JP6050832B2 - インク組成物、表面にメッキする方法 - Google Patents
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Description
本発明は、物質科学の分野に関し、特にはインク組成物、絶縁基板の表面にメッキする方法に関する。
本節の記載は、本開示に関する背景の情報を単に提供するだけであり、先行技術を構成し得ない。
金属層は、電磁信号の変換経路として絶縁基板の表面上に形成され、例えば、自動車、コンピュータ、及び通信等の分野に応用されている。例えばプラスチック等の絶縁基板の表面に金属層を形成するために、多くの手段が用いられ得る。
しかしながら、絶縁体基板の表面にメッキする手段は更に改善される必要がある。
この要約は、下記の詳細な説明に更に記載された概念の選択を単純な形式で導入するために提供される。この要約は、請求された主題における重要な特徴又は本質的な特徴を特定することを意図せず、請求された主題の範囲を決定する目的として用いられることも意図しない。
それについて見ると、本開示は先行技術が有する少なくとも一つの問題を解決することを目的とする。従って、絶縁基板の表面にメッキする手段が提供され得る。
ＴｉＯ2-σ（０．０５≦σ＜１．８）の化合物とインク媒剤とを混合したインク組成物を調製され得、その後当該インク組成物が線状となるように絶縁基板の表面に塗布され得、また絶縁基板の表面の少なくとも一部にインク層が形成され得、その後、化学メッキ又は電気メッキの手段によって、インク層を有する絶縁基板の表面に金属層が形成され得、更に、信号変換経路が絶縁基板の表面に直接形成され得ることに基づいて、本開示は達成される。
本開示の第１の態様によれば、インク組成物を提供する。当該組成物は、金属化合物とインク媒剤とを備え、当該金属化合物は下記式Iの化合物及び下記式IIの化合物からなる群から選択される。
ＴｉＯ2-σ （I）
Ｍ1 Ｍ2 p Ｏq （II）
上記式I及びIIにおいて、０．０５≦σ＜１．８であり、Ｍ1 は、ＩＵＰＡＣの命名法に従う周期表の２、９〜１２族からなる群から選択される元素の少なくとも一つであり、Ｍ2 は、ＩＵＰＡＣの命名法に従う周期表の３〜８、１０、及び１３族からなる群から選択される元素の少なくとも一つであり、０＜ｐ≦２であり、０＜ｑ＜４である。
ＴｉＯ2-σ （I）
Ｍ1 Ｍ2 p Ｏq （II）
上記式I及びIIにおいて、０．０５≦σ＜１．８であり、Ｍ1 は、ＩＵＰＡＣの命名法に従う周期表の２、９〜１２族からなる群から選択される元素の少なくとも一つであり、Ｍ2 は、ＩＵＰＡＣの命名法に従う周期表の３〜８、１０、及び１３族からなる群から選択される元素の少なくとも一つであり、０＜ｐ≦２であり、０＜ｑ＜４である。
本開示の第２の態様によれば、絶縁基板におけるメッキするための表面上に本開示によるインク組成物を塗布し、インク層を有する絶縁基板を得るステップと、インク層を有する絶縁基板上に少なくとも一つの金属層をメッキするステップとを備える、絶縁基板の表面にメッキする方法を提供する。
本開示の第３の態様によれば、本開示の方法により製造され得る、金属表面を有する物品を提供する。
本開示によるインク組成物は、絶縁基板におけるメッキするための表面に塗布される。インク組成物を用いることで、電気メッキ又は化学メッキの前に、化学メッキの触媒を事前に調整すること又はレーザーエッチングを行うことを必要とせず、インク層を有する絶縁基板上に電気メッキ又は化学メッキを直接行い得る。信号変換経路を形成するために、絶縁基板の表面にメッキが行われ得る。本開示による絶縁基板の表面にメッキする方法は、種々の素材からなる絶縁基板に適用し得る良好な普遍性を有し、かつ工程が複雑でない。
加えて、一般的な導電性の貴金属（例えば銀）と比べ、本開示のインク組成物における導電性の金属化合物の原料は海外で低価格であり、信号変換部品の製造コストを著しく低減することができる。
本開示の実施形態における更なる態様及び効果は、以下の記載において部分的に与えられ、以下の記載から部分的に明らかとなり、又は本開示の実施形態の応用から知られる。
本開示の第１の態様によれば、インク組成物を提供する。当該組成物は、金属化合物及びインク媒剤とを備え、金属化合物は、下記式Iの化合物及び下記式IIの化合物からなる群から少なくとも一つ選択され得る。
ＴｉＯ2-σ （I）
Ｍ1 Ｍ2 p Ｏq （II）
上記式I及びIIにおいて、０．０５≦σ＜１．８であり、Ｍ1 は、ＩＵＰＡＣの命名法に従う周期表の２、９〜１２族からなる群から選択される元素の少なくとも一つであり、Ｍ2 は、ＩＵＰＡＣの命名法に従う周期表の３〜８、１０、及び１３族からなる群から選択される元素の少なくとも一つであり、０＜ｐ≦２であり、０＜ｑ＜４である（例えば本開示の一例として、ｑは、１〜３．９８となり得る）。
ＴｉＯ2-σ （I）
Ｍ1 Ｍ2 p Ｏq （II）
上記式I及びIIにおいて、０．０５≦σ＜１．８であり、Ｍ1 は、ＩＵＰＡＣの命名法に従う周期表の２、９〜１２族からなる群から選択される元素の少なくとも一つであり、Ｍ2 は、ＩＵＰＡＣの命名法に従う周期表の３〜８、１０、及び１３族からなる群から選択される元素の少なくとも一つであり、０＜ｐ≦２であり、０＜ｑ＜４である（例えば本開示の一例として、ｑは、１〜３．９８となり得る）。
本開示の一の実施形態において、σは約０．０５〜１．５となり得る。好ましくは、σは約０．０５〜１．２となり得る。より好ましくは、σは約０．３〜１．２となり得る。
本開示の一の実施形態において、金属化合物の平均粒子は、特定の適用状況に従って、適切に選択され得る。好ましくは、金属化合物は、約１ｎｍ〜１ミクロンの平均粒子径を有する。インクジェット印刷又はレーザー印刷の手段によって絶縁基板上にインク組成物を適用するとき、好ましくは、金属化合物は約１〜１００ｎｍの平均粒子径を有するということを、本開示の発明者は発見した。本開示のインク組成物によれば、金属化合物における上記範囲内の平均粒子径を作るために、先行技術において一般的に用いられている種々の方法を適用し得る。例えば、金属化合物における上記範囲内の平均粒子径を作るために、切削法（grinding method）を適用することができる。
本開示の好ましい実施形態において、式Iの化合物は、約１〜１００ｎｍの平均粒子径を有する。また、本開示の一の実施形態においては、式Iの化合物を含むインク組成物を有する絶縁基板上の金属層を形成する場合、式Iの化合物の総体積に基づいて、式Iの化合物の約５０〜１００体積％は、約１〜５０ｎｍの粒子径を有しており、メッキ速度は速くなり得る。また形成される金属層は、基板に対するより強い接着力を持ち得る。
本開示において、特に明記しない限り、平均粒子径は、スタティックレーザーテスター（static laser tester）を用いて計測されてもよいし、体積平均粒子径であってもよい。
本開示の一の実施形態において、式Iの化合物は市販されていてもよく、例えば大韓民国のボークワンケミカルカンパニー（Bo Kwang Chemical Company）から、Ｔｉｌｏｘという商標で市販されているチタンブラックであってもよい。
本開示の一の実施形態において、式Iの化合物は、先行技術におけるどのような従来の方法によって製造されてもよい。例えば、二酸化チタンが還元性雰囲気内で、か焼されることで式Iの化合物を得てもよい。か焼の温度及び時間は、式Iのσの値に従って適切に温度が選択され得る。一般的に、か焼の温度は約７３０〜８３０℃であってよく、か焼の時間は約２．５〜８時間であってもよい。当該還元性雰囲気は、従来技術で一般的に用いられている還元性雰囲気であってもよく、例えば、アンモニアガスによって雰囲気が形成されている。アンモニアガスによって形成されている雰囲気を用いたとき、当該アンモニアガスは、好ましくは、式Iの化合物を収容しているコンテナ内に継続的に投入されてもよく、アンモニアガスの流速は従来から選択されているものであってもよい。例えば、当該流速は約２〜６ｃｍ3 ／ｓでもよい。
本開示の一の実施形態において、Ｍ1 の具体例は、限定されないが、Ｍｇ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｂａ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｃｕ、及びＺｎの内の少なくとも一つとなり得、Ｍ2 の具体例は、限定されないが、Ｓｃ、Ｙ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｗ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｒｕ、Ｂ、Ａｌ、Ｇａ、及びＩｎの内の少なくとも一つとなり得る。
本開示の一の実施形態において、Ｍ1 は、ＩＵＰＡＣの命名法に従う周期表の１１族からなる群から選択される一つの元素であり例えばＣｕである。Ｍ2 は、ＩＵＰＡＣの命名法に従う周期表の８族からなる群から選択される一つの元素であり、例えば、Ｆｅ又はＲｕである。
本開示の一の実施形態において、金属化合物は、下記式IIIの化合物から選択される少なくとも一つである。
ＣｕＦｅＯ4-δ （III）
上記式IIIにおいて、０＜δ≦３であり、好ましくは、δは約０．０１〜２となり得、より好ましくは、δは約０．０２〜１となり得る。
ＣｕＦｅＯ4-δ （III）
上記式IIIにおいて、０＜δ≦３であり、好ましくは、δは約０．０１〜２となり得、より好ましくは、δは約０．０２〜１となり得る。
本開示の一の実施形態において、Ｍ1 は、ＩＵＰＡＣの命名法に従う周期表の１１族からなる群から選択される一つの元素であり、例えばＣｕである。Ｍ2 は、Ｍ21及びＭ22を有してもよく、Ｍ21は、ＩＵＰＡＣの命名法に従う周期表の８族からなる群から選択される一つの元素であり、例えば、Ｆｅ又はＲｕであってもよく、Ｍ22は、ＩＵＰＡＣの命名法に従う周期表の１３及び７族からなる群から選択される元素の少なくとも一つであり、例えば、Ｍｎ、Ａｌ、Ｂ、Ｇａ、及びＩｎから少なくとも一つ選択されてもよい。本開示の一の実施形態において、Ｍ1 及びＭ2 のモル比は約１：１となり得、Ｍ21及びＭ22のモル比は約１：０．１〜１０となり得る。Ｍ21及びＭ22のモル比は、好ましくは、１：０．５〜５となり得、より好ましくは、Ｍ21及びＭ22のモル比は１：０．５〜３となり得、更に好ましくは、Ｍ21及びＭ22のモル比は１：１〜３となり得る。
本開示の一の実施形態において、Ｍ22は、ＩＵＰＡＣの命名法に従う周期表の１３族からなる群から選択される一つの元素（例えば、Ｍ22は、Ｂ、Ａｌ、Ｇａ、又はＩｎであってもよい）であってもよい。同様に、Ｍ22は、ＩＵＰＡＣの命名法に従う周期表の７族からなる群から選択される一つの元素であってもよい（例えば、Ｍ22は、Ｍｎであってもよい）。また同様に、Ｍ22は、ＩＵＰＡＣの命名法に従う周期表の１３族からなる群から選択される一つの元素及び７族からなる群から選択される一つの元素であってもよい（例えば、Ｍ22は、Ａｌ及びＭｎであってもよい）。本開示の一の実施形態において、Ｍ22は、Ｍ221 及びＭ222 を有し、Ｍ221 は、ＩＵＰＡＣの命名法に従う周期表の１３族からなる群から選択される一つの元素であり、Ｍ222 は、ＩＵＰＡＣの命名法に従う周期表の７族からなる群から選択される一つの元素である。また、Ｍ221 及びＭ222 のモル比は、約１：０．１〜１０となり得、好ましくは、１：０．５〜２となり得る。本開示の一の実施形態において、金属化合物によって製造されたインク組成物を用いて基板上にインク層を形成し、インク層の表面に金属を更にメッキする場合、Ｍ22は、好ましくはＩＵＰＡＣの命名法に従う周期表の７族からなる群から選択される一つの元素であってもよい（例えば、Ｍ22はＭｎであってもよい）。そうすることで、速いメッキ速度となり得る。
本開示の一の実施形態において、金属化合物は、好ましくは、ＣｕＦｅ0.5 Ｍｎ0.5 Ｏ2.5 、ＣｕＦｅ0.5 Ａｌ0.5 Ｏ2.5 、及びＣｕＦｅ0.5 Ａｌ0.25Ｍｎ0.5 Ｏ2.5 から選択される少なくとも一つを含み、より好ましくは、ＣｕＦｅ0.5 Ｍｎ0.5 Ｏ2.5 を含む。
本開示の一の実施形態において、Ｍ1 は、ＩＵＰＡＣの命名法に従う周期表の２族からなる群から選択される一つの元素であり、例えば、Ｍ1 は、Ｍｇ、Ｃａ、Ｓｒ、又はＢａであってもよい。また、Ｍ2 は、ＩＵＰＡＣの命名法に従う周期表の１３族からなる群から選択される一つの元素であり、例えば、Ｍ2 は、Ｂ、Ａｌ、Ｇａ、又はＩｎであってもよい。
本開示の一の実施形態において、金属化合物は、下記式IVの化合物から選択される少なくとも一つを好ましくは含んでいる。
ＭｇＧａ2 Ｏ4-λ （IV）
上記式IVにおいて、０＜λ≦３、λは、０．０１〜２であることが好ましく、０．１〜１であることがより好ましく、０．１〜０．５であることが更に好ましい。
ＭｇＧａ2 Ｏ4-λ （IV）
上記式IVにおいて、０＜λ≦３、λは、０．０１〜２であることが好ましく、０．１〜１であることがより好ましく、０．１〜０．５であることが更に好ましい。
本開示の一の実施形態において、Ｍ1 は、ＩＵＰＡＣの命名法に従う周期表の１０族からなる群から選択される一つの元素であり、例えば、Ｍ1 はＮｉであってもよい。また、Ｍ2 は、ＩＵＰＡＣの命名法に従う周期表の６族からなる群から選択される一つの元素であり、例えば、Ｍ2 はＣｒ、Ｍｏ、又はＷであってもよい。
本開示の一の実施形態において、金属化合物は好ましくは、下記式Vの化合物から選択される少なくとも一つを含む。
ＮｉＭｏＯ4-μ （V）
上記式Vは、０＜μ≦３、μは、０．０１〜２であることが好ましく、０．１〜１であることがより好ましく、０．２〜０．５であることが更に好ましい。
ＮｉＭｏＯ4-μ （V）
上記式Vは、０＜μ≦３、μは、０．０１〜２であることが好ましく、０．１〜１であることがより好ましく、０．２〜０．５であることが更に好ましい。
本開示の一の実施形態において、Ｍ1 は、ＩＵＰＡＣの命名法に従う周期表の１１族からなる群から選択される一つの元素であり、Ｍ1 は例えばＣｕであってもよい。また、Ｍ2 は、ＩＵＰＡＣの命名法に従う周期表の１３族からなる群から選択される元素の少なくとも一つである。また、Ｍ2 は、ＩＵＰＡＣの命名法に従う周期表の１３族からなる群から選択される元素の少なくとも一つと、ＩＵＰＡＣの命名法に従う周期表の８族及び１０族からなる群から選択される元素の少なくとも一つとを備える。好ましい実施形態においては、Ｍ1 及びＭ2 のモル比は、好ましくは１：０．５〜１である。
本開示の一の実施形態において、Ｍ2 は、Ｍ23及びＭ24を有する。Ｍ23は、ＩＵＰＡＣの命名法に従う周期表の８族、１０族、及び１３族からなる群から選択される一つの元素であり、例えばＭ23は、Ｇａであるか、又はＧａとＦｅ及びＮｉから選択される少なくとも一つの元素とである。Ｍ24は、ＩＵＰＡＣの命名法に従う周期表の１３族からなる群から選択される一つの元素であり、好ましくは、Ｂである。好ましい実施形態において、Ｍ23及びＭ24の両方が、ＩＵＰＡＣの命名法に従う周期表の１３族からなる群から選択される一つの元素である場合、Ｍ23及びＭ24は異なる元素である。Ｍ23及びＭ24のモル比は、１：０．１〜１０であってもよく、１：０．５〜２であることが好ましく、１：０．５〜１．５であることがより好ましく、１：１であることが更に好ましい。
本開示の一の実施形態において、金属化合物は好ましくは、ＣｕＦｅ0.5 Ｂ0.5 Ｏ2.5 、ＣｕＮｉ0.5 Ｂ0.5 Ｏ2.5 、ＣｕＧａ0.5 Ｂ0.5 Ｏ2.5 、及びＣｕＢ0.7 Ｏ2 から選択される少なくとも一つを含む。
本開示の一の実施形態において、金属化合物は下記式VIの化合物を含む。
ＣａαＣｕ1-αＴｉＯ3-β （VI）
上記式VIにおいて、０≦α＜1かつβが約０〜２である。αは０．０５〜０．５であることが好ましく、αは０．１〜０．２５であることがより好ましい。βは０．０１〜２であることが好ましく、βは０．０１〜０．５であることがより好ましく、βは０．０５〜０．４であることが更に好ましい。
ＣａαＣｕ1-αＴｉＯ3-β （VI）
上記式VIにおいて、０≦α＜1かつβが約０〜２である。αは０．０５〜０．５であることが好ましく、αは０．１〜０．２５であることがより好ましい。βは０．０１〜２であることが好ましく、βは０．０１〜０．５であることがより好ましく、βは０．０５〜０．４であることが更に好ましい。
本開示の一の実施形態において、上に定義した金属化合物は、単体で用いられてもよいし、組み合わせて用いられてもよく、特別な制限はない。例えば、金属化合物は、上記式IIIの化合物、ＣｕＦｅ0.5 Ｍｎ0.5 Ｏ2.5 、ＣｕＦｅ0.5 Ａｌ0.5 Ｏ2.5 、ＣｕＦｅ0.5 Ａｌ0.25Ｍｎ0.5 Ｏ2.5 、上記式IVの化合物、上記式Vの化合物、ＣｕＦｅ0.5 Ｂ0.5 Ｏ2.5 、ＣｕＮｉ0.5 Ｂ0.5 Ｏ2.5 、ＣｕＧａ0.5 Ｂ0.5 Ｏ2.5 、ＣｕＢ0.7 Ｏ2 、及び上記式VIの化合物から選択される少なくとも一つとなり得る。
上の金属化合物を用いることによって本開示の目的は達成し得るが、金属化合物を含むインク組成物を用いることにより絶縁基板の表面にインク層が形成され、その後金属層が形成されるときに、インク組成物における式Iの金属化合物が以下の化合物から選択される少なくとも一つである場合、より高速のメッキ速度（特には電気メッキの方法を用いることによる）を得ることができることを、本開示の発明者は発見した。
（１）Ｍ1 がＩＵＰＡＣの命名法に従う周期表の１１族からなる群から選択される一つの元素であり、Ｍ2 がＩＵＰＡＣの命名法に従う周期表の８族からなる群から選択される一つの元素である式IIの化合物。
（２）Ｍ1 がＩＵＰＡＣの命名法に従う周期表の１１族からなる群から選択される一つの元素であり、Ｍ2 がＭ21及びＭ22を有し、Ｍ21がＩＵＰＡＣの命名法に従う周期表の８族からなる群から選択される一つの元素であり、Ｍ22がＩＵＰＡＣの命名法に従う周期表の１３族及び７族からなる群から選択される元素の少なくとも一つ（Ｍ22がＩＵＰＡＣの命名法に従う周期表の７族からなる群から選択される一つの元素であることが好ましい）である式IIの化合物。
また、（３）Ｍ1 がＩＵＰＡＣの命名法に従う周期表の１１族からなる群から選択される一つの元素であり、Ｍ2 がＩＵＰＡＣの命名法に従う周期表の１３族からなる群から選択される元素の少なくとも一つであり、Ｍ2 がＩＵＰＡＣの命名法に従う周期表の１３族からなる群から選択される元素の少なくとも一つと、ＩＵＰＡＣの命名法に従う周期表の８族及び１０族からなる群から選択される元素の少なくとも一つとを備える式IIの化合物。
また、（４）式VIの化合物（例えば、ＣａαＣｕ1-αＴｉＯ3-β）。
（１）Ｍ1 がＩＵＰＡＣの命名法に従う周期表の１１族からなる群から選択される一つの元素であり、Ｍ2 がＩＵＰＡＣの命名法に従う周期表の８族からなる群から選択される一つの元素である式IIの化合物。
（２）Ｍ1 がＩＵＰＡＣの命名法に従う周期表の１１族からなる群から選択される一つの元素であり、Ｍ2 がＭ21及びＭ22を有し、Ｍ21がＩＵＰＡＣの命名法に従う周期表の８族からなる群から選択される一つの元素であり、Ｍ22がＩＵＰＡＣの命名法に従う周期表の１３族及び７族からなる群から選択される元素の少なくとも一つ（Ｍ22がＩＵＰＡＣの命名法に従う周期表の７族からなる群から選択される一つの元素であることが好ましい）である式IIの化合物。
また、（３）Ｍ1 がＩＵＰＡＣの命名法に従う周期表の１１族からなる群から選択される一つの元素であり、Ｍ2 がＩＵＰＡＣの命名法に従う周期表の１３族からなる群から選択される元素の少なくとも一つであり、Ｍ2 がＩＵＰＡＣの命名法に従う周期表の１３族からなる群から選択される元素の少なくとも一つと、ＩＵＰＡＣの命名法に従う周期表の８族及び１０族からなる群から選択される元素の少なくとも一つとを備える式IIの化合物。
また、（４）式VIの化合物（例えば、ＣａαＣｕ1-αＴｉＯ3-β）。
メッキ速度を更に向上するために、金属化合物は、以下の化合物から少なくとも一つ選択されてもよい。
（１）Ｍ1 がＩＵＰＡＣの命名法に従う周期表の１１族からなる群から選択される一つの元素であり、Ｍ2 がＩＵＰＡＣの命名法に従う周期表の８族からなる群から選択される一つの元素である式IIの化合物。
（２）Ｍ1 がＩＵＰＡＣの命名法に従う周期表の１１族からなる群から選択される一つの元素であり、Ｍ2 がＭ21及びＭ22を有し、Ｍ21がＩＵＰＡＣの命名法に従う周期表の８族からなる群から選択される一つの元素であり、Ｍ22がＩＵＰＡＣの命名法に従う周期表の７族からなる群から選択される元素の少なくとも一つである式IIの化合物。
また、（３）式VIの化合物（例えば、Ｃａα Ｃｕ1-αＴｉＯ3-β）。
（１）Ｍ1 がＩＵＰＡＣの命名法に従う周期表の１１族からなる群から選択される一つの元素であり、Ｍ2 がＩＵＰＡＣの命名法に従う周期表の８族からなる群から選択される一つの元素である式IIの化合物。
（２）Ｍ1 がＩＵＰＡＣの命名法に従う周期表の１１族からなる群から選択される一つの元素であり、Ｍ2 がＭ21及びＭ22を有し、Ｍ21がＩＵＰＡＣの命名法に従う周期表の８族からなる群から選択される一つの元素であり、Ｍ22がＩＵＰＡＣの命名法に従う周期表の７族からなる群から選択される元素の少なくとも一つである式IIの化合物。
また、（３）式VIの化合物（例えば、Ｃａα Ｃｕ1-αＴｉＯ3-β）。
金属化合物は、以下の化合物から少なくとも一つ選択されることがより好ましい。
（１）Ｍ1 がＩＵＰＡＣの命名法に従う周期表の１１族からなる群から選択される一つの元素であり、Ｍ2 がＩＵＰＡＣの命名法に従う周期表の８族からなる群から選択される一つの元素である式IIの化合物。
（２）式VIの化合物（例えば、ＣａαＣｕ1-αＴｉＯ3-β）。
（１）Ｍ1 がＩＵＰＡＣの命名法に従う周期表の１１族からなる群から選択される一つの元素であり、Ｍ2 がＩＵＰＡＣの命名法に従う周期表の８族からなる群から選択される一つの元素である式IIの化合物。
（２）式VIの化合物（例えば、ＣａαＣｕ1-αＴｉＯ3-β）。
金属化合物は式IIIの化合物（例えば、ＣｕＦｅＯ4-δ）から少なくとも一つ選択されることが更に好ましく、向上したより速いメッキ速度を得ることができる。
加えて、インク組成物における金属化合物が次の化合物から少なくとも一つ選択された場合、当該インク組成物を用いることで基板表面上にインク層を形成することと金属層をメッキすることとにより形成される信号経路が、高い信号感度を有し得ることを、本開示の発明者は発見した。（１）式IVの化合物、（２）Ｍ1 がＩＵＰＡＣの命名法に従う周期表の１０族からなる群から選択される一つの元素であり、Ｍ2 がＩＵＰＡＣの命名法に従う周期表の６族からなる群から選択される一つの元素である式Vの化合物、（３）式VIの化合物（ＣａαＣｕ1-αＴｉＯ3-β）である。
本開示の一の実施形態において、更に好ましい金属化合物は、式VIの化合物から選択された少なくとも一つであり、それ故、より速いメッキ速度だけでなく、より高い信号感度を得ることができる。
本開示の一の実施形態において、式IIの化合物は市販のものであってもよく、また先行技術における従来の方法によって製造されてもよい。
本開示の一の実施形態において、金属化合物の製造方法は、
Ｍ1 の酸化物（M1 oxide）又はＭ1 の炭酸塩（M1 carbonate）（Ｍ1 の酸化物においては、Ｍ1 及びＯのモル比は（２／ｍ1 ）：１であり、ｍ1 はＭ1 の価数である）と、Ｍ2 の酸化物（M2 oxide）（Ｍ2 の酸化物においては、Ｍ2 及びＯのモル比は（２／ｍ2 ）：１であり、ｍ2 は、Ｍ2 の価数である）とを均一に混合し、混合物を形成するステップと、
非反応性雰囲気（non-reactive atmosphere）又は還元性雰囲気内で、形成した混合物をか焼し、金属化合物（例えば、Ｍ1 Ｍ2 p Ｏq ）を得るステップとを備える。
Ｍ1 の酸化物（M1 oxide）の量又はＭ1 の炭酸塩（M1 carbonate）の量とＭ2 の酸化物（M2 oxide）の量とは、最初に得られる金属化合物において、Ｍ1 及びＭ2 のモル比が１：ｐとなるように適切に選択される。
Ｍ1 の酸化物（M1 oxide）又はＭ1 の炭酸塩（M1 carbonate）（Ｍ1 の酸化物においては、Ｍ1 及びＯのモル比は（２／ｍ1 ）：１であり、ｍ1 はＭ1 の価数である）と、Ｍ2 の酸化物（M2 oxide）（Ｍ2 の酸化物においては、Ｍ2 及びＯのモル比は（２／ｍ2 ）：１であり、ｍ2 は、Ｍ2 の価数である）とを均一に混合し、混合物を形成するステップと、
非反応性雰囲気（non-reactive atmosphere）又は還元性雰囲気内で、形成した混合物をか焼し、金属化合物（例えば、Ｍ1 Ｍ2 p Ｏq ）を得るステップとを備える。
Ｍ1 の酸化物（M1 oxide）の量又はＭ1 の炭酸塩（M1 carbonate）の量とＭ2 の酸化物（M2 oxide）の量とは、最初に得られる金属化合物において、Ｍ1 及びＭ2 のモル比が１：ｐとなるように適切に選択される。
例えば、式IIIの化合物に関しては、当該化合物は、
酸化銅及び酸化鉄を混合し、混合物を形成するステップと、
式IIIの化合物(例えば、ＣｕＦｅＯ4-δ)を得るために、非反応性雰囲気（non-reactive atmosphere）及び還元性雰囲気内で、当該混合物をか焼するステップと
によって得てもよい。
酸化銅及び酸化鉄を混合し、混合物を形成するステップと、
式IIIの化合物(例えば、ＣｕＦｅＯ4-δ)を得るために、非反応性雰囲気（non-reactive atmosphere）及び還元性雰囲気内で、当該混合物をか焼するステップと
によって得てもよい。
式IVの化合物に関しては、当該化合物は、
酸化マグネシウム及び酸化ガリウムを均一に混合し、混合物を形成するステップと、
式IVの化合物（例えば、ＭｇＧａ2 Ｏ4-λ）を得るために、非反応性雰囲気（non-reactive atmosphere）及び還元性雰囲気内で、当該混合物をか焼するステップと
によって得てもよい。
酸化マグネシウム及び酸化ガリウムを均一に混合し、混合物を形成するステップと、
式IVの化合物（例えば、ＭｇＧａ2 Ｏ4-λ）を得るために、非反応性雰囲気（non-reactive atmosphere）及び還元性雰囲気内で、当該混合物をか焼するステップと
によって得てもよい。
式Vの化合物に関しては、当該化合物は、
酸化ニッケル及び酸化モリブデンを均一に混合し、混合物を形成するステップと、
式Vの化合物（例えば、ＮｉＭｏＯ4-μ）を得るために、非反応性雰囲気（non-reactive atmosphere）及び還元性雰囲気内で、当該混合物をか焼するステップと
によって得てもよい。
酸化ニッケル及び酸化モリブデンを均一に混合し、混合物を形成するステップと、
式Vの化合物（例えば、ＮｉＭｏＯ4-μ）を得るために、非反応性雰囲気（non-reactive atmosphere）及び還元性雰囲気内で、当該混合物をか焼するステップと
によって得てもよい。
式VIの化合物に関しては、当該化合物は、
炭酸カルシウム、酸化銅、及び酸化チタンを均一に混合し、混合物を形成するステップと、
式VIの化合物（例えば、ＣａαＣｕ1-αＴｉＯ3-β）を得るために、非反応性雰囲気（non-reactive atmosphere）及び還元性雰囲気内で、当該混合物をか焼するステップと
によって得てもよい。
炭酸カルシウム、酸化銅、及び酸化チタンを均一に混合し、混合物を形成するステップと、
式VIの化合物（例えば、ＣａαＣｕ1-αＴｉＯ3-β）を得るために、非反応性雰囲気（non-reactive atmosphere）及び還元性雰囲気内で、当該混合物をか焼するステップと
によって得てもよい。
本開示の一の実施形態において、か焼の温度は約５００〜１０００℃であってもよく、か焼の時間は約１〜１２時間であってもよい。
本開示の一の実施形態においては、非反応性雰囲気（non-reactive atmosphere）は、か焼の過程の間に反応物質及び反応生成物との化学的な相互作用を生じ得ない気体に関し、例えば、窒素とゼロ族の気体(例えば、アルゴン)とである。本開示の一の実施形態においては、還元性雰囲気は、水素と非反応性気体とが混合されたものを有し、水素濃度は、先行技術において従来のように選択され得る。
本開示の一の実施形態において、インク組成物はまた、インク媒剤を備えてもよい。絶縁基板の表面上にインク組成物を塗布するとき、インク媒剤は、絶縁基板の表面上に金属化合物を均一に分散させ、当該絶縁基板に対して、いくらかの強度及び接着力を有する層を形成する役割を果たし得る。
インク媒剤が上記役割を果たし得るように選択される限りにおいては、当該インク媒剤の種類について、本開示は特別の制限を持たない。インク媒剤は、有機バインダであることが好ましい。インク媒剤は、アセチルセルロース、ポリアクリレート系樹脂、エチレン−酢酸ビニル共重合体、ポリビニルアルコール、ポリビニルアセタール、ポリ酢酸ビニル、ポリビニルピロリドン、及びポリホスホン酸からなる群から選択される少なくとも一つであることがより好ましい。
本開示の一実施形態においては、インク媒剤は、アメリカ合衆国のイーストマンカンパニー（Eastman Company）からＣＡＢシリーズとして市販されているセルロースアセトブチレート（例えば、ＣＡＢ３８１−０．５、ＣＡＢ３８１−２０ ｏｆ ＣＡＢ５５１−０．２、及びＣＡＢ３８１−２の商標のセルロースアセトブチレート）であってもよい。また、インク媒剤は、日本の株式会社クラレからモビタール（Mowital）シリーズとして市販されているポリビニルブチラール（例えば、Ｍｏｗｉｔａｌ Ｂ ｏｆ ６０Ｔ、 Ｍｏｗｉｔａｌ Ｂ ７５Ｈ 、及びＭｏｗｉｔａｌ Ｂ ６０Ｈの商標のポリビニルブチラール）であってもよい。
本開示の一の実施形態においては、インク媒剤及び金属化合物の相対比は、金属化合物を絶縁基板の表面上に均一に分散させ得、いくらかの強度及び絶縁基板に対するいくらかの接着力を有するインク層を形成し得、インク層上に金属層をメッキし得る。一般的に、本開示によるインク組成物においては、金属化合物の１００重量部を基準として、インク媒剤の量は約１〜３０重量部であってもよい。式Iの化合物の１００重量部を基準として、インク媒剤の量は好ましくは約１．５〜１５重量部であってもよい。式IIの化合物の１００重量部を基準として、インク媒剤の量は好ましくは約１５〜３０重量部であってもよい。
本開示の一の実施形態においては、インク媒剤中に分散する金属化合物の均一性を更に改良するため、及び絶縁基板の表面上により均一な塗膜を形成するために、インク組成物はまた、溶媒を備えることが好ましい。本開示のインク組成物は、溶媒の種類に特別な制限を持たず、先行技術において従来から選択されている溶媒であってもよい。好ましくは、溶媒は、Ｈ2 Ｏ、Ｃ1 〜Ｃ12アルコール、Ｃ3 〜Ｃ12ケトン、Ｃ6 〜Ｃ12アレーン、Ｃ1 〜Ｃ12ハロゲン化アルキル、及びＣ2 〜Ｃ12ハロゲン化オレフィンからなる群から選択される少なくとも一つである。特には、溶媒は、メタノール、エタノール、ｎ−プロパノール、イソプロパノール、ｎ−ブタノール、ｔｅｒｔ−ブタノール、ｎ−ペンタノール、ｎ−ヘキサノール、ｎ−ヘプタノール、ｎ−オクタノール、アセトン、２−ｎ−アミルケトン、２−ｎ−ブタノン、３−メチル−２−ペンタノン、２，３−ブタンジオン、２，３−ペンタンジオン、２，５−ヘキサンジオン、１，３−シクロヘキサンジオン、トルエン、キシレン、及びトリクロロエチレンからなる群から選択される少なくとも一つであってもよい。
本開示の実施形態によれば、溶媒の量に特別な制限はなく、先行技術において従来から使用されている量の何れであってもよい。金属化合物がインク媒剤中に均一に分散され、絶縁基板上に塗膜層を形成可能となることを確保するために、溶媒の含有量は、金属化合物の１００重量部を基準として、約２０〜２００重量部である。溶媒の含有量は、式Iの化合物の１００重量部を基準として、約３０〜１２０重量部が好ましい。溶媒の含有量は、式IIの化合物の１００重量部を基準として、約２０〜１００重量部が好ましい。
本開示の一の実施形態において、インク組成物はまた、本開示のインク組成物に特定の性能又は機能性を与えるための特定の目的に従う各種の一般的な助剤を含んでいてもよい。助剤は、分散剤、消泡剤、つや消し剤、及び粘度調整剤からなる群から選択される少なくとも一つであることが好ましい。
助剤の使用量は、先行技術において従来選択されている量であってもよい。助剤の総量は、金属化合物の１００重量部を基準として、約０．１〜２０重量部であることが好ましく、約０．５〜１０重量部であることが好ましい。
本開示の一の実施形態においては、分散剤は、インク媒剤及び任意の溶媒中の金属化合物を分散させるための時間を短縮するためと、インク媒剤及び任意の溶媒中の金属化合物の分散安定性を高めるためとに用いられる。分散剤は、先行技術において上記機能を達成することができる各種の一般的な物質であってもよい。例えば当該分散剤は、脂肪族アミンの分散剤、アルコールアミンの分散剤、環状不飽和アミン（cyclic unsaturated amine）の分散剤、脂肪酸の分散剤、脂肪族アミドの分散剤、エステルの分散剤、パラフィンの分散剤、リン酸塩（phosphate）の分散剤、ポリマーの分散剤（例えば、アクリレートの分散剤及びポリエステルの分散剤）、並びに有機ホスホン酸の分散剤（organic phosphonic dispersant）のような、先行技術において一般的に使用されている有機分散剤であってもよい。
本開示の一の実施形態においては、分散剤は、先行技術における各種の一般的な市販の分散剤であってもよい。具体的には、当該分散剤は、以下の分散剤からなる群から少なくとも一つ選択されてもよい。ＡＮＴＩ−ＴＥＲＲＡ−Ｕ、ＡＮＴＩ−ＴＥＲＲＡ−Ｕ ８０、ＡＮＴＩ−ＴＥＲＲＡ−Ｕ １００、ＤＩＳＰＥＲＢＹＫ−１０１、ＤＩＳＰＥＲＢＹＫ−１３０、ＢＹＫ−２２０ Ｓ、ＬＡＣＴＩＭＯＮ、ＬＡＣＴＩＭＯＮ−ＷＳ、ＢＹＫ−Ｗ ９６６、ＤＩＳＰＥＲＢＹＫ、ＢＹＫ−１５４、ＢＹＫ−９０７６、ＤＩＳＰＥＲＢＹＫ−１０８、ＤＩＳＰＥＲＢＹＫ−１０９、ＤＩＳＰＥＲＢＹＫ−１１０、ＤＩＳＰＥＲＢＹＫ−１０２、ＤＩＳＰＥＲＢＹＫ−１１１、ＤＩＳＰＥＲＢＹＫ−１８０、ＤＩＳＰＥＲＢＹＫ−１０６、ＤＩＳＰＥＲＢＹＫ−１８７、ＤＩＳＰＥＲＢＹＫ−１８１、ＤＩＳＰＥＲＢＹＫ−１４０、ＤＩＳＰＥＲＢＹＫ−１４２、ＤＩＳＰＥＲＢＹＫ−１４５、ＤＩＳＰＥＲＢＹＫ−１１５、ＤＩＳＰＥＲＢＹＫ−１６０、ＤＩＳＰＥＲＢＹＫ−１６１、ＤＩＳＰＥＲＢＹＫ−１６２、ＤＩＳＰＥＲＢＹＫ−１６３、ＤＩＳＰＥＲＢＹＫ−１６４、ＤＩＳＰＥＲＢＹＫ−１６５、ＤＩＳＰＥＲＢＹＫ−１６６、ＤＩＳＰＥＲＢＹＫ−１６７、ＤＩＳＰＥＲＢＹＫ−１８２、ＤＩＳＰＥＲＢＹＫ−１８３、ＤＩＳＰＥＲＢＹＫ−１８４、ＤＩＳＰＥＲＢＹＫ−１８５、ＤＩＳＰＥＲＢＹＫ−１６８、ＤＩＳＰＥＲＢＹＫ−１６９、ＤＩＳＰＥＲＢＹＫ−１７０、ＤＩＳＰＥＲＢＹＫ−１７１、ＤＩＳＰＥＲＢＹＫ−１７４、ＤＩＳＰＥＲＢＹＫ−１９０、ＤＩＳＰＥＲＢＹＫ−２１５０、ＢＹＫ−９０７７、ＤＩＳＰＥＲＢＹＫ−１１２、ＤＩＳＰＥＲＢＹＫ−１１６、ＤＩＳＰＥＲＢＹＫ−１９１、ＤＩＳＰＥＲＢＹＫ−１９２、ＤＩＳＰＥＲＢＹＫ−２０００、ＤＩＳＰＥＲＢＹＫ−２００１、ＤＩＳＰＥＲＢＹＫ−２０１０、ＤＩＳＰＥＲＢＹＫ−２０２０、ＤＩＳＰＥＲＢＹＫ−２０２５、ＤＩＳＰＥＲＢＹＫ−２０５０、及びＤＩＳＰＥＲＢＹＫ−２０７０の商標で、ドイツのビーワイケイカンパニー（BYK Company）から市販されている分散剤。ＰＨＯＳＰＨＬＡＮ ＰＳ−２６の商標でオランダのアクゾノーベルカンパニー（Akzo Nobel Company）から市販されている分散剤。ＰＳ−２１Ａの商標でアメリカ合衆国のウィトコケミカルカンパニー（Witco Chemical Company）から市販されている分散剤。イギリスのコロダカンパニー（Croda Company）から市販されている、ハイペルマー・ケイディー（Hypermer KD）シリーズ及びゼフリム・ピーディー（Zephrym PD）シリーズの分散剤。
本開示の一の実施形態において、分散剤の使用量は、先行技術における従来の使用量であってもよい。一般的には、分散剤の量は、金属化合物１００重量部を基準として、約０．１〜４重量部であってもよい。
本開示の一の実施形態において、消泡剤は、先行技術において泡の形成を抑えることができる各種の一般的な物質であってもよく、形成された泡を破壊又は系から遊離することができる各種の一般的な物質であってもよい。例えば、当該消泡剤は、有機シリコーンの消泡剤、ポリエーテルの消泡剤、高級アルコールの消泡剤であってもよい。当該消泡剤は、有機シリコーンの消泡剤が好ましい。
本開示の一の実施形態において、消泡剤は、先行技術における各種の一般的な市販の消泡剤であってもよい。具体的には、当該消泡剤は、ＢＹＫ−０５１、ＢＹＫ−０５２、ＢＹＫ−０５３、ＢＹＫ−０５５、ＢＹＫ−０５７、ＢＹＫ−０２０、ＢＹＫ−０６５、ＢＹＫ−０６６Ｎ、ＢＹＫ−０６７Ａ、ＢＹＫ−０７０、ＢＹＫ−０８０Ａ、ＢＹＫ−０８８、ＢＹＫ−１４１、ＢＹＫ−０１９、ＢＹＫ−０２１、ＢＹＫ−０２２、ＢＹＫ−０２３、ＢＹＫ−０２４、ＢＹＫ−０２５、ＢＹＫ−０２８、ＢＹＫ−０１１、ＢＹＫ−０３１、ＢＹＫ−０３２、ＢＹＫ−０３３、ＢＹＫ−０３４、ＢＹＫ−０３５、ＢＹＫ−０３６、ＢＹＫ−０３７、ＢＹＫ−０３８、ＢＹＫ−０４５、ＢＹＫ−Ａ５３０、ＢＹＫ−Ａ５５５、ＢＹＫ−０７１、ＢＹＫ−０６０、ＢＹＫ−０１８、ＢＹＫ−０４４、及びＢＹＫ−０９４の商標で、ドイツのビーワイケイカンパニー（BYK Company）から市販されている消泡剤からなる群から少なくとも一つ選択されてもよい。
本開示の一の実施形態において、消泡剤の使用量は、先行技術における従来からの使用量であってもよい。好ましくは、消泡剤の使用量は、金属化合物の１００重量部を基準として、約０．１〜３重量部であってもよい。
本開示の一の実施形態において、つや消し剤は、インクがより平坦で、滑らかで、均一な塗膜層を、乾燥及び塗膜形成の工程中に形成することを促進するために用いられる。本開示は、つや消し剤の種類に特別な制限を持たず、先行技術において上記機能を達成することができる各種の一般的な物質であってもよい。例えば、当該つや消し剤は、ポリアクリレートのつや消し剤、ポリジメチルシロキサンのつや消し剤、ポリメチルフェニルシロキサンのつや消し剤、及び含フッ素界面活性剤からなる群から少なくとも一つ選択されてもよい。
本開示の一の実施形態において、つや消し剤は、先行技術における各種の一般的な市販のつや消し剤であってもよい。例えば、当該つや消し剤は、ＢＹＫ−３３３、ＢＹＫ−３０６、ＢＹＫ−３５８Ｎ、ＢＹＫ−３１０、ＢＹＫ−３５４、及びＢＹＫ−３５６の商標で、ドイツのビーワイケイカンパニー（BYK Company）から市販されているつや消し剤からなる群から少なくとも一つ選択されてもよい。
本開示の一の実施形態において、つや消し剤の使用量は、従来の使用量であってもよく、特別な制限はない。つや消し剤の量は、金属化合物の１００重量部を基準として、約０．３〜４重量部（例えば約０．３〜１重量部であってもよい）であることが好ましい。
本開示の一の実施形態において、粘度調整剤は、インク組成物の粘度を調整するために用いられる。本開示は、粘度調整剤の種類に特別の制限を持たず、先行技術において従来から選択されるものであってもよい。例えば、粘度調整剤は、ガスシリカ（gas silica）、ポリアミドのろう、有機ベントナイト、水素化ヒマシ油（hydrogenated castor oil）、金属せっけん、ヒドロキシアルキルセルロース及びその誘導体、ポリビニルアルコール、並びにポリアクリレートからなる群から少なくとも一つ選択されてもよい。
本開示の一の実施形態において、使用量は、先行技術において従来から選択される程度であってもよい。粘度調整剤の量は、金属化合物の１００重量部を基準として、約０．３〜３重量部（例えば、約０．３〜１重量部であってもよい）であることが好ましい。
本開示の一の実施形態において、インク組成物は、上記のように定義された、金属化合物、インク媒剤、溶媒、消泡剤、つや消し剤、及び粘度調整剤を備える。金属化合物の１００重量部を基準として、インク媒剤の量は約１〜３０重量部であり、溶媒の量は約２０〜２００重量部であり、分散剤の量は約０．４〜４重量部であり、消泡剤の量は約０．１〜３重量部であり、つや消し剤の量は約０．３〜４重量部であり、粘度調整剤の量は約０．３〜３重量部である。
本開示によるインク組成物の製造方法は、金属化合物及びインク媒剤と任意の溶媒及び助剤とを均一に混合し得る限りにおいては特別に制限されない。例えば、金属化合物及びインク媒剤と任意の溶媒及び助剤とを混合器（遊星型ボールミル等）内で混合し、本開示のインク組成物を得てもよい。混合器内で均一に混合する方法及び条件は当技術分野で知られているため、繰り返し言及する必要はない。
本開示によるインク組成物は、絶縁（例えば、非導電性）基板の表面に塗布され得、また、絶縁基板の表面に化学メッキ又は電気メッキが施されることで絶縁基板の表面にメッキし得、その後、非導電性基板の表面に信号伝送路が形成される。
本開示の他の態様においては、絶縁基板の表面にメッキする方法が同様に提供され、当該方法は、絶縁基板におけるメッキするための表面に、本開示によるインク組成物を塗布し、インク層を有する絶縁基板を得るステップ、及びインク層を有する絶縁基板上に少なくとも一つの金属層をメッキするステップを備える。
本開示の実施形態によれば、絶縁基板の表面上に本開示のインク組成物を塗布するために、先行技術における各種の一般的な方法を適用し得る。例えば、スクリーン印刷、吹き付け、レーザー印刷、インクジェット印刷、転写印刷、グラビア印刷、活版印刷、及びリトグラフからなる群から選択される少なくとも一つの方法を用いることにより、絶縁基板におけるメッキするための表面上に、本開示のインク組成物により形成されるインクを塗布してもよく、一般的な方法を繰り返し言及する必要はない。
本開示の一の実施形態において、当該方法はまた、絶縁基板の表面上にインク組成物を塗布し、インク組成物を有する基板に乾燥を施すことを備えていてもよい。本開示の乾燥方法は特別な制限を持たず、インク組成物中のインク媒剤及び任意の溶媒の種類によって適切に選択され得る。例えば、乾燥温度は約４０〜１５０℃であってもよいし、乾燥時間は約０．５〜５時間であってもよい。乾燥は、大気圧の下で実行されてもよいし、また、減圧下で実行されてもよい。
本開示の一の実施形態において、絶縁基板の表面上に電気メッキ又は化学メッキが実行し得る限り、インク層の厚さは、インク組成物の構成物質によって適切に選択し得る。好ましくは、インク層は約８〜５０ミクロンの厚さを有し得る。より好ましくは、インク層は、約１２〜４０ミクロンの厚さを有し得る。更に好ましくは、インク層は、約１２〜２５ミクロンの厚さを有し得る。
本開示の一の実施形態において、当該方法はまた、電気メッキ又は化学メッキを用いることによりインク層を有する絶縁基板上に少なくとも一つの金属層をメッキすることを備えていてもよい。絶縁基板の表面上に形成され、本開示によって提供されたインク組成物を有するインク層は、電気伝導性を有し得る。また、絶縁基板の表面に直接化学メッキ又は電気メッキを行い得る。また、化学メッキ又は電気メッキの工程中、インク層を有さない絶縁基板の表面にはメッキされない。
本開示の一の実施形態において、基板表面のインク層上への化学メッキ又は電気メッキの方法は、特別の制限を持たず、先行技術において従来から選択されるものであってもよく、繰り返し言及する必要はない。
本開示の一の実施形態において、特定の動作要件に従って、基板表面のインク層上に化学メッキ又は電気メッキが少なくとも１回実行され、基板表面上に少なくとも一つの金属層を形成してもよい。本開示の一の実施形態においては、基板上に少なくとも１回化学メッキ又は金属メッキを行い、基板表面上に多層化した金属層を形成する場合、各金属層の構成物質及び厚さは、特定の動作要件によって適切に選択され得、各金属層は同じであってもよいし異なっていてもよい。
好ましくは、金属層は少なくとも２層を備え得る。一の実施形態において、基板表面上にＣｕの層が形成され、当該Ｃｕの層の外面にＮｉの層が形成される。一の実施形態において、基板表面上に第１のＮｉの層が形成され、当該第１のＮｉの層の外面にＣｕの層が形成され、当該Ｃｕの層の外面に第２のＮｉの層が形成される。一の実施形態において、基板表面上に第１のＮｉの層が形成され、当該第１のＮｉの層の外面にＣｕの層が形成され、当該Ｃｕの層の外面に第２のＮｉの層が形成され、当該第２のＮｉの層の外面にＡｕの層が形成される。一の実施形態において、基板表面上にＣｕの層が形成され、当該Ｃｕの層の外面にＮｉの層が形成され、当該Ｎｉの層の外面にＡｇの層が形成される。当該特定の動作要件を満たし得る限りにおいては、各金属層の厚さに対して、本開示の方法は特別の制限を持たない。一般的には、Ｎｉの層の厚さは約３〜４ミクロンとなり得、Ｃｕの層の厚さは約１０〜６０ミクロンとなり得、Ａｕの層の厚さは約０．０２〜０．０８ミクロンとなり得る。
本開示の方法は様々な絶縁基板にメッキし得、例えば絶縁基板は、プラスチック基板、ゴム基板、繊維基板、コーティングによって形成されたコーティング層、セラミック基板、ガラス基板、木質基板、セメント基板、又は紙であってもよい。好ましくは、絶縁基板は、プラスチック基板又はセラミック基板となり得る。絶縁基板が可撓性プラスチック（例えば、ポリエチレン−グリコール−テレフタレート、ポリイミド、ポリカーボネート、ポリエーテル−ケトン、ポリエーテル−エーテル−ケトン、又は液晶ポリマー）である場合、本開示のインク組成物は基板表面上に塗布され得る。また、基板をメッキすることにより得られる物品は、特にはフレキシブル回路基板を製造することに適している。
本開示の一の実施形態における一の好ましい実施形態においては、絶縁基板はガラス基板、セラミック基板、又はセメント基板（好ましくはセラミック基板）であってもよい。当該方法は更に、メッキするステップの前に、インク層を有する絶縁基板に非反応性雰囲気（non-reactive atmosphere）内において約５００〜１０００℃の温度で加熱処理を施すことを備えていてもよい。これは、本開示の方法によって形成される金属層の基板に対する接着力（例えば、結合力）を更に向上し得る。基板に対する金属層の接着力を更に向上するためには、加熱処理の温度を約７００〜９００℃とする。最終的に形成される金属層の基板に対する接着力の向上を確保する限りにおいては、本開示は加熱処理の時間に対して特別の制限を持たない。加熱処理の時間は、約１〜５時間が好ましい。本開示の一の実施形態においては、非反応性雰囲気（non-reactive atmosphere）は、化学的に不活性の気体によって形成されている雰囲気に関し、例えば、窒素雰囲気、ゼロ族ガス（例えば、Ａｒ）によって形成される雰囲気である。
本開示の一の実施形態においては、最終的に形成される金属層の基板に対する接着力を更に向上するために、絶縁基板におけるメッキするための表面上にインク組成物を塗布する方法は、インク組成物及び無機バインダを混合し、混合物を形成することと、メッキするための表面上に混合物を塗布することとを備える。無機バインダの量は、インク組成物の１００重量部を基準として、約１〜１５重量部である。無機バインダの量は、インク組成物の１００重量部を基準として、約５〜１５重量部であることが好ましく、無機バインダの量は、インク組成物の１００重量部を基準として、約５〜１０重量部であることがより好ましい。
本開示の方法は、無機バインダの種類に特別の制限を持たず、先行技術における各種の一般的な無機バインダであってもよい。無機バインダは、ＳｉＯ2 、ＣａＯ、Ｎａ2 Ｏ、ＺｎＯ、及びＮｉ2 Ｏ3 からなる群から少なくとも一つ選択されることが好ましい。
本開示の他の好ましい実施形態においては、基板は、ポリマー基板又は紙基板である。絶縁基板におけるメッキするための表面上にインク組成物を塗布する方法は、インク組成物及びエポキシ樹脂バインダを混合して、混合物を形成することと、メッキするための表面上に混合物を塗布することと、約６０〜１５０℃の温度で表面上のインク組成物を硬化することとを備える。エポキシ樹脂バインダの量は、インク組成物の１００重量部を基準として、約５〜１０重量部である。このことは、最終的に基板に対して形成される金属層の接着力を更に向上させ得る。
本開示の一の実施形態において、エポキシ樹脂バインダは、エポキシ樹脂及びエポキシ樹脂を硬化するための硬化剤を含む。
本開示の一の実施形態においては、当該方法は、エポキシ樹脂におけるエポキシドの値に特別の制限を持たず、先行技術において従来から選択されるものであってもよい。エポキシ樹脂におけるエポキシドの値は、約０．５〜０．９ｍｏｌ／１００ｇが好ましい。本開示は、エポキシ樹脂の種類に特別の制限を持たず、先行技術における各種の一般的なエポキシ樹脂であり、例えば、芳香族エポキシ樹脂、脂肪族エポキシ樹脂、脂環式エポキシ樹脂であってもよい。特には、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、テトラフェノールエタン型エポキシ樹脂（tetraphenols ethane epoxy resin）、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−エポキシプロピル−４，４’−ジアミノジフェニルメタン（N,N,N',N'-four epoxy propyl-4,4'-diaminodiphenylmethane）、４−（２，３−エポキシプロポキシ）−Ｎ，Ｎ−ジ（２，３−エポキシプロピル）アニリン（4-(2,3-epoxypropoxy)-N,N-di(2,3-epoxy propyl) aniline）、３，４−エポキシシクロヘキシルメチル−３，４−エポキシシクロヘキシルカルボン酸エステル（3,4-epoxy cyclohexyl methyl-3,4-epoxycyclohexyl carboxylic acid ester）、４−ビニル−１−シクロヘキセンジエポキシド（4-vinyl-1-cyclohexene diepoxide）、ジシクロペンタジエンエポキシド（dicyclopentadiene epoxide）、ペンタエリスリトールジグリシジルエーテル（pentaerythritol diglycidyl ether）、１，４−ブタンジオールジグリシジルエーテル（1,4-butanediol diglycidyl ether）、１，６−ヘキサンジオールジグリシジルエーテル環（1,6-ring hexanediol diglycidyl ether）、テトラヒドロフタル酸ジグリシジルエステル（tetrahydrophthalic acid diglycidyl ester）、ヘキサヒドロフタル酸ジグリシジルエステル（hexahydrophthalic acid diglycidyl ester）、４，５−エポキシテトラヒドロフタル酸ジグリシジルエステル（4,5-epoxytetrahydrophthalic acid diglycidyl ester）、１，２−エポキシヘキサデカン、ｎ−ブチルグリシジルエーテル（n-butyl glycidyl ether）、エチレングリコールジグリシジルエーテル、１，６−ヘキサンジオールジグリシジルエーテル、ポリエチレングリコールジグリシジルエーテル（polyethylene glycol diglycidyl ether）、１，４−ブタンジオールジグリシジルエーテル、トリメチロールプロパントリグリシジルエーテル、ネオペンチルグリコールジグリシジルエーテル、アリルグリシジルエーテル、及びグリセロールジグリシジルエーテルからなる群から、エポキシ樹脂は少なくとも一つ選択されるものであってもよい。
本開示による方法は硬化剤の種類に特別の制限を持たず、エポキシ樹脂に架橋反応を起こさせる各種の一般的なアミン硬化剤及び／又は無水物硬化剤であってもよい。例えば、無水フタル酸、無水トリメリット酸、ピロメリト酸二無水物（pyromellitic dianhydride）、ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物（benzophenone tetracarboxylic acid dianhydride）、無水マレイン酸、桐油無水物（tung anhydride）、オレフィンコハク酸無水物（olefinic succinic anhydride）、テトラヒドロフタル酸無水物、ヘキサヒドロフタル酸無水物、メチルテトラヒドロフタル酸無水物（methyl-tetrahydro-phthalic anhydride）、メチルヘキサヒドロフタル酸無水物（methyl-hexahydrophthalic anhydride）、ナド酸無水物 (例えば、ノルボンネン無水物（norbornene anhydride）)、水素化ナド酸無水物（hydrogenated nadic anhydride）、メチルナド酸無水物、グルタル酸無水物、テルペン酸無水物（terpene anhydride）、メチルヘキセン環テトラカルボン酸二無水物（methyl ring hexene tetracarboxylicdianhydride）、ドデセニル無水コハク酸、ポリアゼライン酸無水物（polyazelaic anhydride）、ポリセバシン酸無水物（poly sebacic anhydride）、テトラブロモフタル酸無水物、テトラクロロフタル酸無水物（tetrachlorophthalic anhydride）、トリメリト酸無水物、エチレングリコールエステル類（ethylene glycol esters）、トリメリト酸無水物グリセリド類（the trimellitic anhydride glycerides）、ジフェニルスルホンテトラカルボン酸二無水物（diphenylsulfonetetracarboxylic acid dianhydride）、エチレンジアミン、ジエチレントリアミン、ジアミノジフェニルスルホン、ジアミノジフェニルメタン、ｍ−フェニレンジアミン、ジシアンジアミド、ポリエーテルアミン（a polyether amine）、ジエチレントリアミン、ヘキシルジアミン（hexyldiamine）、トリメチルヘキサメチレンジアミン（trimethyl hexamethylene diamine）、及びテトラエチレンペンタミンからなる群から、硬化剤は少なくとも一つ選択されるものであってもよい。
本開示によれば、硬化剤の使用量は、エポキシ樹脂における種類及びエポキシドの値に従って適切に選択され得る。例えば、硬化剤がアミン硬化剤である場合、硬化剤の理論的な使用量は下記式によって決定することができる（但し、エポキシ樹脂の１００重量部が基準である）。
アミン硬化剤の使用量＝（アミンの等価重量／エポキシ樹脂の等価重量）×１００
アミンの等価重量＝アミン硬化剤の分子量／アミンの活性水素
アミン硬化剤の使用量＝（アミンの等価重量／エポキシ樹脂の等価重量）×１００
アミンの等価重量＝アミン硬化剤の分子量／アミンの活性水素
硬化剤が無水物硬化剤である場合、硬化剤の理論的な使用量は下記式によって決定することができる（但し、エポキシ樹脂の１００重量部が基準である）。
硬化剤の使用量＝（Ｋ×Ｍ×Ｅ）／Ｎ
但し、
Ｍは、硬化剤の相対分子質量であり、単位はｇ／ｍｏｌである。
Ｎは、一の硬化剤の分子における無水物単位の数である。
Ｅは、エポキシドの値であり、単位はｍｏｌ／１００ｇである。
Ｋは、実験係数である。促進剤が用いられていない場合、塩素含有の無水物に関しては、Ｋは０．６であり、残りの無水物に関しては、Ｋは０．８５である。また、促進剤として第三級アミンが用いられている場合、Ｋは１．０である。また、促進剤として第三級アミン及びＭ（ＢＦ4 ）n が用いられている場合、Ｋは０．８である。
硬化剤の使用量＝（Ｋ×Ｍ×Ｅ）／Ｎ
但し、
Ｍは、硬化剤の相対分子質量であり、単位はｇ／ｍｏｌである。
Ｎは、一の硬化剤の分子における無水物単位の数である。
Ｅは、エポキシドの値であり、単位はｍｏｌ／１００ｇである。
Ｋは、実験係数である。促進剤が用いられていない場合、塩素含有の無水物に関しては、Ｋは０．６であり、残りの無水物に関しては、Ｋは０．８５である。また、促進剤として第三級アミンが用いられている場合、Ｋは１．０である。また、促進剤として第三級アミン及びＭ（ＢＦ4 ）n が用いられている場合、Ｋは０．８である。
通常は、硬化剤の使用量は、理論量の約０．９〜１．２倍となり得る。
本開示によれば、エポキシ樹脂バインダはまた、硬化促進剤を含んでいてもよく、硬化促進剤は、先行技術における各種の一般的な硬化剤であってもよく、本開示においては特に限定されない。例えば、硬化促進剤は、２ＭＺ、Ｃ１１Ｚ、Ｃ１７Ｚ、１．２ＤＭＺ、２Ｅ４ＭＺ、２ＰＺ、２Ｐ４ＭＺ、１Ｂ２ＭＺ、１Ｂ２ＰＺ、２ＭＺ−ＣＮ、Ｃ１１Ｚ−ＣＮ、Ｃ１１Ｚ−ＣＮＳ、２Ｅ４ＭＺ−ＣＮ、２ＰＺ−ＣＮ、２ＰＺＣＮＳ−ＰＷ、２ＭＺ−Ａ、Ｃ１１Ｚ−Ａ、２Ｅ４ＭＺ−Ａ、ＡＭＡ−ＯＫ、２ＰＺ−ＯＫ、２ＰＨＺ−ＰＷ、２Ｐ４ＭＨＺ−ＰＷ、及びＰ−０５０５の商標で日本の四国化成から市販されているＴＢＺの促進剤からなる群から選択される少なくとも一つであってもよい。硬化促進剤の使用量は、当技術分野で知られているため、繰り返し言及する必要はない。
本開示は、硬化時間に対しては特別な制限を持たず、先行技術において従来から選択されるものであってもよい。例えば、硬化時間は約１〜５時間であってもよい。
本開示はまた、本開示の方法によって製造されたメッキされている表面を有している物品を提供する。上述のインク組成物又は方法の特徴及び効果はまた、当該物品に適用できることに留意されたい。
本発明は更に、以下に実験例として記載される。実験例及び比較例での原料は、全て市販されているものである。
以下の実験例においては、金属化合物の組成は、Ｘ線光電子分光法（ＸＰＳ）によって計測される。
以下の実験例においては、金属化合物の粒子径は、チョントゥーファインニューパウダーテスティングイクイップメント（Chengdu fine new Powder Testing Equipment）株式会社から市販されているレーザー粒子径テスター（laser particle size tester）を用いて計測される。
以下の実験例においては、インク層の厚さは、走査電子顕微鏡法（ＳＥＭ）を用いて計測される。
以下の実験例においては、基板表面に形成される金属層の接着力は、クロスカットテープ試験（Cross-Cut Tape Test）の手段によって計測される。特には、クロスカットテープ試験は、１０×１０の正方形からなり、各正方形が１ｍｍ×１ｍｍである格子模様の切れ目を試験試料の表面に入れることを備え、各切れ目は金属層の底層まで達している。またクロスカットテープ試験は、ブラシを用いて試験試料を清掃し、試験領域から屑を取り除くことと、格子模様を覆ってテープ（３Ｍ Ｎｏ．６００のテープ）を接着することと、自由端をつかみ、垂直方向に素早く引張り取ることによってテープを取り除くこととを備えている。同じ部分に同じ試験が２回繰り返され、以下の基準に従って、接着力の等級が決定される。
５Ｂ：切れ目の縁が滑らかであり、格子の正方形が何れも剥離していない。
４Ｂ：格子の交差点で小さな薄片の剥離があり、かつ剥離した領域が５％未満である。
３Ｂ：格子の交差点及び縁に小さな薄片の剥離があり、かつ剥離した領域が５〜１５％である。
２Ｂ：格子の交差点及び縁に大きな薄片の剥離があり、かつ剥離した領域が１５〜３５％である。
１Ｂ：格子の交差点及び縁に大きな薄片の剥離があり、かつ剥離した領域が３５〜６５％である。
０Ｂ：格子の交差点及び縁に大きな薄片の剥離があり、かつ剥離した領域が６５％よりも大きい。
５Ｂ：切れ目の縁が滑らかであり、格子の正方形が何れも剥離していない。
４Ｂ：格子の交差点で小さな薄片の剥離があり、かつ剥離した領域が５％未満である。
３Ｂ：格子の交差点及び縁に小さな薄片の剥離があり、かつ剥離した領域が５〜１５％である。
２Ｂ：格子の交差点及び縁に大きな薄片の剥離があり、かつ剥離した領域が１５〜３５％である。
１Ｂ：格子の交差点及び縁に大きな薄片の剥離があり、かつ剥離した領域が３５〜６５％である。
０Ｂ：格子の交差点及び縁に大きな薄片の剥離があり、かつ剥離した領域が６５％よりも大きい。
以下の実験例においては、全等方感度（Total Isotropic Sensitivity: TIS）は、ＹＤ／Ｔ １４８４−２００６に規定する方式を用いて計測され、ＧＭＳ１８００のシステムが適用される。また、基板の表面がメッキされ、受信機のアンテナとしてのパターンを形成する。計測は、自由空間中においてアンテナが機能しないモードの下で行われ、計測の周波数は２１１２ＭＨｚである。計測結果は、ｄＢｍの単位で示され、その絶対値が大きくなるにつれ、信号の感度が高くなる。
実験例１〜１２は、本開示によるインク組成物及びその塗布と、メッキされた表面を有する物品及びその製造方法とを説明するために用いられる。
実験例１
（１）二酸化チタン（アラジンリージェントカンパニー（Aladdin Reagent Company）から市販され、約６０ｎｍの平均粒子径を有する）が磁器製の舟形皿の中央に載置され、当該舟形皿は、反応管内に配置され、その後マッフル炉の高温部に配置された。反応管の両端は、ゴム栓で密閉され、滴下している水によって冷やされた。また、アンモニアガスの雰囲気は、反応管内の空気を置き換えるように当該反応管内に充満された。加えて、反応装置の密閉状態を検査するためにｐＨ試験紙が用いられた。アンモニアの漏れがない場合、電源が投入され、アンモニアの流速は４ｃｍ3 ／ｓに制御された。マッフル炉の温度は７８０℃に上げられ、４時間維持された。その後、舟形皿はアンモニアガス雰囲気の下で１００℃まで冷却された。アンモニアガスが止まった後、舟形皿が取り出され、デシケーター内に配置され、室温まで冷却し、その後、式Iの化合物が得られた。製造された酸化チタンは、高速のボールミルによって約４０ｎｍの平均粒子径となるまで砕かれた。酸化チタンの総体積を基準とした場合、酸化チタンの約８０体積％は約１〜５０ｎｍの粒子径を有していた。得られた酸化チタンは、計測された結果、ＴｉＯ1.67として決定された。
（１）二酸化チタン（アラジンリージェントカンパニー（Aladdin Reagent Company）から市販され、約６０ｎｍの平均粒子径を有する）が磁器製の舟形皿の中央に載置され、当該舟形皿は、反応管内に配置され、その後マッフル炉の高温部に配置された。反応管の両端は、ゴム栓で密閉され、滴下している水によって冷やされた。また、アンモニアガスの雰囲気は、反応管内の空気を置き換えるように当該反応管内に充満された。加えて、反応装置の密閉状態を検査するためにｐＨ試験紙が用いられた。アンモニアの漏れがない場合、電源が投入され、アンモニアの流速は４ｃｍ3 ／ｓに制御された。マッフル炉の温度は７８０℃に上げられ、４時間維持された。その後、舟形皿はアンモニアガス雰囲気の下で１００℃まで冷却された。アンモニアガスが止まった後、舟形皿が取り出され、デシケーター内に配置され、室温まで冷却し、その後、式Iの化合物が得られた。製造された酸化チタンは、高速のボールミルによって約４０ｎｍの平均粒子径となるまで砕かれた。酸化チタンの総体積を基準とした場合、酸化チタンの約８０体積％は約１〜５０ｎｍの粒子径を有していた。得られた酸化チタンは、計測された結果、ＴｉＯ1.67として決定された。
（２）ステップ（１）で製造された１００ｇの酸化チタンと、２０ｇのインク媒剤（ＣＡＢ３８１−０．５の商標でイーストマンケミカルカンパニー（Eastman chemical Company）から市販されている）と、１００ｇのｎ−ヘプタノールと、２ｇの分散剤（ＤＩＳＰＥＲＢＹＫ−１６５の商標でドイツのビーワイケイカンパニー（BYK Company）から市販されている）と、０．２ｇの消泡剤（ＢＹＫ−０５１の商標で、ドイツのビーワイケイカンパニーから市販されている）と、０．４ｇのつや消し剤（ＢＹＫ−３３３の商標でドイツのビーワイケイカンパニーから市販されている）と、０．５ｇの水素化ヒマシ油（ウーハンジンヌオケミカル（Wuhan JINNUO Chemical）株式会社から市販されている）とが均一に混合され、本実験例のインク組成物を得た。
（３）インク組成物は、吹き付けによってポリイミド基板の表面上に塗布され、その後１００℃の温度で約２時間乾燥された。そうすることで、インク層が基板表面上に形成され、当該インク層は約１５μｍの厚さを有した。
（４）ステップ（３）において製造されたインク層を有する基板が、メッキ溶液内に配され、化学メッキを施した。メッキ溶液の組成は、０．１２ｍｏｌ／ＬのＣｕＳＯ4 ・５Ｈ2 Ｏ、０．１４ｍｏｌ／ＬのＮａ2 ＥＤＴＡ・２Ｈ2 Ｏ、１０ｍｇ／Ｌのフェロシアン化カリウム、１０ｍｇ／Ｌの２，２’−ビピリジン、０．１０ｍｏｌ／Ｌのグリオキシル酸であった。メッキ溶液は、ＮａＯＨ及びＨ2 ＳＯ4 の溶液を用いることによりｐＨ１２．５〜１３に調整された。また、メッキ溶液の温度は５０℃であった。
計測された結果、メッキ層は約２０μｍの厚さを有し、メッキ速度は３．０μｍ／ｈであった。また、基板表面上に形成された金属層の接着力は３Ｂであった。
実験例２
以下を除いて実験例１の方法と略同じ方法によって、インク組成物が製造され、基板がメッキされた。ステップ（３）においては、ステップ（２）で製造されたインク組成物とエポキシ樹脂バインダとを混合し、混合物を形成した後、吹き付けによってポリイミド基板の表面に混合物を塗布し、その後１００℃の温度で約２時間乾燥し、その後１２０℃の温度で約１．５時間表面上のインク組成物を硬化した。また、エポキシ樹脂バインダに関しては、エポキシ樹脂は、約０．５８ｍｏｌ／１００ｇのエポキシドの値を有するビスフェノールＡ型のエポキシ樹脂であり、硬化剤は無水フタル酸であった。ステップ（２）で得られたインク組成物の１００ｇを基準として、エポキシ樹脂の使用量は１０ｇであり、硬化剤の使用量は７．２ｇであった。
以下を除いて実験例１の方法と略同じ方法によって、インク組成物が製造され、基板がメッキされた。ステップ（３）においては、ステップ（２）で製造されたインク組成物とエポキシ樹脂バインダとを混合し、混合物を形成した後、吹き付けによってポリイミド基板の表面に混合物を塗布し、その後１００℃の温度で約２時間乾燥し、その後１２０℃の温度で約１．５時間表面上のインク組成物を硬化した。また、エポキシ樹脂バインダに関しては、エポキシ樹脂は、約０．５８ｍｏｌ／１００ｇのエポキシドの値を有するビスフェノールＡ型のエポキシ樹脂であり、硬化剤は無水フタル酸であった。ステップ（２）で得られたインク組成物の１００ｇを基準として、エポキシ樹脂の使用量は１０ｇであり、硬化剤の使用量は７．２ｇであった。
計測された結果、メッキ層は約２０μｍの厚さを有し、メッキ速度は３．１μｍ／ｈであった。また、基板表面上に形成された金属層の接着力は４Ｂであった。
実験例３
（１）二酸化チタン（アラジンリージェントカンパニー（Aladdin Reagent Company）から市販され、約６０ｎｍの平均粒子径を有する）が磁器製の舟形皿の中央に載置され、当該舟形皿は、反応管内に配置され、その後マッフル炉の高温部に配置された。反応管の両端は、ゴム栓で密閉され、滴下している水によって冷やされた。また、アンモニアガスの雰囲気は、反応管内の空気を置き換えるように当該反応管内に充満された。加えて、反応装置の密閉状態を検査するためにｐＨ試験紙が用いられた。アンモニアの漏れがない場合、電源が投入され、アンモニアの流速は２ｃｍ3 ／ｓに制御された。マッフル炉の温度は８００℃に上げられ、３時間維持された。その後、舟形皿はアンモニアガス雰囲気の下で８０℃まで冷却された。アンモニアガスが止まった後、舟形皿が取り出され、デシケーター内に配置され、室温まで冷却し、その後、式Iの化合物が得られた。製造された酸化チタンは、高速のボールミルによって約５０ｎｍの平均粒子径となるまで砕かれた。酸化チタンの総体積を基準としてみなした場合、酸化チタンの約９０体積％は約１〜５０ｎｍの粒子径を有していた。得られた酸化チタンは、計測された結果、ＴｉＯ1.95として決定された。
（１）二酸化チタン（アラジンリージェントカンパニー（Aladdin Reagent Company）から市販され、約６０ｎｍの平均粒子径を有する）が磁器製の舟形皿の中央に載置され、当該舟形皿は、反応管内に配置され、その後マッフル炉の高温部に配置された。反応管の両端は、ゴム栓で密閉され、滴下している水によって冷やされた。また、アンモニアガスの雰囲気は、反応管内の空気を置き換えるように当該反応管内に充満された。加えて、反応装置の密閉状態を検査するためにｐＨ試験紙が用いられた。アンモニアの漏れがない場合、電源が投入され、アンモニアの流速は２ｃｍ3 ／ｓに制御された。マッフル炉の温度は８００℃に上げられ、３時間維持された。その後、舟形皿はアンモニアガス雰囲気の下で８０℃まで冷却された。アンモニアガスが止まった後、舟形皿が取り出され、デシケーター内に配置され、室温まで冷却し、その後、式Iの化合物が得られた。製造された酸化チタンは、高速のボールミルによって約５０ｎｍの平均粒子径となるまで砕かれた。酸化チタンの総体積を基準としてみなした場合、酸化チタンの約９０体積％は約１〜５０ｎｍの粒子径を有していた。得られた酸化チタンは、計測された結果、ＴｉＯ1.95として決定された。
（２）ステップ（１）で製造された１００ｇの酸化チタンと、３０ｇのインク媒剤（ＥＶＡ ２１０の商標で日本の三井化学株式会社から市販されている）と、１１０ｇのトルエンと、３ｇの分散剤（ＡＮＴＩ−ＴＥＲＲＡ−Ｕ ８０の商標で、ドイツのビーワイケイカンパニー（BYK Company）から市販されている）と、０．５ｇの消泡剤（ＢＹＫ−０６５の商標でドイツのビーワイケイカンパニーから市販されている）と、０．５ｇのつや消し剤（ＢＹＫ−３０６の商標で、ドイツのビーワイケイカンパニーから市販されている）と、０．４ｇのヒドロキシエチルセルロース（ルーチョウノースファンダードンケミカルカンパニー（Luzhou North Fangda Dong Chemical Company）から市販されている）とが均一に混合され、本実験例のインク組成物を得た。
（３）インク組成物は、転写印刷の方法によってポリカーボネート基板の表面に塗布され、その後８０℃の温度で約４時間乾燥された。そうすることで、インク層が基板表面上に形成され、当該インク層は３５μｍの厚さを有した。
（４）インク層を有する表面を持つ基板に電気メッキが施され、銅板層を形成した。また、電流の強さは３Ａ／ｃｍ2 であった。
計測された結果、メッキ層は約２０μｍの厚さを有し、メッキ速度は９２μｍ／ｈであった。また、基板表面上に形成された金属層の接着力は３Ｂであった。
実験例４
（１）二酸化チタン（アラジンリージェントカンパニー（Aladdin Reagent Company）から市販され、約６０ｎｍの平均粒子径を有する）が磁器製の舟形皿の中央に載置され、当該舟形皿は、反応管内に配置され、その後マッフル炉の高温部に配置された。反応管の両端は、ゴム栓で密閉され、滴下している水によって冷やされた。また、アンモニアガスの雰囲気は、反応管内の空気を置き換えるように当該反応管内に充満された。加えて、反応装置の密閉状態を検査するためにｐＨ試験紙が用いられた。アンモニアの漏れがない場合、電源が投入され、アンモニアの流速は２．４ｃｍ3 ／ｓに制御された。マッフル炉の温度は８００℃に上げられ、５時間維持された。その後、舟形皿はアンモニアガス雰囲気の下で８０℃まで冷却された。アンモニアガスが止まった後、舟形皿が取り出され、デシケーター内に配置され、室温まで冷却し、その後、式Iの化合物が得られた。製造された酸化チタンは、高速のボールミルによって約１００ｎｍの平均粒子径となるまで砕かれた。酸化チタンの総体積を基準としてみなした場合、酸化チタンの約３０体積％は約１〜５０ｎｍの粒子径を有していた。計測された結果、得られた酸化チタンは、ＴｉＯ0.9 であった。
（１）二酸化チタン（アラジンリージェントカンパニー（Aladdin Reagent Company）から市販され、約６０ｎｍの平均粒子径を有する）が磁器製の舟形皿の中央に載置され、当該舟形皿は、反応管内に配置され、その後マッフル炉の高温部に配置された。反応管の両端は、ゴム栓で密閉され、滴下している水によって冷やされた。また、アンモニアガスの雰囲気は、反応管内の空気を置き換えるように当該反応管内に充満された。加えて、反応装置の密閉状態を検査するためにｐＨ試験紙が用いられた。アンモニアの漏れがない場合、電源が投入され、アンモニアの流速は２．４ｃｍ3 ／ｓに制御された。マッフル炉の温度は８００℃に上げられ、５時間維持された。その後、舟形皿はアンモニアガス雰囲気の下で８０℃まで冷却された。アンモニアガスが止まった後、舟形皿が取り出され、デシケーター内に配置され、室温まで冷却し、その後、式Iの化合物が得られた。製造された酸化チタンは、高速のボールミルによって約１００ｎｍの平均粒子径となるまで砕かれた。酸化チタンの総体積を基準としてみなした場合、酸化チタンの約３０体積％は約１〜５０ｎｍの粒子径を有していた。計測された結果、得られた酸化チタンは、ＴｉＯ0.9 であった。
（２）ステップ（１）で製造された１００ｇの酸化チタンと、１２ｇのインク媒剤（Ａ−１１の商標でアメリカ合衆国のロームアンドハースカンパニー（Rohm and HaasCompany）から市販されている）と、１００ｇのエタノールと、０．６ｇの分散剤（ＢＹＫ−２２０ Ｓの商標でドイツのビーワイケイカンパニー（BYK Company）から市販されている）と、０．４ｇの消泡剤（ＢＹＫ−０６５の商標で、ドイツのビーワイケイカンパニーから市販されている）と、０．５ｇのつや消し剤（ＢＹＫ−３０６の商標で、ドイツのビーワイケイカンパニーから市販されている）と、０．３ｇのポリアクリル酸ナトリウム（アラジンリージェントカンパニー（Aladdin Reagent Company）から市販されている）とが均一に混合され、本実験例のインク組成物を得た。
（３）インク組成物は、インクジェットの方法を用いることによりＺｒＯ2 基板の表面に塗布され、１７０℃の温度で約５時間乾燥された。そうすることで、インク層が基板表面上に形成され、当該インク層は約３０μｍの厚さを有した。
（４）金属層は、実験例３のステップ（４）と略同じ方法によって、ステップ（３）で得られた基板表面上に形成された。
計測された結果、メッキ層は約５０μｍの厚さを有し、メッキ速度は９１μｍ／ｈであった。また、基板表面上に形成された金属層の接着力は３Ｂであった。
実験例５
以下を除いて実験例４の方法と略同じ方法によって、インク組成物が製造され、基板表面がメッキされた。製造された酸化チタンは、高速のボールミルによって約６０ｎｍの平均粒子径となるまで砕かれた。また、酸化チタンの総体積を基準としてみなした場合、酸化チタンの約９０体積％は約１〜５０ｎｍの粒子径を有していた。
以下を除いて実験例４の方法と略同じ方法によって、インク組成物が製造され、基板表面がメッキされた。製造された酸化チタンは、高速のボールミルによって約６０ｎｍの平均粒子径となるまで砕かれた。また、酸化チタンの総体積を基準としてみなした場合、酸化チタンの約９０体積％は約１〜５０ｎｍの粒子径を有していた。
計測された結果、メッキ層は約５０μｍの厚さを有し、メッキ速度は９２μｍ／ｈであった。また、基板表面上に形成された金属層の接着力は４Ｂであった。
実験例６
以下を除いて実験例４の方法と略同じ方法によって、インク組成物が製造され、基板表面がメッキされた。ステップ（３）においては、インク組成物は、１７０℃の温度で５時間乾燥された後、窒素雰囲気内において約５００℃の温度で５時間加熱処理が施された。
以下を除いて実験例４の方法と略同じ方法によって、インク組成物が製造され、基板表面がメッキされた。ステップ（３）においては、インク組成物は、１７０℃の温度で５時間乾燥された後、窒素雰囲気内において約５００℃の温度で５時間加熱処理が施された。
計測された結果、メッキ層は約５０μｍの厚さを有し、メッキ速度は９６μｍ／ｈであった。また、基板表面上に形成された金属層の接着力は４Ｂであった。
実験例７
以下を除いて実験例６の方法と略同じ方法によって、インク組成物が製造され、基板表面がメッキされた。ステップ（３）においては、インク組成物は１７０℃の温度で５時間乾燥された後、窒素雰囲気内において約７００℃の温度で３時間加熱処理が施された。
以下を除いて実験例６の方法と略同じ方法によって、インク組成物が製造され、基板表面がメッキされた。ステップ（３）においては、インク組成物は１７０℃の温度で５時間乾燥された後、窒素雰囲気内において約７００℃の温度で３時間加熱処理が施された。
計測された結果、メッキ層は約５０μｍの厚さを有し、メッキ速度は１００μｍ／ｈであった。また、基板表面上に形成された金属層の接着力は５Ｂであった。
実験例８
以下を除いて実験例４の方法と略同じ方法によって、インク組成物が製造され、基板表面がメッキされた。ステップ（３）においては、ステップ（２）で製造された１００ｇのインク組成物がＮｉ2 Ｏ3 と均一に混合され（１００ｇのインク組成物と比較すると、Ｎｉ2 Ｏ3 の使用量は１４ｇであった）、混合物を形成した。その後、得られた混合物は、インクジェット印刷の方法によってＺｒＯ2 セラミック基板の表面に塗布された。インク組成物は１７０℃の温度で５時間乾燥された後、窒素雰囲気内において約５００℃の温度で５時間加熱処理が施された。
以下を除いて実験例４の方法と略同じ方法によって、インク組成物が製造され、基板表面がメッキされた。ステップ（３）においては、ステップ（２）で製造された１００ｇのインク組成物がＮｉ2 Ｏ3 と均一に混合され（１００ｇのインク組成物と比較すると、Ｎｉ2 Ｏ3 の使用量は１４ｇであった）、混合物を形成した。その後、得られた混合物は、インクジェット印刷の方法によってＺｒＯ2 セラミック基板の表面に塗布された。インク組成物は１７０℃の温度で５時間乾燥された後、窒素雰囲気内において約５００℃の温度で５時間加熱処理が施された。
計測された結果、メッキ層は約５０μｍの厚さを有し、メッキ速度は９７μｍ／ｈであった。また、基板表面上に形成された金属層の接着力は５Ｂであった。
実験例９
（１）ナノ二酸化チタン(Nano-titanium dioxide)（アラジンリージェントカンパニー（Aladdin Reagent Company）から市販され、約６０ｎｍの平均粒子径を有する）が磁器製の舟形皿の中央に載置され、当該舟形皿は、反応管内に配置され、その後マッフル炉の高温部に配置された。反応管の両端は、ゴム栓で密閉され、滴下している水によって冷やされた。また、アンモニアガスの雰囲気は、反応管内の空気を置き換えるように当該反応管内に充満された。加えて、反応装置の密閉状態を検査するためにｐＨ試験紙が用いられた。アンモニアの漏れがない場合、電源が投入され、アンモニアの流速は５ｃｍ3 ／ｓに制御された。マッフル炉の温度は９００℃に上げられ、５時間維持された。その後、舟形皿はアンモニアガス雰囲気の下で８０℃まで冷却された。アンモニアガスが止まった後、舟形皿が取り出され、デシケーター内に配置され、室温まで冷却し、その後、式Iの化合物が得られた。製造された酸化チタンは、高速のボールミルによって約５０ｎｍの平均粒子径となるまで砕かれた。酸化チタンの総体積を基準としてみなした場合、酸化チタンの約９０体積％は約１〜５０ｎｍの粒子径を有していた。計測された結果、得られた酸化チタンは、ＴｉＯ1.2 であった。
（１）ナノ二酸化チタン(Nano-titanium dioxide)（アラジンリージェントカンパニー（Aladdin Reagent Company）から市販され、約６０ｎｍの平均粒子径を有する）が磁器製の舟形皿の中央に載置され、当該舟形皿は、反応管内に配置され、その後マッフル炉の高温部に配置された。反応管の両端は、ゴム栓で密閉され、滴下している水によって冷やされた。また、アンモニアガスの雰囲気は、反応管内の空気を置き換えるように当該反応管内に充満された。加えて、反応装置の密閉状態を検査するためにｐＨ試験紙が用いられた。アンモニアの漏れがない場合、電源が投入され、アンモニアの流速は５ｃｍ3 ／ｓに制御された。マッフル炉の温度は９００℃に上げられ、５時間維持された。その後、舟形皿はアンモニアガス雰囲気の下で８０℃まで冷却された。アンモニアガスが止まった後、舟形皿が取り出され、デシケーター内に配置され、室温まで冷却し、その後、式Iの化合物が得られた。製造された酸化チタンは、高速のボールミルによって約５０ｎｍの平均粒子径となるまで砕かれた。酸化チタンの総体積を基準としてみなした場合、酸化チタンの約９０体積％は約１〜５０ｎｍの粒子径を有していた。計測された結果、得られた酸化チタンは、ＴｉＯ1.2 であった。
（２）ステップ（１）で製造された１００ｇの酸化チタンと、３０ｇのインク媒剤（Ｍｏｗｉｔａｌ Ｂ ７５Ｈの商標で日本のクラレ株式会社から市販されている）と、１００ｇのエタノールと、４ｇのトリオレイン（ＢＹＫ−２２０ Ｓの商標でドイツのビーワイケイカンパニー（BYK Company）から市販されている）、３ｇの消泡剤（ＢＹＫ−０２２の商標でドイツのビーワイケイカンパニーから市販されている）と、０．５ｇのつや消し剤（ＢＹＫ−３０６の商標でドイツのビーワイケイカンパニーから市販されている）と、０．３ｇのポリアクリル酸ナトリウム（アラジンリージェントカンパニー（Aladdin Reagent Company）から市販されている）とが均一に混合され、本実験例のインク組成物を得た。
（３）インク組成物は、インクジェット印刷の方法を用いることにより紙基板の表面上に塗布され、５０℃の温度で約３時間乾燥された。そうすることで、インク層が基板表面上に形成され、当該インク層は約３０μｍの厚さを有した。
（４）金属層は、実験例３のステップ（４）と略同じ方法によって、ステップ（３）で得られた基板表面上に形成された。
計測された結果、メッキ層は約４０μｍの厚さを有し、メッキ速度は９２μｍ／ｈであった。また、基板表面上に形成された金属層の接着力は４Ｂであった。
実験例１０
以下を除いて実験例９の方法と略同じ方法によって、インク組成物が製造され、基板表面がメッキされた。ステップ（１）においては、約２００ｎｍの平均粒子径を有するＴｉＯ2 は、か焼された。製造された酸化チタンは、高速のボールミルによって約２００ｎｍの平均粒子径となるまで砕かれた。また、酸化チタンの総体積を基準としてみなした場合、酸化チタンの約１０体積％は約１〜５０ｎｍの粒子径を有していた。
以下を除いて実験例９の方法と略同じ方法によって、インク組成物が製造され、基板表面がメッキされた。ステップ（１）においては、約２００ｎｍの平均粒子径を有するＴｉＯ2 は、か焼された。製造された酸化チタンは、高速のボールミルによって約２００ｎｍの平均粒子径となるまで砕かれた。また、酸化チタンの総体積を基準としてみなした場合、酸化チタンの約１０体積％は約１〜５０ｎｍの粒子径を有していた。
計測された結果、メッキ層は約４０μｍの厚さを有し、メッキ速度は８９μｍ／ｈであった。また、基板表面上に形成された金属層の接着力は２Ｂであった。
実験例１１
（１）ナノ二酸化チタン（Nano-titanium dioxide）（アラジンリージェントカンパニー（Aladdin Reagent Company）から市販され、約６０ｎｍの平均粒子径を有する）が磁器製の舟形皿の中央に載置され、当該舟形皿は、反応管内に配置され、その後マッフル炉の高温部に配置された。反応管の両端は、ゴム栓で密閉され、滴下している水によって冷やされた。また、アンモニアガスの雰囲気は、反応管内の空気を置き換えるように当該反応管内に充満された。加えて、反応装置の密閉状態を検査するためにｐＨ試験紙が用いられた。アンモニアの漏れがない場合、電源が投入され、アンモニアの流速は５ｃｍ3 ／ｓに制御された。マッフル炉の温度は８００℃に上げられ、８時間維持された。その後、舟形皿はアンモニアガス雰囲気の下で８０℃まで冷却された。アンモニアガスが止まった後、舟形皿が取り出され、デシケーター内に配置され、室温まで冷却し、その後、式Iの化合物が得られた。製造された酸化チタンは、高速のボールミルによって約５０ｎｍの平均粒子径となるまで砕かれた。酸化チタンの総体積を基準としてみなした場合、酸化チタンの約９０体積％は約１〜５０ｎｍの粒子径を有していた。計測された結果、得られた酸化チタンは、ＴｉＯ1.1 であった。
（１）ナノ二酸化チタン（Nano-titanium dioxide）（アラジンリージェントカンパニー（Aladdin Reagent Company）から市販され、約６０ｎｍの平均粒子径を有する）が磁器製の舟形皿の中央に載置され、当該舟形皿は、反応管内に配置され、その後マッフル炉の高温部に配置された。反応管の両端は、ゴム栓で密閉され、滴下している水によって冷やされた。また、アンモニアガスの雰囲気は、反応管内の空気を置き換えるように当該反応管内に充満された。加えて、反応装置の密閉状態を検査するためにｐＨ試験紙が用いられた。アンモニアの漏れがない場合、電源が投入され、アンモニアの流速は５ｃｍ3 ／ｓに制御された。マッフル炉の温度は８００℃に上げられ、８時間維持された。その後、舟形皿はアンモニアガス雰囲気の下で８０℃まで冷却された。アンモニアガスが止まった後、舟形皿が取り出され、デシケーター内に配置され、室温まで冷却し、その後、式Iの化合物が得られた。製造された酸化チタンは、高速のボールミルによって約５０ｎｍの平均粒子径となるまで砕かれた。酸化チタンの総体積を基準としてみなした場合、酸化チタンの約９０体積％は約１〜５０ｎｍの粒子径を有していた。計測された結果、得られた酸化チタンは、ＴｉＯ1.1 であった。
（２）ステップ（１）で製造された５０ｇの酸化チタンと、１ｇのインク媒剤（ＣＡＢ３８１−２の商標でイーストマンケミカルカンパニー（Eastman chemical Company）から市販されている）と、２０ｇのジメチルベンゼンと、０．２ｇの分散剤（ＰＳ−２１Ａの商標でアメリカ合衆国のウィトコ（Witco）社から市販されている）と、０．２ｇの消泡剤（ＢＹＫ−０５１の商標でドイツのビーワイケイカンパニー（BYK Company）から市販されている）と、０．３ｇのつや消し剤（ＢＹＫ−３３３の商標でドイツのビーワイケイカンパニーから市販されている）と、０．３ｇのポリアミドのろう（ＦＡ１の商標でドイツのクラインカンパニー（Klein Company）から市販されている）とが、均一に混合されることで、本実験例のインク組成物を得た。
（３）ステップ（２）で得られたインク組成物が、ＳｉＯ2 と均一に混合され（１００ｇのインク組成物と比較すると、ＳｉＯ2 の使用量は５ｇであった）、混合物を形成した。その後、得られた混合物は、リトグラフの方法によってガラス基板の表面に塗布された。インク組成物が、９０℃の温度で５時間乾燥された後、約１０００℃の温度で２時間加熱処理が施され、基板表面上にインク層を形成し、当該インク層は約１５μｍの厚さを有した。
（４）金属層は、実験例３のステップ（４）と略同じ方法によって、ステップ（３）で得られた基板表面上に形成された。
計測された結果、メッキ層は約２０μｍの厚さを有し、メッキ速度は９７μｍ／ｈであった。また、基板表面上に形成された金属層の接着力は４Ｂであった。
実験例１２
以下を除いて実験例１１の方法と略同じ方法によって、インク組成物が製造され、基板表面がメッキされた。ステップ（３）において、インク組成物は、約９００℃の温度で２時間加熱処理が施された。
以下を除いて実験例１１の方法と略同じ方法によって、インク組成物が製造され、基板表面がメッキされた。ステップ（３）において、インク組成物は、約９００℃の温度で２時間加熱処理が施された。
計測された結果、メッキ層は約２０μｍの厚さを有し、メッキ速度は１００μｍ／ｈであった。また、基板表面上に形成された金属層の接着力は５Ｂであった。
実験例１’
（１）８０ｇのＣｕＯ及び８０ｇのＦｅ2 Ｏ3 を均一に混合することで混合物を形成し、その後混合物をエタノールの媒体下において１２時間ボールミル内で砕いた。ボールミル生成物が乾燥した後、乾燥した混合物には、水素及び窒素の混合雰囲気（水素及び窒素の体積の比率は２：１であった）下で７５０℃の温度で５時間か焼が施され、か焼された生成物が形成された。その後、か焼された生成物は、約８０ｎｍの平均粒子径になるまで砕かれた。製造された生成物はＣｕＦｅＯ3.98であった。
（１）８０ｇのＣｕＯ及び８０ｇのＦｅ2 Ｏ3 を均一に混合することで混合物を形成し、その後混合物をエタノールの媒体下において１２時間ボールミル内で砕いた。ボールミル生成物が乾燥した後、乾燥した混合物には、水素及び窒素の混合雰囲気（水素及び窒素の体積の比率は２：１であった）下で７５０℃の温度で５時間か焼が施され、か焼された生成物が形成された。その後、か焼された生成物は、約８０ｎｍの平均粒子径になるまで砕かれた。製造された生成物はＣｕＦｅＯ3.98であった。
（２）ステップ（１）で製造された１００ｇの生成物と、１５ｇのポリビニルブチラール（Ｍｏｗｉｔａｌの商標で日本の株式会社クラレから市販されている）と、２０ｇのトルエンとが均一に混合されることで、本実験例のインク組成物が得られた。
（３）ステップ（２）で製造されたインク組成物は、インクジェット印刷の方法によりＡｌ2 Ｏ3 セラミック基板の表面上に塗布され、約１２０℃の温度で３時間乾燥され、その後、窒素雰囲気下で約８００℃の温度で２時間加熱処理が施された。そうすることで、インク層が基板表面に形成され、当該インク層は１２μｍの厚さを有した。
（４）ステップ（３）で製造された基板に電気メッキが施され、銅板層を形成した。また、電流の強さは３Ａ／ｃｍ2 であった。
実験例２’
以下を除いて実験例１’の方法と略同じ方法によって、インク組成物が製造され、基板表面がメッキされた。ステップ（３）において、窒素雰囲気下で約８００℃の温度で２時間加熱処理を施す処理は省略された。
以下を除いて実験例１’の方法と略同じ方法によって、インク組成物が製造され、基板表面がメッキされた。ステップ（３）において、窒素雰囲気下で約８００℃の温度で２時間加熱処理を施す処理は省略された。
実験例３’
（１）８０ｇのＣｕＯ及び８０ｇのＦｅ2 Ｏ3 を均一に混合することで混合物を形成し、その後混合物をエタノールの媒体下において１２時間ボールミル内で砕いた。ボールミル生成物が乾燥した後、乾燥した混合物には、水素及び窒素の混合雰囲気（水素及び窒素の体積の比率は１：１であった）下で８００℃の温度で６時間か焼が施され、か焼された生成物を形成した。その後、か焼された生成物は、約１００ｎｍの平均粒子径になるまで砕かれた。製造された生成物はＣｕＦｅＯ3.9 であった。
（１）８０ｇのＣｕＯ及び８０ｇのＦｅ2 Ｏ3 を均一に混合することで混合物を形成し、その後混合物をエタノールの媒体下において１２時間ボールミル内で砕いた。ボールミル生成物が乾燥した後、乾燥した混合物には、水素及び窒素の混合雰囲気（水素及び窒素の体積の比率は１：１であった）下で８００℃の温度で６時間か焼が施され、か焼された生成物を形成した。その後、か焼された生成物は、約１００ｎｍの平均粒子径になるまで砕かれた。製造された生成物はＣｕＦｅＯ3.9 であった。
（２）ステップ（１）で製造された１００ｇの生成物と、２０ｇのインク媒剤（ＣＡＢ３８１−０．５の商標でイーストマンケミカルカンパニー（Eastman chemical Company）から市販されている）と、１００ｇのｎ−ヘプタノールと、２ｇの分散剤（ＤＩＳＰＥＲＢＹＫ−１６５の商標でドイツのビーワイケイカンパニー（BYK Company）から市販されている）と、０．２ｇの消泡剤（ＢＹＫ−０５１の商標で、ドイツのビーワイケイカンパニーから市販されている）と、０．４ｇのつや消し剤（ＢＹＫ−３３３の商標でドイツのビーワイケイカンパニーから市販されている）と、０．５ｇの水素化ヒマシ油（ウーハンジンヌオケミカル（Wuhan JINNUO Chemical）株式会社から市販されている）とが均一に混合され、本実験例のインク組成物を得た。
（３）ステップ（２）で製造されたインク組成物及びエポキシ樹脂バインダを混合することで混合物を形成した後、混合物は、レーザー印刷方法によりポリイミド（ＰＩ）基板の表面上に塗布され、約１００℃の温度で２時間乾燥された。その後、インク組成物は、約１２０℃の温度で１．５時間硬化が行われた。そうすることで、インク層が基板表面上に形成され、当該インク層は約１５μｍの厚さを有した。エポキシ樹脂バインダに関しては、エポキシ樹脂はビスフェノールＡ型エポキシ樹脂であった（エポキシドの値は０．５８ｍｏｌ／１００ｇであった）。硬化剤は、無水フタル酸であった。ステップ（２）で製造されたインク組成物の１００ｇを基準として、エポキシ樹脂の使用量は１０ｇであり、硬化剤の使用量は７．２ｇであった。
（４）インク層を有する表面を持つ基板は、電気メッキが施されることで銅板層を形成した。また、電流の強さは２Ａ／ｃｍ2 であった。
実験例４’
以下を除いて実験例３’の方法と略同じ方法によって、インク組成物が製造され、基板表面がメッキされた。ステップ（３）において、エポキシ樹脂バインダは使用されない。
以下を除いて実験例３’の方法と略同じ方法によって、インク組成物が製造され、基板表面がメッキされた。ステップ（３）において、エポキシ樹脂バインダは使用されない。
実験例５’
（１）８０ｇのＣｕＯ及び８０ｇのＦｅ2 Ｏ3 を均一に混合することで混合物を形成し、その後混合物をエタノールの媒体下において１２時間ボールミル内で砕いた。ボールミル生成物が乾燥した後、乾燥した混合物には、水素及び窒素の混合雰囲気（水素及び窒素の体積の比率は２：１であった）下で１０００℃の温度で１２時間か焼が施され、か焼された生成物を形成した。その後、か焼された生成物は、約８０ｎｍの平均粒子径になるまで砕かれた。製造された生成物はＣｕＦｅＯ3.2 であった。
（１）８０ｇのＣｕＯ及び８０ｇのＦｅ2 Ｏ3 を均一に混合することで混合物を形成し、その後混合物をエタノールの媒体下において１２時間ボールミル内で砕いた。ボールミル生成物が乾燥した後、乾燥した混合物には、水素及び窒素の混合雰囲気（水素及び窒素の体積の比率は２：１であった）下で１０００℃の温度で１２時間か焼が施され、か焼された生成物を形成した。その後、か焼された生成物は、約８０ｎｍの平均粒子径になるまで砕かれた。製造された生成物はＣｕＦｅＯ3.2 であった。
（２）以下を除いて実験例１’のステップ（２）と略同じ方法によって、インク組成物が製造された。金属化合物が、実験例５’のステップ（１）で製造された金属化合物であった。
（３）ステップ（２）で製造されたインク組成物が、Ｎｉ2 Ｏ3 と均一に混合され（１００ｇのインク組成物を基準として、Ｎｉ2 Ｏ3 の使用量は１４ｇであった）、混合物を形成した。得られた混合物は、インクジェット印刷の方法によってＺｒＯ2 セラミック基板の表面に塗布され、約１２０℃の温度で３時間乾燥された。その後、乾燥した混合物は、窒素雰囲気内において約９００℃の温度で１時間加熱処理が施された。そうすることで、基板表面上にインク層が形成され、当該インク層は約２０μｍの厚さを有した。
（４）ステップ（３）で製造された基板がメッキ溶液内に配され、で化学メッキを施した。メッキ溶液の組成は、０．１２ｍｏｌ／ＬのＣｕＳＯ4 ・５Ｈ2 Ｏ、０．１４ｍｏｌ／ＬのＮａ2 ＥＤＴＡ・２Ｈ2 Ｏ、１０ｍｇ／Ｌのフェロシアン化カリウム、１０ｍｇ／Ｌの２，２’−ビピリジン、０．１０ｍｏｌ／Ｌのグリオキシル酸であった。メッキ溶液は、ＮａＯＨ及びＨ2 ＳＯ4 の溶液を用いることにより約ｐＨ１２．５〜１３に調整された。また、メッキ溶液の温度は５０℃であった。
実験例６’
以下を除いて実験例５’の方法と略同じ方法によって、インク組成物が製造され、基板表面がメッキされた。ステップ（３）において、Ｎｉ2 Ｏ3 は使用されない。
以下を除いて実験例５’の方法と略同じ方法によって、インク組成物が製造され、基板表面がメッキされた。ステップ（３）において、Ｎｉ2 Ｏ3 は使用されない。
実験例７’
（１）ＣａＣｕ3 Ｔｉ4 Ｏ12（フゥ チアーン（Fu Qiang）等著，ＣａＣｕ3 Ｔｉ4 Ｏ12セラミックの製造方法及びその特質(Preparation method of CaCu3 Ti4 O12ceramics and property thereof)，ウーハン大学アカデミックジャーニー（自然科学版）（Wuhan University Academic Journey (Natural Science Version)），２００８年，５４（４）巻３８１〜３８４ページ、その後の同様のもの)は、水素及び窒素の混合雰囲気（水素及び窒素の体積の比率は２：１であった）下で約１０００℃の温度で２時間か焼が施され、か焼された生成物を形成した。その後、か焼された生成物は、約１００ｎｍの平均粒子径になるまでボールミル内で砕かれた。製造された生成物はＣａ0.25Ｃｕ0.75ＴｉＯ2.65であった。
（１）ＣａＣｕ3 Ｔｉ4 Ｏ12（フゥ チアーン（Fu Qiang）等著，ＣａＣｕ3 Ｔｉ4 Ｏ12セラミックの製造方法及びその特質(Preparation method of CaCu3 Ti4 O12ceramics and property thereof)，ウーハン大学アカデミックジャーニー（自然科学版）（Wuhan University Academic Journey (Natural Science Version)），２００８年，５４（４）巻３８１〜３８４ページ、その後の同様のもの)は、水素及び窒素の混合雰囲気（水素及び窒素の体積の比率は２：１であった）下で約１０００℃の温度で２時間か焼が施され、か焼された生成物を形成した。その後、か焼された生成物は、約１００ｎｍの平均粒子径になるまでボールミル内で砕かれた。製造された生成物はＣａ0.25Ｃｕ0.75ＴｉＯ2.65であった。
（２）ステップ（１）で製造された１００ｇの生成物と、３０ｇのＥＶＡインク媒剤（アメリカ合衆国のイーストマンカンパニー（Eastman Company）から市販されている）と、１１０ｇのトルエンと、３ｇの分散剤（ＡＮＴＩ−ＴＥＲＲＡ−Ｕ ８０の商標で、ドイツのビーワイケイカンパニー（BYK Company）から市販されている）と、０．５ｇの消泡剤（ＢＹＫ−０６５の商標でドイツのビーワイケイカンパニーから市販されている）と、０．５ｇのつや消し剤（ＢＹＫ−３０６の商標で、ドイツのビーワイケイカンパニーから市販されている）と、０．４ｇのヒドロキシエチルセルロース（ルーチョウノースファンダードンケミカルカンパニー（Luzhou North Fangda Dong Chemical Company）から市販されている）とが、均一に混合されることで本実験例のインク組成物が得られた。
（３）ステップ（２）で製造されたインク組成物は、ポリエーテル・エーテル・ケトン（ＰＥＥＫ）基板上に塗布され、約１５０℃の温度で４時間乾燥された。そうすることで、基板表面上にインク層が形成され、当該インク層は約２５μｍの厚さを有した。
（４）ステップ（３）で製造された基板は、実験例３’の方法と略同じ方法によって、電気メッキが施された。
実験例８’
以下を除いて実験例１’の方法と略同じ方法によって、基板表面がメッキされた。金属化合物は、以下の方法によって製造された。ＣａＣｕ3 Ｔｉ4 Ｏ12が水素及び窒素の混合雰囲気（水素及び窒素の体積の比率は２：１であった）下で約８００℃の温度で５時間か焼が施され、か焼された生成物を形成した。その後、か焼された生成物は、約８０ｎｍの平均粒子径になるまでボールミル内で砕かれた。製造された生成物はＣａ0.1 Ｃｕ0.9 ＴｉＯ2.95であった。
以下を除いて実験例１’の方法と略同じ方法によって、基板表面がメッキされた。金属化合物は、以下の方法によって製造された。ＣａＣｕ3 Ｔｉ4 Ｏ12が水素及び窒素の混合雰囲気（水素及び窒素の体積の比率は２：１であった）下で約８００℃の温度で５時間か焼が施され、か焼された生成物を形成した。その後、か焼された生成物は、約８０ｎｍの平均粒子径になるまでボールミル内で砕かれた。製造された生成物はＣａ0.1 Ｃｕ0.9 ＴｉＯ2.95であった。
実験例９’
以下を除いて実験例８’の方法と略同じ方法によって、インク組成物が製造され、基板表面がメッキされた。ステップ（３）において、窒素雰囲気下で約８００℃の温度で２時間加熱処理を施す処理は省略された。
以下を除いて実験例８’の方法と略同じ方法によって、インク組成物が製造され、基板表面がメッキされた。ステップ（３）において、窒素雰囲気下で約８００℃の温度で２時間加熱処理を施す処理は省略された。
実験例１０’
以下を除いて実験例８’の方法と略同じ方法によって、インク組成物が製造され、基板表面がメッキされた。ステップ（２）で製造されたインク組成物がＳｉＯ2 と均一に混合され（１００ｇのインク組成物と比較すると、ＳｉＯ2 の使用量は１０ｇであった）、混合物を形成した。その後、混合物は、インクジェット印刷の方法によってＡｌ2 Ｏ3 セラミック基板の表面上に塗布された。そうすることで、基板表面上にインク層が形成された。
以下を除いて実験例８’の方法と略同じ方法によって、インク組成物が製造され、基板表面がメッキされた。ステップ（２）で製造されたインク組成物がＳｉＯ2 と均一に混合され（１００ｇのインク組成物と比較すると、ＳｉＯ2 の使用量は１０ｇであった）、混合物を形成した。その後、混合物は、インクジェット印刷の方法によってＡｌ2 Ｏ3 セラミック基板の表面上に塗布された。そうすることで、基板表面上にインク層が形成された。
実験例１１’
以下を除いて実験例８’の方法と略同じ方法によって、インク組成物が製造され、基板表面がメッキされた。金属化合物は、以下の方法によって製造された。１００ｇのＣａＣＯ3 と、２４０ｇのＣｕＯと３２０ｇのＴｉＯ2 とが均一に混合され、混合物を形成した。その後、混合物はボールミル内に配され、溶媒として無水エチルアルコールを用いて８時間砕かれた。砕かれた生成物は乾燥された後、約８００℃の温度で約１０時間か焼が施され、か焼された生成物を形成した。か焼された生成物は、高純度のアルゴンの雰囲気内で約９００℃の温度で約４時間か焼を施した。その後、再度か焼された生成物は、ボールミル内で、約１００ｎｍの平均粒子径となるまでボールミル内で砕かれた。最終的な生成物は、Ｃａ0.25Ｃｕ0.75ＴｉＯ2.84であった。
以下を除いて実験例８’の方法と略同じ方法によって、インク組成物が製造され、基板表面がメッキされた。金属化合物は、以下の方法によって製造された。１００ｇのＣａＣＯ3 と、２４０ｇのＣｕＯと３２０ｇのＴｉＯ2 とが均一に混合され、混合物を形成した。その後、混合物はボールミル内に配され、溶媒として無水エチルアルコールを用いて８時間砕かれた。砕かれた生成物は乾燥された後、約８００℃の温度で約１０時間か焼が施され、か焼された生成物を形成した。か焼された生成物は、高純度のアルゴンの雰囲気内で約９００℃の温度で約４時間か焼を施した。その後、再度か焼された生成物は、ボールミル内で、約１００ｎｍの平均粒子径となるまでボールミル内で砕かれた。最終的な生成物は、Ｃａ0.25Ｃｕ0.75ＴｉＯ2.84であった。
実験例１２’
以下を除いて実験例１１’の方法と略同じ方法によって、インク組成物が製造され、基板表面がメッキされた。ステップ（３）においては、エポキシ樹脂バインダは使用されない。
以下を除いて実験例１１’の方法と略同じ方法によって、インク組成物が製造され、基板表面がメッキされた。ステップ（３）においては、エポキシ樹脂バインダは使用されない。
実験例１３’
以下を除いて実験例１’の方法と略同じ方法によって、インク組成物が製造され、基板表面がメッキされた。金属化合物は、以下の方法によって製造された。４ｇのＭｇＯ及び１８．７ｇのＧａ2 Ｏ3 が均一に混合され、混合物を形成した。その後、混合物はボールミル内に配され、媒体として水を用いて１２時間砕かれ、砕かれた生成物を得た。砕かれた生成物は乾燥された後、約１０００℃の温度で約１２時間か焼が施され、か焼された生成物を形成した。その後、か焼された生成物は、約８０ｎｍの平均粒子径となるまで砕かれた。最終的に製造された生成物は、ＭｇＧａ2 Ｏ3.8 であった。
以下を除いて実験例１’の方法と略同じ方法によって、インク組成物が製造され、基板表面がメッキされた。金属化合物は、以下の方法によって製造された。４ｇのＭｇＯ及び１８．７ｇのＧａ2 Ｏ3 が均一に混合され、混合物を形成した。その後、混合物はボールミル内に配され、媒体として水を用いて１２時間砕かれ、砕かれた生成物を得た。砕かれた生成物は乾燥された後、約１０００℃の温度で約１２時間か焼が施され、か焼された生成物を形成した。その後、か焼された生成物は、約８０ｎｍの平均粒子径となるまで砕かれた。最終的に製造された生成物は、ＭｇＧａ2 Ｏ3.8 であった。
実験例１４’
（１）５４．１ｇのＣｕＯ（アラジンリージェントカンパニー（Aladdin Reagent Company）から市販され、約４０ｎｍの平均粒子径を有する）と、２７．１ｇのＦｅ2 Ｏ3 （アラジンリージェントカンパニーから市販され、約１００ｎｍの平均粒子径を有する）と、２９．６ｇのＭｎ2 Ｏ3 （アラジンリージェントカンパニーから市販され、約２００ｎｍの平均粒子径を有する）とが均一に混合され、混合物を形成した。その後、混合物がボールミル内に配され、約１０００℃の温度で１０時間か焼され、か焼された生成物を得た。得られたか焼された生成物は、約８０ｎｍの平均粒子径となるまで砕かれた。最終的に製造された生成物は、ＣｕＦｅ0.5 Ｍｎ0.5 Ｏ2.5 であった。
（１）５４．１ｇのＣｕＯ（アラジンリージェントカンパニー（Aladdin Reagent Company）から市販され、約４０ｎｍの平均粒子径を有する）と、２７．１ｇのＦｅ2 Ｏ3 （アラジンリージェントカンパニーから市販され、約１００ｎｍの平均粒子径を有する）と、２９．６ｇのＭｎ2 Ｏ3 （アラジンリージェントカンパニーから市販され、約２００ｎｍの平均粒子径を有する）とが均一に混合され、混合物を形成した。その後、混合物がボールミル内に配され、約１０００℃の温度で１０時間か焼され、か焼された生成物を得た。得られたか焼された生成物は、約８０ｎｍの平均粒子径となるまで砕かれた。最終的に製造された生成物は、ＣｕＦｅ0.5 Ｍｎ0.5 Ｏ2.5 であった。
（２）ステップ（１）で最終的に製造された生成物１００ｇと、１６ｇのインク媒剤（ＣＡＢ３８１−２０の商標でアメリカ合衆国のイーストマンカンパニー（Eastman Company）から市販されている）と、８０ｇのトリクロロエチレンと、４ｇの分散剤（ＢＹＫ−２２０ Ｓの商標でドイツのビーワイケイカンパニー（BYK Company）から市販されている）と、３ｇの消泡剤（ＢＹＫ−０６５の商標でドイツのビーワイケイカンパニーから市販されている）と、０．５ｇのつや消し剤（ＢＹＫ−３０６の商標でドイツのビーワイケイカンパニーから市販されている）と、０．３ｇのポリアクリル酸ナトリウム（アラジンリージェントカンパニー（Aladdin Reagent Company）から市販されている）とが均一に混合され、本実験例のインク組成物を得た。
（３）ステップ（２）で製造されたインク組成物は、レーザー印刷方法によってポリカーボネート（ＰＣ）基板の表面上に塗布され、約１２０℃の温度で５時間乾燥された。そうすることで、基板表面に約２０μｍの厚さを有するインク層が形成された。
（４）基板表面は、実験例１’の方法と略同じ方法によってメッキされた。
実験例１５’
以下を除いて実験例３’の方法と略同じ方法によって、インク組成物が製造され、基板表面がメッキされた。金属化合物は、実験例１４’のステップ（１）と略同じ方法によって製造された生成物とした。
以下を除いて実験例３’の方法と略同じ方法によって、インク組成物が製造され、基板表面がメッキされた。金属化合物は、実験例１４’のステップ（１）と略同じ方法によって製造された生成物とした。
実験例１６’
以下を除いて実験例１’の方法と略同じ方法によって、インク組成物が製造され、基板表面がメッキされた。金属化合物は、実験例１４’の方法と略同じ方法によって製造された生成物とした。
以下を除いて実験例１’の方法と略同じ方法によって、インク組成物が製造され、基板表面がメッキされた。金属化合物は、実験例１４’の方法と略同じ方法によって製造された生成物とした。
実験例１７’
以下を除いて実験例１６’の方法と略同じ方法によって、インク組成物が製造され、基板表面がメッキされた。ステップ（３）において、窒素雰囲気下で約８００℃の温度で２時間加熱処理を施す処理は省略された。
以下を除いて実験例１６’の方法と略同じ方法によって、インク組成物が製造され、基板表面がメッキされた。ステップ（３）において、窒素雰囲気下で約８００℃の温度で２時間加熱処理を施す処理は省略された。
実験例１８’
以下を除いて実験例５’の方法と略同じ方法によって、インク組成物が製造され、基板表面がメッキされた。金属化合物は、以下の方法によって製造された。５４．１ｇのＣｕＯ（アラジンリージェントカンパニー（Aladdin Reagent Company）から市販され、約４０ｎｍの平均粒子径を有する）と、２７．１ｇのＦｅ2 Ｏ3 （アラジンリージェントカンパニーから市販され、約１００ｎｍの平均粒子径を有する）と、１７．３ｇのＡｌ2 Ｏ3 （アラジンリージェントカンパニーから市販され、約１００ｎｍの平均粒子径を有する）とが均一に混合され、混合物を形成した。その後、混合物がＮ2 雰囲気内で１０００℃の温度で１０時間か焼され、か焼された生成物を得た。その後、か焼された生成物は、ボールミル内で約８０ｎｍの平均粒子径を有する粉末となるまでボールミル内で砕かれた。最終的に製造された生成物は、ＣｕＦｅ0.5 Ａｌ0.5 Ｏ2.5 であった。
以下を除いて実験例５’の方法と略同じ方法によって、インク組成物が製造され、基板表面がメッキされた。金属化合物は、以下の方法によって製造された。５４．１ｇのＣｕＯ（アラジンリージェントカンパニー（Aladdin Reagent Company）から市販され、約４０ｎｍの平均粒子径を有する）と、２７．１ｇのＦｅ2 Ｏ3 （アラジンリージェントカンパニーから市販され、約１００ｎｍの平均粒子径を有する）と、１７．３ｇのＡｌ2 Ｏ3 （アラジンリージェントカンパニーから市販され、約１００ｎｍの平均粒子径を有する）とが均一に混合され、混合物を形成した。その後、混合物がＮ2 雰囲気内で１０００℃の温度で１０時間か焼され、か焼された生成物を得た。その後、か焼された生成物は、ボールミル内で約８０ｎｍの平均粒子径を有する粉末となるまでボールミル内で砕かれた。最終的に製造された生成物は、ＣｕＦｅ0.5 Ａｌ0.5 Ｏ2.5 であった。
実験例１９’
以下を除いて実験例１’の方法と略同じ方法によって、インク組成物が製造され、基板表面がメッキされた。金属化合物は、以下の方法によって製造された。５４．１ｇのＣｕＯ（アラジンリージェントカンパニー（Aladdin Reagent Company）から市販され、約４０ｎｍの平均粒子径を有する）と、１３．６ｇのＦｅ2 Ｏ3 （アラジンリージェントカンパニーから市販され、約１００ｎｍの平均粒子径を有する）と、８．７ｇのＡｌ2 Ｏ3 （アラジンリージェントカンパニーから市販され、約１００ｎｍの平均粒子径を有する）と、２６．９ｇのＭｎ2 Ｏ3 （アラジンリージェントカンパニーから市販され、約２００ｎｍの平均粒子径を有する）とが均一に混合され、混合物を形成した。その後、混合物がＮＨ3 雰囲気内で１０００℃の温度で１０時間か焼され、か焼された生成物を得た。その後、か焼された生成物は、ボールミル内で約１００ｎｍの平均粒子径を有する粉末となるまでボールミル内で砕かれた。最終的に製造された生成物は、ＣｕＦｅ0.25Ａｌ0.25Ｍｎ0.5 Ｏ2.5 であった。
以下を除いて実験例１’の方法と略同じ方法によって、インク組成物が製造され、基板表面がメッキされた。金属化合物は、以下の方法によって製造された。５４．１ｇのＣｕＯ（アラジンリージェントカンパニー（Aladdin Reagent Company）から市販され、約４０ｎｍの平均粒子径を有する）と、１３．６ｇのＦｅ2 Ｏ3 （アラジンリージェントカンパニーから市販され、約１００ｎｍの平均粒子径を有する）と、８．７ｇのＡｌ2 Ｏ3 （アラジンリージェントカンパニーから市販され、約１００ｎｍの平均粒子径を有する）と、２６．９ｇのＭｎ2 Ｏ3 （アラジンリージェントカンパニーから市販され、約２００ｎｍの平均粒子径を有する）とが均一に混合され、混合物を形成した。その後、混合物がＮＨ3 雰囲気内で１０００℃の温度で１０時間か焼され、か焼された生成物を得た。その後、か焼された生成物は、ボールミル内で約１００ｎｍの平均粒子径を有する粉末となるまでボールミル内で砕かれた。最終的に製造された生成物は、ＣｕＦｅ0.25Ａｌ0.25Ｍｎ0.5 Ｏ2.5 であった。
実験例２０’
以下を除いて実験例１９’の方法と略同じ方法によって、インク組成物が製造され、基板表面がメッキされた。ステップ（３）においては、ステップ（２）で製造されたインク組成物がＳｉＯ2 と均一に混合され（１００ｇのインク組成物と比較すると、ＳｉＯ2 の使用量は１０ｇであった）、混合物を形成した。得られた混合物は、インクジェット印刷の方法によってＡｌ2 Ｏ3 の表面上に塗布された。
以下を除いて実験例１９’の方法と略同じ方法によって、インク組成物が製造され、基板表面がメッキされた。ステップ（３）においては、ステップ（２）で製造されたインク組成物がＳｉＯ2 と均一に混合され（１００ｇのインク組成物と比較すると、ＳｉＯ2 の使用量は１０ｇであった）、混合物を形成した。得られた混合物は、インクジェット印刷の方法によってＡｌ2 Ｏ3 の表面上に塗布された。
実験例２１’
以下を除いて実験例３’の方法と略同じ方法によって、インク組成物が製造され、基板表面がメッキされた。金属化合物は、以下の方法によって製造された。５８ｇのＣｕＯと、３４ｇのＧａ2 Ｏ3 と、１４ｇのＢ2 Ｏ3 とが均一に混合され、混合物を形成した。その後、混合物がボールミル内に配され、媒体として水を用いて１２時間砕かれ、砕かれた生成物を得た。砕かれた生成物が、乾燥された後、水素及び窒素の混合雰囲気（水素及び窒素の体積の比率は２：１であった）下で約１０００℃の温度で約１２時間か焼され、か焼された生成物を得た。その後、か焼された生成物は約８０ｎｍの平均粒子径となるまで砕かれた。製造された生成物は、ＣｕＧａ0.5 Ｂ0.5 Ｏ2.5 であった。
以下を除いて実験例３’の方法と略同じ方法によって、インク組成物が製造され、基板表面がメッキされた。金属化合物は、以下の方法によって製造された。５８ｇのＣｕＯと、３４ｇのＧａ2 Ｏ3 と、１４ｇのＢ2 Ｏ3 とが均一に混合され、混合物を形成した。その後、混合物がボールミル内に配され、媒体として水を用いて１２時間砕かれ、砕かれた生成物を得た。砕かれた生成物が、乾燥された後、水素及び窒素の混合雰囲気（水素及び窒素の体積の比率は２：１であった）下で約１０００℃の温度で約１２時間か焼され、か焼された生成物を得た。その後、か焼された生成物は約８０ｎｍの平均粒子径となるまで砕かれた。製造された生成物は、ＣｕＧａ0.5 Ｂ0.5 Ｏ2.5 であった。
実験例２２’
以下を除いて実験例１’の方法と略同じ方法によって、インク組成物が製造され、基板表面がメッキされた。金属化合物は、実験例２１’で製造された金属化合物であった。
以下を除いて実験例１’の方法と略同じ方法によって、インク組成物が製造され、基板表面がメッキされた。金属化合物は、実験例２１’で製造された金属化合物であった。
実験例２３’
以下を除いて実験例２２’の方法と略同じ方法によって、インク組成物が製造され、基板表面がメッキされた。ステップ（３）においては、窒素雰囲気下で約８００℃の温度で２時間加熱処理を施す処理は省略された。
以下を除いて実験例２２’の方法と略同じ方法によって、インク組成物が製造され、基板表面がメッキされた。ステップ（３）においては、窒素雰囲気下で約８００℃の温度で２時間加熱処理を施す処理は省略された。
実験例２４’
以下を除いて実験例１’の方法と略同じ方法によって、インク組成物が製造され、基板表面がメッキされた。金属化合物は、以下の方法で製造された。８０ｇのＣｕＯと４０ｇのＦｅ2 Ｏ3 と１７ｇのＢ2 Ｏ3 とが均一に混合され、混合物を形成した。その後、混合物がボールミル内に配され、媒体として水を用いて１２時間砕かれ、砕かれた生成物を得た。砕かれた生成物が、乾燥された後、水素及び窒素の混合雰囲気（水素及び窒素の体積の比率は２：１であった）下で約１０００℃の温度で約１２時間か焼され、か焼された生成物を得た。その後、か焼された生成物は約８０ｎｍの平均粒子径となるまで砕かれた。製造された生成物は、ＣｕＦｅ0.5 Ｂ0.5 Ｏ2.5 であった。
以下を除いて実験例１’の方法と略同じ方法によって、インク組成物が製造され、基板表面がメッキされた。金属化合物は、以下の方法で製造された。８０ｇのＣｕＯと４０ｇのＦｅ2 Ｏ3 と１７ｇのＢ2 Ｏ3 とが均一に混合され、混合物を形成した。その後、混合物がボールミル内に配され、媒体として水を用いて１２時間砕かれ、砕かれた生成物を得た。砕かれた生成物が、乾燥された後、水素及び窒素の混合雰囲気（水素及び窒素の体積の比率は２：１であった）下で約１０００℃の温度で約１２時間か焼され、か焼された生成物を得た。その後、か焼された生成物は約８０ｎｍの平均粒子径となるまで砕かれた。製造された生成物は、ＣｕＦｅ0.5 Ｂ0.5 Ｏ2.5 であった。
実験例２５’
以下を除いて実験例２４’の方法と略同じ方法によって、インク組成物が製造され、基板表面がメッキされた。ステップ（３）においては、窒素雰囲気下で約８００℃の温度で２時間加熱処理を施す処理は省略された。
以下を除いて実験例２４’の方法と略同じ方法によって、インク組成物が製造され、基板表面がメッキされた。ステップ（３）においては、窒素雰囲気下で約８００℃の温度で２時間加熱処理を施す処理は省略された。
実験例２６’
以下を除いて実験例３’の方法と略同じ方法によって、インク組成物が製造され、基板表面がメッキされた。金属化合物は、実験例２４’で製造された金属化合物とした。
以下を除いて実験例３’の方法と略同じ方法によって、インク組成物が製造され、基板表面がメッキされた。金属化合物は、実験例２４’で製造された金属化合物とした。
実験例２７’
以下を除いて実験例１’の方法と略同じ方法によって、インク組成物が製造され、基板表面がメッキされた。金属化合物は、以下の方法によって製造された。４５ｇのＮｉ2 Ｏ3 と、８０ｇのＣｕＯと、１８ｇのＢ2 Ｏ3 とが均一に混合され、混合物を形成した。その後、混合物がボールミル内に配され、媒体として水を用いて１２時間砕かれ、砕かれた生成物を得た。砕かれた生成物が、乾燥された後、水素及び窒素の混合雰囲気（水素及び窒素の体積の比率は２：１であった）下で約１０００℃の温度で約１２時間か焼され、か焼された生成物を得た。その後、か焼された生成物は約８０ｎｍの平均粒子径となるまで砕かれた。製造された生成物は、ＣｕＮｉ0.5 Ｂ0.5 Ｏ2.5 であった。
以下を除いて実験例１’の方法と略同じ方法によって、インク組成物が製造され、基板表面がメッキされた。金属化合物は、以下の方法によって製造された。４５ｇのＮｉ2 Ｏ3 と、８０ｇのＣｕＯと、１８ｇのＢ2 Ｏ3 とが均一に混合され、混合物を形成した。その後、混合物がボールミル内に配され、媒体として水を用いて１２時間砕かれ、砕かれた生成物を得た。砕かれた生成物が、乾燥された後、水素及び窒素の混合雰囲気（水素及び窒素の体積の比率は２：１であった）下で約１０００℃の温度で約１２時間か焼され、か焼された生成物を得た。その後、か焼された生成物は約８０ｎｍの平均粒子径となるまで砕かれた。製造された生成物は、ＣｕＮｉ0.5 Ｂ0.5 Ｏ2.5 であった。
実験例２８’
以下を除いて実験例１’の方法と略同じ方法によって、インク組成物が製造され、基板表面がメッキされた。金属化合物は、以下の方法によって製造された。８０ｇのＣｕＯ及び２５ｇのＢ2 Ｏ3 が均一に混合され、混合物を形成した。その後、混合物がボールミル内に配され、媒体として水を用いて１２時間砕かれ、砕かれた生成物を得た。砕かれた生成物は、乾燥された後、空気雰囲気下で約９００℃の温度で約６時間か焼された。か焼された生成物は、約８０ｎｍの平均粒子径となるまで砕かれた。製造された生成物は、ＣｕＢ0.7 Ｏ2 であった。
以下を除いて実験例１’の方法と略同じ方法によって、インク組成物が製造され、基板表面がメッキされた。金属化合物は、以下の方法によって製造された。８０ｇのＣｕＯ及び２５ｇのＢ2 Ｏ3 が均一に混合され、混合物を形成した。その後、混合物がボールミル内に配され、媒体として水を用いて１２時間砕かれ、砕かれた生成物を得た。砕かれた生成物は、乾燥された後、空気雰囲気下で約９００℃の温度で約６時間か焼された。か焼された生成物は、約８０ｎｍの平均粒子径となるまで砕かれた。製造された生成物は、ＣｕＢ0.7 Ｏ2 であった。
実験例２９’
以下を除いて実験例１’の方法と略同じ方法によって、インク組成物が製造され、基板表面がメッキされた。金属化合物は、以下の方法によって製造された。７５ｇのＮｉ2 Ｏ3 及び１２８ｇのＭｏＯ3 が均一に混合され、混合物を形成した。その後、混合物がボールミル内に配され、媒体として水を用いて１２時間砕かれ、砕かれた生成物を得た。砕かれた生成物は、乾燥された後、Ｎ2 雰囲気下で約９００℃の温度で約６時間か焼された。か焼された生成物は、約８０ｎｍの平均粒子径となるまで砕かれた。製造された生成物は、ＮｉＭｏＯ3.8 であった。
以下を除いて実験例１’の方法と略同じ方法によって、インク組成物が製造され、基板表面がメッキされた。金属化合物は、以下の方法によって製造された。７５ｇのＮｉ2 Ｏ3 及び１２８ｇのＭｏＯ3 が均一に混合され、混合物を形成した。その後、混合物がボールミル内に配され、媒体として水を用いて１２時間砕かれ、砕かれた生成物を得た。砕かれた生成物は、乾燥された後、Ｎ2 雰囲気下で約９００℃の温度で約６時間か焼された。か焼された生成物は、約８０ｎｍの平均粒子径となるまで砕かれた。製造された生成物は、ＮｉＭｏＯ3.8 であった。
実験例３０’
以下を除いて実験例３’の方法と略同じ方法によって、インク組成物が製造され、基板表面がメッキされた。金属化合物は、実験例２９’で製造された金属化合物であった。
以下を除いて実験例３’の方法と略同じ方法によって、インク組成物が製造され、基板表面がメッキされた。金属化合物は、実験例２９’で製造された金属化合物であった。
実験例３１’
以下を除いて実験例５’の方法と略同じ方法によって、インク組成物が製造され、基板表面がメッキされた。金属化合物は、以下の方法によって製造された。７５ｇのＮｉ2 Ｏ3 及び１２８ｇのＭｏＯ3 が均一に混合され、第１の混合物を形成した。その後、混合物がボールミル内に配され、媒体として水を用いて１２時間砕かれ、砕かれた生成物を得た。砕かれた生成物は、乾燥された後、Ｎ2 雰囲気下で約９００℃の温度で約８時間か焼された。か焼された生成物は、約８０ｎｍの平均粒子径となるまで砕かれた。また、ステップ（３）においては、ステップ（２）で製造されたインク組成物がＮｉ2 Ｏ3 と均一に混合され（１００ｇのインク組成物と比較すると、Ｎｉ2 Ｏ3 の使用量は１５ｇであった）、第２の混合物が形成された。第２の混合物は、インクジェット印刷の方法によりＡｌ2 Ｏ3 セラミック基板の表面上に塗布された。製造された生成物は、ＮｉＭｏＯ3.5 であった。
以下を除いて実験例５’の方法と略同じ方法によって、インク組成物が製造され、基板表面がメッキされた。金属化合物は、以下の方法によって製造された。７５ｇのＮｉ2 Ｏ3 及び１２８ｇのＭｏＯ3 が均一に混合され、第１の混合物を形成した。その後、混合物がボールミル内に配され、媒体として水を用いて１２時間砕かれ、砕かれた生成物を得た。砕かれた生成物は、乾燥された後、Ｎ2 雰囲気下で約９００℃の温度で約８時間か焼された。か焼された生成物は、約８０ｎｍの平均粒子径となるまで砕かれた。また、ステップ（３）においては、ステップ（２）で製造されたインク組成物がＮｉ2 Ｏ3 と均一に混合され（１００ｇのインク組成物と比較すると、Ｎｉ2 Ｏ3 の使用量は１５ｇであった）、第２の混合物が形成された。第２の混合物は、インクジェット印刷の方法によりＡｌ2 Ｏ3 セラミック基板の表面上に塗布された。製造された生成物は、ＮｉＭｏＯ3.5 であった。
実験例３２’
以下を除いて実験例２９’の方法と略同じ方法によって、インク組成物が製造され、基板表面がメッキされた。ステップ（３）においては、窒素雰囲気下で約８００℃の温度で２時間加熱処理を施す処理は省略された。
以下を除いて実験例２９’の方法と略同じ方法によって、インク組成物が製造され、基板表面がメッキされた。ステップ（３）においては、窒素雰囲気下で約８００℃の温度で２時間加熱処理を施す処理は省略された。
比較例１
以下を除いて実験例１’の方法と略同じ方法によって、インク組成物が製造され、基板表面がメッキされた。金属化合物は、約８０ｎｍの平均粒子径を有する銀の粉末に置き換えられた。
以下を除いて実験例１’の方法と略同じ方法によって、インク組成物が製造され、基板表面がメッキされた。金属化合物は、約８０ｎｍの平均粒子径を有する銀の粉末に置き換えられた。
実験例１’〜３２’及び比較例１におけるメッキ速度と形成された金属層の厚さと接着力と信号感度とは、表１に示された。
「実施形態」、「いくつかの実施形態」、「一の実施形態」、「他の実施形態」、「実験例」、「特定の実験例」、又は「いくつかの実験例」に対する本明細書中の参照は、実施形態又は実験例に関連して記載された特定の特性、構造、材料、又は特徴が、本開示の少なくとも一つの実施形態又は実験例に含まれることを意味する。それ故、例えば「いくつかの実施形態において」、「一の実施形態において」、「実施形態において」、「他の実験例において」、「実験例において」、「特定の実験例において」、又は「いくつかの実験例において」等の、本明細書中の様々な場所にある語句の表現は、本開示のいくつかの実施形態又は実験例に関して言及する必要がない。更に、特定の特性、構造、材料、又は特徴は、一若しくは複数の実施形態又は実験例において適切な方法で組み合わされてもよい。
説明的な実施形態が示され、かつ記載されたが、上の実施形態が本開示を制限するものではなく、変更、代替、及び修正は、本開示の趣旨、原理、及び範囲から外れることなく実施形態中で行うことができるということを、当業者によって理解されたい。
関連出願の相互参照
本出願は、出願番号２０１１１０４４２４８１．８及び出願番号２０１１１０４４２４７４．８として、２０１１年１２月２７日に中国特許庁に出願された両方の中国特許出願を基礎とする優先権を主張し、その開示の全てが参照によってここに組み込まれる。
本出願は、出願番号２０１１１０４４２４８１．８及び出願番号２０１１１０４４２４７４．８として、２０１１年１２月２７日に中国特許庁に出願された両方の中国特許出願を基礎とする優先権を主張し、その開示の全てが参照によってここに組み込まれる。
Claims (7)
- 金属化合物と、
インク媒剤と
を備え、
前記金属化合物は、
式IIIの化合物、ＣｕＦｅ0.5Ｍｎ0.5Ｏ2.5、ＣｕＦｅ0.5Ａｌ0.5Ｏ2.5、ＣｕＦｅ0.5Ａｌ0.25Ｍｎ0.5Ｏ2.5、式IVの化合物、式Vの化合物、ＣｕＦｅ0.5Ｂ0.5Ｏ2.5、ＣｕＮｉ0.5Ｂ0.5Ｏ2.5、ＣｕＧａ0.5Ｂ0.5Ｏ2.5、ＣｕＢ0.7Ｏ2 、及び式VIの化合物からなる群から選択される少なくとも一つであることを特徴とするインク組成物。
ＣｕＦｅＯ4-δ （III）
ＭｇＧａ2 Ｏ4-λ （IV）
ＮｉＭｏＯ4-μ （V）
ＣａαＣｕ1-αＴｉＯ3-β（VI）
但し、０＜δ≦３であり、０＜λ≦３であり、０＜μ≦３であり、０≦α＜１であり、βは０〜２である。 - 前記インク媒剤の含有量は、前記金属化合物の１００重量部を基準として、１〜３０重量部であること
を特徴とする請求項１に記載のインク組成物。 - 前記金属化合物は、１ｎｍから１ミクロンの平均粒子径を有していること
を特徴とする請求項１に記載のインク組成物。 - 前記金属化合物は、１〜１００ｎｍの平均粒子径を有していること
を特徴とする請求項１に記載のインク組成物。 - 絶縁基板の表面にメッキする方法において、
絶縁基板におけるメッキするための表面に、請求項１〜４までの何れか一つに記載のインク組成物を塗布し、インク層を有する絶縁基板を得るステップと、
前記インク層を有する絶縁基板上に少なくとも一つの金属層をメッキするステップと
を備えることを特徴とする方法。 - 絶縁基板の表面にメッキする方法において、
絶縁基板におけるメッキするための表面に、インク組成物を塗布し、インク層を有する絶縁基板を得るステップであって、
前記インク組成物は、式Iで表される金属化合物とインク媒剤とを備えるインク組成物であり、
ＴｉＯ2-σ (I)
但し、０．０５≦σ＜１．８であるステップと、
前記インク層を有する絶縁基板上に少なくとも一つの金属層をメッキするステップと
を備えることを特徴とする方法。 - 前記メッキするステップの前に、非反応性雰囲気内で５００〜１０００℃の温度で、前記インク層を有する絶縁基板に１〜５時間に亘って加熱処理を施すステップを更に備えること
を特徴とする請求項５又は６に記載の方法。
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