JP6000859B2

JP6000859B2 - 半導体装置の製造方法、半導体装置、及び内視鏡

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Description

本発明は、半導体素子チップが配線板を介して信号ケーブルと接続されている半導体装置の製造方法、前記半導体装置、及び前記半導体装置を挿入部の先端部に具備する内視鏡に関する。

半導体素子チップである撮像素子チップを具備する撮像装置は、例えば電子内視鏡の先端部に配設されて使用される。電子内視鏡の先端部は患者の苦痛を和らげるために、細径化が重要な課題である。

特開２０１２−５５５７０号公報には、図１及び図２に示す撮像装置１０１が開示されている。撮像装置１０１の撮像素子チップ１２０には光学部材であるカバーガラス１１０等が接合されている。そして、図１に示すように撮像装置１０１の製造工程では、撮像素子チップ１２０が接合されている平板状態の配線板１３０に信号ケーブル１４０が半田接合される。そして、図２に示すように配線板１３０が１８０度折り曲げられることで、細径の撮像装置１０１が製造される。

しかし、配線板１３０に信号ケーブル１４０を半田接合するために、接合部だけを局所加熱することは容易ではなかった。このため、接合不良が発生したり、配線板１３０に接合済みの撮像素子チップ１２０が熱により損傷を受けたりするおそれがあった。また、配線板１３０を１８０度折り曲げるには治具を用いて注意深く行う必要があった。更に製造された撮像装置１０１は、撮像素子チップ１２０が発生する熱の放熱が十分ではないと、動作が不安定になるおそれがあった。

特開２０１２−５５５７０号公報

本発明は、半導体素子チップが配線板を介して信号ケーブルと接続されている半導体装置の製造方法において、配線板と信号ケーブルとの半田接合が容易な半導体装置の製造方法、前記半導体装置、及び前記半導体装置を挿入部の先端部に具備する信頼性の高い内視鏡を提供することを目的とする。更に、半導体素子チップが発生した熱を効果的に放熱する半導体装置、及び前記半導体装置を挿入部の先端部に具備する内視鏡を提供することを目的とする。

本発明の実施形態の半導体装置の製造方法は、半導体素子部をおもて面に有し、貫通配線を介して前記半導体素子部と接続された接合端子を裏面に有する半導体素子チップを作製する工程と、前記半導体素子チップよりも幅が狭い長方形で、第１の主面に、第１の端子と前記第１の端子と接続された第２の端子とが中央の可撓性部を挾んで両側に配設されている配線板を作製する工程と、平板状態の前記配線板の前記第１の主面の前記第２の端子が配設された領域と対向する第２の主面の第２の端子対向領域に、熱伝導率が、２０Ｗｍ^−１Ｋ^−１以上の材料からなる伝熱ブロックの第１の接合面を接合する工程と、前記平板状態の配線板の前記第１の端子に前記半導体素子チップの接合端子を接合する工程と、半田接合温度に加熱されたヒートツールが発生する熱を、前記伝熱ブロックを介して伝熱し、前記配線板の前記第２の端子に信号ケーブルの芯線を半田接合する工程と、前記配線板を、前記伝熱ブロックの前記第１の接合面と対向する第２の接合面が前記配線板の第２の主面と当接するように前記可撓性部で折り曲げて、前記半導体素子チップの投影面内に配置する工程と、金属からなる枠部材の内部に、一体化した前記半導体素子チップ、前記配線板、前記伝熱ブロック、及び前記信号ケーブルを収容し、封止樹脂で封止する工程と、を具備する。

別の実施形態の半導体装置は、半導体素子部をおもて面に有し、貫通配線を介して前記半導体素子部と接続された接合端子を裏面に有する半導体素子チップと、前記半導体素子部と電気的に接続されている芯線を有する信号ケーブルと、前記半導体素子チップよりも幅が狭い長方形で、第１の主面に、前記接合端子と接合された第１の端子と、前記第１の端子と接続され、前記信号ケーブルの前記芯線と半田接合されている第２の端子と、が中央の可撓性部を挾んで両側に配設され、前記可撓性部で折り曲げられ前記第１の主面と第２の主面とが平行な状態の配線板と、折り曲げられた前記配線板の前記第２の主面に挟持されている、熱伝導率が、２０Ｗｍ^−１Ｋ^−１以上の材料からなる伝熱ブロックと、前記半導体素子チップ、前記配線板、前記伝熱ブロック及び前記信号ケーブルが収納され、内部が封止樹脂で封止された金属からなる枠部材と、を具備する。

また別の実施形態の内視鏡は、撮像部をおもて面に有し、貫通配線を介して前記撮像部と接続された接合端子を裏面に有する半導体素子チップと、前記撮像部と電気的に接続されている芯線を有する信号ケーブルと、前記半導体素子チップよりも幅が狭い長方形で、第１の主面に、前記接合端子と接合された第１の端子と、前記第１の端子と接続され、前記信号ケーブルの前記芯線と半田接合されている第２の端子と、が中央の可撓性部を挾んで両側に配設され、前記可撓性部で折り曲げられ前記第１の主面と第２の主面とが平行な状態の配線板と、折り曲げられた前記配線板の前記第２の主面に挟持されている、熱伝導率が、２０Ｗｍ^−１Ｋ^−１以上の材料からなる伝熱ブロックと、前記半導体素子チップ、前記配線板、前記伝熱ブロック及び前記信号ケーブルが収納され、内部が封止樹脂で封止された金属からなる枠部材と、を具備する撮像装置を挿入部の先端部に具備する。

本発明によれば、半導体素子チップが配線板を介して信号ケーブルと接続されている半導体装置の製造方法において、配線板と信号ケーブルとの半田接合が容易な半導体装置の製造方法、前記半導体装置、及び前記半導体装置を挿入部の先端部に具備する内視鏡を提供できる。

従来の撮像装置の製造方法を説明するための断面図である。従来の撮像装置の断面図である。第１実施形態の撮像装置の断面図である。第１実施形態の撮像装置の分解図である。第１実施形態の撮像装置の製造方法を流れを説明するためのフローチャートである。第１実施形態の撮像装置の製造方法を説明するための断面図である。第１実施形態の撮像装置の製造方法を説明するための断面図である。第１実施形態の撮像装置の製造方法を説明するための上面図である。第２実施形態の撮像装置の製造方法を説明するための断面図である。第２実施形態の撮像装置の断面図である。第３実施形態の撮像装置の製造方法を説明するための断面図である。第３実施形態の撮像装置の断面図である。第４実施形態の撮像装置の製造方法を説明するための断面図である。第５実施形態の内視鏡を説明するための図である。

＜第１実施形態＞
図３に示すように、実施形態の半導体装置は、撮像部２１が形成された撮像素子チップ２０を半導体素子チップとして具備する撮像装置１である。

図３及び図４に示すように、撮像装置１は、カバーガラス１０と、撮像素子チップ２０と、配線板３０と、伝熱ブロック４０と、信号ケーブル（以下「ケーブル」ともいう）５０と、枠部材７０と、を具備する。なお、図は説明のための模式図であり、縦横の寸法比等は実際とは異なっている。また、一部の構成要素の図示を省略したり、断面図においては、一部の構成要素を側面から観察した状態で表示したりする。例えば、分解図である図４には、枠部材７０等は図示していない。

撮像素子チップ２０は、撮像部２１をおもて面２０ＳＡに有し、貫通配線２３を介して半導体素子部である撮像部２１と接続された接合端子２２を裏面２０ＳＢに有する。配線板３０は、幅、及び、折り曲げたときの長さが撮像素子チップ２０の平面視寸法よりも小さい略長方形である。配線板３０は、第１の主面３０ＳＡに、第１の端子３１と、第１の端子３１と配線（不図示）で接続された第２の端子３２とが中央の可撓性部３０Ｆを挾んで両側に配設されている。

配線板３０は、第１の主面３０ＳＡと第２の主面３０ＳＢとが平行な状態になるように、中央の可撓性部３０Ｆで１８０度折り曲げられている。第１の端子３１は撮像素子チップ２０の接合端子２２と接合されている。一方、第２の端子３２はケーブル５０の芯線５１と半田接合されている。このため、ケーブル５０の芯線５１は、撮像部２１と電気的に接続されている。

伝熱ブロック４０は、熱伝導率が、２０Ｗｍ^−１Ｋ^−１以上の材料からなる。伝熱ブロック４０は、折り曲げられた配線板３０の第２の主面３０ＳＢの間に挟持されている。

そして、撮像素子チップ２０、配線板３０、伝熱ブロック４０及びケーブル５０は、金属からなる枠部材７０の内部に収納され、封止樹脂７１で封止されている。枠部材７０の内寸は、撮像素子チップ２０の外寸と略同じである。ケーブル５０の他端は、図示しない信号処理装置等と接続される。

なお、複数のケーブル５０は、結束部材５２により先端部に露出した芯線５１の位置が、配線板３０の複数の第２の端子３２の配置位置に合わせた配置となるように結束部５２により束ねられている。

撮像装置１では、撮像素子チップ２０が発生する熱は、伝熱ブロック４０を介して、ケーブル５０にも伝熱される。このため、撮像装置１は、伝熱ブロックのない従来の撮像装置よりも動作が安定している。

次に、図５に示すフローチャートに沿って撮像装置１の製造方法について説明する。

＜ステップＳ１１＞撮像素子チップ作製
公知の半導体技術を用いて、例えばシリコン等の半導体からなるウエハのおもて面２０ＳＡにＣＣＤ又はＣＭＯＳイメージセンサ等からなる複数の撮像部２１が形成される。マイクロレンズ群が、撮像部２１の上に形成されていてもよい。撮像部２１と接続された複数の配線（不図示）等が形成された後、おもて面２０ＳＡには撮像部２１を保護する透明光学ウエハ、例えばカバーガラスウエハが図示しない透明接着剤で接合される。

そして、裏面２０ＳＢ側から貫通配線２３が形成され、おもて面２０ＳＡの撮像部２１と、貫通配線２３と配線（不図示）を介して接続された複数の接合端子２２が形成される。そして、ウエハを切断することで、カバーガラス１０が接合された撮像素子チップ２０が大量に一括して作製される。

上記方法で作製されたチップサイズパッケージタイプの撮像素子チップ２０は、撮像部２１をおもて面２０ＳＡに有し、それぞれの貫通配線２３を介して撮像部２１と接続された複数の接合端子２２を裏面２０ＳＢに有する。なお、撮像部２１と接合端子２２とを接続する配線は、撮像素子チップ２０の側面にあってもよい。

＜ステップＳ１２＞配線板作製
例えばポリイミドを基体とし銅からなる導体層が形成された配線板３０は、撮像素子チップ２０よりも幅が狭い略長方形で、第１の主面３０ＳＡに、第１の端子３１と第２の端子３２とが中央の可撓性部３０Ｆを挾んで両側に配設されている。第１の端子３１と第２の端子３２とは配線（不図示）により接続されている。

配線板３０は１枚のフレキシブル配線板であるため、可撓性部３０Ｆの境界は明確に定義されるものではない。なお、配線板は少なくとも中央が可撓性であればよく、両側が硬質基板で構成されたリジッドフレキシブル配線板でもよい。

また、配線板３０は第２の主面３０ＳＢの略全面に導体層が形成されている両面配線板であることが、後述するように伝熱効率向上等のために好ましい。また、配線板３０は多層配線板であってもよい。

なお、撮像素子チップ作製工程（Ｓ１１）と配線板作製工程（Ｓ１２）の順序は逆でもよいことは言うまでも無い。

＜ステップＳ１３＞撮像素子チップ接合
図６に示すように、平板状態の配線板３０の第１の端子３１に撮像素子チップ２０の接合端子２２が接合される。撮像素子チップ２０と配線板３０との間は、封止樹脂（不図示）により封止されることが好ましい。接合端子２２と第１の端子３１との接合には、金バンプ、半田ボール、ＡＣＰ（異方性導電樹脂）又はＡＣＦ（異方性導電フィルム）等を用いてもよい。

＜ステップＳ１４＞伝熱ブロック接合
図６に示すように、平板状態の配線板３０の第２の主面３０ＳＢに伝熱ブロック４０の第１の接合面４０ＳＡが接合される。略直方体の伝熱ブロック４０は、熱伝導率λが、２０Ｗｍ^−１Ｋ^−１以上の材料、例えば、Ｃｕ（λ＝３９８Ｗｍ^−１Ｋ^−１）、Ｓｉ（λ＝１６８Ｗｍ^−１Ｋ^−１）、Ａｌ（λ＝２３６Ｗｍ^−１Ｋ^−１）、Ｆｅ（λ＝８４Ｗｍ^−１Ｋ^−１）、又は、ＳＵＳ（λ＝２０Ｗｍ^−１Ｋ^−１）等からなる。熱伝導率λが、前記範囲以上であれば、後述するように、ケーブル５０を接合するときに、接合済みの撮像素子チップ１２０が熱により損傷を受けるおそれがない。また、撮像素子チップ１２０が発生する熱により、製造された撮像装置１の動作が不安定になるおそれもない。

伝熱ブロック４０の接合位置は、複数の第２の端子３２が配設された第１の主面３０ＳＡの第１の領域と対向する第２の主面３０ＳＢの第２の領域である。撮像装置１は、後述するように内視鏡の先端部に配設するために超小型である。そして、第１の領域（第２の領域）は、数ｍｍ角と小さい

そして、伝熱ブロック４０の寸法は、第１の領域（第２の領域）の寸法と略同じで、数ｍｍ角と小さい。このため、伝熱ブロック４０は、例えば電子部品実装装置（マウンター）を用いることで、第２の領域に対して容易に高精度の位置決め（例えば装着精度±３５μｍ）が可能である。

伝熱ブロック４０は、例えば配線板３０の第２の主面３０ＳＢの導体層３３に半田接合される。

なお、撮像素子チップ接合工程（Ｓ１３）と伝熱ブロック接合工程（Ｓ１４）の順序は逆でもよい。

＜ステップＳ１５＞ケーブル接合
図７に示すように、ケーブル５０の芯線５１が配線板３０の第２の端子３２と位置合わせされる。一方、半田接合温度に加熱される加熱部８１を有するヒートツール８０が伝熱ブロック４０の位置に合わせて位置決めされ、伝熱ブロック４０の第２の接合面４０ＳＢに押圧配置される。ヒートツール８０が半田接合温度に加熱されると、芯線５１と第２の端子３２とは、間に配設されている半田（不図示）が溶融することで接合される。

ここで、ヒートツール８０は大きく重いため、加熱部８１を配線板３０の第２の領域の位置に正確に位置決めすることは容易ではない。また加熱部８１の面積は、加熱の必要な第２の端子３２と芯線５１との接合部の面積よりも大きい。このため、ヒートツール８０の加熱部８１を直接、配線板３０に当接すると、接合部から離れた領域まで加熱されたり、接合部が十分に加熱されなかったりするおそれがあった。

しかし、図８に示すように、本実施形態の製造方法では、予め接合部（第１の領域）の背面（第２の領域）に伝熱ブロック４０が接合されている。このため、ヒートツール８０の加熱部８１は配線板３０ではなく伝熱ブロック４０と当接する。ヒートツール８０が発生する熱は伝熱ブロック４０を介して接合部に伝熱されるので、ヒートツール８０が第２の領域に対して正確に位置決めされていなくても、接合部（第１の領域）だけを加熱できる。

なお、伝熱ブロック４０が配線板３０に半田接合されている場合には、第２の端子３２と芯線５１との接合に用いる半田は、伝熱ブロック４０を接合している半田よりも低融点材料を用いる。

また、複数のケーブル５０は、半田接合の前に、それぞれの芯線５１の位置が、配線板３０の対応する第２の端子の配置位置に合わせた配置となるように、結束部材５２により束ねられていることが作業性改善のため好ましい。

＜ステップＳ１６＞折り曲げ
配線板３０が可撓性部３０Ｆで折り曲げられる。撮像装置１の製造方法では、配線板３０の第２の主面３０ＳＢが、伝熱ブロック４０の第１の接合面４０ＳＡと対向する第２の接合面４０ＳＢと当接するように曲げるだけで、容易に１８０度に折り曲げることができる。なお、既に説明したように、配線板３０の長さは、折り曲げたときに、撮像素子チップ２０の投影面内に配置されるように設計されている。

伝熱ブロック４０の第２の接合面４０ＳＢと、配線板３０の第２の主面３０ＳＢとは、接着剤を介して接合されたり、後述するように伝熱ブロック４０の周囲が封止樹脂で接合されたりすることで、配線板３０は折り曲げた状態で固定される。

＜ステップＳ１７＞樹脂封止
金属からなる枠部材７０の内部に、一体化している撮像素子チップ２０、配線板３０（伝熱ブロック４０）及びケーブル５０、が配設され、封止樹脂７１で封止され、撮像装置１が完成する。

なお、枠部材７０は熱伝導率λが、１０Ｗｍ^−１Ｋ^−１以上の、例えば、ＳＵＳであることが放熱性のため好ましい。また、封止樹脂７１は、シリコン等が分散された高熱伝導率樹脂であることが好ましい。しかし、封止樹脂７１は高熱伝導率樹脂でも、その熱伝導率λは、１〜１０Ｗｍ^−１Ｋ^−１程度である。

このため、撮像素子チップ２０が発生する熱は、封止樹脂７１を介してだけでは十分に伝熱されない。しかし、撮像装置１では、撮像素子チップ２０が発生する熱は、封止樹脂７１よりも熱伝導率の高い伝熱ブロック４０を介して、ケーブル５０にも伝熱される。このため、撮像装置１は、伝熱ブロックのない従来の撮像装置よりも動作が安定している。

なお、伝熱ブロック４０の熱伝導率が、封止樹脂７１の熱伝導率の２倍以上、好ましくは５倍以上であると、効果は顕著である。

＜第２実施形態＞
次に、第２の実施の形態の撮像装置１Ａ及び撮像装置１Ａの製造方法について説明する。本実施形態の撮像装置１Ａ等は、撮像装置１等と類似しているので、同じ機能の構成要素には同じ符号を付し、説明は省略する。

図９及び図１０に示すように、撮像装置１Ａの伝熱ブロック４０Ａの第１の接合面４０ＳＡには、複数の凸部４１がある。伝熱ブロック４０Ａは、それぞれの凸部４１が配線板３０の第２の端子３２と対向する位置に接合されている。凸部４１の大きさは第２の端子３２の大きさと略同じである。

撮像装置１Ａの製造方法においては、ヒートツール８０が第２の領域に対して正確に位置決めされていなくても、第１の領域よりも更に小さい、第２の端子３２と芯線５１との接合部だけを局所加熱できる。

このため、撮像装置１Ａの製造方法は、撮像装置１の製造方法の効果に加えて、より確実に接合を行うことができる。

更に、本実施形態の撮像装置１Ａでは伝熱ブロック４０Ａの平面視寸法が、第１形態の撮像装置１の伝熱ブロック４０の平面視寸法よりも大きい。すなわち、伝熱ブロック４０Ａの平面視寸法は、第１の領域（第２の領域）よりも大きい。そして、伝熱ブロック４０Ａの側面が、枠部材７０と当接している。

このため、撮像装置１Ａでは、撮像素子チップ２０が発生する熱は、伝熱ブロック４０Ａを介して、枠部材７０に伝熱される。このため、撮像装置１Ａは、撮像装置１よりも更に動作が安定している。

＜第３実施形態＞
次に、図１１及び図１２を用いて、第３の実施の形態の撮像装置１Ｂ及び撮像装置１Ｂの製造方法について説明する。本実施形態の撮像装置１Ｂ等は、撮像装置１等と類似しているので、同じ機能の構成要素には同じ符号を付し、説明は省略する。

図１１に示すように、撮像装置１Ｂの製造方法においては、芯線５１を半田接合する工程の前に、配線板３０の第１の主面３０ＳＡの接合端子２２が配設された領域と対向する第２の主面３０ＳＢの第１の端子対向領域に、帯状の放熱部材９０の一部を接合する工程を、更に具備する

放熱部材９０は、例えば、銅箔等の熱伝導率が、２０Ｗｍ^−１Ｋ^−１以上の材料からなる。このため、ケーブル接合工程において配線板３０に熱が印加されても、既に接合されている撮像素子チップ２０と配線板３０の接合部及び撮像素子チップ２０の温度が上昇しにくい。なお、放熱部材９０の延設部を冷却すると、効果はより顕著となる。

そして、図１２に示すように、製造された撮像装置１Ｂでは、放熱部材９０は、一部が伝熱ブロック４０及び配線板３０により挟持されており、延設部が枠部材７０と接合されている。

このため、撮像装置１Ｂでは、撮像素子チップ２０が発生する熱は、放熱部材９０を介して、枠部材７０に伝熱される。このため、撮像装置１Ｂは、撮像装置１よりも更に動作が安定している。

＜第４実施形態＞
次に、図１３を用いて、第４の実施の形態の撮像装置１Ｃ及び撮像装置１Ｃの製造方法について説明する。本実施形態の撮像装置１Ｃ等は、撮像装置１等と類似しているので、同じ機能の構成要素には同じ符号を付し、説明は省略する。

撮像装置１Ｃの配線板３０Ｃは、第２の端子３２Ｃの底面が配線板３０Ｃを貫通し、第２の主面３０ＳＢに露出している。伝熱ブロック４０は、絶縁層４２を介して配線板３０Ｃと接合されている。なお、絶縁層４２は、伝熱ブロック４０が絶縁体であり、かつ第２の端子３２Ｃ同士がショートしないように接合される場合には、不要となる。また、伝熱ブロック４０には、第２実施形態と同様に凸部４１を設けても良い。

撮像装置１Ｃは、撮像装置１Ａと同様に、ヒートツール８０が第２の領域に対して正確に位置決めされていなくても、第１の領域よりも更に小さい、第２の端子３２と芯線５１との接合部だけを局所加熱できる。

すなわち、撮像装置１Ｃの製造方法は、撮像装置１Ａの製造方法と同様の効果を有する。

＜第５実施形態＞
次に、第５の実施の形態の内視鏡９について説明する。

図１４に示すように、内視鏡９は、撮像装置１、１Ａ〜１Ｃが先端部２に配設された挿入部３と、挿入部３の基端側に配設された操作部４と、操作部４から延出するユニバーサルコード５と、を具備する。

内視鏡９は、撮像素子チップ２０とケーブル５０との接続信頼性が高い撮像装置１等を有するため、信頼性が高い。また、撮像素子チップ２０が発生した熱は伝熱ブロック４０を介して効果的に放熱されるため、動作が安定している。

なお、上記説明では、半導体装置として撮像装置１等を例に説明したが、半導体装置は、撮像装置に限られるものではない。

すなわち、本発明は上述した実施形態等に限定されるものではなく、本発明の要旨を変えない範囲において、種々の変更、改変等ができる。

１、１Ａ〜１Ｃ…撮像装置、９…内視鏡、１０…カバーガラス、２０…撮像素子チップ、２１…撮像部、２２…接合端子、２３…貫通配線、３０、３０Ｃ…配線板、３１…第１の端子、３２、３２Ｃ…第２の端子、３３…導体層、４０、４０Ａ…伝熱ブロック、４１…凸部、４２…絶縁層、５０…ケーブル、５１…芯線、５２…結束部材、７０…枠部材、７１…封止樹脂、８０…ヒートツール、８１…加熱部、９０…放熱部材

Claims

半導体素子部をおもて面に有し、貫通配線を介して前記半導体素子部と接続された接合端子を裏面に有する半導体素子チップを作製する工程と、
前記半導体素子チップよりも幅が狭い長方形で、第１の主面に、第１の端子と前記第１の端子と接続された第２の端子とが中央の可撓性部を挾んで両側に配設されている配線板を作製する工程と、
平板状態の前記配線板の前記第１の主面の前記第２の端子が配設された領域と対向する第２の主面の第２の端子対向領域に、熱伝導率が、２０Ｗｍ^−１Ｋ^−１以上の材料からなる伝熱ブロックの第１の接合面を接合する工程と、
前記平板状態の配線板の前記第１の端子に前記半導体素子チップの接合端子を接合する工程と、
半田接合温度に加熱されたヒートツールが発生する熱を、前記伝熱ブロックを介して伝熱し、前記配線板の前記第２の端子に信号ケーブルの芯線を半田接合する工程と、
前記配線板を、前記伝熱ブロックの前記第１の接合面と対向する第２の接合面が前記配線板の第２の主面と当接するように前記可撓性部で折り曲げて、前記半導体素子チップの投影面内に配置する工程と、
金属からなる枠部材の内部に、一体化した前記半導体素子チップ、前記配線板、前記伝熱ブロック、及び前記信号ケーブルを収容し、封止樹脂で封止する工程と、を具備することを特徴とする半導体装置の製造方法。
前記伝熱ブロックの側面が前記枠部材と当接するように、前記枠部材の内部に収容されることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
前記芯線を半田接合する工程の前に、前記配線板の前記第１の主面の前記第１の端子が配設された領域と対向する前記第２の主面の第１の端子対向領域に、熱伝導率が、２０Ｗｍ^−１Ｋ^−１以上の材料からなる帯状の放熱部材の一部を接合する工程を、更に具備することを特徴とする請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
前記半導体素子部が撮像部である撮像装置であることを特徴とする請求項１から請求項３のいずれか１項に記載の半導体装置の製造方法。
半導体素子部をおもて面に有し、貫通配線を介して前記半導体素子部と接続された接合端子を裏面に有する半導体素子チップと、
前記半導体素子部と電気的に接続されている芯線を有する信号ケーブルと、
前記半導体素子チップよりも幅が狭い長方形で、第１の主面に、前記接合端子と接合された第１の端子と、前記第１の端子と接続され、前記信号ケーブルの前記芯線と半田接合されている第２の端子と、が中央の可撓性部を挾んで両側に配設され、前記可撓性部で折り曲げられ前記第１の主面と第２の主面とが平行な状態の配線板と、
折り曲げられた前記配線板の前記第２の主面に挟持されている、熱伝導率が、２０Ｗｍ^−１Ｋ^−１以上の材料からなる伝熱ブロックと、
前記半導体素子チップ、前記配線板、前記伝熱ブロック及び前記信号ケーブルが収納され、内部が封止樹脂で封止された金属からなる枠部材と、を具備することを特徴とする半導体装置。
前記伝熱ブロックが、前記配線板と当接している第１の接合面の、それぞれの前記第２の端子と対向する位置に、凸部を有することを特徴とする請求項５に記載の半導体装置。
前記伝熱ブロックの側面が、前記枠部材と当接していることを特徴とする請求項５又は請求項６に記載の半導体装置。
一部が前記伝熱ブロック及び前記配線板により挟持されており、延設部が前記枠部材と接合されている、熱伝導率が、２０Ｗｍ^−１Ｋ^−１以上の材料からなる帯状の放熱部材を具備することを特徴とする請求項５から請求項７のいずれか１項に記載の半導体装置。
前記半導体素子部が撮像部である撮像装置であることを特徴とする請求項５から請求項８のいずれか１項に記載の半導体装置。
請求項９に記載の半導体装置を挿入部の先端部に具備することを特徴とする内視鏡。