CN103515389A - 一种节省布线的sram单元的设计方法 - Google Patents
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Abstract
本发明用于SRAM类电路的设计和制造，提出了一种节省布线的SRAM单元的设计方法，即：通过N井为单元提供供电，能减少一根金属线，有助于减少芯片面积和降低成本。
Description
技术领域
本发明用于SRAM类电路的设计和制造，提出了一种节省布线的SRAM单元的设计方法，即：通过N井为单元提供供电，能减少一根金属线，有助于减少芯片面积和降低成本。
背景技术
通常的SRAM单元，其存储核心由2个反接的反相器，由电源和地两根总线供电。对应的，需要提供两根总线的接触点。这占用了宝贵的面积。
发明内容
本发明的用意在于，在每个SRAM单元内减少一个接触点和电源总线相连。达到这个目的的方法是把反相器的供电转移到硅表面以上。其基本原理是：将DMOS管的源极(P+)通过矽化物与N井通过N+连接起来，而N井在整个内核阵列都是连续的。
附图说明
图1是传统的SRAM单元电路。
图2是本发明的SRAM单元的等效电路。
具体实施方式
本发明在具体实现上，要充分考虑到N井电阻值对单元工作的影响，这需要在设计工作中建立等效电路，把N井带来的电阻网络充分考虑进去。
当单元阵列达到一定大小后，应当放tapping cell（加强单元），用金属导线练到电源总线，将N井电阻的影响降低到可承受的地步。
Claims (7)
1.一种节省布线的SRAM单元的设计方法。
2.一种符合权利要求1的设计，其特征在于，通过N井为每个单元供电，有利于减少电路的面积和降低成本。
3.一种符合权利要求1的设计，其特征在于，在每个SRAM单元内减少一个接触点和电源总线相连。
4.一种符合权利要求1及权利要求3的设计，其特征在于，把反相器的供电转移到硅表面以上。
5.一种符合权利要求4的设计，其特征在于，其基本原理是：将DMOS管的源极(P+)通过矽化物与N井通过N+连接起来，而N井在整个内核阵列都是连续的。
6.一种符合权利要求2的设计，其特征在于，具体实现上需充分考虑到N井电阻值对单元工作的影响，这需要在设计工作中建立等效电路，把N井带来的电阻网络充分考虑进去。
7.一种符合权利要求2的设计及权利要求6的设计，其特征在于，当单元阵列达到一定大小后，应当放tapping cell（加强连接的单元），用金属导线连到电源总线，将N井电阻的影响降低到可承受的地步。
Priority Applications (1)
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|---|---|---|---|
| CN201210210013.2A CN103515389A (zh) | 2012-06-25 | 2012-06-25 | 一种节省布线的sram单元的设计方法 |
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Publications (1)
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Country Status (1)
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Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN106298738A (zh) * | 2016-08-30 | 2017-01-04 | 绍兴嘉恒创能电子科技有限公司 | Cmos存储器单元无导线隐形供电方法 |
| CN109192233A (zh) * | 2018-09-21 | 2019-01-11 | 宁波奇巧电器科技有限公司 | Cmos存储器单元无导线供电方法 |
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2012
- 2012-06-25 CN CN201210210013.2A patent/CN103515389A/zh active Pending
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C06 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| C02 | Deemed withdrawal of patent application after publication (patent law 2001) | ||
| WD01 | Invention patent application deemed withdrawn after publication |
Application publication date: 20140115 |