JP6011364B2 - 撥水膜付き基体および輸送機器用物品 - Google Patents
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Description
[1] 基体と、前記基体の少なくとも一部の表面に撥水膜とを有する撥水膜付き基体であって、
前記撥水膜は、基体側から順に、
酸化ケイ素と、ケイ素原子よりも電気陰性度が低い元素M(ただし、前記元素Mは、Al、Zr、Hf、Ti、YおよびCeから選ばれる1種以上の元素である)の酸化物を含む下地層であって、前記下地層の構成成分におけるケイ素原子と元素Mの合計モル量の100モル%に対してケイ素原子を50モル%以上97モル%以下で含有する下地層、および、
下記式(1)で表される化合物および/またはその部分加水分解縮合物からなる(A)成分を含む撥水層形成用組成物を用いて形成された撥水層、
を有する撥水膜付き基体。
R3−(SiR2 2O)k−SiR2 2−Y1−Si(R1)3−n(X1)n …(1)
(ただし、式(1)中、R3は炭素原子数10以下のアルキル基または−Y1−Si(R1)3−n(X1)n基を、R2はそれぞれ独立して炭素原子数3以下のアルキル基を、Y1はそれぞれ独立して炭素原子数2〜4のアルキレン基を、R1はそれぞれ独立して1価の炭化水素基であり、X1はそれぞれ独立して加水分解性基を示す。kは10〜200の整数であり、nは1〜3の整数である。)
Si(X2)4 …(2)
(ただし、式(2)中、X2はそれぞれ独立して、ハロゲン原子、アルコキシ基またはイソシアネート基を示す。)
X3 3Si−(CH2)m−SiX3 3 …(3)
(ただし、式(3)中、X3はそれぞれ独立して加水分解性基または水酸基を示し、mは1〜8の整数である。)
[7] 前記元素MがAlであり、前記(C)成分がAlのアセチルアセトナートおよび/またはその部分加水分解縮合物、および/またはAl塩とアセチルアセトンの混合物とからなる[2]〜[6]のいずれかに記載の撥水膜付き基体。
[8] 前記下地層形成用組成物は、全固形分が実質的に、前記(B)成分由来成分、前記(C)成分由来成分、および前記(D)成分由来成分のみからなる、[2]〜[7]のいずれかに記載の撥水膜付き基体。
[10] 前記基体の材質がガラスである、[1]〜[9]のいずれかに記載の撥水膜付き基体。
[11] 前記[1]〜[10]のいずれかに記載の撥水膜付き基体を備えた輸送機器用物品。
本明細書における式(1)で表される化合物を、化合物(1)という。式(1a)で表される基を、基(1a)という。他の化合物、基も同様である。本明細書における「(B)成分由来成分」は、(B)成分と他の加水分解性成分の部分加水分解共縮合物における(B)成分に由来する単位を総称する用語として用いる。また、本明細書において全固形分とは、各層形成用組成物が含有する成分のうち、最終的に層構成成分となる成分をいい、有機溶剤等の層形成過程における加熱等により揮発する揮発性成分以外の全成分を示す。
本発明の撥水膜付き基体は、基体と、前記基体の少なくとも一部の表面に撥水膜とを有する撥水膜付き基体であって、前記撥水膜は基体側から順に以下の構成の下地層および撥水層を有する。
撥水層;下記式(1)で表される化合物および/またはその部分加水分解縮合物からなる(A)成分を含む撥水層形成用組成物を用いて形成される層。
R3−(SiR2 2O)k−SiR2 2−Y1−Si(R1)3−n(X1)n …(1)
(ただし、式(1)中、R3は炭素原子数10以下のアルキル基または−Y1−Si(R1)3−n(X1)n基を、R2はそれぞれ独立して炭素原子数3以下のアルキル基を、Y1はそれぞれ独立して炭素原子数2〜4のアルキレン基を、R1はそれぞれ独立して1価の炭化水素基であり、X1はそれぞれ独立して加水分解性基を示す。kは10〜200の整数であり、nは1〜3の整数である。)
以下、本発明の撥水膜付き基体の構成要素を説明する。
本発明の撥水膜付き基体に用いる基体は、一般に撥水性の付与が求められている材質からなる基体であれば特に限定されず、金属、プラスチック、ガラス、セラミック、またはその組み合わせ(複合材料、積層材料等)からなる基体が好ましく使用される。ガラスまたはプラスチック等の透明な基体が好ましく、特にガラスが好ましい。
撥水膜付き基体が有する撥水膜は、基体側から順に下地層および撥水層を有する。撥水膜は、下地層と撥水層の間にさらに中間層等を有してもよいが、下地層と撥水層のみで構成される撥水膜が好ましい。
本発明の撥水膜付き基体における下地層は、酸化ケイ素を主体とし、ケイ素原子よりも電気陰性度が低い元素Mの酸化物を含む。下地層が酸化ケイ素を主体とするとは、下地層の構成成分のケイ素原子と元素Mの合計モル量の100モル%に対してケイ素原子を50モル%以上100モル%以下で含有することをいう。
Si(X2)4 …(2)
(ただし、式(2)中、X2はそれぞれ独立して、ハロゲン原子、アルコキシ基またはイソシアネート基を示す。)
(C)成分;上記元素Mと元素Mに結合する加水分解性基を有する化合物および/またはその部分加水分解縮合物からなる(C1)成分および/または上記元素Mの塩および上記元素Mとキレート結合可能なキレート化剤とからなる(C2)成分からなる。
カルボン酸塩としては、酢酸塩、シュウ酸塩、クエン酸塩等が、無機塩としては、硝酸塩、硫酸塩、ハロゲン化物等が、アルコキシドとしては、炭素原子数1〜4のアルコキシ基を有するアルコキシドが挙げられる。これらのなかでも、塩酸塩、硝酸塩、炭素原子数1〜4のアルコキシド等が好ましい。元素Mとキレート結合可能なキレート化剤としては、β−ジケトン等が挙げられる。β−ジケトンとしては、アセチルアセトン、エチルアセトアセテート等が挙げられ、アセチルアセトンが好ましい。これらのなかでも(C2)としては、Alの硝酸塩とアセチルアセトンの組み合わせが好ましい。
X3 3Si−(CH2)m−SiX3 3 …(3)
(ただし、式(3)中、X3はそれぞれ独立して加水分解性基または水酸基を示し、mは1〜8の整数である。)
X3で示される加水分解性基としては、アルコキシ基、アシロキシ基、ケトオキシム基、アルケニルオキシ基、アミノ基、アミノキシ基、アミド基、イソシアネート基、ハロゲン原子等が挙げられる。化合物(3)の安定性と加水分解のし易さとのバランスの点から、X3としては、アルコキシ基およびイソシアネート基が好ましく、アルコキシ基がより好ましい。アルコキシ基としては、炭素原子数1〜4のアルコキシ基が好ましく、メトキシ基またはエトキシ基がより好ましい。化合物(3)におけるX3としては、メトキシ基、エトキシ基が特に好ましい。これらは、製造上の目的、用途等に応じて適宜選択され用いられる。化合物(3)中に複数個存在するX3は同じ基でも異なる基でもよく、同じ基であることが入手しやすさの点で好ましい。
撥水層は、下記式(1)で表される化合物および/またはその部分加水分解縮合物からなる(A)成分を含む撥水層形成用組成物を用いて、上記基体上の下地層の表面に形成される。
R3−(SiR2 2O)k−SiR2 2−Y1−Si(R1)3−n(X1)n …(1)
(ただし、式(1)中、R3は炭素原子数10以下のアルキル基または−Y1−Si(R1)3−n(X1)n基を、R2はそれぞれ独立して炭素原子数3以下のアルキル基を、Y1はそれぞれ独立して炭素原子数2〜4のアルキレン基を、R1はそれぞれ独立して1価の炭化水素基であり、X1はそれぞれ独立して加水分解性基を示す。kは10〜200の整数であり、nは1〜3の整数である。)
CH3(Si(CH3)2O)kSi(CH3)2C2H4SiCl3
CH3(Si(CH3)2O)kSi(CH3)2C2H4Si(OCH3)3
CH3(Si(CH3)2O)kSi(CH3)2C2H4Si(OC2H5)3
C4H9(Si(CH3)2O)kSi(CH3)2C2H4SiCl3
C4H9(Si(CH3)2O)kSi(CH3)2C2H4Si(OCH3)3
C4H9(Si(CH3)2O)kSi(CH3)2C2H4Si(OC2H5)3
Cl3SiC2H4(Si(CH3)2O)kSi(CH3)2C2H4SiCl3
(CH3O)3SiC2H4(Si(CH3)2O)kSi(CH3)2C2H4Si(OCH3)3
(C2H5O)3SiC2H4(Si(CH3)2O)kSi(CH3)2C2H4Si(OC2H5)3
本発明において、化合物(1)は1種を単独で用いてもよく、2種以上を併用してもよい。なお、上記のとおりこられのなかでも片方の末端のみに加水分解性シリル基を有する化合物(1)が好ましい。また、加水分解性基は塩素原子、メトキシ基がより好ましく、塩素原子が特に好ましい。
例えば、式(1)において、R3が炭素原子数10以下のアルキル基であり、片末端にY1として−C2H4−を介して加水分解性シリル基(−Si(R1)3−n(X1)n)を有する直鎖状のポリジメチルシロキサン(R3(Si(CH3)2O)kSi(CH3)2C2H4Si(R1)3−n(X1)n)は、以下のようにして製造できる。
一方の末端にR3を他方の末端に水素原子をそれぞれ有するポリジメチルシロキサン(R3(Si(CH3)2O)kSi(CH3)2H)に、ヒドロシリル化触媒の存在下、CH2=CHSi(R1)3−n(X1)nを反応させる。
この反応で得られる化合物(1)は、Y1が−CH2CH2−の化合物と、−CH(CH3)−の化合物の混合物となる。また、上記反応において、CH2=CH−をCH2=CH−CH2−とすることで、上記においてY1が−C3H6−の化合物(1)が得られる。
本発明の撥水膜付き基体は、これを具備する輸送機器用物品としての用途に好適に用いられる。輸送機器用物品とは、電車、自動車、船舶、航空機等におけるボディー、窓ガラス(フロントガラス、サイドガラス、リアガラス)、ミラー、バンパー等が好ましく挙げられる。
(化合物11);CH3(Si(CH3)2O)60Si(CH3)2C2H4SiCl3
(化合物12);CH3(Si(CH3)2O)39Si(CH3)2C2H4SiCl3
(化合物13);CH3(Si(CH3)2O)120Si(CH3)2C2H4SiCl3
(化合物14);CH3(Si(CH3)2O)58Si(CH3)2C2H4Si(OCH3)3
(ビニルポリジメチルシロキサン(1−B)の製造)
撹拌機、滴下ロートを備えた反応器(内容積100mL、ガラス製)にトリメチルシラノール(0.50g)を投入し、氷浴中で攪拌した。これにn−ブチルリチウムのヘキサン溶液(1.5mol/L)の3.7mLを滴下した。1時間攪拌後、ヘキサメチルシクロトリシロキサン(24.66g)をTHF(25g)に溶解した溶液をゆっくりと滴下した。滴下終了後、氷浴を外して5時間攪拌し、これにクロロジメチルビニルシラン(1.00g)を滴下して、さらに12時間攪拌した。
CH3(Si(CH3)2O)60Si(CH3)2CH=CH2 …(1−B)
得られた化合物(1−B)の1H−NMR(300.4MHz、基準:C6D6(=7.00ppm))の測定結果を以下に示す。なお、各測定値は、測定値に続く()内に示す基に由来する測定値を意味するが、この基に[]で囲まれた部分がある場合は、測定値は[]で囲まれた部分に由来する測定値を意味するものである。以下、実施例で示すNMRの測定結果については、全て同様である。
1H−NMR(溶媒:C6D6)δ(ppm):5.6〜6.1(3H、m、H−Si)、0.0〜0.3(369H、m、CH3−Si)。
攪拌機、ジムロートを備えた反応器(内容積50mL)に、化合物(1−B)(20.0g)、トリクロロシラン(1.17g)、およびPt触媒(Ptの1,3−ジビニル−1,1,3,3−テトラメチルジシロキサン錯体の2質量%キシレン溶液)(0.015g)を投入して、室温にて24時間攪拌した。
得られた反応粗液から揮発成分を50℃/10mmHgの条件下に除去し、片末端がそれぞれ基(1a)および基(1b)である化合物の混合物であって、各化合物の比が[基(1a)の化合物:基(1b)の化合物]として94:6である、下式(11)で表わされる化合物(11)の20.2gを得た。収率は98%であった。
−Si(CH3)2CH2CH2SiCl3 …(1a)
−Si(CH3)2CH(CH3)SiCl3 …(1b)
CH3(Si(CH3)2O)60Si(CH3)2C2H4SiCl3 …(11)
1H−NMR(溶媒:C6D6)δ(ppm):1.05(1.88H、m、SiCH2[CH2]SiCl3)、0.98(0.18H、d、SiCH([CH3])SiCl3)、0.55(1.88H、m、Si[CH2]CH2SiCl3)、0.0〜0.3(369H、m、CH3−SiおよびSi[CH](CH3)SiCl3)。
(ハイドロジェンポリジメチルシロキサン(1−A)の製造)
撹拌機、滴下ロートを備えた反応器(内容積100mL、ガラス製)にトリメチルシラノール(0.75g)およびTHF(3.0g)を投入し、氷浴中で攪拌した。これにn−ブチルリチウムのヘキサン溶液(1.5mol/L)の5.5mLを滴下した。1時間攪拌後、ヘキサメチルシクロトリシロキサン(24.20g)をTHF(20g)に溶解した溶液をゆっくりと滴下した。滴下終了後、氷浴を外して12時間攪拌し、これにジメチルクロロシラン(1.20g)を滴下して、さらに12時間攪拌した。
CH3(Si(CH3)2O)39Si(CH3)2H …(1−A)
1H−NMR(溶媒:C6D6)δ(ppm):4.88(1H、m、H−Si)、0.0〜0.3(243H、m、CH3−Si)。
攪拌機、ジムロートを備えた反応器(内容積50mL)に、化合物(1−A)(15.0g)、ビニルトリクロロシラン(1.64g)、およびPt触媒(Ptの1,3−ジビニル−1,1,3,3−テトラメチルジシロキサン錯体の2質量%キシレン溶液)(0.010g)を投入して、室温にて24時間攪拌した。
CH3(Si(CH3)2O)39Si(CH3)2C2H4SiCl3 …(12)
1H−NMR(溶媒:C6D6)δ(ppm):1.06(1.04H、m、SiCH2[CH2]SiCl3)、0.98(1.44H、d、SiCH([CH3])SiCl3)、0.55(1.04H、m、Si[CH2]CH2SiCl3)、0.0〜0.3(243.5H、m、CH3−SiおよびSi[CH](CH3)SiCl3)。
(ビニルポリジメチルシロキサン(2−B)の製造)
撹拌機、滴下ロートを備えた反応器(内容積100mL、ガラス製)にトリメチルシラノール(0.25g)を投入し、氷浴中で攪拌した。これにn−ブチルリチウムのヘキサン溶液(1.5mol/L)の1.8mLを滴下した。1時間攪拌後、ヘキサメチルシクロトリシロキサン(24.66g)をTHF(25g)に溶解した溶液をゆっくりと滴下した。滴下終了後、氷浴を外して5時間攪拌し、これにクロロジメチルビニルシラン(0.50g)を滴下して、さらに12時間攪拌した。
得られた反応粗液に10質量%炭酸水素ナトリウム水溶液を加えて2層に分離させ、有機層を蒸留水で洗浄した。この有機層を硫酸マグネシウムで脱水し、揮発成分を50℃/10mmHgの条件下に除去し、下式(2−B)で表わされる化合物(2−B)の24.8gを得た。収率は99%であった。
CH3(Si(CH3)2O)120Si(CH3)2CH=CH2 …(2−B)
1H−NMR(溶媒:C6D6)δ(ppm):5.6〜6.1(3H、m、H−Si)、0.0〜0.3(729H、m、CH3−Si)。
攪拌機、ジムロートを備えた反応器(内容積50mL)に、化合物(2−B)(20.0g)、トリクロロシラン(0.60g)、およびPt触媒(Ptの1,3−ジビニル−1,1,3,3−テトラメチルジシロキサン錯体の2質量%キシレン溶液)(0.009g)を投入して、室温にて24時間攪拌した。
得られた反応粗液から揮発成分を50℃/10mmHgの条件下に除去し、片末端がそれぞれ基(1a)および基(1b)である化合物の混合物であって、各化合物の比が[基(1a)の化合物:基(1b)の化合物]として93:7である、下式(13)で表わされる化合物(13)の20.1gを得た。収率は99%であった。
CH3(Si(CH3)2O)120Si(CH3)2C2H4SiCl3 …(13)
1H−NMR(溶媒:C6D6)δ(ppm):1.05(1.86H、m、SiCH2[CH2]SiCl3)、0.98(0.21H、d、SiCH([CH3])SiCl3)、0.55(1.86H、m、Si[CH2]CH2SiCl3)、0.0〜0.3(729H、m、CH3−SiおよびSi[CH](CH3)SiCl3)。
(ハイドロジェンポリジメチルシロキサン(2−A)の製造)
撹拌機、滴下ロートを備えた反応器(内容積200mL、ガラス製)にトリメチルシラノール(1.00g)およびTHF(5.0g)を投入し、氷浴中で攪拌した。これにn−ブチルリチウムのヘキサン溶液(1.5mol/L)の7.0mLを滴下した。1時間攪拌後、ヘキサメチルシクロトリシロキサン(49.39g)をTHF(45g)に溶解した溶液をゆっくりと滴下した。滴下終了後、氷浴を外して12時間攪拌し、これにジメチルクロロシラン(1.15g)を滴下して、さらに12時間攪拌した。
CH3(Si(CH3)2O)58Si(CH3)2H …(2−A)
1H−NMR(溶媒:C6D6)δ(ppm):4.88(1H、m、H−Si)、0.0〜0.3(357H、m、CH3−Si)。
攪拌機、ジムロートを備えた反応器(内容積50mL)に、化合物(2−A)(20.0g)、ビニルトリメトキシシラン(1.33g)、およびPt触媒(Ptの1,3−ジビニル−1,1,3,3−テトラメチルジシロキサン錯体の2質量%キシレン溶液)(0.086g)を投入して、油浴にて60℃に加熱して6時間攪拌した。
−Si(CH3)2CH2CH2Si(OCH3)3 …(6a)
−Si(CH3)2CH(CH3)Si(OCH3)3 …(6b)
CH3(Si(CH3)2O)58Si(CH3)2C2H4Si(OCH3)3 …(14)
1H−NMR(溶媒:C6D6)δ(ppm):3.35(9H、s、OCH3)、1.17(0.6H、d、SiCH([CH3])Si(OCH3)3)、0.63(3.2H、m、Si[CH2CH2]Si(OCH3)3)、0.0〜0.3(357H、m、CH3−SiおよびSi[CH](CH3)Si(OCH3)3)。
(撥水層形成用組成物1〜3)
撹拌機、温度計がセットされたガラス容器で、上記で得られた化合物(11)が10質量%、酢酸ブチル(純正化学社製)が90質量%となる割合で両者を混合し、25℃にて5分間撹拌して、撥水層形成用組成物1を得た。化合物(11)を化合物(12)、化合物(13)に変えた以外は同様にして、撥水層形成用組成物2、撥水層形成用組成物3を得た。
撹拌機、温度計がセットされたガラス容器で、上記で得られた化合物(14)が10質量%、イソプロピルアルコール(純正化学社製)が16.7質量%、酢酸ブチルが68.3質量%となる割合で混合し、25℃にて1分間撹拌した後、10質量%硝酸水溶液を5質量%添加し25℃にて3時間撹拌して、撥水層形成用組成物4を得た。なお、各成分の含有量(質量%)は撥水層形成用組成物4の全量に対する質量%である。
下地層形成用組成物の調製において以下の化合物を準備した。
(B)成分
テトラメトキシシラン;Si(OCH3)4(関東化学社製)、以下「TMOS」と示す。化合物(2)に相当する。
(D)成分
ビストリメトキシシリルエタン;(CH3O)3SiCH2CH2Si(OCH3)3(関東化学社製)、以下「BTME」と示す。化合物(3)に相当する。
(C)成分
(C1)成分および(C2)成分として以下の表1に示す元素Mの加水分解性化合物(Z)または、元素Mの塩とキレート化剤の組み合わせを準備した。なお、表1中、ホウ酸が含むBは、電気陰性度がケイ素原子の1.74よりも大きい元素であり、本発明の範囲外の元素である。ホウ酸とアセチルアセトンの組み合わせを比較のために用いた。
撹拌機、温度計がセットされたガラス容器で、表2に示す質量(g)の各原料を添加し、25℃にて3分間撹拌した後、0.463質量%硝酸水溶液を0.42g滴下し、25℃にて3時間撹拌することで下地層形成用組成物1〜14を得た。
上記下地層形成用組成物1〜14と同様にして、本発明に係る下地層を形成するのに適さない下地層形成用組成物15〜20(比較例用)を得た。
なお、表2において、(C)成分の化合物は表1に示す化合物略号で示す。(C)成分の含有量1は、仕込み質量(g)を示し、含有量2は、(B)成分および(D)成分由来のケイ素原子と(C)成分由来の元素Mの合計モル量100モル%に対する(C)成分由来の元素Mのモル%を示す。また、(C)成分として、Zr−1、Ti−1等の溶液を用いた場合の含有量1は、溶液としての仕込み量(g)を示す。
基体として、酸化セリウムで表面を研磨洗浄し、乾燥した清浄なソーダライムガラス基板(水接触角5度、300mm×300mm×厚さ3mm)を用い、該ガラス基板の表面に、表3および表4に示すとおり上記で得られた下地層形成用液状組成物1〜20のいずれかの0.5gをスキージコート法によって塗布し、25℃で1分間乾燥し下地層(未硬化)を形成した。次いで、形成した下地層(未硬化)の表面に、表3および表4に示すとおり上記で得られた撥水層形成用組成物1〜4のいずれかの0.5gをスキージコート法によって塗布し、50℃、60%RHに設定された恒温恒湿槽で48時間保持して撥水層を形成すると同時に下地層の硬化を行った後、撥水層の表面を2−プロパノールを染み込ませた紙ウェスで拭き上げることで、基体側から順に下地層/撥水層からなる撥水膜を有する撥水膜付き基体を得た。
上記の例1〜30で得られた撥水膜付き基体の評価を、以下のように行った。結果を表3、表4に示す。なお、各測定の前には、エタノールを含ませた紙ウェスで膜表面の汚れの除去を行った。
撥水性は、静的撥水性については以下の方法で測定した水接触角(CA)で、動的撥水性(滑水性)については以下の方法で測定した水転落角(SA)で評価した。まず、以下の耐湿性試験を行う前に初期値を測定した。また、耐湿性試験を行う前に、得られた撥水膜付き基体の撥水膜表面における小水滴の滑落性を評価した。小水滴の滑落性は、特に輸送機器用物品の用途において有することが好ましいとされる物性である。
撥水膜付き基体の撥水膜表面に置いた、直径1mmの水滴の接触角をDM−701(協和界面科学社製)を用いて測定した。撥水膜表面における異なる5ヶ所で測定を行い、その平均値を算出した。
水平に保持した撥水膜付き基体の撥水膜表面に50μLの水滴を滴下した後、基体を徐々に傾け、水滴が転落しはじめた時の撥水膜付き基体と水平面との角度(転落角)をSA−11(協和界面科学社製)を用いて測定した。撥水膜表面における異なる5ヶ所で測定を行い、その平均値を算出した。転落角が小さいほど動的撥水性(滑水性)に優れる。
水平から70度に傾けた撥水膜付き基体の撥水膜上に6μLの水滴を置き、50mm移動する際の時間をはかり滑落速度(mm/秒)を算出して小水滴滑落性の評価とした。なお、評価「滑落せず」は、全く移動しなかったことを示す。
例1〜6、例17、18で得られた撥水膜付き基体を、50℃、95%RHの環境下500時間暴露する耐湿性試験を行った後、上記同様の方法により水接触角(CA)、水転落角(SA)を測定した。
上記で測定した初期撥水性と耐湿性試験後の撥水性の結果を表3(例1〜16)、表4(例17〜30)に示す。
Claims (11)
- 基体と、前記基体の少なくとも一部の表面に撥水膜とを有する撥水膜付き基体であって、
前記撥水膜は、基体側から順に、
酸化ケイ素と、ケイ素原子よりも電気陰性度が低い元素M(ただし、前記元素Mは、Al、Zr、Hf、Ti、YおよびCeから選ばれる1種以上の元素である)の酸化物を含む下地層であって、前記下地層の構成成分におけるケイ素原子と元素Mの合計モル量の100モル%に対してケイ素原子を50モル%以上97モル%以下で含有する下地層、および、
下記式(1)で表される化合物および/またはその部分加水分解縮合物からなる(A)成分を含む撥水層形成用組成物を用いて形成された撥水層、
を有する撥水膜付き基体。
R3−(SiR2 2O)k−SiR2 2−Y1−Si(R1)3−n(X1)n …(1)
(ただし、式(1)中、R3は炭素原子数10以下のアルキル基または−Y1−Si(R1)3−n(X1)n基を、R2はそれぞれ独立して炭素原子数3以下のアルキル基を、Y1はそれぞれ独立して炭素原子数2〜4のアルキレン基を、R1はそれぞれ独立して1価の炭化水素基であり、X1はそれぞれ独立して加水分解性基を示す。kは10〜200の整数であり、nは1〜3の整数である。) - 前記下地層は、下記式(2)で表される化合物および/またはその部分加水分解縮合物からなる(B)成分と、前記元素Mと元素Mに結合する加水分解性基を有する化合物および/またはその部分加水分解縮合物からなる(C1)成分および/または前記元素Mの塩および前記元素Mとキレート結合可能なキレート化剤とからなる(C2)成分からなる(C)成分とを含む、もしくは、前記(B)成分と前記(C)成分の部分加水分解共縮合物(ただし、前記(B)成分および/または前記(C)成分を含んでもよい)を含む下地層形成用組成物を用いて形成された下地層である請求項1に記載の撥水膜付き基体。
Si(X2)4 …(2)
(ただし、式(2)中、X2はそれぞれ独立して、ハロゲン原子、アルコキシ基またはイソシアネート基を示す。) - 前記下地層形成用組成物は、さらに、下記式(3)で表わされる化合物および/またはその部分加水分解縮合物からなる(D)成分を含む、もしくは、前記(B)成分、前記(C)成分および前記(D)成分から選ばれる少なくとも2種による部分加水分解共縮合物(ただし、前記(B)成分、前記(C)成分および前記(D)成分をそれぞれ単体で含んでもよい)を含む、請求項2に記載の撥水膜付き基体。
X3 3Si−(CH2)m−SiX3 3 …(3)
(ただし、式(3)中、X3はそれぞれ独立して加水分解性基または水酸基を示し、mは1〜8の整数である。) - 前記下地層形成用組成物における、前記(C)成分由来の元素Mの含有量が、前記式(B)成分由来のケイ素と、前記(C)成分由来の元素Mと、前記(D)成分由来のケイ素の合計量100モル%に対して、3〜50モル%である請求項2または3に記載の撥水膜付き基体。
- 前記式(3)において、X3はアルコキシ基またはイソシアネート基であり、mは1〜3の整数である、請求項3または4に記載の撥水膜付き基体。
- 前記式(1)において、R2はメチル基であり、R3は炭素原子数5以下の直鎖状のアルキル基であり、X1は塩素原子または炭素原子数3以下のアルコキシ基であり、kは10〜150の整数であり、nは3である、請求項1〜5のいずれか1項に記載の撥水膜付き基体。
- 前記元素MがAlであり、前記(C)成分がAlのアセチルアセトナートおよび/またはその部分加水分解縮合物、および/またはAl塩とアセチルアセトンの混合物とからなる請求項2〜6のいずれか1項に記載の撥水膜付き基体。
- 前記下地層形成用組成物は、全固形分が実質的に、前記(B)成分由来成分、前記(C)成分由来成分、および前記(D)成分由来成分のみからなる、請求項2〜7のいずれか1項に記載の撥水膜付き基体。
- 前記撥水層形成用組成物は、全固形分が実質的に前記(A)成分のみからなる請求項1〜8のいずれか1項に記載の撥水膜付き基体。
- 前記基体の材質がガラスである、請求項1〜9のいずれか1項に記載の撥水膜付き基体。
- 請求項1〜10のいずれか1項に記載の撥水膜付き基体を備えた輸送機器用物品。
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