JP6041262B2 - 半導体モジュール - Google Patents
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Description
また、本発明は、両電極面にそれぞれ電極を備えた半導体チップと、前記半導体チップの各電極面にそれぞれ配置され、電極を有する表面配線層を基板表面に備えた一対のモジュール基板と、を有し、前記半導体チップの各電極面の電極は、対向する前記モジュール基板の表面配線層の電極に接合されており、少なくともいずれかの前記モジュール基板の表面配線層の電極には、溝が形成され、前記モジュール基板の基板裏面には、裏面配線層が形成され、前記半導体チップは、固相−固相接合用の電極を備えた第一の電極面と、リフロー接合用の電極を備えた第二の電極面を有し、前記一対のモジュール基板は、前記固相−固相接合用の電極とフリップチップにより接合された表面配線層の電極を備える第一のモジュール基板と、前記リフロー接合用の電極とはんだリフローにより接合された表面配線層の電極を備える第二のモジュール基板からなる、半導体モジュールである。なお、前記半導体チップの少なくともいずれかの電極面には、面積の異なる複数の電極が形成され、前記表面配線層の電極の溝は、前記面積の小さい電極が接合された前記表面配線層の電極に形成されていてもよい。
10 パワー素子
11 第一のモジュール基板
12 第二のモジュール基板
20 第一の電極面
21 第二の電極面
30 ゲート電極
31 ソース電極
32 ドレイン電極
40 基板
50、51 基板電極
52 表面配線層
55 溝
60 基板
61 基板電極
62 表面配線層
70、71 裏面配線層
Claims (8)
- 両電極面にそれぞれ電極を備えた半導体チップと、
前記半導体チップの各電極面にそれぞれ配置され、電極を有する表面配線層を基板表面に備えた一対のモジュール基板と、を有し、
前記半導体チップの各電極面の電極は、対向する前記モジュール基板の表面配線層の電極に接合されており、
少なくともいずれかの前記モジュール基板の表面配線層の電極には、溝が形成され、
前記モジュール基板の基板裏面には、裏面配線層が形成され、
前記半導体チップの少なくともいずれかの電極面には、面積の異なる複数の電極が形成され、
前記表面配線層の電極の溝は、前記面積の小さい電極と前記表面配線層の電極との接合部分の近傍に形成されている、半導体モジュール。 - 両電極面にそれぞれ電極を備えた半導体チップと、
前記半導体チップの各電極面にそれぞれ配置され、電極を有する表面配線層を基板表面に備えた一対のモジュール基板と、を有し、
前記半導体チップの各電極面の電極は、対向する前記モジュール基板の表面配線層の電極に接合されており、
少なくともいずれかの前記モジュール基板の表面配線層の電極には、溝が形成され、
前記モジュール基板の基板裏面には、裏面配線層が形成され、
前記半導体チップは、固相−固相接合用の電極を備えた第一の電極面と、リフロー接合用の電極を備えた第二の電極面を有し、
前記一対のモジュール基板は、前記固相−固相接合用の電極とフリップチップにより接合された表面配線層の電極を備える第一のモジュール基板と、前記リフロー接合用の電極とはんだリフローにより接合された表面配線層の電極を備える第二のモジュール基板からなる、半導体モジュール。 - 前記半導体チップの少なくともいずれかの電極面には、面積の異なる複数の電極が形成され、
前記表面配線層の電極の溝は、前記面積の小さい電極が接合された前記表面配線層の電極に形成されている、請求項2に記載の半導体モジュール。 - 前記裏面配線層は、基板露出部分の面積と配線部分の面積との比が前記表面配線層と同じになるように形成されている、請求項1〜3のいずれかに記載の半導体モジュール。
- 前記裏面配線層には、基板露出部分の面積と配線部分の面積との比が前記表面配線層と同じになるような配線パターンが形成されている、請求項4に記載の半導体モジュール。
- 前記裏面配線層には、基板露出部分の面積と配線部分の面積との比が前記表面配線層と同じになるような格子状の溝が形成されている、請求項4に記載の半導体モジュール。
- 前記裏面配線層は、配線部分の体積が前記表面配線層と同じになるように厚みが調整されている、請求項1〜3のいずれかに記載の半導体モジュール。
- 前記半導体チップは、パワー素子である、請求項1〜7のいずれかに記載の半導体モジュール。
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