JP6055883B2 - 半導体装置の製造方法、及び、半導体装置 - Google Patents
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Description
すなわち、3つのマスクを用いてシリコン柱、平面状シリコン層、ゲート配線を形成している。
シリコン基板101上に形成されたフィン状シリコン層103と、前記フィン状シリコン層103の周囲に形成された第1の絶縁膜104と、前記フィン状シリコン層103上に形成された柱状シリコン層108と、前記柱状シリコン層108の周囲に形成されたゲート絶縁膜115と、前記ゲート絶縁膜115の周囲に形成された金属からなるゲート電極116aと、前記ゲート電極116aに接続された前記フィン状シリコン層103に直交する方向に延在する金属からなるゲート配線116bと、前記柱状シリコン層108の上部に形成された第1の拡散層117と、前記フィン状シリコン層103の上部に形成された第2の拡散層111と、前記第2の拡散層111上に形成されたシリコンと金属の化合物層119と、前記第1の拡散層117と直接接続されたコンタクト129と、を有する。前記ゲート電極116aと前記ゲート配線116bとは900度以上の熱処理がなされる。
102.第1のレジスト
103.フィン状シリコン層
104.第1の絶縁膜
105.第2の絶縁膜
106.第1のポリシリコン
106a.第1のダミーゲート
107.第2のレジスト
108.柱状シリコン層
109.第4の絶縁膜
109a.第4の絶縁膜
110.第2のポリシリコン
110a.第2のダミーゲート
111.第2の拡散層
112.第5の絶縁膜
112a.絶縁膜サイドウォール
113.第6の絶縁膜
113a.絶縁膜サイドウォール
114.第1の層間絶縁膜
115.ゲート絶縁膜
116.金属
116a.ゲート電極
116b.ゲート配線
117.第1の拡散層
118.第7の絶縁膜
119.金属と半導体の化合物
120.コンタクトストッパ
121.第2の層間絶縁膜
122.第3のレジスト
123.コンタクト孔
124.第4のレジスト
125.コンタクト孔
126.第5のレジスト
127.コンタクト孔
128.コンタクト
129.コンタクト
130.コンタクト
131.金属
131a.金属配線
131b.金属配線
131c.金属配線
132.第6のレジスト
133.第6のレジスト
134.第6のレジスト
Claims (2)
- 半導体基板上に形成されたフィン状半導体層と、
前記フィン状半導体層の周囲に形成された第1の絶縁膜と、
前記フィン状半導体層上に形成された柱状半導体層と、
前記柱状半導体層の周囲に形成されたゲート絶縁膜と、
前記ゲート絶縁膜の周囲に形成された金属からなるゲート電極と、
前記ゲート電極に接続された前記フィン状半導体層に直交する方向に延在する金属からなるゲート配線と、
前記柱状半導体層の上部に形成された第1の拡散層と、
前記フィン状半導体層の上部に形成された第2の拡散層と、
を有し、
前記ゲート電極と前記ゲート配線は、周囲を前記ゲート絶縁膜と酸化膜である第5の絶縁膜と酸化膜又は窒化膜である第6の絶縁膜により覆われていることを特徴とする半導体装置。 - 前記柱状半導体層の下部に形成された前記第2の拡散層と、
前記ゲート電極と前記ゲート配線の周囲と底部に形成された前記ゲート絶縁膜と、
を備え、前記柱状半導体層の幅は前記フィン状半導体層の幅と同じであり、前記ゲート電極の外側の幅と前記ゲート配線の幅は同じであることを特徴とする請求項1に記載の半導体装置。
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