CN106328187A - 一种动态存储器芯片e‑fuse操作电压生成电路及方法 - Google Patents
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Abstract
本发明一种动态存储器芯片e‑fuse操作电压生成电路及方法，节省了内部电荷泵电路，由此减小了芯片面积，降低了芯片成本。所述电路包括选择端分别连接动态存储器芯片内部接收器电路和动态存储器芯片内部电压网络的选择开关；且不包括内部电荷泵电路；所述选择开关的另一端连接动态存储器芯片的NC端口或高地址位端口。所述方法，在执行e‑fuse操作时，将动态存储器的NC端口或者高地址位端口与e‑fuse操作时所需要的内部电压网络连接起来，然后将外部操作电压通过NC端口或高地址位端口置入内部电压网络，对e‑fuse的器件进行高压烧制，实现e‑fuse操作时电压的置入。
Description
技术领域
本发明涉及动态存储器芯片e-fuse操作方法，具体为一种动态存储器芯片e-fuse操作电压生成电路及方法。
背景技术
目前动态存储器芯片中用来做e-fuse操作的电压主要是由内部电荷泵电路来产生，电荷泵电路占面积大，而且使用率极低，只在做e-fuse操作的时候才会用到，其他时间都处于关闭状态。因此在整个动态存储器芯片中占据了很大的面积，成本高，不利于整个芯片的小型化。
发明内容
针对现有技术中存在的问题，本发明提供一种动态存储器芯片e-fuse操作电压生成电路及方法，节省了内部电荷泵电路，由此减小了芯片面积，降低了芯片成本。
本发明是通过以下技术方案来实现：
一种动态存储器芯片e-fuse操作电压生成电路，包括选择端分别连接动态存储器芯片内部接收器电路和动态存储器芯片内部电压网络的选择开关；且不包括内部电荷泵电路；所述选择开关的另一端连接动态存储器芯片的NC端口或高地址位端口。
优选的，设置有多个并联的选择开关；每个选择开关的一端分别连接内部接收器电路和内部电压网络的选择开关，另一端分别连接动态存储器芯片的NC端口或高地址位端口。
优选的，所述选择开关的另一端通过焊盘和金属连线与动态存储器芯片的NC端口或高地址位端口连接。
一种动态存储器芯片e-fuse操作电压生成方法，在执行e-fuse操作时，将动态存储器的NC端口或者高地址位端口与e-fuse操作时所需要的内部电压网络连接起来，然后将外部操作电压通过NC端口或高地址位端口置入内部电压网络，对e-fuse的器件进行高压烧制，实现e-fuse操作时电压的置入。
优选的，通过选择开关将动态存储器的NC端口或者高地址位端口与e-fuse操作时所需要的内部电压网络连接起来。
优选的，并行用多个NC端口和/或者高地址位端口来实现e-fuse操作时电压的置入。
进一步，每个NC端口或者高地址位端口对应连接一个选择开关，选择开关的选择端分别连接内部电压网络和内部接收器电路。
与现有技术相比，本发明具有以下有益的技术效果：
本发明通过动态存储器芯片NC端口或者高地址位端口去做e-fuse操作电压的置入，省去了内部操作电压生成器的电路，节省了芯片面积，减少了动态存储器设计的成本。
进一步的，通过并行用多个NC端口和/或者高地址位端口来实现e-fuse操作时电压的置入。既可以实现外部电压置入，又可以减小作为外部电压端口的NC端口和/或者高地址位端口的寄生电容，保证端口寄生电容在JEDEC规定的参数范围之内。
附图说明
图1为JEDEC中DDR3动态存储器端口封装图。
图2为本发明实例中所述的设置一个选择开关时的连接示意图。
图3为本发明实例中所述的设置多个选择开关时的连接示意图。
图中：选择开关1，外部端口2，焊盘3，金属连线4，内部电压网络5，内部接收器电路6。
具体实施方式
下面结合具体的实施例对本发明做进一步的详细说明，所述是对本发明的解释而不是限定。
如图1所示，总共有两种外部端口2可以用来做e-fuse电压的置入。一种是NC(未连接)端口，在封装后的芯片上，这些NC端口是没有实际用途的。所以可以利用这些NC端口在做e-fuse(电熔丝)操作电压的置入。
另外一种是一些在特殊的应用下中才会用到的一些地址端口，即高地址位端口，也可以用来做e-fuse操作电压的置入。
用NC端口或者某些特殊情况下才会被用到的高地址位端口用来做e-fuse电压置入的具体实现方法如下，以下的外部端口2即指NC端口和/或高地址位端口。
如图2所示，SPDT是一个选择开关1。当e-fuse操作的时候，开关切换到A位置，这样外部操作电压通过NC端口传入内部电压网络5，对e-fuse的器件进行高压烧制。当e-fuse不操作时，也就是正常工作模式下，SPDT切换到B位置，外部地址端口接到正常的动态存储器芯片内部接收器电路6。其中，内部接收器电路6用于执行正常工作，内部电压网络5用于进行e-fuse操作。
但是，图2中的应用会产生一个负效应，就是额外添加的SPDT开关管会增加外部端口2的寄生电容值，为了确保端口的寄生电容在JEDEC(电子工程设计发展联合会议)的规定的参数范围之内，对于这个具体应用做了如下优化，如图3所示。
并行用多个外部端口2来实现e-fuse操作时电压的置入。既可以实现外部电压置入，又可以减小外部电压端口的寄生电容，保证端口寄生电容在JEDEC规定的参数范围之内。
Claims (7)
1.一种动态存储器芯片e-fuse操作电压生成电路，其特征在于，
包括选择端分别连接动态存储器芯片内部接收器电路(6)和动态存储器芯片内部电压网络(5)的选择开关(1)；
且不包括内部电荷泵电路；
所述选择开关(1)的另一端连接动态存储器芯片的NC端口或高地址位端口。
2.根据权利要求1所述的一种动态存储器芯片e-fuse操作电压生成电路，其特征在于，设置有多个并联的选择开关(1)；每个选择开关(1)的一端分别连接内部接收器电路(6)和内部电压网络(5)的选择开关(1)，另一端分别连接动态存储器芯片的NC端口或高地址位端口。
3.根据权利要求1所述的一种动态存储器芯片e-fuse操作电压生成电路，其特征在于，所述选择开关(1)的另一端通过焊盘(3)和金属连线(4)与动态存储器芯片的NC端口或高地址位端口连接。
4.一种动态存储器芯片e-fuse操作电压生成方法，其特征在于，在执行e-fuse操作时，将动态存储器的NC端口或者高地址位端口与e-fuse操作时所需要的内部电压网络(5)连接起来，然后将外部操作电压通过NC端口或高地址位端口置入内部电压网络(5)，对e-fuse的器件进行高压烧制，实现e-fuse操作时电压的置入。
5.根据权利要求4所述的一种动态存储器芯片e-fuse操作电压生成方法，其特征在于，通过选择开关(1)将动态存储器的NC端口或者高地址位端口与e-fuse操作时所需要的内部电压网络(5)连接起来。
6.根据权利要求4所述的一种动态存储器芯片e-fuse操作电压生成方法，其特征在于，并行用多个NC端口和/或者高地址位端口来实现e-fuse操作时电压的置入。
7.根据权利要求6所述的一种动态存储器芯片e-fuse操作电压生成方法，其特征在于，每个NC端口或者高地址位端口对应连接一个选择开关(1)，选择开关(1)的选择端分别连接内部电压网络(5)和内部接收器电路(6)。
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| US20100157707A1 (en) * | 2007-08-29 | 2010-06-24 | Dudeck Dennis E | Sense Amplifier with Redundancy |
| CN101930802A (zh) * | 2009-06-25 | 2010-12-29 | 联发科技股份有限公司 | 电可编程熔丝装置 |
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| CN102779556A (zh) * | 2011-05-06 | 2012-11-14 | 飞思卡尔半导体公司 | 半导体装置中的电可编程熔丝模块 |
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