JP6008387B2 - 半導体デバイスの電気的にプログラミング可能なヒューズモジュール - Google Patents
半導体デバイスの電気的にプログラミング可能なヒューズモジュール Download PDFInfo
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Description
本明細書に記載された各信号は正論理または負論理として設計し得る。ここで、負論理は、信号名上に線(バー)を書くか、または名の後に文字「B」を続けることにより指定される。負論理信号の場合、信号はアクティブローであり、論理的に真の状態は論理レベル0に相当する。正論理信号の場合、信号はアクティブハイであり、論理的に真の状態は論理レベル1に相当する。本明細書に記載された任意の信号は、負論理または正論理信号として設計することができる。従って、代替実施形態において、正論理信号として記載された信号は負論理信号として具体化可能であり、負論理信号として記載された信号は正論理信号として具体化可能である。
Claims (6)
- 半導体デバイスであって、
電気的にプログラミング可能なeヒューズ素子のアレイを含むeヒューズモジュールと、
プログラミング電流発生器であって、
複数の基準トランジスタ素子のセットと、
前記複数の基準トランジスタ素子を活性化させて、選択された基準電流を生成するセレクタと、
前記選択された基準電流に応じたプログラミング電流を前記アレイの前記選択されたeヒューズ素子に印加するカレントミラーとを含み、前記選択されたeヒューズ素子の抵抗をプログラミングする前記プログラミング電流発生器とを備え、
前記カレントミラーは、
供給電圧(Vcc)に接続された第1の端子を有する第1のトランジスタ(M7)と、
前記第1のトランジスタの第2の端子に接続された第1の端子と、グランドに接続された第2の端子と、第1のトランジスタの第2の端子に接続された制御端子とを有する第2のトランジスタ(M8)と、
前記eヒューズモジュールにプログラミング電流を供給するために前記eヒューズモジュールに接続された第1の端子と、グランドに接続された第2の端子と、前記第2のトランジスタの制御端子に接続された制御端子とを有する第3のトランジスタ(M9)と、を含み、
前記プログラミング電流発生器は、
前記供給電圧に接続された第1の端子と、前記複数の基準トランジスタ素子のセットに接続された第2の端子と、前記第1のトランジスタの制御端子に接続された制御端子とを有するカレントフォロワ・トランジスタ(M11)と、
バンドギャップ電圧を受け取る第1の入力と、前記カレントフォロワ・トランジスタの第2の端子に接続された第2の入力と、前記カレントフォロワ・トランジスタの制御端子に接続された出力と、を有する増幅器と、をさらに含む、
半導体デバイス。 - 前記複数の基準トランジスタ素子の各々は、電流伝達経路および制御端子を有し、前記セレクタは、第1基準電圧または第2基準電圧を、前記複数の基準トランジスタ素子の複数の制御端子に選択的に印加して、前記電流伝達経路における電流の流れを制御する、請求項1に記載の半導体デバイス。
- 前記複数の基準トランジスタ素子の複数の電流伝達経路は、第1ノードと第2ノードとの間において並列に接続され、前記選択された基準電流が、前記第1ノードと前記第2ノードとの間に流れる、請求項2に記載の半導体デバイス。
- 前記プログラミング電流発生器は、基準電圧を前記第1ノードおよび前記第2ノードに印加する基準電圧発生器を含む、請求項3に記載の半導体デバイス。
- 前記プログラミング電流発生器は、予め設定されたプログラミング期間中に前記カレントミラーと前記選択されたeヒューズ素子の前記アレイとの直列接続にプログラミング電圧を印加するプログラミング電圧発生器を含む、請求項1に記載の半導体デバイス。
- 前記アレイのeヒューズ素子に検出電流を印加し、前記eヒューズ素子の前記抵抗に応じて出力信号を生成するセンサをさらに備える、請求項1に記載の半導体デバイス。
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