JP6001319B2 - スピン偏極電子発生素子及びその製造方法 - Google Patents
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また、第2の発明は、基板と、基板上に形成されたバッファ層と、バッファ層上に形成された歪み超格子層とを有するスピン偏極電子発生素子において、基板をGaPとし、バッファ層をAl y Ga 1-y As 1-x P x とし、バッファ層の組成比x、yを、バッファ層の格子定数が、GaPの格子定数よりも大きく、バッファ層に面方向に圧縮歪みが発生し、バッファ層の結晶成長の初期において、分離した島状の結晶核が形成される範囲の値としたことを特徴とするスピン偏極電子発生素子である。
20…バッファ層
30…歪み超格子層
31…障壁層
32…井戸層
40…キャップ層
Claims (11)
- 基板と、前記基板上に形成されたバッファ層と、バッファ層上に形成された歪み超格子層とを有するスピン偏極電子発生素子において、
前記バッファ層は、格子定数が前記基板の格子定数よりも大きく、面方向に圧縮歪みが発生する格子定数を有し、
前記バッファ層は、前記バッファ層の組成比に対する面状成長における臨界膜厚の変化特性と、前記バッファ層の組成比に対する、バッファ層が2次元成長から3次元成長に転位する膜厚である転位膜厚の変化特性とにおいて、前記転位膜厚が前記臨界膜厚よりも小さくなる範囲の組成比であって、結晶成長の初期において、分離した島状の結晶核が形成される組成比の化合物半導体としたことを特徴とするスピン偏極電子発生素子。 - 基板と、前記基板上に形成されたバッファ層と、バッファ層上に形成された歪み超格子層とを有するスピン偏極電子発生素子において、
前記基板をGaPとし、
前記バッファ層をAly Ga1-y As1-x Px とし、
前記バッファ層の組成比x、yを、前記バッファ層の格子定数が、前記GaPの格子定数よりも大きく、前記バッファ層に面方向に圧縮歪みが発生し、前記バッファ層の結晶成長の初期において、分離した島状の結晶核が形成される範囲の値としたことを特徴とするスピン偏極電子発生素子。 - 前記基板をGaPとし、
前記バッファ層をAly Ga1-y As1-x Px とし、
前記バッファ層の組成比x、yを、前記バッファ層の格子定数が、前記GaPの格子定数よりも大きく、前記バッファ層に面方向に圧縮歪みが発生し、前記バッファ層の結晶成長の初期において、分離した島状の結晶核が形成される範囲の値としたことを特徴とする請求項1に記載のスピン偏極電子発生素子。 - 前記バッファ層は、GaAs1-x Px 、ただし、0≦x≦0.3から成ることを特徴とする請求項2又は請求項3に記載のスピン偏極電子発生素子。
- 前記バッファ層は、Aly Ga1-y As1-x Px 、ただし、0≦x≦0.3、0.1≦y≦1から成ることを特徴とする請求項2又は請求項3に記載のスピン偏極電子発生素子。
- 前記歪み超格子層は、GaAsとGaAsPとを交互に積層した層であることを特徴とする請求項1乃至請求項5の何れか1項に記載のスピン偏極電子発生素子。
- 基板と、バッファ層と、バッファ層上に形成された歪み超格子層とを有するスピン偏極電子発生素子の製造方法において、
前記基板上に、成長初期において、格子定数が前記基板の格子定数よりも大きく、前記基板から面方向に圧縮歪みを受ける化合物半導体から成る分散した多数の島状の結晶核を成長させ、
その後に、前記化合物半導体を前記基板の面に平行な方向に成長させることにより、前記バッファ層を前記基板上に成長させ、
前記バッファ層上に、前記歪み超格子層を成長させることを特徴とするスピン偏極電子発生素子の製造方法。 - 前記基板をGaPとし、
前記バッファ層をAl1-y Gay As1-x Px とし、
前記バッファ層の組成比x、yを、前記バッファ層の格子定数が、前記GaPの格子定数よりも大きく、前記バッファ層に面方向に圧縮歪みが発生し、前記バッファ層の結晶成長の初期において、分離した島状の結晶核が形成される範囲の値としたことを特徴とする請求項7に記載のスピン偏極電子発生素子の製造方法。 - 前記バッファ層は、GaAs1-x Px 、ただし、0≦x≦0.3から成ることを特徴とする請求項8に記載のスピン偏極電子発生素子の製造方法。
- 前記バッファ層は、Aly Ga1-y As1-x Px 、ただし、0≦x≦0.3、0.1≦y≦1から成ることを特徴とする請求項8に記載のスピン偏極電子発生素子の製造方法。
- 前記歪み超格子層は、GaAsとGaAsPとを交互に積層した層であることを特徴とする請求項7乃至請求項10の何れか1項に記載のスピン偏極電子発生素子。
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