JP6035770B2 - 半導体受光素子 - Google Patents
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Description
第1の実施形態に係る半導体受光素子について説明する。本実施形態に係る半導体受光素子の断面図を図1に示す。図1において、本実施形態に係る半導体受光素子10は、半導体基板20、受光部30および反射部40を備える。
第2の実施形態について説明する。本実施形態に係る半導体受光素子の断面図を図2に示す。図2において、本実施形態に係る半導体受光素子100は、半導体基板200、受光部300および反射膜400を備える。
第3の実施形態について説明する。本実施形態に係る半導体受光素子の断面図を図6に示す。図6において、本実施形態に係る半導体受光素子100Cは、半導体基板200C、受光部300Cおよび反射膜400Cを備える。
第4の実施形態について説明する。本実施形態に係る半導体受光素子の断面図を図8に示す。図8において、本実施形態に係る半導体受光素子100Eは、半導体基板200E、受光部300Eおよび反射膜400Eを備える。
20 半導体基板
30 受光部
40 反射部
100、100B、100C、100D、100E 半導体受光素子
200、200B、200C、200D、200E 半導体基板
210、210B、210E 穴部
300、300B、300C、300D、300E 受光部
400、400B、400C、400D、400E 反射膜
900 半導体受光素子
910 半導体基板
920 受光領域
930 反射層
Claims (3)
- 下面に穴部が形成された半導体基板と、
前記半導体基板の上面の前記穴部と対向する位置に配置され、光が入射する受光部と、
前記穴部が形成された領域を含む前記半導体基板の下面に配置され、前記受光部を透過した光を反射する反射部と、
を備え、
前記穴部の深さは、前記穴部に配置された前記反射部が、前記受光部に入射する光の入射光スポットサイズの境界に入射した光の焦点位置または該焦点位置よりも前記受光部側に配置される深さに設定されることを特徴とする半導体受光素子。 - 前記穴部の底面は、平面状に形成される、
請求項1記載の半導体受光素子。 - 下面に穴部が形成された半導体基板と、
前記半導体基板の上面の前記穴部と対向する位置に配置され、光が入射する受光部と、
前記穴部が形成された領域を含む前記半導体基板の下面に配置され、前記受光部を透過した光を反射する反射部と、
を備え、
前記穴部の底面は、中心が前記受光部に入射する光の入射光スポットサイズの境界に入射した光の焦点位置に一致する球面状に形成された半導体受光素子。
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JP2012034004A JP6035770B2 (ja) | 2012-02-20 | 2012-02-20 | 半導体受光素子 |
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