JP6060619B2 - 半導体装置の組立治具およびその組立治具を用いた半導体装置の製造方法 - Google Patents

半導体装置の組立治具およびその組立治具を用いた半導体装置の製造方法 Download PDF

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Description

この発明は、半導体装置の組立治具およびその組立治具を用いた半導体装置の製造方法に関する。
近年、IGBTモジュールなどの半導体装置の実装において、高密度化が進んでいる。
図11は、IGBTモジュール80の要部断面図である。放熱ベース81上に半田82を介して導電パターン付絶縁基板83が固着され、この導電パターン付絶縁基板83の導電パターン84上に半田85を介して半導体チップ86が固着している。樹脂ケース87が放熱ベース81に接着剤87で固着し、樹脂ケース87に挿入した外部導出端子88と半導体チップ86および導電パターン84をボンディングワイヤ89などの接続導体で接続する。外部導出端子88は導電パターン84に半田90で固着する。樹脂ケース87内にシリコーンゲル91を充填してIGBTモジュール80は完成する。
大電流を制御するために、IGBTモジュール80の電流容量は増加し、それに伴って半導体チップ86の発熱量も増大する。このような状況下でもIGBTモジュール80などの半導体装置には高い信頼性が要求されている。
IGBTモジュール80が動作することにより、IGBTモジュール80を構成している各部材間で、熱膨張係数差により熱応力が発生する。この熱応力により半田接合部に熱疲労破壊が発生する。この熱応力による影響を受けやすい部材は、導電パターン付絶縁基板83上に半田90により接合される外部導出端子88である。
この外部導出端子88は、樹脂ケース87に挿入されたインサート型端子構造をしている。また、導電パターン付絶縁基板83への固着は半田付けで行なわれている。この半田90の接合強度を高めて、信頼性の向上を図るために、半田フィレットの形状が重要である。このフィレットの形状は、半田90に外部導出端子88が適度な圧力で接触することで最適化している。そのため、導電パターン付絶縁基板83の種類、厚みに合せて導電パターン付絶縁基板83と外部導出端子88の間の距離Lを図示しない専用治具などを用いてお互いを半田90を介して接触するように調整している。インサート型端子とは樹脂ケースを内側から外側に向かって貫通し固定される端子のことである。
そのため、同一のインサートケースを用いた場合には、実装するセラミックスの種類によって、端子と導電パターン間の隙間を各々、プレス加工により調整する必要が有るため、後加工が必要となり、組立工数増加に繋がっていた。
また、近年、多用されるようになったアウトサート型外部導出端子(独立端子)を有する半導体装置について説明する。アウトサート型端子とは、樹脂ケースに固定されずに、導電パターン付絶縁基板に固定されている端子のことである。このアウトサート型端子は樹脂ケース87から独立しているので独立端子とも呼ばれている。
図12は、アウトサート型外部導出端子(独立端子)を有する半導体装置500の構成図であり、同図(a)は上面図、同図(b)は同図(a)のX−X線で切断した要部断面図である。
放熱ベース板501と、この放熱ベース板501上に半田502を介して固着した導電パターン付絶縁基板503とを備えている。導電パターン付絶縁基板503上に半田504を介して固着したアウトサート型外部導出端子(独立端子)505および図示しない半導体チップとを備えている。放熱ベース板501に図示しない接着剤で固着する樹脂ケース506と、樹脂ケース506に嵌合する直方体のナット埋め込み部材507とを備えている。アウトサート型外部導出端子である独立端子505は樹脂ケース506には挿入されていない。また、樹脂ケース506上面には独立端子505の上部が露出するように開口部が設けられている。
ナット埋め込み部材507について説明する。ナット埋め込み部材507は、樹脂ケース506に挿入される樹脂製の直方体で、上面に端子をネジ止めするナットが埋め込まれておちナットプローブという場合もある。このナット埋め込み部材507にU字を逆にした構造の独立端子505が跨がるように配置され、独立端子505上に外部配線を位置させ、両者に形成された孔にネジを差込み、そのネジの先端をナットに合わせ、ネジをナットに挿入させながら回転させることで、外部配線とU字型端子をネジとナットを用いて固定する。つまり、このナットプローブ(ナット埋め込み部材507)はナットの位置決めとU字型端子の固定に用いられる。
しかし、図11に示すインサート端子構造では、外部導出端子88と導電パターン84の間の距離Lにばらつきがあるため、半田90の厚みを調節したり、外部導出端子毎に専用の治具で押さえつけるなど個別に調節する必要があり、工数が増加し、製造コストが増大する。インサート型端子構造とは、外部導出端子が樹脂ケースに貫通固定されているタイプの端子構造をいう。
また、インサート端子をプレス型による後加工が必要となるため、各端子の高さ精度、端子キズおよびプレス加工による油残渣等、半田濡れ性、半田付け部のフィレット形状および半田厚み等、熱疲労に対する信頼性に与える影響因子があった。
更に、プレス加工後に予備半田を塗布する工程が有り、半田バスへ端子ケースごと塗布するため、端子を浸漬した時に半田飛散が起こり、樹脂ケース等の不要部分へ付着する危険性があった。
一方、図12に示すアウトサート型端子構造では、独立端子505と半田504の間の距離Mにばらつきがあるため、独立端子505と半田504となる点線で示す板半田504aを接触させるために、板半田504aの厚みを調整したり独立端子505毎に専用治具で押さえつけるなど個別にプレス型で調整が必要となり、工数増に伴って製造コストが増大する。
また、図12に示すアウトサート型端子構造の外部導出端子(独立端子505)を導電パターン付絶縁基板503に半田付けするときに用いられる組立治具(半田付け治具)について、本発明の組立治具が備えているような外枠と支柱部材を備えた組立治具は公知例としては見当たらない。
この発明の目的は、前記の課題を解決して、外部導出端子と導電パターン付絶縁基板上の半田を接触させるための個別の工程を不要とし、アウトサート型端子構造を有する半導体装置の組立治具およびその組立治具を用いた半導体装置の製造方法に関する。
上述した課題を解決し、本発明の目的を達成するため、この発明にかかる半導体装置の組立治具は、放熱ベース板と、該放熱ベース板上に半田を介して固着された導電パターン付絶縁基板と、該導電パターン付絶縁基板上に半田を介して固着された半導体チップと、前記放熱ベース板に固着された樹脂ケースと、前記導電パターン付絶縁基板上に半田を介して固着され樹脂ケースから独立した外部導出端子と、該外部導出端子を外部配線に固定するためのナット埋め込み部材と、を含む半導体装置の組立治具であって、次の特徴を有する。該組立治具は前記外部導出端子と前記導電パターン付絶縁基板を半田付けするときに用いられる半田付け用の組立治具である。前記放熱ベース板に配設される、もしくは、前記導電パターン付絶縁基板上に配設される外枠と、該外枠上に配設され前記外部導出端子を支持するための支柱部材と、を備えている。
また、この発明にかかる組立治具は、上述した発明において、前記支柱部材が前記外部導出端子の上部を挟み込む止め具を有し、該止め具と前記支柱部材と前記外枠がそれぞれ着脱できるように互いに固定されるとよい。
また、上述した課題を解決し、本発明の目的を達成するため、この発明にかかる半導体装置の製造方法は、次の特徴を有する。まず、導電パターン付絶縁基板に半導体チップを半田付けし、前記導電パターン付絶縁基板上の外部導出端子と接する位置に板半田を配設する。次に、前記導電パターン付絶縁基板上に外枠を配設し、前記外枠上に支柱部材を配設し、前記支柱部材を跨ぎ前記板半田上に接触するように、前記外部導出端子を配設する。さらに、前記の全体をリフロー炉に入れて、前記板半田を溶融した後、固化させて前記外部導出端子と前記導電パターン付絶縁基板を半田付けし、前記の全体をリフロー炉から取り出し、前記支柱部材と前記外枠を外す。次に、樹脂ケースの上面に形成された開口部から前記外部導出端子の上部が露出するように前記樹脂ケースを被せ、該樹脂ケースの底部を放熱ベース板の側壁に固着させ、前記樹脂ケースの側壁上部に形成された開口部にナット埋め込み部材を挿設する。
また、上述した課題を解決し、本発明の目的を達成するため、この発明にかかる半導体装置の製造方法は、次の特徴を有する。まず、導電パターン付絶縁基板に半導体チップを半田付けする。次に、外部導出端子を支柱部材に設けられた止め具と前記支柱部材の間に挟みこみ固定した後、該支柱部材を外枠に固定し、前記外部導出端子、前記支柱部材および前記外枠を一体化する。前記導電パターン付絶縁基板上の前記外部導出端子と接する位置に板半田を配設する。さらに、一体化された前記外枠の底部を放熱ベース板の側壁をガイドにして前記導電パターン付絶縁基板の上に一体化した部材を被せ、一体化した前記外部導出端子を前記板半田上に接触するように配設する。これらの部材全体をリフロー炉に入れて、前記板半田を溶融した後、固化させて前記外部導出端子と前記導電パターン付絶縁基板を半田付けする。次に、半田付け後の部材全体をリフロー炉から取り出し、前記支柱部材と前記外枠を外し、樹脂ケースの上面に形成された開口部から前記外部導出端子の上部が露出するように前記樹脂ケースを被せ、該樹脂ケースの底部を前記放熱ベース板の側壁に固着させる。また、前記樹脂ケースの側壁上部に形成された開口部にナット埋め込み部材を挿設する。
また、この発明にかかる半導体装置の製造方法は、上述した発明において、前記板半田を配設した後、該板半田上にペースト半田を塗布するとよい。
この発明によれば、組立治具が導電パターン付絶縁基板上に配設される外枠と、該外枠に配設される外部導出端子である独立端子を支える支柱部材とで構成される。この組立治具を用いて独立端子を導電パターン付絶縁基板に半田付けするときに、支柱部材を跨いで配設される独立端子の底部を導電パターン付絶縁基板上の溶融する前の板半田に独立端子を接触させる。そのときに、組立治具と独立端子を合せた自重で接触させる。自重で接触させた状態で半田付けするので、溶融半田への圧力が過大にならない。また、組立治具を用いているため、常に一定の半田厚みを確保することができ、半田フィレットの形状を最適化することができる。その結果、高信頼性の半導体装置を得ることができる。
また、従来のように、独立端子と板半田を接触させるための個別の工程を必要としないため、製造コストを低減できる。
この発明の参考例の半導体装置50の組立治具100の要部構成図であり、(a)は正面図、(b)は(a)のA方向から見た側面図、(c)は(a)のB方向から見た上面図である。 この発明の第1実施例の半導体装置50の要部製造工程断面図である。 図2に続く、この発明の第1実施例の半導体装置50の要部製造工程断面図である。 図3に続く、この発明の第1実施例の半導体装置50の要部製造工程断面図である。 この発明の第2実施例の半導体装置の組立治具200の要部構成図であり、(a)は正面図、(b)は(a)のD方向から見た側面図、(c)は(a)のE方向から見た上面図である。 導電パターン付絶縁基板52の表面が湾曲している場合の組立治具200aを冷却ベース51に配置したときの要部側面図である。 この発明の第3実施例の半導体装置50の要部製造工程断面図である。 図7に続く、この発明の第3実施例の半導体装置50の要部製造工程断面図である。 図8に続く、この発明の第3実施例の半導体装置50の要部製造工程断面図である。 この発明の第4実施例の半導体装置の組立治具300の構成図であり、(a)は正面図、(b)は(a)のG方向から見た側面図、(c)は(a)のH方向から見た上面図である。 IGBTモジュール80の要部断面図である。 アウトサート型外部導出端子(独立端子)を有する半導体装置500の要部断面図である。
つぎに、実施の形態を以下の実施例で説明する。図1は、独立端子53を導電パターン付絶縁基板52に半田付けするときに用いる半導体装置50の組立治具100の一例である。
参考例
図1は、この発明の参考例の半導体装置50の組立治具100の要部構成図であり、同図(a)は正面図、同図(b)は同図(a)のA方向から見た側面図、同図(c)は同図(a)のB方向から見た上面図である。図1では、点線で放熱ベース板51,導電パターン付絶縁基板52および独立端子53も示した。図中の符号で52aは導電パターン付絶縁基板52を構成する絶縁基板であり、52bは導電パターンである。また、ここで示す半導体装置50は、例えば、IGBTモジュールなどである。
この組立治具100は、外枠1と支柱部材2を備えている。この支柱部材2は前記のナット埋め込み部材と同じ形状をしている。外枠1は導電パターン付絶縁基板52上に配設され、支柱部材2は外枠1の上部に配設され、独立端子53は支柱部材2を跨ぐようにして配設される。この独立端子53は組立時に上下方向に自由に可動できるようになっている。外枠1および独立端子53は、それぞれ正面から見た形状がU字状もしくはΩ状となるように形成されている。また、外枠1は上面から見た形状がO字状(リング状)となるように形成されている。
つぎに、この組立治具100を用いて半導体装置50を製造する工程について説明する。
実施例1
図2〜図4は、この発明の第1実施例の半導体装置50の製造方法を工程順に示した要部製造工程断面図である。図1の組立治具100を用いた半導体装置50の半田付け工程の工程図である。
まず、図示しない放熱ベース51上に半田を介して導電パターン付絶縁基板52を固着し、導電パターン付絶縁基板52の導電パターンに半田を介して半導体チップ58を固着し、半導体チップ58とボンディングワイヤ59を接続する。この後の半田付け工程をつぎに説明する。図2以降の工程の説明では放熱ベース51は図示されていない。
図2(a)において、導電パターン付絶縁基板52上に外枠1と板半田54を配設する。ここでは半導体チップは図示されていない。
つぎに、図2(b)において、外枠1上に支柱部材2を配設する。
つぎに、図2(c)において、支柱部材2を跨ぎ、板半田54に底部53aが接するように独立端子53を配設する。
つぎに、図3(d)において、このように準備した組立体の全体をリフロー炉60に入れて、板半田54を溶融させ、固化させて、独立端子53と導電パターン付絶縁基板52を半田55で固着する。
つぎに、図3(e)に示す半田固着後の組立体において、外枠1から支柱部材2を取り外す。
つぎに、図3(f)において、外枠1を導電パターン付絶縁基板52から取り外して、導電パターン付絶縁基板52への独立端子53の半田付けが完了する。
つぎに、図4(g)において、樹脂ケース56を被せ、放熱ベース板51に樹脂ケース52の底部を接着して固定し、その後、ナット埋め込み部材57を独立端子53の両足53bを跨ぐように挿設して、アウトサイド型外部導出端子を有する半導体装置50が完成する。図4(g)は図3(f)の矢印Cから見た側断面図である。また、ナット埋め込み部材57とは、外部配線と独立端子53を接続するためのネジを受けるナットが配置された樹脂製の直方体の支持部材であり、樹脂ケース51に挿入される。ナット埋め込み部材57は独立端子53を潜るように、独立端子53と樹脂ケース51の間に挿入され、樹脂ケース51に固定される。
なお、図2(a)の工程において、板半田54を配設した後、前記の独立端子53との接触性を改善させるためにペースト半田を板半田54上に塗布する場合もある。
本発明の実施の形態の組立治具100を用いることで、板半田54の厚み、導電パターン付絶縁基板52の厚さが異なっていても、板半田54に独立端子53をその自重で接触させて半田付けできる。
そのため、板半田54に独立端子53を専用治具などを用いて接触させる従来の工程は不要となり、製造工程が短縮され、製造コストの低減を図ることができる。
また、独立端子53の長さ、導電パターン付絶縁基板52の厚さおよび板半田54の厚さに寸法ばらつきがあっても、独立端子53の自重を利用して板半田54に独立端子53を接触させ、半田付けを行なうので、寸法ばらつきは半田付けに影響を及ぼさない。
本発明の実施の形態の組立治具100を用いる場合には、導電パターン付絶縁基板52上に配設される板半田54の位置(板半田54と接触する独立端子53の両足53bの裏側の位置)を同じにすることで、導電パターン付絶縁基板52の大きさが異なった場合にもこの組立治具100を用いることができる。
前記のように、この発明の実施の形態の組立治具100を用いることで、独立端子53の自重で独立端子53を板半田54に接触させて半田付けすることができる。そのため、板半田54に過大な接触圧力が印加されず、半田フィレットの形状を最適化することができる。その結果、高信頼性の半導体装置を得ることができる。
さらに、独立端子53を板半田54に専用治具などで接触させる必要がなくなり、製造コストを低減できる。
また、この組立治具100を用いることで、導電パターン付絶縁基板52を構成する絶縁基板52aの種類(Al2O3,AlN,Si3N4)や厚みによらず、独立端子53を板半田54に接触させることができる。その結果、最適な半田フィレット形状を得ることができる。
また、導電パターン付絶縁基板52上に配置される半田付け位置を、導電パターン付絶縁基板52の大きさや厚さが異なっても、同一にすることで、全ての独立端子53の半田付けを良好な半田フィレット形状で行なうことができる。
実施例2
図5は、この発明の第2実施例の半導体装置の組立治具200の要部構成図であり、同図(a)は正面図、同図(b)は同図(a)のD方向から見た側面図、同図(c)は同図(a)のE方向から見た上面図である。図5では、点線で放熱ベース板51、導電パターン付絶縁基板52および独立端子53も示した。また、ここで示す半導体装置50は、例えば、IGBTモジュールなどである。
この組立治具200は、外枠11と支柱部材12および支柱部材12に取り付けられた止め具13を備えている。外枠1は放熱ベース板51の側面に嵌合するように配設され、支柱部材2は外枠11の上部に固定され、独立端子53は支柱部材12に止め具13を取り付けることで、支持部材12と止め具13に挟まれて固定される。外枠11と支柱部材12と独立端子53は一緒に上下方向に自由可動できるようになっている。止め具13は支柱部材12に着脱可能で固定される。
図6は、導電パターン付絶縁基板52の表面が湾曲している場合の組立治具200aを冷却ベース51に配置したときの要部側面図である。これは図5(b)に相当する図である。
導電パターン付絶縁基板52の表面の湾曲を予め測定して、複数ある独立端子53(53c,53d,53e)の足53bの底部53aと導電パターン52bの間の距離Mが所定値になるよう止め具13を加工する。加工後の止め具には13bの符号を付した。導電パターン付絶縁基板52は周囲に対して中央が凹状になるように湾曲している。止め具13bはU字型をしており、支柱部材12に止め具13bを着脱し易いように、下側の部分の長さGは上側の長さJより短くなっている。
導電パターン付絶縁基板52の中央に対して独立端子53(53c,53d,53e)が配置される箇所では反りは0.1mm程度である。従って、中央の独立端子53dが導電パターン付絶縁基板52の中央に位置する場合、中央の独立端子53dが半田付けされる箇所の導電パターン付絶縁基板52の表面位置に対して、両側の独立端子53c、53eが半田付けされる箇所の導電パターン付絶縁基板52の表面位置が0.1mm程度高くなる。そのため、止め具13bについて、独立端子53を挟みこむ箇所70の上部面70aを中央の止め具13dに対して両端の止め具13c,13eが0.1mm程度高くなるように加工する。
こうすることで、複数ある独立端子53c,53d,53eの足53bの底部53aと導電パターン52bの間の距離Mを一定にすることができる。この止め具13bを支柱部材12に取り付けて、止め具13bで独立端子53c,53d,53eを挟み込み、この挟み込む箇所70の止め具13bの上部面70aの基準点(任意に決めた位置)からの高さHは、導電パターン付絶縁基板52の中央に対して独立端子53が配置される箇所での反りの大きさに合わせて変える。この上部面70aに独立端子53の上部面53gが接触する。そのため、止め具53bの上部面70aの高さが高くなると、独立端子53の足53bの底部53aと導電パターン52bの間の距離Mは大きくなる。
導電パターン52bに板半田を載置しその上にペースト半田を塗布し、その上に独立端子53の足53bを載置する。独立端子53の足53bの底部53aと導電パターン52bの間の距離Mを0.2mm程度にすることで、良好な半田付けができる。また、導電パターン付絶縁基板52の絶縁基板52aがアルミナ基板や窒化アルミ基板などである場合、基板の厚みが0.4mm程度異なる場合があるが、その場合でもこの止め具13aを用いることで組立治具200aを共通化することができる。
尚、図6において、53は独立端子の総称に付した符号であり、53c、53d、53eは個別の独立端子に付した符号である。また、13bは加工された止め具の総称に付した符号であり、13c、13d、13eは個別の加工された止め具に付した符号である。。
つぎに、前記の組立治具200を用いて半導体装置50を製造する工程について説明する。
実施例3
図7〜図9は、この発明の第3実施例の半導体装置の製造方法を工程順に示した要部製造工程断面図である。図5の組立治具200を用いた半導体装置の半田付け工程の工程図である。
図7(a)において、導電パターン付絶縁基板52上に半導体チップ58を半田58aで固着し、半導体チップ58同士、半導体チップ58と導電パターン付絶縁基板52をボンディングワイヤ59で接続する。図7(a)では半導体チップ58に接続するボンディングワイヤ59を示した。
つぎに、図7(b)において、放熱ベース板51に導電パターン付絶縁基板52を半田52aで固着する。
つぎに、図7(c)において、導電パターン付絶縁基板52上に板半田54を配設する。
つぎに、図7(d)において、組立治具200の外枠11上に脱着できるように支柱部材12を固定し、支持部材12に止め具13を取り付けることで、支柱部材12と止め具13の間に独立端子53を挟み込んで固定する。こうして、外枠11、支柱部材12、独立端子53はそれぞれ脱着できる状態で一体化される。
つぎに、図8(e)において、この一体化されたものを導電パターン付絶縁基板52に被せ、独立端子53が板半田54の表面に接触するようにし、外枠11を放熱ベース板51の側壁に嵌合する。このとき、板半田54は外枠11、支柱部材12、止め具13および独立端子53を合せた重さで圧接される。
つぎに、図8(f)において、このように準備した組立体の全体をリフロー炉60に入れて、板半田54を溶融させ、固化させて、独立端子53と導電パターン付絶縁基板52を半田55で固着する。
つぎに、図9(g)に示す半田固着後の組立体において、止め具13を支柱部材12から外し、独立端子53から支柱部材12を抜き取り、外枠11を放熱ベース51から外して、導電パターン付絶縁基板52への独立端子53の半田付けが完了する。
つぎに、図9(h)において、樹脂ケース56を被せ、放熱ベース板51に樹脂ケース56の底部を接着して固定し、その後、ナット埋め込み部材57を独立端子53の両方の足53bを跨ぐように挿設して、アウトサート型外部導出端子(独立端子)を有する半導体装置50が完成する。図9(h)は図9(g)の矢印Fから見た側断面図であり、半導体チップ58は図示されていない。また、ナット埋め込み部材57とは、前記したように、外部配線と独立端子53を接続するためのネジを受けるナットが配置された樹脂製の支持棒のことであり、樹脂ケース56に挿入される。
尚、図7(c)の工程において、板半田54を配設した後、前記の独立端子53との接触性を改善させるためにペースト半田を板半田54上に塗布する場合もある。
本発明の組立治具200(または200a)を用いることで、板半田54の厚み、導電パターン付絶縁基板53の厚さが異なっていても、板半田54に独立端子53を一体部材の重みで接触させて半田付けできる。
そのため、板半田54に独立端子53を専用治具などを用いて接触させる従来の工程は不要となり、製造工程が短縮され、製造コストの低減を図ることができる。
また、独立端子53の長さ、導電パターン付絶縁基板52の厚さおよび板半田54の厚さに寸法ばらつきがあっても、独立端子53と組立治具200(または200a)を合せた重さを利用して板半田54に独立端子53を接触させ、半田付けを行なうので、寸法ばらつきは半田付けに影響を及ぼさない。
本発明の組立治具200(または200a)を用いる場合には、導電パターン付絶縁基板52上に配設する板半田54の位置を同じにすることで、導電パターン付絶縁基板52の大きさが異なった場合にも対応できる。
前記のように、この発明の組立治具200(または200a)を用いることで、組立治具200(または200a)と独立端子53を合わせた重さで独立端子53を板半田54に接触させて半田付けすることができる。そのため、板半田54に過大な接触圧力が印加されず、半田フィレットの形状を最適化することができる。その結果、高信頼性の半導体装置を得ることができる。
また、独立端子53の足53bの長さにばらつきがあっても、この組立治具200(または200a)を用いることで、全ての独立端子53の底部53aを半田に接触させることができる。また、導電パターン付絶縁基板52が変形した場合も同様である。
そのため、独立端子53を板半田54に専用治具などで接触させる必要がなくなり、製造コストを低減できる。
また、この組立治具200(または200a)を用いることで、導電パターン付絶縁基板52を構成する絶縁基板52aの種類(Al2O3,AlN,Si3N4)や厚みによらず、独立端子53を板半田54に接触させることができる。その結果、最適な半田フィレット形状を得ることができる。
また、導電パターン付絶縁基板52上に配置される半田付け位置を、導電パターン付絶縁基板53の大きさや厚さが異なっても同一にすることで、全ての独立端子53の半田付けを良好な半田フィレット形状で行なうことができる。
実施例4
図10は、この発明の第4実施例の半導体装置の組立治具300の構成図であり、同図(a)は正面図、同図(b)は同図(a)のG方向から見た側面図、同図(c)は同図(a)のH方向から見た上面図である。図5の組立治具200と図10の組立治具300の違いは、止め具13aが支柱部材12の下面に付いた点である。この組立治具300を用いた場合の半田付け工程は第3実施例の工程と同じである。
1、11 外枠
2、12 支柱部材
13,13a,13b,13c,13d,13e 止め具
51 放熱ベース板
52 導電パターン付絶縁基板
52a 絶縁基板
52b 導電パターン
53,53c,53d,53e 独立端子(外部導出端子)
53g 上部面(独立端子)
53a 底部
53b 足
54 板半田
55 半田(溶融した後、固化した半田)
56 樹脂ケース
57 ナット埋め込み部材
58 半導体チップ
58a 導電パターン
59 ボンディングワイヤ
60 リフロー炉
70 挟み込む箇所(止め具)
70a 上部面(挟み込む箇所)
100,200,300 組立治具

Claims (4)

  1. 放熱ベース板と、
    該放熱ベース板上に半田を介して固着された導電パターン付絶縁基板と、
    該導電パターン付絶縁基板上に半田を介して固着された半導体チップと、
    前記放熱ベース板に固着された樹脂ケースと、
    前記導電パターン付絶縁基板上に半田を介して固着され樹脂ケースから独立した外部導出端子と、
    該外部導出端子を外部配線に固定するためのナット埋め込み部材と、
    を含む半導体装置の組立治具であって、
    該組立治具が前記外部導出端子と前記導電パターン付絶縁基板を半田付けするときに用いられる半田付け用の組立治具であり、
    前記放熱ベース板に配設される、もしくは、前記導電パターン付絶縁基板上に配設される外枠と、
    該外枠上に配設され前記外部導出端子を支持するための支柱部材と、
    を含み、
    前記支柱部材が前記外部導出端子の上部を挟み込む止め具を有し、該止め具と前記支柱部材と前記外枠がそれぞれ着脱できるように互いに固定されることを特徴とする半導体装置の組立治具。
  2. 導電パターン付絶縁基板に半導体チップを半田付けする工程と、
    前記導電パターン付絶縁基板上の外部導出端子と接する位置に板半田を配設する工程と、
    前記導電パターン付絶縁基板上に外枠を配設する工程と、
    前記外枠上に支柱部材を配設する工程と、
    前記支柱部材を跨ぎ前記板半田上に接触するように、前記外部導出端子を配設する工程と、
    前記の全体をリフロー炉に入れて、前記板半田を溶融した後、固化させて前記外部導出端子と前記導電パターン付絶縁基板を半田付けする工程と、
    前記の全体をリフロー炉から取り出し、前記支柱部材と前記外枠を外す工程と、
    樹脂ケースの上面に形成された開口部から前記外部導出端子の上部が露出するように前記樹脂ケースを被せ、該樹脂ケースの底部を放熱ベース板の側壁に固着させる工程と、
    前記樹脂ケースの側壁上部に形成された開口部にナット埋め込み部材を挿設する工程と、
    を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
  3. 導電パターン付絶縁基板に半導体チップを半田付けする工程と、
    外部導出端子を支柱部材に設けられた止め具と前記支柱部材の間に挟みこみ固定した後、該支柱部材を外枠に固定し、前記外部導出端子、前記支柱部材および前記外枠を一体化する工程と、
    前記導電パターン付絶縁基板上の前記外部導出端子と接する位置に板半田を配設する工程と、
    一体化された前記外枠の底部を放熱ベース板の側壁をガイドにして前記導電パターン付絶縁基板の上に一体化した部材を被せ、一体化した前記外部導出端子を前記板半田上に接触するように配設する工程と、
    前記の全体をリフロー炉に入れて、前記板半田を溶融した後、固化させて前記外部導出端子と前記導電パターン付絶縁基板を半田付けする工程と、
    前記の全体をリフロー炉から取り出し、前記支柱部材と前記外枠を外す工程と、
    樹脂ケースの上面に形成された開口部から前記外部導出端子の上部が露出するように前記樹脂ケースを被せ、該樹脂ケースの底部を前記放熱ベース板の側壁に固着させる工程と、
    前記樹脂ケースの側壁上部に形成された開口部にナット埋め込み部材を挿設する工程と、
    を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
  4. 前記板半田を配設した後、該板半田上にペースト半田を塗布することを特徴とする請求項2または3に記載の半導体装置の製造方法。
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