTE 플레이트(410)의 과도한 열의 존재는, 가스 채널들[예를 들어, 가스 채널들(425 및 427)] 및 가스 경로들[예를 들어, 공급 경로들(431 및 435), 추출 경로들(429 및 433)]을 통해 유동하는 컨디셔닝 가스를 가열시킬 수 있으며, LTE에서의 가스의 온도가 컨디셔닝된 가스 환경의 가스 온도를 국부적으로 벗어나게 할 수 있다. 이러한 상이성(divergence)은 도 3a 내지 도 3c에 대해 앞서 설명된 바와 같이 오버레이 오차들을 야기할 수 있다. 유체 채널들(454)이 Y-방향을 따라 예시되었지만, 당업자라면 유체 채널들이 LTE 플레이트(410)에서 상이한 방향들을 따라 방위설정될 수 있음을 이해할 것이다.
또한, 일 실시예에 따르면, 리소그래피 장치(400)는 LTE 플레이트(410)에 커플링된 유체 컨디셔닝 시스템(455) 및 가스 시스템(450)을 포함할 수 있다. 가스 시스템(450)은, LTE(410)를 통해, 예를 들어 앞서 설명된 바와 같은 채널들(425) 및 공급 경로들(431 및 435)을 통해 가스 공급을 제공하도록 구성될 수 있다. 추가적으로 또는 대안적으로, 가스 시스템(450)은, 예를 들어 앞서 설명된 바와 같은 채널(427) 및 추출 경로들(429 및 433)을 통해 가스 추출을 제공하도록 구성될 수 있다. 이 실시예의 일 예시에 따르면, 앞서 설명된 가스 나이프는 가스 시스템(450)의 서브-시스템일 수 있다.
일 예시에 따르면, 유체 컨디셔닝 시스템(455)은 LTE 플레이트(410)의 온도를 조절하기 위해 LTE 플레이트(410)의 유체 채널들(454)을 통해 열 컨디셔닝 유체의 일정한 또는 제어되는 가변적 유동을 제공하도록 구성될 수 있다. 유체는, LTE 플레이트(410)에 들어가기 전에 유체 컨디셔닝 시스템(455)에 의해 원하는 온도로 컨디셔닝된다.
이 실시예의 또 다른 예시에서, LTE 플레이트(410)는 개구부(411) 내의 퍼지 부피의 약 절반 높이에 위치된 슬릿 리듀서(slit reducer: 414)들을 포함할 수 있다. 개구부(411)를 통과하는 방사선 빔은 슬릿 리듀서들(414)을 이용하여 형상화되고 트리밍될 수 있다.
도 4b는 일 실시예에 따른 리소그래피 장치(100, 100', 200 또는 400)의 일부분으로서 구현될 수 있는 LTE 플레이트(460)의 평면도이다. 일 예시에서, LTE 플레이트(460)는 구조 및 기능 면에서 (도 4에 대해 설명된 바와 같은) LTE 플레이트(410)와 유사할 수 있다. 그러므로, LTE 플레이트(410)와 LTE 플레이트(460) 간의 차이점만을 설명하기로 한다. 이 실시예의 일 예시에서, LTE 플레이트(460)는 이동가능한 스테이지[예를 들어, 이동가능한 스테이지(401)]의 최하부면을 향하는 플레이트의 최상부면(460a)에 개구부들(456)을 포함한다. 일 예시에 따르면, 개구부들(456)은 LTE 플레이트(460)를 통해 나 있는 가스 공급 경로들(도시되지 않음)의 유출구들로서 구성될 수 있다. LTE 플레이트(460)의 가스 공급 경로들은 구조 및 기능 면에서 LTE 플레이트(410)의 가스 공급 경로들(431 및 435)과 유사할 수 있으며, 도 4a에 대해 설명된 바와 같은 1 이상의 가스 나이프 시스템들에 커플링될 수 있다.
다양한 예시들에 따르면, 개구부들(456)은 다양한 어레이 구성들로 배치될 수 있다. 일 예시에서, 개구부들(456)은 (도 4b에 도시된 바와 같이) 실질적으로 V-형 어레이들(457 및 458)로 배치될 수 있으며, 각각의 V-형 어레이는 LTE 플레이트(460)의 개구부(411)의 양 측에 위치된다. 특정한 각각의 V-형 어레이들(457 및 458)은 특정 대칭 라인(line of symmetry)을 갖는다. 특정한 각각의 V-형 어레이들(457 및 458)은 특정 대칭 라인이 이동가능한 스테이지[예를 들어, 이동가능한 스테이지(401)]의 스캐닝 방향(예를 들어, X-방향)을 따라 존재하도록 위치될 수 있고, 개구부(411)의 대칭 라인에 실질적으로 평행하며, 이와 정렬된다. 또한, V-형 어레이들(457 및 458)의 각각의 꼭짓점은 개구부(411)로부터 먼 쪽을 가리킨다. 이러한 V-형 어레이들(457 및 458)은 이동가능한 스테이지의 스캐닝 작동 시 비-컨디셔닝 가스가 LTE에 들어가는 것을 막을 수 있고, 및/또는 스캐닝 방향으로부터 LTE에 들어간 비-컨디셔닝 가스의 전향을 유도할 수 있다. 추가적으로 또는 대안적으로, LTE 플레이트(460)는 플레이트의 최상부면(460a) 상에 가스 추출 경로 유입구들(도시되지 않음)의 유사한 V-형 어레이들을 포함할 수 있다. 가스 추출 경로들은 구조 및 기능 면에서 도 4a에 대해 설명된 바와 같은 LTE 플레이트(410)의 가스 추출 경로들(429 및 433)과 유사할 수 있다. LTE 플레이트(460)는 여하한의 수의 개구부들(456)의 V-형 어레이들을 포함할 수 있음을 유의해야 한다. 또한, 당업자라면 이해할 수 있는 바와 같이, 개구부(411)는 도 4b에 예시된 지오메트리로 제한되지 않으며, 여하한의 타입의 지오메트리 형상일 수 있다.
또 다른 예시에서, 개구부들(456)은 실질적으로 선형 어레이들(463 및 464)로 배치될 수 있으며, 특정한 각각의 선형 어레이들은 개구부(411)의 특정 측에 위치된다. 선형 어레이들(463 및 464)은 이동가능한 스테이지의 스캐닝 방향(예를 들어, X-방향)을 따라 방위설정될 수 있고, 비-컨디셔닝 가스가 LTE에 들어가는 것을 막을 수 있으며, 및/또는 이동가능한 스테이지의 비-스캐닝 방향(예를 들어, Y-방향)으로부터 LTE에 들어간 비-컨디셔닝 가스의 전향을 유도할 수 있다.
도 5는 일 실시예에 따른 리소그래피 장치(500)의 일부분을 예시한다. 이 실시예의 일 예시에서, 리소그래피 장치(500)는 구조 및 기능 면에서 (도 4a에 대해 설명된 바와 같은) 리소그래피 장치(400)와 유사할 수 있다. 그러므로, 리소그래피 장치들(400 및 500) 간의 차이점만을 설명하기로 한다. 이 실시예의 일 예시에서, 리소그래피 장치는 (도 4a에 도시된 바와 같은) LTE(410)의 측방향 치수에 비해 더 작은 측방향 치수를 갖는 LTE 플레이트(510)를 포함할 수 있다. LTE(510)의 감소된 측방향 치수는, 이동가능한 스테이지(401)와 LTE 플레이트(410) 사이의 영역에 비해, 이동가능한 스테이지(401)와 LTE 플레이트(510) 사이에 감소된 영역을 제공할 수 있다. 이 감소된 영역은 이동가능한 스테이지(401)에 의해 LTE 안으로 끌려 들어간 비-컨디셔닝 가스의 부피를 감소시키는데 도움을 줄 수 있으며, 결과적으로는, 예를 들어 앞서 설명된 바와 같은 LTE 내의 비-컨디셔닝 가스에 관한 문제점들을 완화시키는데 도움을 줄 수 있다. 이 실시예의 일 예시에서, 화살표들(526)로 나타낸 방향으로 가스 시스템(450)에 의해 LTE 플레이트(510)를 둘러싸는 비-컨디셔닝 가스의 추출이 제공될 수 있다.
도 6은 일 실시예에 따른 리소그래피 장치(600)의 일부분을 예시한다. 이 실시예의 일 예시에서, 리소그래피 장치(600)는 구조 및 기능 면에서 (도 4a에 대해 설명된 바와 같은) 리소그래피 장치(400)와 유사할 수 있다. 그러므로, 리소그래피 장치들(400 및 600) 간의 차이점만을 설명하기로 한다. 이 실시예의 일 예시에서, 리소그래피 장치(600)는 광학 요소(618) 및 슬릿 리듀서들(614)을 포함할 수 있다. 광학 요소(618)는 개구부(411) 내의 LTE에 위치될 수 있고, 측벽들(411a 및 411b)과 실질적으로 접촉할 수 있어, 광학 요소가 LTE 플레이트(410)의 개구부(411)를 실질적으로 차단하게 된다. 광학 요소(618)는 도 1a 및 도 1b에 대해 설명된 것들과 같은 투영 시스템 또는 LTE 플레이트(410)에 커플링될 수 있다. 개구부(411) 내의 광학 요소(618)의 배치는 LTE에서 퍼지될 부피를 감소시킬 수 있으며, 결과적으로는 앞서 설명된 바와 같은 LTE에서의 퍼지 부피의 가스 유동들에 관한 문제점들을 완화시킬 수 있다. 개구부(411) 내의 광학 요소(618)의 존재로 인해, 화살표(628)로 나타낸 바와 같이 광학 요소에 실질적으로 수직인 가스 유동만이 이동가능한 스테이지(401)와 광학 요소(618) 사이에 생성될 필요가 있다. 일 예시에 따르면, 광학 요소(618)는 도 1a, 도 1b 및 도 2에 대해 설명된 것들과 같은 조명 시스템들로부터 방사선에 대해 투과성이도록 구성된다. 일 실시예에서는, 슬릿 리듀서들(614)이 LTE 플레이트(410)에 커플링될 수 있고, 개구부(411) 내의 광학 요소(618) 위에 위치될 수 있다.
도 7은 일 실시예에 따른 리소그래피 장치(700)의 일부분을 예시한다. 이 실시예의 일 예시에서, 리소그래피 장치(700)는 구조 및 기능 면에서 (도 5 및 도 6에 대해 설명된 바와 같은) 리소그래피 장치들(500 및 600)과 유사할 수 있다. 리소그래피 장치(700)의 LTE에서의 구성요소들의 구성은, 각각 도 5 및 도 6에 대해 앞서 설명된 바와 같이, 이동가능한 스테이지(401)와 LTE 플레이트(510) 사이에 감소된 영역과, 광학 요소(618)로 인해 감소된 퍼지 부피를 둘 모두 제공한다.
도 6 및 도 7에 예시된 바와 같이 이동가능한 스테이지(401)와 렌즈 최상부(208) 사이의 구성요소들의 구성은 비-이동 평균 오버레이 오차들을 감소시키는데 있어서 도 4 및 도 5에 예시된 것보다 더 많은 기여를 가질 수 있음을 이해하여야 한다. 이는 우선적으로 리소그래피 장치들(400 및 500)의 광학 경로 길이에 비해 가스 환경에서의 더 짧은 광학 경로 길이를 갖는 리소그래피 장치들(600 및 700) 때문일 수 있다.
도 8a는 일 실시예에 따른 리소그래피 장치(800)의 일부분을 예시한다. 이 실시예의 예시에서, 리소그래피 장치(800)는 구조 및 기능 면에서 (도 4a에 대해 설명된 바와 같은) 리소그래피 장치(400)와 유사할 수 있다. 그러므로, 리소그래피 장치들(400 및 800) 간의 차이점만을 설명하기로 한다. 이 실시예의 일 예시에서, 리소그래피 장치(800)는 LTE 플레이트(810), 광학 요소(818), 및 광학 요소(818)에 지지를 제공하도록 구성된 지지 시스템(875)을 포함할 수 있다.
일 예시에서, LTE 플레이트(810)는 구조 및 기능 면에서 LTE 플레이트(410)와 유사할 수 있으므로, LTE 플레이트(810)와 LTE 플레이트(410) 간의 차이점만을 설명하기로 한다. 일 예시에 따르면, LTE 플레이트(810)는 Z-축에 대해 경사진 측벽들(811a 및 811b)을 갖는 개구부(811)를 포함한다. 완성도를 위해, Z-축은 앞에 이미 소개된 X-축 및 Y-축에 실질적으로 수직이다. 또 다른 예시에 따르면, 측벽들(811a 및 811b)은 서로 평행하고 대향해 있을 수 있다(도시되지 않음). 또 다른 예시에서, 측벽들(811a 및 811b)은 곡선형 지오메트리를 가질 수 있다.
또한, 일 예시에 따르면, LTE 플레이트(810)는 측벽들(811a 및 811b)의 (도 8b에 대해 아래에 설명되는) 개구부들에서 종결되는 1 이상의 가스 채널들을 포함할 수 있다. 각각의 측벽들(811a 및 811b)의 개구부들을 통한 퍼지 가스의 공급 및 추출은 도 4a에 대해 설명된 바와 같은 가스 유동 패턴(424)과 유사할 수 있다. 또한, LTE 플레이트(810)는 가스 시스템(450)으로부터 공급된 컨디셔닝 가스를 방향(870)을 따라 지향시키는 1 이상의 가스 공급 경로들(도시되지 않음)을 포함할 수 있다. 방향(870)을 따른 컨디셔닝 가스의 유동은 비-컨디셔닝 가스가 LTE 플레이트(810)의 최하부면과 지지 시스템(875) 사이의 개방 영역들에 들어가는 것을 막을 수 있다. 화살표들(422 및 870)은 가스 유동 방향을 예시한 것이며, LTE 플레이트(810)를 통해 나 있는 가스 공급 경로들의 수를 나타낸 것이 아님을 유의해야 한다.
이 실시예의 일 예시에 따르면, 광학 요소(818)는 기능 면에서 도 6에 대해 설명된 바와 같은 광학 요소(618)와 유사할 수 있다. 광학 요소(818)는 도 1a, 도 1b 및 도 2에 대해 설명된 바와 같은 조명 시스템과 렌즈 최상부(208) 사이의 광학 경로를 따라 개구부(811) 내의 LTE에 위치될 수 있다. LTE에서의 광학 요소(818)의 위치설정 및 지지는 이동가능한 스테이지(401)와 렌즈 최상부(208) 사이에 위치될 수 있는 지지 시스템(875)에 의해 제공될 수 있다. 이 실시예의 일 예시에 따르면, 광학 요소(818)는 조명 시스템으로부터의 방사선에 대해 투과성이도록 구성되고, 조명 시스템으로부터의 방사선이 광학 요소(818)을 통해 렌즈 최상부(208)로 투과될 수 있는 방식으로 지지 시스템(875)에 장착된다.
도 8b는 일 실시예에 따른 LTE 플레이트(810)의 평면도를 예시한다. 앞서 설명된 바와 같이, LTE 플레이트(810)는 측벽들(811a 및 811b)의 개구부들을 포함할 수 있다. 이러한 개구부들은 측벽들(811a 및 811b)에 각각 실질적으로 선형 어레이들(877 및 888)로 배치될 수 있다. 이 실시예의 일 예시에서, 선형 어레이(877)의 개구부들은 LTE 내로 컨디셔닝 가스를 도입하는 가스 유출구들로서 구성될 수 있고, 선형 어레이(888)의 개구부들은 LTE로부터 컨디셔닝 또는 비-컨디셔닝 가스를 추출하는 가스 유입구들로서 구성될 수 있다.
상기 서술내용은 예시를 위한 것이지, 제한하려는 것이 아니다. 따라서, 당업자라면 아래에 설명되는 청구항들의 범위를 벗어나지 않고 서술된 본 발명에 대한 변형예가 행해질 수도 있음을 이해할 것이다.
요약 및 초록 부분(Summary and Abstract sectons)이 아닌, 발명의 상세한 설명 부분(Detailed Description section)이 청구항을 해석하는데 사용되도록 의도된다는 것을 이해하여야 한다. 요약 및 초록 부분은 발명자(들)에 의해 의도된 본 발명의 모든 예시적인 실시예가 아닌 1 이상의 실시예를 설명할 수 있음에 따라, 어떠한 방식으로도 본 발명 및 첨부된 청구항을 제한하지는 않는다.
이상, 본 발명은 특정화된 기능들 및 그 관계들의 구현을 예시하는 기능 구성 요소(functional building block)들의 도움으로 설명되었다. 본 명세서에서, 이 기능 구성 요소들의 경계들은 설명의 편의를 위해 임의로 정의되었다. 특정화된 기능들 및 그 관계들이 적절히 수행되는 한, 대안적인 경계들이 정의될 수 있다.
특정 실시예들의 앞선 설명은, 당업계의 지식을 적용함으로써, 다양한 적용들을 위해 본 발명의 일반적인 개념을 벗어나지 않고 지나친 실험 없이 이러한 특정 실시예들을 쉽게 수정하고, 및/또는 구성할 수 있도록 본 발명의 일반적인 성질을 전부 드러낼 것이다. 그러므로, 이러한 구성예 및 변형예들은 본 명세서에 나타낸 기술내용 및 지침에 기초하여, 개시된 실시예들의 균등물의 의미 및 범위 내에 있도록 의도된다. 본 명세서에서 어구 또는 전문 용어는 설명을 위한 것이며 제한하려는 것이 아니므로, 당업자라면 본 명세서의 전문 용어 또는 어구가 기술내용 및 지침을 고려하여 해석되어야 한다는 것을 이해하여야 한다.
본 발명의 범위와 폭은 상술된 예시적인 실시예들 중 어느 것에 의해서도 제한되지 않아야 하며, 다음의 청구항 및 그 균등물에 따라서만 정의되어야 한다.

Claims (39)

  1. 리소그래피 장치에 있어서,
    방사선 빔을 컨디셔닝하도록 구성된 조명 시스템;
    패터닝 디바이스를 지지하도록 구성된 지지 구조체를 포함하는 이동가능한 스테이지 - 상기 패터닝 디바이스는 패터닝된 방사선 빔을 형성하기 위해 상기 방사선 빔의 단면에 패턴을 부여하도록 구성됨 -;
    기판을 유지하도록 구성된 기판 테이블;
    상기 기판의 타겟부 상으로 상기 패터닝된 방사선 빔을 투영하도록 구성된 투영 시스템; 및
    상기 이동가능한 스테이지와 상기 투영 시스템 사이에 위치된 플레이트를 포함하고, 상기 플레이트는:
    제 1 표면 및 제 2 표면 - 상기 제 2 표면은 상기 제 1 표면에 대해 실질적으로 평행하고 상기 제 1 표면 반대쪽에 있음 -; 및
    제 1 측벽 및 제 2 측벽을 포함하는, 상기 제 1 표면으로부터 상기 제 2 표면으로 연장되는 개구부를 포함하며,
    상기 플레이트는 상기 이동가능한 스테이지와 상기 투영 시스템 사이의 영역 내에 가스 유동 패턴을 제공하도록 구성되고, 상기 가스 유동 패턴은 상기 조명 시스템의 광축에 대해 실질적으로 수직인 리소그래피 장치.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 플레이트는 상기 개구부의 상기 제 1 측벽과 상기 제 2 측벽 사이에 가스 유동 패턴을 제공하도록 구성되는 리소그래피 장치.
  3. 제 2 항에 있어서,
    상기 제 1 측벽 및 상기 제 2 측벽의 지오메트리들은 가스 유동 패턴이 상기 조명 시스템의 광축에 대해 실질적으로 수직이도록 구성되는 리소그래피 장치.
  4. 제 3 항에 있어서,
    상기 제 1 측벽은 상기 제 2 측벽에 대해 실질적으로 평행하고, 상기 제 2 측벽과 대향해 있는 리소그래피 장치.
  5. 제 1 항에 있어서,
    상기 제 1 측벽 및 상기 제 2 측벽은 서로 대향해 있고, 수직 축에 대하여 경사진 리소그래피 장치.
  6. 제 1 항에 있어서,
    상기 플레이트의 상기 개구부는 상기 조명 시스템과 상기 투영 시스템 사이에 광학 경로를 제공하는 리소그래피 장치.
  7. 제 1 항에 있어서,
    상기 플레이트는 공급 가스가 상기 플레이트와 상기 이동가능한 스테이지 사이의 영역 내로 도입되는 경로를 제공하도록 더 구성되는 리소그래피 장치.
  8. 제 1 항에 있어서,
    상기 플레이트는 공급 가스가 상기 플레이트와 지지 시스템 사이의 영역 내로 도입되는 경로를 제공하도록 더 구성되고, 상기 지지 시스템은 상기 플레이트의 상기 개구부 내에 광학 요소를 유지하도록 구성되는 리소그래피 장치.
  9. 제 1 항에 있어서,
    상기 플레이트는 비-컨디셔닝 가스가 상기 플레이트와 상기 이동가능한 스테이지 사이의 영역으로부터 추출되는 경로를 제공하도록 더 구성되는 리소그래피 장치.
  10. 제 1 항에 있어서,
    상기 플레이트는 상기 플레이트를 통해 나 있는 채널들을 포함하고,
    상기 채널들 중 적어도 하나는 상기 제 1 측벽을 따라 제 1 오리피스(orifice)에서 종결되도록 구성되고, 상기 채널들 중 적어도 다른 하나는 상기 제 2 측벽을 따라 제 2 오피리스에서 종결되도록 구성되는 리소그래피 장치.
  11. 제 1 항에 있어서,
    상기 플레이트는 상기 플레이트의 상기 제 1 표면에 가스 유입 개구부들의 어레이 또는 가스 유출 개구부들의 어레이를 포함하는 리소그래피 장치.
  12. 제 1 항에 있어서,
    상기 플레이트는 상기 플레이트를 통해 나 있는 공급 경로들을 통해 가스 나이프 시스템(gas knife system)에 커플링된 상기 플레이트의 상기 제 1 표면에 가스 유출구들의 어레이를 포함하는 리소그래피 장치.
  13. 제 1 항에 있어서,
    상기 플레이트는 상기 플레이트의 상기 제 1 표면에 가스 유입 개구부들의 V-형 어레이 또는 가스 유출 개구부들의 V-형 어레이를 포함하고,
    상기 V-형 어레이의 꼭짓점은 상기 개구부로부터 먼 쪽을 가리키며,
    상기 V-형 어레이의 대칭 라인은 상기 이동가능한 스테이지의 스캐닝 방향 및 상기 개구부의 대칭 라인으로 실질적으로 정렬되는 리소그래피 장치.
  14. 제 1 항에 있어서,
    상기 플레이트는 상기 개구부의 측면을 따라 상기 플레이트의 상기 제 1 표면에 가스 유입구 개구부들의 선형 어레이 또는 가스 유출 개구부들의 선형 어레이를 포함하고,
    상기 선형 어레이는 상기 이동가능한 스테이지의 스캐닝 방향으로 실질적으로 정렬되는 리소그래피 장치.
  15. 제 1 항에 있어서,
    상기 플레이트는:
    상기 제 1 측벽의 가스 유출 개구부들의 제 1 선형 어레이, 및
    상기 제 2 측벽의 가스 유입 개구부들의 제 2 선형 어레이를 포함하고,
    상기 제 1 선형 어레이 및 상기 제 2 선형 어레이는 상기 이동가능한 스테이지의 비-스캐닝 방향으로 실질적으로 정렬되는 리소그래피 장치.
  16. 제 15 항에 있어서,
    상기 비-스캐닝 방향은 상기 이동가능한 스테이지의 스캐닝 방향에 수직인 방향인 리소그래피 장치.
  17. 제 1 항에 있어서,
    상기 플레이트는 상기 플레이트를 통해 나 있는 유체 채널을 포함하고, 상기 유체 채널은 상기 플레이트의 온도 조절을 위해 열 컨디셔닝 유체를 수송하도록 구성되는 리소그래피 장치.
  18. 제 1 항에 있어서,
    상기 플레이트의 측방향 치수는 상기 지지 구조체의 측방향 치수보다 작은 리소그래피 장치.
  19. 제 1 항에 있어서,
    상기 플레이트의 상기 개구부 내에 위치되는 광학 요소를 더 포함하는 리소그래피 장치.
  20. 제 19 항에 있어서,
    상기 광학 요소의 측벽들은 상기 플레이트의 상기 개구부의 측벽들과 실질적으로 접촉하는 리소그래피 장치.
  21. 제 19 항에 있어서,
    상기 광학 요소는 상기 투영 시스템에 커플링되는 리소그래피 장치.
  22. 제 1 항에 있어서,
    상기 플레이트의 상기 개구부 내에 광학 요소를 유지시키고 위치시키도록 구성된 지지 시스템을 더 포함하는 리소그래피 장치.
  23. 제 1 항에 있어서,
    상기 플레이트의 상기 개구부 내에 위치되고, 상기 개구부를 적어도 부분적으로 막도록 구성된 광학 요소를 더 포함하며, 상기 광학 요소는 상기 패터닝된 방사선 빔에 대해 투과성인 리소그래피 장치.
  24. 제 1 항에 있어서,
    상기 플레이트의 상기 개구부 내에 위치되는 슬릿 리듀서(slit reducer)를 더 포함하는 리소그래피 장치.
  25. 리소그래피 장치에 있어서,
    방사선 빔을 컨디셔닝하도록 구성된 조명 시스템;
    패터닝 디바이스를 지지하도록 구성된 지지 구조체를 포함하는 이동가능한 스테이지 - 상기 패터닝 디바이스는 패터닝된 방사선 빔을 형성하기 위해 상기 방사선 빔의 단면에 패턴을 부여하도록 구성됨 -;
    기판을 유지하도록 구성된 기판 테이블;
    상기 기판의 타겟부 상으로 상기 패터닝된 방사선 빔을 투영하도록 구성된 투영 시스템; 및
    개구부를 포함하는, 상기 이동가능한 스테이지와 상기 투영 시스템 사이에 위치된 플레이트 - 상기 개구부는 상기 조명 시스템과 상기 투영 시스템 사이에 광학 경로를 제공하도록 구성됨 - 를 포함하고,
    상기 플레이트는 상기 조명 시스템의 광축에 대해 실질적으로 수직인 가스 유동 패턴을 제공하도록 구성되는 리소그래피 장치.
  26. 제 25 항에 있어서,
    상기 개구부는 제 1 측벽 및 제 2 측벽을 포함하고, 상기 제 2 측벽은 상기 제 1 측벽에 대해 실질적으로 평행하며, 상기 제 1 측벽과 대향해 있는 리소그래피 장치.
  27. 제 26 항에 있어서,
    상기 플레이트는 상기 제 1 측벽과 상기 제 2 측벽 사이에 가스 유동 패턴을 제공하도록 구성되는 리소그래피 장치.
  28. 제 25 항에 있어서,
    상기 이동가능한 스테이지는 제 1 평면을 따라 상기 지지 구조체를 이동시키도록 구성되고,
    상기 플레이트는 제 2 평면에 위치되며, 상기 제 2 평면은 상기 제 1 평면과 실질적으로 평행한 리소그래피 장치.
  29. 제 25 항에 있어서,
    상기 플레이트는 공급 가스가 상기 플레이트와 상기 이동가능한 스테이지 사이의 영역 내로 도입되는 경로를 제공하도록 더 구성되는 리소그래피 장치.
  30. 제 25 항에 있어서,
    상기 플레이트는 비-컨디셔닝 가스가 상기 플레이트와 상기 이동가능한 스테이지 사이의 영역으로부터 추출되는 경로를 제공하도록 더 구성되는 리소그래피 장치.
  31. 제 25 항에 있어서,
    상기 플레이트의 상기 개구부 내에 위치되는 광학 요소를 더 포함하는 리소그래피 장치.
  32. 제 31 항에 있어서,
    상기 광학 요소의 측벽들은 상기 플레이트의 상기 개구부의 측벽들과 실질적으로 접촉하는 리소그래피 장치.
  33. 제 31 항에 있어서,
    상기 광학 요소는 상기 투영 시스템에 커플링되는 리소그래피 장치.
  34. 제 25 항에 있어서,
    상기 플레이트의 상기 개구부 내에 위치되고, 상기 개구부를 적어도 부분적으로 막도록 구성된 광학 요소를 더 포함하고, 상기 광학 요소는 상기 패터닝된 방사선 빔에 대해 투과성인 리소그래피 장치.
  35. 리소그래피 장치에 있어서,
    방사선 빔을 컨디셔닝하도록 구성된 조명 시스템;
    패터닝 디바이스를 지지하도록 구성된 지지 구조체를 포함하는 이동가능한 스테이지 - 상기 패터닝 디바이스는 패터닝된 방사선 빔을 형성하기 위해 상기 방사선 빔의 단면에 패턴을 부여하도록 구성됨 -;
    기판을 유지하도록 구성된 기판 테이블;
    상기 기판의 타겟부 상으로 상기 패터닝된 방사선 빔을 투영하도록 구성된 투영 시스템; 및
    상기 이동가능한 스테이지와 상기 투영 시스템 사이에 위치된 플레이트 - 상기 플레이트는 공급 가스가 상기 플레이트와 상기 이동가능한 스테이지 사이의 영역 내로 도입되는 경로를 제공하도록 구성되어, 외부 가스가 상기 영역에 들어가는 것을 방지함 - 를 포함하는 리소그래피 장치.
  36. 제 35 항에 있어서,
    상기 플레이트는 상기 이동가능한 스테이지와 상기 투영 시스템 사이의 영역에 가스 유동 패턴을 생성하도록 더 구성되고, 상기 가스 유동 패턴은 상기 조명 시스템의 광축에 대해 실질적으로 수직인 리소그래피 장치.
  37. 제 35 항에 있어서,
    상기 플레이트는 개구부를 포함하고, 상기 개구부는 제 1 측벽 및 제 2 측벽을 포함하며, 상기 제 2 측벽은 상기 제 1 측벽에 실질적으로 평행하고, 상기 제 1 측벽과 대향해 있는 리소그래피 장치.
  38. 제 37 항에 있어서,
    상기 플레이트는 상기 제 1 측벽과 상기 제 2 측벽 사이에 가스 유동 패턴을 생성하도록 더 구성되고, 상기 가스 유동 패턴은 상기 조명 시스템의 광축에 대해 실질적으로 수직인 리소그래피 장치.
  39. 제 35 항에 있어서,
    상기 플레이트의 상기 개구부 내에 위치되고, 상기 개구부를 적어도 부분적으로 막도록 구성된 광학 요소를 더 포함하며, 상기 광학 요소는 상기 패터닝된 방사선 빔에 대해 투과성인 리소그래피 장치.
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