JP6085910B2 - 光電センサおよび光電センサにおける受光量の増幅制御方法 - Google Patents
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- 230000003321 amplification Effects 0.000 title claims description 34
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 title claims description 34
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 20
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 claims description 29
- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims description 21
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims description 9
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 description 6
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 5
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 5
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 230000006870 function Effects 0.000 description 4
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 2
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 2
- FGRBYDKOBBBPOI-UHFFFAOYSA-N 10,10-dioxo-2-[4-(N-phenylanilino)phenyl]thioxanthen-9-one Chemical compound O=C1c2ccccc2S(=O)(=O)c2ccc(cc12)-c1ccc(cc1)N(c1ccccc1)c1ccccc1 FGRBYDKOBBBPOI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000002238 attenuated effect Effects 0.000 description 1
- 230000007257 malfunction Effects 0.000 description 1
- 230000009131 signaling function Effects 0.000 description 1
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- G01—MEASURING; TESTING
- G01J—MEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRARED, VISIBLE OR ULTRAVIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
- G01J1/00—Photometry, e.g. photographic exposure meter
- G01J1/42—Photometry, e.g. photographic exposure meter using electric radiation detectors
- G01J1/44—Electric circuits
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- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
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- Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
- Geophysics And Detection Of Objects (AREA)
- Photometry And Measurement Of Optical Pulse Characteristics (AREA)
- Length Measuring Devices By Optical Means (AREA)
- Optical Radar Systems And Details Thereof (AREA)
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Description
この例の光電センサは、投光素子(LED)20を含む投光部2と受光素子10(フォトダイオード)を含むフォトICチップ1Tとが1つの筐体内に組み込まれた反射型のセンサである。フォトICチップ1Tには、投光制御部11,I/V変換部12,プリアンプ13,メインアンプ15,比較部16,信号処理部17,出力部18などが含まれる。また、このフォトICチップ1Tには、可変抵抗器100およびコンデンサ110が外付けされる。図中、I/V変換部12,プリアンプ13,メインアンプ15,可変抵抗器100,コンデンサ110が、受光量信号を増幅する増幅処理部を構成し、比較部16および信号処理部17が増幅後の受光量信号を用いた検出処理を行う検出処理部を構成する。
プリアンプ13からの出力ラインは、端子T11を介して可変抵抗器100の一方の固定端子aに接続され、メインアンプ15への入力ラインは、端子T12を介してコンデンサ110の一方の電極に接続される。可変抵抗器100の他方の固定端子bは接地され、可動端子cはコンデンサ110の他方の電極に接続される。
可変抵抗器100の可動端子cは図示しない回動部の回転に応じて端子a,b間を移動し、その位置の変化に応じて、端子a−c間の抵抗と端子c−b間の抵抗との比率が変動し、これに応じてメインアンプに入る前の受光量信号のレベルが変化する。
プリアンプ13およびメインアンプ15には一定のゲインが設定されているので、プリアンプ13に入る信号レベルVinとメインアンプから出る信号のレベルVoutとの比Vout/Vin(増幅処理部全体としてのゲイン)も、可動端子cの移動に対してリニアに変化する。
この直線Aでは、Vout/Vinの最大値が1.0として正規化されており、可動端子cの1目盛分の移動に対して0.1ずつゲインが変化する。したがって、可動端子cを最大の目盛り10に対応する位置から一段階下の目盛9に対応する位置に動かしたときは、ゲインは1.0から0.9に変化し、変化前のゲインに対する変化後のゲインの比率は−10%となる。一方、可動端子cを目盛2に対応する位置から目盛1に対応する位置に動かしたときには、ゲインは0.2から0.1に変化し、変化前のゲインに対する変化後のゲインの比率は−50%となる。
なお、感度調整操作に対する「リニアな変化」や「指数関数的な変化」には、ある程度の誤差が含まれてもよい。
なお、上記のICチップは受光素子が組み込まれたフォトICチップであってもよい。
この実施例の光電センサの筐体には、LED20を含む投光部2とフォトダイオード10を含むフォトICチップ1とが組み込まれる。
I/V変換部12,プリアンプ13,可変ゲインアンプ14,メインアンプ15は、後述する可変抵抗器100やローパスフィルタ101と共に増幅処理部を構成する。また比較部16および信号処理部17によって検出処理部が構成される。
なお、図2(1)のグラフでは、横軸の向かって左から右に向かうにつれて、可動端子cと固定端子bとの距離が大きくなる。また,縦軸では、端子c−b間の距離が最大になったときの調整指示信号(最大値)を1.0として正規化している。
インタポレータは、各差動アンプに対する重みづけ信号の強度分布をゲイン制御信号に応じて変化させることにより、ラダー型減衰回路142の全体としての減衰率を変動させる。この減衰率は、ゲイン制御信号に従った変化、すなわち可変抵抗器100の可動端子cの変位に対して指数関数的に変化するように設計される。
なお、ローパスフィルタ101の位置はフォトICチップ1の外には限らない。すなわち、可変抵抗器100の可動端子cをフォトICチップ1の端子T4に接続し、フォトICチップ1内の端子T4と可変ゲインアンプ14との間の経路にローパスフィルタを配備してもよい。
たとえば、光電センサの筐体にゲインを上げることを指示するアップキーとゲインを下げることを指示するダウンキーとを設けると共に、アップキーが操作される都度、一定のレベル分上昇し、ダウンキーが操作される都度、一定のレベル分下降するような信号を生成し、これを調整指示信号として機能させてもよい。
2 投光部
10 フォトダイオード
12 I/V変換部
13 プリアンプ
14 可変ゲインアンプ
15 メインアンプ
16 比較部
17 信号処理部
18 出力部
100 可変抵抗器
101 ローパスフィルタ
141 ゲイン制御部
142 ラダー型減衰回路
a,b 固定端子
c 可動端子
Claims (4)
- 投光処理および受光処理に伴い生じた受光量信号を増幅する増幅処理部と、増幅後の受光量信号を用いた検出処理を行う検出処理部とを有する光電センサにおいて、
前記増幅処理部には、ユーザの感度調整操作に対してリニアに変化する調整指示信号を入力して、当該調整指示信号を前記感度調整操作の操作量に対して指数関数的に一定の比率で変化するゲイン制御信号に変換するゲイン制御部と、このゲイン制御信号に従ったゲインによる増幅処理を行う可変増幅部とが含まれ、
前記可変増幅部は、
複数の差動アンプと、
前記複数の差動アンプ各々に対する重み付け信号を出力するインタポレータとを含み、
前記ゲイン制御信号に応じて前記インタポレータが前記重み付け信号の強度分布を変化させることにより、前記感度調整操作の操作量に応じたゲインによる前記増幅処理を行う、光電センサ。 - 一対の固定端子と、前記感度調整操作に応じて各固定端子間における位置が変動する可動端子を有する可変抵抗器がさらに設けられ、
前記可変抵抗器の各固定端子間に一定の電圧が印加され、各固定端子間の可動端子の位置に基づき分圧された電圧による信号が前記調整指示信号として前記ゲイン制御部に入力される、請求項1に記載された光電センサ。 - 前記増幅処理部および検出処理部が1つのICチップ内に配備されると共に、前記可変抵抗器の可動端子とゲイン制御部との接続経路にローパスフィルタが設けられる、請求項2に記載された光電センサ。
- 投光処理および受光処理に伴い生じた受光量信号を可変増幅部が組み込まれた増幅処理部により増幅して、増幅後の受光量信号を用いた検出処理を行う光電センサにおける受光量の増幅処理を制御する方法であって、
ユーザの感度調整操作に対してリニアに変化する調整指示信号を生成するステップと、 この調整指示信号を前記感度調整操作の操作量に対して指数関数的に一定の比率で変化するゲイン制御信号に変換するステップと、このゲイン制御信号を前記可変増幅部に与えて当該調整指示信号に従ったゲインによる増幅処理を行わせるステップとを実行し、
前記可変増幅部は、複数の差動アンプと、前記複数の差動アンプ各々に対する重み付け信号を出力するインタポレータとを含み、
前記増幅処理を行わせるステップは、前記ゲイン制御信号に応じて前記インタポレータが前記重み付け信号の強度分布を変化させることにより、前記感度調整操作の操作量に応じたゲインによる前記増幅処理を含む、光電センサにおける受光量の増幅制御方法。
Priority Applications (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2012147259A JP6085910B2 (ja) | 2012-06-29 | 2012-06-29 | 光電センサおよび光電センサにおける受光量の増幅制御方法 |
EP13173553.2A EP2680437B1 (en) | 2012-06-29 | 2013-06-25 | Photoelectric sensor and method for controlling amplification of received light intensity in photoelectric sensor |
US13/930,025 US9243951B2 (en) | 2012-06-29 | 2013-06-28 | Photoelectric sensor and method for controlling amplification of received light intensity in photoelectric sensor |
CN201310269840.3A CN103532508B (zh) | 2012-06-29 | 2013-06-28 | 光电传感器及光电传感器的受光量的放大控制方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2012147259A JP6085910B2 (ja) | 2012-06-29 | 2012-06-29 | 光電センサおよび光電センサにおける受光量の増幅制御方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2014010068A JP2014010068A (ja) | 2014-01-20 |
JP6085910B2 true JP6085910B2 (ja) | 2017-03-01 |
Family
ID=48699584
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2012147259A Active JP6085910B2 (ja) | 2012-06-29 | 2012-06-29 | 光電センサおよび光電センサにおける受光量の増幅制御方法 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US9243951B2 (ja) |
EP (1) | EP2680437B1 (ja) |
JP (1) | JP6085910B2 (ja) |
CN (1) | CN103532508B (ja) |
Families Citing this family (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US10380352B2 (en) * | 2014-02-04 | 2019-08-13 | International Business Machines Corporation | Document security in enterprise content management systems |
JP2015159385A (ja) * | 2014-02-23 | 2015-09-03 | オムロン株式会社 | 光電センサ |
JP6331829B2 (ja) * | 2014-02-23 | 2018-05-30 | オムロン株式会社 | 光電センサ |
JP6361192B2 (ja) | 2014-03-14 | 2018-07-25 | オムロン株式会社 | 多光軸光電センサシステム、多光軸光電センサシステムの制御方法、プログラムおよび記録媒体 |
JP6291993B2 (ja) | 2014-04-18 | 2018-03-14 | オムロン株式会社 | 多光軸光電センサ |
Family Cites Families (15)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2982912B2 (ja) * | 1990-12-28 | 1999-11-29 | 竹中電子工業株式会社 | 物体検出センサの感度調整ボリウム |
US5155353A (en) * | 1991-08-14 | 1992-10-13 | Tandberg Data | High dynamic range integrated opto-electronic sensor and MOSFET amplifiers for pulsed light |
US5224182A (en) * | 1991-08-29 | 1993-06-29 | Virginia Polytechnic Institute And State University | Spatially-weighted two-mode optical fiber sensors |
JP2544913Y2 (ja) * | 1992-12-25 | 1997-08-20 | サンクス株式会社 | 光電スイッチ |
JPH0725624U (ja) * | 1993-09-30 | 1995-05-12 | 山武ハネウエル株式会社 | 光電スイッチの感度調整回路 |
JPH0743007U (ja) * | 1993-12-29 | 1995-08-11 | 山武ハネウエル株式会社 | 光電スイッチの感度調整回路 |
US6462327B1 (en) * | 2001-09-27 | 2002-10-08 | Microtune (Texas), L.P. | Analog optical receiver and variable gain transimpedance amplifier useful therewith |
JP2004317209A (ja) * | 2003-04-14 | 2004-11-11 | Omron Corp | ライトカーテン |
US7242871B2 (en) * | 2003-07-29 | 2007-07-10 | Harmonic Inc. | High dynamic range optical receiver |
JP2006180175A (ja) * | 2004-12-22 | 2006-07-06 | Sick Optex Kk | 光電センサ |
US7446609B2 (en) * | 2006-05-11 | 2008-11-04 | Via Technologies, Inc. | Variable gain amplifier with gain adjusting circuit |
TWI328343B (en) | 2006-05-11 | 2010-08-01 | Via Tech Inc | Variable gain amplifier with gain adjusting circuit |
JP4957254B2 (ja) | 2007-01-09 | 2012-06-20 | オムロン株式会社 | 光電センサおよび光電センサの受光ユニット |
US7741909B2 (en) * | 2008-04-14 | 2010-06-22 | Mediatek Singapore Pte Ltd | Linear-in-dB variable gain amplifier |
JP2011089966A (ja) * | 2009-10-26 | 2011-05-06 | Sharp Corp | 光パルス検出装置及び電子機器 |
-
2012
- 2012-06-29 JP JP2012147259A patent/JP6085910B2/ja active Active
-
2013
- 2013-06-25 EP EP13173553.2A patent/EP2680437B1/en active Active
- 2013-06-28 US US13/930,025 patent/US9243951B2/en active Active
- 2013-06-28 CN CN201310269840.3A patent/CN103532508B/zh active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20140001345A1 (en) | 2014-01-02 |
JP2014010068A (ja) | 2014-01-20 |
CN103532508B (zh) | 2016-04-27 |
US9243951B2 (en) | 2016-01-26 |
EP2680437A3 (en) | 2015-01-07 |
CN103532508A (zh) | 2014-01-22 |
EP2680437A2 (en) | 2014-01-01 |
EP2680437B1 (en) | 2016-05-25 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20150512 |
|
A977 | Report on retrieval |
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A131 | Notification of reasons for refusal |
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