JP6417898B2 - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
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Description
半導体装置1は、図1(e)に示すように、半導体素子10、放熱板20、第1の樹脂シート30、第2の樹脂シート31、ヒートシンク40、及びモールド樹脂60を備えている。半導体装置1では、半導体素子10側から、半導体素子10、放熱板20、第1の樹脂シート30、ヒートシンク40が順番に積層されている。第2の樹脂シート31は、第1の樹脂シート30の上に形成されている。第2の樹脂シート31は、放熱板20を囲み、放熱板20の側面に接触している。半導体装置1は、モールド樹脂60によって半導体素子10等が封止されてパッケージ化されている。
次に、図1を参照して、半導体装置1の製造方法について説明する。図1(a)は、第1の載置工程後を示す図である。図1(b)は、第2の載置工程後を示す図である。図1(c)は、熱硬化工程中を示す図である。図1(d)は、半導体素子接合工程後を示す図である。図1(e)は、配線工程及びモールド工程後を示す図、つまり完成後の半導体装置1を示す図である。
本実施の形態では、熱硬化が完了していない状態の第1の樹脂シート30を、加熱しながら、放熱板20及び第2の樹脂シート31からの圧力によって熱硬化させている。第1の樹脂シート30は、放熱板20からだけでなく、放熱板20の外側に位置する第2の樹脂シート31からも圧力を受けるため、第1の樹脂シート30を均一に加圧することができる。そのため、第1の樹脂シート30における放熱板20端部の位置に応力が集中することを抑制できる。さらに、第1の樹脂シート30を加圧する前は、第1の樹脂シート30の熱硬化は完了していない。従って、応力が集中しないだけでなく、クラックが発生しにくい状態で加圧が開始されるため、第1の樹脂シート30にクラックが発生することを抑制できる。その結果、放熱板20とヒートシンク40との間の第1の樹脂シート30の絶縁性能を向上させることができる。
図2は、変形例1に係る半導体装置6の第2の樹脂シート32の断面形状を説明するための図である。図2は、半導体素子接合工程後を示している。図2では、第1の樹脂シート30の面積が天板41の面積よりも小さい。熱硬化工程では、第2の樹脂シート32が、上記実施形態と同様に、内側へ流動して、放熱板20の側面を覆う。さらに、第2の樹脂シート32は、外側へ流動して、第1の樹脂シート30の側面を覆い、ヒートシンク40の天板41の一部も覆う。このため、半導体素子接合工程において、第1の樹脂シート30の酸化の抑制効果を高めることができる。
変形例2に係る半導体装置2は、図3に示すように、第1の樹脂シート30とヒートシンク40の天板41との間に、第2の放熱板43及びグリース90が介在している点が、上記実施の形態とは異なる。第2の放熱板43は、第1の樹脂シート30に接合されている。また、第2の放熱板43は、グリース90を介してヒートシンク40に取り付けられている。第2の放熱板43は、ヒートスプレッダーとしての役割を担う。半導体装置2の製造方法は、第2の放熱板43(冷却器)の上に第1の樹脂シート30を載置する第1の載置工程と、第1の樹脂シート30の上に放熱板20と第2の樹脂シート31とを載置する第2の載置工程と、第1の樹脂シート30、第2の樹脂シート31、及び放熱板20を加熱しながら加圧し、第1の樹脂シート20及び第2の樹脂シート31を熱硬化させる熱硬化工程と、半導体素子接合工程と、配線工程と、モールド工程とを有する。さらに、この製造方法は、モールド工程後に、ヒートシンク40上に、グリース90を介して、モールドされたパッケージを載置する工程を有する。
変形例3に係る半導体装置3は、図4に示すように、半導体素子10の両側に、第1の放熱板20、第1の樹脂シート30、第2の放熱板43、グリース90、及びヒートシンク40が積層されている。各第1の樹脂シート30の上には、放熱板20の周囲に第2の樹脂シート31が積層されている。変形例3によれば、放熱効果がさらに向上する。
変形例4に係る半導体装置4は、図5に示すように、第2の樹脂シート31が、放熱板21よりも薄くなっている。図5(a)は、実施の形態で説明した構成の半導体装置1に対応した半導体装置3の概略構成図である。図5(b)は、変形例3で説明した構成の半導体装置3に対応した半導体装置5の概略構成である。
10 半導体素子
20、21 放熱板
30 第1の樹脂シート
31、32 第2の樹脂シート
40 ヒートシンク(冷却器)
50 接合部材
60 モールド樹脂
70 リード端子
80 ワイヤ
Claims (1)
- 冷却器の一方面上に、熱硬化性の第1の樹脂シートを、平面視における前記冷却器の一方面の外周の内側に位置するように載置する第1の載置工程と、
前記第1の樹脂シートの上に、放熱板と、前記放熱板の外周に沿って前記放熱板を囲う熱硬化性の第2の樹脂シートとを載置する第2の載置工程と、
前記第1の樹脂シート、前記第2の樹脂シート、及び前記放熱板を加熱しながら加圧するとともに、前記第2の樹脂シートが前記放熱板の側面及び前記第1の樹脂シートの側面を覆うように、前記第1の樹脂シート及び前記第2の樹脂シートを熱硬化させる熱硬化工程と、
前記放熱板の上に、半導体素子を接合する半導体素子接合工程と、を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
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